JP2002093541A - Icソケット - Google Patents
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- H05K7/1023—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having exterior leads co-operating by abutting, e.g. flat pack
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
するようなことがなく、製造された半導体パッケージの
最終製品検査、電気的特性試験等を適切に行うことがで
きるようにする。 【解決手段】本体13と、接触部17を備え、前記本体
13の内部方向に向けて弾性的に傾倒可能に前記本体1
3に植立されたコンタクトピン14と、押下部材15と
を有し、前記接触部17は、前記コンタクトピン14の
上端部分に形成され、半導体パッケージ11の端子12
の裏面曲部に接触する細長い矩(く)形平面を湾曲させ
た形状の接触面を備える。
Description
するものである。
IC、LSI等の半導体パッケージの製造工程等におい
て、製造された半導体パッケージの最終製品検査、電気
的特性試験等を行うために、前記半導体パッケージの端
子のそれぞれに接触して電気的に接続する多数のコンタ
クトピンを有するICソケットが提供されている。
パッケージの端子とICソケットのコンタクトピンの接
触する状態の第1の例を示す図、図3は従来のICソケ
ットにおける半導体パッケージの端子とICソケットの
コンタクトピンの接触する状態の第2の例を示す図であ
る。
半導体パッケージであり、多数の端子52を有する。5
3はICソケットの本体であり、前記端子52に対応す
る数の金属製のコンタクトピン54を有する。該各コン
タクトピン54は、前記各端子52に対応する位置に配
設され、接触部57が前記各端子52に接触して、図示
されない測定装置に導通させるようになっている。ま
た、55は押下部材であり、図示されない押下装置によ
って図において下方に押下げられて、前記端子52の裏
面(図2において下側の面)を前記コンタクトピン54
の接触部57に上方から押しつける。
状の形状であり弾性を有し、本体53の溝56内に配設
されているので、前記接触部57は、図において下方へ
弾性的に移動可能である。
や異物(以下「半田等」という)が付着している場合に
は、前記端子52の裏面と前記コンタクトピン54の接
触部57との電気的な接触が不十分となり、接触不良が
発生してしまう。なお、前記異物は、通常、半導体パッ
ケージのモールド樹脂の屑、フィラーの屑等である。ま
た、前記端子52に施される半田メッキの量が多すぎる
と、異物が付着している場合と同様に、接触不良が発生
する。
クトピン54の接触部57との接触不良が発生すると、
製造された半導体パッケージの最終製品検査、電気的特
性試験等を適切に行うことが不可能となってしまう。
面57aと第2の接触面57bとを有し、前記端子52
の裏面が前記コンタクトピン54の接触部57に上方か
ら押しつけられた時に、まず、前記第1の接触面57a
が前記端子52の裏面をこすり、すなわちワイピングし
て、前記裏面に付着している半田等を除去し、次いで、
前記第2の接触面57bがワイピングされて清浄化され
た裏面に接触するようになっている。
ンタクトピン54の接触部57との電気的な接触を良好
にすることができる。
は、前記コンタクトピン54の接触部57は、多数の山
形の凸部が形成され、鋸歯状となっている。
に、端子52の裏面がコンタクトピン54の接触部57
に上方から押しつけられた時に、前記接触部57の凸部
が前記端子52の裏面をワイピングして、該裏面に付着
している半田等を除去し、前記凸部の先端がワイピング
されて清浄化された裏面に接触するようになっている。
タクトピン54の接触部57との電気的な接触を良好に
することができる。また、除去された半田等は残滓59
として、凸部の間隙に維持される。
来のICソケットにおいては、端子52の裏面全体をワ
イピングするために、半田等が多量に除去されて飛散す
るので、周囲が汚染されてしまう。なお、前記第2の例
においては、除去された半田等が残滓59として、凸部
の間隙に維持されるので、前記残滓59が少量であれ
ば、周囲は汚染されることはないが、半田等が多量に除
去されて前記残滓59が多量になると、前記凸部の間隙
からはみ出して飛散するので、周囲が汚染されてしま
う。
絡事故等が発生し、製造された半導体パッケージの最終
製品検査、電気的特性試験等を行うことが不可能とな
る。また、ICソケットの周辺に存在する半導体パッケ
ージや製造設備等が汚染された場合は、製造された半導
体パッケージが不良品となるので、半導体パッケージの
製造工程全体のスループットや歩留まりが低下してしま
う。
タクトピン54の接触部57上に多量に堆(たい)積さ
れると、前記端子52の裏面と前記コンタクトピン54
の接触部57との電気的な接触が阻害されてしまう。
等の量を抑制しようとして、前記端子52の裏面を前記
コンタクトピン54の接触部57に上方から押しつける
力を弱くすると、前記端子52の裏面と前記コンタクト
ピン54の接触部57との接触圧力が不十分となり、接
触不良が発生してしまう。
等が、モールド樹脂の屑やフィラーの屑などである場合
は、付着力が強いために、前記モールド樹脂の屑やフィ
ラーの屑はワイピングによって除去されない。このた
め、前記端子52の裏面と前記コンタクトピン54の接
触部57との電気的な接触が阻害されてしまう。
点を解決して、半田等をわずかしか除去しないので周囲
を汚染するようなことがなく、また、端子52の裏面と
コンタクトピン54の接触部57との接触圧力が十分で
なかったり、端子52の裏面に付着する半田等が除去さ
れなかったりするために接触不良が発生するようなこと
がなく、製造された半導体パッケージの最終製品検査、
電気的特性試験等を適切に行うことができるICソケッ
トを提供することを目的とする。
Cソケットにおいては、本体と、接触部を備え、前記本
体の内部方向に向けて弾性的に傾倒可能に前記本体に植
立されたコンタクトピンと、押下部材とを有する。
ンの上端部分に形成され、半導体パッケージの端子の裏
面曲部に接触する細長い矩(く)形平面を湾曲させた形
状の接触面を備える。
て図面を参照しながら詳細に説明する。
ICソケットのコンタクトピンと半導体パッケージの端
子の関係を示す断面図、図4は本発明の第1の実施の形
態におけるICソケットのコンタクトピンの接触部の斜
視図、図5は図4に示されるコンタクトピンの接触部の
側面図、図6は図5に示されるコンタクトピンの接触部
のB−B断面図、図7は半導体パッケージの端子の拡大
図である。
り、アルミニウム、銅、黄銅、Fe/Ni系合金等の金
属から成る多数の端子12を有する。ここで、前記半導
体パッケージ11は、多数の端子を有する表面実装型の
パッケージであって、IC、LSI等のチップ(ダイ)
を多数の端子12を備えるリードフレームに半田、ボン
ディングワイヤ等により電気的に接続した後、樹脂等で
モールド(封止)することによって製造されたものであ
る。
態であってもよいが、SOP(small out−l
ine package)、SIP(single i
n−line package)、DIP(dual
in−line package)、QFP(quad
flat package)等の形態が一般的であ
る。
から成るICソケットの本体であり、前記端子12に対
応する数のコンタクトピン14を有する。該各コンタク
トピン14は、鋼、アルミニウム、銅、黄銅、Fe/N
i系合金等の金属から成り、前記各端子12に対応する
位置に配設されて、各コンタクトピン14の接触部17
が前記各端子52に電気的に接触するようになってい
る。また、15は樹脂、セラミクス等の誘電体から成る
押下部材であり、図示されない押下装置により図におい
て下方に押下げられて、前記端子12の裏面(図1にお
いて下側の面)を前記コンタクトピン14の接触部17
に上方から押しつける。
ピン14は図示されない配線によって図示されない測定
装置に導通されていて、前記接触部17が前記半導体パ
ッケージ11の端子12のそれぞれに接触して、該端子
12のそれぞれを前記測定装置に電気的に接続させる。
これにより、該測定装置は、前記半導体パッケージ11
の電気的特性を測定することができる。このような電気
的特性の測定は、前記半導体パッケージ11の製造工程
等において、製造された半導体パッケージ11の最終製
品検査として、または、製造工程途中の半導体パッケー
ジ11の電気的特性の試験として実施される。
は、前記コンタクトピン14の上端部分に、図4〜6に
示されるような形状で形成され、細長い矩形平面を湾曲
させた形状の接触面17aと、該接触面17aの両側に
位置する側平面17bとを備える。そして、前記各コン
タクトピン14は、図1に示されるように、前記本体1
3に植立されていて、主として根本近傍部分が撓(た
わ)むことによって、前記本体13の内部方向に向けて
弾性的に傾倒可能になっている。
2は、図7に示されるような形状であって、プリント配
線板等への実装を容易にするために、通常、表面に半田
メッキが施されている。ここで、前記端子12の表面部
12a及び裏面水平部12bは、モールド用の樹脂の
屑、フィラーの屑、埃等の異物が付着し易い部分であ
る。これに対して、裏面曲部12c及び裏面垂直部12
dは前記異物が比較的付着しにくい部分である。さら
に、半田メッキは端子12の先端部分ほど厚く施される
のが通常であるから、前記裏面曲部12c及び裏面垂直
部12dに付着する半田の量は、前記表面部12a及び
裏面水平部12bに付着する半田の量よりも少なくなっ
ている。
る。
ットの動作を示す図、図9はICソケットのコンタクト
ピンの接触部と半導体パッケージの端子の接触関係を示
す図である。
トにセットされると、図8(a)に示されるように、各
端子12の裏面曲部12cが、各コンタクトピン14の
接触部17の接触面17a上方に位置する。
下部材15が図において下方に押下げられると、図8
(b)に示されるように、前記端子12が下方に押下げ
られて、前記端子12の裏面曲部12cが、前記接触部
17の接触面17aに押しつけられる。
うな曲面であるから、前記接触面17aに作用する力の
ベクトルは水平方向成分を有する。従って、前記接触部
17は図において左方へ押されるので、ICソケットの
本体13に植立されているコンタクトピン14は、主と
して根本近傍部分が撓むことにより、図において左方に
向けて弾性的に傾倒可能になっている。
うに、前記端子12が下方に押下げられて、その位置が
徐々に下方に移動していき、それに伴って、前記コンタ
クトピン14が徐々に左方に向けて傾倒していっても、
前記端子12が前記コンタクトピン14の接触部17の
接触面17aと接触する部分は、常に裏面曲部12cの
範囲内である。
部12cとが互いに接触する部分は相対的に移動してい
るのであるから、前記裏面曲部12cは前記接触面17
aによりワイピングされ、前記裏面曲部12cに付着す
る半田や異物(以下「半田等」という)は除去される。
なお、前記接触面17aがワイピングする前記端子12
の裏面の箇所は、前記裏面曲部12cの一部分にすぎ
ず、極めて狭い面積であるといえる。
17aとが接触する部分の面積は、図9(a)〜(c)
においては点接触であるといえるほどに狭い。もっと
も、前記接触面17aは、図面の垂直方向に幅を有し、
かつ、図6に示されるように、該幅方向にフラットであ
り、該幅方向の全域で接触しているのであるから、前記
面積は、実際には、線接触に相当する程度に狭いといえ
る。
7aとは、前記コンタクトピン14の弾性力によって、
常に接触が保持される。
記コンタクトピン14の接触部17の接触面17aがワ
イピングする前記端子12の裏面の箇所は、前記裏面曲
部12cの一部分にすぎず、極めて狭い面積である。さ
らに、前記裏面曲部12cは、付着する半田の量が少な
く、かつ、モールド用の樹脂の屑、フィラーの屑、埃等
の異物が付着しにくい部分である。
田等の量は非常に少ないので、除去された半田等が飛散
して周囲を汚染したり、除去された半田等が前記接触面
17a上に堆積されて前記接触面17aと前記裏面曲部
12cとの電気的接触を阻害することがない。
く、除去される半田等の量は非常に少ないのであるか
ら、コンタクトピン14の弾性力を強くして、前記裏面
曲部12cと前記接触面17aとの接触圧力を十分に大
きくすることができる。
強いモールド用の樹脂の屑、フィラーの屑、埃等の異物
が付着しにくい部分であるから、ワイピングによって除
去されない異物により前記接触面17aと前記裏面曲部
12cとの電気的接触を阻害することがない。
説明する。なお、第1の実施の形態と同じ構成を有する
ものについては、同じ符号を付与することによってその
説明を省略する。
るICソケットのコンタクトピンの接触部を示す図であ
る。
4の接触部17は、一体的に形成されたストッパ部17
−1を備える。
ットにセットされ、図10に示されるように、各端子1
2の裏面曲部12cが、各コンタクトピン14の接触部
17の接触面17a上方に位置する状態のとき、前記ス
トッパ部17−1の上面は、前記端子12を挟んで、押
下部材15の下面に対面するように位置する。また、前
記ストッパ部17−1の上面の高さ方向(図において上
下方向)の位置は、前記接触部17の上端面の位置より
も低い。
方に押下げられると、前記端子12が下方に押下げられ
て、前記端子12の裏面曲部12cが、前記接触部17
の接触面17aに押しつけられる。
げられて、その位置が徐々に下方に移動してゆくと、そ
れに伴って、前記コンタクトピン14が左方に向けて弾
性的に傾倒する。
前記コンタクトピン14の接触部17の接触面17aと
接触して下方からの力を受け、一方、前記端子12の表
面部12aの先端近傍が前記押下部材15によって上方
からの力を受けるのであるから、前記端子12には曲げ
モーメントが作用する。従って、前記端子12は、前記
接触面17aと接触する点を支点として、図において時
計回り方向に曲げられ、前記端子12の先端部分は下方
に移動させられる。
げられると、前記端子12の裏面水平部12bは、前記
ストッパ部17−1の上面に接触するので、前記端子1
2はそれ以上曲げられることはない。
の高さ方向の位置を調節することによって、前記端子1
2の曲げられる範囲を調節することができる。そして、
前記端子12の曲げられる範囲を、前記端子12の弾性
変形の範囲内に止めておけば、前記端子12の曲がり、
すなわち塑性変形を防止することができる。
コンタクトピン14の接触部17は、一体的に形成され
たストッパ部17−1を備え、しかも、該ストッパ部1
7−1の上面は、押下部材15の下面に対面するように
位置し、前記ストッパ部17−1の上面の高さ方向の位
置が、前記接触部17の上端面の位置よりも低くなって
いる。
の裏面水平部12bは、前記ストッパ部17−1の上面
に接触して、前記端子12はそれ以上曲げられることが
ないので、前記ストッパ部17−1の上面の高さ方向の
位置を調節することによって、前記端子12の曲げられ
る範囲を調節することができる。
を、前記端子12の弾性変形の範囲内に止めておけば、
前記端子12の塑性変形を防止することができる。
説明する。なお、第1及び第2の実施の形態と同じ構成
を有するものについては、同じ符号を付与することによ
ってその説明を省略する。
るICソケットのコンタクトピンの接触部の側面図、図
12は図11に示されるコンタクトピンの接触部のC−
C断面図である。
4の接触部17は、図11及び12に示されるような形
状であって、細長い矩形平面を短軸方向に湾曲させ、さ
らに、長軸方向に湾曲させた形状の接触面17aと、該
接触面17aの両側に位置する側平面17bとを備え
る。
も湾曲しているのであるから、前記接触面17aと端子
12の裏面曲部12cとが接触する部分は、図12に示
される前記接触面17aの幅方向において、前記接触面
17aの頂部だけであるから、前記接触面17aと裏面
曲部12cとが接触する部分の面積は極めて狭く、点接
触であるといえるほどに狭い。
記コンタクトピン14の接触部17の接触面17aが短
軸方向にも湾曲しているので、前記接触面17aと端子
12の裏面曲部12cとが接触する部分は点接触である
といえるほどに狭い。このため、ワイピングする前記端
子12の裏面の箇所は、第1及び第2の実施の形態の場
合よりも、さらに狭い面積である。
田等の量は、第1及び第2の実施の形態の場合よりも少
ないので、除去された半田等が飛散して周囲を汚染した
り、除去された半田等が前記接触面17a上に堆積され
て前記接触面17aと前記裏面曲部12cとの電気的接
触を阻害することがない。
2cとが接触する面積が極めて狭いので、コンタクトピ
ン14の弾性力をあまり強くしなくても、前記裏面曲部
12cと前記接触面17aとの単位面積当たりの接触圧
力を十分に大きくすることができる。
説明する。なお、第1〜3の実施の形態と同じ構成を有
するものについては、同じ符号を付与することによって
その説明を省略する。
るICソケットのコンタクトピンの接触部の側面図、図
14は図13に示されるコンタクトピンの接触部のD−
D断面図である。
4の接触部17は、図11及び12に示されるような形
状であって、細長い矩形平面を短軸方向に屈曲させ、さ
らに、長軸方向に湾曲させた形状の接触面17aと、該
接触面17aの両側に位置する側平面17bとを備え
る。
屈曲しているのであるから、前記接触面17aと端子1
2の裏面曲部12cとが接触する部分は、図14に示さ
れる前記接触面17aの幅方向において、前記接触面1
7aの頂部だけであるから、前記接触面17aと裏面曲
部12cとが接触する部分の面積は極めて狭く、点接触
であるといえるほどに狭い。
記コンタクトピン14の接触部17の接触面17aが短
軸方向に屈曲しているので、前記接触面17aと端子1
2の裏面曲部12cとが接触する部分は点接触であると
いえるほどに狭い。このため、ワイピングする前記端子
12の裏面の箇所は、第1〜3の実施の形態の場合より
も、さらに狭い面積である。
等の量は、第1〜3の実施の形態の場合よりも少ないの
で、除去された半田等が飛散して周囲を汚染したり、除
去された半田等が前記接触面17a上に堆積されて前記
接触面17aと前記裏面曲部12cとの電気的接触を阻
害することがない。
2cとが接触する面積が極めて狭いので、コンタクトピ
ン14の弾性力をあまり強くしなくても、前記裏面曲部
12cと前記接触面17aとの単位面積当たりの接触圧
力を十分に大きくすることができる。
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させ
ることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除す
るものではない。
れば、ICソケットにおいては、本体と、接触部を備
え、前記本体の内部方向に向けて弾性的に傾倒可能に前
記本体に植立されたコンタクトピンと、押下部材とを有
する。
ンの上端部分に形成され、半導体パッケージの端子の裏
面曲部に接触する細長い矩形平面を湾曲させた形状の接
触面を備える。
裏面の箇所は、曲部の一部分にすぎず、極めて狭い面積
である。さらに、前記裏面曲部は、付着する半田の量が
少なく、かつ、モールド用の樹脂の屑、フィラーの屑、
埃等の異物が付着しにくい部分である。
田等の量は非常に少ないので、除去された半田等が飛散
して周囲を汚染したり、除去された半田等が前記接触面
上に堆積されて前記接触面と前記裏面曲部との電気的接
触を阻害することがない。
く、除去される半田等の量は非常に少ないのであるか
ら、コンタクトピンの弾性力を強くして、前記裏面曲部
と前記接触面との接触圧力を十分に大きくすることがで
きる。
ールド用の樹脂の屑、フィラーの屑、埃等の異物が付着
しにくい部分であるから、ワイピングによって除去され
ない異物により前記接触面と前記裏面曲部との電気的接
触を阻害することがない。
トのコンタクトピンと半導体パッケージの端子の関係を
示す断面図である。
の端子とICソケットのコンタクトピンの接触する状態
の第1の例を示す図である。
の端子とICソケットのコンタクトピンの接触する状態
の第2の例を示す図である。
トのコンタクトピンの接触部の斜視図である。
図である。
B断面図である。
を示す図である。
体パッケージの端子の接触関係を示す図である。
ットのコンタクトピンの接触部を示す図である。
ットのコンタクトピンの接触部の側面図である。
C−C断面図である。
ットのコンタクトピンの接触部の側面図である。
D−D断面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 (a)本体と、(b)接触部を備え、前
記本体の内部方向に向けて弾性的に傾倒可能に前記本体
に植立されたコンタクトピンと、(c)押下部材とを有
し、(d)前記接触部は、前記コンタクトピンの上端部
分に形成され、半導体パッケージの端子の裏面曲部に接
触する細長い矩形平面を湾曲させた形状の接触面を備え
ることを特徴とするICソケット。
Priority Applications (2)
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---|---|---|---|
JP2000283857A JP2002093541A (ja) | 2000-09-19 | 2000-09-19 | Icソケット |
US09/791,788 US6547837B2 (en) | 2000-09-19 | 2001-02-26 | IC socket |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2000283857A JP2002093541A (ja) | 2000-09-19 | 2000-09-19 | Icソケット |
Publications (1)
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