JP2002055633A - エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/18—Tiled displays
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の表示パネルを接合して１つの表示装置
を構成する場合に、発光部を劣化させることなく、隣接
する表示パネルの接合部を目立たなくすることができる
エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
を提供する。 【解決手段】 有機ＥＬ表示装置１は４枚の小型パネル
２ａ〜２ｄを接合面Ａ，Ｂで接合することにより構成さ
れる。各小型パネル２ａ〜２ｄはガラス基板８ａ〜８
ｄ、複数の走査画素電極５ａ〜５ｄ、有機ＥＬ発光層７
ａ〜７ｄ、信号画素電極６ａ〜６ｄおよび封止層９を備
える。各小型パネル２ａ〜２ｄの接合面Ｂ側において信
号画素電極６ａ〜６ｄの端面６０が接合面Ｂの近傍の走
査画素電極５ａ〜５ｄの側面５０を接合面Ｂ側に越えな
いように形成される。
を構成する場合に、発光部を劣化させることなく、隣接
する表示パネルの接合部を目立たなくすることができる
エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
を提供する。 【解決手段】 有機ＥＬ表示装置１は４枚の小型パネル
２ａ〜２ｄを接合面Ａ，Ｂで接合することにより構成さ
れる。各小型パネル２ａ〜２ｄはガラス基板８ａ〜８
ｄ、複数の走査画素電極５ａ〜５ｄ、有機ＥＬ発光層７
ａ〜７ｄ、信号画素電極６ａ〜６ｄおよび封止層９を備
える。各小型パネル２ａ〜２ｄの接合面Ｂ側において信
号画素電極６ａ〜６ｄの端面６０が接合面Ｂの近傍の走
査画素電極５ａ〜５ｄの側面５０を接合面Ｂ側に越えな
いように形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の表示パネル
を接合して構成されるエレクトロルミネッセンス表示装
置およびその製造方法に関するものである。
を接合して構成されるエレクトロルミネッセンス表示装
置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報機器の多様化に伴い、一般に
使用されているＣＲＴ（陰極線管）に比べて消費電力が
少ない平面表示素子に対するニーズが高まってきてい
る。このような平面表示素子の１つとして、高効率、薄
型、軽量、低視野角依存性等の特徴を有するエレクトロ
ルミネッセンス（以下、ＥＬと略す）素子が注目され、
このＥＬ素子を用いたディスプレイの研究開発が活発に
行われている。このようなＥＬ素子には、無機材料から
なる発光層を有する無機ＥＬ素子と、有機材料からなる
発光層を有する有機ＥＬ素子とがある。
使用されているＣＲＴ（陰極線管）に比べて消費電力が
少ない平面表示素子に対するニーズが高まってきてい
る。このような平面表示素子の１つとして、高効率、薄
型、軽量、低視野角依存性等の特徴を有するエレクトロ
ルミネッセンス（以下、ＥＬと略す）素子が注目され、
このＥＬ素子を用いたディスプレイの研究開発が活発に
行われている。このようなＥＬ素子には、無機材料から
なる発光層を有する無機ＥＬ素子と、有機材料からなる
発光層を有する有機ＥＬ素子とがある。
【０００３】無機ＥＬ素子は、一般に発光部に高電界を
作用させ、電子をこの高電界中で加速して発光中心に衝
突させることにより、発光中心を励起させて発光させる
自発光型の素子である。
作用させ、電子をこの高電界中で加速して発光中心に衝
突させることにより、発光中心を励起させて発光させる
自発光型の素子である。
【０００４】一方、有機ＥＬ素子は、電子注入電極とホ
ール注入電極とからそれぞれ電子とホールとを発光部内
へ注入し、注入された電子およびホールを発光中心で再
結合させて有機分子を励起状態にし、この有機分子が励
起状態から基底状態へと戻るときに蛍光を発生する自発
光型の素子である。この有機ＥＬ素子は、発光材料であ
る蛍光物質を選択することにより発光色を変化させるこ
とができ、マルチカラー、フルカラー等の表示装置への
応用に対する期待が高まっている。
ール注入電極とからそれぞれ電子とホールとを発光部内
へ注入し、注入された電子およびホールを発光中心で再
結合させて有機分子を励起状態にし、この有機分子が励
起状態から基底状態へと戻るときに蛍光を発生する自発
光型の素子である。この有機ＥＬ素子は、発光材料であ
る蛍光物質を選択することにより発光色を変化させるこ
とができ、マルチカラー、フルカラー等の表示装置への
応用に対する期待が高まっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の有機ＥＬ素子
は、現在のところ、デジタルカメラや携帯電話等の小型
ディスプレイへの応用が進んでいる段階であり、パーソ
ナルコンピュータやテレビジョン等の中・大型ディスプ
レイへの応用は困難と考えられている。例えば、アクテ
ィブディスプレイの場合、大面積に多数のポリシリコン
ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を作製することが困難であ
り、また、パッシブディスプレイの場合でも、大面積で
均一に有機膜を形成することが困難である。
は、現在のところ、デジタルカメラや携帯電話等の小型
ディスプレイへの応用が進んでいる段階であり、パーソ
ナルコンピュータやテレビジョン等の中・大型ディスプ
レイへの応用は困難と考えられている。例えば、アクテ
ィブディスプレイの場合、大面積に多数のポリシリコン
ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を作製することが困難であ
り、また、パッシブディスプレイの場合でも、大面積で
均一に有機膜を形成することが困難である。
【０００６】このため、小型の有機ＥＬパネルを複数枚
組み合わせることにより大型の有機ＥＬ表示装置を作製
しようとする試みがある。この場合、単純に小型パネル
を組み合わせたのでは、各小型パネル間の接合部が目立
ち、良好な表示画面を得ることができない。
組み合わせることにより大型の有機ＥＬ表示装置を作製
しようとする試みがある。この場合、単純に小型パネル
を組み合わせたのでは、各小型パネル間の接合部が目立
ち、良好な表示画面を得ることができない。
【０００７】一方、液晶ディスプレイ装置では、小型パ
ネル間の接合部を目立たなくするため、Ｒ、Ｇ、Ｂの３
つの表示ドットを１画素とし、隣接するパネル端部に位
置する画素の間の距離をブラックストライプの幅に一致
させることが報告されている（シャープ技法 第６９号
１９９７年１２月 ｐ．８１−８４）。接合側の辺
は、ダイシング装置にて切断後、さらに切断面を研磨す
ることにより切断精度を向上させている。
ネル間の接合部を目立たなくするため、Ｒ、Ｇ、Ｂの３
つの表示ドットを１画素とし、隣接するパネル端部に位
置する画素の間の距離をブラックストライプの幅に一致
させることが報告されている（シャープ技法 第６９号
１９９７年１２月 ｐ．８１−８４）。接合側の辺
は、ダイシング装置にて切断後、さらに切断面を研磨す
ることにより切断精度を向上させている。
【０００８】しかしながら、このような加工方法は、内
部の液晶が漏れないようにパネル端部をシールし、パネ
ル端部に位置する画素からパネル端部までの距離が長く
なる液晶ディスプレイ装置に特有のものであり、このよ
うなシール構造を有さないＥＬ表示装置にそのまま適用
することはできない。すなわち、ダイシング加工時およ
び研磨時に発生する熱や、加工時に発生する切削かけら
（チッピング）および酸化セリウム等の研磨材を除去す
るために水を用いる場合、加工面から侵入した水分の影
響により金属からなる電極が酸化したり、電極が有機材
料または無機材料からなる発光層との界面で剥離するこ
とにより発光部が劣化する。その結果、ダークスポット
が発生し、発光素子として機能しなくなる。
部の液晶が漏れないようにパネル端部をシールし、パネ
ル端部に位置する画素からパネル端部までの距離が長く
なる液晶ディスプレイ装置に特有のものであり、このよ
うなシール構造を有さないＥＬ表示装置にそのまま適用
することはできない。すなわち、ダイシング加工時およ
び研磨時に発生する熱や、加工時に発生する切削かけら
（チッピング）および酸化セリウム等の研磨材を除去す
るために水を用いる場合、加工面から侵入した水分の影
響により金属からなる電極が酸化したり、電極が有機材
料または無機材料からなる発光層との界面で剥離するこ
とにより発光部が劣化する。その結果、ダークスポット
が発生し、発光素子として機能しなくなる。
【０００９】本発明の目的は、複数の表示パネルを接合
して１つの表示装置を構成する場合に、発光部を劣化さ
せることなく、かつ隣接する表示パネルの接合部を目立
たなくすることができるエレクトロルミネッセンス表示
装置およびその製造方法を提供することである。
して１つの表示装置を構成する場合に、発光部を劣化さ
せることなく、かつ隣接する表示パネルの接合部を目立
たなくすることができるエレクトロルミネッセンス表示
装置およびその製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係るエレクトロルミネッセンス表示装置は、複数
の表示パネルを接合して構成されるエレクトロルミネッ
センス表示装置であって、複数の表示パネルの各々は、
第１の基板上に互いに交差するように配置された複数の
第１の電極層および複数の第２の電極層を備え、複数の
第１の電極層と複数の第２の電極層との交差部に発光部
が設けられ、複数の第１の電極層は金属酸化物からな
り、複数の第２の電極層は金属からなり、複数の表示パ
ネルの接合部側において複数の第２の電極層の端面が第
１の基板の接合部側の側辺から内側に離れて位置するも
のである。
発明に係るエレクトロルミネッセンス表示装置は、複数
の表示パネルを接合して構成されるエレクトロルミネッ
センス表示装置であって、複数の表示パネルの各々は、
第１の基板上に互いに交差するように配置された複数の
第１の電極層および複数の第２の電極層を備え、複数の
第１の電極層と複数の第２の電極層との交差部に発光部
が設けられ、複数の第１の電極層は金属酸化物からな
り、複数の第２の電極層は金属からなり、複数の表示パ
ネルの接合部側において複数の第２の電極層の端面が第
１の基板の接合部側の側辺から内側に離れて位置するも
のである。
【００１１】本発明に係るエレクトロルミネッセンス表
示装置においては、各表示パネルの接合部側において複
数の第２の電極層の端面が第１の基板の接合部側の側辺
から内側に離れて位置するため、加工により形成される
各表示パネルの接合面と金属からなる第２の電極層の端
面との間に十分な距離を確保することができる。それに
より、各表示パネルの接合面の加工時に接合面から侵入
する水分の影響により第２の電極層が酸化すること、お
よび第２の電極層が発光部との界面で剥離することが防
止される。その結果、第２の電極層の劣化を低減するこ
とができるとともに、接合面の加工時における発光部の
特性の低下を防止することができる。
示装置においては、各表示パネルの接合部側において複
数の第２の電極層の端面が第１の基板の接合部側の側辺
から内側に離れて位置するため、加工により形成される
各表示パネルの接合面と金属からなる第２の電極層の端
面との間に十分な距離を確保することができる。それに
より、各表示パネルの接合面の加工時に接合面から侵入
する水分の影響により第２の電極層が酸化すること、お
よび第２の電極層が発光部との界面で剥離することが防
止される。その結果、第２の電極層の劣化を低減するこ
とができるとともに、接合面の加工時における発光部の
特性の低下を防止することができる。
【００１２】また、外観においても、接合部近傍に金属
からなる第２の電極層が存在しないことにより、接合部
近傍での金属光沢が抑制され、接合部近傍での違和感を
減らすことができる。その結果、隣接する表示パネルの
接合部が目立たなくなる。
からなる第２の電極層が存在しないことにより、接合部
近傍での金属光沢が抑制され、接合部近傍での違和感を
減らすことができる。その結果、隣接する表示パネルの
接合部が目立たなくなる。
【００１３】複数の表示パネルの各々は、第１の基板上
の複数の第１の電極層、複数の第２の電極層および発光
部を被覆する封止層をさらに備えてもよい。
の複数の第１の電極層、複数の第２の電極層および発光
部を被覆する封止層をさらに備えてもよい。
【００１４】この場合、各第１の基板の接合面と第２の
電極層の端面との間に封止層が介在することにより、第
２の電極層の劣化をさらに低減することが可能になると
ともに、接合面の加工時における発光部の特性の低下を
さらに防止することができる。
電極層の端面との間に封止層が介在することにより、第
２の電極層の劣化をさらに低減することが可能になると
ともに、接合面の加工時における発光部の特性の低下を
さらに防止することができる。
【００１５】複数の表示パネルの接合部側において複数
の第２の電極層の端面が、接合部近傍の第１の電極層の
外側の側面を接合部側に越えないことが好ましい。
の第２の電極層の端面が、接合部近傍の第１の電極層の
外側の側面を接合部側に越えないことが好ましい。
【００１６】この場合、加工により形成される各表示パ
ネルの接合面と金属からなる第２の電極層の端面との間
にさらに十分な距離を確保することができる。それによ
り、水分の侵入による第１の電極層の劣化を著しく低減
することができるとともに、接合面の加工時における発
光部の特性の低下をさらに十分に防止することができ
る。
ネルの接合面と金属からなる第２の電極層の端面との間
にさらに十分な距離を確保することができる。それによ
り、水分の侵入による第１の電極層の劣化を著しく低減
することができるとともに、接合面の加工時における発
光部の特性の低下をさらに十分に防止することができ
る。
【００１７】また、外観においても、表示パネルの接合
部近傍において複数の第２の電極層の端面が接合部近傍
の第１の電極層の外側の側面を越えないことにより、隣
接する表示パネルの接合部に沿った領域での金属光沢が
抑制され、接合部近傍での違和感をさらに減らすことが
できる。その結果、隣接する表示パネルの接合部がより
目立たなくなる。
部近傍において複数の第２の電極層の端面が接合部近傍
の第１の電極層の外側の側面を越えないことにより、隣
接する表示パネルの接合部に沿った領域での金属光沢が
抑制され、接合部近傍での違和感をさらに減らすことが
できる。その結果、隣接する表示パネルの接合部がより
目立たなくなる。
【００１８】発光部は、有機材料または無機材料からな
る発光層を含んでもよい。この場合、隣接する表示パネ
ルの接合部が目立たない大面積の有機または無機エレク
トロルミネッセンス表示装置が実現される。
る発光層を含んでもよい。この場合、隣接する表示パネ
ルの接合部が目立たない大面積の有機または無機エレク
トロルミネッセンス表示装置が実現される。
【００１９】発光部が有機材料からなる発光層を含む場
合には、各表示パネルの接合面の加工時に、特に水分の
影響を受けやすい有機材料からなる発光層の劣化が防止
される。
合には、各表示パネルの接合面の加工時に、特に水分の
影響を受けやすい有機材料からなる発光層の劣化が防止
される。
【００２０】複数の表示パネルの各々は、複数の第１の
電極層、複数の第２の電極層および発光部を挟み込むよ
うに第１の基板に対向する第２の基板をさらに備えても
よい。
電極層、複数の第２の電極層および発光部を挟み込むよ
うに第１の基板に対向する第２の基板をさらに備えても
よい。
【００２１】この場合、各表示パネルの接合面の加工時
に、表示パネルを支持する治具により第１の電極層、第
２の電極層および発光部が損傷を受けることが防止され
る。
に、表示パネルを支持する治具により第１の電極層、第
２の電極層および発光部が損傷を受けることが防止され
る。
【００２２】複数の表示パネルの各々は、パッシブ型エ
レクトロルミネッセンス表示パネルまたはアクティブ型
エレクトロルミネッセンス表示パネルであってもよい。
この場合、隣接する表示パネルの接合部が目立たない大
面積のパッシブ型またはアクティブ型のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置が実現される。
レクトロルミネッセンス表示パネルまたはアクティブ型
エレクトロルミネッセンス表示パネルであってもよい。
この場合、隣接する表示パネルの接合部が目立たない大
面積のパッシブ型またはアクティブ型のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置が実現される。
【００２３】第２の発明に係るエレクトロルミネッセン
ス表示装置の製造方法は、複数の表示パネルを接合して
構成されるエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方
法であって、複数の基板の各々上に互いに交差するよう
に配置された複数の第１の電極層および複数の第２の電
極層を形成するとともに複数の第１の電極層と複数の第
２の電極層との交差部に発光部を設けることにより複数
の表示パネルを形成するステップと、各表示パネルの端
部を加工することにより各表示パネルに接合面を形成す
るステップと、複数の表示パネルの接合面を接合するス
テップとを備え、複数の表示パネルの接合部側において
複数の第２の電極層の端面が基板の接合部側の側辺に対
して内側に離れた位置に形成されるものである。
ス表示装置の製造方法は、複数の表示パネルを接合して
構成されるエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方
法であって、複数の基板の各々上に互いに交差するよう
に配置された複数の第１の電極層および複数の第２の電
極層を形成するとともに複数の第１の電極層と複数の第
２の電極層との交差部に発光部を設けることにより複数
の表示パネルを形成するステップと、各表示パネルの端
部を加工することにより各表示パネルに接合面を形成す
るステップと、複数の表示パネルの接合面を接合するス
テップとを備え、複数の表示パネルの接合部側において
複数の第２の電極層の端面が基板の接合部側の側辺に対
して内側に離れた位置に形成されるものである。
【００２４】本発明に係るエレクトロルミネッセンス表
示装置の製造方法によれば、各表示パネルの接合部側に
おいて複数の第２の電極層の端面が基板の接合部側の側
辺から内側に離れて位置するため、加工により形成され
る各表示パネルの接合面と金属からなる第２の電極層の
端面との間に十分な距離を確保することができる。それ
により、各表示パネルの接合面の加工時に接合面から侵
入する水分の影響により第２の電極層が酸化すること、
および第２の電極層が発光部との界面で剥離することが
防止される。その結果、第２の電極層の劣化を低減する
ことができるとともに、接合面の加工時における発光部
の特性の低下を防止することができる。
示装置の製造方法によれば、各表示パネルの接合部側に
おいて複数の第２の電極層の端面が基板の接合部側の側
辺から内側に離れて位置するため、加工により形成され
る各表示パネルの接合面と金属からなる第２の電極層の
端面との間に十分な距離を確保することができる。それ
により、各表示パネルの接合面の加工時に接合面から侵
入する水分の影響により第２の電極層が酸化すること、
および第２の電極層が発光部との界面で剥離することが
防止される。その結果、第２の電極層の劣化を低減する
ことができるとともに、接合面の加工時における発光部
の特性の低下を防止することができる。
【００２５】また、外観においても、接合部近傍に金属
からなる第２の電極層が存在しないことにより、接合部
近傍での金属光沢が抑制され、接合部近傍での違和感を
減らすことができる。その結果、隣接する表示パネルの
接合部が目立たなくなる。
からなる第２の電極層が存在しないことにより、接合部
近傍での金属光沢が抑制され、接合部近傍での違和感を
減らすことができる。その結果、隣接する表示パネルの
接合部が目立たなくなる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るエレクトロル
ミネッセンス表示装置の一例として有機エレクトロルミ
ネッセンス（以下、ＥＬと略す）表示装置について説明
する。
ミネッセンス表示装置の一例として有機エレクトロルミ
ネッセンス（以下、ＥＬと略す）表示装置について説明
する。
【００２７】図１は本発明の一実施の形態によるパッシ
ブ型有機ＥＬ表示装置の構成を示す模式的平面図であ
る。なお、本発明は、発光部として耐熱性および耐湿性
に劣る有機材料を使用した有機ＥＬ表示装置に特に有用
であるが、同様の構造を有する無機ＥＬ表示装置にも適
用することができる。
ブ型有機ＥＬ表示装置の構成を示す模式的平面図であ
る。なお、本発明は、発光部として耐熱性および耐湿性
に劣る有機材料を使用した有機ＥＬ表示装置に特に有用
であるが、同様の構造を有する無機ＥＬ表示装置にも適
用することができる。
【００２８】図１に示す有機ＥＬ表示装置１は、４枚の
小型パネル２ａ〜２ｄを備える。各小型パネル２ａ〜２
ｄは、走査画素電極用駆動回路３ａ〜３ｄ、信号画素電
極用駆動回路４ａ〜４ｄ、複数の走査画素電極５ａ〜５
ｄ、複数の信号画素電極６ａ〜６ｄおよび複数の発光部
７０を備える。
小型パネル２ａ〜２ｄを備える。各小型パネル２ａ〜２
ｄは、走査画素電極用駆動回路３ａ〜３ｄ、信号画素電
極用駆動回路４ａ〜４ｄ、複数の走査画素電極５ａ〜５
ｄ、複数の信号画素電極６ａ〜６ｄおよび複数の発光部
７０を備える。
【００２９】各小型パネル２ａ〜２ｄには、走査画素電
極用駆動回路３ａ〜３ｄに接続された複数の走査画素電
極５ａ〜５ｄが一定間隔で配列され、また、信号画素電
極用駆動回路４ａ〜４ｄに接続された複数の信号画素電
極６ａ〜６ｄが走査画素電極５ａ〜５ｄと直交する方向
に配列されている。複数の走査画素電極５ａ〜５ｄと複
数の信号画素電極６ａ〜６ｄの各交点に発光部７０が形
成される。通常のモノクロパネルでは、一つの発光部が
一画素となり、フルカラーパネルでは、Ｒ、Ｇ、Ｂの３
色を発光する３種類の発光部が用いられ、３種類の発光
部を一単位として一画素が構成される。
極用駆動回路３ａ〜３ｄに接続された複数の走査画素電
極５ａ〜５ｄが一定間隔で配列され、また、信号画素電
極用駆動回路４ａ〜４ｄに接続された複数の信号画素電
極６ａ〜６ｄが走査画素電極５ａ〜５ｄと直交する方向
に配列されている。複数の走査画素電極５ａ〜５ｄと複
数の信号画素電極６ａ〜６ｄの各交点に発光部７０が形
成される。通常のモノクロパネルでは、一つの発光部が
一画素となり、フルカラーパネルでは、Ｒ、Ｇ、Ｂの３
色を発光する３種類の発光部が用いられ、３種類の発光
部を一単位として一画素が構成される。
【００３０】走査画素電極用駆動回路３ａ〜３ｄは、小
型パネル２ａ〜２ｄの一辺に配置され、信号画素電極用
駆動回路４ａ〜４ｄは小型パネル２ａ〜２ｄの他の一辺
に配置されている。走査画素電極用駆動回路３ａ〜３ｄ
および信号画素電極用駆動回路４ａ〜４ｄは、表示した
い画素に対応する発光部７０を形成する走査画素電極５
ａ〜５ｄおよび信号画素電極６ａ〜６ｄへ駆動信号を出
力する。それにより、当該発光部７０が発光し、各小型
パネル２ａ〜２ｄのみで表示駆動が可能になっている。
型パネル２ａ〜２ｄの一辺に配置され、信号画素電極用
駆動回路４ａ〜４ｄは小型パネル２ａ〜２ｄの他の一辺
に配置されている。走査画素電極用駆動回路３ａ〜３ｄ
および信号画素電極用駆動回路４ａ〜４ｄは、表示した
い画素に対応する発光部７０を形成する走査画素電極５
ａ〜５ｄおよび信号画素電極６ａ〜６ｄへ駆動信号を出
力する。それにより、当該発光部７０が発光し、各小型
パネル２ａ〜２ｄのみで表示駆動が可能になっている。
【００３１】有機ＥＬ表示装置１は、図示のように、走
査画素電極５ａ〜５ｄおよび信号画素電極６ａ〜６ｄの
各々が連続的に配置されるように、接着剤により小型パ
ネル２ａ〜２ｄを４枚貼り合わせて所望の大きさに大型
化したものである。この場合、上下左右の各駆動回路３
ａ〜３ｄ，４ａ〜４ｄを同期させて各電極５ａ〜５ｄ，
６ａ〜６ｄを駆動することにより、１枚の大型パネルと
して１つの画面を表示することができる。
査画素電極５ａ〜５ｄおよび信号画素電極６ａ〜６ｄの
各々が連続的に配置されるように、接着剤により小型パ
ネル２ａ〜２ｄを４枚貼り合わせて所望の大きさに大型
化したものである。この場合、上下左右の各駆動回路３
ａ〜３ｄ，４ａ〜４ｄを同期させて各電極５ａ〜５ｄ，
６ａ〜６ｄを駆動することにより、１枚の大型パネルと
して１つの画面を表示することができる。
【００３２】例えば、横６４０ドット×縦４８０ドット
のＶＧＡ（Video Graphics Array）仕様の１０インチの
モノクロ表示装置を作製する場合、画素数が横３２０ド
ット×縦２４０ドットで画素ピッチが約３００μｍの５
インチの小型パネル２ａ〜２ｄを４枚貼り合わせればよ
い。フルカラー表示装置では、Ｒ、Ｇ、Ｂの３種類の発
光部を一単位として一画素を構成する。
のＶＧＡ（Video Graphics Array）仕様の１０インチの
モノクロ表示装置を作製する場合、画素数が横３２０ド
ット×縦２４０ドットで画素ピッチが約３００μｍの５
インチの小型パネル２ａ〜２ｄを４枚貼り合わせればよ
い。フルカラー表示装置では、Ｒ、Ｇ、Ｂの３種類の発
光部を一単位として一画素を構成する。
【００３３】なお、小型パネルを貼り合わせる枚数は、
４枚に特に限定されず、１つの表示装置を構成すること
ができれば、他の枚数であってもよい。
４枚に特に限定されず、１つの表示装置を構成すること
ができれば、他の枚数であってもよい。
【００３４】図２は図１の有機ＥＬ表示装置の中央部の
概略平面図である。また、図３は図２におけるＸ−Ｘ線
断面図、図４は図３に示すＣ部の拡大断面図である。図
５は図２におけるＹ−Ｙ線断面図、図６は図５に示すＤ
部の拡大断面図である。
概略平面図である。また、図３は図２におけるＸ−Ｘ線
断面図、図４は図３に示すＣ部の拡大断面図である。図
５は図２におけるＹ−Ｙ線断面図、図６は図５に示すＤ
部の拡大断面図である。
【００３５】図３〜図６に示すように、小型パネル２ａ
〜２ｄは、ガラス基板８ａ〜８ｄ、複数の走査画素電極
５ａ〜５ｄ、有機ＥＬ発光層７ａ〜７ｄ、信号画素電極
６ａ〜６ｄ、および封止層９を備える。
〜２ｄは、ガラス基板８ａ〜８ｄ、複数の走査画素電極
５ａ〜５ｄ、有機ＥＬ発光層７ａ〜７ｄ、信号画素電極
６ａ〜６ｄ、および封止層９を備える。
【００３６】走査画素電極５ａ〜５ｄは小型パネル２
ａ，２ｂと小型パネル２ｃ，２ｄとの接合面Ｂと平行に
延び、信号画素電極６ａ〜６ｄは小型パネル２ａ，２ｃ
と小型パネル２ｂ，２ｄとの接合面Ａと平行に延びてい
る。
ａ，２ｂと小型パネル２ｃ，２ｄとの接合面Ｂと平行に
延び、信号画素電極６ａ〜６ｄは小型パネル２ａ，２ｃ
と小型パネル２ｂ，２ｄとの接合面Ａと平行に延びてい
る。
【００３７】走査画素電極５ａ〜５ｄと信号画素電極６
ａ〜６ｄとの交差部における走査画素電極５ａ〜５ｄ、
有機ＥＬ発光層７ａ〜７ｄおよび信号画素電極６ａ〜６
ｄが図１の発光部７０を構成する。
ａ〜６ｄとの交差部における走査画素電極５ａ〜５ｄ、
有機ＥＬ発光層７ａ〜７ｄおよび信号画素電極６ａ〜６
ｄが図１の発光部７０を構成する。
【００３８】走査画素電極５ａ〜５ｄは、例えば、厚さ
８００ÅのＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）等の透明金
属酸化物からなり、ホール注入電極として機能する。信
号画素電極６ａ〜６ｄは、例えば、厚さ３０００ÅのＭ
ｇＩｎ等の仕事関数の小さい金属材料からなり、電子注
入電極として機能する。
８００ÅのＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）等の透明金
属酸化物からなり、ホール注入電極として機能する。信
号画素電極６ａ〜６ｄは、例えば、厚さ３０００ÅのＭ
ｇＩｎ等の仕事関数の小さい金属材料からなり、電子注
入電極として機能する。
【００３９】有機ＥＬ発光層７ａ〜７ｄは、走査画素電
極５ａ〜５ｄ上に形成されたホール注入層と、ホール注
入層上に形成されたホール輸送層と、ホール輸送層上に
形成された発光層とからなる。ホール注入層は、例え
ば、厚さ１０００Åのトリフェニルアミン誘導体（ＭＴ
ＤＡＴＡ）からなる。ホール輸送層は、例えば、厚さ２
００Åのジアミン誘導体（ＴＰＤ）からなる。発光層
は、例えば、厚さ２００Åのアルミニウムキノリノール
錯体にキナクリドンをドープしたものからなる。
極５ａ〜５ｄ上に形成されたホール注入層と、ホール注
入層上に形成されたホール輸送層と、ホール輸送層上に
形成された発光層とからなる。ホール注入層は、例え
ば、厚さ１０００Åのトリフェニルアミン誘導体（ＭＴ
ＤＡＴＡ）からなる。ホール輸送層は、例えば、厚さ２
００Åのジアミン誘導体（ＴＰＤ）からなる。発光層
は、例えば、厚さ２００Åのアルミニウムキノリノール
錯体にキナクリドンをドープしたものからなる。
【００４０】上記の各層は、真空度を１×１０-4Ｐａ以
下にして抵抗加熱ボートまたは蒸着セルを用いた真空蒸
着法により形成することができる。このようにして形成
された発光部７ａ，７ｂは、５〜１０Ｖの駆動電圧を印
加することにより１００〜３００ｃｄ／ｍ2 の輝度で発
光する。
下にして抵抗加熱ボートまたは蒸着セルを用いた真空蒸
着法により形成することができる。このようにして形成
された発光部７ａ，７ｂは、５〜１０Ｖの駆動電圧を印
加することにより１００〜３００ｃｄ／ｍ2 の輝度で発
光する。
【００４１】封止層９は、同様に真空蒸着法を用いて酸
化珪素皮膜を蒸着するか、またはエポキシ系の樹脂を塗
布することにより形成される。
化珪素皮膜を蒸着するか、またはエポキシ系の樹脂を塗
布することにより形成される。
【００４２】図２および図６に示すように、本実施の形
態の有機ＥＬ表示装置１においては、接合面Ｂ側の信号
画素電極６ａ〜６ｄの端面６０が接合面Ｂの近傍の走査
画素電極５ａ〜５ｄの側面５０を接合面Ｂ側に越えない
ように形成されている。
態の有機ＥＬ表示装置１においては、接合面Ｂ側の信号
画素電極６ａ〜６ｄの端面６０が接合面Ｂの近傍の走査
画素電極５ａ〜５ｄの側面５０を接合面Ｂ側に越えない
ように形成されている。
【００４３】このような構造により、加工により形成さ
れた接合面ＢとＭｇＩｎ等の金属材料からなる信号画素
電極６ａ〜６ｄとの間に十分な距離を確保することがで
きるとともに、ガラス基板８ａ〜８ｄの側面と信号画素
電極６ａ〜６ｄの端面６０との間に耐湿性に優れる封止
層９を介在させることができる。
れた接合面ＢとＭｇＩｎ等の金属材料からなる信号画素
電極６ａ〜６ｄとの間に十分な距離を確保することがで
きるとともに、ガラス基板８ａ〜８ｄの側面と信号画素
電極６ａ〜６ｄの端面６０との間に耐湿性に優れる封止
層９を介在させることができる。
【００４４】それにより、各小型パネル２ａ〜２ｄの接
合面Ｂの加工時に接合面Ｂから侵入する水分の影響によ
りＭｇＩｎ等の金属材料からなる信号画素電極６ａ〜６
ｄが酸化したり、信号画素電極６ａ〜６ｄが有機ＥＬ発
光層７ａ〜７ｄとの界面で剥離することが防止される。
その結果、信号画素電極６ａ〜６ｄの劣化を低減するこ
とができるとともに、接合面Ｂの加工時における発光部
７０の特性の低下を防止することができる。
合面Ｂの加工時に接合面Ｂから侵入する水分の影響によ
りＭｇＩｎ等の金属材料からなる信号画素電極６ａ〜６
ｄが酸化したり、信号画素電極６ａ〜６ｄが有機ＥＬ発
光層７ａ〜７ｄとの界面で剥離することが防止される。
その結果、信号画素電極６ａ〜６ｄの劣化を低減するこ
とができるとともに、接合面Ｂの加工時における発光部
７０の特性の低下を防止することができる。
【００４５】さらに、有機ＥＬ表示装置１の外観におい
ても、むしろ接合面Ｂの近傍に金属膜が存在しないこと
により、接合部近傍での金属光沢（キラキラ感）をなく
すことができ、接合部近傍での違和感を減らすことがで
きる。その結果、隣接する小型パネル２ａ〜２ｄの接合
部が目立たなくなる。
ても、むしろ接合面Ｂの近傍に金属膜が存在しないこと
により、接合部近傍での金属光沢（キラキラ感）をなく
すことができ、接合部近傍での違和感を減らすことがで
きる。その結果、隣接する小型パネル２ａ〜２ｄの接合
部が目立たなくなる。
【００４６】なお、本実施の形態では、信号画素電極６
ａ〜６ｄの端面６０が接合面Ｂの近傍の走査画素電極５
ａ〜５ｄの側面５０と同じ位置に形成されているが、接
合面Ｂと信号画素電極６ａ〜６ｄの端面６０との間に十
分な距離が確保される場合には、信号画素電極６ａ〜６
ｄの端面６０が走査画素電極５ａ〜５ｄの側面５０から
接合面Ｂ側に越えてもよい。
ａ〜６ｄの端面６０が接合面Ｂの近傍の走査画素電極５
ａ〜５ｄの側面５０と同じ位置に形成されているが、接
合面Ｂと信号画素電極６ａ〜６ｄの端面６０との間に十
分な距離が確保される場合には、信号画素電極６ａ〜６
ｄの端面６０が走査画素電極５ａ〜５ｄの側面５０から
接合面Ｂ側に越えてもよい。
【００４７】次に、図１の有機ＥＬ表示装置１の製造方
法について説明する。図７は図１の有機ＥＬ表示装置１
における小型パネルの接合面の加工方法を示す概略断面
図である。図７には小型パネル２ａの接合面の加工方法
が示されるが、他の小型パネルの接合面の加工方法も同
様である。
法について説明する。図７は図１の有機ＥＬ表示装置１
における小型パネルの接合面の加工方法を示す概略断面
図である。図７には小型パネル２ａの接合面の加工方法
が示されるが、他の小型パネルの接合面の加工方法も同
様である。
【００４８】まず、ガラス基板８ａ上に、ＩＴＯ等の透
明金属酸化物からなる走査画素電極５ａ、有機材料から
なる有機ＥＬ発光層７ａおよびＭｇＩｎ等の金属材料か
らなる信号画素電極６ａを蒸着法により順に形成する。
明金属酸化物からなる走査画素電極５ａ、有機材料から
なる有機ＥＬ発光層７ａおよびＭｇＩｎ等の金属材料か
らなる信号画素電極６ａを蒸着法により順に形成する。
【００４９】信号画素電極６ａの形成の際には、ガラス
基板８ａ上の端に位置する走査画素電極５ａの側面５０
からガラス基板８ａの側辺までの領域をメタルマスク等
を用いて被覆することにより、図２に示したように、走
査画素電極６ａの端面６０が走査画素電極５ａの側面５
０を越えないように蒸着面積を制御する。
基板８ａ上の端に位置する走査画素電極５ａの側面５０
からガラス基板８ａの側辺までの領域をメタルマスク等
を用いて被覆することにより、図２に示したように、走
査画素電極６ａの端面６０が走査画素電極５ａの側面５
０を越えないように蒸着面積を制御する。
【００５０】その後、走査画素電極５ａ、有機ＥＬ発光
層７ａおよび信号画素電極６ａ上に封止層９を形成す
る。このようにして、小型パネル２ａを作製する。同様
にして、他の小型パネル２ｂ〜２ｄを作製する。
層７ａおよび信号画素電極６ａ上に封止層９を形成す
る。このようにして、小型パネル２ａを作製する。同様
にして、他の小型パネル２ｂ〜２ｄを作製する。
【００５１】次に、図７に示すように、ダイシング装置
の刃１１により小型パネル２ａの端部を切断し、接合面
を形成する。その後、小型パネル２ａの接合面を高精度
な貼り合わせが可能なように高精度研磨材で平滑に研磨
仕上げする。高精度研磨材としては、酸化セリウムを用
いる。この場合、発熱を抑制するとともに切削かけらお
よび研磨材を除去するために水を流しながら切断および
研磨を行う。他の小型パネル２ｂ〜２ｄについても同様
に端部の切断および研磨を行う。
の刃１１により小型パネル２ａの端部を切断し、接合面
を形成する。その後、小型パネル２ａの接合面を高精度
な貼り合わせが可能なように高精度研磨材で平滑に研磨
仕上げする。高精度研磨材としては、酸化セリウムを用
いる。この場合、発熱を抑制するとともに切削かけらお
よび研磨材を除去するために水を流しながら切断および
研磨を行う。他の小型パネル２ｂ〜２ｄについても同様
に端部の切断および研磨を行う。
【００５２】さらに、図４および図６に示すように、接
着剤２１を用いて小型パネル２ａ〜２ｄの接合面を接合
するとともに、ガラス基板８ａ〜８ｄの全面を補強用ガ
ラス基板１０に接合する。接着剤２１としては、可視光
の波長領域でガラスの屈折率に近い光学特性を有する紫
外線硬化型接着剤、高分子系接着剤等を用いる。
着剤２１を用いて小型パネル２ａ〜２ｄの接合面を接合
するとともに、ガラス基板８ａ〜８ｄの全面を補強用ガ
ラス基板１０に接合する。接着剤２１としては、可視光
の波長領域でガラスの屈折率に近い光学特性を有する紫
外線硬化型接着剤、高分子系接着剤等を用いる。
【００５３】図８は図１の有機ＥＬ表示装置１における
信号画素電極の端部の加工方法の他の例を示す概略斜視
図である。図８には、走査画素電極５ａおよび有機ＥＬ
発光層７ａは図示していない。
信号画素電極の端部の加工方法の他の例を示す概略斜視
図である。図８には、走査画素電極５ａおよび有機ＥＬ
発光層７ａは図示していない。
【００５４】ガラス基板８ａ上に、ＩＴＯ等の透明金属
酸化物からなる走査画素電極５ａおよび有機材料からな
る有機ＥＬ発光層７ａを形成およびパターニングした
後、図８に示すように、ＭｇＩｎ等の金属材料からなる
信号画素電極６ａをガラス基板８ａの一端から他端まで
形成する。その後、エキシマレーザ２２のレーザビーム
を反射鏡２３、レンズ２４等により構成される光学系を
用いて絞った状態でガラス基板８ａ上の信号画素電極６
ａに照射し、ガラス基板８ａ上の側辺に沿った所定幅の
領域の信号画素電極６ａを除去する。この場合、エキシ
マレーザ２２としては、例えば波長３１０ｎｍのＸｅＣ
ｌエキシマレーザ（パワー密度１００ｍＪ／ｃｍ2 ）等
を用いる。
酸化物からなる走査画素電極５ａおよび有機材料からな
る有機ＥＬ発光層７ａを形成およびパターニングした
後、図８に示すように、ＭｇＩｎ等の金属材料からなる
信号画素電極６ａをガラス基板８ａの一端から他端まで
形成する。その後、エキシマレーザ２２のレーザビーム
を反射鏡２３、レンズ２４等により構成される光学系を
用いて絞った状態でガラス基板８ａ上の信号画素電極６
ａに照射し、ガラス基板８ａ上の側辺に沿った所定幅の
領域の信号画素電極６ａを除去する。この場合、エキシ
マレーザ２２としては、例えば波長３１０ｎｍのＸｅＣ
ｌエキシマレーザ（パワー密度１００ｍＪ／ｃｍ2 ）等
を用いる。
【００５５】このようにして、図２および図６に示した
ように、信号画素電極６ａの端面６０がガラス基板８ａ
上の端に位置する走査画素電極５ａの側面５０を越えな
いように信号画素電極６ａの端部を加工する。
ように、信号画素電極６ａの端面６０がガラス基板８ａ
上の端に位置する走査画素電極５ａの側面５０を越えな
いように信号画素電極６ａの端部を加工する。
【００５６】他の小型パネル２ｂ〜２ｄにおける信号画
素電極６ａの端部の加工方法も、図８に示した小型パネ
ル２ａにおける信号画素電極６ａの端部の加工方法と同
様である。
素電極６ａの端部の加工方法も、図８に示した小型パネ
ル２ａにおける信号画素電極６ａの端部の加工方法と同
様である。
【００５７】その後、走査画素電極５ａ、有機ＥＬ発光
層７ａおよび信号画素電極６ａ上に耐湿性に優れる封止
層９を形成する。
層７ａおよび信号画素電極６ａ上に耐湿性に優れる封止
層９を形成する。
【００５８】図９は小型パネルの他の例を示す模式的断
面図である。図９の例では、小型パネル２ａの表面にも
ガラス基板２５が接合されている。この場合にも、接合
面Ｂ側において信号画素電極６ａの端面６０が接合面Ｂ
の近傍の走査画素電極５ａの側面５０を接合面Ｂ側に越
えないように形成されている。
面図である。図９の例では、小型パネル２ａの表面にも
ガラス基板２５が接合されている。この場合にも、接合
面Ｂ側において信号画素電極６ａの端面６０が接合面Ｂ
の近傍の走査画素電極５ａの側面５０を接合面Ｂ側に越
えないように形成されている。
【００５９】大面積化によりガラス基板の加工長さまた
は加工厚みが増加し、ガラス基板の表面に対して垂直な
接合面を形成することが困難になり、より一層加工条件
が厳しくなるような場合には、図９の例のように、走査
画素電極５ａ、有機ＥＬ発光層７ａ、信号画素電極６ａ
および封止層９が２枚のガラス基板８ａ，２５で挟み込
まれた構造としてもよい。これにより、走査画素電極５
ａ、有機ＥＬ発光層７ａおよび信号画素電極６ａに損傷
を与えることなく、小型パネル２ａを治具で支持しつつ
接合面を加工することができる。
は加工厚みが増加し、ガラス基板の表面に対して垂直な
接合面を形成することが困難になり、より一層加工条件
が厳しくなるような場合には、図９の例のように、走査
画素電極５ａ、有機ＥＬ発光層７ａ、信号画素電極６ａ
および封止層９が２枚のガラス基板８ａ，２５で挟み込
まれた構造としてもよい。これにより、走査画素電極５
ａ、有機ＥＬ発光層７ａおよび信号画素電極６ａに損傷
を与えることなく、小型パネル２ａを治具で支持しつつ
接合面を加工することができる。
【００６０】上記の実施の形態では、パッシブ型有機Ｅ
Ｌ表示装置について説明したが、本発明は、各画素にＴ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）を備えたアクティブ型有機Ｅ
Ｌ表示装置にも同様に適用することができる。
Ｌ表示装置について説明したが、本発明は、各画素にＴ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）を備えたアクティブ型有機Ｅ
Ｌ表示装置にも同様に適用することができる。
【００６１】図１０は本発明の他の実施の形態によるア
クティブ型有機ＥＬ表示装置の構成を示す模式的平面図
である。
クティブ型有機ＥＬ表示装置の構成を示す模式的平面図
である。
【００６２】図１０において、有機ＥＬ表示装置１ａ
は、４枚の小型パネル２ａ〜２ｄを備える。各小型パネ
ル２ａ〜２ｄには、有機ＥＬ発光層からなる複数の発光
部７１が設けられている。各発光部７１には、ＴＦＴが
接続されている。図１０においては、太い実線で示され
る領域にＴＦＴが設けられている。
は、４枚の小型パネル２ａ〜２ｄを備える。各小型パネ
ル２ａ〜２ｄには、有機ＥＬ発光層からなる複数の発光
部７１が設けられている。各発光部７１には、ＴＦＴが
接続されている。図１０においては、太い実線で示され
る領域にＴＦＴが設けられている。
【００６３】各小型パネル２ａ〜２ｄの走査画素電極５
ａ〜５ｄは、ＴＦＴのドレイン電極に接続されている。
ＴＦＴのドレイン電極は発光部７１のホール注入電極に
接続されている。また、各小型パネル２ａ〜２ｄの信号
画素電極６ａ〜６ｄは、ＴＦＴのゲート電極に接続され
ている。
ａ〜５ｄは、ＴＦＴのドレイン電極に接続されている。
ＴＦＴのドレイン電極は発光部７１のホール注入電極に
接続されている。また、各小型パネル２ａ〜２ｄの信号
画素電極６ａ〜６ｄは、ＴＦＴのゲート電極に接続され
ている。
【００６４】本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１ａにお
いても、図１〜図６に示した有機ＥＬ表示装置１と同様
に、信号画素電極６ａ〜６ｄのマスク工程または図８に
示したエキシマレーザ２２を用いた加工により、接合面
Ｂ側において信号画素電極６ａ〜６ｄの端面が接合面Ｂ
の近傍の走査画素電極５ａ〜５ｄの側面を越えないよう
に形成されている。
いても、図１〜図６に示した有機ＥＬ表示装置１と同様
に、信号画素電極６ａ〜６ｄのマスク工程または図８に
示したエキシマレーザ２２を用いた加工により、接合面
Ｂ側において信号画素電極６ａ〜６ｄの端面が接合面Ｂ
の近傍の走査画素電極５ａ〜５ｄの側面を越えないよう
に形成されている。
【００６５】このような構造により、加工により形成さ
れた接合面ＢとＭｇＩｎ等の金属材料からなる信号画素
電極６ａ〜６ｄとの間に十分な距離を確保することがで
きるとともに、ガラス基板８ａ〜８ｄの側面と信号画素
電極６ａ〜６ｄの端面との間に耐湿性に優れる封止層を
介在させることができる。
れた接合面ＢとＭｇＩｎ等の金属材料からなる信号画素
電極６ａ〜６ｄとの間に十分な距離を確保することがで
きるとともに、ガラス基板８ａ〜８ｄの側面と信号画素
電極６ａ〜６ｄの端面との間に耐湿性に優れる封止層を
介在させることができる。
【００６６】それにより、各小型パネル２ａ〜２ｄの接
合面Ｂの加工時に接合面Ｂから侵入する水分の影響によ
りＭｇＩｎ等の金属材料からなる信号画素電極６ａ〜６
ｄが酸化したり、信号画素電極６ａ〜６ｄが有機ＥＬ発
光層７ａ〜７ｄとの界面で剥離することが防止される。
その結果、信号画素電極６ａ〜６ｄの劣化を低減するこ
とができるとともに、接合面Ｂの加工時における発光部
７１の特性の低下を防止することができる。
合面Ｂの加工時に接合面Ｂから侵入する水分の影響によ
りＭｇＩｎ等の金属材料からなる信号画素電極６ａ〜６
ｄが酸化したり、信号画素電極６ａ〜６ｄが有機ＥＬ発
光層７ａ〜７ｄとの界面で剥離することが防止される。
その結果、信号画素電極６ａ〜６ｄの劣化を低減するこ
とができるとともに、接合面Ｂの加工時における発光部
７１の特性の低下を防止することができる。
【００６７】さらに、有機ＥＬ表示装置１ａの外観にお
いても、むしろ接合面Ｂの近傍に金属膜が存在しないこ
とにより、接合部近傍での金属光沢（キラキラ感）をな
くすことができ、接合部近傍での違和感を減らすことが
できる。その結果、隣接する小型パネル２ａ〜２ｄの接
合部が目立たなくなる。
いても、むしろ接合面Ｂの近傍に金属膜が存在しないこ
とにより、接合部近傍での金属光沢（キラキラ感）をな
くすことができ、接合部近傍での違和感を減らすことが
できる。その結果、隣接する小型パネル２ａ〜２ｄの接
合部が目立たなくなる。
【００６８】
【実施例】ここで、実施例および比較例の有機ＥＬ表示
装置を作製し、特性を評価した。実施例の有機ＥＬ表示
装置は図１〜図６に示した構造を有し、比較例の有機Ｅ
Ｌ表示装置は図１１に示す構造を有する。図１１は比較
例の有機ＥＬ表示装置の中央部の概略平面図である。
装置を作製し、特性を評価した。実施例の有機ＥＬ表示
装置は図１〜図６に示した構造を有し、比較例の有機Ｅ
Ｌ表示装置は図１１に示す構造を有する。図１１は比較
例の有機ＥＬ表示装置の中央部の概略平面図である。
【００６９】実施例および比較例の有機ＥＬ表示装置に
おいては、走査画素電極５ａ〜５ｄがＩＴＯからなり、
信号画素電極６ａ〜６ｄがＭｇＩｎからなる。
おいては、走査画素電極５ａ〜５ｄがＩＴＯからなり、
信号画素電極６ａ〜６ｄがＭｇＩｎからなる。
【００７０】図１１に示すように、比較例の有機ＥＬ表
示装置においては、ＭｇＩｎからなる信号画素電極６ａ
〜６ｄが接合面Ｂの近傍の走査画素電極５ａ〜５ｄの側
面５０を越えて接合面Ｂまで延びている。
示装置においては、ＭｇＩｎからなる信号画素電極６ａ
〜６ｄが接合面Ｂの近傍の走査画素電極５ａ〜５ｄの側
面５０を越えて接合面Ｂまで延びている。
【００７１】実施例の有機ＥＬ表示装置においては、加
工により形成される接合面ＢとＭｇＩｎからなる信号画
素電極６ａ〜６ｄの端面６０との間の距離が十分に確保
され、かつガラス基板８ａ〜８ｄの接合面Ｂと信号画素
電極６ａ〜６ｄの端面６０との間に耐湿性に優れる封止
層９が介在することにより、信号画素電極６ａ〜６ｄの
劣化を著しく低減することができるとともに、加工時に
おける発光部７０の特性の低下を防止することができ
た。外観においても、接合面Ｂの近傍に金属材料からな
る信号画素電極６ａ〜６ｄが存在しないことにより、接
合面Ｂの近傍での金属光沢（キラキラ感）が抑制され、
接合面Ｂの近傍での違和感を減らすことができた。その
結果、隣接する小型パネル２ａ〜２ｄの接合部が目立た
なくなった。
工により形成される接合面ＢとＭｇＩｎからなる信号画
素電極６ａ〜６ｄの端面６０との間の距離が十分に確保
され、かつガラス基板８ａ〜８ｄの接合面Ｂと信号画素
電極６ａ〜６ｄの端面６０との間に耐湿性に優れる封止
層９が介在することにより、信号画素電極６ａ〜６ｄの
劣化を著しく低減することができるとともに、加工時に
おける発光部７０の特性の低下を防止することができ
た。外観においても、接合面Ｂの近傍に金属材料からな
る信号画素電極６ａ〜６ｄが存在しないことにより、接
合面Ｂの近傍での金属光沢（キラキラ感）が抑制され、
接合面Ｂの近傍での違和感を減らすことができた。その
結果、隣接する小型パネル２ａ〜２ｄの接合部が目立た
なくなった。
【００７２】これに対して、比較例の有機ＥＬ表示装置
においては、接合面Ｂの加工時に接合面Ｂから発光部に
水分が侵入し、水分の影響によりＭｇＩｎからなる信号
画素電極６ａ〜６ｄが酸化したり、信号画素電極６ａ〜
６ｄが有機ＥＬ発光層７ａ〜７ｄの有機材料との界面で
剥離することにより、ダークスポットが発生した。それ
により、接合面Ｂの近傍の画素において各画素の有効発
光面積が０〜３０％になった。その結果、小型パネル２
ａ〜２ｄの接合部が他の部分に比べて目立ってしまい、
１枚の大型パネルとしての体裁をなさなくなった。
においては、接合面Ｂの加工時に接合面Ｂから発光部に
水分が侵入し、水分の影響によりＭｇＩｎからなる信号
画素電極６ａ〜６ｄが酸化したり、信号画素電極６ａ〜
６ｄが有機ＥＬ発光層７ａ〜７ｄの有機材料との界面で
剥離することにより、ダークスポットが発生した。それ
により、接合面Ｂの近傍の画素において各画素の有効発
光面積が０〜３０％になった。その結果、小型パネル２
ａ〜２ｄの接合部が他の部分に比べて目立ってしまい、
１枚の大型パネルとしての体裁をなさなくなった。
【図１】本発明の一実施の形態によるパッシブ型有機Ｅ
Ｌ表示装置の構成を示す模式的平面図である。
Ｌ表示装置の構成を示す模式的平面図である。
【図２】図１の有機ＥＬ表示装置の中央部の概略平面図
である。
である。
【図３】図２におけるＸ−Ｘ線断面図である。
【図４】図３に示すＣ部の拡大断面図である。
【図５】図２におけるＹ−Ｙ線断面図である。
【図６】図５に示すＤ部の拡大断面図である。
【図７】図１の有機ＥＬ表示装置における小型パネルの
接合面の加工方法を示す概略断面図である。
接合面の加工方法を示す概略断面図である。
【図８】図１の有機ＥＬ表示装置における信号画素電極
の端部の加工方法の他の例を示す概略斜視図である。
の端部の加工方法の他の例を示す概略斜視図である。
【図９】小型パネルの他の例を示す模式的断面図であ
る。
る。
【図１０】本発明の他の実施の形態によるアクティブ型
有機ＥＬ表示装置の構成を示す模式的平面図である。
有機ＥＬ表示装置の構成を示す模式的平面図である。
【図１１】比較例の有機ＥＬ表示装置における中央部の
概略平面図である。
概略平面図である。
１，１ａ 有機ＥＬ表示装置 ２ａ〜２ｄ 小型パネル ３ａ〜３ｄ 走査画素電極用駆動回路 ４ａ〜４ｄ 信号画素電極用駆動回路 ５ａ〜５ｄ 走査画素電極 ６ａ〜６ｄ 信号画素電極 ７ａ〜７ｄ 有機ＥＬ発光層 ８ａ〜８ｄ ガラス基板 ９ 封止層 １０ 補強用ガラス基板 ５０ 側面 ６０ 端面 ７０，７１ 発光部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB13 AB15 BA06 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA02 5C094 AA31 AA60 BA03 BA27 CA19 CA30 DA09 HA08 5G435 AA13 AA14 AA18 BB05 KK05 KK10 LL07 LL08 LL14
Claims (7)
- 【請求項１】 複数の表示パネルを接合して構成される
エレクトロルミネッセンス表示装置であって、 前記複数の表示パネルの各々は、第１の基板上に互いに
交差するように配置された複数の第１の電極層および複
数の第２の電極層を備え、前記複数の第１の電極層と前
記複数の第２の電極層との交差部に発光部が設けられ、
前記複数の第１の電極層は金属酸化物からなり、前記複
数の第２の電極層は金属からなり、前記複数の表示パネ
ルの接合部側において前記複数の第２の電極層の端面が
前記第１の基板の接合部側の側辺から内側に離れて位置
することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装
置。 - 【請求項２】 前記複数の表示パネルの各々は、前記第
１の基板上の前記複数の第１の電極層、前記複数の第２
の電極層および前記発光部を被覆する封止層をさらに備
えたことを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネ
ッセンス表示装置。 - 【請求項３】 前記複数の表示パネルの接合部側におい
て前記複数の第２の電極層の端面が、前記接合部近傍の
前記第１の電極層の外側の側面を前記接合部側に越えな
いことを特徴とする請求項１または２記載のエレクトロ
ルミネッセンス表示装置。 - 【請求項４】 前記発光部は、有機材料または無機材料
からなる発光層を含むことを特徴とする請求項１〜３の
いずれかに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項５】 前記複数の表示パネルの各々は、前記複
数の第１の電極層、前記複数の第２の電極層および前記
発光部を挟み込むように前記第１の基板に対向する第２
の基板をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜４の
いずれかに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項６】 前記複数の表示パネルの各々は、パッシ
ブ型エレクトロルミネッセンス表示パネルまたはアクテ
ィブ型エレクトロルミネッセンス表示パネルであること
を特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のエレクト
ロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項７】 複数の表示パネルを接合して構成される
エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であっ
て、 複数の基板の各々上に互いに交差するように配置された
複数の第１の電極層および複数の第２の電極層を形成す
るとともに前記複数の第１の電極層と前記複数の第２の
電極層との交差部に発光部を設けることにより複数の表
示パネルを形成するステップと、 各表示パネルの端部を加工することにより各表示パネル
に接合面を形成するステップと、 前記複数の表示パネルの接合面を接合するステップとを
備え、 前記複数の表示パネルの接合部側において前記複数の第
２の電極層の端面が前記基板の接合部側の側辺に対して
内側に離れた位置に形成されることを特徴とするエレク
トロルミネッセンス表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000244457A JP2002055633A (ja) | 2000-08-11 | 2000-08-11 | エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
| US09/738,882 US6617785B2 (en) | 1999-12-17 | 2000-12-18 | Electroluminescence display unit and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000244457A JP2002055633A (ja) | 2000-08-11 | 2000-08-11 | エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002055633A true JP2002055633A (ja) | 2002-02-20 |
Family
ID=18735145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000244457A Pending JP2002055633A (ja) | 1999-12-17 | 2000-08-11 | エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002055633A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002103663A1 (en) * | 2001-06-13 | 2002-12-27 | Sony Corporation | Tie-ring type display device, and method of manufacturing the display device |
| JP2006208902A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Seiko Epson Corp | 表示装置、その製造方法、及び電子機器 |
-
2000
- 2000-08-11 JP JP2000244457A patent/JP2002055633A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002103663A1 (en) * | 2001-06-13 | 2002-12-27 | Sony Corporation | Tie-ring type display device, and method of manufacturing the display device |
| JP2006208902A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Seiko Epson Corp | 表示装置、その製造方法、及び電子機器 |
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