JP2002069625A - スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲットの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 長時間かつエネルギー高負荷的な従来の圧延
工程を要せずして、大型でかつ良好な均一微細組織を有
するスパッタリングターゲットを製造するための効率的
な方法を提供すること。 【解決手段】 本発明によるスパッタリングターゲット
の製造方法は、スパッタリングターゲット原料を溶解、
鋳造することによって鋳造インゴットを形成し、該イン
ゴット形成物の押し湯部分を除去したのち、得られた鋳
造インゴットに対してホットプレスを行うことによって
所定形状に圧縮加工することを特徴とする。
工程を要せずして、大型でかつ良好な均一微細組織を有
するスパッタリングターゲットを製造するための効率的
な方法を提供すること。 【解決手段】 本発明によるスパッタリングターゲット
の製造方法は、スパッタリングターゲット原料を溶解、
鋳造することによって鋳造インゴットを形成し、該イン
ゴット形成物の押し湯部分を除去したのち、得られた鋳
造インゴットに対してホットプレスを行うことによって
所定形状に圧縮加工することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングに
よる薄膜形成に使用されるスパッタリングターゲットに
関し、特に長時間を要する圧延工程を要せずして、大型
でかつ良好な均一微細組織を有するスパッタリングター
ゲットを製造するための効率的な方法に関する。
よる薄膜形成に使用されるスパッタリングターゲットに
関し、特に長時間を要する圧延工程を要せずして、大型
でかつ良好な均一微細組織を有するスパッタリングター
ゲットを製造するための効率的な方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気記録媒体やＧＭＲ（Giant Ma
gnetoresistance）ヘッド材料用としてＰｔＭｎ系合
金、ＣｏＰｔ系合金およびＣｏＣｒＰｔ系合金などから
なるスパッタリングターゲットが使用されている。
gnetoresistance）ヘッド材料用としてＰｔＭｎ系合
金、ＣｏＰｔ系合金およびＣｏＣｒＰｔ系合金などから
なるスパッタリングターゲットが使用されている。
【０００３】また、ＭＲ（Magnetoresistance）ヘッ
ド、ＭＩＧ（Metal-In-Gap）ヘッド用のスパッタリング
ターゲット材として、ＣｏＺｒＮｂ系合金やＦｅＴａ系
合金が使用され、さらにハードディスクの磁性膜用スパ
ッタリングターゲット材として、ＣｏＣｒＰｔＴａＺｒ
系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金やＣｏＣｒＰｔＴａ系合
金などが使用されている。
ド、ＭＩＧ（Metal-In-Gap）ヘッド用のスパッタリング
ターゲット材として、ＣｏＺｒＮｂ系合金やＦｅＴａ系
合金が使用され、さらにハードディスクの磁性膜用スパ
ッタリングターゲット材として、ＣｏＣｒＰｔＴａＺｒ
系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金やＣｏＣｒＰｔＴａ系合
金などが使用されている。
【０００４】上記のような合金系スパッタリングターゲ
ットは、通常、スパッタリングターゲットを構成する構
成金属原料を真空中において溶解し、鋳造し、鋳造後、
得られた鋳造インゴットを圧延したのち、所定の機械加
工（たとえば、切削加工等）を行うことによって得られ
る。また、上記の鋳造工程における鋳型としては、アル
ミナやマグネシア製の容器が用いられ、溶湯を鋳型に注
入してこれを冷却することによってインゴットが形成さ
れている。
ットは、通常、スパッタリングターゲットを構成する構
成金属原料を真空中において溶解し、鋳造し、鋳造後、
得られた鋳造インゴットを圧延したのち、所定の機械加
工（たとえば、切削加工等）を行うことによって得られ
る。また、上記の鋳造工程における鋳型としては、アル
ミナやマグネシア製の容器が用いられ、溶湯を鋳型に注
入してこれを冷却することによってインゴットが形成さ
れている。
【０００５】しかしながら、上述したような従来の方法
においては、高Ｃｒや高Ｐｔや高Ｂの組成からなる比較
的高硬度で脆い材料の場合においては、圧延に予想以上
の時間がかかり、これがコスト上昇の要因となってい
る。たとえば、このような高硬度の鋳造インゴットを圧
延する場合、圧延条件としては、０．３〜０．７mm／パ
スで、通常１回の加熱に３０〜４０分の時間を要する。
したがって、たとえば、４０mmの厚さのインゴットを所
定の７mmの厚さにまで圧延を行うためには、約４０時間
かかることになる。また、高硬度で脆い材料の場合は、
加工率を大きくできないので、材料中に鋳造時の巣がそ
のまま残存したり、鋳造時の金属組織が部分的に残るた
め、結晶粒の均一微細化の点においても満足のいくもの
ではないという問題がある。特に、ＰｔＭｎ系材料にあ
っては、これを溶解法で製造する場合に形成物中に巣が
残り易く、歩留まりが低下したり、鋳造組織がそのまま
残存して均一性が劣るという問題もある。また、従来の
方法ではターゲットを大型化（たとえば２５０φ以上）
することは困難であり、歩留りの点で不利である。
においては、高Ｃｒや高Ｐｔや高Ｂの組成からなる比較
的高硬度で脆い材料の場合においては、圧延に予想以上
の時間がかかり、これがコスト上昇の要因となってい
る。たとえば、このような高硬度の鋳造インゴットを圧
延する場合、圧延条件としては、０．３〜０．７mm／パ
スで、通常１回の加熱に３０〜４０分の時間を要する。
したがって、たとえば、４０mmの厚さのインゴットを所
定の７mmの厚さにまで圧延を行うためには、約４０時間
かかることになる。また、高硬度で脆い材料の場合は、
加工率を大きくできないので、材料中に鋳造時の巣がそ
のまま残存したり、鋳造時の金属組織が部分的に残るた
め、結晶粒の均一微細化の点においても満足のいくもの
ではないという問題がある。特に、ＰｔＭｎ系材料にあ
っては、これを溶解法で製造する場合に形成物中に巣が
残り易く、歩留まりが低下したり、鋳造組織がそのまま
残存して均一性が劣るという問題もある。また、従来の
方法ではターゲットを大型化（たとえば２５０φ以上）
することは困難であり、歩留りの点で不利である。
【０００６】したがって、本発明は、長時間かつエネル
ギー高負荷的な従来の圧延工程を要せずして、大型でか
つ良好な均一微細組織を有するスパッタリングターゲッ
トを製造するための効率的な方法を提供することを目的
とする。
ギー高負荷的な従来の圧延工程を要せずして、大型でか
つ良好な均一微細組織を有するスパッタリングターゲッ
トを製造するための効率的な方法を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明によるスパッタリングターゲットの製造方
法は、スパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造する
ことによって鋳造インゴットを形成し、該インゴット形
成物の押し湯部分を除去したのち、得られた鋳造インゴ
ットに対してホットプレスを行うことによって所定形状
に圧縮加工することを特徴とする。
めに、本発明によるスパッタリングターゲットの製造方
法は、スパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造する
ことによって鋳造インゴットを形成し、該インゴット形
成物の押し湯部分を除去したのち、得られた鋳造インゴ
ットに対してホットプレスを行うことによって所定形状
に圧縮加工することを特徴とする。
【０００８】したがって、本発明の方法においては、本
質的に、追加的な圧延工程、特に初期段階の圧延工程を
実質的に含まない。
質的に、追加的な圧延工程、特に初期段階の圧延工程を
実質的に含まない。
【０００９】本発明の好ましい態様においては、スパッ
タリングターゲット原料を溶解、鋳造を、ＣａＯ製ルツ
ボ中において、好ましくはＴｉを添加して行う。
タリングターゲット原料を溶解、鋳造を、ＣａＯ製ルツ
ボ中において、好ましくはＴｉを添加して行う。
【００１０】さらに、本発明の好ましい態様において
は、上記ホットプレス工程を、非酸化性雰囲気中におい
て、前記鋳造インゴットを構成する合金材料の相変化点
を超える温度条件で行い、さらに好ましくは、温度１０
００〜１２００℃、圧力５０〜５００kg/cm2、加工率５
〜９０％の条件で行う。
は、上記ホットプレス工程を、非酸化性雰囲気中におい
て、前記鋳造インゴットを構成する合金材料の相変化点
を超える温度条件で行い、さらに好ましくは、温度１０
００〜１２００℃、圧力５０〜５００kg/cm2、加工率５
〜９０％の条件で行う。
【００１１】本発明の方法においては、ホットプレスの
後、さらに比較的短時間の圧延を行うこともでき、この
ような態様も本発明の範囲に含まれる。
後、さらに比較的短時間の圧延を行うこともでき、この
ような態様も本発明の範囲に含まれる。
【００１２】また、本発明によるスパッタリングターゲ
ットは、特に圧延加工が困難な金属ないし合金材料系か
らなる。具体的には、本発明は、ＰｔＭｎ系、ＣｏＺｒ
Ｎｂ系、ＦｅＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＺｒ系、ＣｏＣ
ｒＰｔＢ系、またはＣｏＣｒＰｔＴａ系合金からなるス
パッタリングターゲットに特に好適であるが、本発明
は、これらに限定されるものではない。
ットは、特に圧延加工が困難な金属ないし合金材料系か
らなる。具体的には、本発明は、ＰｔＭｎ系、ＣｏＺｒ
Ｎｂ系、ＦｅＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＺｒ系、ＣｏＣ
ｒＰｔＢ系、またはＣｏＣｒＰｔＴａ系合金からなるス
パッタリングターゲットに特に好適であるが、本発明
は、これらに限定されるものではない。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明によるスパッタリングター
ゲットの製造方法は、スパッタリングターゲット原料を
溶解、鋳造することによって鋳造インゴットを形成し、
該インゴット形成物の押し湯部分を除去したのち、得ら
れた鋳造インゴットに対してホットプレスを行うことに
よって所定形状に圧縮加工することを特徴とするもので
ある。
ゲットの製造方法は、スパッタリングターゲット原料を
溶解、鋳造することによって鋳造インゴットを形成し、
該インゴット形成物の押し湯部分を除去したのち、得ら
れた鋳造インゴットに対してホットプレスを行うことに
よって所定形状に圧縮加工することを特徴とするもので
ある。
【００１４】以下、本発明の製造方法について、製造工
程に即して具体的に説明する。
程に即して具体的に説明する。
【００１５】本発明による製造方法においては、スパッ
タリングターゲット原料を溶解し、鋳造することによっ
て鋳造インゴットを形成する。本発明によるスパッタリ
ングターゲットは、特に圧延加工が困難な金属ないし合
金材料系が主としてその対象となり得る。具体的には、
本発明は、ＰｔＭｎ系、ＣｏＺｒＮｂ系、ＦｅＴａ系、
ＣｏＣｒＰｔＴａＺｒ系、ＣｏＣｒＰｔＢ系、またはＣ
ｏＣｒＰｔＴａ系合金からなるスパッタリングターゲッ
トに特に好適であるが、本発明は、これらに限定される
ものではない。
タリングターゲット原料を溶解し、鋳造することによっ
て鋳造インゴットを形成する。本発明によるスパッタリ
ングターゲットは、特に圧延加工が困難な金属ないし合
金材料系が主としてその対象となり得る。具体的には、
本発明は、ＰｔＭｎ系、ＣｏＺｒＮｂ系、ＦｅＴａ系、
ＣｏＣｒＰｔＴａＺｒ系、ＣｏＣｒＰｔＢ系、またはＣ
ｏＣｒＰｔＴａ系合金からなるスパッタリングターゲッ
トに特に好適であるが、本発明は、これらに限定される
ものではない。
【００１６】スパッタリングターゲット原料の溶解は、
通常、真空中において行われる。この場合の溶解鋳造
は、通常、１３５０〜１５００℃、好ましくは１４００
〜１４５０℃の条件において行うことが好ましい。
通常、真空中において行われる。この場合の溶解鋳造
は、通常、１３５０〜１５００℃、好ましくは１４００
〜１４５０℃の条件において行うことが好ましい。
【００１７】原料の溶解に使用するルツボとしては、後
述するホットプレスの態様に対応するような形態のルツ
ボが好ましく用いられ得るが、たとえば円筒形状のルツ
ボが用いられ得る。本発明の好ましい態様においては、
特に、ＣａＯ製のルツボを使用することが低酸素含量の
スパッタリングターゲットを製造する上において最も好
ましい。この態様において、さらに脱酸素剤としてＴｉ
を添加して溶解鋳造を行うことによって、スパッタリン
グターゲットの低酸素化は飛躍的に向上する。これはＣ
ａＯ製ルツボと添加Ｔｉとの協同的な作用によって材料
中の酸素が効果的に除去されることによるものと考えら
れる。このような酸素除去効果を得るためのＴｉの添加
量としては、溶解原料の合計量に対して０．００１〜
２．０重量％程度が好ましく、さらに好ましくは０．０
３〜１．０重量％の範囲である。
述するホットプレスの態様に対応するような形態のルツ
ボが好ましく用いられ得るが、たとえば円筒形状のルツ
ボが用いられ得る。本発明の好ましい態様においては、
特に、ＣａＯ製のルツボを使用することが低酸素含量の
スパッタリングターゲットを製造する上において最も好
ましい。この態様において、さらに脱酸素剤としてＴｉ
を添加して溶解鋳造を行うことによって、スパッタリン
グターゲットの低酸素化は飛躍的に向上する。これはＣ
ａＯ製ルツボと添加Ｔｉとの協同的な作用によって材料
中の酸素が効果的に除去されることによるものと考えら
れる。このような酸素除去効果を得るためのＴｉの添加
量としては、溶解原料の合計量に対して０．００１〜
２．０重量％程度が好ましく、さらに好ましくは０．０
３〜１．０重量％の範囲である。
【００１８】次に、ルツボ中において溶解した原料溶湯
を鋳型に注入し、凝固させることによってインゴット形
成物を得る。この場合の鋳型としては、後述するホット
プレスの態様に対応するような形態の鋳型が好ましく用
いられ得るが、たとえば円筒形状の鋳型が用いられ得
る。
を鋳型に注入し、凝固させることによってインゴット形
成物を得る。この場合の鋳型としては、後述するホット
プレスの態様に対応するような形態の鋳型が好ましく用
いられ得るが、たとえば円筒形状の鋳型が用いられ得
る。
【００１９】鋳型からインゴット形成物を取り出し、通
常、鋳型上部の押し湯部分を切断除去する。このような
押し湯部分は、鋳造金属相において局在化した巣を含む
不良部分を意味するが、本発明においては、このように
切除された押し湯部分を再度リサイクルしてスパッタリ
ングターゲット原料として再利用することができる点で
工業的に有利である。すなわち、切除された押し湯を次
の鋳造インゴット製造のための原料として再溶解するこ
とができるので、製造コストの削減化を図る上ですこぶ
る効率的である。
常、鋳型上部の押し湯部分を切断除去する。このような
押し湯部分は、鋳造金属相において局在化した巣を含む
不良部分を意味するが、本発明においては、このように
切除された押し湯部分を再度リサイクルしてスパッタリ
ングターゲット原料として再利用することができる点で
工業的に有利である。すなわち、切除された押し湯を次
の鋳造インゴット製造のための原料として再溶解するこ
とができるので、製造コストの削減化を図る上ですこぶ
る効率的である。
【００２０】次に、本発明の方法においては、上記のよ
うにしてインゴット形成物の押し湯部分を除去して得ら
れた鋳造インゴットに対してホットプレスを行うことに
よって所定形状に圧縮加工を行う。
うにしてインゴット形成物の押し湯部分を除去して得ら
れた鋳造インゴットに対してホットプレスを行うことに
よって所定形状に圧縮加工を行う。
【００２１】本発明においては、上記ホットプレスを、
アルゴン等の不活性ないし非酸化性雰囲気中において、
鋳造インゴットを構成する合金材料の融点を超えない温
度条件下で行うことが好ましく、さらに好ましくは融点
よりも５０度以上低い温度条件下で行うことが適切であ
る。
アルゴン等の不活性ないし非酸化性雰囲気中において、
鋳造インゴットを構成する合金材料の融点を超えない温
度条件下で行うことが好ましく、さらに好ましくは融点
よりも５０度以上低い温度条件下で行うことが適切であ
る。
【００２２】上記の温度条件は、材料系によって異なる
が、通常、ＰｔＭｎ系では、９００〜１３００℃、さら
に好ましくは１０００〜１２００℃程度であり、さら
に、ＣｏＺｒＮｂ系、ＦｅＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＺ
ｒ系、ＣｏＣｒＰｔＢ系およびＣｏＣｒＰｔＴａ系で
は、９００〜１２００℃、さらに好ましくは１０００〜
１１００℃程度である。
が、通常、ＰｔＭｎ系では、９００〜１３００℃、さら
に好ましくは１０００〜１２００℃程度であり、さら
に、ＣｏＺｒＮｂ系、ＦｅＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＺ
ｒ系、ＣｏＣｒＰｔＢ系およびＣｏＣｒＰｔＴａ系で
は、９００〜１２００℃、さらに好ましくは１０００〜
１１００℃程度である。
【００２３】本発明におけるホットプレスは、上記温度
範囲において、圧力５０〜５００kg/cm2、さらに好まし
くは２５０〜４００kg/cm2、加工率５〜９０％、さらに
好ましくは６０〜９０％の条件で行うことが望ましい。
範囲において、圧力５０〜５００kg/cm2、さらに好まし
くは２５０〜４００kg/cm2、加工率５〜９０％、さらに
好ましくは６０〜９０％の条件で行うことが望ましい。
【００２４】上記のようなホットプレス処理によって、
インゴットの鋳造組織が実質的に崩壊して均一な微細組
織に変化する。したがって、鋳造時の巣も実質的に消失
して良好な金属組織が得られる。
インゴットの鋳造組織が実質的に崩壊して均一な微細組
織に変化する。したがって、鋳造時の巣も実質的に消失
して良好な金属組織が得られる。
【００２５】本発明の方法においては、上記のような工
程を採用することによって、従来、困難かつエネルギー
負荷的な作業として強いられていた圧延工程を本質的に
省くことが可能となる。したがって、本発明は、追加的
な圧延工程、特に従来長時間の工程作業が必要であった
初期段階の圧延工程を実質的に含まないことを特徴とし
ている。
程を採用することによって、従来、困難かつエネルギー
負荷的な作業として強いられていた圧延工程を本質的に
省くことが可能となる。したがって、本発明は、追加的
な圧延工程、特に従来長時間の工程作業が必要であった
初期段階の圧延工程を実質的に含まないことを特徴とし
ている。
【００２６】しかしながら、このことは、本発明が圧延
工程を採用することができないことを意味するものでは
ない。すなわち、本発明の方法においては、ホットプレ
スの後、さらに比較的短時間の圧延を行うことによって
最終的な厚さ制御のための加工を別途行うことも可能で
あり、このような態様も本発明の範囲に含まれる。
工程を採用することができないことを意味するものでは
ない。すなわち、本発明の方法においては、ホットプレ
スの後、さらに比較的短時間の圧延を行うことによって
最終的な厚さ制御のための加工を別途行うことも可能で
あり、このような態様も本発明の範囲に含まれる。
【００２７】上記のようにして得られた圧縮成形物は、
さらに必要に応じて機械加工（たとえば、切削加工等）
を行うことによって、所定のスパッタリングターゲット
が得られる。
さらに必要に応じて機械加工（たとえば、切削加工等）
を行うことによって、所定のスパッタリングターゲット
が得られる。
【００２８】なお、得られたスパッタリングターゲット
は、通常、所定のバッキングプレートに接合される。
は、通常、所定のバッキングプレートに接合される。
【００２９】
【実施例】以下に、本発明の実施例を示すが、本発明
は、下記の実施例の態様に限定されるものではない。
は、下記の実施例の態様に限定されるものではない。
【００３０】実施例１ 以下の製造方法に従って、ＰｔＭｎ系スパッタリングタ
ーゲットを製造した。
ーゲットを製造した。
【００３１】組成：Ｐｔ４０−Ｍｎ６０ｍｏｌ％（７
０．３−２９．７ｗｔ％） Ｐｔ片（４０×２０×１ｍｍ，３Ｎ５）７，０３０ｇ、
Ｍｎ片（１０×８×２ｍｍ，３Ｎ）２，９７０ｇ合計１
０，０００ｇをＣａＯ製ルツボにいれて、真空溶解炉内
で高周波溶解により溶かした。
０．３−２９．７ｗｔ％） Ｐｔ片（４０×２０×１ｍｍ，３Ｎ５）７，０３０ｇ、
Ｍｎ片（１０×８×２ｍｍ，３Ｎ）２，９７０ｇ合計１
０，０００ｇをＣａＯ製ルツボにいれて、真空溶解炉内
で高周波溶解により溶かした。
【００３２】溶解温度は最大１４５０℃で３×１０−２
Ｔｏｒｒ以下まで、真空引きを行った。約２時間後に予
め用意した円筒形の鋳型に鋳造し（鋳造温度１４５０
℃、、Ａｒ雰囲気、鋳造時の真空度６０ｃｍＨｇ）、８
０φ×１４０ｔのインゴットを作製した。
Ｔｏｒｒ以下まで、真空引きを行った。約２時間後に予
め用意した円筒形の鋳型に鋳造し（鋳造温度１４５０
℃、、Ａｒ雰囲気、鋳造時の真空度６０ｃｍＨｇ）、８
０φ×１４０ｔのインゴットを作製した。
【００３３】得られたインゴットの上部から６０mmの部
分（押し湯）を切断し除去した。このようにして切断さ
れた押し湯部分は次のロットの原料となる。残り８０φ
×８０ｔの円柱インゴットを真空置換後、Ａｒガス雰囲
気中においてホットプレスした。９０分で１１５０℃ま
で昇温後、温度１１５０℃、圧力３３０kg/cm2の条件で
縦方向に約３０分間圧縮を行った。その結果、２７０φ
×７ｔの円盤状のスパッタリングターゲットが得られ
た。
分（押し湯）を切断し除去した。このようにして切断さ
れた押し湯部分は次のロットの原料となる。残り８０φ
×８０ｔの円柱インゴットを真空置換後、Ａｒガス雰囲
気中においてホットプレスした。９０分で１１５０℃ま
で昇温後、温度１１５０℃、圧力３３０kg/cm2の条件で
縦方向に約３０分間圧縮を行った。その結果、２７０φ
×７ｔの円盤状のスパッタリングターゲットが得られ
た。
【００３４】得られたスパッタリングターゲットには、
巣が認められず、結晶粒径が比較的小さく（粒径０．５
mm未満）均質な微細構造を有するものであった。また、
酸素含有量は３５ｐｐｍであった。
巣が認められず、結晶粒径が比較的小さく（粒径０．５
mm未満）均質な微細構造を有するものであった。また、
酸素含有量は３５ｐｐｍであった。
【００３５】実施例２ 以下の製造方法に従って、ＣｏＣｒＰｔＢ系スパッタリ
ングターゲットを製造した。
ングターゲットを製造した。
【００３６】組成：Ｃｏ６４−Ｃｒ２０−Ｐｔ１０−Ｂ
６ｍｏｌ％（５５．２４−１５．２３−２８．５８−
８．９５ｗｔ％） 原料としての、Ｃｏ片（２０×２０×５ｍｍ，３Ｎ
５）、Ｃｒ片（３０×３０×８ｍｍ，３Ｎ）、Ｐｔ片
（４０×２０×１ｍｍ，３Ｎ５）、Ｂ粒子（５〜８mm、
２Ｎｕｐ）合計２０ｋｇ（２０１２cm3）をＣａＯ製ル
ツボにいれて、真空溶解炉内で高周波溶解により溶解鋳
造した。
６ｍｏｌ％（５５．２４−１５．２３−２８．５８−
８．９５ｗｔ％） 原料としての、Ｃｏ片（２０×２０×５ｍｍ，３Ｎ
５）、Ｃｒ片（３０×３０×８ｍｍ，３Ｎ）、Ｐｔ片
（４０×２０×１ｍｍ，３Ｎ５）、Ｂ粒子（５〜８mm、
２Ｎｕｐ）合計２０ｋｇ（２０１２cm3）をＣａＯ製ル
ツボにいれて、真空溶解炉内で高周波溶解により溶解鋳
造した。
【００３７】溶解温度は最大１４５０℃で３×１０−２
Ｔｏｒｒ以下まで、真空引きを行った。約２時間後に予
め用意した円筒形の鋳型に鋳造し（鋳造温度１４５０
℃、、Ａｒ雰囲気、鋳造時の真空度６０ｃｍＨｇ）、１
００φ×２５０ｔのインゴットを作製した。
Ｔｏｒｒ以下まで、真空引きを行った。約２時間後に予
め用意した円筒形の鋳型に鋳造し（鋳造温度１４５０
℃、、Ａｒ雰囲気、鋳造時の真空度６０ｃｍＨｇ）、１
００φ×２５０ｔのインゴットを作製した。
【００３８】得られたインゴットの上部から7０mmの部
分（押し湯）を切断し除去した。このようにして切断さ
れた押し湯部分は次のロットの原料となる。残り１００
φ×１８０ｔの円柱インゴットをＡｒガス雰囲気中にお
いてホットプレスした。９０分で１１００℃まで昇温
後、温度１１００℃、圧力３５０kg/cm2の条件で縦方向
に約３０分間圧縮を行った。１３０×２５０mmのＨＰダ
イス型に入れて４３mmHまでプレスした（ＨＰ加工率７
６％）。
分（押し湯）を切断し除去した。このようにして切断さ
れた押し湯部分は次のロットの原料となる。残り１００
φ×１８０ｔの円柱インゴットをＡｒガス雰囲気中にお
いてホットプレスした。９０分で１１００℃まで昇温
後、温度１１００℃、圧力３５０kg/cm2の条件で縦方向
に約３０分間圧縮を行った。１３０×２５０mmのＨＰダ
イス型に入れて４３mmHまでプレスした（ＨＰ加工率７
６％）。
【００３９】このようにして得られたインゴット（１３
０×２５０×４３mm）を、縦横方向に圧延して、１７０
×９２０×９mmの板とした（圧延加工率７９％）。
０×２５０×４３mm）を、縦横方向に圧延して、１７０
×９２０×９mmの板とした（圧延加工率７９％）。
【００４０】この圧延板から６”φのターゲットを切り
出して製品とした。
出して製品とした。
【００４１】
【発明の効果】上記実施例の結果からも明らかなよう
に、本発明によるスパッタリングターゲットの製造方法
によれば、スパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造
することによって鋳造インゴットを形成し、該インゴッ
ト形成物の押し湯部分を除去したのち、得られた鋳造イ
ンゴットに対してホットプレスを行うことによって所定
形状に圧縮加工するようにしたので、長時間かつエネル
ギー負荷的な従来の圧延工程を要せずして、大型でかつ
良好な均一微細組織を有するスパッタリングターゲット
を効率的に製造することが可能となる。
に、本発明によるスパッタリングターゲットの製造方法
によれば、スパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造
することによって鋳造インゴットを形成し、該インゴッ
ト形成物の押し湯部分を除去したのち、得られた鋳造イ
ンゴットに対してホットプレスを行うことによって所定
形状に圧縮加工するようにしたので、長時間かつエネル
ギー負荷的な従来の圧延工程を要せずして、大型でかつ
良好な均一微細組織を有するスパッタリングターゲット
を効率的に製造することが可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 BA21 BA22 BA24 BD00 BD04 CA05 DC04 DC07 DC08 5D112 AA05 FA05
Claims (9)
- 【請求項１】スパッタリングターゲット原料を溶解、鋳
造することによって鋳造インゴットを形成し、該インゴ
ット形成物の押し湯部分を除去したのち、得られた鋳造
インゴットに対してホットプレスを行うことによって所
定形状に圧縮加工することを特徴とする、スパッタリン
グターゲットの製造方法 - 【請求項２】追加的な圧延工程、特に初期段階の圧延工
程を実質的に含まない、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】前記スパッタリングターゲット原料を溶
解、鋳造を、ＣａＯ製ルツボ中において、好ましくはＴ
ｉを添加して行う、請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】前記ホットプレスを、非酸化性雰囲気中に
おいて、前記鋳造インゴットを構成する合金材料の相変
化点を超える温度条件で行う、請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】前記ホットプレスを、温度１０００〜１２
００℃、圧力５０〜５００kg/cm2、加工率５〜９０％の
条件で行う、請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】前記ホットプレスの後、さらに比較的短時
間の圧延を行う、請求項１に記載の方法。 - 【請求項７】スパッタリングターゲットが、圧延加工が
困難な材料系からなる、請求項１に記載の方法。 - 【請求項８】スパッタリングターゲットが、ＰｔＭｎ系
合金からなる、請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】スパッタリングターゲットが、ＣｏＺｒＮ
ｂ系合金、ＦｅＴａ系合金、またはＣｏＣｒＰｔＴａＺ
ｒ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金およびＣｏＣｒＰｔＴ
ａ系合金からなる群から選ばれた１種からなる、請求項
７に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000265554A JP2002069625A (ja) | 2000-09-01 | 2000-09-01 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000265554A JP2002069625A (ja) | 2000-09-01 | 2000-09-01 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002069625A true JP2002069625A (ja) | 2002-03-08 |
| JP2002069625A5 JP2002069625A5 (ja) | 2007-09-20 |
Family
ID=18752802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000265554A Pending JP2002069625A (ja) | 2000-09-01 | 2000-09-01 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002069625A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005093124A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ-Ｂ系合金スパッタリングターゲット |
| JP2006161082A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Ishifuku Metal Ind Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2013231236A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-11-14 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Citations (5)
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| JPH0518899B2 (ja) * | 1986-11-20 | 1993-03-15 | Mitsui Shipbuilding Eng | |
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| JPH09165635A (ja) * | 1996-10-22 | 1997-06-24 | Mitsubishi Materials Corp | 耐食性のすぐれた物理蒸着非晶質膜材 |
-
2000
- 2000-09-01 JP JP2000265554A patent/JP2002069625A/ja active Pending
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