KR19990037535A

KR19990037535A - 전자 디바이스 시험용 장치

Info

Publication number: KR19990037535A
Application number: KR1019980046342A
Authority: KR
Inventors: 데루아끼 쓰까모또; 미노루 도이
Original assignee: 휴렛 패커드 컴패니; 가네꼬 히사시; 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
Priority date: 1997-10-31
Filing date: 1998-10-30
Publication date: 1999-05-25
Also published as: JPH11135218A; TW455688B; KR100402168B1; DE19850159A1; US6154040A

Abstract

전자 디바이스 시험용 장치에 있어, 측정 보드의 수명은 측정 보드와 전자 디바이스를 수용하는 디바이스 탑재 부재 사이에 판상 부재를 삽입하여 굉장히 연장될 수 있다. 판상 부재는 후방 표면 위에 측정 보드의 각 패드와 접촉되는 복수의 후방 패드와 전방 표면 위에 비아 홀을 통하여 각 후방 패드에 전기적으로 연결된 복수의 전방 패드를 구비한다. 판상 부재는 측정 보드와 전자 디바이스 시험상의 디바이스 탑재 부재 사이에 위치되고 마모되었을 때 쉽게 교체될 수 있다.

Description

전자 디바이스 시험용 장치

본 발명은 일반적으로 전자 디바이스를 시험하기 위한 장치에 관한 것이고, 특히 저비용으로 시험하는 장치에 관한 것이다.

일반적으로, 설명된 형태의 장치는 표면 위에 다수의 전극 또는 전기 리드를 구비하는 IC 디바이스와 같은 전자 디바이스를 시험하는데 사용된다. 이 때문에, 장치는 본체, 본체 위에 측정 보드, 및 전자 디바이스 탑재 또는 수용용 탑재 부재 또는 소켓을 구비한다. 측정 보드는 표면 위에 위치한 복수의 패드 또는 단자를 구비한다. 탑재 부재는 측정 보드 위에 탑재되어 전과 마찬가지로 시험되는 전자 디바이스를 수용하고 전자 디바이스의 전극 또는 전기 리드를 측정 보드 위의 패드에 전기적으로 연결하는 역할을 한다.

이 때문에, 복수의 접촉 칩은 탑재 부재의 하부 표면 내에 배열되어 하부 표면에서 전자 디바이스와 측정 보드로 부분적으로 돌출 되어 있다.

이 구조로, 전자 디바이스가 탑재 부재 내에 탑재 또는 수용되면 전자 디바이스 위의 각 전극은 각 접촉 칩을 통하여 측정 보드의 대응 패드와 기계적으로 접촉될 수 있다. 이 상황에서, 장치의 사용으로 전자 디바이스의 전기 전극을 시험하는 것이 가능하다.

그렇지만, 측정 보드의 각각의 패드는 패드와 와이핑 (wiping)하는 접촉 칩과 접촉되어야 한다.

여기에서, 다수의 전자 디바이스가 장치에 의하여 시험되어야 함으로써, 측정 보드의 패드는 접촉 칩과 반복적으로 여러 번 접촉 또는 와이핑 된다는 것에 주목하여야 한다. 이 상황에서, 측정 보드의 각 패드는 서서히 긁혀지고 결국 마모된다는 것을 쉽게 이해할 수 있을 것이다. 이는 측정 보드는 새로운 것으로 교체 또는 교환되어야 한다는 것을 보여준다. 복잡한 전자 회로가 집적되어 있으므로 측정 보드는 매우 고가품이다.

본 발명의 목적은 측정 보드의 성능 저하에 대하여 다른 부재를 대체함으로써 측정 보드의 수명을 굉장히 연장할 수 있는 전자 디바이스 시험용 장치를 제공하는 것이다.

본 발명에 따르면, 시험되는 전자 디바이스를 탑재하고, 시험하의 전자 디바이스의 전자적 시험을 수행하는 전자 디바이스용 장치가 제공되어 있다. 장치는 시험 장치의 본체의 일 부분을 형성하고 표면 위에 복수의 패드를 구비하는 측정 보드와 후방 표면과 전방 표면을 구비하는 판상 부재를 포함한다. 판상 부재는 교체될 수 있게 구성되고 측정 보드 위에 탑재된다. 판상 부재는 측정 보드 위의 패드에 결합되고, 후방 표면 위에 제공되는 복수의 후방 패드를 구비하고, 비아 홀을 통하여 대응하는 후방 패드에 결합된 전방 패드는 제공된다. 장치는 상부 표면, 하부 표면, 및 상부 표면에서 하부 표면으로 연장된 접촉 부재를 구비하는 디바이스 탑재 부재를 더 포함한다. 접촉 부재는 디바이스 탑재 부재의 상부와 하부 표면으로부터 바깥 방향으로 부분적으로 돌출 되어 있다. 하부 표면으로부터 돌출한 부분은 판상 부재의 전방 패드를 와이핑하고 상부 표면으로부터 돌출한 부분은 시험하의 전자 디바이스의 단자 패드를 와이핑 한다.

특히, 측정 보드는 시험용 장치의 본체의 일 부분과 표면 위에 복수의 패드를 구비한다. 패드 층의 구조는 패드가 일반적으로 공지의 인쇄 회로에 사용되는 것과 같이 형성된다.

상술된 것과 같이, 판상 부재는 측정 보드 위에 배열되고, 후방 표면 위의 측정 보드의 패드의 각각과 접촉되는 복수의 후방 패드와 홀을 통하여 후방 패드의 각각과 전도하는 복수의 전방 패드를 전방 표면 위에 구비한다. 판상 부재는 자유 교체 방식(다른 말로, 판상 부재는 측정 보드와 디바이스 탑재 수단으로부터 쉽게 분리될 수 있다)으로 구조된다. 이 경우에, 전방 패드와 후방 패드 사이에 형성되는 비아 홀은 전방 패드와 후방 패드 쌍의 각각 하나에 위치될 수도 있다. 복수의 비아 홀은 전방 패드와 후방 패드의 한 쌍 사이에 형성될 수도 있다. 판상 부재의 판형 부분은 폴리이미드와 같은 합성 수지 필름 종류로 구성될 수 있다. 그렇지만, 판상 부재는 수작업의 용이성을 고려하면 유리 에폭시 수지로 구성되는 것이 바람직하다. 이런 유리 에폭시 수지는 고온 시험(예를 들어, 85℃ 이하의 시험)을 견딜 수 있게 유리 전도 온도(예를 들어, 180 ℃ 이상)가 높고, 절연 상수가 작고(예를 들어, 3.8 이하), 열탄성이 크고, Cu 호일과의 결합도가 좋고, 가공이 쉽다는 점에서 역시 선호된다.

더욱이, 판상 부재의 전방 패드와 후방 패드는 Cu/Ni/Pa 와 Cu/Ni/Au/Rh 의 층 구조로 구성될 수 있고, 원가, 마감의 안정도, 도금 두께 조정도의 관점에서 Cu/Ni/Au 의 층 구조로 구성되는 것이 바람직하다. 이 경우, 경도는 Co (예를 들어, 약 0.2%) 를 첨가함으로써 증가될 수 있다.

판상 부재의 후방 패드와 전방 패드의 크기는 서로 같을 수도, 서로 다를 수도 있다. 전방 패드와 후방 패드의 경도는 일반적으로 사용되는 패드 (예를 들어, 측정 보드 표면 위에 형성되는 패드)와 같게 또는 낮게 설정될 수도 있다. 상술된 전방 패드가 붕괴되고 측정 보드 위에 형성된 패드와 압력 접촉됨으로써 확장되는 경우가 있다. 이 경우에 후방 패드의 폭은 측정 보드 위에 형성된 패드의 폭보다 좁게 설정될 수도 있고 전방 패드의 폭은 측정 보드 위에 형성된 패드의 폭과 같게 설정될 수도 있다. 이 경우에, 전방 패드의 폭은 후방 패드와 폭과 같은 식으로 측정 보드 위에 형성된 패드의 폭보다 작게 설정될 수도 있다.

판상 부재의 후방 패드의 표면에는 접촉을 향상시키기 위하여 돌출부 또는 미세한 굴곡부가 형성될 수도 있다. 상술된 돌출은 공지의 포토 에칭 기술을 사용하여 쉽게 형성될 수도 있고, 상술된 미세한 굴곡부는 공지의 전해 도금 기술로 쉽게 형성될 수도 있다 (예를 들어, 전류 전도 기간을 조절함). 상술된 전방 패드와 후방 패드는 하기의 접촉 요소와의 전도를 얻기 위하여 제공되고 디바이스 탑재 수단 내에 제공되고 측정 보드 위에 형성된 패드와 전도한다. 그렇지만, 상술된 전방 패드와 후방 패드와 유사한 층 구조는 높이 조절을 목적으로 한 판상 부재의 적당한 부분 (예를 들어, 적어도 측정 보드, 판상 부재, 및 디바이스 탑재 수단을 위치와 고정하기 위한 나사 및/또는 핀 삽입용 홀의 주변).

더욱이, 구조는 디바이스 탑재 수단은 제공된 접촉 부재를 구비하여 전 후방 표면을 통해 확장하고, 접촉 부재의 부분이 제공되어 전후방 표면으로 돌출하고, 판상 부재의 전방 패드는 접촉 부재 내의 후방 표면의 돌출과 와이핑 접촉되고, 시험하의 전자 디바이스의 단자 패드는 접촉 부재의 전방 표면의 돌출과 와이핑 접촉되게 형성될 수도 있다. 접촉 부재는 금속 접촉으로 구성될 수도 있다. 이 경우에, 금속 조각은 측면 형상이 S-형상으로 형성된 미세 평판으로 구성될 수 있고, 디바이스 탑재 수단의 상하 단에 제공되는 고무 밴드는 양 S-형상 오목부에 삽입되어 미세 평판은 서로 평행하게 선 상태가 된다. 판상 부재의 전방 패드 보다 높은 경도를 구비하는 재료가 금속 조각으로 사용될 수도 있다.

더욱이, 접촉 부재의 다른 실시예에 의하면, 접촉 부재는 가압에 의하여 가압된 부분만이 수직방향으로 도전되는 이방성 전도 시트 (예를 들어, 전도 소재로서 표면에 수직 또는 비스듬한 방향의 전도 섬유를 포함하는 절연 합성 수지 탄성 시트)로 구성될 수 있다.

시험되어야 할 전자 디바이스는 일반적으로 고주파 IC (예를 들어, GHz 수준 또는 이상의 주파수 하에서 작동하는 IC)와 같은 반도체 집적 회로가 패키지 안에 밀봉된 IC 디바이스이다. IC 디바이스는 SIP(single line package), DIP(double line package), QFP(quad flat package), BGA(ball grid array package), 및 PGA(pin grid array package) 가 될 수도 있다. 디바이스 탑재 수단, 판상 부재의 구조 (전방 패드와 후방 패드의 크기와 피치), 측정 보드의 구조(표면 위에 형성된 패드의 크기와 피치)는 IC 디바이스의 종류에 따라 다르다.

일반적으로, IC 디바이스가 SIP, DIP, QFP 일 경우, 미세 평판으로 구성되는 접촉 부재는 접촉 부재로 사용될 수 있고, IC 디바이스가 BGA 와 PGA 일 경우에는 접촉 부재로 이방성 전도 시트가 사용될 수 있다.

디바이스 탑재 수단에 제공된 접촉 부재가 미세 평판을 가진 접촉 부재로 구성될 때, 일반적으로 접촉 부재의 피치 (IC 디바이스와 같은 시험하의 전자 디바이스와 동일한 피치)는 판상 부재의 전방 패드의 피치와 동일하다. 더욱이, 구조는 판상 부재의 전방 패드의 피치가 후방 패드의 피치와 다르게 구성될 수도 있고 (예를 들어, 후방 패드는 전방 패드보다 큰 상호 간격을 구비한다), 판상 부재의 전방 패드의 피치를 후방 패드와 동일하게 설정하는 것이 생산 엔지니어링에 유리하다. 이 경우에, 판상 부재의 전방 패드와 후방 패드를 배열하여 서로 일렬로 정렬시키고 서로 대응시키는 것이 바람직하다.

여기에서 일반적으로 절연 재료로 권선 되어 있는 복수의 전도선 재료인 접촉 핀은 공지되어 있다 (예를 들어, 특개 평1-134565 참조). 이런 종류의 접촉 핀은 본 발명에 따라 디바이스 탑재 수단의 접촉 부재로 사용될 수도 있다.

도 1 은 종래 전자 디바이스 시험용 장치의 사시도.

도 2 는 종래 전자 디바이스 시험용 장치의 디바이스 탑재 수단의 정면도.

도 3 은 본 발명의 제 1 실시예의 전자 디바이스 시험용 장치의 분해 사시도.

도 4 는 본 발명의 제 1 실시예의 전자 디바이스 시험용 장치의 측정 보드의 단면도.

도 5a 는 본 발명의 제 1 실시예의 전자 디바이스 시험용 장치의 판상 부재의 평면도.

도 5b 는 본 발명의 제 1 실시예의 전자 디바이스 시험용 장치의 판상 부재의 측면도.

도 5c 는 본 발명의 제 1 실시예의 전자 디바이스 시험용 장치의 전방 패드와 후방 패드의 부분 확대 단면도.

도 6 은 본 발명의 제 1 실시예의 전자 디바이스 시험용 장치의 디바이스 탑재 장치의 부분 절제도.

도 7 은 본 발명의 제 1 실시예의 전자 디바이스 시험용 장치에서 판상 부재를 통하여 디바이스 탑재 수단이 측정 보드에 탑재된 상태를 도시하는 단면도.

도 8 은 본 발명의 제 2 실시예의 전자 디바이스 시험용 장치에서 판상 부재를 통하여 디바이스 탑재 수단이 측정 보드에 탑재된 상태를 도시하는 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

본체 부분 : 1,91 측정 보드 : 2,5,92

판상 부재 : 3,6 디바이스 탑재 수단 : 4,93

IC 디바이스 : 8 시험용 장치 : 10

위치 핀 : 21,96 나사 : 22,97

핀용 홀 : 23,35,36,48,981,991

나사용 홀 : 24,36,49,982,992

패드 : 25,32,33,53,62,63,95 금속 층 : 26

너트 : 27 판상부 : 31,61

비아 홀 : 34,64 전방 금속 층 : 37

후방 금속 층 : 38

디바이스 탑재 부의 하부 부분 : 41 슬릿 : 42

고무 밴드 : 43,44,931,932 접촉 부재 : 45,94

디바이스 탑재부 : 47 이방성 전도 시트 : 70

Au 실 : 71 탄성 합성 수지 : 72

IC 디바이스의 단자 패드 : 81

Cu 호일 : 201,301,302,303

Ni 층 : 202,304 Au 층 : 203,305

도 1 과 도 2 에서는, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 종래의 IC 디바이스 (도 1 에 도시되어 있지 않음) 와 같은 전자 디바이스 시험용 장치에 대한 설명이 제시될 것이다. 도 1 에 도시되어 있는 것과 같이, 장치는 본체 부분 (91), 그 위에 제공된 측정 보드 (92), 측정 보드 (92)에 부착된 디바이스 탑재 부재 또는 수단 (93) 으로 구성된다. 도 1 에서, 핀용 홀 (981)과 나사용 홀 (982)은 측정 보드 (92) 위에 형성되고, 핀용 홀 (991)과 나사용 홀 (992)은 디바이스 탑재 수단 (93) 위에 형성된다. 디바이스 탑재 수단 (93)은 핀용 홀 (981,991)에 삽입되는 위치 핀(96)에 의하여 위치되며, 나사용 홀 (982,992)에 삽입되어 너트 (도 1 에 도시되어 있지 않음)에 체결되는 나사 (97)에 의하여 측정 보드 (92)에 고정된다. 나사 (97)에 체결된 너트는 도 1 에 생략되어 있다.

디바이스 탑재 수단 (93)은 도 2 에 예시되어 있는 것과 같이 확대된 형태로 도시되고 디바이스 탑재 수단 (93)의 오목부 내에 배치되는 접촉 메커니즘을 가진다. 도시된 접촉 메커니즘에 있어, 두 개의 고무 밴드 (931,932)는 서로 평행하게 연장되고 S 형태의 얇은 접촉 부재 (94)에 기계적으로 결합되어 있다. 비록 단일 접촉 부재 (94)가 단독으로 도 2 에 도시되어 있지만, 실질적으로는 복수의 접촉 부재 (94)가 서로 평행하게 실질적으로 배치되고 고무 밴드 (931,932)에 기계적으로 결합된다.

특히, 각 S 형태의 얇은 접촉 부재 (94)는 도 2 에 도시되어 있는 것과 같이 양끝에 고리 또는 오목부를 가진다. 접촉 부재 (94)의 상부는 IC 디바이스 (8)의 단자 패드 (81)와 접촉되고 접촉 부재 (94)의 하부는 측정 보드 (92)의 패드 (95)와 접촉된다.

도 2 에서 쉽게 이해할 수 있는 것과 같이, 접촉 부재 (94)는 IC 디바이스 (8)의 단자 패드 (81)에 의하여 압력을 받거나 접촉될 때 회전한다. 그러므로 접촉 부재(94)의 상부는 단자 패드 (81)가 접촉 부재와 와이핑 또는 스크래칭 되면서 IC 디바이스 (8)의 단자 패드 (81)와 접촉한다. 그러므로 이런 접촉은 이후로는 와이핑 접촉 및/또는 스크래칭 접촉이라고 한다. 이와 같이, 접촉 부재 (94)의 하부와 측정 보드 (92)의 패드 (95)는 서로 접촉하여 와이핑 접촉을 형성한다.

그렇지만, 도 1 의 시험 장치에서는 상술된 것과 같이, 측정 보드 (92)의 패드 (95)는 IC 디바이스 (8)가 부착 또는 탈착 될 때마다 매번 불가피하게 디바이스 탑재 수단 (93)의 접촉 부재 (94)에 의하여 와이핑 되거나 스크래칭된다. 이로 인하여 패드 (95)는 상술된 모든 부착과 탈착시에 점차적으로 긁히거나 마모된다.

이는 디바이스 탑재 수단 (93)에 IC 디바이스가 계속적으로 탑재되는 경우에, 접촉 부재의 반복적인 와이핑에 의하여 측정 보드 (92)의 패드 (95)가 마모되면 측정 보드 (92)는 결국 교체되어야 한다는 것을 의미한다. 일반적으로 측정 보드 (92)는 고가품이므로, 각 IC 디바이스 (8)의 시험 비용이 바람직하지 않게 증가되는 문제가 있다. 추가적으로, 다른 문제는 측정 보드 (92)를 자주 교체하여야 하는 것이다.

본 발명의 바람직한 제 1 실시예에 따른 장치의 참조는 아래와 같이 자세하게 설명될 것이다:

도 3 은 SIP형의 IC 시험용 장치를 도시하는 분해 사시도 이다. 도 3 에서, 측정 보드 (2)는 시험용 장치 (10)의 본체 (1)의 상부 표면 위에 탑재되어 있고, 디바이스 탑재 부분 (47) (도 6 과 도 7 참조)을 가지는 디바이스 탑재 수단 (4)은 판상 부재 (3)를 통하여 측정 보드 (2) 위에 제공된다. 판상 부재 (3)와 디바이스 탑재 수단 (4)은 평면도의 윤곽이 실질적으로 같게 형성된다.

판상 부재 (3)와 디바이스 탑재 수단 (4)은 위치용 핀 (21)과 탑재용 나사 (22)를 사용하여 (도 3 에는 나사 (22)와 관련되는 너트의 도시는 생략되어 있다) 측정 보드 (2)의 정해진 위치에 위치되고 고정된다. 이 경우에, 핀 (21)과 나사 (22)가 각각 삽입되는 핀용 홀 (23)과 나사용 홀(24)은 측정 보드 (2) 에 형성되고, 핀용 홀 (35)과 나사용 홀 (36)은 이와 유사하게 판상 부재 (3) 위에 형성되고, 핀용 홀 (48)과 나사용 홀 (49)은 이와 유사하게 디바이스 탑재 수단 (4) 에 형성된다.

도 4 는 패드 (25)와 나사용 홀 (24)에 근접하여 형성된 측정 보드 (2)의 일 부분을 보여주는 단면도이다. 이 경우에, 또한 나사 (22)가 나사용 홀 (24)에 삽입되고 너트 (27)가 나사 (22)의 말단부에 장착되어 있는 상태가 도시되어 있다. 도 4 에, 패드 (25)는 Cu 호일 (201)위에 Ni층 (202)과 Au층 (203)을 차례로 적층 함으로써 형성된다. 패드 (25)의 대략적인 크기는 두께 80㎛, 폭 0.5㎜, 및 길이 2㎜ 구성된다. 이 실시예에 따르면, 패드 (25)는 형성되어 하기 접촉 부재 (45)와 동일한 피치 (여기에서는 0.65㎜)를 가지도록, 디바이스 탑재 수단 (4) 내에 제공된다. 더욱이, 패드 (25)와 같은 구조를 가진 금속 층 (26)은 측정 보드 (2)상에 그리고 나사용 홀 (24) 주변에 형성된다. 이 경우의 예증은 생략되었지만 상기 구조와 유사한 구조를 가지는 금속 층 (26)은 핀용 홀 (23)이 형성된 측정 보드 (2)의 부분에 형성된다. 금속 층 (26)은 도 3 에 예시되어 있다.

도 5a 는 표면 (디바이스 탑재 수단 (4)에 맞닿아 있는 표면) 측에서 본 판상 부재 (3)를 도시하는 도이다. 여기에서, 전방 패드 (32)와 후방 패드 (33)는 판상 부재 (3)의 판상부 (31)의 전후방 표면에 각각 상기 패드 (25)와 같은 피치 (0.65㎜)로 형성된다 (도 5a에는 후방 표면이 도시되어 있지 않으므로 후방 패드 (33)는 예시되어 있지 않다).

도 5b는 판상 부재 (3)의 측면도이고 도 5c는 전방 패드 (32)와 후방 패드 (33)의 도 5a의 α-α' 선을 따르는 단면을 도시하는 부분 확대도 이다. 도 5c에 도시되어 있듯이, 전방 패드 (32)와 후방 패드 (33)는 하기의 비아 홀 (34)을 통하여 전기적으로 전도된다. 여기 구체적인 실시예에서, 판상부 (31)는 0.3 ㎜ 의 두께를 가지는 유리 에폭시 수지 시트로 구성된다.

전방 패드 (32)와 후방 패드 (33)는 판상부 (31)의 전후방 표면 위에 형성된 각 Cu 호일 층 (301,302) 위에 전해 도금으로 Cu 층 (303)을 적층하고, 0.2%의 Co를 함유하는 Ni층 (304)과 Au층 (305)을 전해 도금으로 적층한 후에 비아 홀 (34)을 형성함으로써 구성된다. Cu 호일 층 (301,302)은 35 ㎛, Cu층 (303)은 35㎛ ,Ni층 (304)은 7 ㎛, Au층 (305)은 0.7 ㎛로 설정된다. 더욱이, 전방 패드 (32)의 폭은 측정 보드 (2)위에 형성된 패드 (25)의 폭과 같게 0.5 ㎜로 형성되고, 후방 패드 (33)의 폭은 전방 표면 상의 Cu 호일 층 (301)의 폭보다 양측으로 10 ㎛ 만큼 좁은 0.48 ㎜ 두께로 형성된다.

바람직한 실시예에서, 측정 보드 (2)의 다른 부분의 높이는 디바이스 탑재 수단 (4)의 높이와 동일하게 조절된다. 이로 인하여, 전방 패드 (32)와 후방 패드 (33)와 동일한 구조를 가지는 전방 금속 층 (37)과 후방 금속 층 (38)은 도 5c에 도시된 것과 같이 핀용 홀 (35)주변의 전후방 표면상에 각각 형성된다. 비록 도시는 생략되었지만, 상기된 것과 동일한 구조를 가진 금속 층은 상기 핀용 홀 (36)의 주변에 형성된다. 금속 층 (37)이 도 3 에 예시되어 있다.

도 6 은 디바이스 탑재 수단 (4)의 접촉 메커니즘을 도시하는 부분 절제도이다. 도 6 에 도시된 것과 같이, 5.59 ㎜의 두께를 가지는 슬릿 (42)은 디바이스 탑재 부 (47)의 하부 부분 (41)에 형성되고, 고무 밴드 (43,44)는 상하 단계로 슬릿 내에 각각 탑재된다. 고무 밴드 (43,44)는 측면 형상이 S자 형으로 형성된 각 접촉 부재 (45)의 각 S-형상 오목부에 삽입된다. 여기에서 각 접촉 부재 (45)는 두께 300 ㎛ 와 길이 약 4 ㎜ 를 가진 미세 평판 (판상 부재 (3)의 전방 패드 (32)보다 높은 경도를 가진 Be-Cu(베릴륨-구리)로 구성됨)으로 형성된다. 접촉 부재 (45)는 세워져 있는 형태로 동일한 피치 (이 경우, 0.65 ㎜)로 서로 평행하게 제공되고, 상하단은 디바이스 탑재 부 (47)의 하부 부분 (41)의 상하 표면으로부터 각각 돌출될 수 있다. 여기에서, 디바이스 탑재 수단 (4)은 종래에 공지되어 있고, 예를 들어 JOHNSTECH INTERNATIONAL CO., LTD 의 상품명 "Johnstech Short Contact^TM" 으로 시판되고 있다.

도 7 은 측정 보드 (2), 판상 부재 (3)를 통하여 그 위에 탑재된 디바이스 탑재 수단(4), 및 각 나사용 홀 (24,36,49)의 주변 부분과 패드 (25,32,33) 주변의 각각의 일 부분을 확대시켜 도시한다. 여기서 도 7 에는, 디바이스 탑재 부 (47)에 탑재된 IC 디바이스 (8)가 역시 도시되어 있다. 도 7 에는, IC 디바이스 (8)의 단자 패드 (81)가 접촉 부재 (45)와 압력 접촉되는 상태가 도시되어 있다.

이 실시예의 장치는 판상 부재(3) 이외에는 종래 장치에서와 동일한 부재를 이용하여 구성될 수 있다. 너트 (27)로 나사 (22)를 조이기 때문에, 최대 두께의 판상 부재 (3)도 허용될 수 있다. 이로 인하여, 본 실시예의 장치는 도 1 에 예시되어 있는 본체 (1), 측정 보드 (2), 및 디바이스 탑재 수단 (4) 모두를 사용할 수 있다.

도 7 에서 명확해 졌듯이, 후방 금속 층 (38)은 상술된 것과 같이 판상 부재 (3)의 후방 표면 위의 나사 (22) 주변(및 도시되어 있지는 않지만 핀용 홀 (35) 근처)에 형성된다. 더욱이, 금속 층 (26)은 측정 보드 (2)의 나사용 홀 (24) 내(및 도시되어 있지 않은 핀용 홀 (23) 근처)에 형성된다. 이로 인하여, 판상 부재 (3)는 볼록하게 휘지 않을 수도 있다.

더욱이, 바람직한 실시예에서 판상 부재 (3)의 후방 패드 (33)는 일반 인쇄 회로 보드에 사용되는 패드의 두께보다 두껍게 설정된다. 이로 인하여, 후방 패드 (33)가 압력에 의하여 파괴되는 경우도 있을 수 있다. 그렇지만 도 5c 와 도 7 에 도시되어 있듯이, 후방 패드 (33)는 폭이 측정 보드 (2)의 패드 (25) 보다 좁게 설정됨으로써, 파괴가 일어나더라도 다른 인접한 후방 패드 (33) 또는 그 다른 인접한 후방 패드 (33) 와 압력 접촉되는 측정 보드 (2)의 패드 (25)와 접촉되지 않는다.

일반적으로, 디바이스 탑재 수단 (4)은 디바이스 탑재 수단 (4)과 그 아래 위치되는 패드 사이의 거리를 고려해서 설계된다. 이로 인하여, 디바이스 탑재 수단 (4)과 판상 부재 (3)의 전방 패드 (32) 사이의 거리가 더 짧을 때는, 접촉 부재와 그 아래 위치한 패드 사이의 압력이 너무 높아져, 패드가 접촉 부재 (45)에 의하여 매우 긁히는 것이 가능하다. 바람직한 실시예에서, 도 7 에서 도시된 것과 같이 전방 금속 층 (37)은 판상 부재 (3)의 전방 표면 위의 핀용 홀 (35)과 나사용 홀 (36) 주변에 형성됨으로써, 종래의 시험용 장치에 사용되는 디바이스 탑재 수단 (4)이 그 상태로 사용될 때에도 상기의 단점은 발생하지 않는다. 예시된 실시예에서, IC 디바이스 (8)의 부착과 탈착이 미리 정해진 수만큼 (예를 들어, 약 수십만번) 반복할 때, 현존의 판상 부재 (3)는 긁혀지고 새로운 것으로 교체된다. 판상 부재 (3)의 제조 원가는 측정 보드 (2)의 제조 원가보다 훨씬 낮음 (예를 들어 약 1/30) 으로써, 전자 디바이스 시험 비용은 많이 감소될 수 있다. 판상 부재 (3)의 교체는 측정 보드 (2) 표면의 세정 (금속 분말 제거를 위함)과 함께 수행될 수도 있다.

도 8 은 이방성 전도 시트가 디바이스 탑재 수단으로 사용된 본 발명의 구체적인 제 2 실시예를 도시하는 도면이다. 도 8 에서 전자 디바이스 시험용 장치는 측정 보드 (5), 판상 부재 (6), 및 전자 디바이스 탑재 수단을 포함함으로써 구성된다. 측정 보드 (5)의 구조는 도 4 에서 설명된 측정 보드 (2)와 실질적으로 동일하며, 그위에 형성된 패드 (53)가 도 8 에 도시되어 있다. 더욱이, 판상 부재 (6)의 구조는 도 5a 내지 5c 에 설명된 판상 부재 (3)와 실질적으로 동일하며, 비아 홀 (64)을 통하여 판상부 (61)의 전후방 표면 위에 각각 형성된 전방 패드 (62)와 후방 패드 (63)가 도 8 에 도시되어 있다. 도 8 에, 디바이스 탑재 수단은 다음에서 설명되는 이방성 전도 시트 (70)를 구비한다. 이방성 전도 시트 (70)는 탄성 합성 수지 (72)로 구성되며, 복수의 Au 실 (thread)(71)이 그 안에 표면 방향으로 부터 약간 기울어져 제공되어 있다.

도 8 의 바람직한 실시예에서, 시험하의 전자 디바이스 (IC 디바이스 (8))가 디바이스 탑재 수단에 고정되면, 이방성 전도 시트 (70)는 압축되고, Au 실 (71)의 상단은 IC 디바이스 (8)의 단자 패드 (81)와 와이핑 접촉되고, Au 실 (71)의 하단은 판상 부재 (6)의 전방 패드 (62)와 와이핑 접촉된다. 와이핑 접촉에 의하여 판상 부재 (6)의 전방 패드 (62)는 서서히 긁힌다.

이 경우에, IC 디바이스 (8)의 부착과 탈착의 수가 소정의 수 (예를 들어, 수십만번)에 이르면, 현재의 판상 부재 (6)는 긁혀지고 새로운 것으로 교체된다.

상기에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 측정 보드의 성능 저하는 판상 부재로써 해결될 수 있어 측정 보드의 수명은 굉장히 연장될 수 있다.

Claims

시험하의 전자 디바이스를 탑재하고 시험하의 상기 전자 디바이스에 대해 전자적 시험을 수행하는 전자 디바이스 시험용 장치에 있어,

시험 장치의 본체의 일 부분을 형성하고, 표면 위에 복수의 패드를 구비하는 측정 보드;

상기 측정 보드에서 분리할 수 있고, 후방 표면 위에 상기 측정 보드의 상기 패드의 각각과 접촉하는 복수의 후방 패드와 전방 표면 위의 비아 홀을 통하여 상기 후방 패드의 각각과 전기적으로 연결되는 복수의 전방 패드를 구비한 판상 부재; 및

전방 표면, 후방 표면, 및 상기 전방 표면으로부터 상기 후방 표면으로 연장되고 상기 전방 표면 및 후방 표면으로부터 부분적으로 돌출한 접촉 부재를 포함하고, 시험하의 상기 전자 디바이스의 단자 패드가 상기 접촉 부재의 상기 전방 표면과 와이핑 접촉하는 동안 상기 판상 부재의 상기 전방 패드가 상기 접촉 부재의 상기 후방 표면과 와이핑 접촉되게 구성된 디바이스 탑재 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 시험용 장치.
제 1 항에 있어,

상기 접촉 부재가 이방성 전도 시트로 구성되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 시험용 장치.
제 1 항에 있어,

상기 판상 부재의 상기 전방 패드와 상기 후방 패드가 동일한 피치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 시험용 장치.
제 1 항에 있어,

상기 판상 부재의 상기 후방 패드의 폭이 상기 측정 보드의 상기 패드의 폭보다 좁은 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 시험용 장치.
제 1 항에 있어,

상기 판상 부재의 상기 후방 패드의 경도가 상기 측정 보드의 상기 패드의 경도 보다 낮은 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 시험용 장치.
제 1 항에 있어,

상기 판상 부재의 상기 후방 패드의 표면 위에 돌출부 또는 미세한 굴곡부가 형성된 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 시험용 장치.
제 1 항에 있어,

시험하의 상기 전자 디바이스는 반도체 메모리이고, 상기 디바이스 탑재 수단의 접촉 부재와 상기 측정 보드의 상기 패드가 상기 반도체 메모리의 단자 패드의 피치와 동일한 피치로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 시험용 장치.
제 1 항에 있어,

상기 판상 부재의 판상부는 180 ℃ 이상의 유리-상전이 온도와 3.8 이하의 유전 상수를 가지는 유리 에폭시 수지로 구성되고, 상기 판상 부재의 상기 전방 패드와 상기 후방 패드는 Cu 호일 위에 Cu, Ni, Au 가 도금된 층 구조로 구성된 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 시험용 장치.
제 1 항에 있어,

상기 디바이스 탑재 수단과 상기 판상 부재가 일체형으로 상기 측정 보드에 탑재된 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 시험용 장치.
제 1 항에 있어,

상기 측정 보드, 상기 판상 부재, 및 상기 디바이스 탑재 수단이 나사 및/또는 핀으로 위치되어 일체형으로 형성되고,

상기 후방 패드와 상기 전방 패드와 동일한 두께와 동일한 구조를 구비하는 금속 층이 적어도 상기 판상 부재의 상기 나사 삽입용 및/또는 상기 핀용 홀의 주변에 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 시험용 장치.
제 1 항에 있어,

상기 접촉 부재는 복수의 접촉 부재로 구성되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 시험용 장치.
제 11 항에 있어,

상기 접촉 부재의 각각은 측면 형상이 S-형상으로 형성된 미세 평판으로 구성되고, 상기 미세 평판은 서로 평행하게 위치할 수 있게 상기 디바이스 탑재 수단의 상하단에 제공되는 2 개의 고무 밴드가 상기 S-형상의 부분의 양 오목부에 삽입되어 구성된 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 시험용 장치.
측정 보드 위에서 전자 디바이스 시험용 장치에 사용하기 위한 판상 부재에 있어,

상기 판상 부재의 후방 표면 위에 있는, 측정 보드의 복수의 패드와 접촉되는 복수의 후방 패드;

상기 판상 부재의 전방 표면 위에 있는 비아 홀을 통하여 상기 후방 패드에 전기적으로 연결된 복수의 전방 패드를 포함하고,

상기 후방 패드는 상기 전자 디바이스가 시험될 때 상기 측정 보드에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 판상 부재.