JP2002042583A - 酸化物透明導電性薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化物透明導電性薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JP2002042583A JP2002042583A JP2000226627A JP2000226627A JP2002042583A JP 2002042583 A JP2002042583 A JP 2002042583A JP 2000226627 A JP2000226627 A JP 2000226627A JP 2000226627 A JP2000226627 A JP 2000226627A JP 2002042583 A JP2002042583 A JP 2002042583A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- transparent conductive
- polymer
- oxide
- ligand
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高価な真空装置や厳密な製造条件の制御を必要
とすることなく組成制御が可能な酸化物透明導電性薄膜
の製造方法を提供する。 【解決手段】 高分子重合体配位子が金属に配位されて
なる高分子金属錯体の溶液を基板に塗布し、その塗膜を
焼成する金属酸化物薄膜の製造方法である。
とすることなく組成制御が可能な酸化物透明導電性薄膜
の製造方法を提供する。 【解決手段】 高分子重合体配位子が金属に配位されて
なる高分子金属錯体の溶液を基板に塗布し、その塗膜を
焼成する金属酸化物薄膜の製造方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高分子重合体配位
子を用いた酸化物透明導電性薄膜の製造方法に関する。
特に高分子重合体配位子を金属に配位した高分子金属錯
体の溶液を塗布し、焼成することを特徴とする製造方法
であり、アミノ基を有する高分子重合体とカルボニル基
を有する化合物との反応生成物または、β−ジケトン基
を有する高分子重合体を金属に配位した高分子金属錯体
を用いた酸化物透明導電性薄膜の製造方法に関する。
子を用いた酸化物透明導電性薄膜の製造方法に関する。
特に高分子重合体配位子を金属に配位した高分子金属錯
体の溶液を塗布し、焼成することを特徴とする製造方法
であり、アミノ基を有する高分子重合体とカルボニル基
を有する化合物との反応生成物または、β−ジケトン基
を有する高分子重合体を金属に配位した高分子金属錯体
を用いた酸化物透明導電性薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】透明導電性薄膜の製造方法には種々の方法
があり、「透明導電膜の技術」((株)オーム社、日本学
術振興会、透明酸化物光・電子材料第１６６委員会偏、
１９９９年３月第１版発行)に詳しくまとめられてい
る。代表的な薄膜の製造方法としては、スパッタリング
法（ＤＣ、ＤＣマグネトロン、ＲＦ）、真空蒸着法(電
子ビーム加熱法、抵抗加熱法)、イオンプレーティング
法、スプレー法、ディップ法、ＣＶＤ法などの方法があ
る。
があり、「透明導電膜の技術」((株)オーム社、日本学
術振興会、透明酸化物光・電子材料第１６６委員会偏、
１９９９年３月第１版発行)に詳しくまとめられてい
る。代表的な薄膜の製造方法としては、スパッタリング
法（ＤＣ、ＤＣマグネトロン、ＲＦ）、真空蒸着法(電
子ビーム加熱法、抵抗加熱法)、イオンプレーティング
法、スプレー法、ディップ法、ＣＶＤ法などの方法があ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしこれらの各方法
では、真空設備などの大掛かりな設備が必要であり設備
投資が必要なものや、適当な蒸気圧を持つ物質がないた
めに酸化物透明導電性薄膜の作製法としては実用化には
問題がある。さらに、スパッタリング等の物理的作製法
で成膜した酸化物透明導電性薄膜の中でも、スパッタリ
ング法で成膜したものは膜性能がよいが、高性能を出す
ためにはスパッタリング中の酸素分圧、基板温度、放電
方式（ＤＣまたはＲＦ）によって膜性能が左右され、製
造条件に厳密な組成制御が必要となる。
では、真空設備などの大掛かりな設備が必要であり設備
投資が必要なものや、適当な蒸気圧を持つ物質がないた
めに酸化物透明導電性薄膜の作製法としては実用化には
問題がある。さらに、スパッタリング等の物理的作製法
で成膜した酸化物透明導電性薄膜の中でも、スパッタリ
ング法で成膜したものは膜性能がよいが、高性能を出す
ためにはスパッタリング中の酸素分圧、基板温度、放電
方式（ＤＣまたはＲＦ）によって膜性能が左右され、製
造条件に厳密な組成制御が必要となる。
【０００４】そこで本発明の目的は、高価な真空装置や
厳密な製造条件の制御を必要とすることなく組成制御が
可能な酸化物透明導電性薄膜の作製方法を提供すること
にある。
厳密な製造条件の制御を必要とすることなく組成制御が
可能な酸化物透明導電性薄膜の作製方法を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を解
決すべく種々検討した結果、高分子重合体配位子を金属
に配位した高分子金属錯体の溶液を塗布し、その塗膜を
焼成することを特徴とする酸化物透明導電性薄膜の製造
方法を見いだした。
決すべく種々検討した結果、高分子重合体配位子を金属
に配位した高分子金属錯体の溶液を塗布し、その塗膜を
焼成することを特徴とする酸化物透明導電性薄膜の製造
方法を見いだした。
【０００６】すなわち本発明の金属酸化物薄膜の製造方
法は、下記（１）〜（９）により達成することができ
る。 （１） 高分子重合体配位子が金属に配位されてなる高
分子金属錯体の溶液を基板に塗布し、その塗膜を焼成す
ることを特徴とする酸化物透明導電性薄膜の製造方法。 （２） 高分子重合体配位子と有機化合物配位子とが金
属に配位されてなる高分子金属錯体の溶液を基板に塗布
し、その塗膜を焼成することを特徴とする酸化物透明導
電性薄膜の製造方法。 （３） 前記高分子重合体配位子が、アミノ基を有する
高分子重合体とカルボニル基を有する化合物との反応生
成物であることを特徴とする（１）または（２）に記載
の酸化物透明導電性薄膜の製造方法。 （４） 前記高分子重合体配位子が、β−ジケトン基を
有する高分子重合体であることを特徴とする（１）また
は（２）に記載の酸化物透明導電性薄膜の製造方法。 （５） 前記酸化物透明導電性薄膜が感光性有機基を有
する高分子配位子及び／または有機配位子を有すること
を特徴とする（１）または（２）に記載の酸化物透明導
電性薄膜の製造方法。 （６） 前記酸化物透明導電性薄膜を構成する酸化物
が、酸化インジウム、酸化インジウム−酸化スズ固溶
体、酸化インジウム−酸化亜鉛固溶体のいずれかである
ことを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の酸
化物透明導電性薄膜の製造方法。 （７） 前記酸化物透明導電性薄膜を構成する酸化物
が、酸化スズであることを特徴とする（１）〜（５）の
いずれかに記載の酸化物透明導電性薄膜の製造方法。 （８） 前記酸化物透明導電性薄膜を構成する酸化物
が、酸化亜鉛であることを特徴とする（１）〜（５）の
いずれかに記載の酸化物透明導電性薄膜の製造方法。 （９） 前記酸化物透明導電性薄膜の膜厚が10Å〜10μ
mの範囲であることを特徴とする（１）〜（８）のいず
れかに記載の酸化物透明導電性薄膜の製造方法。
法は、下記（１）〜（９）により達成することができ
る。 （１） 高分子重合体配位子が金属に配位されてなる高
分子金属錯体の溶液を基板に塗布し、その塗膜を焼成す
ることを特徴とする酸化物透明導電性薄膜の製造方法。 （２） 高分子重合体配位子と有機化合物配位子とが金
属に配位されてなる高分子金属錯体の溶液を基板に塗布
し、その塗膜を焼成することを特徴とする酸化物透明導
電性薄膜の製造方法。 （３） 前記高分子重合体配位子が、アミノ基を有する
高分子重合体とカルボニル基を有する化合物との反応生
成物であることを特徴とする（１）または（２）に記載
の酸化物透明導電性薄膜の製造方法。 （４） 前記高分子重合体配位子が、β−ジケトン基を
有する高分子重合体であることを特徴とする（１）また
は（２）に記載の酸化物透明導電性薄膜の製造方法。 （５） 前記酸化物透明導電性薄膜が感光性有機基を有
する高分子配位子及び／または有機配位子を有すること
を特徴とする（１）または（２）に記載の酸化物透明導
電性薄膜の製造方法。 （６） 前記酸化物透明導電性薄膜を構成する酸化物
が、酸化インジウム、酸化インジウム−酸化スズ固溶
体、酸化インジウム−酸化亜鉛固溶体のいずれかである
ことを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の酸
化物透明導電性薄膜の製造方法。 （７） 前記酸化物透明導電性薄膜を構成する酸化物
が、酸化スズであることを特徴とする（１）〜（５）の
いずれかに記載の酸化物透明導電性薄膜の製造方法。 （８） 前記酸化物透明導電性薄膜を構成する酸化物
が、酸化亜鉛であることを特徴とする（１）〜（５）の
いずれかに記載の酸化物透明導電性薄膜の製造方法。 （９） 前記酸化物透明導電性薄膜の膜厚が10Å〜10μ
mの範囲であることを特徴とする（１）〜（８）のいず
れかに記載の酸化物透明導電性薄膜の製造方法。
【０００７】このような本発明の製造方法によれば、従
来の真空蒸着法などで薄膜を製造する場合と比較すると
低い温度で焼成できるため作業性が良い。また、大面積
化や設備投資が容易であり、生産性が非常に良いことな
どの多くの利点がある。さらに、必要な組成が容易に制
御できることにある。これは複合金属の高分子金属錯体
を用いる利点である。各金属が原子の状態で、しかも添
加する量比のままに高分子錯体に取り込まれ、原子状態
で分散でき、その高分子金属錯体を塗布し、焼成するこ
とにより組成の明確な酸化物透明導電性の薄膜が容易に
得られるところにある。また種々の高分子金属錯体を製
造し、溶液状態にて均一に混合することにより分子オー
ダーで分散した高分子金属錯体の溶液を調整し、塗布、
焼成して酸化物透明導電性薄膜をさらに効率良く製造す
ることもできる。
来の真空蒸着法などで薄膜を製造する場合と比較すると
低い温度で焼成できるため作業性が良い。また、大面積
化や設備投資が容易であり、生産性が非常に良いことな
どの多くの利点がある。さらに、必要な組成が容易に制
御できることにある。これは複合金属の高分子金属錯体
を用いる利点である。各金属が原子の状態で、しかも添
加する量比のままに高分子錯体に取り込まれ、原子状態
で分散でき、その高分子金属錯体を塗布し、焼成するこ
とにより組成の明確な酸化物透明導電性の薄膜が容易に
得られるところにある。また種々の高分子金属錯体を製
造し、溶液状態にて均一に混合することにより分子オー
ダーで分散した高分子金属錯体の溶液を調整し、塗布、
焼成して酸化物透明導電性薄膜をさらに効率良く製造す
ることもできる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、高分子重合体配位子が金属に配位されてなる
高分子金属錯体の溶液を基板に塗布し、その塗膜を焼成
する酸化物透明導電性薄膜の製造方法である。より具体
的にはアミノ基を有する高分子重合体とカルボニル基を
有する化合物との反応生成物（以下、「高分子配位子−
Ａ」と略す）、またはβ−ジケトン基を有する高分子重
合体（以下、「高分子配位子−Ｂ」と略す）が金属に配
位されてなる高分子金属錯体の溶液を基板に塗布し、そ
の塗膜を焼成する酸化物透明導電性薄膜の製造方法であ
る。本発明で用いる高分子配位子−Ａとしては、主鎖ま
たは側鎖にアミノ基を有する高分子重合体とカルボニル
基を有する化合物との反応生成物として容易に製造する
ことができる。さらに、感光性を有する基を導入するこ
とにより、容易に微細なパターンニング加工が行える。
本発明は、高分子重合体配位子が金属に配位されてなる
高分子金属錯体の溶液を基板に塗布し、その塗膜を焼成
する酸化物透明導電性薄膜の製造方法である。より具体
的にはアミノ基を有する高分子重合体とカルボニル基を
有する化合物との反応生成物（以下、「高分子配位子−
Ａ」と略す）、またはβ−ジケトン基を有する高分子重
合体（以下、「高分子配位子−Ｂ」と略す）が金属に配
位されてなる高分子金属錯体の溶液を基板に塗布し、そ
の塗膜を焼成する酸化物透明導電性薄膜の製造方法であ
る。本発明で用いる高分子配位子−Ａとしては、主鎖ま
たは側鎖にアミノ基を有する高分子重合体とカルボニル
基を有する化合物との反応生成物として容易に製造する
ことができる。さらに、感光性を有する基を導入するこ
とにより、容易に微細なパターンニング加工が行える。
【０００９】前記「高分子配位子−Ａ」において、主鎖
または側鎖にアミノ基を有する高分子重合体としては、
下記の一般式(1)または(2)で表される繰り返し単位を10
％以上含む重合体が好ましく用いられる。
または側鎖にアミノ基を有する高分子重合体としては、
下記の一般式(1)または(2)で表される繰り返し単位を10
％以上含む重合体が好ましく用いられる。
【化１】 （式中、Ｘはメチレン基またはフェニル基を表す。mは0
〜6の内の整数であり、n は100〜50万の内の整数であ
る。）
〜6の内の整数であり、n は100〜50万の内の整数であ
る。）
【００１０】具体的には、ポリ塩化ビニルまたはポリク
ロロプレンの塩素を少なくとも10％以上アミノ化した重
合体、ポリ-p-アミノスチレン、ポリ-p-アミノ-2-フェ
ニルブタジエン、ポリアリルアミンなどを挙げることが
できる。
ロロプレンの塩素を少なくとも10％以上アミノ化した重
合体、ポリ-p-アミノスチレン、ポリ-p-アミノ-2-フェ
ニルブタジエン、ポリアリルアミンなどを挙げることが
できる。
【００１１】カルボニル基を有する化合物としては、サ
リチルアルデヒド、ヒドロキシナフチルアルデヒド、ヒ
ドロキシアントラセニルアルデヒド、ヒドロキシフルオ
レニルアルデヒドなどのアルデヒド基と水酸基を有する
芳香族化合物、アセチルアセトン、1-フェニル-1,3-ブ
タンジオン、ジベンゾイルメタン、3-メチル-2,4-ペン
タンジオン、1,1,1-トリフルオル-2,4-ペンタンジオ
ン、4,4,4-トリフルオル-1-(2-チエニル)-1,3-ブタンジ
オン、2-メチル-1,3-ブタンジオンなどのβ−ジケトン
化合物が挙げられる。これらの化合物にさらに炭化水素
残基、ハロゲン原子、水酸基などの極性置換基がある化
合物も含まれる。
リチルアルデヒド、ヒドロキシナフチルアルデヒド、ヒ
ドロキシアントラセニルアルデヒド、ヒドロキシフルオ
レニルアルデヒドなどのアルデヒド基と水酸基を有する
芳香族化合物、アセチルアセトン、1-フェニル-1,3-ブ
タンジオン、ジベンゾイルメタン、3-メチル-2,4-ペン
タンジオン、1,1,1-トリフルオル-2,4-ペンタンジオ
ン、4,4,4-トリフルオル-1-(2-チエニル)-1,3-ブタンジ
オン、2-メチル-1,3-ブタンジオンなどのβ−ジケトン
化合物が挙げられる。これらの化合物にさらに炭化水素
残基、ハロゲン原子、水酸基などの極性置換基がある化
合物も含まれる。
【００１２】高分子配位子−Ａはアミノ基を有する高分
子重合体を水および／または有機溶媒に溶解し、カルボ
ニル基を有する化合物の有機溶媒溶液と接触することに
より容易に製造することができる。
子重合体を水および／または有機溶媒に溶解し、カルボ
ニル基を有する化合物の有機溶媒溶液と接触することに
より容易に製造することができる。
【００１３】本発明で用いるβ−ジケトン基を有する高
分子配位子−Ｂとしては、主鎖または側鎖にハロゲン原
子を含有する炭化水素ポリマーとβ−ジケトンのＮａ体
との反応生成物として容易に製造できる。
分子配位子−Ｂとしては、主鎖または側鎖にハロゲン原
子を含有する炭化水素ポリマーとβ−ジケトンのＮａ体
との反応生成物として容易に製造できる。
【００１４】主鎖または側鎖にハロゲン原子を有するポ
リマーとしては下記の一般式（３）〜（８）で表される
繰り返し単位の化合物を１０％以上含む重合体である。
リマーとしては下記の一般式（３）〜（８）で表される
繰り返し単位の化合物を１０％以上含む重合体である。
【化２】 （式中、Ｙはハロゲン基を表す。nは100〜50万の内の整
数である。）
数である。）
【００１５】具体的には、ポリ塩化ビニル、ポリクロロ
プレン、ポリ-p-クロルスチレン、ポリ-(p-クロル)-2-
フェニルブタジエン、ポリ-p-クロルメチルスチレンま
たはポリ-(p-クロルメチル)-2-フェニルブタジエンなど
のハロゲン含有ポリマーとβージケトンとの反応生成物
などを挙げることができる。
プレン、ポリ-p-クロルスチレン、ポリ-(p-クロル)-2-
フェニルブタジエン、ポリ-p-クロルメチルスチレンま
たはポリ-(p-クロルメチル)-2-フェニルブタジエンなど
のハロゲン含有ポリマーとβージケトンとの反応生成物
などを挙げることができる。
【００１６】β−ジケトンとしてはアセチルアセトン、
1-フェニル-1,3-ブタンジオン、ジベンゾイルメタン、3
-メチル-2,4ペンタンジオン、1,1,1-トリフルオル-2,4-
ペンタンジオン、4,4,4-トリフルオロ-1-(2-チエニル)-
1,3-ブタンジオン、2-メチル-1,3-ブタンジオンなどが
挙げられる。これらの化合物にさらにアルキル、フッ
素、塩素、シュウ素、有機残基などの置換基を持つ化合
物も含まれる。
1-フェニル-1,3-ブタンジオン、ジベンゾイルメタン、3
-メチル-2,4ペンタンジオン、1,1,1-トリフルオル-2,4-
ペンタンジオン、4,4,4-トリフルオロ-1-(2-チエニル)-
1,3-ブタンジオン、2-メチル-1,3-ブタンジオンなどが
挙げられる。これらの化合物にさらにアルキル、フッ
素、塩素、シュウ素、有機残基などの置換基を持つ化合
物も含まれる。
【００１７】高分子配位子−Ｂは主鎖または側鎖にハロ
ゲン原子を含有する炭化水素ポリマーを有機溶媒に溶解
し、β−ジケトンのＮａ体を接触することにより容易に
製造することができる。
ゲン原子を含有する炭化水素ポリマーを有機溶媒に溶解
し、β−ジケトンのＮａ体を接触することにより容易に
製造することができる。
【００１８】使用する金属化合物としてはＩｎ、Ｓｎ、
Ｚｎの陰イオンの塩、酸化物などが用いられる。特に好
ましくは、これらの金属の陰イオンの塩を水溶液の状態
で使用する。陰イオンとしては、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−
Ｉ、−ＮＯ3、−ＳＯ4、−ＣＯ3、−ＯＯＣＣＨ3などが
用いられる。これらの金属化合物は２種以上を混合して
使用することができる。本発明の高分子金属錯体の最大
のメリットは２種以上の金属を容易に配位させることが
できることである。各金属が原子の状態で、しかも添加
する量比のままに高分子錯体に取り込まれ原子状態で分
散できるところにある。これらの金属化合物の選択は使
用目的により異なる。
Ｚｎの陰イオンの塩、酸化物などが用いられる。特に好
ましくは、これらの金属の陰イオンの塩を水溶液の状態
で使用する。陰イオンとしては、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−
Ｉ、−ＮＯ3、−ＳＯ4、−ＣＯ3、−ＯＯＣＣＨ3などが
用いられる。これらの金属化合物は２種以上を混合して
使用することができる。本発明の高分子金属錯体の最大
のメリットは２種以上の金属を容易に配位させることが
できることである。各金属が原子の状態で、しかも添加
する量比のままに高分子錯体に取り込まれ原子状態で分
散できるところにある。これらの金属化合物の選択は使
用目的により異なる。
【００１９】高分子金属錯体を安定化するため１個また
は複数個の配位子を使用することができる。配位子とし
ては、１座ないし４座配位子を用いることができる。１
座配位子としてはＲ−、ＲＯ−、ＲＳ−、ＲＣＯＯ−、
ＮＨ2−、ＲＮＨ−、Ｒ2Ｎ−などの有機、無機残基を有
する化合物が挙げられる。ここにＲは炭素数が１から１
２の炭化水素を表す。具体的には、メチル基、エトキシ
基、エチルメルカプト基、酢酸基、プロピルアミン基、
ジブチルアミン基などである。
は複数個の配位子を使用することができる。配位子とし
ては、１座ないし４座配位子を用いることができる。１
座配位子としてはＲ−、ＲＯ−、ＲＳ−、ＲＣＯＯ−、
ＮＨ2−、ＲＮＨ−、Ｒ2Ｎ−などの有機、無機残基を有
する化合物が挙げられる。ここにＲは炭素数が１から１
２の炭化水素を表す。具体的には、メチル基、エトキシ
基、エチルメルカプト基、酢酸基、プロピルアミン基、
ジブチルアミン基などである。
【００２０】２座配位子としては、Ｎ,Ｎで配位する化
合物、例えばビピリジル、１,８−ナフチリジン、１,１
０−フェナントロンなどがある。また、Ｏ,Ｎで配位す
る化合物としては、例えば８−キノリノール、２−（２
−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾール、サリチル
アルデヒドとアニリンの縮合物、Ｎ,Ｎ−ジメチルアミ
ノエタノールがある。Ｏ,Ｏで配位する化合物には、例
えば、アセチルアセトン、１−フェニル−１,３−ブタ
ンジオン、ジベンゾイルメタン、３−メチル−２,４−
ペンタンジオン、１,１,１−トリフルオル−２，４−ペ
ンタンジオン、４,４,４−トリフルオロ−１−（２−チ
エニル）−１,３−ブタンジオン、２−メチル−１,３−
ブタンジオンなどが挙げられる。
合物、例えばビピリジル、１,８−ナフチリジン、１,１
０−フェナントロンなどがある。また、Ｏ,Ｎで配位す
る化合物としては、例えば８−キノリノール、２−（２
−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾール、サリチル
アルデヒドとアニリンの縮合物、Ｎ,Ｎ−ジメチルアミ
ノエタノールがある。Ｏ,Ｏで配位する化合物には、例
えば、アセチルアセトン、１−フェニル−１,３−ブタ
ンジオン、ジベンゾイルメタン、３−メチル−２,４−
ペンタンジオン、１,１,１−トリフルオル−２，４−ペ
ンタンジオン、４,４,４−トリフルオロ−１−（２−チ
エニル）−１,３−ブタンジオン、２−メチル−１,３−
ブタンジオンなどが挙げられる。
【００２１】また、３座配位子としては２,２’,２”−
テルピリジルなどの化合物が挙げられる。
テルピリジルなどの化合物が挙げられる。
【００２２】さらに、４座配位子としてはビス（ベンゾ
イルアセトン）エチレンジアミン、Ｎ,Ｎ’−ジサリチ
リデントリメチレンジアミンなどが挙げられる。その他
の配位子としてシュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタ
ル酸、クエン酸、酒石酸、トリカルバリル酸などのジカ
ルボン酸化合物、トリカルボン酸化合物などが挙げられ
る。
イルアセトン）エチレンジアミン、Ｎ,Ｎ’−ジサリチ
リデントリメチレンジアミンなどが挙げられる。その他
の配位子としてシュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタ
ル酸、クエン酸、酒石酸、トリカルバリル酸などのジカ
ルボン酸化合物、トリカルボン酸化合物などが挙げられ
る。
【００２３】これらの有機配位子は単独で、または２種
類以上を組み合わせて使用することができる。さらに、
有機配位子に感光性を有する有機基を導入した化合物も
用いることができる。この感光性の有機基を導入した化
合物を溶媒に溶解し、スピンコート法などで成膜した
後、必要なパターンの開口部を有するマスクを通して、
光を当てゲル化して硬化させ有機溶媒に不溶化させる。
その後、硬化していない部分を溶媒で洗い流すことによ
り、非常に微細なパターニングが可能となる。感光させ
る光は可視光でも、紫外光でもよく、これらの光に感光
する感光性基としては不飽和炭化水素基、ケイ皮酸基、
アジド基、アゾ基、ニトリル基などがあげられる。具体
的には芳香族ビスジアジド、ジアゾナフトキノン等があ
げられる。また、これらの量はこの化合物の主構成物で
ある高分子配位子及び／または有機配位子の１％〜８０
％が好ましい。この感光性基は主鎖となる高分子配位子
及び／または有機配位子に導入できる。
類以上を組み合わせて使用することができる。さらに、
有機配位子に感光性を有する有機基を導入した化合物も
用いることができる。この感光性の有機基を導入した化
合物を溶媒に溶解し、スピンコート法などで成膜した
後、必要なパターンの開口部を有するマスクを通して、
光を当てゲル化して硬化させ有機溶媒に不溶化させる。
その後、硬化していない部分を溶媒で洗い流すことによ
り、非常に微細なパターニングが可能となる。感光させ
る光は可視光でも、紫外光でもよく、これらの光に感光
する感光性基としては不飽和炭化水素基、ケイ皮酸基、
アジド基、アゾ基、ニトリル基などがあげられる。具体
的には芳香族ビスジアジド、ジアゾナフトキノン等があ
げられる。また、これらの量はこの化合物の主構成物で
ある高分子配位子及び／または有機配位子の１％〜８０
％が好ましい。この感光性基は主鎖となる高分子配位子
及び／または有機配位子に導入できる。
【００２４】得られた高分子金属錯体は溶媒溶解性が高
く種々の溶媒に溶解することができる。鉱酸、有機酸の
水溶液、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭
化水素、アセトン、メチルエチケトン、アセチルアセト
ンなどのケトン化合物、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロ
ピオン酸エチルなどのエステル化合物、ジエチルエ−テ
ル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレン
グリコールジメチルエーテルなどのエーテル化合物、ホ
ルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチ
ルアセトアミドなどのアミド化合物、Ｎ−メチルピロリ
ドンなどの窒素化合物などがあげられる。高分子金属錯
体の溶媒に対する溶解度は１）高分子重合体配位子の種
類、分子量、２）金属化合物の種類、３）有機配位子の
種類によって異なるため使用する高分子金属錯体毎に最
良の溶媒を選択する必要がある。具体的には好ましい例
を挙げるならば、金属としてＳｎを選び高分子配位子と
してポリアリルアミンとサリチルアルデヒドの反応生成
物を、配位子として１,１,１−トリフルオル−２，４−
ペンタンジオンを選び製造した高分子金属錯体の場合に
はＮ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルホル
ムアミドに代表されるアミド化合物またはクロロホルム
などのハロゲン化炭化水素、または鉱酸、有機酸の水溶
液が挙げられる。
く種々の溶媒に溶解することができる。鉱酸、有機酸の
水溶液、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭
化水素、アセトン、メチルエチケトン、アセチルアセト
ンなどのケトン化合物、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロ
ピオン酸エチルなどのエステル化合物、ジエチルエ−テ
ル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレン
グリコールジメチルエーテルなどのエーテル化合物、ホ
ルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチ
ルアセトアミドなどのアミド化合物、Ｎ−メチルピロリ
ドンなどの窒素化合物などがあげられる。高分子金属錯
体の溶媒に対する溶解度は１）高分子重合体配位子の種
類、分子量、２）金属化合物の種類、３）有機配位子の
種類によって異なるため使用する高分子金属錯体毎に最
良の溶媒を選択する必要がある。具体的には好ましい例
を挙げるならば、金属としてＳｎを選び高分子配位子と
してポリアリルアミンとサリチルアルデヒドの反応生成
物を、配位子として１,１,１−トリフルオル−２，４−
ペンタンジオンを選び製造した高分子金属錯体の場合に
はＮ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルホル
ムアミドに代表されるアミド化合物またはクロロホルム
などのハロゲン化炭化水素、または鉱酸、有機酸の水溶
液が挙げられる。
【００２５】本発明において、前記高分子金属錯体はそ
の目的により２種以上を溶液状態で混合して使用するこ
ともできる。
の目的により２種以上を溶液状態で混合して使用するこ
ともできる。
【００２６】また、本発明の酸化物透明導電性薄膜の製
造方法において、高分子金属錯体溶液の基板への製膜方
法は限定されるものではなく、スピンコート法、バーコ
ート法、スクリーン印刷法など通常用いられる種々の方
法により製膜することができる。
造方法において、高分子金属錯体溶液の基板への製膜方
法は限定されるものではなく、スピンコート法、バーコ
ート法、スクリーン印刷法など通常用いられる種々の方
法により製膜することができる。
【００２７】焼成温度は用いる高分子金属錯体の金属、
配位子の種類、組成などにより異なるが、200℃〜2000
℃の範囲、好ましくは300℃〜1800℃の範囲で行われ
る。
配位子の種類、組成などにより異なるが、200℃〜2000
℃の範囲、好ましくは300℃〜1800℃の範囲で行われ
る。
【００２８】また、焼成時間についても用いる高分子金
属錯体の金属、配位子の種類、組成により異なるが、通
常は1〜50時間、好ましくは2〜30時間の範囲で焼成され
る。
属錯体の金属、配位子の種類、組成により異なるが、通
常は1〜50時間、好ましくは2〜30時間の範囲で焼成され
る。
【００２９】焼成時の雰囲気は空気中で充分であるが、
窒素と酸素を追加し雰囲気を変えることもできる。すな
わち、焼成の初期には窒素の組成を高くして高分子金属
錯体を熱分解した後、高酸素雰囲気下で焼成し目的の金
属酸化物とする方法が好ましい。
窒素と酸素を追加し雰囲気を変えることもできる。すな
わち、焼成の初期には窒素の組成を高くして高分子金属
錯体を熱分解した後、高酸素雰囲気下で焼成し目的の金
属酸化物とする方法が好ましい。
【００３０】
【実施例】次に、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例の記載に限定されるものではない。
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例の記載に限定されるものではない。
【００３１】［高分子配位子−Ａ−１の製造例］回転子
を入れた1000mlのフラスコにサリチルアルデヒド21gを
精秤し、メタノール500mlを加えた。これに、ポリアリ
ルアミン(日東紡製、PAA-HCl-3L、分子量約1万、50wt%
水溶液)32mlを純水100mlに希釈し、ゆっくりと添加した
ところ、添加開始と同時に黄色結晶が生成した。添加終
了後約1時間撹拌し、析出した結晶を濾過後、洗浄、乾
燥して28gの黄色結晶を得た。収量はほぼ100％であっ
た。以後この生成物をPAA・Salと略す。
を入れた1000mlのフラスコにサリチルアルデヒド21gを
精秤し、メタノール500mlを加えた。これに、ポリアリ
ルアミン(日東紡製、PAA-HCl-3L、分子量約1万、50wt%
水溶液)32mlを純水100mlに希釈し、ゆっくりと添加した
ところ、添加開始と同時に黄色結晶が生成した。添加終
了後約1時間撹拌し、析出した結晶を濾過後、洗浄、乾
燥して28gの黄色結晶を得た。収量はほぼ100％であっ
た。以後この生成物をPAA・Salと略す。
【００３２】［高分子配位子−Ａ−２の製造例］回転子
を入れた1000mlのフラスコにアセチルアセトン１７ｇを
精秤し、メタノール５００mlを加えた。ポリアリルアミ
ン（日東紡製、ＰＡＡ−ＨＣｌ−３Ｌ、分子量約１万、
５０ｗｔ％水溶液）の３２ｍｌを１００ｍｌの純水に希
釈し、ゆっくりと添加した。添加開始と同時に黄色結晶
が生成した。添加終了後約１時間撹拌した。濾過、乾燥
し２２ｇの黄色結晶を得た。収量はほぼ１００％であっ
た。以後この生成物をＰＡＡ・ａｃａｃと略す。
を入れた1000mlのフラスコにアセチルアセトン１７ｇを
精秤し、メタノール５００mlを加えた。ポリアリルアミ
ン（日東紡製、ＰＡＡ−ＨＣｌ−３Ｌ、分子量約１万、
５０ｗｔ％水溶液）の３２ｍｌを１００ｍｌの純水に希
釈し、ゆっくりと添加した。添加開始と同時に黄色結晶
が生成した。添加終了後約１時間撹拌した。濾過、乾燥
し２２ｇの黄色結晶を得た。収量はほぼ１００％であっ
た。以後この生成物をＰＡＡ・ａｃａｃと略す。
【００３３】［高分子配位子−Ａ−３の製造例］回転子
を入れた５００mlのフラスコにサリチルアルデヒド４．
１ｇを精秤し、メタノール１００mlを加えた。2,2'-ア
ゾビスイソブチロニトリル（以下、「ＡＩＢＮ」と略
す）を開始剤に用いてｐ−アミノスチレンを重合して得
た分子量約３５００のポリ−ｐ−アミノスチレン４ｇを
水５０ｍｌに溶解しゆっくりと添加した。添加終了後１
時間撹拌を続けると黄色結晶が生成した。濾過し乾燥し
て７．３ｇの黄色結晶を得た。収量はほぼ１００％であ
った。以後この生成物をＰＳｔＡ・Ｓａｌと略す。
を入れた５００mlのフラスコにサリチルアルデヒド４．
１ｇを精秤し、メタノール１００mlを加えた。2,2'-ア
ゾビスイソブチロニトリル（以下、「ＡＩＢＮ」と略
す）を開始剤に用いてｐ−アミノスチレンを重合して得
た分子量約３５００のポリ−ｐ−アミノスチレン４ｇを
水５０ｍｌに溶解しゆっくりと添加した。添加終了後１
時間撹拌を続けると黄色結晶が生成した。濾過し乾燥し
て７．３ｇの黄色結晶を得た。収量はほぼ１００％であ
った。以後この生成物をＰＳｔＡ・Ｓａｌと略す。
【００３４】［高分子配位子−Ｂの製造例］回転子を入
れた500mlのフラスコにp-クロルメチルスチレンの重合
体（p-クロルメチルスチレンをＡＩＢＮを開始剤に用い
て重合。ポリスチレン換算の分子量は約110,000であ
る。）を20g精秤し、乾燥したテトラヒドロフラン200ml
に溶解した。次に1.5mol/Lのブチルリチウムのヘキサン
溶液88ml（0.13mol）をゆっくりと滴下した。添加終了
後、室温にて２時間撹拌し反応を完結させた。次にアセ
チルアセトン１３ｇ（0.13mol）のテトラヒドロフラン
溶液を滴下した。続いて室温で２時間攪拌し反応を完結
させた。これを300mlのメタノール中に投入し、析出し
たポリマーを濾別、乾燥して18gの白色のポリマーを得
た。以後この生成物をPMSt-acacと略す。
れた500mlのフラスコにp-クロルメチルスチレンの重合
体（p-クロルメチルスチレンをＡＩＢＮを開始剤に用い
て重合。ポリスチレン換算の分子量は約110,000であ
る。）を20g精秤し、乾燥したテトラヒドロフラン200ml
に溶解した。次に1.5mol/Lのブチルリチウムのヘキサン
溶液88ml（0.13mol）をゆっくりと滴下した。添加終了
後、室温にて２時間撹拌し反応を完結させた。次にアセ
チルアセトン１３ｇ（0.13mol）のテトラヒドロフラン
溶液を滴下した。続いて室温で２時間攪拌し反応を完結
させた。これを300mlのメタノール中に投入し、析出し
たポリマーを濾別、乾燥して18gの白色のポリマーを得
た。以後この生成物をPMSt-acacと略す。
【００３５】［実施例１］（ＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）薄膜の製造） 500mlのフラスコに上記で製造したPAA・Sal（17.5mmol，
2.8g）を純水200mlと濃塩酸1mlに加えて溶解し、この溶
液にＩｎＣｌ3・４Ｈ2Ｏ（17.5mmol，5.1g）を水100ml
に溶解して加え、更にアセチルアセトン（35mmol，3.5
g）を10％の塩酸水溶液100mlに溶解して加えた。その
後、均一で澄明な淡黄色の溶液が得られた。この系に25
％のアンモニア水をゆっくりと加えると、淡黄色の沈殿
が生成した。ｐH9までアンモニアを加えて、２時間撹拌
した後、生成した沈殿をろ過、水洗、乾燥して、8.1gの
黄色粉末を得た。収量はほぼ定量的であった。続いて、
得られた高分子金属錯体500mgを50％の酢酸水溶液5mlに
溶解し、この溶液を耐熱ガラス板上にスピンコーターに
て塗布した後、40℃にて真空乾燥した。乾燥後、電気炉
に入れ、空気中で300℃で30分、600℃で1時間焼成しＩ
ＴＯの薄膜を得た。膜厚は68オングストロームであっ
た。また、可視光透過率は８５％以上であり、比抵抗率
は７．８×１０-4Ωｃｍであった。
e）薄膜の製造） 500mlのフラスコに上記で製造したPAA・Sal（17.5mmol，
2.8g）を純水200mlと濃塩酸1mlに加えて溶解し、この溶
液にＩｎＣｌ3・４Ｈ2Ｏ（17.5mmol，5.1g）を水100ml
に溶解して加え、更にアセチルアセトン（35mmol，3.5
g）を10％の塩酸水溶液100mlに溶解して加えた。その
後、均一で澄明な淡黄色の溶液が得られた。この系に25
％のアンモニア水をゆっくりと加えると、淡黄色の沈殿
が生成した。ｐH9までアンモニアを加えて、２時間撹拌
した後、生成した沈殿をろ過、水洗、乾燥して、8.1gの
黄色粉末を得た。収量はほぼ定量的であった。続いて、
得られた高分子金属錯体500mgを50％の酢酸水溶液5mlに
溶解し、この溶液を耐熱ガラス板上にスピンコーターに
て塗布した後、40℃にて真空乾燥した。乾燥後、電気炉
に入れ、空気中で300℃で30分、600℃で1時間焼成しＩ
ＴＯの薄膜を得た。膜厚は68オングストロームであっ
た。また、可視光透過率は８５％以上であり、比抵抗率
は７．８×１０-4Ωｃｍであった。
【００３６】［実施例２］（ＳｎＯ2：Ｆ薄膜の製造） 500mlのフラスコに上記で製造したPAA・Sal（17.5mmol，
2.8g）を純水200mlと濃塩酸1mlを加えて溶解し、（ＣＨ
3）2ＳｎＣｌ2（１７．５ｍｍｏｌ,3.8ｇ）を水100mlに
溶解して加えた。1,1,1-トリフルオル−２，４−ペンタ
ンジオンの１７．５ｍｍｏｌ,２．７ｇを１０％の塩酸
水溶液１００ｍｌに溶解して加えた。均一で澄明な淡黄
色の溶液が得られた。この系に25％のアンモニア水をゆ
っくりと加えると、淡黄色の沈殿が生成した。ｐH9まで
アンモニアを加えて、２時間撹拌した後、生成した沈殿
をろ過、水洗、乾燥して、７．９ｇの黄色粉末を得た。
収量はほぼ定量的であった。続いて、得られた高分子金
属錯体500mgを50％の酢酸水溶液5mlに溶解し、この溶液
を耐熱ガラス板上にバーコーターにて塗布した後、40℃
にて真空乾燥した。乾燥後、電気炉に入れ、空気中で30
0℃で30分、600℃で1時間焼成しＳｎＯ2：Ｆの薄膜を得
た。膜厚は４８オングストロームであった。また、可視
光透過率は８０％以上であり、比抵抗率は３．３×１０
-3Ωｃｍであった。
2.8g）を純水200mlと濃塩酸1mlを加えて溶解し、（ＣＨ
3）2ＳｎＣｌ2（１７．５ｍｍｏｌ,3.8ｇ）を水100mlに
溶解して加えた。1,1,1-トリフルオル−２，４−ペンタ
ンジオンの１７．５ｍｍｏｌ,２．７ｇを１０％の塩酸
水溶液１００ｍｌに溶解して加えた。均一で澄明な淡黄
色の溶液が得られた。この系に25％のアンモニア水をゆ
っくりと加えると、淡黄色の沈殿が生成した。ｐH9まで
アンモニアを加えて、２時間撹拌した後、生成した沈殿
をろ過、水洗、乾燥して、７．９ｇの黄色粉末を得た。
収量はほぼ定量的であった。続いて、得られた高分子金
属錯体500mgを50％の酢酸水溶液5mlに溶解し、この溶液
を耐熱ガラス板上にバーコーターにて塗布した後、40℃
にて真空乾燥した。乾燥後、電気炉に入れ、空気中で30
0℃で30分、600℃で1時間焼成しＳｎＯ2：Ｆの薄膜を得
た。膜厚は４８オングストロームであった。また、可視
光透過率は８０％以上であり、比抵抗率は３．３×１０
-3Ωｃｍであった。
【００３７】［実施例３］（ＺｎＯ：Ｇａ薄膜の製造） 500mlのフラスコに上記で製造したPAA・Sal（17.5mmol，
2.8g）を純水200mlと濃塩酸1mlに溶解して加えた。この
溶液にＺｎＣｌ2（１５．７５ｍｍｏｌ,２．１ｇ）とＧ
ａＣｌ3（１．７５ｍｍｏｌ,0.3g）を水100mlに溶解し
て加え、さらにアセチルアセトン（35mmol，３．５g）
を10％の塩酸水溶液100mlに溶解して加え、均一で澄明
な淡黄色の溶液が得られた。この系に25％のアンモニア
水をゆっくりと加えると、淡黄色の沈殿が生成した。ｐ
H9までアンモニアを加えて、２時間撹拌した後、生成し
た沈殿をろ過、水洗、乾燥して、５．２ｇの黄色粉末を
得た。収量はほぼ定量的であった。続いて、得られた高
分子金属錯体500mgを50％の酢酸水溶液5mlに溶解し、こ
の溶液を耐熱ガラス板上にスピンコーターにて塗布した
後、40℃にて真空乾燥した。乾燥後、電気炉に入れ、空
気中で300℃で30分、600℃で1時間焼成しＺｎＯ：Ｇａ
の薄膜を得た。膜厚は５５オングストロームであった。
また、可視光透過率は８０％以上であり、比抵抗率は
４．２×１０-3Ωｃｍであった。
2.8g）を純水200mlと濃塩酸1mlに溶解して加えた。この
溶液にＺｎＣｌ2（１５．７５ｍｍｏｌ,２．１ｇ）とＧ
ａＣｌ3（１．７５ｍｍｏｌ,0.3g）を水100mlに溶解し
て加え、さらにアセチルアセトン（35mmol，３．５g）
を10％の塩酸水溶液100mlに溶解して加え、均一で澄明
な淡黄色の溶液が得られた。この系に25％のアンモニア
水をゆっくりと加えると、淡黄色の沈殿が生成した。ｐ
H9までアンモニアを加えて、２時間撹拌した後、生成し
た沈殿をろ過、水洗、乾燥して、５．２ｇの黄色粉末を
得た。収量はほぼ定量的であった。続いて、得られた高
分子金属錯体500mgを50％の酢酸水溶液5mlに溶解し、こ
の溶液を耐熱ガラス板上にスピンコーターにて塗布した
後、40℃にて真空乾燥した。乾燥後、電気炉に入れ、空
気中で300℃で30分、600℃で1時間焼成しＺｎＯ：Ｇａ
の薄膜を得た。膜厚は５５オングストロームであった。
また、可視光透過率は８０％以上であり、比抵抗率は
４．２×１０-3Ωｃｍであった。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によれば、高分子重合体配位子と有機化合物配位子とを
金属に配位した高分子金属錯体の溶液を基板に塗布し、
その塗膜を焼成することにより酸化物透明導電性薄膜を
得ることができる。本発明の酸化物透明導電性薄膜を用
いる最大のメリットは、高分子金属錯体を使用すること
で２種以上の金属を容易に配位させることができる点に
ある。つまり、高分子金属錯体は、各金属が原子の状態
で、しかも添加する量比のままに取り込まれており、そ
の原子状態で分散したまま溶解させた溶液を基板に塗布
し、その塗膜を焼成するため、組成の明確且つ均一な酸
化物透明導電性薄膜を容易に製造することができる。
によれば、高分子重合体配位子と有機化合物配位子とを
金属に配位した高分子金属錯体の溶液を基板に塗布し、
その塗膜を焼成することにより酸化物透明導電性薄膜を
得ることができる。本発明の酸化物透明導電性薄膜を用
いる最大のメリットは、高分子金属錯体を使用すること
で２種以上の金属を容易に配位させることができる点に
ある。つまり、高分子金属錯体は、各金属が原子の状態
で、しかも添加する量比のままに取り込まれており、そ
の原子状態で分散したまま溶解させた溶液を基板に塗布
し、その塗膜を焼成するため、組成の明確且つ均一な酸
化物透明導電性薄膜を容易に製造することができる。
【００３９】最近、液晶の大型化、高精細化、太陽電池
の大面積化など酸化物透明導電性薄膜の低抵抗化、簡便
な大面積膜作成法が求められており、本発明の酸化物透
明導電性薄膜の製造方法を提供できることの意義は大き
く、それを完成した技術的価値は非常に大きいものであ
る。
の大面積化など酸化物透明導電性薄膜の低抵抗化、簡便
な大面積膜作成法が求められており、本発明の酸化物透
明導電性薄膜の製造方法を提供できることの意義は大き
く、それを完成した技術的価値は非常に大きいものであ
る。
Claims (9)
- 【請求項１】 高分子重合体配位子が金属に配位されて
なる高分子金属錯体の溶液を基板に塗布し、その塗膜を
焼成することを特徴とする酸化物透明導電性薄膜の製造
方法。 - 【請求項２】 高分子重合体配位子と有機化合物配位子
とが金属に配位されてなる高分子金属錯体の溶液を基板
に塗布し、その塗膜を焼成することを特徴とする酸化物
透明導電性薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 前記高分子重合体配位子が、アミノ基を
有する高分子重合体とカルボニル基を有する化合物との
反応生成物であることを特徴とする請求項１または２に
記載の酸化物透明導電性薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 前記高分子重合体配位子が、β−ジケト
ン基を有する高分子重合体であることを特徴とする請求
項１または２に記載の酸化物透明導電性薄膜の製造方
法。 - 【請求項５】 前記酸化物透明導電性薄膜が感光性有機
基を有する高分子配位子及び／または有機配位子を有す
ることを特徴とする請求項１または２に記載の酸化物透
明導電性薄膜の製造方法。 - 【請求項６】 前記酸化物透明導電性薄膜を構成する酸
化物が、酸化インジウム、酸化インジウム−酸化スズ固
溶体、酸化インジウム−酸化亜鉛固溶体のいずれかであ
ることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の酸
化物透明導電性薄膜の製造方法。 - 【請求項７】 前記酸化物透明導電性薄膜を構成する酸
化物が、酸化スズであることを特徴とする請求項１〜５
のいずれかに記載の酸化物透明導電性薄膜の製造方法。 - 【請求項８】 前記酸化物透明導電性薄膜を構成する酸
化物が、酸化亜鉛であることを特徴とする請求項１〜５
のいずれかに記載の酸化物透明導電性薄膜の製造方法。 - 【請求項９】 前記酸化物透明導電性薄膜の膜厚が10Å
〜10μmの範囲であることを特徴とする請求項１〜８の
いずれかに記載の酸化物透明導電性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000226627A JP4003007B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 酸化物透明導電性薄膜用組成物及び酸化物透明導電性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000226627A JP4003007B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 酸化物透明導電性薄膜用組成物及び酸化物透明導電性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002042583A true JP2002042583A (ja) | 2002-02-08 |
| JP4003007B2 JP4003007B2 (ja) | 2007-11-07 |
Family
ID=18720212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000226627A Expired - Fee Related JP4003007B2 (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | 酸化物透明導電性薄膜用組成物及び酸化物透明導電性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4003007B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008007469A1 (fr) | 2006-07-13 | 2008-01-17 | Central Japan Railway Company | Fluide de revêtement, film mince conducteur formé à partir du fluide de revêtement, et procédé de formation de ce dernier |
| JP2009120409A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 希土類水酸化物被膜及び希土類酸化物被膜の形成方法 |
| JP2016169140A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-23 | 国立大学法人室蘭工業大学 | Ｉｇｚｏの製造方法 |
-
2000
- 2000-07-27 JP JP2000226627A patent/JP4003007B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008007469A1 (fr) | 2006-07-13 | 2008-01-17 | Central Japan Railway Company | Fluide de revêtement, film mince conducteur formé à partir du fluide de revêtement, et procédé de formation de ce dernier |
| US8003219B2 (en) | 2006-07-13 | 2011-08-23 | Central Japan Railway Company | Coating liquid, conductive film formed by coating liquid, and forming method thereof |
| JP2009120409A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 希土類水酸化物被膜及び希土類酸化物被膜の形成方法 |
| JP2016169140A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-23 | 国立大学法人室蘭工業大学 | Ｉｇｚｏの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4003007B2 (ja) | 2007-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5198856B2 (ja) | 金属錯体 | |
| JP5230940B2 (ja) | 二座（Ｂｉｐｏｄａｌ）配位子を有する金属錯体 | |
| JP5021161B2 (ja) | 共役ポリマーに共有結合された金属錯体およびそのような組成物を含む電子デバイス | |
| JP2008179798A (ja) | 冷光放射性高分子材料 | |
| TWI241150B (en) | Light-emitting device | |
| US20110213154A1 (en) | Bis-terpyridine monomer | |
| EP1923385A1 (en) | Iridium complex, carbazole derivatives and copolymer having the same | |
| JPH07182939A (ja) | 透明導電膜形成用組成物及び透明導電膜形成方法 | |
| TW201035105A (en) | Luminescent silver complexes | |
| JP4003007B2 (ja) | 酸化物透明導電性薄膜用組成物及び酸化物透明導電性薄膜の製造方法 | |
| Ngo et al. | Synthesis and physical and structural characterization of Ag (I) complexes supported by non-fluorinated β-diketonate and related ancillary ligands | |
| JP4045707B2 (ja) | 金属酸化物微粒子の製造方法 | |
| US20040091739A1 (en) | Polymeric phosphorescent agent and production process thereof, and luminescent composition and applied products thereof | |
| US6613924B1 (en) | Silver precursors for CVD processes | |
| JP2003183257A (ja) | 金属パターン形成用有機金属化合物及びそれを用いた金属パターン形成方法 | |
| JP3823644B2 (ja) | 金属酸化物薄膜の製造方法 | |
| JPS6027130B2 (ja) | 透明導電膜作成用溶液の製造方法 | |
| JP2003267733A (ja) | 金属酸化物前駆体溶液とその調整方法及び金属酸化物薄膜とその形成方法 | |
| EP0286654A1 (en) | Coating solutions | |
| Ghilardi et al. | Reactivity of tetrasulfur tetranitride towards d10 phosphine complexes. Crystal structure of (PPh3) Pt (μ-S2N2) 2Pt (PPh3) | |
| JPS59102820A (ja) | 導電性チタン酸アルカリ金属塩の製造法 | |
| JP3664422B2 (ja) | 塗布液およびこれを用いた金属酸化物薄膜作成方法 | |
| JP3738345B2 (ja) | 金属錯体を含有する金属皮膜形成用ペースト材料 | |
| Koga et al. | PL and EL behavior of near‐red luminescent metallopolymer easily prepared from phosphine‐containing copolymer and chloro {bis (1‐phenylisoquinolinato‐N, C2′)} iridium (III), and its monomeric analog | |
| JPH1179744A (ja) | 導電性薄膜形成用溶液組成物および導電性薄膜形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050401 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060627 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060825 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070306 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070420 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070724 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070806 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |