JP2002076241A - 高周波モジュール - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 複数の導波管端子を配置した高周波モジュー
ルのパッケージ間の接続線路における特性の劣化を改善
し、接続・組立性の向上、低価格化を図る。 【解決手段】 側面の一部或いは全部をメタライズした
複数のキャビティ１２，１３を内部に構成する多層誘電
体基板６に、複数の導波管端子２、マイクロストリップ
線路−導波管変換器１６、RF線路２０、バイアス・制御
信号用配線１９、バイアス・制御信号用パッド１７を設
け、キャビティ内部に高周波回路９を実装し、シールリ
ング８及びカバー１１にて封止する。
ルのパッケージ間の接続線路における特性の劣化を改善
し、接続・組立性の向上、低価格化を図る。 【解決手段】 側面の一部或いは全部をメタライズした
複数のキャビティ１２，１３を内部に構成する多層誘電
体基板６に、複数の導波管端子２、マイクロストリップ
線路−導波管変換器１６、RF線路２０、バイアス・制御
信号用配線１９、バイアス・制御信号用パッド１７を設
け、キャビティ内部に高周波回路９を実装し、シールリ
ング８及びカバー１１にて封止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波帯或
いはミリ波帯等の高周波帯で動作する高周波モジュール
に関するものであり、例えば高周波帯で動作するレーダ
装置或いは通信装置等に利用されるものである
いはミリ波帯等の高周波帯で動作する高周波モジュール
に関するものであり、例えば高周波帯で動作するレーダ
装置或いは通信装置等に利用されるものである
【０００２】
【従来の技術】図14は、従来の高周波モジュールの構成
を示す図であって、図１４（ａ）は高周波モジュールの
斜視図、図１４（ｂ）はパッケージの構成図である。図
において、1は金属製のシャシ、2はシャシ１の下面に接
続される導波管（図示せず）との間で、シャシ１の板厚
方向へマイクロ波信号等高周波のＲＦ信号を伝送する導
波管端子、3は高周波回路を内含したパッケージ、4は上
面にマイクロストリップ線路の形成された誘電体基板か
ら成りＲＦ信号を伝送する接続線路、5はパッケージ３
の下部に設けられたキャリヤ、6はキャリア５上に載置
された誘電体基板、7はパッケージ３の気密を保持した
まま高周波回路９と接続線路４との間でＲＦ信号を伝送
するためのフィードスルー端子、8は金属製の枠形状の
シールリング、9はＭＭＩＣ（Monolithic Microwave I
C）や高周波抵抗素子等の高周波回路、10は高周波回路
９との間でＤＣ信号を入出力するバイアス・制御信号ピ
ン、11はシールリング８の上面に接合される金属製のカ
バーである。
を示す図であって、図１４（ａ）は高周波モジュールの
斜視図、図１４（ｂ）はパッケージの構成図である。図
において、1は金属製のシャシ、2はシャシ１の下面に接
続される導波管（図示せず）との間で、シャシ１の板厚
方向へマイクロ波信号等高周波のＲＦ信号を伝送する導
波管端子、3は高周波回路を内含したパッケージ、4は上
面にマイクロストリップ線路の形成された誘電体基板か
ら成りＲＦ信号を伝送する接続線路、5はパッケージ３
の下部に設けられたキャリヤ、6はキャリア５上に載置
された誘電体基板、7はパッケージ３の気密を保持した
まま高周波回路９と接続線路４との間でＲＦ信号を伝送
するためのフィードスルー端子、8は金属製の枠形状の
シールリング、9はＭＭＩＣ（Monolithic Microwave I
C）や高周波抵抗素子等の高周波回路、10は高周波回路
９との間でＤＣ信号を入出力するバイアス・制御信号ピ
ン、11はシールリング８の上面に接合される金属製のカ
バーである。
【０００３】次に、従来の高周波モジュールの構成につ
いて説明する。従来の高周波モジュールは、図14のよう
に、複数の導波管端子2を有するシャシ1に、複数のパッ
ケージ3を配置し、その間を接続線路4にて接続して構成
している。また、パッケージ3は、金属製のキャリヤ5の
上に誘電体基板6を複数積層し、その上にフィードスル
ー端子7及びシールリング8を配置することによりシール
リング8内にキャビティを設け、その内部に高周波回路9
を実装する。シールリングの側面には溝が設けられ、こ
の溝にフィードスルーを配置し気密封止することによっ
てパッケージ３内の気密を保持したまま接続線路４との
間でＲＦ信号を伝送する。また、接続線路４は導波管端
子２に接続され、高周波回路９と導波管端子２との間で
ＲＦ信号を伝送する。接続線路４から導波管端子２へ伝
送されたＲＦ信号は、導波管モードで導波管端子２内を
伝送され、高周波回路9へのバイアス・制御信号は誘電
体基板6の下部に設けたバイアス・制御信号ピン10を介
して得られる。そして、シールリング8上にカバー11を
ハンダ、接着或いは抵抗溶接等によって接合され、パッ
ケージ3を封止する。しかし、このようにシャーシ１上
に複数のパッケージ3を配置するため、それぞれのパッ
ケージ間を接続するための接続線路4による信号の損失
が大きく、高周波モジュールとしての性能が劣化する。
また、このような大きなシャーシ1に接続線路4を配置
し、接続線路4とパッケージ3を接続する場合、熱圧着に
よるワイヤボンディングなどを適用して接続することが
考えられ、シャシ1全体を例えば１５０℃程度の温度で
加熱する必要が生じ、加熱時間が長い、シャシ１のハン
ドリングが悪いなど、組立作業性が良くない。さらに、
複数のパッケージ3を使用するため、低価格化が困難と
なる。特に、各パッケージに共通で１つにまとめること
のできる機能があっても、各パッケージを個々に配置す
るために、まとめられる共通の機能を削減できない。こ
のように、従来の高周波モジュールでは、性能の劣化、
組立作業性の劣悪化、高価格化という問題があった。
いて説明する。従来の高周波モジュールは、図14のよう
に、複数の導波管端子2を有するシャシ1に、複数のパッ
ケージ3を配置し、その間を接続線路4にて接続して構成
している。また、パッケージ3は、金属製のキャリヤ5の
上に誘電体基板6を複数積層し、その上にフィードスル
ー端子7及びシールリング8を配置することによりシール
リング8内にキャビティを設け、その内部に高周波回路9
を実装する。シールリングの側面には溝が設けられ、こ
の溝にフィードスルーを配置し気密封止することによっ
てパッケージ３内の気密を保持したまま接続線路４との
間でＲＦ信号を伝送する。また、接続線路４は導波管端
子２に接続され、高周波回路９と導波管端子２との間で
ＲＦ信号を伝送する。接続線路４から導波管端子２へ伝
送されたＲＦ信号は、導波管モードで導波管端子２内を
伝送され、高周波回路9へのバイアス・制御信号は誘電
体基板6の下部に設けたバイアス・制御信号ピン10を介
して得られる。そして、シールリング8上にカバー11を
ハンダ、接着或いは抵抗溶接等によって接合され、パッ
ケージ3を封止する。しかし、このようにシャーシ１上
に複数のパッケージ3を配置するため、それぞれのパッ
ケージ間を接続するための接続線路4による信号の損失
が大きく、高周波モジュールとしての性能が劣化する。
また、このような大きなシャーシ1に接続線路4を配置
し、接続線路4とパッケージ3を接続する場合、熱圧着に
よるワイヤボンディングなどを適用して接続することが
考えられ、シャシ1全体を例えば１５０℃程度の温度で
加熱する必要が生じ、加熱時間が長い、シャシ１のハン
ドリングが悪いなど、組立作業性が良くない。さらに、
複数のパッケージ3を使用するため、低価格化が困難と
なる。特に、各パッケージに共通で１つにまとめること
のできる機能があっても、各パッケージを個々に配置す
るために、まとめられる共通の機能を削減できない。こ
のように、従来の高周波モジュールでは、性能の劣化、
組立作業性の劣悪化、高価格化という問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
高周波モジュールでは、複数のパッケージを使用するた
め、接続線路における特性の劣化、接続線路を実装し接
続する際の組立作業性の劣悪化、高価格化などの課題が
あった。
高周波モジュールでは、複数のパッケージを使用するた
め、接続線路における特性の劣化、接続線路を実装し接
続する際の組立作業性の劣悪化、高価格化などの課題が
あった。
【０００５】この発明はかかる課題を解決するためにな
されたものであり、複数の導波管端子を有した高周波モ
ジュールにおいて、高周波回路を内部に搭載したパッケ
ージの数を低減し、性能の向上、組立作業性の向上、低
価格化を図ることを目的とする。
されたものであり、複数の導波管端子を有した高周波モ
ジュールにおいて、高周波回路を内部に搭載したパッケ
ージの数を低減し、性能の向上、組立作業性の向上、低
価格化を図ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第1の発明による高周波
モジュールは、バイアス信号或いはＩＦ信号を伝送する
伝送線路、及び第1、第２の導波路の設けられた第１の
誘電体基板と、互いに離間して配置された第１、第２の
キャビティ、及び上記第１、第２の導波路が設けられ、
上記第1の誘電体基板に積層された第２の誘電体基板
と、上記第１のキャビティを内側に配する第３のキャビ
ティ、及び上記第２のキャビティを内側に配し上記第３
のキャビティと離間して配置されるとともに上記第３の
キャビティに連通する溝を有した第４のキャビティを有
し、当該第３、第４のキャビティの外側に上記第１、第
２の導波路がそれぞれ設けられ、上記第２の誘電体基板
に積層された第3の誘電体基板と、上記第３、第4のキャ
ビティを塞ぐように設けられた金属導体と、上記第１の
キャビティ内に配設され、上記第２の誘電体基板に設け
られたスルーホールにて上記伝送線路に接続される複数
の第１の高周波回路と、上記第２のキャビティ内に配設
され、上記第２の誘電体基板に設けられたスルーホール
にて上記伝送線路に接続される複数の第２の高周波回路
と、上記連通溝内に設けられ上記第１、第２の高周波回
路間を接続する第1の接続線路と、上記第１、第２の高
周波回路と上記第１、第２の導波路をそれぞれ接続する
第２、第３の接続線路とを備えたものである。
モジュールは、バイアス信号或いはＩＦ信号を伝送する
伝送線路、及び第1、第２の導波路の設けられた第１の
誘電体基板と、互いに離間して配置された第１、第２の
キャビティ、及び上記第１、第２の導波路が設けられ、
上記第1の誘電体基板に積層された第２の誘電体基板
と、上記第１のキャビティを内側に配する第３のキャビ
ティ、及び上記第２のキャビティを内側に配し上記第３
のキャビティと離間して配置されるとともに上記第３の
キャビティに連通する溝を有した第４のキャビティを有
し、当該第３、第４のキャビティの外側に上記第１、第
２の導波路がそれぞれ設けられ、上記第２の誘電体基板
に積層された第3の誘電体基板と、上記第３、第4のキャ
ビティを塞ぐように設けられた金属導体と、上記第１の
キャビティ内に配設され、上記第２の誘電体基板に設け
られたスルーホールにて上記伝送線路に接続される複数
の第１の高周波回路と、上記第２のキャビティ内に配設
され、上記第２の誘電体基板に設けられたスルーホール
にて上記伝送線路に接続される複数の第２の高周波回路
と、上記連通溝内に設けられ上記第１、第２の高周波回
路間を接続する第1の接続線路と、上記第１、第２の高
周波回路と上記第１、第２の導波路をそれぞれ接続する
第２、第３の接続線路とを備えたものである。
【０００７】また、第２の発明による高周波モジュール
は、上記第１または第2の導波路は、上記第３または第
４のキャビティ周囲に配置された少なくとも２以上の導
波路から成り、当該導波路は、上記第１のキャビティに
対して互いに対称な位置に配置されるものである。
は、上記第１または第2の導波路は、上記第３または第
４のキャビティ周囲に配置された少なくとも２以上の導
波路から成り、当該導波路は、上記第１のキャビティに
対して互いに対称な位置に配置されるものである。
【０００８】また、第３の発明による高周波モジュール
は、上記第１、第２の高周波回路は、それぞれ受信系の
回路、送信系の回路から成るものである。
は、上記第１、第２の高周波回路は、それぞれ受信系の
回路、送信系の回路から成るものである。
【０００９】また、第４の発明による高周波モジュール
は、上記第２、第３の接続線路は、上記第２の誘電体基
板と第３の誘電体基板間に内層され、フィードスルーを
有するものである。
は、上記第２、第３の接続線路は、上記第２の誘電体基
板と第３の誘電体基板間に内層され、フィードスルーを
有するものである。
【００１０】また、第５の発明による高周波モジュール
は、上記第２、第３の接続線路は、接続線路を伝送され
るＲＦ信号と導波管を伝送されるＲＦ信号との間の信号
伝送を上記第２の誘電体基板の表裏で行うものである。
は、上記第２、第３の接続線路は、接続線路を伝送され
るＲＦ信号と導波管を伝送されるＲＦ信号との間の信号
伝送を上記第２の誘電体基板の表裏で行うものである。
【００１１】また、第６の発明による高周波モジュール
は、上記第２、第３の接続線路は、上記第3の誘電体基
板に形成された溝内に配置され、上記第１、第2の誘電
体基板に設けられスルーホールで形成された導波路に結
合されたものである。
は、上記第２、第３の接続線路は、上記第3の誘電体基
板に形成された溝内に配置され、上記第１、第2の誘電
体基板に設けられスルーホールで形成された導波路に結
合されたものである。
【００１２】また、第７の発明による高周波モジュール
は、バイアス信号或いはＩＦ信号を伝送する伝送線路、
及び第1、第２の導波路の設けられた第１の誘電体基板
と、互いに離間して配置された第１、第２のキャビテ
ィ、及び上記第１、第２の導波路が設けられ、上記第1
の誘電体基板に積層された第２の誘電体基板と、上記第
１のキャビティを内側に配する第３のキャビティ、及び
上記第２のキャビティを内側に配し上記第３のキャビテ
ィと離間して配置されるとともに上記第３のキャビティ
に連通する溝を有した第４のキャビティを有し、当該第
３、第４のキャビティの外側に上記第１、第２の導波路
がそれぞれ設けられ、上記第２の誘電体基板に接合され
た金属導体と、上記第１のキャビティ内に配設され、上
記第２の誘電体基板に設けられたスルーホールにて上記
伝送線路に接続される複数の第１の高周波回路と、上記
第２のキャビティ内に配設され、上記第２の誘電体基板
に設けられたスルーホールにて上記伝送線路に接続され
る複数の第２の高周波回路と、上記連通溝内に設けられ
上記第1、第2の高周波回路間を接続する第1の接続線路
と、上記第１、第２の高周波回路と上記第１、第２の導
波路をそれぞれ接続する第２、第３の接続線路とを備え
たものである。
は、バイアス信号或いはＩＦ信号を伝送する伝送線路、
及び第1、第２の導波路の設けられた第１の誘電体基板
と、互いに離間して配置された第１、第２のキャビテ
ィ、及び上記第１、第２の導波路が設けられ、上記第1
の誘電体基板に積層された第２の誘電体基板と、上記第
１のキャビティを内側に配する第３のキャビティ、及び
上記第２のキャビティを内側に配し上記第３のキャビテ
ィと離間して配置されるとともに上記第３のキャビティ
に連通する溝を有した第４のキャビティを有し、当該第
３、第４のキャビティの外側に上記第１、第２の導波路
がそれぞれ設けられ、上記第２の誘電体基板に接合され
た金属導体と、上記第１のキャビティ内に配設され、上
記第２の誘電体基板に設けられたスルーホールにて上記
伝送線路に接続される複数の第１の高周波回路と、上記
第２のキャビティ内に配設され、上記第２の誘電体基板
に設けられたスルーホールにて上記伝送線路に接続され
る複数の第２の高周波回路と、上記連通溝内に設けられ
上記第1、第2の高周波回路間を接続する第1の接続線路
と、上記第１、第２の高周波回路と上記第１、第２の導
波路をそれぞれ接続する第２、第３の接続線路とを備え
たものである。
【００１３】また、第８の発明による高周波モジュール
は、上記金属導体は、上記第２の誘電体との接合面側に
上記連通溝を成す窪みが設けられ、上記第2の誘電体基
板は、上記金属導体が上記連通溝に沿った上記第２の誘
電体基板と面する位置に、ＧＮＤと導通を有する複数の
ホールが配列されたものである。
は、上記金属導体は、上記第２の誘電体との接合面側に
上記連通溝を成す窪みが設けられ、上記第2の誘電体基
板は、上記金属導体が上記連通溝に沿った上記第２の誘
電体基板と面する位置に、ＧＮＤと導通を有する複数の
ホールが配列されたものである。
【００１４】また、第９の発明による高周波モジュール
は、上記金属導体は、上記第１の接続線路を内含するト
ンネル様の溝が設けられ、当該溝は所望の周波数におけ
る導波管のカットオフ寸法を与えられたものである。
は、上記金属導体は、上記第１の接続線路を内含するト
ンネル様の溝が設けられ、当該溝は所望の周波数におけ
る導波管のカットオフ寸法を与えられたものである。
【００１５】また、第１０の発明による高周波モジュー
ルは、上記第１から第８のいずれかの発明において、上
記第1の誘電体基板は、バイアス信号或いはＩＦ信号を
伝送する伝送線路が設けられ、上記第1の高周波回路
は、上記第１のキャビティ内に配設され、上記第１また
は第2の誘電体基板に設けられたスルーホールにて上記
伝送線路に接続され、上記第2の高周波回路は、上記第
２のキャビティ内に配設され、上記第1または第2の誘電
体基板に設けられたスルーホールにて上記伝送線路に接
続されたものである。
ルは、上記第１から第８のいずれかの発明において、上
記第1の誘電体基板は、バイアス信号或いはＩＦ信号を
伝送する伝送線路が設けられ、上記第1の高周波回路
は、上記第１のキャビティ内に配設され、上記第１また
は第2の誘電体基板に設けられたスルーホールにて上記
伝送線路に接続され、上記第2の高周波回路は、上記第
２のキャビティ内に配設され、上記第1または第2の誘電
体基板に設けられたスルーホールにて上記伝送線路に接
続されたものである。
【００１６】また、第１１の発明による高周波モジュー
ルは、上記第１から第８のいずれかの発明において、上
記高周波モジュールは下面に外部機器と結合される結合
部を有した金属製のキャリアが設けられたものである。
ルは、上記第１から第８のいずれかの発明において、上
記高周波モジュールは下面に外部機器と結合される結合
部を有した金属製のキャリアが設けられたものである。
【００１７】また、第１２の発明による高周波モジュー
ルは、上記第1から第４のキャビティは、キャビティ周
縁部の一部或いは全部及び下面の一部に金属導体が設け
られたことを特徴とする請求項１から８のいずれかに記
載の高周波モジュール。
ルは、上記第1から第４のキャビティは、キャビティ周
縁部の一部或いは全部及び下面の一部に金属導体が設け
られたことを特徴とする請求項１から８のいずれかに記
載の高周波モジュール。
【００１８】また、第１３の発明による高周波モジュー
ルは、上記第１から第９のいずれかの発明において、上
記第1から第４のいずれかのキャビティが、キャビティ
周縁部の近傍にキャビティを囲むようにＧＮＤと導通を
有する複数のホールが設けられたものである。
ルは、上記第１から第９のいずれかの発明において、上
記第1から第４のいずれかのキャビティが、キャビティ
周縁部の近傍にキャビティを囲むようにＧＮＤと導通を
有する複数のホールが設けられたものである。
【００１９】また、第１４の発明による高周波モジュー
ルは、上記第１から第９のいずれかの発明において、上
記第1から第４のいずれかのキャビティが、キャビティ
周縁にＧＮＤと導通を有する複数のホールが設けられた
ものである。
ルは、上記第１から第９のいずれかの発明において、上
記第1から第４のいずれかのキャビティが、キャビティ
周縁にＧＮＤと導通を有する複数のホールが設けられた
ものである。
【００２０】また、第１５の発明による高周波モジュー
ルは、上記第１４の発明において、上記ホールが、キャ
ビティ周縁に埋設された半割状のスルーホールを有した
ものである。
ルは、上記第１４の発明において、上記ホールが、キャ
ビティ周縁に埋設された半割状のスルーホールを有した
ものである。
【００２１】また、第１６の発明による高周波モジュー
ルは、上記第１から第９のいずれかの発明において、上
記第1から第４のいずれかのキャビティは、キャビティ
周縁における上記接続線路の近傍から外れた位置がメタ
ライズされたものである。
ルは、上記第１から第９のいずれかの発明において、上
記第1から第４のいずれかのキャビティは、キャビティ
周縁における上記接続線路の近傍から外れた位置がメタ
ライズされたものである。
【００２２】また、第１７の発明による高周波モジュー
ルは、上記第1から第1６のいずれかの発明において、高
周波変調信号を出力する第1の発振器と、上記第1の発振
器の出力を電力分配する電力分配器と、上記電力分配器
の一方の出力の周波数を2逓倍して送信信号を出力する
逓倍器と、中間周波数信号を2方向に出力する第2の発振
器と、上記電力分配器の他方の出力の2倍周波数と上記
第2の発振器の出力周波数との和及び差の周波数を有す
る信号を出力する偶高調波ミクサと、複数存在する導波
路に対応して複数配置され各導波路から得られる受信信
号を低雑音増幅する増幅器と、上記増幅器の出力を電力
合成する電力合成器と、上記電力合成器の出力と上記偶
高調波ミクサの出力を受けて周波数変換しIF信号を出力
する第1の基本波ミクサと、上記第1の基本波ミクサから
出力されるIF信号と上記第2の発振器の他方の出力を受
けて周波数変換しビデオ信号を出力する第2の基本波ミ
クサとを具備し、上記第1の発振器、電力分配器、逓倍
器、偶高調波ミクサ、増幅器、及び第1の基本波ミクサ
を上記高周波モジュールにおける上記第１、第２のキャ
ビティ内に載置したものである。
ルは、上記第1から第1６のいずれかの発明において、高
周波変調信号を出力する第1の発振器と、上記第1の発振
器の出力を電力分配する電力分配器と、上記電力分配器
の一方の出力の周波数を2逓倍して送信信号を出力する
逓倍器と、中間周波数信号を2方向に出力する第2の発振
器と、上記電力分配器の他方の出力の2倍周波数と上記
第2の発振器の出力周波数との和及び差の周波数を有す
る信号を出力する偶高調波ミクサと、複数存在する導波
路に対応して複数配置され各導波路から得られる受信信
号を低雑音増幅する増幅器と、上記増幅器の出力を電力
合成する電力合成器と、上記電力合成器の出力と上記偶
高調波ミクサの出力を受けて周波数変換しIF信号を出力
する第1の基本波ミクサと、上記第1の基本波ミクサから
出力されるIF信号と上記第2の発振器の他方の出力を受
けて周波数変換しビデオ信号を出力する第2の基本波ミ
クサとを具備し、上記第1の発振器、電力分配器、逓倍
器、偶高調波ミクサ、増幅器、及び第1の基本波ミクサ
を上記高周波モジュールにおける上記第１、第２のキャ
ビティ内に載置したものである。
【００２３】また、第１８の発明による高周波モジュー
ルは、第１から第1６のいずれかの発明において、高周
波変調信号を出力する発振器と、上記発振器の出力を電
力分配する電力分配器と、上記電力分配器の一方の出力
の周波数を2逓倍して送信信号を出力する逓倍器と、受
信信号を得る複数の導波路に対応した数のチャンネルを
有し、当該導波路を選択可能なスイッチと、上記電力分
配器の他方の出力の2倍周波数と上記スイッチの出力周
波数の差及び和の周波数を有するビデオ信号を出力する
偶高調波ミクサとを具備し、上記発振器、電力分配器、
逓倍器、スイッチ、及び偶高調波ミクサを上記高周波モ
ジュールにおける上記第１、第２のキャビティ内に載置
したものである。
ルは、第１から第1６のいずれかの発明において、高周
波変調信号を出力する発振器と、上記発振器の出力を電
力分配する電力分配器と、上記電力分配器の一方の出力
の周波数を2逓倍して送信信号を出力する逓倍器と、受
信信号を得る複数の導波路に対応した数のチャンネルを
有し、当該導波路を選択可能なスイッチと、上記電力分
配器の他方の出力の2倍周波数と上記スイッチの出力周
波数の差及び和の周波数を有するビデオ信号を出力する
偶高調波ミクサとを具備し、上記発振器、電力分配器、
逓倍器、スイッチ、及び偶高調波ミクサを上記高周波モ
ジュールにおける上記第１、第２のキャビティ内に載置
したものである。
【００２４】また、第１９の発明による高周波モジュー
ルは、第１から第1６のいずれかの発明において、高周
波変調信号を出力する第1の発振器と、上記第1の発振器
の出力を電力分配する電力分配器と、上記電力分配器の
一方の出力の周波数を2逓倍して送信信号を出力する逓
倍器と、中間周波数信号を2方向に出力する第2の発振器
と、上記電力分配器の他方の出力の2倍周波数と上記第2
の発振器の出力周波数との和及び差の周波数を有する信
号を出力する偶高調波ミクサと、受信信号を得る複数の
導波路に対応した数だけチャンネルを有し、当該導波路
を選択可能なスイッチと、上記スイッチの出力と上記偶
高調波ミクサの出力を受けて周波数変換しIF信号を出力
する第1の基本波ミクサと、上記基本波ミクサから出力
されるIF信号と上記第2の発振器の他方の出力を受けて
周波数変換しビデオ信号を出力する第2の基本波ミクサ
とを具備し、上記第1の発振器、電力分配器、逓倍器、
偶高調波ミクサ、スイッチ、及び第1の基本波ミクサを
上記高周波モジュールにおける上記第１、第２のキャビ
ティ内に載置したものである。
ルは、第１から第1６のいずれかの発明において、高周
波変調信号を出力する第1の発振器と、上記第1の発振器
の出力を電力分配する電力分配器と、上記電力分配器の
一方の出力の周波数を2逓倍して送信信号を出力する逓
倍器と、中間周波数信号を2方向に出力する第2の発振器
と、上記電力分配器の他方の出力の2倍周波数と上記第2
の発振器の出力周波数との和及び差の周波数を有する信
号を出力する偶高調波ミクサと、受信信号を得る複数の
導波路に対応した数だけチャンネルを有し、当該導波路
を選択可能なスイッチと、上記スイッチの出力と上記偶
高調波ミクサの出力を受けて周波数変換しIF信号を出力
する第1の基本波ミクサと、上記基本波ミクサから出力
されるIF信号と上記第2の発振器の他方の出力を受けて
周波数変換しビデオ信号を出力する第2の基本波ミクサ
とを具備し、上記第1の発振器、電力分配器、逓倍器、
偶高調波ミクサ、スイッチ、及び第1の基本波ミクサを
上記高周波モジュールにおける上記第１、第２のキャビ
ティ内に載置したものである。
【００２５】また、第２０の発明による高周波モジュー
ルは、第１から第1６のいずれかの発明において、高周
波変調信号を出力する発振器と、上記発振器の出力周波
数をN倍（Nは2以上の整数）するN逓倍器と、上記N逓倍
器の出力を電力分配する電力分配器と、上記電力分配器
の一方の出力の周波数を2逓倍して送信信号を出力する
逓倍器と、受信信号を得る複数の導波路に対応した数だ
けチャンネルを有し、当該導波路を選択可能なスイッチ
と、上記電力分配器の他方の出力の2倍周波数と上記ス
イッチを通して得る受信信号の周波数の差及び和の周波
数を有するビデオ信号を出力する偶高調波ミクサとを具
備し、上記発振器、電力分配器、逓倍器、Ｎ逓倍器、ス
イッチ、及び偶高調波ミクサを上記高周波モジュールに
おける上記第１、第２のキャビティ内に載置したもので
ある。
ルは、第１から第1６のいずれかの発明において、高周
波変調信号を出力する発振器と、上記発振器の出力周波
数をN倍（Nは2以上の整数）するN逓倍器と、上記N逓倍
器の出力を電力分配する電力分配器と、上記電力分配器
の一方の出力の周波数を2逓倍して送信信号を出力する
逓倍器と、受信信号を得る複数の導波路に対応した数だ
けチャンネルを有し、当該導波路を選択可能なスイッチ
と、上記電力分配器の他方の出力の2倍周波数と上記ス
イッチを通して得る受信信号の周波数の差及び和の周波
数を有するビデオ信号を出力する偶高調波ミクサとを具
備し、上記発振器、電力分配器、逓倍器、Ｎ逓倍器、ス
イッチ、及び偶高調波ミクサを上記高周波モジュールに
おける上記第１、第２のキャビティ内に載置したもので
ある。
【００２６】また、第２１の発明による高周波モジュー
ルは、第１から第1６のいずれかの発明において、高周
波変調信号を出力する発振器と、上記発振器の出力を電
力分配する電力分配器と、上記電力分配器の一方の出力
の周波数を2逓倍して送信信号を出力する逓倍器と、送
信信号を出力する複数の導波路に対応した数だけチャン
ネルを有し、当該導波路を選択し送信信号を導くことの
可能なスイッチと、上記電力分配器の他方の出力の2倍
周波数と上記導波路とは異なる導波路から得られた受信
信号の周波数の差及び和の周波数を有するビデオ信号を
出力する偶高調波ミクサとを具備し、上記発振器、電力
分配器、逓倍器、スイッチ、及び偶高調波ミクサを上記
高周波モジュールにおける上記第１、第２のキャビティ
内に載置したものである。
ルは、第１から第1６のいずれかの発明において、高周
波変調信号を出力する発振器と、上記発振器の出力を電
力分配する電力分配器と、上記電力分配器の一方の出力
の周波数を2逓倍して送信信号を出力する逓倍器と、送
信信号を出力する複数の導波路に対応した数だけチャン
ネルを有し、当該導波路を選択し送信信号を導くことの
可能なスイッチと、上記電力分配器の他方の出力の2倍
周波数と上記導波路とは異なる導波路から得られた受信
信号の周波数の差及び和の周波数を有するビデオ信号を
出力する偶高調波ミクサとを具備し、上記発振器、電力
分配器、逓倍器、スイッチ、及び偶高調波ミクサを上記
高周波モジュールにおける上記第１、第２のキャビティ
内に載置したものである。
【００２７】また、第２２の発明によれば、第１７から
第２１のいずれかの発明において、上記偶高調波ミクサ
は、逆極性の2つのダイオードを並列接続したアンチパ
ラレルダイオードペアを内蔵したものである。
第２１のいずれかの発明において、上記偶高調波ミクサ
は、逆極性の2つのダイオードを並列接続したアンチパ
ラレルダイオードペアを内蔵したものである。
【００２８】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図1は、この発明
の実施の形態１を示す高周波モジュールの斜視図であ
り、図において、2はマイクロ波或いはミリ波信号等高
周波のＲＦ信号を伝送する複数の導波管端子、6は例え
ばセラミック系の素材から成る複数枚の誘電体基板が積
層されて成る誘電体基板、8は例えばコバール（Kv）等
の金属導体から成り、誘電体基板６と共にキャビティを
形成する複数の穴を有して誘電体基板６の上面に接合さ
れたシールリング、9はＭＭＩＣ（Monolithic Microwav
e IC）や高周波抵抗素子等の高周波回路、11は例えばコ
バール（Kv）等の金属導体から成りシールリング８の上
面に接合されるカバー、12は貫通溝を有した間仕切り壁
を隔てて配置され、当該貫通溝によって連通する複数
（図では１２a、１２ｂの２つ）のキャビティから成る
誘電体基板６に形成された第1のキャビティ、13は複数
の第1のキャビティ１２（図では１２a、１２ｂ）の内側
に各々配置され、互いに隔壁に隔てられた複数（図では
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄの４つ）のキャビティ
から成る誘電体基板６に形成された第2のキャビティ、1
4は誘電体基板６に設けられ気密を保持したまま導波管
端子２と高周波回路９との間でＲＦ信号を伝送するため
のフィードスルー、15はＩＦ信号或いはＤＣ信号を入出
力するバイアス・制御信号用パッド、17は金や銀等の接
続用ワイヤ或いはリボンを通じて高周波回路９に接続さ
れるバイアス・制御信号用ボンディングパッドである。
の実施の形態１を示す高周波モジュールの斜視図であ
り、図において、2はマイクロ波或いはミリ波信号等高
周波のＲＦ信号を伝送する複数の導波管端子、6は例え
ばセラミック系の素材から成る複数枚の誘電体基板が積
層されて成る誘電体基板、8は例えばコバール（Kv）等
の金属導体から成り、誘電体基板６と共にキャビティを
形成する複数の穴を有して誘電体基板６の上面に接合さ
れたシールリング、9はＭＭＩＣ（Monolithic Microwav
e IC）や高周波抵抗素子等の高周波回路、11は例えばコ
バール（Kv）等の金属導体から成りシールリング８の上
面に接合されるカバー、12は貫通溝を有した間仕切り壁
を隔てて配置され、当該貫通溝によって連通する複数
（図では１２a、１２ｂの２つ）のキャビティから成る
誘電体基板６に形成された第1のキャビティ、13は複数
の第1のキャビティ１２（図では１２a、１２ｂ）の内側
に各々配置され、互いに隔壁に隔てられた複数（図では
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄの４つ）のキャビティ
から成る誘電体基板６に形成された第2のキャビティ、1
4は誘電体基板６に設けられ気密を保持したまま導波管
端子２と高周波回路９との間でＲＦ信号を伝送するため
のフィードスルー、15はＩＦ信号或いはＤＣ信号を入出
力するバイアス・制御信号用パッド、17は金や銀等の接
続用ワイヤ或いはリボンを通じて高周波回路９に接続さ
れるバイアス・制御信号用ボンディングパッドである。
【００２９】また、図2はこの発明の実施の形態１によ
る高周波モジュールの分解斜視図である。図におい
て、、６ａは誘電体基板６の下層に位置する誘電体基
板、６ｂは誘電体基板６ａの上に積層され、バイアス・
制御信号用パッド１５の形成された誘電体基板、６ｃは
誘電体基板６ｂの上に積層され、第２のキャビティ１３
が形成された誘電体基板、６ｄは誘電体基板６ｃの上に
積層され、第１のキャビティ１２が形成された誘電体基
板、16は誘電体基板６ｃに形成される凹形状の穴の周囲
に設けられた舌状の誘電体基板に、マイクロストリップ
線路を設けて成るマイクロストリップ−導波管変換器で
あって、当該凹形状の穴は、誘電体基板６ａ、６ｂに同
様の形状で形成される穴と共に導波管端子２の導波路を
形成する。また、誘電体基板６ｄとシールリング８には
各々凸状の穴が形成され、この穴が上記導波管端子２の
導波路に連通して全体として導波管端子２を構成し、マ
イクロストリップ−導波管変換器１６から伝送されたＲ
Ｆ信号を誘電体基板６の厚み方向に下側へＲＦ信号を伝
送し、誘電体基板６の下部に接続された図示しない導波
管にＲＦ信号を伝える、或いは誘電体基板６の下部に接
続された導波管からのＲＦ信号を誘電体基板６の厚み方
向に上側へ伝送し、マイクロストリップ−導波管変換器
１６に伝える。18は誘電体基板６ｂ、６ｃに設けられた
バイアス・制御信号用スルーホール、19は誘電体基板６
ａに設けられたバイアス・制御信号用配線、20は誘電体
基板６ｃに形成されたRF線路である。
る高周波モジュールの分解斜視図である。図におい
て、、６ａは誘電体基板６の下層に位置する誘電体基
板、６ｂは誘電体基板６ａの上に積層され、バイアス・
制御信号用パッド１５の形成された誘電体基板、６ｃは
誘電体基板６ｂの上に積層され、第２のキャビティ１３
が形成された誘電体基板、６ｄは誘電体基板６ｃの上に
積層され、第１のキャビティ１２が形成された誘電体基
板、16は誘電体基板６ｃに形成される凹形状の穴の周囲
に設けられた舌状の誘電体基板に、マイクロストリップ
線路を設けて成るマイクロストリップ−導波管変換器で
あって、当該凹形状の穴は、誘電体基板６ａ、６ｂに同
様の形状で形成される穴と共に導波管端子２の導波路を
形成する。また、誘電体基板６ｄとシールリング８には
各々凸状の穴が形成され、この穴が上記導波管端子２の
導波路に連通して全体として導波管端子２を構成し、マ
イクロストリップ−導波管変換器１６から伝送されたＲ
Ｆ信号を誘電体基板６の厚み方向に下側へＲＦ信号を伝
送し、誘電体基板６の下部に接続された図示しない導波
管にＲＦ信号を伝える、或いは誘電体基板６の下部に接
続された導波管からのＲＦ信号を誘電体基板６の厚み方
向に上側へ伝送し、マイクロストリップ−導波管変換器
１６に伝える。18は誘電体基板６ｂ、６ｃに設けられた
バイアス・制御信号用スルーホール、19は誘電体基板６
ａに設けられたバイアス・制御信号用配線、20は誘電体
基板６ｃに形成されたRF線路である。
【００３０】次に、構成及び機能について説明する。図
において、本高周波モジュールは、一部に複数のキャビ
ティ及び導波管を構成する穴を設けた複数の誘電体基板
6ａ〜６ｄを積層することにより、モジュール内部に導
波管端子2、第1のキャビティ12、第2のキャビティ13を
構成する。この積層は、柔らかい状態のセラミック系の
誘電体基板を加熱して焼結するような、所謂ＬＴＣＣ
（低温同時焼成基板）の製法で得られる。第1のキャビ
ティ12は、その側面の一部或いは全部及び下面の一部を
メタライズすることによって、内部に配置される高周波
回路9の上方に空間を形成するとともに、貫通溝によっ
て連通する複数のキャビティ（図では１２ａ、１２ｂ）
間における高周波信号の結合を抑圧している。第2のキ
ャビティ13は、その側面の一部或いは全部及び下面の全
部をメタライズし、その内部に高周波回路9が配置さ
れ、また隔壁によって互いに隔てられた各々のキャビテ
ィ（図では１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ）の周囲に
配置されたRF線路20、及びバイアス・制御信号用ボンデ
ィングパッド17と高周波回路9との間では、それぞれRF
信号及びバイアス・制御信号を授受すべく、ワイヤ接続
或いはリボンボンディングなどが行なわれる。RF線路20
の一部は、誘電体基板6ｃと６ｄの積層によって構成さ
れたフィードスルー14に接続され、その後、積層した誘
電体基板6によって構成されたマイクロストリップ線路
−導波管変換器16に接続され、導波管端子2に効率よく
導かれる。ここで、フィードスルー14を用いることによ
って、第１のキャビティ１２と導波管端子２間の気密を
保持したまま、導波管端子２と高周波回路９との間でＲ
Ｆ信号を伝送することができる。導波管端子２は、誘電
体基板６の下面にて他の図示しない気密された導波管に
接続される。また、他のRF線路20は、複数の第2のキャ
ビティ13間に配線され（図では１３ａと１３ｂとの間、
１３ｂと１３ｃとの間、１３ｂと１３ｄとの間に配線さ
れ）、各キャビティ間の信号の授受を行なう。第２のキ
ャビティ１３（図では１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３
ｄ）では、同一のキャビティ内に複数の高周波回路９が
配置され、各高周波回路９はワイヤボンディング或いは
リボンボンディングで接続される。この時、例えば同一
の周波数帯域で動作する回路同士を同一のキャビティ内
にまとめて配置する、或いは受信系と送信系を混在させ
ないように、受信系の高周波回路同士、送信系の高周波
回路同士をそれぞれ対応するキャビティにまとめて配置
する等、干渉を防ぎ同じ系統の機能のものをまとめられ
るように高周波回路を選択的に配置する。バイアス・制
御信号は、バイアス・制御信号用ボンディングパッド17
から、バイアス・制御信号用スルーホール18、バイアス
・制御信号用配線19等を介して誘電体基板6の層間及び
層内を経由して、バイアス・制御信号用パッド15に接続
され、外部回路（図中では省略）との間でＩＦ信号及び
ＤＣ信号を授受される。そして、積層した誘電体基板6
の上にシールリング8を配置し、その上にカバー11を接
着、ハンダ或いは溶接（例えば抵抗溶接）等によって接
合することにより気密封止する。ここで、シールリング
６は誘電体基板６ｄの上面に接合されて共に第１のキャ
ビティ１２を形成し、さらにシールリング６の上面に金
属製のカバー１１が接合されて各キャビティ間のＲＦ信
号の結合が抑圧される。
において、本高周波モジュールは、一部に複数のキャビ
ティ及び導波管を構成する穴を設けた複数の誘電体基板
6ａ〜６ｄを積層することにより、モジュール内部に導
波管端子2、第1のキャビティ12、第2のキャビティ13を
構成する。この積層は、柔らかい状態のセラミック系の
誘電体基板を加熱して焼結するような、所謂ＬＴＣＣ
（低温同時焼成基板）の製法で得られる。第1のキャビ
ティ12は、その側面の一部或いは全部及び下面の一部を
メタライズすることによって、内部に配置される高周波
回路9の上方に空間を形成するとともに、貫通溝によっ
て連通する複数のキャビティ（図では１２ａ、１２ｂ）
間における高周波信号の結合を抑圧している。第2のキ
ャビティ13は、その側面の一部或いは全部及び下面の全
部をメタライズし、その内部に高周波回路9が配置さ
れ、また隔壁によって互いに隔てられた各々のキャビテ
ィ（図では１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ）の周囲に
配置されたRF線路20、及びバイアス・制御信号用ボンデ
ィングパッド17と高周波回路9との間では、それぞれRF
信号及びバイアス・制御信号を授受すべく、ワイヤ接続
或いはリボンボンディングなどが行なわれる。RF線路20
の一部は、誘電体基板6ｃと６ｄの積層によって構成さ
れたフィードスルー14に接続され、その後、積層した誘
電体基板6によって構成されたマイクロストリップ線路
−導波管変換器16に接続され、導波管端子2に効率よく
導かれる。ここで、フィードスルー14を用いることによ
って、第１のキャビティ１２と導波管端子２間の気密を
保持したまま、導波管端子２と高周波回路９との間でＲ
Ｆ信号を伝送することができる。導波管端子２は、誘電
体基板６の下面にて他の図示しない気密された導波管に
接続される。また、他のRF線路20は、複数の第2のキャ
ビティ13間に配線され（図では１３ａと１３ｂとの間、
１３ｂと１３ｃとの間、１３ｂと１３ｄとの間に配線さ
れ）、各キャビティ間の信号の授受を行なう。第２のキ
ャビティ１３（図では１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３
ｄ）では、同一のキャビティ内に複数の高周波回路９が
配置され、各高周波回路９はワイヤボンディング或いは
リボンボンディングで接続される。この時、例えば同一
の周波数帯域で動作する回路同士を同一のキャビティ内
にまとめて配置する、或いは受信系と送信系を混在させ
ないように、受信系の高周波回路同士、送信系の高周波
回路同士をそれぞれ対応するキャビティにまとめて配置
する等、干渉を防ぎ同じ系統の機能のものをまとめられ
るように高周波回路を選択的に配置する。バイアス・制
御信号は、バイアス・制御信号用ボンディングパッド17
から、バイアス・制御信号用スルーホール18、バイアス
・制御信号用配線19等を介して誘電体基板6の層間及び
層内を経由して、バイアス・制御信号用パッド15に接続
され、外部回路（図中では省略）との間でＩＦ信号及び
ＤＣ信号を授受される。そして、積層した誘電体基板6
の上にシールリング8を配置し、その上にカバー11を接
着、ハンダ或いは溶接（例えば抵抗溶接）等によって接
合することにより気密封止する。ここで、シールリング
６は誘電体基板６ｄの上面に接合されて共に第１のキャ
ビティ１２を形成し、さらにシールリング６の上面に金
属製のカバー１１が接合されて各キャビティ間のＲＦ信
号の結合が抑圧される。
【００３１】この結果、積層された誘電体基板に形成さ
れたキャビティ内に複数の高周波回路を配置することに
より、従来、複数の高周波回路を内含したパッケージを
複数配置して構成していた高周波モジュールを、パッケ
ージのための余分なシャーシを用いずに一体で構成で
き、かつ複数パッケージ間の接続線路が不要となるた
め、高周波モジュールの小型化が可能となる。また、上
記パッケージに比して大きさの小さな高周波回路をキャ
ビティ内に配置し、ワイヤボンディング或いはリボンボ
ンディングで接続することによって、ボンディング時の
加熱時間の短縮や加熱後のハンドリングが容易となり、
組立作業性が向上する。さらに、各パッケージにおいて
共通の機能を有した回路や線路を同一の線路で接続で
き、また各パッケージ間をＲＦ信号の接続線路で接続す
るためのフィードスルーが不要となって、価格の低減が
可能となり、 かつフィードスルーにおける信号損失が
少なくなる等特性の向上が可能となる。
れたキャビティ内に複数の高周波回路を配置することに
より、従来、複数の高周波回路を内含したパッケージを
複数配置して構成していた高周波モジュールを、パッケ
ージのための余分なシャーシを用いずに一体で構成で
き、かつ複数パッケージ間の接続線路が不要となるた
め、高周波モジュールの小型化が可能となる。また、上
記パッケージに比して大きさの小さな高周波回路をキャ
ビティ内に配置し、ワイヤボンディング或いはリボンボ
ンディングで接続することによって、ボンディング時の
加熱時間の短縮や加熱後のハンドリングが容易となり、
組立作業性が向上する。さらに、各パッケージにおいて
共通の機能を有した回路や線路を同一の線路で接続で
き、また各パッケージ間をＲＦ信号の接続線路で接続す
るためのフィードスルーが不要となって、価格の低減が
可能となり、 かつフィードスルーにおける信号損失が
少なくなる等特性の向上が可能となる。
【００３２】実施の形態２．図3は、この発明の実施の
形態2を示す高周波モジュールの斜視図であり、図にお
いて、2、6、8、9、11、12、13、15、１７、20は、実施
の形態1と同等もしくは同一相当であり、21は誘電体基
板の表裏で信号を伝達するマイクロストリップ線路−導
波管変換器である。
形態2を示す高周波モジュールの斜視図であり、図にお
いて、2、6、8、9、11、12、13、15、１７、20は、実施
の形態1と同等もしくは同一相当であり、21は誘電体基
板の表裏で信号を伝達するマイクロストリップ線路−導
波管変換器である。
【００３３】次に、構成及び機能について説明する。図
において、本高周波モジュールは、一部に複数のキャビ
ティ及び導波管を構成する穴を設けた複数の誘電体基板
6を実施の形態１同様に積層し、焼結することにより、
モジュール内部に導波管端子2、第1のキャビティ12、第
2のキャビティ13を構成する。第1のキャビティ12は、そ
の側面の一部或いは全部及び下面の一部をメタライズす
ることによって、内部の高周波回路9の上方に空間を形
成するとともに、複数のキャビティ間の高周波信号の結
合を抑圧している。第2のキャビティ13は、その側面の
一部或いは全部及び下面の全部をメタライズし、その内
部に高周波回路9を配置してし、キャビティ周囲に配置
したRF線路20、バイアス・制御信号用ボンディングパッ
ド17との間で、それぞれRF信号及びバイアス・制御信号
を授受すべく、ワイヤ接続或いはリボンボンディングな
どを行なう。RF線路20の一部は、積層した誘電体基板6
によって構成された、誘電体基板の表裏で信号を伝達す
るマイクロストリップ線路−導波管変換器21に接続さ
れ、導波管端子2に効率よく導かれる。このマイクロス
トリップ線路―導波管変換器２１は次のように構成され
る。第1のキャビティ１２の周囲を囲む壁面（第４の誘
電体基板６ｄとシールリング８で成る壁面）の一部に溝
を設け、導波管端子２の上方に設けられ第４の誘電体基
板６ｄ及びシールリング８に形成された矩形状の穴にこ
の溝を接続し、上記溝の底面（第３の誘電体基板６ｃの
上面）にマイクロストリップ線路を設けて形成される。
この矩形状の穴は導波管端子２の一方の端部を形成し、
導波管端子２の他方側の端部は誘電体基板６ａ、６ｂ、
６ｃ内に筒状に設けられた導波路で構成される。すなわ
ち、上記矩形状の穴の内周に沿う位置に、誘電体基板６
ａ、６ｂ、６ｃを共に貫通する複数のスルーホールが矩
形状に形成され、この各隣接するスルーホール間を接続
して成る閉曲線を囲むように誘電体基板６ｃにスロット
様に金属導体が配置されて、誘電体基板６a、６ｂの厚
み方向にスルーホールで囲まれた筒状の導波路が形成さ
れる。誘電体基板６ｃ上に形成された上記溝の底面のマ
イクロストリップ線路は、この導波路と電磁的に結合さ
れて、高周波回路９と導波管端子２との間でＲＦ信号を
伝送し、導波管端子２内ではＲＦ信号が導波管モードで
進行する。このとき、導波管端子２の他方側の端部は、
誘電体基板に設けられたスルーホールで囲まれた導波路
で成るため、導波管の開口に穴を形成する必要がなく、
誘電体基板６の積層によって気密封止される。また、他
のRF線路20は、複数の第2のキャビティ13間に配線さ
れ、キャビティ間の信号の授受を行なう。バイアス・制
御信号は、図中では省略しているが、実施の形態1にお
ける図2と同様に、バイアス・制御信号用ボンディング
パッド17から、バイアス・制御信号用スルーホール18、
バイアス・制御信号用配線19等を介して誘電体基板6の
層間及び層内を経由して、バイアス・制御信号用パッド
15に接続され、外部回路との間で授受される。そして、
積層した誘電体基板6の上にシールリング8を設置し、そ
の上にカバー11を接着、ハンダ或いは溶接等によって接
合することにより封止する。
において、本高周波モジュールは、一部に複数のキャビ
ティ及び導波管を構成する穴を設けた複数の誘電体基板
6を実施の形態１同様に積層し、焼結することにより、
モジュール内部に導波管端子2、第1のキャビティ12、第
2のキャビティ13を構成する。第1のキャビティ12は、そ
の側面の一部或いは全部及び下面の一部をメタライズす
ることによって、内部の高周波回路9の上方に空間を形
成するとともに、複数のキャビティ間の高周波信号の結
合を抑圧している。第2のキャビティ13は、その側面の
一部或いは全部及び下面の全部をメタライズし、その内
部に高周波回路9を配置してし、キャビティ周囲に配置
したRF線路20、バイアス・制御信号用ボンディングパッ
ド17との間で、それぞれRF信号及びバイアス・制御信号
を授受すべく、ワイヤ接続或いはリボンボンディングな
どを行なう。RF線路20の一部は、積層した誘電体基板6
によって構成された、誘電体基板の表裏で信号を伝達す
るマイクロストリップ線路−導波管変換器21に接続さ
れ、導波管端子2に効率よく導かれる。このマイクロス
トリップ線路―導波管変換器２１は次のように構成され
る。第1のキャビティ１２の周囲を囲む壁面（第４の誘
電体基板６ｄとシールリング８で成る壁面）の一部に溝
を設け、導波管端子２の上方に設けられ第４の誘電体基
板６ｄ及びシールリング８に形成された矩形状の穴にこ
の溝を接続し、上記溝の底面（第３の誘電体基板６ｃの
上面）にマイクロストリップ線路を設けて形成される。
この矩形状の穴は導波管端子２の一方の端部を形成し、
導波管端子２の他方側の端部は誘電体基板６ａ、６ｂ、
６ｃ内に筒状に設けられた導波路で構成される。すなわ
ち、上記矩形状の穴の内周に沿う位置に、誘電体基板６
ａ、６ｂ、６ｃを共に貫通する複数のスルーホールが矩
形状に形成され、この各隣接するスルーホール間を接続
して成る閉曲線を囲むように誘電体基板６ｃにスロット
様に金属導体が配置されて、誘電体基板６a、６ｂの厚
み方向にスルーホールで囲まれた筒状の導波路が形成さ
れる。誘電体基板６ｃ上に形成された上記溝の底面のマ
イクロストリップ線路は、この導波路と電磁的に結合さ
れて、高周波回路９と導波管端子２との間でＲＦ信号を
伝送し、導波管端子２内ではＲＦ信号が導波管モードで
進行する。このとき、導波管端子２の他方側の端部は、
誘電体基板に設けられたスルーホールで囲まれた導波路
で成るため、導波管の開口に穴を形成する必要がなく、
誘電体基板６の積層によって気密封止される。また、他
のRF線路20は、複数の第2のキャビティ13間に配線さ
れ、キャビティ間の信号の授受を行なう。バイアス・制
御信号は、図中では省略しているが、実施の形態1にお
ける図2と同様に、バイアス・制御信号用ボンディング
パッド17から、バイアス・制御信号用スルーホール18、
バイアス・制御信号用配線19等を介して誘電体基板6の
層間及び層内を経由して、バイアス・制御信号用パッド
15に接続され、外部回路との間で授受される。そして、
積層した誘電体基板6の上にシールリング8を設置し、そ
の上にカバー11を接着、ハンダ或いは溶接等によって接
合することにより封止する。
【００３４】この結果、従来、複数の高周波回路を内含
したパッケージにて構成していた高周波モジュールを一
体で構成でき、複数パッケージ間の接続線路が不要とな
るため、高周波モジュールの小型化、組立作業性の向
上、価格の低減等が可能となる。また、誘電体基板の表
裏で信号を伝達するマイクロストリップ線路−導波管変
換器21を使用することにより、導波管との接続部分にお
いてフィードスルー14を不要とし、構成を簡略化できる
と共に、フィードスルー14による信号損失も低減できる
ため、更なる特性の改善が可能となる。
したパッケージにて構成していた高周波モジュールを一
体で構成でき、複数パッケージ間の接続線路が不要とな
るため、高周波モジュールの小型化、組立作業性の向
上、価格の低減等が可能となる。また、誘電体基板の表
裏で信号を伝達するマイクロストリップ線路−導波管変
換器21を使用することにより、導波管との接続部分にお
いてフィードスルー14を不要とし、構成を簡略化できる
と共に、フィードスルー14による信号損失も低減できる
ため、更なる特性の改善が可能となる。
【００３５】実施の形態３．図4は、この発明の実施の
形態３を示す高周波モジュールの斜視図であり、図にお
いて、2、6、8、9、11、12、13、15、１７、20、21は、
実施の形態2と同等であり、22はGND導通用スルーホール
である。
形態３を示す高周波モジュールの斜視図であり、図にお
いて、2、6、8、9、11、12、13、15、１７、20、21は、
実施の形態2と同等であり、22はGND導通用スルーホール
である。
【００３６】次に、構成及び機能について説明する。図
において、本高周波モジュールは、一部に複数のキャビ
ティ及び導波管を構成する穴を設けた複数の誘電体基板
6（6a,6b,6ｃ）を実施の形態１同様に積層後に焼結し、
さらにその上に、一部に複数のキャビティ及び導波管を
構成する穴を設けたシールリング8を接着、ハンダ或い
は溶接等で接合することにより、モジュール内部に導波
管端子2、第1のキャビティ12、第2のキャビティ13を構
成する。第1のキャビティ12は、側面は金属導体製のシ
ールリング8のみで構成されており、内部の高周波回路9
の上方の空間を確保するとともに、複数のキャビティ間
の高周波信号の結合を抑圧している。第2のキャビティ1
3は、その側面の一部或いは全部及び下面の全部をメタ
ライズし、その内部に高周波回路9を実装し、キャビテ
ィ周囲に配置したRF線路20、バイアス・制御信号用ボン
ディングパッド17との間でそれぞれRF信号、バイアス・
制御信号を授受すべくワイヤ或いはリボンボンディング
などを行なう。RF線路20の一部は、積層した誘電体基板
6によって構成された、誘電体基板の表裏で信号を伝達
するマイクロストリップ線路−導波管変換器21に接続さ
れ、導波管端子2に効率よく導かれる。また、他のRF線
路20は、複数の第2のキャビティ13間に配線され、キャ
ビティ間の信号の授受を行なう。複数の第2のキャビテ
ィ13に各々配置された高周波回路９の間を接続する際、
第1のキャビティ12間でＲＦ信号を通過させながら不要
な漏れ信号をカットすることが必要となる場合があり、
その箇所については、図4下部に示すようにシールリン
グ8の下面側に下向き凹状に溝を設け、誘電体基板6上に
配置してRF線路20の上方にトンネル様に空間を設ける。
さらに、シールリング8に設けたトンネル様の溝の側壁
面の下部、つまり誘電体基板6とシールリング8の当該溝
を隔てた溝近傍の接合面にGND導通用スルーホール22を
設けることにより、電波伝播空間の長さＬ、高さh及び
幅wを所望の周波数のカットオフ寸法とする導波管を形
成し、キャビティ間の高周波信号の結合を抑圧する。こ
のとき、カットオフする周波数を高く設定する程、高さ
ｈ及び幅ｗを小さくし、形成される導波管部での所望周
波数の損失量を大きくするようにＬを長くする必要があ
るが、実装密度や、加工精度及び加工し易さに応じて、
適宜Ｌとｈ及びｗを選択する（Ｌが長いほど実装可能な
空間が減り、ｈ及びｗが小さいほど加工が難しくな
る）。なお、本発明を送信系と受信系を有したマイクロ
波帯域或いはミリ波帯域の送受信モジュールに適用する
場合、間仕切り壁で仕切られた複数のキャビティから成
る第１のキャビティ１２において、特に送信系の高周波
回路の載置されたキャビティ（例えば１２a）と受信系
の高周波回路の載置されたキャビティ（例えば１２ｂ）
間を、このトンネル様の溝で接続することによって、よ
り送信系と受信系との干渉が少なくアイソレーションの
高い送受信モジュールを得ることができる。バイアス・
制御信号は、図中では省略しているが、実施の形態1に
おける図2と同様に、バイアス・制御信号用ボンディン
グパッド17から、バイアス・制御信号用スルーホール1
8、バイアス・制御信号用配線19等を介して誘電体基板6
の層間及び層内を経由して、バイアス・制御信号用パッ
ド15に接続され、外部回路との間で授受される。そし
て、積層したシールリング8の上にカバー11を接着、ハ
ンダ或いは溶接等によって接合することにより封止す
る。
において、本高周波モジュールは、一部に複数のキャビ
ティ及び導波管を構成する穴を設けた複数の誘電体基板
6（6a,6b,6ｃ）を実施の形態１同様に積層後に焼結し、
さらにその上に、一部に複数のキャビティ及び導波管を
構成する穴を設けたシールリング8を接着、ハンダ或い
は溶接等で接合することにより、モジュール内部に導波
管端子2、第1のキャビティ12、第2のキャビティ13を構
成する。第1のキャビティ12は、側面は金属導体製のシ
ールリング8のみで構成されており、内部の高周波回路9
の上方の空間を確保するとともに、複数のキャビティ間
の高周波信号の結合を抑圧している。第2のキャビティ1
3は、その側面の一部或いは全部及び下面の全部をメタ
ライズし、その内部に高周波回路9を実装し、キャビテ
ィ周囲に配置したRF線路20、バイアス・制御信号用ボン
ディングパッド17との間でそれぞれRF信号、バイアス・
制御信号を授受すべくワイヤ或いはリボンボンディング
などを行なう。RF線路20の一部は、積層した誘電体基板
6によって構成された、誘電体基板の表裏で信号を伝達
するマイクロストリップ線路−導波管変換器21に接続さ
れ、導波管端子2に効率よく導かれる。また、他のRF線
路20は、複数の第2のキャビティ13間に配線され、キャ
ビティ間の信号の授受を行なう。複数の第2のキャビテ
ィ13に各々配置された高周波回路９の間を接続する際、
第1のキャビティ12間でＲＦ信号を通過させながら不要
な漏れ信号をカットすることが必要となる場合があり、
その箇所については、図4下部に示すようにシールリン
グ8の下面側に下向き凹状に溝を設け、誘電体基板6上に
配置してRF線路20の上方にトンネル様に空間を設ける。
さらに、シールリング8に設けたトンネル様の溝の側壁
面の下部、つまり誘電体基板6とシールリング8の当該溝
を隔てた溝近傍の接合面にGND導通用スルーホール22を
設けることにより、電波伝播空間の長さＬ、高さh及び
幅wを所望の周波数のカットオフ寸法とする導波管を形
成し、キャビティ間の高周波信号の結合を抑圧する。こ
のとき、カットオフする周波数を高く設定する程、高さ
ｈ及び幅ｗを小さくし、形成される導波管部での所望周
波数の損失量を大きくするようにＬを長くする必要があ
るが、実装密度や、加工精度及び加工し易さに応じて、
適宜Ｌとｈ及びｗを選択する（Ｌが長いほど実装可能な
空間が減り、ｈ及びｗが小さいほど加工が難しくな
る）。なお、本発明を送信系と受信系を有したマイクロ
波帯域或いはミリ波帯域の送受信モジュールに適用する
場合、間仕切り壁で仕切られた複数のキャビティから成
る第１のキャビティ１２において、特に送信系の高周波
回路の載置されたキャビティ（例えば１２a）と受信系
の高周波回路の載置されたキャビティ（例えば１２ｂ）
間を、このトンネル様の溝で接続することによって、よ
り送信系と受信系との干渉が少なくアイソレーションの
高い送受信モジュールを得ることができる。バイアス・
制御信号は、図中では省略しているが、実施の形態1に
おける図2と同様に、バイアス・制御信号用ボンディン
グパッド17から、バイアス・制御信号用スルーホール1
8、バイアス・制御信号用配線19等を介して誘電体基板6
の層間及び層内を経由して、バイアス・制御信号用パッ
ド15に接続され、外部回路との間で授受される。そし
て、積層したシールリング8の上にカバー11を接着、ハ
ンダ或いは溶接等によって接合することにより封止す
る。
【００３７】この結果、従来、複数のパッケージにて構
成していた高周波モジュールを一体で構成でき、複数パ
ッケージ間の接続線路が不要となるため、高周波モジュ
ールの小型化、工作性の向上、性能の向上、価格の低減
等が可能となる。また、誘電体基板の表裏で信号を伝達
するマイクロストリップ線路−導波管変換器21を使用す
ることにより、フィードスルー14を不要とし、構成を簡
略化できると共に、フィードスルー14による信号損失も
低減でき、さらに、シールリング8へのトンネル様の溝
加工により、キャビティ間の高周波信号の結合を抑圧で
きるため、更なる特性の改善が可能となる。
成していた高周波モジュールを一体で構成でき、複数パ
ッケージ間の接続線路が不要となるため、高周波モジュ
ールの小型化、工作性の向上、性能の向上、価格の低減
等が可能となる。また、誘電体基板の表裏で信号を伝達
するマイクロストリップ線路−導波管変換器21を使用す
ることにより、フィードスルー14を不要とし、構成を簡
略化できると共に、フィードスルー14による信号損失も
低減でき、さらに、シールリング8へのトンネル様の溝
加工により、キャビティ間の高周波信号の結合を抑圧で
きるため、更なる特性の改善が可能となる。
【００３８】実施の形態４．図5は、この発明の実施の
形態４を示す高周波モジュールの斜視図であり、図にお
いて、2、6、8、9、11、12、13、15、１７、20、21は、
実施の形態3と同等であり、5はキャリヤ、23はキャリア
５を固定するための固定用ネジ穴である。
形態４を示す高周波モジュールの斜視図であり、図にお
いて、2、6、8、9、11、12、13、15、１７、20、21は、
実施の形態3と同等であり、5はキャリヤ、23はキャリア
５を固定するための固定用ネジ穴である。
【００３９】次に、構成及び機能について説明する。図
において、本高周波モジュールの構成要素2、6、8、9、
11、12、13、15、１７、20、21は、実施の形態３と同様
の構成、機能を有する。キャリヤ5は、その周辺部に、
ネジで高周波モジュールを固定するための固定用ネジ穴
5を有し、積層した誘電体基板６の最下層の下にロー付
け、ハンダ、接着などによって接合される。
において、本高周波モジュールの構成要素2、6、8、9、
11、12、13、15、１７、20、21は、実施の形態３と同様
の構成、機能を有する。キャリヤ5は、その周辺部に、
ネジで高周波モジュールを固定するための固定用ネジ穴
5を有し、積層した誘電体基板６の最下層の下にロー付
け、ハンダ、接着などによって接合される。
【００４０】この結果、実施の形態3と同様の効果を得
る他、キャリヤ5の使用により、他の装置、例えばアン
テナなど（図中では省略）との機械的固定方法に自由度
が増し、容易に固定できるため、設計に自由度が増し、
工作性も向上する。なお、固定用ネジ穴については、こ
れ以外の他の固定要素として、例えば、ネジ以外の他の
締結部材やキャリア５の側面部を保持する保持部品等を
用いても良いことは言うまでもない。
る他、キャリヤ5の使用により、他の装置、例えばアン
テナなど（図中では省略）との機械的固定方法に自由度
が増し、容易に固定できるため、設計に自由度が増し、
工作性も向上する。なお、固定用ネジ穴については、こ
れ以外の他の固定要素として、例えば、ネジ以外の他の
締結部材やキャリア５の側面部を保持する保持部品等を
用いても良いことは言うまでもない。
【００４１】実施の形態５．図6は、この発明の実施の
形態5を示す高周波モジュールのキャビティの斜視図で
あり、図において、13は第2のキャビティ、20はRF線
路、22はGND導通用スルーホールである。
形態5を示す高周波モジュールのキャビティの斜視図で
あり、図において、13は第2のキャビティ、20はRF線
路、22はGND導通用スルーホールである。
【００４２】次に、構成及び機能について説明する。図
において、高周波モジュールの一部を構成する第2のキ
ャビティ13は、その下面全体を金属導体でメタライズ
し、またその側面付近まで誘電体基板６ｃ上面にRF線路
20を配線させ、このRF線路20付近を除く第2のキャビテ
ィ13の周囲に、GND導通用スルーホール22を1列或いは複
数列配置する（図では1列）ことにより、他のキャビテ
ィとの高周波信号の結合を抑圧している。なお、抑圧す
べき信号の波長に応じてその信号の通過を遮断する間隔
でGND導通用スルーホール22を配置すれば、GND導通用ス
ルーホール22の数を低減できることは言うまでもない。
このためには、例えば抑圧すべき信号の最短の波長をλ
とした場合、λ／４以下の間隔でGND導通用スルーホー
ル22を配置するのが好ましい。
において、高周波モジュールの一部を構成する第2のキ
ャビティ13は、その下面全体を金属導体でメタライズ
し、またその側面付近まで誘電体基板６ｃ上面にRF線路
20を配線させ、このRF線路20付近を除く第2のキャビテ
ィ13の周囲に、GND導通用スルーホール22を1列或いは複
数列配置する（図では1列）ことにより、他のキャビテ
ィとの高周波信号の結合を抑圧している。なお、抑圧す
べき信号の波長に応じてその信号の通過を遮断する間隔
でGND導通用スルーホール22を配置すれば、GND導通用ス
ルーホール22の数を低減できることは言うまでもない。
このためには、例えば抑圧すべき信号の最短の波長をλ
とした場合、λ／４以下の間隔でGND導通用スルーホー
ル22を配置するのが好ましい。
【００４３】この結果、本実施例による第2のキャビテ
ィ13を実施例1〜4に適用することにより、実施例1〜4に
記載した効果と同等の効果が得られる。
ィ13を実施例1〜4に適用することにより、実施例1〜4に
記載した効果と同等の効果が得られる。
【００４４】実施の形態６．図7は、この発明の実施の
形態6を示す高周波モジュールのキャビティの斜視図で
あり、図において、13は第2のキャビティ、20はRF線
路、24は縦に半割したGND導通用スルーホールである。
形態6を示す高周波モジュールのキャビティの斜視図で
あり、図において、13は第2のキャビティ、20はRF線
路、24は縦に半割したGND導通用スルーホールである。
【００４５】次に、構成及び機能について説明する。図
において、高周波モジュールの一部を構成する第2のキ
ャビティ13は、その下面全体を金属導体でメタライズ
し、その側面付近まで誘電体基板６ｃ上面にRF線路20を
配線させ、このRF線路20付近を除く第2のキャビティ13
の側面に、縦に半割したような形状を有するGND導通用
スルーホール24の平面部分を、キャビティ周縁部の側面
に面してキャビティを囲むように複数配置することによ
り、他のキャビティとの高周波信号の結合を抑圧してい
る。なお、GND導通用スルーホール24は、誘電体基板を
積層する前の柔らかい状態でキャビティ周縁部の側面に
パンチングにて窪みをつけ、積層時にその窪みに金や銀
等の金属を付着させ、焼結するだけで生成できるため、
比較的容易に加工できる。この実施の形態によれば、キ
ャビティの側面にスルーホールを配置できることから、
実施の形態５と比べてスルーホールを設置する周長が短
く、スルーホールの数が少なくてすむため、作業が効率
化するのに加えてコストもより安くなる。また、実施の
形態５のスルーホールと比べてホールの穴間隔の加工に
必要な精度が緩和される。
において、高周波モジュールの一部を構成する第2のキ
ャビティ13は、その下面全体を金属導体でメタライズ
し、その側面付近まで誘電体基板６ｃ上面にRF線路20を
配線させ、このRF線路20付近を除く第2のキャビティ13
の側面に、縦に半割したような形状を有するGND導通用
スルーホール24の平面部分を、キャビティ周縁部の側面
に面してキャビティを囲むように複数配置することによ
り、他のキャビティとの高周波信号の結合を抑圧してい
る。なお、GND導通用スルーホール24は、誘電体基板を
積層する前の柔らかい状態でキャビティ周縁部の側面に
パンチングにて窪みをつけ、積層時にその窪みに金や銀
等の金属を付着させ、焼結するだけで生成できるため、
比較的容易に加工できる。この実施の形態によれば、キ
ャビティの側面にスルーホールを配置できることから、
実施の形態５と比べてスルーホールを設置する周長が短
く、スルーホールの数が少なくてすむため、作業が効率
化するのに加えてコストもより安くなる。また、実施の
形態５のスルーホールと比べてホールの穴間隔の加工に
必要な精度が緩和される。
【００４６】この結果、本実施例による第2のキャビテ
ィ13を実施例1〜4に適用することにより、実施例1〜4に
記載した効果と同等の効果が得られる。
ィ13を実施例1〜4に適用することにより、実施例1〜4に
記載した効果と同等の効果が得られる。
【００４７】実施の形態７．図8は、この発明の実施の
形態7を示す高周波モジュールのキャビティの斜視図で
あり、図において、13は第2のキャビティ、20はRF線
路、25はキャビティ側面に配置した金属導体パターンで
ある。
形態7を示す高周波モジュールのキャビティの斜視図で
あり、図において、13は第2のキャビティ、20はRF線
路、25はキャビティ側面に配置した金属導体パターンで
ある。
【００４８】次に、構成及び機能について説明する。図
において、高周波モジュールの一部を構成する第2のキ
ャビティ13は、その下面全体を金属導体でメタライズ
し、その側面付近まで誘電体基板６ｃ上面にRF線路20を
配線させ、このRF線路20付近を除く第2のキャビティ13
の側面全域に、金属導体パターン25を配置することによ
り、他のキャビティとの高周波信号の結合を抑圧してい
る。
において、高周波モジュールの一部を構成する第2のキ
ャビティ13は、その下面全体を金属導体でメタライズ
し、その側面付近まで誘電体基板６ｃ上面にRF線路20を
配線させ、このRF線路20付近を除く第2のキャビティ13
の側面全域に、金属導体パターン25を配置することによ
り、他のキャビティとの高周波信号の結合を抑圧してい
る。
【００４９】この結果、本実施例による第2のキャビテ
ィ13を実施例1〜4に適用することにより、実施例1〜4に
記載した効果と同等の効果が得られる。
ィ13を実施例1〜4に適用することにより、実施例1〜4に
記載した効果と同等の効果が得られる。
【００５０】実施の形態８．図9は、この発明の実施の
形態8を示す高周波モジュールに内蔵する高周波回路の
ブロック図であり、図において、2は導波管端子、26a、
26bは第1、第2の発振器、27a〜27jは第1〜第10の増幅
器、28は電力分配器、29は逓倍器、30はフィルタ、31は
逆極性のダイオードを並列接続したアンチパラレルダイ
オードペアを内蔵した偶高調波ミクサ、32は電力合成
器、33a、33bは第1、第2の基本波ミクサである。
形態8を示す高周波モジュールに内蔵する高周波回路の
ブロック図であり、図において、2は導波管端子、26a、
26bは第1、第2の発振器、27a〜27jは第1〜第10の増幅
器、28は電力分配器、29は逓倍器、30はフィルタ、31は
逆極性のダイオードを並列接続したアンチパラレルダイ
オードペアを内蔵した偶高調波ミクサ、32は電力合成
器、33a、33bは第1、第2の基本波ミクサである。
【００５１】次に、動作について説明する。本発明は、
前方目標の距離及び相対速度を得るFM-CWレーダを構成
するための高周波回路を高周波モジュール内に実装した
ものである。以下に各高周波回路の動作を示す。図にお
いて、第1の発振器26aは高周波変調信号を出力し、第1
の増幅器27aはこの出力を電力増幅する。電力分配器28
は、第1の増幅器27aの出力を2方向に電力分配する。逓
倍器29は、この電力分配器28の一方の出力を受け、その
周波数を2逓倍し、出力する。第2の増幅器27bは、逓倍
器29の出力を電力増幅し、導波管端子2に向けて送信信
号を出力する。導波管端子2は、実施の形態１〜３にて
記載したフィードスルー14、マイクロストリップ線路−
導波管変換器16、或いは誘電体基板の表裏で信号を伝達
するマイクロストリップ線路−導波管変換器21等（図中
では省略）を介して送信信号を受けて、接続される送信
アンテナ（図中では省略）に導波管モードで出力する。
フィルタ30は電力分配器28の他方の出力の不要波成分を
抑圧した信号を出力する。第2の発振器26bは、中間周波
数信号を2方向に出力する。偶高調波ミクサ31は、フィ
ルタ30の出力の2倍周波数と第2の発振器26bの一方の出
力の周波数の和及び差の周波数を有する信号を出力す
る。第3の増幅器27cは、偶高調波ミクサ31の出力を電力
増幅する。第4〜第7の増幅器27d〜27gは、それぞれに接
続される導波管端子2が接続される受信アンテナ（図中
では省略）から得られる受信信号を低雑音増幅する。電
力合成器32は、第4〜第7の増幅器27d〜27gから出力され
る受信信号を電力合成する。第8の増幅器27hは、電力合
成器32の出力を低雑音増幅する。第1の基本波ミクサ33a
は、第8の増幅器27h及び第3の増幅器27cの出力を受けて
周波数変換し、両者の周波数の和及び差の周波数を有す
るIF信号を出力する。第9の増幅器27iは、このIF信号を
電力増幅する。第2の基本波ミクサ33bは、第2の発振器2
6bの他方の出力と第9の増幅器27iの出力を受けて周波数
変換し、両者の周波数の和及び差の周波数を有するビデ
オ信号を出力する。第10の増幅器27jは、このビデオ信
号を電力増幅する。なお、各導波管端子に接続される第
4〜第7の増幅器27d〜27gは、外部回路（図中では省略）
によってそのバイアスをon/off制御され、所望の導波管
端子2に接続されるもののみonとすることにより、その
端子のみの受信信号を得ることができ、複数構成した受
信アンテナの内、所望の受信アンテナの信号のみを得
る。
前方目標の距離及び相対速度を得るFM-CWレーダを構成
するための高周波回路を高周波モジュール内に実装した
ものである。以下に各高周波回路の動作を示す。図にお
いて、第1の発振器26aは高周波変調信号を出力し、第1
の増幅器27aはこの出力を電力増幅する。電力分配器28
は、第1の増幅器27aの出力を2方向に電力分配する。逓
倍器29は、この電力分配器28の一方の出力を受け、その
周波数を2逓倍し、出力する。第2の増幅器27bは、逓倍
器29の出力を電力増幅し、導波管端子2に向けて送信信
号を出力する。導波管端子2は、実施の形態１〜３にて
記載したフィードスルー14、マイクロストリップ線路−
導波管変換器16、或いは誘電体基板の表裏で信号を伝達
するマイクロストリップ線路−導波管変換器21等（図中
では省略）を介して送信信号を受けて、接続される送信
アンテナ（図中では省略）に導波管モードで出力する。
フィルタ30は電力分配器28の他方の出力の不要波成分を
抑圧した信号を出力する。第2の発振器26bは、中間周波
数信号を2方向に出力する。偶高調波ミクサ31は、フィ
ルタ30の出力の2倍周波数と第2の発振器26bの一方の出
力の周波数の和及び差の周波数を有する信号を出力す
る。第3の増幅器27cは、偶高調波ミクサ31の出力を電力
増幅する。第4〜第7の増幅器27d〜27gは、それぞれに接
続される導波管端子2が接続される受信アンテナ（図中
では省略）から得られる受信信号を低雑音増幅する。電
力合成器32は、第4〜第7の増幅器27d〜27gから出力され
る受信信号を電力合成する。第8の増幅器27hは、電力合
成器32の出力を低雑音増幅する。第1の基本波ミクサ33a
は、第8の増幅器27h及び第3の増幅器27cの出力を受けて
周波数変換し、両者の周波数の和及び差の周波数を有す
るIF信号を出力する。第9の増幅器27iは、このIF信号を
電力増幅する。第2の基本波ミクサ33bは、第2の発振器2
6bの他方の出力と第9の増幅器27iの出力を受けて周波数
変換し、両者の周波数の和及び差の周波数を有するビデ
オ信号を出力する。第10の増幅器27jは、このビデオ信
号を電力増幅する。なお、各導波管端子に接続される第
4〜第7の増幅器27d〜27gは、外部回路（図中では省略）
によってそのバイアスをon/off制御され、所望の導波管
端子2に接続されるもののみonとすることにより、その
端子のみの受信信号を得ることができ、複数構成した受
信アンテナの内、所望の受信アンテナの信号のみを得
る。
【００５２】上記の高周波回路の内、第2の発振器26b、
第9及び第10の増幅器27i、27j、第2の基本波ミクサ33b
を除く高周波回路（図中の破線内の回路）を高周波モジ
ュール内に実装し、レーダを構成する。これは、第2の
発振器26b、第9及び第10の増幅器27i、27j、第2の基本
波ミクサ33bが中間周波数帯或いは低周波数帯で動作す
る回路であり、回路規模が大きいため、高周波モジュー
ル内に実装した場合、高周波モジュールが大型化するた
めである。この高周波モジュール内への実装は図１（或
いは図３、図４）において次のように行う。送信系の高
周波回路である２６a、２７a、２７ｂ、２８、２９、３
０は、第２のキャビティ１３a内に収納され、受信系の
高周波回路である３１、２７ｃ、２７ｈ、３２、３３a
は第２のキャビティ１３ｂ内に収納され、２７ｄ、２７
ｅは第2のキャビティ１３ｃ内に収納され、２７ｆ、２
７ｇは第2のキャビティ１３ｄ内に収納されており、第
２のキャビティ１３ａと１３ｂ間、第２のキャビティ１
３ｂと１３ｃ、１３ｄ間は、ＲＦ線路２０で接続され
る。また、第２のキャビティ１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、
１３ｄ内にそれぞれ収納された高周波回路は、導体リボ
ンやワイヤ等で接続される。このとき、受信系の導波管
端子２に接続される電力分配器３２から第4〜第7の増幅
器27d〜27gまでの接続線路の長さが概ね均等となるよう
に、第３のキャビティ１３ｂに対して、第4〜第7の増幅
器27d〜27g及び第３のキャビティ１３ｃ、１３ｄを概ね
対称な位置に配置することにより、各第4〜第7の増幅器
27d〜27gをＯＮ／ＯＦＦ動作させて各増幅器２７ｄ〜２
７ｇに対応する受信チャンネルを切換え動作させた場
合、各受信チャンネルの受信信号レベルを一様にするこ
とができる。
第9及び第10の増幅器27i、27j、第2の基本波ミクサ33b
を除く高周波回路（図中の破線内の回路）を高周波モジ
ュール内に実装し、レーダを構成する。これは、第2の
発振器26b、第9及び第10の増幅器27i、27j、第2の基本
波ミクサ33bが中間周波数帯或いは低周波数帯で動作す
る回路であり、回路規模が大きいため、高周波モジュー
ル内に実装した場合、高周波モジュールが大型化するた
めである。この高周波モジュール内への実装は図１（或
いは図３、図４）において次のように行う。送信系の高
周波回路である２６a、２７a、２７ｂ、２８、２９、３
０は、第２のキャビティ１３a内に収納され、受信系の
高周波回路である３１、２７ｃ、２７ｈ、３２、３３a
は第２のキャビティ１３ｂ内に収納され、２７ｄ、２７
ｅは第2のキャビティ１３ｃ内に収納され、２７ｆ、２
７ｇは第2のキャビティ１３ｄ内に収納されており、第
２のキャビティ１３ａと１３ｂ間、第２のキャビティ１
３ｂと１３ｃ、１３ｄ間は、ＲＦ線路２０で接続され
る。また、第２のキャビティ１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、
１３ｄ内にそれぞれ収納された高周波回路は、導体リボ
ンやワイヤ等で接続される。このとき、受信系の導波管
端子２に接続される電力分配器３２から第4〜第7の増幅
器27d〜27gまでの接続線路の長さが概ね均等となるよう
に、第３のキャビティ１３ｂに対して、第4〜第7の増幅
器27d〜27g及び第３のキャビティ１３ｃ、１３ｄを概ね
対称な位置に配置することにより、各第4〜第7の増幅器
27d〜27gをＯＮ／ＯＦＦ動作させて各増幅器２７ｄ〜２
７ｇに対応する受信チャンネルを切換え動作させた場
合、各受信チャンネルの受信信号レベルを一様にするこ
とができる。
【００５３】このように、高周波モジュール内に上記の
高周波回路を実装することにより、複数の受信アンテナ
を切り替えて使用するFM-CWレーダを小型、低価格、高
性能に実現することが可能となる。また、受信系と送信
系を異なる場所に離間して配置されたキャビティに各々
配置することにより、受信系と送信系の干渉を抑圧する
ことが可能となる。さらに、受信系の各低雑音増幅器を
電力合成器から対称な位置に配置するように、キャビテ
ィを設けることにより、各受信チャンネルの受信信号レ
ベルが一様となって、この高周波モジュールをレーダ装
置に適用した場合に方位の探知精度が向上する。
高周波回路を実装することにより、複数の受信アンテナ
を切り替えて使用するFM-CWレーダを小型、低価格、高
性能に実現することが可能となる。また、受信系と送信
系を異なる場所に離間して配置されたキャビティに各々
配置することにより、受信系と送信系の干渉を抑圧する
ことが可能となる。さらに、受信系の各低雑音増幅器を
電力合成器から対称な位置に配置するように、キャビテ
ィを設けることにより、各受信チャンネルの受信信号レ
ベルが一様となって、この高周波モジュールをレーダ装
置に適用した場合に方位の探知精度が向上する。
【００５４】実施の形態９．図10は、この発明の実施の
形態9を示す高周波モジュールに内蔵する高周波回路の
ブロック図であり、図において、2は導波管端子、26は
発振器、27a〜27dは第1〜第4の増幅器、28は電力分配
器、29は逓倍器、30はフィルタ、31は逆極性のダイオー
ドを並列接続したアンチパラレルダイオードペアを内蔵
した偶高調波ミクサ、34は受信信号を得る複数の導波管
端子2に対応した数だけチャンネルを有するスイッチ
（図中ではＳＰＮＴと記載）である。なお、第１〜第４
の増幅器27a〜27dの符号は、実施の形態８と同一符号の
ものに対応させてなく、その機能は必ずしも同じではな
い。
形態9を示す高周波モジュールに内蔵する高周波回路の
ブロック図であり、図において、2は導波管端子、26は
発振器、27a〜27dは第1〜第4の増幅器、28は電力分配
器、29は逓倍器、30はフィルタ、31は逆極性のダイオー
ドを並列接続したアンチパラレルダイオードペアを内蔵
した偶高調波ミクサ、34は受信信号を得る複数の導波管
端子2に対応した数だけチャンネルを有するスイッチ
（図中ではＳＰＮＴと記載）である。なお、第１〜第４
の増幅器27a〜27dの符号は、実施の形態８と同一符号の
ものに対応させてなく、その機能は必ずしも同じではな
い。
【００５５】次に、動作について説明する。この実施の
形態は、特に前方目標の距離及び相対速度を得るFM-CW
レーダを構成するための高周波回路を高周波モジュール
内に実装したものである。以下に各高周波回路の動作を
示す。図において、発振器26は高周波変調信号を出力
し、第1の増幅器27aはこの出力を電力増幅する。電力分
配器28は、第1の増幅器27aの出力を2方向に電力分配す
る。逓倍器29は、この電力分配器28の一方の出力を受
け、その周波数を2逓倍し、出力する。第2の増幅器27b
は、逓倍器29の出力を電力増幅し、導波管端子2に向け
て送信信号を出力する。導波管端子2は、フィードスル
ー14、マイクロストリップ線路−導波管変換器16、或い
は誘電体基板の表裏で信号を伝達するマイクロストリッ
プ線路−導波管変換器21等（図中では省略）を介して送
信信号を受けて、導波管モードで出力する。フィルタ30
は、電力分配器28の他方の出力の不要波成分を抑圧す
る。スイッチ34は、接続される導波管端子2の数だけチ
ャンネルを有し、導波管端子2が接続される受信アンテ
ナ（図中では省略）から得られる受信信号のうち、所望
のチャンネルのみの信号を通過させる。第3の増幅器27c
はスイッチ34の出力を低雑音増幅する。スイッチ３４は
バイアス・制御信号用ボンディングパッド１７を介して
外部から入力される制御信号によって接続する導波管端
子を適宜選択する。偶高調波ミクサ31は、フィルタ30の
出力の2倍周波数と第3の増幅器27cの出力周波数の和及
び差の周波数を有するビデオ信号を出力する。第4の増
幅器27dはこのビデオ信号を電力増幅する。
形態は、特に前方目標の距離及び相対速度を得るFM-CW
レーダを構成するための高周波回路を高周波モジュール
内に実装したものである。以下に各高周波回路の動作を
示す。図において、発振器26は高周波変調信号を出力
し、第1の増幅器27aはこの出力を電力増幅する。電力分
配器28は、第1の増幅器27aの出力を2方向に電力分配す
る。逓倍器29は、この電力分配器28の一方の出力を受
け、その周波数を2逓倍し、出力する。第2の増幅器27b
は、逓倍器29の出力を電力増幅し、導波管端子2に向け
て送信信号を出力する。導波管端子2は、フィードスル
ー14、マイクロストリップ線路−導波管変換器16、或い
は誘電体基板の表裏で信号を伝達するマイクロストリッ
プ線路−導波管変換器21等（図中では省略）を介して送
信信号を受けて、導波管モードで出力する。フィルタ30
は、電力分配器28の他方の出力の不要波成分を抑圧す
る。スイッチ34は、接続される導波管端子2の数だけチ
ャンネルを有し、導波管端子2が接続される受信アンテ
ナ（図中では省略）から得られる受信信号のうち、所望
のチャンネルのみの信号を通過させる。第3の増幅器27c
はスイッチ34の出力を低雑音増幅する。スイッチ３４は
バイアス・制御信号用ボンディングパッド１７を介して
外部から入力される制御信号によって接続する導波管端
子を適宜選択する。偶高調波ミクサ31は、フィルタ30の
出力の2倍周波数と第3の増幅器27cの出力周波数の和及
び差の周波数を有するビデオ信号を出力する。第4の増
幅器27dはこのビデオ信号を電力増幅する。
【００５６】上記の高周波回路の内、第4の増幅器27dを
除く高周波回路（図中の破線内の回路）を高周波モジュ
ール内に実装し、レーダを構成する。これは、第4の増
幅器27dが低周波数帯で動作する回路であり、回路規模
が大きいため、高周波モジュール内に実装した場合、高
周波モジュールが大型化するためである。また、実施の
形態９と同様、受信系の高周波回路、送信系の高周波回
路は、それぞれ異なる場所に離間して配置されたキャビ
ティに各々配置される。さらに、増幅器２７ｃから受信
系の導波管端子２までの距離が概ね等しくなるように、
受信系の各導波管端子２とスイッチ３４４との距離が概
ね等しくなるようにＲＦ線路が配置される。
除く高周波回路（図中の破線内の回路）を高周波モジュ
ール内に実装し、レーダを構成する。これは、第4の増
幅器27dが低周波数帯で動作する回路であり、回路規模
が大きいため、高周波モジュール内に実装した場合、高
周波モジュールが大型化するためである。また、実施の
形態９と同様、受信系の高周波回路、送信系の高周波回
路は、それぞれ異なる場所に離間して配置されたキャビ
ティに各々配置される。さらに、増幅器２７ｃから受信
系の導波管端子２までの距離が概ね等しくなるように、
受信系の各導波管端子２とスイッチ３４４との距離が概
ね等しくなるようにＲＦ線路が配置される。
【００５７】このように、高周波モジュール内に上記の
高周波回路を実装することにより、複数の受信アンテナ
を切り替えて使用するFM-CWレーダを小型、低価格、高
性能に実現することが可能となる。
高周波回路を実装することにより、複数の受信アンテナ
を切り替えて使用するFM-CWレーダを小型、低価格、高
性能に実現することが可能となる。
【００５８】実施の形態10．図11は、この発明の実施の
形態10を示す高周波モジュールに内蔵する高周波回路の
ブロック図であり、図において、2は導波管端子、26a、
26bは第1、第2の発振器、27a〜27fは第1〜第6の増幅
器、28は電力分配器、29は逓倍器、30はフィルタ、31は
逆極性のダイオードを並列接続したアンチパラレルダイ
オードペアを内蔵した偶高調波ミクサ、33a、33bは第
1、第2の基本波ミクサ、34は受信信号を得る複数の導波
管端子2に対応した数だけチャンネルを有するスイッチ
（図中ではＳＰＮＴと記載）である。なお、第１〜第６
の増幅器27a〜27ｆの符号は、実施の形態８と同一符号
のものに対応させてなく、その機能は必ずしも同じでは
ない。
形態10を示す高周波モジュールに内蔵する高周波回路の
ブロック図であり、図において、2は導波管端子、26a、
26bは第1、第2の発振器、27a〜27fは第1〜第6の増幅
器、28は電力分配器、29は逓倍器、30はフィルタ、31は
逆極性のダイオードを並列接続したアンチパラレルダイ
オードペアを内蔵した偶高調波ミクサ、33a、33bは第
1、第2の基本波ミクサ、34は受信信号を得る複数の導波
管端子2に対応した数だけチャンネルを有するスイッチ
（図中ではＳＰＮＴと記載）である。なお、第１〜第６
の増幅器27a〜27ｆの符号は、実施の形態８と同一符号
のものに対応させてなく、その機能は必ずしも同じでは
ない。
【００５９】次に、動作について説明する。本発明は、
前方目標の距離及び相対速度を得るFM-CWレーダを構成
するための高周波回路を高周波モジュール内に実装した
ものである。以下に各高周波回路の動作を示す。図にお
いて、第1の発振器26aは高周波変調信号を出力し、第1
の増幅器27aはこの出力を電力増幅する。電力分配器28
は、第1の増幅器27aの出力を2方向に電力分配する。逓
倍器29は、この電力分配器28の一方の出力を受け、その
周波数を2逓倍し、出力する。第2の増幅器27bは、逓倍
器29の出力を電力増幅し、導波管端子2に向けて送信信
号を出力する。導波管端子2は、フィードスルー14、マ
イクロストリップ線路−導波管変換器16、或いは誘電体
基板の表裏で信号を伝達するマイクロストリップ線路−
導波管変換器21等（図中では省略）を介して送信信号を
受けて、導波管モードで出力する。フィルタ30は電力分
配器28の他方の出力の不要波成分を抑圧する。第2の発
振器26bは、中間周波信号を2方向に出力する。偶高調波
ミクサ31は、フィルタ30の出力の2倍周波数と第2の発振
器26bの一方の出力の周波数の和及び差の周波数を有す
る信号を出力する。第3の増幅器27cは、偶高調波ミクサ
31の出力を電力増幅する。スイッチ34は、接続される導
波管端子2の数だけチャンネルを有し、導波管端子2が接
続される受信アンテナ（図中では省略）から得られる受
信信号のうち、所望のチャンネルのみの信号を通過させ
る。スイッチ３４はバイアス・制御信号用ボンディング
パッド１７を介して外部から入力される制御信号によっ
て接続する導波管端子を適宜選択する。第4の増幅器27d
はスイッチ34の出力を低雑音増幅する。第1の基本波ミ
クサ33aは、第4の増幅器27d及び第3の増幅器27cの出力
を受けて周波数変換し、両者の周波数の和及び差の周波
数を有するIF信号を出力する。第5の増幅器27eは、この
IF信号を電力増幅する。第2の基本波ミクサ33bは、第2
の発振器26bの他方の出力と第5の増幅器27eの出力を受
けて周波数変換し、両者の周波数の和及び差の周波数を
有するビデオ信号を出力する。第6の増幅器27fは、この
ビデオ信号を電力増幅する。
前方目標の距離及び相対速度を得るFM-CWレーダを構成
するための高周波回路を高周波モジュール内に実装した
ものである。以下に各高周波回路の動作を示す。図にお
いて、第1の発振器26aは高周波変調信号を出力し、第1
の増幅器27aはこの出力を電力増幅する。電力分配器28
は、第1の増幅器27aの出力を2方向に電力分配する。逓
倍器29は、この電力分配器28の一方の出力を受け、その
周波数を2逓倍し、出力する。第2の増幅器27bは、逓倍
器29の出力を電力増幅し、導波管端子2に向けて送信信
号を出力する。導波管端子2は、フィードスルー14、マ
イクロストリップ線路−導波管変換器16、或いは誘電体
基板の表裏で信号を伝達するマイクロストリップ線路−
導波管変換器21等（図中では省略）を介して送信信号を
受けて、導波管モードで出力する。フィルタ30は電力分
配器28の他方の出力の不要波成分を抑圧する。第2の発
振器26bは、中間周波信号を2方向に出力する。偶高調波
ミクサ31は、フィルタ30の出力の2倍周波数と第2の発振
器26bの一方の出力の周波数の和及び差の周波数を有す
る信号を出力する。第3の増幅器27cは、偶高調波ミクサ
31の出力を電力増幅する。スイッチ34は、接続される導
波管端子2の数だけチャンネルを有し、導波管端子2が接
続される受信アンテナ（図中では省略）から得られる受
信信号のうち、所望のチャンネルのみの信号を通過させ
る。スイッチ３４はバイアス・制御信号用ボンディング
パッド１７を介して外部から入力される制御信号によっ
て接続する導波管端子を適宜選択する。第4の増幅器27d
はスイッチ34の出力を低雑音増幅する。第1の基本波ミ
クサ33aは、第4の増幅器27d及び第3の増幅器27cの出力
を受けて周波数変換し、両者の周波数の和及び差の周波
数を有するIF信号を出力する。第5の増幅器27eは、この
IF信号を電力増幅する。第2の基本波ミクサ33bは、第2
の発振器26bの他方の出力と第5の増幅器27eの出力を受
けて周波数変換し、両者の周波数の和及び差の周波数を
有するビデオ信号を出力する。第6の増幅器27fは、この
ビデオ信号を電力増幅する。
【００６０】上記の高周波回路の内、第2の発振器26b、
第5及び第6の増幅器27e、27f、第2の基本波ミクサ33bを
除く高周波回路（図中の破線内の回路）を高周波モジュ
ール内に実装し、レーダを構成する。これは、第2の発
振器26b、第5及び第6の増幅器27e、27f、第2の基本波ミ
クサ33bが中間周波数帯或いは低周波数帯で動作する回
路であり、回路規模が大きいため、高周波モジュール内
に実装した場合、高周波モジュールが大型化するためで
ある。
第5及び第6の増幅器27e、27f、第2の基本波ミクサ33bを
除く高周波回路（図中の破線内の回路）を高周波モジュ
ール内に実装し、レーダを構成する。これは、第2の発
振器26b、第5及び第6の増幅器27e、27f、第2の基本波ミ
クサ33bが中間周波数帯或いは低周波数帯で動作する回
路であり、回路規模が大きいため、高周波モジュール内
に実装した場合、高周波モジュールが大型化するためで
ある。
【００６１】このように、高周波モジュール内に上記の
高周波回路を実装することにより、複数の受信アンテナ
を切り替えて使用するFM-CWレーダを小型、低価格、高
性能に実現することが可能となる。
高周波回路を実装することにより、複数の受信アンテナ
を切り替えて使用するFM-CWレーダを小型、低価格、高
性能に実現することが可能となる。
【００６２】実施の形態１１．図12は、この発明の実施
の形態11を示す高周波モジュールに内蔵する高周波回路
のブロック図であり、図において、2は導波管端子、26
は発振器、27a〜27eは第1〜第5の増幅器、28は電力分配
器、29は逓倍器、30はフィルタ、31は逆極性のダイオー
ドを並列接続したアンチパラレルダイオードペアを内蔵
した偶高調波ミクサ、34は受信信号を得る複数の導波管
端子2に対応した数だけチャンネルを有するスイッチ
（図中ではＳＰＮＴと記載）、35はN逓倍器である。な
お、第１〜第５の増幅器27a〜27ｅの符号は、実施の形
態８と同一符号のものに対応させてなく、その機能は必
ずしも同じではない。
の形態11を示す高周波モジュールに内蔵する高周波回路
のブロック図であり、図において、2は導波管端子、26
は発振器、27a〜27eは第1〜第5の増幅器、28は電力分配
器、29は逓倍器、30はフィルタ、31は逆極性のダイオー
ドを並列接続したアンチパラレルダイオードペアを内蔵
した偶高調波ミクサ、34は受信信号を得る複数の導波管
端子2に対応した数だけチャンネルを有するスイッチ
（図中ではＳＰＮＴと記載）、35はN逓倍器である。な
お、第１〜第５の増幅器27a〜27ｅの符号は、実施の形
態８と同一符号のものに対応させてなく、その機能は必
ずしも同じではない。
【００６３】次に、動作について説明する。本発明は、
前方目標の距離及び相対速度を得るFM-CWレーダを構成
するための高周波回路を高周波モジュール内に実装した
ものである。以下に各高周波回路の動作を示す。図にお
いて、発振器26は高周波変調信号を出力し、第1の増幅
器27aはこの出力を電力増幅する。N逓倍器35は第1の増
幅器27aの出力周波数をN逓倍（Nは2以上の整数）し、第
2の増幅器27bはこの出力を電力増幅する。電力分配器28
は、第2の増幅器27bの出力を2方向に電力分配する。逓
倍器29は、この電力分配器28の一方の出力を受け、その
周波数を2逓倍し、出力する。第3の増幅器27cは、逓倍
器29の出力を電力増幅し、導波管端子2に向けて送信信
号を出力する。導波管端子2は、フィードスルー14、マ
イクロストリップ線路−導波管変換器16、或いは誘電体
基板の表裏で信号を伝達するマイクロストリップ線路−
導波管変換器21等（図中では省略）を介して送信信号を
受けて、導波管モードで出力する。フィルタ30は、電力
分配器28の他方の出力の不要波成分を抑圧する。スイッ
チ34は、接続される導波管端子2の数だけチャンネルを
有し、導波管端子2が接続される受信アンテナ（図中で
は省略）から得られる受信信号のうち、所望のチャンネ
ルのみの信号を通過させる。スイッチ３４はバイアス・
制御信号用ボンディングパッド１７を介して外部から入
力される制御信号によって接続する導波管端子を適宜選
択する。第4の増幅器27dはスイッチ34の出力を低雑音増
幅する。偶高調波ミクサ31は、フィルタ30の出力の2倍
周波数と第3の増幅器27cの出力周波数の和及び差の周波
数を有するビデオ信号を出力する。第5の増幅器27eはこ
のビデオ信号を電力増幅する。
前方目標の距離及び相対速度を得るFM-CWレーダを構成
するための高周波回路を高周波モジュール内に実装した
ものである。以下に各高周波回路の動作を示す。図にお
いて、発振器26は高周波変調信号を出力し、第1の増幅
器27aはこの出力を電力増幅する。N逓倍器35は第1の増
幅器27aの出力周波数をN逓倍（Nは2以上の整数）し、第
2の増幅器27bはこの出力を電力増幅する。電力分配器28
は、第2の増幅器27bの出力を2方向に電力分配する。逓
倍器29は、この電力分配器28の一方の出力を受け、その
周波数を2逓倍し、出力する。第3の増幅器27cは、逓倍
器29の出力を電力増幅し、導波管端子2に向けて送信信
号を出力する。導波管端子2は、フィードスルー14、マ
イクロストリップ線路−導波管変換器16、或いは誘電体
基板の表裏で信号を伝達するマイクロストリップ線路−
導波管変換器21等（図中では省略）を介して送信信号を
受けて、導波管モードで出力する。フィルタ30は、電力
分配器28の他方の出力の不要波成分を抑圧する。スイッ
チ34は、接続される導波管端子2の数だけチャンネルを
有し、導波管端子2が接続される受信アンテナ（図中で
は省略）から得られる受信信号のうち、所望のチャンネ
ルのみの信号を通過させる。スイッチ３４はバイアス・
制御信号用ボンディングパッド１７を介して外部から入
力される制御信号によって接続する導波管端子を適宜選
択する。第4の増幅器27dはスイッチ34の出力を低雑音増
幅する。偶高調波ミクサ31は、フィルタ30の出力の2倍
周波数と第3の増幅器27cの出力周波数の和及び差の周波
数を有するビデオ信号を出力する。第5の増幅器27eはこ
のビデオ信号を電力増幅する。
【００６４】上記の高周波回路の内、第5の増幅器27eを
除く高周波回路（図中の破線内の回路）を高周波モジュ
ール内に実装し、レーダを構成する。これは、第5の増
幅器27eが低周波数帯で動作する回路であり、回路規模
が大きいため、高周波モジュール内に実装した場合、高
周波モジュールが大型化するためである。
除く高周波回路（図中の破線内の回路）を高周波モジュ
ール内に実装し、レーダを構成する。これは、第5の増
幅器27eが低周波数帯で動作する回路であり、回路規模
が大きいため、高周波モジュール内に実装した場合、高
周波モジュールが大型化するためである。
【００６５】このように、高周波モジュール内に上記の
高周波回路を実装することにより、複数の受信アンテナ
を切り替えて使用するFM-CWレーダを小型、低価格、高
性能に実現することが可能となる。
高周波回路を実装することにより、複数の受信アンテナ
を切り替えて使用するFM-CWレーダを小型、低価格、高
性能に実現することが可能となる。
【００６６】実施の形態１２．図13は、この発明の実施
の形態12を示す高周波モジュールに内蔵する高周波回路
のブロック図であり、図において、2は導波管端子、26
は発振器、27a〜27dは第1〜第4の増幅器、28は電力分配
器、29は逓倍器、30はフィルタ、31は逆極性のダイオー
ドを並列接続したアンチパラレルダイオードペアを内蔵
した偶高調波ミクサ、34は送信信号を出力する複数の導
波管端子2に対応した数だけチャンネルを有するスイッ
チ（図中ではＳＰＮＴと記載）である。なお、第１〜第
４の増幅器27a〜27ｄの符号は、実施の形態８と同一符
号のものに対応させてなく、その機能は必ずしも同じで
はない。
の形態12を示す高周波モジュールに内蔵する高周波回路
のブロック図であり、図において、2は導波管端子、26
は発振器、27a〜27dは第1〜第4の増幅器、28は電力分配
器、29は逓倍器、30はフィルタ、31は逆極性のダイオー
ドを並列接続したアンチパラレルダイオードペアを内蔵
した偶高調波ミクサ、34は送信信号を出力する複数の導
波管端子2に対応した数だけチャンネルを有するスイッ
チ（図中ではＳＰＮＴと記載）である。なお、第１〜第
４の増幅器27a〜27ｄの符号は、実施の形態８と同一符
号のものに対応させてなく、その機能は必ずしも同じで
はない。
【００６７】次に、動作について説明する。本発明は、
前方目標の距離及び相対速度を得るFM-CWレーダを構成
するための高周波回路を高周波モジュール内に実装した
ものである。以下に各高周波回路の動作を示す。図にお
いて、発振器26は高周波変調信号を出力し、第1の増幅
器27aはこの出力を電力増幅する。電力分配器28は、第1
の増幅器27aの出力を2方向に電力分配する。逓倍器29
は、この電力分配器28の一方の出力を受け、その周波数
を2逓倍し、出力する。第2の増幅器27bは、逓倍器29の
出力を電力増幅し、導波管端子2に向けて送信信号を出
力する。スイッチ34は、接続される導波管端子2の数だ
けチャンネルを有し、それぞれの導波管端子2に接続さ
れた送信アンテナ（図中では省略）のうち所望のアンテ
ナからのみ目標（図中では省略）に送信信号を照射する
ために、所望のチャンネルの導波管端子2にのみ、送信
信号を出力する。スイッチ３４はバイアス・制御信号用
ボンディングパッド１７を介して外部から入力される制
御信号によって接続する導波管端子を適宜選択する。導
波管端子2は、フィードスルー14、マイクロストリップ
線路−導波管変換器16、或いは誘電体基板の表裏で信号
を伝達するマイクロストリップ線路−導波管変換器21等
（図中では省略）を介して送信信号を受けて、導波管モ
ードで出力する。フィルタ30は、電力分配器28の他方の
出力の不要波成分を抑圧する。第3の増幅器27cは導波管
端子2から得られる受信信号を低雑音増幅する。偶高調
波ミクサ31は、フィルタ30の出力の2倍周波数と第3の増
幅器27cの出力周波数の和及び差の周波数を有するビデ
オ信号を出力する。第4の増幅器27dはこのビデオ信号を
電力増幅する。
前方目標の距離及び相対速度を得るFM-CWレーダを構成
するための高周波回路を高周波モジュール内に実装した
ものである。以下に各高周波回路の動作を示す。図にお
いて、発振器26は高周波変調信号を出力し、第1の増幅
器27aはこの出力を電力増幅する。電力分配器28は、第1
の増幅器27aの出力を2方向に電力分配する。逓倍器29
は、この電力分配器28の一方の出力を受け、その周波数
を2逓倍し、出力する。第2の増幅器27bは、逓倍器29の
出力を電力増幅し、導波管端子2に向けて送信信号を出
力する。スイッチ34は、接続される導波管端子2の数だ
けチャンネルを有し、それぞれの導波管端子2に接続さ
れた送信アンテナ（図中では省略）のうち所望のアンテ
ナからのみ目標（図中では省略）に送信信号を照射する
ために、所望のチャンネルの導波管端子2にのみ、送信
信号を出力する。スイッチ３４はバイアス・制御信号用
ボンディングパッド１７を介して外部から入力される制
御信号によって接続する導波管端子を適宜選択する。導
波管端子2は、フィードスルー14、マイクロストリップ
線路−導波管変換器16、或いは誘電体基板の表裏で信号
を伝達するマイクロストリップ線路−導波管変換器21等
（図中では省略）を介して送信信号を受けて、導波管モ
ードで出力する。フィルタ30は、電力分配器28の他方の
出力の不要波成分を抑圧する。第3の増幅器27cは導波管
端子2から得られる受信信号を低雑音増幅する。偶高調
波ミクサ31は、フィルタ30の出力の2倍周波数と第3の増
幅器27cの出力周波数の和及び差の周波数を有するビデ
オ信号を出力する。第4の増幅器27dはこのビデオ信号を
電力増幅する。
【００６８】上記の高周波回路の内、第4の増幅器27dを
除く高周波回路（図中の破線内の回路）を高周波モジュ
ール内に実装し、レーダを構成する。これは、第4の増
幅器27dが低周波数帯で動作する回路であり、回路規模
が大きいため、高周波モジュール内に実装した場合、高
周波モジュールが大型化するためである。
除く高周波回路（図中の破線内の回路）を高周波モジュ
ール内に実装し、レーダを構成する。これは、第4の増
幅器27dが低周波数帯で動作する回路であり、回路規模
が大きいため、高周波モジュール内に実装した場合、高
周波モジュールが大型化するためである。
【００６９】このように、高周波モジュール内に上記の
高周波回路を実装することにより、複数の送信アンテナ
を切り替えて使用するFM-CWレーダを小型、低価格、高
性能に実現することが可能となる。
高周波回路を実装することにより、複数の送信アンテナ
を切り替えて使用するFM-CWレーダを小型、低価格、高
性能に実現することが可能となる。
【００７０】
【発明の効果】第1から第１６の発明によれば、従来、
複数のパッケージにて構成していた高周波モジュールを
一体で構成でき、複数パッケージ間の接続線路が不要と
なるため、高周波モジュールの小型化、組立性の向上、
性能の向上、価格の低減等が可能となる。
複数のパッケージにて構成していた高周波モジュールを
一体で構成でき、複数パッケージ間の接続線路が不要と
なるため、高周波モジュールの小型化、組立性の向上、
性能の向上、価格の低減等が可能となる。
【００７１】また、第５、第６の発明によれば、フィー
ドスルーを不要とし、構成を簡略化できると共に、フィ
ードスルーによる信号損失も低減できるため、更なる特
性の改善が可能となる。
ドスルーを不要とし、構成を簡略化できると共に、フィ
ードスルーによる信号損失も低減できるため、更なる特
性の改善が可能となる。
【００７２】また、第７から第９の発明によれば、上記
第2の発明における第1、第２のキャビティを金属導体で
構成し、第１の接続線路を内含する溝を設けて空間を確
保したことにより、キャビティ間の高周波信号の結合を
より抑圧できるため、更なる特性の改善が可能となる。
第2の発明における第1、第２のキャビティを金属導体で
構成し、第１の接続線路を内含する溝を設けて空間を確
保したことにより、キャビティ間の高周波信号の結合を
より抑圧できるため、更なる特性の改善が可能となる。
【００７３】また、第１１の発明によれば、積層誘電体
基板の下面に金属製のキャリヤを設けたことにより、他
の装置、例えばアンテナ等との機械的固定方法に自由度
が増し、容易に固定できるため、設計に自由度が増し、
組立性も向上する。
基板の下面に金属製のキャリヤを設けたことにより、他
の装置、例えばアンテナ等との機械的固定方法に自由度
が増し、容易に固定できるため、設計に自由度が増し、
組立性も向上する。
【００７４】また、第１３の発明によれば、第１から第
4のいずれかのキャビティ周囲のメタライズを、GNDと導
通を有するホールにて構成したことにより、ＲＦ信号の
漏れを抑圧するメタライズを容易に得ることができる。
4のいずれかのキャビティ周囲のメタライズを、GNDと導
通を有するホールにて構成したことにより、ＲＦ信号の
漏れを抑圧するメタライズを容易に得ることができる。
【００７５】また、第１４の発明によれば、第1から第4
のいずれかのキャビティ周囲に埋設された半割状のスル
ーホールで構成したことにより、第１２の発明と比べて
ホールの間隔をより短くでき、さらにＲＦ信号の漏れを
抑圧することができる。
のいずれかのキャビティ周囲に埋設された半割状のスル
ーホールで構成したことにより、第１２の発明と比べて
ホールの間隔をより短くでき、さらにＲＦ信号の漏れを
抑圧することができる。
【００７６】また、第１７、１８、１９、２０、２２の
発明によれば、複数の受信アンテナを切り替えて使用す
るFM-CWレーダ等に適用した場合に、当該レーダを小
型、低価格、高性能に実現することが可能となる。
発明によれば、複数の受信アンテナを切り替えて使用す
るFM-CWレーダ等に適用した場合に、当該レーダを小
型、低価格、高性能に実現することが可能となる。
【００７７】また、第２１、２２の発明によれば、複数
の送信アンテナを切り替えて使用するFM-CWレーダ等に
適用した場合に、当該レーダを小型、低価格、高性能に
実現することが可能となる。
の送信アンテナを切り替えて使用するFM-CWレーダ等に
適用した場合に、当該レーダを小型、低価格、高性能に
実現することが可能となる。
【図1】 この発明による高周波モジュールの実施の形
態1の斜視図である。
態1の斜視図である。
【図2】 この発明による高周波モジュールの実施の形
態1の分解斜視図である。
態1の分解斜視図である。
【図3】 この発明による高周波モジュールの実施の形
態２の斜視図である。
態２の斜視図である。
【図4】 この発明による高周波モジュールの実施の形
態３の斜視図である。
態３の斜視図である。
【図5】 この発明による高周波モジュールの実施の形
態４の斜視図である。
態４の斜視図である。
【図6】 この発明による高周波モジュールの実施の形
態５のキャビティの斜視図である。
態５のキャビティの斜視図である。
【図7】 この発明による高周波モジュールの実施の形
態６のキャビティの斜視図である。
態６のキャビティの斜視図である。
【図8】 この発明による高周波モジュールの実施の形
態７のキャビティの斜視図である。
態７のキャビティの斜視図である。
【図9】 この発明による高周波モジュールの実施の形
態８に内蔵する高周波回路のブロック図である。
態８に内蔵する高周波回路のブロック図である。
【図10】 この発明による高周波モジュールの実施の形
態９に内蔵する高周波回路のブロック図である。
態９に内蔵する高周波回路のブロック図である。
【図11】 この発明による高周波モジュールの実施の形
態１０に内蔵する高周波回路のブロック図である。
態１０に内蔵する高周波回路のブロック図である。
【図12】 この発明による高周波モジュールの実施の形
態１１に内蔵する高周波回路のブロック図である。
態１１に内蔵する高周波回路のブロック図である。
【図13】 この発明による高周波モジュールの実施の形
態１２に内蔵する高周波回路のブロック図である。
態１２に内蔵する高周波回路のブロック図である。
【図14】 従来の高周波モジュールの斜視図である。
1 シャシ 2 導波管端子 3 パッケージ 4 接続線路 5 キャリヤ 6 誘電体基板 7 フィードスルー端子 8 シールリング 9 高周波回路 10 バイアス・制御信号用ピン 11 カバー 12 第1のキャビティ 13 第2のキャビティ 14 フィードスルー 15 バイアス・制御信号用パッド 16 マイクロストリップ線路−導波管変換器 17 バイアス・制御信号用ボンディングパッド 18 バイアス・制御信号用スルーホール 19 バイアス・制御信号用配線 20 ＲＦ線路 21 誘電体基板の表裏で信号を伝達するマイクロストリ
ップ線路−導波管変換器 22 GND導通用スルーホール 23 ネジ固定穴 24 縦に半割したGND導通用スルーホール 25 キャビティ側面に配置した金属導体パターン 26 発振器 26a 第1の発振器 26b 第2の発振器 27a 第1の増幅器 27b 第2の増幅器 27c 第3の増幅器 27d 第4の増幅器 27e 第5の増幅器 27f 第6の増幅器 27g 第7の増幅器 27h 第8の増幅器 27i 第9の増幅器 27j 第10の増幅器 28 電力分配器 29 逓倍器 30 フィルタ 31 偶高調波ミクサ 32 電力合成器 33a 第1の基本波ミクサ 33b 第2の基本波ミクサ 34 スイッチ（ＳＰＮＴ） 35 N逓倍器
ップ線路−導波管変換器 22 GND導通用スルーホール 23 ネジ固定穴 24 縦に半割したGND導通用スルーホール 25 キャビティ側面に配置した金属導体パターン 26 発振器 26a 第1の発振器 26b 第2の発振器 27a 第1の増幅器 27b 第2の増幅器 27c 第3の増幅器 27d 第4の増幅器 27e 第5の増幅器 27f 第6の増幅器 27g 第7の増幅器 27h 第8の増幅器 27i 第9の増幅器 27j 第10の増幅器 28 電力分配器 29 逓倍器 30 フィルタ 31 偶高調波ミクサ 32 電力合成器 33a 第1の基本波ミクサ 33b 第2の基本波ミクサ 34 スイッチ（ＳＰＮＴ） 35 N逓倍器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松尾 浩一 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 甲斐 広 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内
Claims (22)
- 【請求項１】 第1、第２の導波路の設けられた第１の
誘電体基板と、互いに離間して配置された第１、第２の
キャビティ、及び上記第１、第２の導波路が設けられ、
上記第1の誘電体基板に積層された第２の誘電体基板
と、上記第１のキャビティを内側に配する第３のキャビ
ティ、及び上記第２のキャビティを内側に配し上記第３
のキャビティと離間して配置されるとともに上記第３の
キャビティに連通する溝を有した第４のキャビティを有
し、当該第３、第４のキャビティの外側に上記第１、第
２の導波路がそれぞれ設けられ、上記第２の誘電体基板
に積層された第3の誘電体基板と、上記第３、第4のキャ
ビティを塞ぐように設けられる金属導体と、上記第１の
キャビティ内に配設された複数の第１の高周波回路と、
上記第２のキャビティ内に配設された複数の第２の高周
波回路と、上記連通溝内に設けられ上記第１、第２の高
周波回路間を接続する第1の接続線路と、上記第１、第
２の高周波回路と上記第１、第２の導波路をそれぞれ接
続する第２、第３の接続線路とを備えた高周波モジュー
ル。 - 【請求項２】 上記第１または第２の導波路は、上記第
３または第４のキャビティ周囲に配置された少なくとも
２以上の導波路から成り、当該導波路は、上記第１のキ
ャビティに対して互いに対称な位置に配置されることを
特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。 - 【請求項３】 上記第１、第２の高周波回路は、それぞ
れ受信系の回路、送信系の回路から成ることを特徴とす
る請求項１記載の高周波モジュール。 - 【請求項４】 上記第２、第３の接続線路は、上記第２
の誘電体基板と第３の誘電体基板間に内層され、フィー
ドスルーを有することを特徴とした請求項１記載の高周
波モジュール。 - 【請求項５】 上記第２、第３の接続線路は、接続線路
を伝送されるＲＦ信号と導波管を伝送されるＲＦ信号と
の間の信号伝送を上記第２の誘電体基板の表裏で行うこ
とを特徴とした請求項１記載の高周波モジュール。 - 【請求項６】 上記第２、第３の接続線路は、上記第3
の誘電体基板に形成された溝内に配置され、上記第１、
第2の誘電体基板に設けられスルーホールで形成された
導波路に結合されることを特徴とする請求項１もしくは
請求項４に記載の高周波モジュール。 - 【請求項７】 第1、第２の導波路の設けられた第１の
誘電体基板と、互いに離間して配置された第１、第２の
キャビティ、及び上記第１、第２の導波路が設けられ、
上記第1の誘電体基板に積層された第２の誘電体基板
と、上記第１のキャビティを内側に配する第３のキャビ
ティ、及び上記第２のキャビティを内側に配し、上記第
３のキャビティと離間して配置されるとともに上記第３
のキャビティに連通する溝を有した第４のキャビティを
有し、当該第３、第４のキャビティの外側に上記第１、
第２の導波路がそれぞれ設けられ、上記第２の誘電体基
板に接合された金属導体と、上記第１のキャビティ内に
配設された複数の第１の高周波回路と、上記第２のキャ
ビティ内に配設された複数の第２の高周波回路と、上記
連通溝内に設けられ上記第1、第2の高周波回路間を接続
する第1の接続線路と、上記第１、第２の高周波回路と
上記第１、第２の導波路をそれぞれ接続する第２、第３
の接続線路とを備えた高周波モジュール。 - 【請求項８】 上記金属導体は、上記第２の誘電体との
接合面側に上記連通溝を成す窪みが設けられ、上記第２
の誘電体基板は、上記金属導体が上記連通溝に沿った上
記第２の誘電体基板と面する位置に、ＧＮＤと導通を有
する複数のホールが配列されたことを特徴とする請求項
７記載の高周波モジュール。 - 【請求項９】 上記金属導体は、上記第１の接続線路を
内含するトンネル様の溝が設けられ、当該溝は所望の周
波数における導波管のカットオフ寸法を与えられたこと
を特徴とする請求項７記載の高周波モジュール。 - 【請求項１０】 上記第1の誘電体基板は、バイアス信
号或いはＩＦ信号を伝送する伝送線路が設けられ、上記
第1の高周波回路は、上記第１のキャビティ内に配設さ
れ、上記第１または第2の誘電体基板に設けられたスル
ーホールにて上記伝送線路に接続され、上記第2の高周
波回路は、上記第２のキャビティ内に配設され、上記第
１または第2の誘電体基板に設けられたスルーホールに
て上記伝送線路に接続されることを特徴とする請求項１
から９のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 【請求項１１】 上記高周波モジュールは下面に、外部
機器と結合される結合部を有した金属製のキャリアが設
けられたことを特徴とする請求項１から９のいずれかに
記載の高周波モジュール。 - 【請求項１２】 上記第1から第４のキャビティは、キ
ャビティ周縁部の一部或いは全部及び下面の一部に金属
導体が設けられたことを特徴とする請求項１から９のい
ずれかに記載の高周波モジュール。 - 【請求項１３】 上記第1から第４のいずれかのキャビ
ティは、キャビティ周縁部の近傍にキャビティを囲むよ
うにＧＮＤと導通を有する複数のホールが設けられたこ
とを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の高周
波モジュール。 - 【請求項１４】 上記第1から第４のいずれかのキャビ
ティは、キャビティ周縁にＧＮＤと導通を有する複数の
ホールが設けられたことを特徴とする請求項１から９の
いずれかに記載の高周波モジュール。 - 【請求項１５】 上記ホールは、キャビティ周縁に埋設
された半割状のスルーホールを有したことを特徴とする
請求項１４記載の高周波モジュール。 - 【請求項１６】 上記第1から第４のいずれかのキャビ
ティは、キャビティ周縁における上記接続線路の近傍か
ら外れた位置がメタライズされたことを特徴とする請求
項１から９のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 【請求項１７】 高周波変調信号を出力する第1の発振
器と、上記第1の発振器の出力を電力分配する電力分配
器と、上記電力分配器の一方の出力の周波数を2逓倍し
て送信信号を出力する逓倍器と、中間周波数信号を2方
向に出力する第2の発振器と、上記電力分配器の他方の
出力の2倍周波数と上記第2の発振器の出力周波数との和
及び差の周波数を有する信号を出力する偶高調波ミクサ
と、複数存在する導波路に対応して複数配置され各導波
路から得られる受信信号を低雑音増幅する増幅器と、上
記増幅器の出力を電力合成する電力合成器と、上記電力
合成器の出力と上記偶高調波ミクサの出力を受けて周波
数変換しIF信号を出力する第1の基本波ミクサと、上記
第1の基本波ミクサから出力されるIF信号と上記第2の発
振器の他方の出力を受けて周波数変換しビデオ信号を出
力する第2の基本波ミクサとを具備し、上記第1の発振
器、電力分配器、逓倍器、偶高調波ミクサ、増幅器、及
び第1の基本波ミクサを上記高周波モジュールにおける
上記第１、第２のキャビティ内に載置したことを特徴と
する請求項1から１６のいずれかに記載の高周波モジュ
ール。 - 【請求項１８】 高周波変調信号を出力する発振器と、
上記発振器の出力を電力分配する電力分配器と、上記電
力分配器の一方の出力の周波数を2逓倍して送信信号を
出力する逓倍器と、受信信号を得る複数の導波路に対応
した数のチャンネルを有し、当該導波路を選択可能なス
イッチと、上記電力分配器の他方の出力の2倍周波数と
上記スイッチの出力周波数の差及び和の周波数を有する
ビデオ信号を出力する偶高調波ミクサとを具備し、上記
発振器、電力分配器、逓倍器、スイッチ、及び偶高調波
ミクサを上記高周波モジュールにおける上記第１、第２
のキャビティ内に載置したことを特徴とする請求項1か
ら１６のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 【請求項１９】 高周波変調信号を出力する第1の発振
器と、上記第1の発振器の出力を電力分配する電力分配
器と、上記電力分配器の一方の出力の周波数を2逓倍し
て送信信号を出力する逓倍器と、中間周波数信号を2方
向に出力する第2の発振器と、上記電力分配器の他方の
出力の2倍周波数と上記第2の発振器の出力周波数との和
及び差の周波数を有する信号を出力する偶高調波ミクサ
と、受信信号を得る複数の導波路に対応した数だけチャ
ンネルを有し、当該導波路を選択可能なスイッチと、上
記スイッチの出力と上記偶高調波ミクサの出力を受けて
周波数変換しIF信号を出力する第1の基本波ミクサと、
上記基本波ミクサから出力されるIF信号と上記第2の発
振器の他方の出力を受けて周波数変換しビデオ信号を出
力する第2の基本波ミクサとを具備し、上記第1の発振
器、電力分配器、逓倍器、偶高調波ミクサ、スイッチ、
及び第1の基本波ミクサを上記高周波モジュールにおけ
る上記第１、第２のキャビティ内に載置したことを特徴
とする請求項1から１６のいずれかに記載の高周波モジ
ュール。 - 【請求項２０】 高周波変調信号を出力する発振器と、
上記発振器の出力周波数をN倍（Nは2以上の整数）するN
逓倍器と、上記N逓倍器の出力を電力分配する電力分配
器と、上記電力分配器の一方の出力の周波数を2逓倍し
て送信信号を出力する逓倍器と、受信信号を得る複数の
導波路に対応した数だけチャンネルを有し、当該導波路
を選択可能なスイッチと、上記電力分配器の他方の出力
の2倍周波数と上記スイッチを通して得る受信信号の周
波数の差及び和の周波数を有するビデオ信号を出力する
偶高調波ミクサとを具備し、上記発振器、電力分配器、
逓倍器、Ｎ逓倍器、スイッチ、及び偶高調波ミクサを上
記高周波モジュールにおける上記第１、第２のキャビテ
ィ内に載置したことことを特徴とする請求項1から１６
のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 【請求項２１】 高周波変調信号を出力する発振器と、
上記発振器の出力を電力分配する電力分配器と、上記電
力分配器の一方の出力の周波数を2逓倍して送信信号を
出力する逓倍器と、送信信号を出力する複数の導波路に
対応した数だけチャンネルを有し、当該導波路を選択し
送信信号を導くことの可能なスイッチと、上記電力分配
器の他方の出力の2倍周波数と上記導波路とは異なる導
波路から得られた受信信号の周波数の差及び和の周波数
を有するビデオ信号を出力する偶高調波ミクサとを具備
し、上記発振器、電力分配器、逓倍器、スイッチ、及び
偶高調波ミクサを上記高周波モジュールにおける上記第
１、第２のキャビティ内に載置したことを特徴とする請
求項1から１６のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 【請求項２２】 上記偶高調波ミクサは、逆極性の2
つのダイオードを並列接続したアンチパラレルダイオー
ドペアを内蔵したことを特徴とする請求項１７から２１
に記載の高周波モジュール。
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