JP2002049166A - 電子写真画像形成部材 - Google Patents

電子写真画像形成部材

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JP2002049166A JP2001189134A JP2001189134A JP2002049166A JP 2002049166 A JP2002049166 A JP 2002049166A JP 2001189134 A JP2001189134 A JP 2001189134A JP 2001189134 A JP2001189134 A JP 2001189134A JP 2002049166 A JP2002049166 A JP 2002049166A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高電荷キャリア移動度を示す新規電荷輸送分
子を提供する。 【解決手段】 画像形成部材の電荷輸送層用のアリール
ジアミン電荷輸送分子は、アリールジアミンの窒素原子
間のフェニル基の数を増加させることにより、より高い
移動度を有する。アリールジアミンは、式(X−Ph)
(Y−Ph)−N−(Ph)n−N−(Ph−Y)(P
h−X)を有する。式中、Phはフェニル基を表し、X
は、水素原子または炭素原子数1〜約20のアルキル基
を表し、Yは、水素原子または炭素原子数1〜約20の
アルキル基を表し、nは4以上の整数である。電荷輸送
層は、高分子結合剤にアリールジアミン電荷輸送分子を
分子分散または溶解することにより調製される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、感光体の電荷輸送
層に注入される電荷を前記電荷輸送層を横切って輸送す
る高移動度電荷輸送分子に関する。
【0002】
【従来の技術】電子写真(ゼログラフィーとしても知ら
れている)の技術において、光導電性絶縁層を含む電子
写真画像形成部材は、例えば、コロトロンの使用によ
り、最初に画像形成部材の画像形成表面を均一に静電的
に帯電させることにより画像形成される。その後、画像
形成部材は、光導電性絶縁層の露光領域において電荷を
選択的に散逸させることにより光などの活性化電磁放射
線のパターンに露光される一方で、静電潜像を非露光領
域に残す。その後、静電潜像は、光導電性絶縁層の表面
上に微細エレクトロスコピックマーキング粒子を沈着さ
せることにより可視画像を形成するために現像すること
ができる。
【0003】可撓性画像形成部材を含む層状または複合
画像形成部材は技術上周知である。一つのこうした装置
は、米国特許第4,265,990号に記載されたよう
に、支持層、光電荷発生層および電荷輸送層を含む。も
う一つの層状画像形成部材は、例えば、米国特許第4,
251,612号に記載されたように、基板、上塗りさ
れた正孔注入層、次に上塗りされた輸送層、光電荷発生
層および最後に有機絶縁樹脂の最上コーティングから成
る。
【0004】電荷(または正孔)輸送層は、一般に、高
分子マトリックスに溶解した電荷輸送分子から成り、そ
の層は使用目的のスペクトル領域、例えば、可視光にお
いて実質的に非吸収性である一方で、光電荷発生層から
発生された光電荷の注入を実行できる点で活性でもあ
る。さらに、電荷輸送層は、輸送層の表面への正電荷の
効率的な輸送を見込んでいる。電荷輸送層は、例えば、
連続高分子結合剤に分散されたジアミンなどの正孔輸送
分子を含むことが可能である。
【0005】電荷発生層用の感光顔料および輸送層用の
電荷輸送分子の選択のための設計基準の一つは、光子が
顔料中で電荷を光発生する時、輸送層中の電荷輸送分子
に電荷が効率的に注入されるべきことである。より詳し
くは、顔料から輸送層への注入効率は高いのがよい。第
2の設計基準は、特に画像形成装置における露光工程と
現像工程との間の持続時間より短い短時間に、注入され
た電荷を電荷輸送層を横切って輸送するべきことであ
る。輸送層を横切る移動時間は、輸送層中の電荷キャリ
ア移動度によって決定される。電荷キャリア移動度は、
単位場当たりの速度であり、cm2/V秒の次元を有す
る。電荷キャリア移動度は、一般に、電荷輸送分子の構
造、輸送層中の電荷輸送分子の濃度および電荷輸送分子
を分散させている電気的に「不活性な」結合剤ポリマー
の濃度の関数である。
【0006】従って、多層感光体における重要な特性
は、電荷輸送層中の電荷キャリア移動度である。電荷キ
ャリアは電荷発生層中で発生し、露光工程中に電荷輸送
層に注入される(顔料から電荷輸送層へのキャリアの遅
れた放出が短いことを仮定している)。電荷キャリア移
動度は、露光工程と現像工程との間の時間間隔中に輸送
層を横切って、露光工程中に電荷輸送層に注入された電
荷を移動させるために十分に高くなければならない。
【0007】従って、電荷キャリア移動度は、光注入さ
れたキャリアが輸送層を移動する速度を決定する。一定
露光に対する最大放電または感度を達成するために、光
注入されたキャリアは、感光体の画像状露光領域が現像
ステーションに達する前に輸送層を移動しなければなら
ない。感光体の露光セグメントが現像ステーションに達
する時にキャリアがまだ移動中である範囲で、放電は減
少し、従って現像のために利用できるコントラスト電位
も減少する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】処理量(プリント数/
分)市場が低調になるにつれ、電子写真プリンタは、小
規模部品を採用することにより小型化されてきた。光導
電体(PC)ドラムは、直径20mm程度に小さく、な
お更に小さく小型化されてきた。その傾向は、PCドラ
ムの速度(回転数/分)を高めることによりこれらの小
規模機において処理量を増加させることである。帯電、
露光および現像ステーションがドラムの円周を取り巻い
て設置されるので、露光ステーションと現像ステーショ
ンとの間の時間は、ドラムのrpm(回転速度)を高め
るにつれて短くなる。これらの小直径ドラム高速機用の
輸送層の電荷キャリア移動度は、50重量%の電荷輸送
分子濃度で現在利用できる約10-5cm2/(ボルト
秒)の値より相当に大きくなければならない。輸送層を
横切る電荷キャリアの移動時間および電荷キャリア移動
度は、式、移動時間=(輸送層の厚さ)2/(移動度X
印加電圧)によって互いに関連付けられる。
【0009】より高い電荷キャリア移動能力のために、
結合剤に溶解または分子分散された活性小分子輸送材料
の濃度を高めることが技術上便利である。相分離または
結晶化は、結合剤に分散できる輸送分子の濃度に上限を
設ける。輸送分子の溶解度限界を高める一つの方法は、
輸送分子上に長いアルキル基を結合することである。し
かし、これらのアルキル基は、「不活性」であると共に
電荷を輸送しない。所定濃度の輸送分子の場合、これら
の側鎖は、実際に電荷キャリア移動度を低下させる。電
荷キャリア移動度を低下させる第2の要因は、電荷輸送
分子、それらの側鎖基の双極子含有率(dipole conten
t)および分子を分散させる結合剤の双極子含有率であ
る。
【0010】米国特許第4,780,385号には、負
電荷を受取るようにされた画像形成表面、ジルコニウム
を含む金属接地平面、正孔遮断層、膜形成樹脂結合剤に
分散された光導電性粒子を含む電荷発生層および正孔輸
送層を有する電子写真画像形成部材が記載されている。
電荷輸送層が膜形成結合剤および芳香族アミンを含有で
きることが開示されている。種々の芳香族アミンが記載
されている。
【0011】米国特許第5,053,304号には、単
一画像形成工程から多数の電子写真を複写するために適
する光導電性要素が記載されている。この要素は、好ま
しくは、フタロシアニン染料(die)または顔料を含む
電荷発生層を組み込んでいる。複写方法は、要素へのコ
ロナ帯電(charge)と画像露光の同時利用、その後の要
素の均一照射を含む。その後、受取り材料(receiver)
へのトナー沈着、トナー転写およびトナーの熱定着の同
一工程によって複数のコピーを作製することができる。
感光体は、電荷輸送層、少なくとも一種の芳香族アミン
正孔輸送剤および電気絶縁膜形成有機高分子結合剤、少
なくとも一種の光導電性フタロシアニン材料を含む電荷
発生層、接着剤層、溶媒提供層、電気絶縁層、導電性層
および支持層を含む。芳香族アミン正孔輸送剤は、例え
ば、1,1−ビス(ジ−4−トリルアミノフェニル)シ
クロヘキサンまたはトリ−4−トリアミンと1,1−ビ
ス(ジ−4−トリルアミノフェニル)シクロヘキサンと
の混合物であることが可能である。
【0012】米国特許第4,265,990号には、光
導電性層および電荷輸送層を含む感光部材が記載されて
いる。この電荷輸送層は、ポリカーボネート樹脂および
特定の構造式によって表される一種以上のジアミン化合
物を含む。
【0013】米国特許第4,273,846号には、光
導電性材料の層と一種以上のテルフェニルジアミン化合
物約25〜約75%をその中に分散させた電気不活性ポ
リカーボネート樹脂材料の隣接電荷輸送層とを含む電荷
発生層が記載されている。
【0014】米国特許第4,297,425号には、発
生剤層と、高分子結合剤に分散されたジアミンとトリフ
ェニルメタン分子の混合物を含有する輸送層とを含む層
状感光部材が記載されている。
【0015】米国特許第4,050,935号には、三
方晶セレンの発生剤層および高分子結合剤に分子分散さ
れたビス(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)
フェニルメタンの輸送層を含む層状感光部材が記載され
ている。
【0016】米国特許第4,457,994号には、発
生剤層と、高分子結合剤に分散されたジアミン型分子を
含有する輸送層と、高分子結合剤に分散されたトリフェ
ニルメタン分子を含有する上層とを含む層状感光部材が
記載されている。
【0017】米国特許第4,281,054号には、基
板、注入接点、または基板の上にある正孔注入電極、分
散電気活性材料を含有する電気不活性樹脂を含む電荷輸
送層、電荷発生材料の層および電荷発生材料の上にある
絶縁有機樹脂の層を含む画像形成部材が記載されてい
る。
【0018】米国特許第4,599,286号には、電
荷発生層と、連続高分子結合剤相中の芳香族アミン電荷
輸送分子およびニトロン、イソベンゾフラン、ヒドロキ
シ芳香族化合物およびそれらの混合物から成る群から選
択される化学安定剤を含む電荷輸送層とを含む電子写真
画像形成部材が記載されている。
【0019】米国特許第6,025,102号には、長
鎖アルキルカルボキシレート基を含まない電荷輸送材料
と膜形成結合剤に溶解または分子分散された少なくとも
二個の長鎖アルキルカルボキシレート基を含む少量の異
なる第2の正孔輸送材料とを含む少なくとも一つの画像
形成層が被覆され、低沸点成分を含有する溶媒と小濃度
の高沸点溶媒との混合物から被覆される支持基板を含む
可撓性電子写真画像形成部材が開示されている。長鎖ア
ルキルカルボキシレート基を含まない第1の正孔輸送分
子の例には、第2の異なる輸送材料と混合するための長
鎖アルキルカルボキシレート基を含まない電荷輸送芳香
族アミンが挙げられる。少なくとも二個の長鎖アルキル
カルボキシレート基を含む輸送材料には、例えば、トリ
フェニルメタン、ビス(4−ジエチルアミン−2−メチ
ルフェニル)フェニルメタン、4’,4’’−ビス(ジ
エチルアミノ)−2’,2’’−ジメチルトリフェニル
メタン、N,N’−ビス(アルキルフェニル)−{1,
1’−ビフェニル}4,4’−ジアミン(ここでアルキ
ルは、例えば、メチル、エチル、プロピル、n−ブチル
などである)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス
(クロロフェニル)−{1,1’−ビフェニル}4,
4’−ジアミンおよびN,N’−ジフェニル−N,N’
−ビス(3’’−メチルフェニル)−(1,1’−ビフ
ェニル)4,4’−ジアミンなどが挙げられる。好まし
くは、可撓性電子写真画像形成部材は耐カール裏当て層
を含まず、この画像形成部材は、少なくとも電荷発生層
と、第1の電荷輸送材料および膜形成結合剤に溶解また
は分子分散された少なくとも二個の長鎖アルキルカルボ
キシレート基を含む少量の異なる第2の正孔輸送材料を
含む電荷輸送層とが片側に被覆されず逆側に被覆され、
低沸点成分を含有する溶媒と小濃度の高沸点溶媒との混
合物から被覆される支持基板を含む。
【0020】米国特許第5,725,986号には、基
板、電荷発生層および小分子正孔輸送アリールジアミ
ン、小分子正孔輸送トリトリルアミンおよび膜形成結合
剤を含む電荷輸送層を含む電子写真画像形成部材を形成
する工程と、画像形成部材に近接し間隔を開けて配置さ
れている少なくとも一つの金属裸線を含み電力が供給さ
れるコロナ発生装置を用いて画像形成部材上に均一な静
電荷を沈着させる工程と、静電潜像を形成するために画
像構成において活性化放射線を画像形成部材に露光させ
る工程と、トナー画像を形成するためにマーキング粒子
で潜像を現像する工程と、受取り部材にトナー画像を転
写する工程と、沈着、露光、現像、転写工程を繰り返す
工程と、コロナ発生装置への電力を取去りつつ且つトリ
トリルアミンが小分子正孔輸送アリールジアミンで置き
換えられていればコロナ発生装置の下にある電子写真画
像形成部材の表面領域を導電性にするために十分なエフ
ルエントをコロナ発生装置が放出しつつコロナ発生装置
下で少なくとも15分にわたり画像形成部材を静止させ
る工程と、コロナ発生装置に電力を供給する工程と、沈
着、露光、現像、転写工程を少なくとも一度繰り返す工
程とを含む画像形成方法が記載されている。
【0021】さらに必要とされるものは、電荷輸送層を
横切ってより迅速且つ効率的に電荷を移動させることが
可能なより高い移動度の電荷輸送分子である。
【0022】従って、本発明の目的は、高電荷キャリア
移動度を示す新規電荷輸送分子を提供することである。
本発明の目的はまた、高電荷キャリア移動度を示す電子
写真画像形成部材を提供することである。本発明の目的
はまた、露光と現像との間の時間を短縮することを可能
にすることができるように電荷キャリア移動度を高める
ことである。
【0023】
【課題を解決するための手段】これらおよびその他の目
的は、電荷発生層と、窒素原子間で3個より多いフェニ
ル基を含み、非電荷輸送結合剤ポリマーに溶解または分
子分散されたアリールジアミンの特定のタイプである電
荷輸送分子を含む電荷輸送層とを含む電子写真画像形成
部材を提供することにより本発明によって達成される。
画像形成部材は電子写真画像形成プロセスにおいて用い
ることができる。
【0024】
【発明の実施の形態】特に、より高い電荷キャリア移動
度を有する画像形成部材の電荷輸送層用のアリールジア
ミン電荷輸送分子は、アリールジアミンの窒素原子間の
フェニル基の数を増加させることにより達成される。ア
リールジアミンは、
【化1】 を有し、式中、Phはフェニル基を表し、Xは、水素原
子または炭素原子数1〜約20のアルキル基を表し、Y
は、水素原子または炭素原子数1〜約20のアルキル基
を表し、nは4以上の整数である。電荷輸送層は、高分
子結合剤にアリールジアミン電荷輸送分子を分子分散ま
たは溶解することにより調製される。
【0025】電子写真画像形成部材および該部材を用い
て画像を形成する電子写真法は技術上周知されている。
電子写真画像形成部材は、適するあらゆる技術によって
製造することができる。一般に、可撓性基板または硬質
基板には導電性表面が形成される。その後、電荷発生性
(または発生)層が導電性表面に塗布される。電荷遮断
層は、任意に、電荷発生層の塗布前に導電性表面に塗布
することができる。必要ならば、電荷遮断層と電荷発生
層との間に接着剤層を用いることができる。通常は、電
荷発生層は遮断層上に塗布され、電荷輸送層は電荷発生
層上に形成される。この構造は、電荷輸送層の上に、あ
るいは電荷輸送層の下に電荷発生層を有することが可能
である。
【0026】画像形成部材は、複写機、複製機および印
刷システムなどの電子写真画像形成装置のどのタイプに
おいても用いることができる。これらの複写機、複製機
および印刷システムは、現像しようとする画像を発生さ
せるために、例えば、レーザー、例えば、砒化ガリウム
レーザー、画像バーなどを含む種々の露光手段のどれを
も用いることができる。
【0027】画像形成部材の基板は、不透明または実質
的に透明であることが可能であり、必要な機械的特性を
有する適するあらゆる材料を含むことが可能である。従
って、基板は、無機組成物または有機組成物などの非導
電性材料または導電性材料の層を含むことが可能であ
る。非導電性材料として、薄いウェブとして可撓性であ
るポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミドおよび
ポリウレタンなどを含むこの目的のために知られている
種々の樹脂を挙げることができる。導電性基板は、あら
ゆる金属、例えば、アルミニウム、ニッケル、スチール
および銅など、または炭素および金属粉末などの導電性
物質が充填された上述した高分子材料、あるいは有機導
電性材料であることが可能である。絶縁性基板または導
電性基板は、エンドレス可撓性ベルト、ウェブ、硬質円
筒体およびシートなどの形状をとることが可能である。
【0028】基板層の厚さは、必要な強度および経済的
配慮を含む多くの要素に応じて決まる。従って、ドラム
の場合、この層は、例えば、数センチメートルに至る実
質的厚さまたは1ミリメートル未満の最小厚さの層であ
ることが可能である。同様に、可撓性ベルトは、最終の
電子写真装置に悪い影響を及ぼさないかぎり、例えば、
約250マイクロメートルの実質的厚さまたは50マイ
クロメートル未満の最小厚さのベルトであることが可能
である。
【0029】基板層が導電性でない実施形態において、
導電性コーティングによってその表面を導電性にするこ
とが可能である。導電性コーティングは、光学的透明
性、必要な柔軟度および経済的要素に応じて実質的に広
い範囲にわたって厚さが異なることが可能である。従っ
て、可撓性感光画像形成装置の場合、導電性コーティン
グの厚さは、導電性、可撓性および光の透過性の最適な
組合せのために、約20オングストローム〜約750オ
ングストロームの間、より好ましくは約100オングス
トローム〜約200オングストロームであることが可能
である。可撓性導電性コーティングは、真空蒸着技術ま
たは電着などの適するあらゆるコーティング技術によっ
て基板上に形成される導電性金属層であることが可能で
ある。代表的な金属には、アルミニウム、ジルコニウ
ム、ニオブ、タンタル、バナジウム、ハフニウム、チタ
ン、ニッケル、ステンレススチール、クロム、タングス
テンおよびモリブデンなどが挙げられる。
【0030】また特に非導電性基板を用いる時、導電性
接地平面を用いることができ、接地平面は導電性層とし
て機能する。導電性基板を用いる時、基板は導電性層と
して機能することが可能である。但し、必要ならば導電
性接地平面を形成することもできる。接地平面は、溶液
コーティング、蒸着およびスパッタリングなどの知られ
ているコーティング技術によって塗布することが可能で
ある。導電性接地表面を塗布する好ましい方法は真空蒸
着によるものである。他の適する方法も用いることがで
きる。
【0031】場合によって、特に基板が有機高分子材料
である時、バイエル(Farbenfaabricke
n Bayer A.G.)からMAKROLON(登
録商標)として市販されているポリカーボネート材料、
あるいはグッドイヤー(Goodyear Tire
and Rubber Co.)から市販されているV
itel PE−200などのコポリエステル樹脂など
の耐カール層を基板の裏側に被覆することが望ましいこ
とがある。さらに、本発明の実施形態における耐カール
コーティングは、好ましくは耐カール層の10重量%以
下の量で接着促進剤を含有することが可能である。耐カ
ール層は、シリカなどの摩擦および/または磨耗減少剤
を含有することも可能である。
【0032】任意の正孔遮断層を基板に塗布することが
できる。基板の隣接光導電性層と下にある導電性表面と
の間に正孔に対する電子バリアを形成することが可能な
適するあらゆる従来の遮断層を用いることができる。好
ましい遮断層は、例えば、導電性アノードの加水分解シ
ランと金属酸化物層との間の反応生成物を含むことが可
能である。画像形成部材は、例えば、金属導電性アノー
ド層の金属酸化物層上に約4〜約10の間のpHで加水
分解シランの水溶液のコーティングを沈着させ、反応生
成物層を乾燥してシロキサン膜を形成し、任意の接着剤
層、発生層および電荷輸送層をシロキサン膜に塗布する
ことにより製造することが可能である。代表的な加水分
解性シランには、3−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、(N,N−ジメチル3−アミノ)プロピルトリエト
キシシラン、N,N−ジメチルアミノフェニルトリエト
キシシラン、N−フェニルアミノプロピルトリメトキシ
シラン、トリエトキシシリルプロピルエチレンジアミ
ン、トリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン、ト
リメトキシシリルプロピルジエチレントリアミンおよび
それらの混合物が挙げられる。一般に、薄いコーティン
グを達成するために希釈溶液が好ましい。溶液の全重量
に対して約0.1重量%〜約1.5重量%のシランを含
有する溶液を用いて、満足な反応生成物膜を達成するこ
とができる。加水分解シラン溶液を金属導電性層の金属
酸化物層に塗布するために、適するあらゆる技術を用い
ることが可能である。代表的な塗布技術には、噴霧、浸
漬コーティング、ロールコーティングおよび巻線ロッド
コーティングなどが挙げられる。一般に、満足な結果
は、加水分解シランおよび金属酸化物層の反応生成物が
約20オングストローム〜約2,000オングストロー
ムの間の厚さを有する層を形成する時に達成することが
できる。こうしたシロキサンコーティングは、米国特許
第4,464,450号に記載されている。
【0033】任意の接着剤層を正孔遮断層に塗布するこ
とができる。技術上周知されている適するあらゆる接着
剤層を用いることができる。代表的な接着剤層には、ポ
リエステルであるduPont49,000樹脂(デュ
ポン・ヌムール(E.I.duPont de Nem
ours & Co.)製)、ポリビニルブチラール、
ポリビニルピロリドン、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン
およびポリメチルメタクリレートなどの膜形成ポリマー
が挙げられる。満足な結果は、約0.01マイクロメー
トル(100オングストローム)〜約5マイクロメート
ルの間の接着剤層厚さで達成することができる。電荷遮
断層に接着剤層コーティング混合物を塗布する従来の技
術には、浸漬コーティング、ロールコーティング、巻線
ロッドコーティング、グラビアコーティングおよびBi
rd塗布機コーティングなどが挙げられる。沈着したコ
ーティングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外線乾燥および
空気乾燥などの従来の適するあらゆる技術によって行う
ことができる。
【0034】電荷発生層は、真空蒸発または真空蒸着に
よって作製される、セレン、セレンと砒素、テリリウム
およびゲルマニウムなどの合金、水素添加非晶質シリコ
ンおよびシリコンとゲルマニウム、炭素、酸素および窒
素などの化合物の非晶質膜を含むことが可能である。
【0035】電荷発生層は、膜形成高分子結合剤に分散
されると共に溶媒コーティング技術によって二次加工さ
れる、結晶セレンとその合金、第II〜VI族化合物の
無機顔料、またはキナクリドンなどの有機顔料、ジブロ
モアンタントロン顔料、ペリレンおよびペリノンジアミ
ン、多核芳香族キノンなどの多環式顔料、ビス−、トリ
ス−およびテトラキスアゾなどのアゾ顔料も含むことが
可能である。光発生層には、電荷キャリア輸送層に電気
的に適合する、すなわち、光励起電荷キャリアを輸送層
に効率的に注入できるかぎり、例えば、多くの光導電性
電荷キャリア発生材料が含まれる。
【0036】光吸収性光発生層(すなわち、電荷発生
層)は有機光導電性顔料および/または無機光導電性顔
料を含有することが可能である。代表的な有機光導電性
顔料には、バナジルフタロシアニン、およびヒドロキシ
ガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニ
ン、無金属フタロシアニンなどのその他のフタロシアニ
ン化合物、銅フタロシアニンなどの金属フタロシアニ
ン、例えば、デュポン(DuPont)から商品名Mo
nastral Red、Monastral Vio
letおよびMonastral Red Yで入手で
きる米国特許第3,442,781号において開示され
た置換2,4−ジアミノ−トリアジンなどのキナクリド
ン、ヒドロキシルスクアリリウム顔料、スクアリリウム
化合物などのスクアリン顔料、ピリジニウム化合物、ア
ゾ染料、ジアゾ染料、アントラキノンおよびアライドケ
ミカル(Allied Chemical Corpo
ration)から商品名Indofast Doub
le Scarlet、Indofast Viole
t Lake B、Indofast Brillia
nt ScarletおよびIndofast Ora
ngeで入手できるものなどの多核芳香族キノン、チオ
ピリリウム顔料、ベンズアミダゾールペリレンなどのペ
リレン顔料、キノメリドンまたはそれらの混合物が挙げ
られる。
【0037】代表的な無機感光顔料には、セレン、三方
晶セレン、第IA族元素と第IIA族元素の混合物、A
2Se3、セレン合金、カドミウムセレニド、カドミウ
ムスルホセレニド、銅および塩素ドープカドミウムスル
フィドおよびそれらの混合物が挙げられる。
【0038】適するあらゆる不活性樹脂結合剤材料を発
生層中で用いることができる。代表的な有機高分子膜形
成結合剤には、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリ
アミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリアリールエ
ーテル、ポリアリールスルホン、ポリブタジエン、ポリ
スルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリイミド、ポリメチルペンテン、ポリフ
ェニレンスルフィド、ポリ酢酸ビニル、ポリシロキサ
ン、ポリアクリレート、ポリビニルアセタール、ポリア
ミド、ポリイミド、アミノ樹脂、フェニレンオキシド樹
脂、テレフタル酸樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリスチレンおよびアクリロニト
リルコポリマー、ポリ塩化ビニル、塩化ビニルおよび酢
酸ビニルコポリマー、アクリレートコポリマー、アルキ
ッド樹脂、セルロース膜形成剤、ポリ(アミドイミ
ド)、スチレン−ブタジエンコポリマー、塩化ビニリデ
ン−塩化ビニルコポリマー、酢酸ビニル−塩化ビニリデ
ンコポリマー、スチレン−アルキッド樹脂およびポリビ
ニルカルバゾールなどの熱可塑性樹脂および熱硬化性樹
脂が挙げられる。多くの有機樹脂結合剤は、例えば、米
国特許第3,121,006号および米国特許第4,4
39,507号において開示されている。有機樹脂ポリ
マーは、ブロックコポリマー、ランダムコポリマーまた
は交互コポリマーであることが可能である。
【0039】光導電性組成物および/または顔料ならび
に樹脂結合剤材料を含有する光発生層は、一般に、厚さ
が約0.01マイクロメートル〜約10マイクロメート
ルの範囲であり、好ましくは、約0.2マイクロメート
ル〜約3マイクロメートルの厚さを有する。一般に、こ
の層の最大厚さは、主として機械的な配慮などの要素に
応じて決まる一方で、この層の最小厚さは、例えば、光
発生顔料の顔料粒子サイズおよび光学濃度などに応じて
決まる。これらの範囲外の厚さを選択することが可能で
ある。
【0040】光発生組成物または顔料は、種々の量であ
るが、一般に層の約5重量%〜約90重量%、好ましく
は約10重量%〜約50重量%の量で樹脂結合剤組成物
中に存在する。従って、この実施形態において、樹脂結
合剤は、約95重量%〜約20重量%、好ましくは約9
0重量%〜約50重量%の量で存在する。選択された特
定の特性は発生層の厚さに応じてある程度決まる。
【0041】光発生層コーティング混合物を混合し、そ
の後塗布するために、適する従来のあらゆる技術を用い
ることができる。代表的な塗布技術には、噴霧、浸漬コ
ーティング、ロールコーティング、巻線ロッドコーティ
ングおよび真空昇華などが挙げられる。用途によって、
発生層は、ドットパターンまたはラインパターンで作製
することができる。溶媒被覆層の溶媒の除去は、オーブ
ン乾燥、赤外線乾燥および空気乾燥などの適するあらゆ
る従来技術によって行うことができる。光発生層は、結
合剤がない場合、真空昇華によって作製することも可能
である。
【0042】電荷輸送層は、膜形成電気的不活性ポリマ
ーに溶解または分子分散された電荷輸送アリールジアミ
ン小分子を含む。本願において用いられる「溶解され
た」という用語は、均質相を形成するために小分子をポ
リマーに溶解する溶液を形成するとして本願において定
義される。本願において用いられる「分子分散された」
という用語は、分子規模でポリマーに分散された電荷輸
送アリールジアミンの小分子として定義される。本願に
おいて用いられる電荷輸送「小分子」は、光発生層中で
光発生し、輸送層に注入される自由電荷を輸送層を横切
って輸送することを可能にする材料に関連する。
【0043】アリールジアミン小分子は、以下の構造を
有する。
【0044】
【化2】 式中、Phはフェニル基を表し、Xは、水素原子または
炭素原子数1〜約20のアルキル基を表し、Yは、水素
原子または炭素原子数1〜約20のアルキル基を表し、
nは4以上の整数である。二種以上のこうしたアリール
ジアミン分子の混合分子を電荷輸送層中で用いることが
できる。
【0045】nが2であり、YがHであり、XがCH3
である場合、分子は、現在広く使われている周知のビフ
ェニルジアミン電荷輸送分子である以下のN,N’−ジ
フェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−
(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TP
D)である。
【0046】
【化3】 しかし、本発明者らは、驚くべきことに、nが増加する
につれて電荷キャリア移動度が劇的に増加することを見
出した。例えば、nが3である時、分子は、特に低い電
圧場で電荷輸送層高分子結合剤中の等濃度レベルにおけ
るTPD(n=2)よりも二桁以上高い電荷移動度を有
する。
【0047】本発明者らは、窒素原子間のフェニル基の
数が増加するにつれて電荷キャリア移動度が高まること
を見出した。しかし、本発明者らは、窒素原子間のフェ
ニル基の数が増加するにつれてポリカーボネート中の電
荷キャリアの溶解度が低下することも見出した。従っ
て、窒素原子間でより多い数のフェニル基を含むこれら
の分子の溶解度を高めるために、置換基XおよびYは、
好ましくは、より多い炭素原子数を含むアルキル基であ
る。
【0048】上述したように、nが増加するにつれて、
高分子結合剤中の電荷輸送分子の溶解度が低下する。し
かし、結合剤中で25重量%のみの添加量においてさ
え、n=4の分子は、高分子結合剤中で添加量50重量
%におけるn=3の分子の2倍の電荷移動度を示す。
【0049】より好ましくは、nは好ましくは4以上で
あり、最も好ましくは4〜10の間、例えば、4、5、
6、7、8、9、10、あるいはその中のいずれかの範
囲のどれかに等しい。nが10より大きいことももちろ
ん可能である。但し、上述した通り、電荷輸送層高分子
結合剤中の分子の溶解度はnが大きくなればなるほど低
下する。これは、前述したように炭素原子数がより多
い、例えば、炭素原子数約5〜約20のアルキル基をも
つXまたはYによってある程度埋め合わせることが可能
である。
【0050】本発明の適するアリールジアミンには、テ
トラフェニルジアミン
【化4】 が含まれる。
【0051】輸送層中のアリールジアミン電荷輸送分子
の濃度は、乾いた輸送層中の電荷輸送成分の全重量に対
して例えば、約10〜約80重量%の間、好ましくは約
10〜約70重量%の間、最も好ましくは約10〜約5
0重量%の間であることが可能である。乾いた輸送層中
の全小分子正孔輸送分子の比率が約10重量%未満であ
る時、層の電荷輸送特性は、画像露光領域中の表面電圧
が露光ステーションおよび現像ステーションの持続時間
内に減少しないように低下し、従って現像は起きない。
輸送層中の全小分子電荷輸送材料の比率が乾いた上被覆
層の全重量に対して約80重量%を超える時、結晶化が
起きる可能性があり、よって残留サイクルアップ(cycl
e-up)の原因になる。膜の機械的特性も不都合に劣化し
うるので、表面割れおよび層の互いからの離層の原因に
なる。こうした劣化は、装置の有効寿命を大幅に短縮す
る。20mm以下のドラムを用い高速で運転される機械
における用途の場合、10-5cm2/(ボルト秒)を超
える電荷キャリア移動度が必要である。
【0052】前述したように、有用な画像形成部材は、
露光工程中に輸送層に供給された電荷が露光工程と現像
工程との間の時間間隔内で輸送層を横切るように設計し
なければならない。これは、電圧がより低い、従って電
荷キャリア速度(移動度と電場の積である)がより低い
場合、特に装置のPhoto−Induced Dis
charge Characteristic(PID
C、それは画像形成部材の感度曲線である)のテールエ
ンドにおいて電荷キャリア移動度に下限を設ける。
【0053】より高い処理量の画像形成装置(例えば、
複写機)に対する要求が高まり続けており、これにはよ
り高い運転速度を必要とし、それは次に、より高い移動
度の電荷輸送分子を必要とする。本発明の電荷輸送分子
はこの高まった要求を満足させる。
【0054】本発明の高移動度電荷輸送分子のもう一つ
の利点は、より高い移動度の結果として電荷輸送ポリマ
ー結合剤中で分子をより低い濃度で使用できることであ
る。これは、分子の濃度レベルが高まると移動度が高ま
り、従って、例えば、TPD輸送分子を用いる従来の画
像形成部材と比べて、より低い濃度でさえ、より高い移
動度を達成できるからである。これは次に、より高い電
荷輸送分子濃度が技術上理解されるように画像形成部材
のより高い磨耗速度の原因になるので画像形成部材の磨
耗速度を低下させる利点を有し、従って、より低い電荷
輸送分子濃度で運転できることは極めて有利である。
【0055】従って、本発明は、より低い電荷輸送分子
濃度でのより高い移動度、より低い単位製造コスト、特
により低い電圧場におけるより高い処理量およびより小
さい規模、例えば、より小さい直径のドラムの面で改善
された装置性能、および改善された感光体の磨耗を達成
する利点を有する。
【0056】適するあらゆる電気的不活性高分子膜形成
樹脂結合剤を電荷輸送層中で用いることができる。不活
性高絶縁樹脂結合剤は、光発生層からの正孔の注入を支
持することが必ずしも可能ではない材料であり、この材
料を通してこれらの正孔の輸送を可能にすることができ
ない。代表的な不活性樹脂結合剤には、例えば、Mal
rolon、MarlonおよびLexanとして市販
されているポリカーボネート、ポリエステル、ポリスチ
レン、ポリアリレート、ポリアクリレート、ポリエーテ
ル、ポリスルホンおよびそれらの混合物などが挙げられ
る。重量平均分子量は異なることが可能であり、例え
ば、約8,000〜約1,500,000、好ましくは
20,000〜150,000であることが可能であ
る。電荷輸送層中で電気的不活性分子を分散させるため
に一般に用いられる電気的不活性高分子結合剤には、ポ
リ(2,2’−メチル−4,4’−イソプロピリデンジ
フェニレン)カーボネート(ビスフェノールC−ポリカ
ーボネートとも呼ばれる)、ポリ(4,4’−イソプロ
ピリデンジフェニレン)カーボネート(ビスフェノール
A−ポリカーボネートとも呼ばれる)およびポリ(4,
4’−ジフェニル−1,1’−シクロヘキサンカーボネ
ート)(ビスフェノールZ−ポリカーボネートとも呼ば
れる)が挙げられる。
【0057】画像形成部材の電荷輸送層は、別の添加
剤、例えば酸化防止剤などを含有することも可能であ
る。
【0058】画像形成部材に電荷輸送コーティング混合
物を混合し、その後塗布するために、適する従来のあら
ゆる技術を用いることができる。代表的な塗布技術に
は、噴霧コーティング、浸漬コーティング、ロールコー
ティングおよび巻線ロッドコーティングなどが挙げられ
る。塩化メチレン、トルエンおよびモノクロロベンゼン
などのコーティング溶媒を電荷輸送層の形成において用
いることができる。沈着したコーティングの乾燥は、オ
ーブン乾燥、赤外線乾燥および空気乾燥などの適する従
来のあらゆる技術によって行うことができる。
【0059】電荷輸送層は、感光体の画像形成表面上へ
の静電潜像の形成および保持を妨げるために十分な速度
において照射の存在しない状態で、感光体の画像形成表
面上に置かれた静電荷を伝導しないし放電しない範囲で
絶縁体であるべきである。換言すると、電荷輸送層は、
使用目的の領域において可視光または可視線に対して実
質的に非吸収性であるが、光導電性層、すなわち電荷発
生層からの光発生正孔の注入を可能にする点で電気的に
「活性」であると共に、活性層の表面上の表面電荷を選
択的に放電するために電荷輸送層を通してこれらの正孔
を輸送することを可能にする。
【0060】電荷輸送層の厚さは、一般に約10〜約5
0マイクロメートルの間であるが、この範囲外の厚さも
用いることができる。一般に、電荷輸送層対電荷発生層
の厚さの比は、好ましくは、約2:1〜約200:1
で、場合によって約400:1程に大きく維持される。
【0061】耐磨耗性を改善するために、任意に上被覆
層も用いることができる。これらの上被覆層は、電気的
絶縁性または若干半導電性である有機ポリマーまたは無
機ポリマーを含むことが可能である。上被覆層は、一般
に、厚さが約0.05〜約10マイクロメートルの範囲
であり、好ましくは、約0.2〜約5マイクロメートル
の厚さを有すると共に、輸送層および/または光発生層
中に含まれる材料の紫外線劣化を最小にするために紫外
線を吸収することが可能な材料を含む。この上被覆層は
感光装置のための保護層として機能することも可能であ
る。
【0062】本願において記載された光導電性画像形成
部材を電子写真画像形成装置として、従来から知られて
いるものなどの種々の画像形成システムに組み込むこと
が可能である。さらに、本発明の画像形成部材を可視
光、近赤外光および/または赤外光を用いる画像形成お
よび印刷システムのために選択することが可能である。
この実施形態において、感光装置は、負または正に帯電
し、ソリッドステートレーザー(layer)、例えば砒化
物型レーザーによって逐次または同時に発生するような
約700〜約900、好ましくは740〜800ナノメ
ートルの波長を有する光に露光し、その後、生じた画像
を現像し、トランスペアレンシまたは紙などのプリント
基板に転写することが可能である。さらに、本発明の画
像形成部材は、可視光を用いる画像形成および印刷シス
テムのために選択することができる。この実施形態にお
いて、感光装置は、負または正に帯電し、約400〜約
700ナノメートルの波長を有する光に露光し、その
後、知られているトナーを用いて現像し、続いて、プリ
ント基板上に画像を転写し定着させることが可能であ
る。
【0063】本発明はまた、本願において開示された光
導電性画像形成部材を用いて画像を発生させる方法を包
含する。本方法は、一般に、例えば、コロトロン、ジコ
ロトロン、スコロトロン、ピン帯電装置またはバイアス
帯電ロール(BCR)などのコロナ帯電装置を用いて最
初に画像形成部材を帯電させる工程を含む。その後、静
電画像は、前述したような静電画像形成装置によって光
導電性画像形成部材上に生じる。その後、静電画像は、
一つ以上の現像ステーションで知られている現像装置に
よって現像され、現像ステーションは、例えば、樹脂粒
子、顔料粒子、電荷制御剤およびキャリア粒子などを含
む添加剤から成る組成物などの現像剤組成物を用いる。
米国特許第4,558,108号、第4,560,53
5号、第3,590,000号、第4,264,672
号、第3,900,588号および第3,849,18
2号を参照すること。現像された静電画像は、その後、
画像転写ステーションで紙またはトランスペアレンシな
どの適するプリント基板に転写されると共に、基板に固
定される。画像の現像は、カスケード、タッチダウン、
パウダークラウドおよび磁気ブラシなどの多くの方法に
よって達成することができる。
【0064】現像された画像は、コロトロンまたはバイ
アスロールが選択される方法を含む適するあらゆる方法
によってプリント基板に転写することが可能である。定
着工程は、フラッシュ融着、熱融着、圧力融着および蒸
気融着などの適するあらゆる方法によって実施すること
ができる。
【0065】画像形成部材表面からの現像画像の転写後
に、画像形成部材は、好ましくは、後続画像または次の
画像の現像のために帯電させる前に表面上に残っている
一切の残留現像剤を除去され、一切の残留静電荷も除去
される。
【0066】
【実施例】比較例I N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス{3−メチルフ
ェニル}−1,4−フェニレンジアミンの調製 メカニカルスターラーを装備しアルゴンでパージされた
250ミリリットル三口丸底フラスコに、3−メチルフ
ェニルフェニルアミン14.6g(0.08モル)、
1,4−ジヨードベンゼン6.6g(0.02モル)、
水酸化カリウム9g(0.16モル)、銅粉末6gおよ
びSoltrol(登録商標)170またはIsopa
r M(登録商標)炭化水素12ミリリットルを投入し
た。混合物を165℃の油浴内で攪拌しながら4時間に
わたり加熱した。200ミリリットルのオクタンの添加
によって生成物を単離し、高温で濾過して無機固体を除
去した。冷却すると生成物は晶出し、それを濾過によっ
て単離した。アルミナで処理すると、約81%の収率で
純粋なN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス{3−メ
チルフェニル}−1,4−フェニレンジアミンが生じ
た。この分子(#1)の構造は
【化5】 である。
【0067】比較例II N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス{3−メチルフ
ェニル}{1,1’−ビフェニル}−4,4’−ジアミ
ン(TPD)の調製 アルゴンでパージされコンデンサおよびメカニカルスタ
ーラーを装備した500ミリリットル三口丸底フラスコ
に、4,4’−ジヨードビフェニル81.2g(0.2
モル)、3−メチルフェニルフェニルアミン146.4
g(0.8モル)、KOHフレーク89.6g(1.6
モル)および銅粉末80g(1.0モル)を投入した。
フレークを165℃の油浴に浸漬し、二相溶融物を3時
間にわたり攪拌した。熱い(140℃)Soltrol
(登録商標)170を添加し、無機固体を真空濾過によ
って分離した。冷却すると生成物は濾液から晶出し、そ
れを濾過によって収率89%で単離した。1リットルの
Soltrol(登録商標)170中で150℃におい
て6時間にわたりアルゴン雰囲気で中性アルミナ(10
g)を用いて生成物をスラリーにすることにより精製を
実行した。高温濾過によってアルミナを除去し、冷却す
ると生成物は濾液から晶出した。総合的な収率は85%
であった。この分子(#2)の構造は
【化6】 である。
【0068】比較例III テルフェニルジアミンの調製 メカニカルスターラーを装備しアルゴンでパージされた
250ミリリットル三口丸底フラスコに、3−メチル−
4’’−(1−ブチル)ジフェニルアミン14.3g
(0.06モル)、4,4’’−ジヨードテルフェニル
9.6g(0.02モル)、炭酸カリウム15g(0.
11モル)、銅ブロンズ10gおよびSoltrol
(登録商標)170またはIsopar M(登録商
標)炭化水素50ミリリットルを投入した。混合物を2
10℃で18時間にわたり加熱した。200ミリリット
ルのオクタンの添加によって生成物を単離し、高温で濾
過して無機固体を除去した。冷却すると生成物は晶出
し、それを濾過によって単離した。アルミナで処理する
と、約75%の収率で純粋なN,N’−ビス(3−メチ
ルフェニル)−N,N’−ビス(4−n−ブチルフェニ
ル)(p−テルフェニル)−4,4’−ジアミンが生じ
た。この分子(#3)の構造は
【化7】 である。
【0069】実施例IV クアトラフェニルアミンの調製 メカニカルスターラーを装備しアルゴンでパージされた
250ミリリットル三口丸底フラスコに、N−(4−n
−ドデシルフェニル)−N−(3−メチルフェニル)ア
ミン21g(0.06モル)、4,4’’−ジヨードク
アトラフェニル11.2g(0.02モル)、炭酸カリ
ウム15g(0.11モル)、銅ブロンズ10gおよび
Soltrol(登録商標)170またはIsopar
M(登録商標)炭化水素50ミリリットルを投入し
た。混合物を210℃で18時間にわたり加熱した。2
00ミリリットルのオクタンの添加によって生成物を単
離し、高温で濾過して無機固体を除去した。冷却すると
生成物は晶出し、それを濾過によって単離した。アルミ
ナで処理すると、約60%の収率で純粋なN,N’−ビ
ス(3−メチルフェニル)−N,N’−ビス(4−n−
ドデシルフェニル)(p−クアトラフェニル)−4,
4’’’−ジアミンの無色結晶が生じた。この結晶の融
点は185〜187℃であった。この分子(#4)の構
造は
【化8】 である。
【0070】比較例V N−(4−n−ブチルフェニル)−N−(4−t−ブチ
ルフェニル)アミン
【化9】 を用いる出発化合物 N,N’−ビス(4−n−ブチルフェニル)−N,N’
−ビス(4−t−ブチルフェニル)−1,4−フェニレ
ンジアミン(分子#5)の調製 比較例Iと同じ装置および条件を以下の投入物と共に用
いた。ジヨードベンゼン16.5g(0.05モル)、
N−(4−n−ブチルフェニル)−N−(4−t−ブチ
ルフェニル)アミン33g(0.12モル)、水酸化カ
リウム22.4g(0.4モル)、銅粉末5gおよびI
sopar M(登録商標)25ミリリットル。融点1
34〜135℃の無色生成物として目的製品を得た。そ
の構造は
【化10】 である。
【0071】比較例VI N,N’−ビス(4−n−ブチルフェニル)−N,N’
−ビス(4−t−ブチルフェニル)−(1,1’−ビフ
ェニル)−4,4’−ジアミン(分子#6)の調製 比較例IIと同じ装置および条件を以下の投入物と共に
用いた。4,4’−ジヨードビフェニル20.2g
(0.05モル)、N−(4−n−ブチルフェニル)−
N−(4−t−ブチルフェニル)アミン33g(0.1
2モル)、水酸化カリウム22.4g(0.4モル)、
銅粉末5gおよびIsopar M(登録商標)25ミ
リリットル。融点190〜192℃の無色生成物として
目的製品を得た。その構造は
【化11】 である。
【0072】比較例VII N,N’−ビス(4−n−ブチルフェニル)−N,N’
−ビス(4−t−ブチルフェニル)−(p−テルフェニ
ル)−4,4’’−ジアミン(分子#7)の調製 比較例IIIと同じ装置および条件を以下の投入物と共
に用いた。4,4’’−ジヨードビフェニル48g
(0.1モル)、N−(4−n−ブチルフェニル)−N
−(4−t−ブチルフェニル)アミン66g(0.24
モル)、水酸化カリウム44.8g(0.8モル)、銅
粉末10gおよびIsopar M(登録商標)50ミ
リリットル。融点184〜186℃の淡黄色生成物とし
て目的製品を得た。その構造は
【化12】 である。
【0073】実施例VIII N,N’−ビス(4−n−ブチルフェニル)−N,N’
−ビス(4−t−ブチルフェニル)−(p−クアトラフ
ェニル)−4,4’’’−ジアミン(分子#8)の調製 実施例IVと同じ装置および条件を以下の投入物と共に
用いた。4,4’’’−ジヨードクアトラフェニル19
g(0.034モル)、N−(4−n−ブチルフェニ
ル)−N−(4−t−ブチルフェニル)アミン29g
(0.102モル)、水酸化カリウム16g(0.29
モル)、銅粉末4gおよびIsopar M(登録商
標)20ミリリットル。融点132〜134℃の黄色生
成物として目的製品を得た。その構造は
【化13】 である。
【0074】実施例IX ポリエチレンテレフタレートフィルム上に真空蒸着チタ
ン層を含む基板上に従来の技術を用いてコーティングを
形成することにより幾つかの感光体を製造した。チタン
層上に形成された第1のコーティングは、厚さ0.00
5マイクロメートル(50オングストローム)の加水分
解ガンマアミノプロピルトリエトキシシランから形成さ
れたシロキサンバリア層であった。3−アミノプロピル
トリエトキシシラン(フロリダ州のピーシーアールリサ
ーチセンター(PCR Reseach Center
Chemicals)製)を1:50体積比でエタノ
ールと混合することによりバリア層コーティング組成物
を調製した。多間隙フィルム塗布機によりコーティング
組成物を塗布して、湿り厚さ0.5ミルのコーティング
を形成させた。その後、コーティングを放置して室温で
5分にわたり乾燥し、その後、強制空気炉内で110℃
において10分にわたり硬化させた。第2のコーティン
グは、厚さ0.005マイクロメートル(50オングス
トローム)のポリエステル樹脂(49,000、デュポ
ン・ヌムール(E.I.duPontde Nemou
rs & Co.)製)の接着剤層であった。0.5ミ
ルバーを用いて第2のコーティング組成物を塗布し、生
じたコーティングを強制空気炉内で10分にわたり硬化
させた。この接着剤界面層には、その後、ヒドロキシガ
リウムフタロシアニン40体積%およびMw11,00
0のスチレン(82%)/4−ビニルピリジン(18
%)のブロックコポリマー60体積%を含有する光発生
層を被覆した。42mlのトリエンにスチレン(82
%)/4−ビニルピリジンのブロックコポリマー1.5
gを溶解することにより光発生コーティング組成物を調
製した。ヒドロキシガリウムフタロシアニン1.33g
および直径1/8インチのステンレススチール散弾30
0gをこの溶液に添加した。その後、この混合物をボー
ルミルに20時間にわたり入れた。その後、生じたスラ
リーをBird塗布機で接着界面に塗布して、湿り厚さ
0.25ミルの層を形成させた。この層を強制空気炉内
で135℃において5分にわたり乾燥して、乾燥厚さ
0.4マイクロメートルの光発生層を形成させた。
【0075】実施例X 四つの輸送層を実施例IXの発生層上に被覆した。四つ
の輸送層を被覆するために用いられた4種の分子は、
(1)N,N’−ビス(4−n−ブチルフェニル)−
N,N’−ビス(4−t−ブチルフェニル)−1,4−
フェニレンジアミン(分子#5)、(2)N,N’−ビ
ス(4−n−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(4−
t−ブチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−
4,4’−ジアミン(分子#6)、(3)N,N’−ビ
ス(4−n−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(4−
t−ブチルフェニル)−(p−テルフェニル)−4,
4’’−ジアミン(分子#7)、(4)N,N’−ビス
(4−n−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(4−t
−ブチルフェニル)−(p−クアテラフェニル)−4,
4’’’−ジアミン(分子#8)であった。Birdコ
ーティング塗布機を用いて、塩化メチレン溶媒35gに
溶解されたポリカーボネート樹脂(バイエル(Farb
enfabricken Bayer A.G.)から
Makrolon Rとして入手できるポリ(4,4’
−イソプロピリデン−ジフェニレンカーボネート))3
gおよび前記分子1gを含有する溶液を塗布することに
より輸送層を形成させた。被覆された装置を強制空気炉
内で80℃において30分にわたり乾燥して、厚さ25
マイクロメートルの乾いた電荷輸送層を形成させた。
【0076】実施例XI 半透明の金電極を実施例Xの四つの装置上に真空蒸着し
た。電極付き装置の各一つを電源および電流測定抵抗を
含む電気回路内で接続する。フライト技術の時間によっ
てキャリアの移動時間を測定する。金電極を負にバイア
スし、装置を短い光フラッシュに露光することによりこ
れを実行する。発生層中で光発生した正孔を輸送層を通
して注入し移動させる。一面の正孔の移動に起因する電
流をオシロスコープ上で時間分解し表示する。電流パル
スは、後で急激に減少するフラット部分から成る。フラ
ット部分は輸送層を通した一面の正孔の移動に起因す
る。電流の急激な低下は、負電極への正孔の到着の表れ
である。移動時間から、キャリアの速度を次の関係によ
って計算する。速度=輸送層厚さを移動時間で除したも
の。正孔移動度は、次の関係により速度に関連づけられ
る。速度=(移動度)X(電場) 分子ID 低場移動度 #5 4.5X10-9 #6 4X10-8 #7 5X10-7 #8 9X10-7 窒素原子間のフェニル基の数が増加するにつれて、移動
度(単位cm2/(ボルト秒)の一貫した増加を得た。
窒素原子間で1、2、3および4個のフェニル基を含む
四種の分子の中で、窒素間に四個のフェニル基をもつ分
子で最高の移動度を得た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マーカス アール シルベストリ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 フェア ポート クラークス クロッシング 29 (72)発明者 ティモシー ジェイ フラー アメリカ合衆国 ニューヨーク州 ピッツ フォード レイルロード ミルス ロード 67 (72)発明者 アンドロニク イオアニーディス アメリカ合衆国 ニューヨーク州 ウェブ スター カントリー マナー ウェイ 144 Fターム(参考) 2H068 AA20 AA34 AA35 AA41 BA12 4H006 AA03 AB76 AB91

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導電性層と、任意の電荷遮断層と、任意
    の接着剤層と、電荷発生層と、 式(X−Ph)(Y−Ph)−N−(Ph)n−N−(Ph−Y)(Ph−X) (式中、Phはフェニル基を表し、Xは、水素原子また
    は炭素原子数1〜約20のアルキル基を表し、Yは、水
    素原子または炭素原子数1〜約20のアルキル基を表
    し、nは4以上の整数である)を有し、高分子結合剤に
    分子分散または溶解しているアリールジアミンを含む電
    荷輸送分子を含む電荷輸送層と、を含む電子写真画像形
    成部材。
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