JP2009120409A - 希土類水酸化物被膜及び希土類酸化物被膜の形成方法 - Google Patents

希土類水酸化物被膜及び希土類酸化物被膜の形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009120409A
JP2009120409A JP2007293030A JP2007293030A JP2009120409A JP 2009120409 A JP2009120409 A JP 2009120409A JP 2007293030 A JP2007293030 A JP 2007293030A JP 2007293030 A JP2007293030 A JP 2007293030A JP 2009120409 A JP2009120409 A JP 2009120409A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rare earth
coating
film
forming
earth hydroxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007293030A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5245365B2 (ja
Inventor
Yuji Kimura
裕司 木村
Tama Nakano
瑞 中野
Takao Maeda
孝雄 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2007293030A priority Critical patent/JP5245365B2/ja
Publication of JP2009120409A publication Critical patent/JP2009120409A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5245365B2 publication Critical patent/JP5245365B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

【課題】希土類元素の有機錯体を加熱溶融し、その融液によって被膜を形成し、次に溶融状態において被膜に水蒸気を接触させることによって、配位子と水酸基の置換反応を起こさせることを特徴とする希土類水酸化物被膜の形成方法。
【解決手段】本発明によれば、有機錯体溶融成膜及び加水分解法によって焼成温度を下げて簡便に緻密平滑な希土類水酸化物被膜を得ることができ、また、得られた被膜は低温焼成にて酸化物被膜に変えることができ、産業上その利用価値は極めて高い。
【選択図】なし

Description

本発明は、希土類水酸化物被膜及び希土類酸化物被膜の形成方法に関するものである。
希土類酸化物は、その良好な耐プラズマ性から、プラズマエッチング装置のプラズマが接触する処理室内壁部分の耐食性被膜として使用されている。この耐プラズマ被膜は、形成の容易さやコストの関係からプラズマ溶射法が主に採用されている(特開2001−164354号公報:特許文献1)。ところが、プラズマ溶射法によって形成された被膜表面は未溶融粒子や高温プラズマ中で蒸発、析出した微細な粒子の付着、あるいは溶融、衝突、急冷によるクラックなどによって凹凸が大きく、エッチングプロセスで微細な粒子が脱離し易く、半導体ウェハーへのコンタミネーションを起こすという問題がある。これに対し、スパッタリングなどのPVD法やCVD等の緻密平滑膜が検討されているが、真空プロセス等の高コスト法である上、複雑な形状を有する部材には施工が不可能である。それを解決する方法としてゾルゲル塗布法が提案されており、比較的簡単な工程で緻密平滑膜が得られるとされている(特開2007−27329号公報:特許文献2)。
また、希土類酸化物は、水銀蒸気を吸着しにくい性質があり、蛍光ランプなどのガラスバルブが内部の水銀蒸気を吸着することによって起こる輝度劣化を防ぐために、ガラスバルブ内面に希土類酸化物被膜を形成することが行われている。
この形成方法には、希土類酸化物やその前駆体微粒子のゾルを塗布、乾燥、焼成させるゾルゲル法と、加熱分解することによって希土類酸化物となるような希土類化合物の溶液を塗布、乾燥、加熱分解する方法がある。
しかし、このようなゾルゲル法や溶液塗布法は、溶媒を使用している点で共通の問題を抱えている。つまり、ゾルゲル法ではゾルの乾燥時に溶媒の蒸発による収縮が起こり、クラックが発生し易いという問題がある。しかも、前駆体ゾルはアルコキシドの加水分解などにより製造されるため多量の有機溶媒を用いることが多く、コストや環境上の問題もある。また、溶液塗布法も同様の問題を抱える上、溶媒蒸発時に溶質が部分的に結晶析出して偏在し易く、緻密平滑な膜を得ることが難しかった。更に、これらの方法で一定の膜厚を得ようとすると、0.1μm以下の膜を数十〜数百回も塗り重ねる必要があり、高コストである。
特開2001−164354号公報 特開2007−27329号公報
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、簡便に緻密平滑な希土類水酸化物被膜あるいは酸化物被膜が得られる希土類水酸化物被膜及び希土類酸化物被膜の形成方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、溶媒を使うことなく、化合物自体が非分解融点を持つ希土類有機錯体を使用し、加熱溶融状態におけるその融液によって被膜を形成し、有機錯体が加熱溶融された状態で、十分な量の水蒸気を強制的に供給してやることによって、速やかに配位子と水酸基の置換反応がおこり、配位子の蒸気が抜けるとともに、緻密平滑な希土類水酸化物被膜が形成されることを知見した。
更に、得られた希土類水酸化物被膜を熱処理することにより、希土類酸化物被膜が得られることを見出し、本発明をなすに至った。
ここで、プラズマ耐食性被膜用途において、上述のように希土類元素は酸化物の被膜として用いられるのが普通であるが、RE(OH)3,REO(OH)のような化学式で表される希土類元素水酸化物であっても、同様の効果を示すと考えられる。
また、蛍光ランプの一般的な製造工程においては、500℃付近での蛍光体被膜の焼成工程があるため、水酸化物被膜はこの際に酸化物被膜に変化すると考えられる。
なお、本発明者らは、溶媒を使うことなく、化合物自体が非分解融点を持つ希土類有機錯体を使用し、加熱溶融状態におけるその融液によって被膜を形成し、これを酸化雰囲気で加熱分解することによって緻密平滑な希土類酸化物被膜を形成できることを知見している。有機錯体を加熱分解して酸化物に変換するために必要な温度は、500℃以上と高く、また、500〜600℃付近の低い温度では、長時間の加熱処理を行わないと若干の炭素成分が残留してしまい、被膜が褐色に着色する場合があり、樹脂部材や大型アルミニウム部材など500℃以上の高温に曝されると分解や変形が起こるようなものには施工できない場合があったが、本発明においては、希土類水酸化物被膜を比較的低温にて加熱処理することで希土類酸化物被膜が得られるため、高温で処理できないアルミニウム部材等においても問題なく、緻密平滑な希土類酸化物被膜を形成できるものである。
従って、本発明は、下記に示す希土類水酸化物被膜及び希土類酸化物被膜の形成方法を提供する。
〔1〕 希土類元素の有機錯体を加熱溶融し、その融液によって被膜を形成し、次に溶融状態において被膜に水蒸気を接触させることによって、配位子と水酸基の置換反応を起こさせることを特徴とする希土類水酸化物被膜の形成方法。
〔2〕 溶融温度が、有機錯体の分解温度未満であることを特徴とする〔1〕に記載の希土類水酸化物被膜の形成方法。
〔3〕 希土類元素の有機錯体が、非分解の融点を持ち、配位子としては、8−キノリノール、ジピバロイルメタン、2,4−ペンタンジオン、ベンゾイルアセトン、β−ジケトン類、芳香族カルボン酸、1,10−フェナントロリン、2,2’−ビピリジン、及びトリフェニルホスフィンオキサイドから選ばれることを特徴とする〔1〕又は〔2〕に記載の希土類水酸化物被膜の形成方法。
〔4〕 加熱溶融から被膜形成までを、実質的に水蒸気を含まない雰囲気下で行うことを特徴とする〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の希土類水酸化物被膜の形成方法。
〔5〕 加熱溶融から被膜形成までを、実質的に酸素を含まない雰囲気下で行うことを特徴とする〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の希土類水酸化物被膜の形成方法。
〔6〕 不活性ガス雰囲気下で、水蒸気を1〜50容量%導入しながら、被膜に水蒸気を接触させることを特徴とする〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の希土類水酸化物被膜の形成方法。
〔7〕 〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の方法によって得られた希土類水酸化物被膜を熱処理することからなる希土類酸化物被膜の形成方法。
本発明によれば、有機錯体溶融成膜及び加水分解法によって焼成温度を下げて簡便に緻密平滑な希土類水酸化物被膜を得ることができ、また、得られた被膜は低温焼成にて酸化物被膜に変えることができ、産業上その利用価値は極めて高い。
以下、本発明を詳細に説明する。本発明の希土類水酸化物被膜の形成方法は、非分解融点を持つ希土類有機錯体の融液を成膜し、溶融状態において水蒸気処理することを特徴とするものである。
まず、本発明で言う希土類元素とは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luである。
希土類元素酸化物を蛍光ランプのガラスバルブ内面の保護膜として使用する場合など、光を透過する用途においては、酸化物自体が無色透明である方がよく、特にSc,Y,La,Gd,Yb,Luが好ましい。
希土類水酸化物被膜の前駆物質となる希土類元素の有機錯体は、非分解の融点を持つものが好ましく、配位子としては、8−キノリノール、ジピバロイルメタン、2,4−ペンタンジオン、ベンゾイルアセトン、その他β−ジケトン類、芳香族カルボン酸、1,10−フェナントロリン、2,2’−ビピリジン、及びトリフェニルホスフィンオキサイドなどから選ぶことができる。
錯体の組成としては、例えば、
トリス(8−キノリノラト)(8−キノリノール)RE=[RE(C96NO)3(C97NO)]、
トリス(ベンゾイルアセトナト)RE=[RE(C10923]、
トリス(2,4−ペンタンジオナト)RE=[RE(C5723
(REは希土類元素)
などが挙げられる。これらの融点は通常100〜140℃の範囲であり、分解温度は通常140〜180℃の範囲である。
これらの有機錯体を有機錯体の分解温度未満で加熱溶融して基材に被膜を形成する。溶融温度としては錯体の種類により融点以上分解温度未満で金属錯体を溶融する。溶融された希土類元素有機錯体の被膜形成方法としては、ドクターブレード,スピンコート,ロールコート,はけ塗り,ディップコートなど各種の方法を選択できるが、これらに限るものではない。また、ガラス管内壁に塗布する場合などは、融液吸引塗布が可能である。
被膜厚さは、1〜500μm、特に5〜100μmとすることが好ましい。
これらの被膜形成方法において注意しなければならないのは、基材やコート機器類,雰囲気を全て有機錯体の非分解溶融温度範囲の一定温度にコントロールしておくことである。基材や機器類や雰囲気が溶融温度よりも低いと、部分的に固化したり、融液粘度が変化して均一な膜が形成できない場合がある。また、有機錯体の分解開始温度よりも高いと、部分的に分解固化したり、融液粘度が変化して均一な膜が形成できない場合がある。
融液による被膜形成時の雰囲気は、酸素あるいは水蒸気を実質的に含んでいない窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気であることが好ましい。これは一般に、酸素や水蒸気の存在により、有機錯体が分解しないで融解して得られる温度範囲が狭まり、温度コントロールが難しくなるからである。ここで、実質的に含まないとは、酸素又は水蒸気の含有量が雰囲気中1容量%以下、特に0.1容量%以下であることを意味する。
以上のようにして得られた希土類有機錯体の被膜を溶融状態に保ったまま、次に水蒸気をアルゴン等の不活性ガス又は窒素雰囲気中に導入することによって雰囲気中の水蒸気濃度を1〜50%(容量%、以下同じ)、好ましくは5〜20%にする。こうすると、希土類有機錯体被膜は、例えば、下記反応例のように希土類水酸化物被膜に変化する。なお、処理時間は適宜選定し得るが、10分〜10時間、特に30分〜5時間であることが好ましい。
トリス(ベンゾイルアセトナト)RE=[RE(C10923]の場合
[RE(C10923]+3H2O→RE(OH)3+3C10102↑(ベンゾイルアセトン)
上記水蒸気濃度が低すぎると被膜が完全に水酸化物に変化するまでの時間がかかり過ぎる場合があり、高すぎると被膜に剥離を生じる場合がある。なお、水酸化物被膜の膜厚は0.1〜100μm、好ましくは1〜50μmである。
その後、水酸化物被膜を酸化性雰囲気(大気又は酸素含有気体等)中で焼成することによって酸化物被膜に変えることも可能であり、その場合の焼成温度は、300〜450℃程度、好ましくは350〜400℃と比較的低温でよいため、大型アルミニウム部材が対象であっても、変形を起こさずに表面に希土類酸化物被膜を形成することができる。焼成温度が低すぎると被膜が完全に酸化物に変化しない場合があり、高すぎると対象部材が変形を起こす場合がある。なお、焼成時間は1〜100時間、好ましくは1〜50時間であり、酸化物被膜の厚さは0.1〜100μm、好ましくは1〜50μmである。
被膜を形成させる基材としては、炭素、金属(Al、SUS)、セラミック(アルミナ、ジルコニア、窒化珪素、窒化ホウ素)、石英等が挙げられる。
本発明の被膜は、プラズマエッチング装置のプラズマが接触する処理室内壁接触部材、蛍光ランプ用ガラスバルブの内壁保護膜として用いることができる。
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
[実施例1]
酸素及び水蒸気が0.1容量%未満の窒素置換された密閉容器中、100mm×100mm×2mmtのアルミニウム板を160℃に加温し、トリス(ベンゾイルアセトナト)イットリウム塩(融点114℃、分解点140℃)0.1gを表面に落とし、全体が溶融したことを確認してから、あらかじめ125℃に温めておいた間隙5μmのドクターブレードで成膜した。次に、溶融状態を保ったまま、系内に水蒸気を10容量%導入し、その表面に水酸化イットリウムの被膜を得た。表面と断面を電子顕微鏡で観察すると、約1μm厚の被膜が形成されていたが、クラックや異物のない緻密平滑膜であった。これを、大気中400℃にて焼成し、その表面に酸化イットリウムの被膜を得たが、水酸化物被膜と同様、クラックや異物のない緻密平滑膜であった。
[実施例2]
実施例1に記載の密閉容器中で100mm×100mm×2mmtの石英ガラス板を150℃に加温し、トリス(2,4−ペンタンジオン)エルビウム塩(融点140℃、分解点165℃)0.1gを表面に落とし、全体が溶融したことを確認してから、あらかじめ150℃に温めておいた間隙5μmのドクターブレードで成膜した。次に、溶融状態を保ったまま、系内に10容量%水蒸気を導入し、その表面に水酸化エルビウムの被膜を得た。表面と断面を電子顕微鏡で観察すると、約1μm厚の被膜が形成されていたが、クラックや異物のない緻密平滑膜であった。これを、大気中400℃にて焼成し、その表面に酸化エルビウムの被膜を得たが、水酸化物被膜と同様、クラックや異物のない緻密平滑膜であった。
[比較例1]
100mm×100mm×2mmtのアルミニウム板に、イットリウムイソプロポキシドの5質量%エタノール溶液をディップコート法によって塗布し、ゲル化,乾燥した。この操作を20回繰り返した後、大気中100℃にて乾燥した。表面と断面を電子顕微鏡で観察すると、約1μm厚の水酸化イットリウムと考えられる緻密膜が形成されていたが、1〜数μm幅のクラックが各所に観察された。更に、大気中500℃にて焼成したものの表面と断面を電子顕微鏡で観察すると、約1μm厚の酸化イットリウムと考えられる緻密膜が形成されていたが、1〜数十μm幅のクラックが各所に観察された。
[比較例2]
100mm×100mm×2mmtの石英ガラス板に、トリス(2,4−ペンタンジオン)エルビウム塩の5質量%エタノール溶液をディップコート法によって塗布し、乾燥後、大気中550℃にて焼成した。この操作を10回繰り返した後、表面を電子顕微鏡で観察すると、5μm程の不定形状をした酸化エルビウム粒子が石英ガラス表面に多数点在していることが確認された。有機錯体の結晶が析出し、これが形を崩しながら熱分解して酸化物に変化したものと考えられる。

Claims (7)

  1. 希土類元素の有機錯体を加熱溶融し、その融液によって被膜を形成し、次に溶融状態において被膜に水蒸気を接触させることによって、配位子と水酸基の置換反応を起こさせることを特徴とする希土類水酸化物被膜の形成方法。
  2. 溶融温度が、有機錯体の分解温度未満であることを特徴とする請求項1に記載の希土類水酸化物被膜の形成方法。
  3. 希土類元素の有機錯体が、非分解の融点を持ち、配位子としては、8−キノリノール、ジピバロイルメタン、2,4−ペンタンジオン、ベンゾイルアセトン、β−ジケトン類、芳香族カルボン酸、1,10−フェナントロリン、2,2’−ビピリジン、及びトリフェニルホスフィンオキサイドから選ばれるものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の希土類水酸化物被膜の形成方法。
  4. 加熱溶融から被膜形成までを、実質的に水蒸気を含まない雰囲気下で行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の希土類水酸化物被膜の形成方法。
  5. 加熱溶融から被膜形成までを、実質的に酸素を含まない雰囲気下で行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の希土類水酸化物被膜の形成方法。
  6. 不活性ガス雰囲気下で、水蒸気を1〜50容量%導入しながら、被膜に水蒸気を接触させることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の希土類水酸化物被膜の形成方法。
  7. 請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法によって得られた希土類水酸化物被膜を熱処理することからなる希土類酸化物被膜の形成方法。
JP2007293030A 2007-11-12 2007-11-12 希土類水酸化物被膜及び希土類酸化物被膜の形成方法 Expired - Fee Related JP5245365B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007293030A JP5245365B2 (ja) 2007-11-12 2007-11-12 希土類水酸化物被膜及び希土類酸化物被膜の形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007293030A JP5245365B2 (ja) 2007-11-12 2007-11-12 希土類水酸化物被膜及び希土類酸化物被膜の形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009120409A true JP2009120409A (ja) 2009-06-04
JP5245365B2 JP5245365B2 (ja) 2013-07-24

Family

ID=40812992

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007293030A Expired - Fee Related JP5245365B2 (ja) 2007-11-12 2007-11-12 希土類水酸化物被膜及び希土類酸化物被膜の形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5245365B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019169695A (ja) * 2018-03-22 2019-10-03 日立金属株式会社 R−t−b系焼結磁石の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001164354A (ja) * 1999-12-10 2001-06-19 Tocalo Co Ltd プラズマ処理容器内部材およびその製造方法
JP2002042583A (ja) * 2000-07-27 2002-02-08 Nichia Chem Ind Ltd 酸化物透明導電性薄膜の製造方法
JP2005068074A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Asahi Denka Kogyo Kk 希土類金属錯体、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
JP2005350309A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Daiichi Kigensokagaku Kogyo Co Ltd イットリアゾルの製造方法
JP2007027329A (ja) * 2005-07-14 2007-02-01 Tohoku Univ 多層構造体及びその洗浄方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001164354A (ja) * 1999-12-10 2001-06-19 Tocalo Co Ltd プラズマ処理容器内部材およびその製造方法
JP2002042583A (ja) * 2000-07-27 2002-02-08 Nichia Chem Ind Ltd 酸化物透明導電性薄膜の製造方法
JP2005068074A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Asahi Denka Kogyo Kk 希土類金属錯体、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
JP2005350309A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Daiichi Kigensokagaku Kogyo Co Ltd イットリアゾルの製造方法
JP2007027329A (ja) * 2005-07-14 2007-02-01 Tohoku Univ 多層構造体及びその洗浄方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019169695A (ja) * 2018-03-22 2019-10-03 日立金属株式会社 R−t−b系焼結磁石の製造方法
JP7087830B2 (ja) 2018-03-22 2022-06-21 日立金属株式会社 R-t-b系焼結磁石の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5245365B2 (ja) 2013-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3894164A (en) Chemical vapor deposition of luminescent films
TWI661011B (zh) 使用無機物質作為變色層之電漿處理檢測指示劑
US7771531B2 (en) Manufacturing method and usage of crystallized metal oxide thin film
Madhuri Thermal protection coatings of metal oxide powders
CN109072432B (zh) 抗等离子蚀刻膜及其制造方法
TWI375734B (en) Ceramic coating material for thermal spray on the parts of semiconductor processing devices and fabrication method and coating method thereof
TW201805450A (zh) 氧氟化釔熱噴塗膜及其製造方法、以及熱噴塗構件
US10807871B2 (en) Process for producing graphene, a graphene and a substrate thereof
JP5816753B2 (ja) 低温金属蒸着工程を適用した熱変色性ガラスの製造方法及びこれによる熱変色性ガラス
JP2007258634A (ja) プラズマ処理装置用部材およびその製造方法
US20150291470A1 (en) Metallic surfaces by metallothermal reduction
KR20180044851A (ko) Pzt 강유전체막의 형성 방법
JP5245365B2 (ja) 希土類水酸化物被膜及び希土類酸化物被膜の形成方法
JP5212607B2 (ja) 希土類酸化物被膜の形成方法
JP2007270335A (ja) コランダム積層体の製造方法、および、コランダム積層体
JP2007239083A (ja) 基材表面に金属酸化物膜を形成する方法及び該方法に使用する大気開放型cvd装置のノズル
US20090091033A1 (en) Fabrication of metal oxide films
JP5554934B2 (ja) スピネル前駆体ゾルの製造方法、及びスピネルがコーティングされたチタン酸アルミニウム焼結体の製造方法
KR102272156B1 (ko) 이트륨계 세라믹 및 그 제조 방법
WO2011135786A1 (ja) 金属基材の絶縁被膜方法、絶縁被膜金属基材、および、これを用いた半導体製造装置
KR102390123B1 (ko) 내플라즈마 세라믹 기판 및 그 제조방법
JP2018080366A (ja) 金属酸化物薄膜の製造方法及び薄膜製造装置
JP2012206865A (ja) 酸化アルミニウムを被覆した窒化アルミニウム粉末の製造方法
JPH09195050A (ja) 酸化物又は金属の製造方法
Juárez-López et al. Photoluminescent ZrO2: Tb3+ thin films synthesized by USP technique using a metal-organic precursor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100824

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130109

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130312

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130325

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160419

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees