JP4828659B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
の構成を示す説明図である。第4の実施例は、透明電極のパターニングなしで、発光部位を制御する方法である。第4の実施例においては、全面に形成した透明電極12上の光らせたくない部分にSiO2、レジストなどの絶縁膜21を挟む方法である。この場合、有機EL層13成膜時の膜切れを起こさないために、絶縁層21の膜厚は100nm以下が望ましい。この方式では、透明電極12は電位印可が全面にわたって行われるので、発光領域の部分的な制御は行えず、固定静止画あるいは面発光の用のパターニング方法となる。
Claims (7)
- 複数の透明電極と、 前記複数の透明電極間に設けられた有機EL保護材料と、 前記複数の透明電極及び前記有機EL保護材料上の有機EL層と、 前記有機EL層上の陰極と、 前記有機EL層及び前記陰極を覆う前記陰極上の封止材と、 前記封止材上の保持基板とを有し、 前記複数の透明電極の前記有機EL層が設けられた側とは反対側の表面は露出していることを特徴とする表示装置。
- 請求項1において、前記有機EL保護材料の膜厚は、前記透明電極と前記有機EL層を合わせた膜厚より小さいことを特徴とする表示装置。
- 請求項1または2において、前記有機EL保護材料は、シリカガラス、アクリル樹脂またはポリイミド樹脂であることを特徴とする表示装置。
- 透明電極と、 前記透明電極上の光らせたくない部分に形成された絶縁膜と、 前記透明電極及び前記絶縁膜上の有機EL層と、 前記有機EL層上の陰極と、 前記有機EL層及び陰極を覆う前記陰極上の封止材と、 前記封止材上の保持基板とを有し、 前記透明電極の前記有機EL層が設けられた側とは反対側の表面は露出していることを特徴とする表示装置。
- 請求項4において、前記絶縁膜の膜厚は、100nm以下であることを特徴とする表示装置。
- 請求項4または5において、前記絶縁膜は、SiO2またはレジストであることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至6のいずれか一において、前記保持基板は、ガラス基板、金属基板又はポリマー基板のいずれかであることを特徴とする表示装置。
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