JP2002040964A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子の発光面と反対側の面を封止すると共に保持する素子保持手段を有し、
前記発光素子は、透明電極層、有機ＥＬ層、陰極層を有し、
前記透明電極層は、部分的に形成された透明電極パターンを有し、
前記透明電極層の外側の当該透明電極パターン以外の領域に保持基板層を設けたことを特徴とする表示素子。
【請求項２】
前記透明電極層は、前記透明電極パターンと、当該透明電極パターン以外の領域に設けられた有機ＥＬ層保護材料層からなることを特徴とする請求項１に記載の表示素子。
【請求項３】
前記素子保持手段は、保持基板および前記発光素子の裏面を封止すると共に前記発光素子と前記保持基板とを接着する封止材からなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示素子。
【請求項４】
第１保持基板と、
前記第１保持基板上に設けられた発光素子と、
前記発光素子上に設けられた封止材と、
前記封止材上に設けられた第２保持基板とを有し、
前記第１保持基板は、前記発光素子の発光領域と重なる領域において少なくとも一部除去されていることを特徴とする表示素子。
【請求項５】
第１保持基板と、
前記第１保持基板上に選択的に設けられた複数の透明電極と、
前記複数の透明電極間に各々設けられた有機ＥＬ保護材料層と、
前記複数の透明電極及び前記有機ＥＬ保護材料層上に設けられた有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に設けられた陰極と、
前記陰極上に設けられた封止材と、
前記封止材上に設けられた第２保持基板とを有し、
前記第１保持基板は、前記発光素子の発光領域と重なる領域において少なくとも一部除去されていることを特徴とする表示素子。
【請求項６】
第１保持基板と、
前記第１保持基板上に選択的に設けられた複数の透明電極と、
前記透明電極上に設けられた有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に設けられた陰極と、
前記有機ＥＬ層及び陰極を覆って設けられた封止材と、
前記封止材上に設けられた第２保持基板とを有し、
前記第１保持基板は、前記複数の透明電極間に設けられていることを特徴とする表示素子。
【請求項７】
透明電極と、
前記透明電極上に選択的に設けられた複数の絶縁膜と、
前記透明電極上に、前記複数の絶縁膜を覆って設けられた有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に設けられた陰極と、
前記有機ＥＬ層及び陰極を覆って設けられた封止材と、
前記封止材上に設けられた保持基板とを有することを特徴とする表示素子。
【請求項８】
前記保持基板又は前記第２保持基板は、ガラス基板、金属基板又はポリマー基板であることを特徴とする請求項３乃至請求項７のいずれか一に記載の表示素子。
【請求項９】
基板側に光を放出する発光素子を基板上に形成するステップと、
前記発光素子を前記基板と反対側から保持するステップと、
前記基板の少なくとも一部を除去するステップと
からなることを特徴とする表示素子の製造方法。
【請求項１０】
基板上にパターニングされた電極を有する発光素子を形成するステップと、
前記発光素子を前記基板と反対側から保持するステップと、
前記パターニングされた電極の端部と前記基板が重なる部分を残して、前記パターニングされた電極と重なる部分の前記基板を除去するステップと
を有することを特徴とする表示素子の製造方法。
【請求項１１】
前記基板は、保持基板および透明電極保護材料層からなることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の表示素子の製造方法。
【請求項１２】
第１保持基板上に発光素子を形成するステップと、
前記発光素子上に封止材を形成するステップと、
前記封止材上に第２保持基板を形成するステップと、
前記発光素子の発光領域と重なる領域において、前記第１保持基板を一部除去するステップと
を有することを特徴とする表示素子の製造方法。
【請求項１３】
前記発光素子は、透明電極、有機ＥＬ層、陰極からなることを特徴とする請求項９乃至請求項１２のいずれか一に記載の表示素子の製造方法。
【請求項１４】
第１保持基板上に複数の透明電極を形成するステップと、
前記複数の透明電極間に有機ＥＬ保護材料層を形成するステップと、
前記複数の透明電極及び有機ＥＬ保護材料層上に有機ＥＬ層を形成するステップと、
前記有機ＥＬ層上に陰極を形成するステップと、
前記陰極上に封止材を形成するステップと、
前記封止材上に第２保持基板を形成するステップと、
前記第１保持基板の少なくとも一部を除去するステップと
を有することを特徴とする表示素子の製造方法。
【請求項１５】
第１保持基板上に複数の透明電極を選択的に形成するステップと、
前記透明電極上に有機ＥＬ層を形成するステップと、
前記有機ＥＬ層上に陰極を形成するステップと、
前記陰極上に封止材を形成するステップと、
前記封止材上に第２保持基板を形成するステップと、
前記複数の透明電極と重なる部分の前記第１保持基板を除去するステップと
を有することを特徴とする表示素子の製造方法。
【請求項１６】
第１保持基板上に透明電極を形成するステップと、
前記透明電極上に選択的に絶縁膜を形成するステップと、
前記透明電極上に、前記絶縁膜を覆って有機ＥＬ層を形成するステップと、
前記有機ＥＬ層上に陰極を形成するステップと、
前記陰極上に封止材を形成するステップと、
前記封止材上に第２保持基板を形成するステップと、
前記第１保持基板の少なくとも一部を除去するステップと
を有することを特徴とする表示素子の製造方法。