JP2002040355A - プレーナ型ガルバノミラー及びその製造方法 - Google Patents
プレーナ型ガルバノミラー及びその製造方法Info
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- JP2002040355A JP2002040355A JP2000228300A JP2000228300A JP2002040355A JP 2002040355 A JP2002040355 A JP 2002040355A JP 2000228300 A JP2000228300 A JP 2000228300A JP 2000228300 A JP2000228300 A JP 2000228300A JP 2002040355 A JP2002040355 A JP 2002040355A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 共振周波数が狙い値よりはずれても後工程で
良品化が可能なプレーナー型ガルバノミラー及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 可動板の両端に質量負荷部を形成したプ
レーナ型ガルバノミラーとする。該プレーナ型ガルバノ
ミラーを動作させながら初期共振周波数と予め設定され
たねらいの共振周波数の差を読みとり、照射するレーザ
ーパルス数を計算する工程と、前記照射するレーザーパ
ルス数に基づきレーザーを質量負荷部に照射して質量を
減少して周波数を調整し、ねらい値に追い込む工程によ
りプレーナ型ガルバノミラーを製造する。また、質量負
荷部の形成されたプレーナ型ガルバノミラーを動作させ
る工程と、該プレーナ型ガルバノミラーの初期共振周波
数と予め設定されたねらいの共振周波数の差を読みと
り、照射する樹脂量を計算する工程と、前記計算された
照射する樹脂量に基づき樹脂を質量負荷部に照射し、質
量を増加して周波数を調整する工程とによりプレーナ型
ガルバノミラーを製造する。
良品化が可能なプレーナー型ガルバノミラー及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 可動板の両端に質量負荷部を形成したプ
レーナ型ガルバノミラーとする。該プレーナ型ガルバノ
ミラーを動作させながら初期共振周波数と予め設定され
たねらいの共振周波数の差を読みとり、照射するレーザ
ーパルス数を計算する工程と、前記照射するレーザーパ
ルス数に基づきレーザーを質量負荷部に照射して質量を
減少して周波数を調整し、ねらい値に追い込む工程によ
りプレーナ型ガルバノミラーを製造する。また、質量負
荷部の形成されたプレーナ型ガルバノミラーを動作させ
る工程と、該プレーナ型ガルバノミラーの初期共振周波
数と予め設定されたねらいの共振周波数の差を読みと
り、照射する樹脂量を計算する工程と、前記計算された
照射する樹脂量に基づき樹脂を質量負荷部に照射し、質
量を増加して周波数を調整する工程とによりプレーナ型
ガルバノミラーを製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばプリンター
のレーザー光のスキャニングシステム等に利用するプレ
ーナ型ガルバノミラー及びその製造方法に関する。
のレーザー光のスキャニングシステム等に利用するプレ
ーナ型ガルバノミラー及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プレーナ型ガルバノミラーは、レーザー
光を偏向走査するレーザースキャナ等に利用されるもの
で、その原理は磁界中に配置した可動コイルに電流を流
すことにより電流と磁束に応じた電磁力が発生すると共
に電流に比例した回転力を生じる。この回転力と可動コ
イル保持部材のバネ力とが平衡する角度まで可動コイル
が回転し、この可動コイルを介して指針を振らせて電流
の有無もしくは大小を検出するというガルバノメーター
を利用したもので、可動コイルと一体に回転する軸(可
動コイル保持部材)に、前記指針の代わりにミラーを設
けて構成されるものである。小型のガルバノミラーとし
ては半導体材料を使用したものも提案されている。プレ
ーナ型ガルバノミラーは共振周波数での駆動が最も効率
が良いため一般的には前記共振周波数に合わせた周波数
で駆動する。前記共振周波数は、ミラー及びトーション
バーの材質さらに形状の加工精度により決定されてしま
うため歩留まりを考慮すると個々の周波数に合わせた駆
動周波数にする必要がある。また同一の駆動周波数で個
々を駆動しようとすると選別してある範囲内のものだけ
を使用するという歩留まりの悪い手段を取らざるを得な
い。
光を偏向走査するレーザースキャナ等に利用されるもの
で、その原理は磁界中に配置した可動コイルに電流を流
すことにより電流と磁束に応じた電磁力が発生すると共
に電流に比例した回転力を生じる。この回転力と可動コ
イル保持部材のバネ力とが平衡する角度まで可動コイル
が回転し、この可動コイルを介して指針を振らせて電流
の有無もしくは大小を検出するというガルバノメーター
を利用したもので、可動コイルと一体に回転する軸(可
動コイル保持部材)に、前記指針の代わりにミラーを設
けて構成されるものである。小型のガルバノミラーとし
ては半導体材料を使用したものも提案されている。プレ
ーナ型ガルバノミラーは共振周波数での駆動が最も効率
が良いため一般的には前記共振周波数に合わせた周波数
で駆動する。前記共振周波数は、ミラー及びトーション
バーの材質さらに形状の加工精度により決定されてしま
うため歩留まりを考慮すると個々の周波数に合わせた駆
動周波数にする必要がある。また同一の駆動周波数で個
々を駆動しようとすると選別してある範囲内のものだけ
を使用するという歩留まりの悪い手段を取らざるを得な
い。
【０００３】図１は従来のプレーナ型ガルバノミラーを
示す図で、(ａ)は上面図、(ｂ)は正面断面図、(ｃ)は側
面断面図である。シリコン基板１に一体形成された可動
板２の上面の中央部には、ミラー３が形成されており、
周縁部には平面コイル４が形成されている。可動板２は
シリコン基板１に中抜き状態で形成され、シリコン基板
１より一体に形成されたトーションバー５、６により保
持されている。共振周波数は、トーションバーとミラー
形状により決定される。トーションバーの特性は断面の
縦横比・断面積・長さ・材質で決まる。特に断面の縦横
比・断面積は重要である。にもかかわらず最も加工条件
に左右されやすいため精度が出にくい部位である。ミラ
ー形状はトーションバーより影響度は低いが精度的には
トーションバーと同等で加工される。これらはラップ研
磨を用いる機械的周波数調整方法で精度を上げようとす
ると割れや欠けを生じる可能性が非常に高く信頼性が著
しく低下する。シリコン基板１は、ベース基板７の上面
に固定された台座８の上面に固定されている。上面図
(ａ)において、シリコン基板上下には永久磁石９・１０
が配置され、ベース基板７の周縁部にはヨーク１１が載
置されている。ヨーク１１は中抜きにされ角状に形成さ
れたものを複数枚積み重ねる事によって構成している。
示す図で、(ａ)は上面図、(ｂ)は正面断面図、(ｃ)は側
面断面図である。シリコン基板１に一体形成された可動
板２の上面の中央部には、ミラー３が形成されており、
周縁部には平面コイル４が形成されている。可動板２は
シリコン基板１に中抜き状態で形成され、シリコン基板
１より一体に形成されたトーションバー５、６により保
持されている。共振周波数は、トーションバーとミラー
形状により決定される。トーションバーの特性は断面の
縦横比・断面積・長さ・材質で決まる。特に断面の縦横
比・断面積は重要である。にもかかわらず最も加工条件
に左右されやすいため精度が出にくい部位である。ミラ
ー形状はトーションバーより影響度は低いが精度的には
トーションバーと同等で加工される。これらはラップ研
磨を用いる機械的周波数調整方法で精度を上げようとす
ると割れや欠けを生じる可能性が非常に高く信頼性が著
しく低下する。シリコン基板１は、ベース基板７の上面
に固定された台座８の上面に固定されている。上面図
(ａ)において、シリコン基板上下には永久磁石９・１０
が配置され、ベース基板７の周縁部にはヨーク１１が載
置されている。ヨーク１１は中抜きにされ角状に形成さ
れたものを複数枚積み重ねる事によって構成している。
【０００４】可動板２に形成された平面コイル４に通電
すると、可動板２はトーションバー５・６を回転中心と
して回転する。この可動板２は上下に約２０度回転可能
である。ベース基板７上にはパターン７ａが形成されて
おり、該パターン７ａとシリコン基板１に形成されたパ
ターン１ａとをワイヤー１３により接続している。ワイ
ヤー１３は断線不良等を考慮し、予め複数本接続されて
いる。パターン７ａにはスルーホール７ｂが設けられて
おり、スルーホール７ｂを介して外部との接続を行う構
造である。スルーホール７ｂはベース基板７の下面に設
けられた配線用パターン(不図示)を介してサイドスルー
ホール７ｃと接続されている。尚、ヨーク１１上にはカ
バー部材が設けられる。
すると、可動板２はトーションバー５・６を回転中心と
して回転する。この可動板２は上下に約２０度回転可能
である。ベース基板７上にはパターン７ａが形成されて
おり、該パターン７ａとシリコン基板１に形成されたパ
ターン１ａとをワイヤー１３により接続している。ワイ
ヤー１３は断線不良等を考慮し、予め複数本接続されて
いる。パターン７ａにはスルーホール７ｂが設けられて
おり、スルーホール７ｂを介して外部との接続を行う構
造である。スルーホール７ｂはベース基板７の下面に設
けられた配線用パターン(不図示)を介してサイドスルー
ホール７ｃと接続されている。尚、ヨーク１１上にはカ
バー部材が設けられる。
【０００５】図２は従来のプレーナー型ガルバノミラー
の斜視図である。図３は図２のＡ−Ａ断面図である。ヨ
ーク１１上には、半導体基板１の保護を目的に樹脂等で
形成された平板状のカバー部材１２が設けられる。カバ
ー部材１２は接着剤でヨーク１１上に固定され、プレー
ナー型ガルバノミラーが構成されている。１２ａは開口
部であり、図３中に示す矢印はレーザー光の動きを示す
ものである。外部より照射されるレーザー光は、開口部
１２ａ部を通過しミラー面で偏向され、開口部１２ａを
通過して矢印方向へ進むものである。
の斜視図である。図３は図２のＡ−Ａ断面図である。ヨ
ーク１１上には、半導体基板１の保護を目的に樹脂等で
形成された平板状のカバー部材１２が設けられる。カバ
ー部材１２は接着剤でヨーク１１上に固定され、プレー
ナー型ガルバノミラーが構成されている。１２ａは開口
部であり、図３中に示す矢印はレーザー光の動きを示す
ものである。外部より照射されるレーザー光は、開口部
１２ａ部を通過しミラー面で偏向され、開口部１２ａを
通過して矢印方向へ進むものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】プレーナ型ガルバノミ
ラーは、前記ミラー固有の共振周波数で動作させる事が
最も効率的な事が一般的に知られている。しかし前記ミ
ラーの共振周波数は主にトーションバーの断面の縦横比
・断面積・長さ・材質とミラー形状により決定される
が、該共振周波数は設計公差や製造上の組立公差等によ
り本来得られるはずの狙い値からばらつきを見込んでも
ある率は規格外になってしまう。この規格外品は不良扱
いになり歩留まりが低下してしまう。また工程管理上も
加工条件が厳しくなり工数がかかってしまう。本発明は
前記問題点に鑑み、前工程でミラー及びトーションバー
切り出し形状が寸法公差外になり、共振周波数が狙い値
よりはずれても後工程で良品化が可能なプレーナー型ガ
ルバノミラー及びその製造方法を提供しようとするもの
である。
ラーは、前記ミラー固有の共振周波数で動作させる事が
最も効率的な事が一般的に知られている。しかし前記ミ
ラーの共振周波数は主にトーションバーの断面の縦横比
・断面積・長さ・材質とミラー形状により決定される
が、該共振周波数は設計公差や製造上の組立公差等によ
り本来得られるはずの狙い値からばらつきを見込んでも
ある率は規格外になってしまう。この規格外品は不良扱
いになり歩留まりが低下してしまう。また工程管理上も
加工条件が厳しくなり工数がかかってしまう。本発明は
前記問題点に鑑み、前工程でミラー及びトーションバー
切り出し形状が寸法公差外になり、共振周波数が狙い値
よりはずれても後工程で良品化が可能なプレーナー型ガ
ルバノミラー及びその製造方法を提供しようとするもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】半導体基板に平板状の可
動板と該可動板を半導体基板に対して基板上下方向に揺
動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記
可動板に通電により磁界を発生する平面コイルとミラー
を設け、該半導体基板を台座基板に搭載し、該台座基板
と前記半導体基板のトーションバーの軸方向と平行に配
置された可動板の平面コイルに磁界を作用させるための
対をなす永久磁石とヨークをベース基板に固定し、前記
ベース基板に設けられたパターン部と前記半導体基板に
形成されたパターン部が電気的に接続されて成るプレー
ナ型ガルバノミラーにおいて、前記可動板の両端に質量
負荷部を形成したプレーナ型ガルバノミラーとする。
動板と該可動板を半導体基板に対して基板上下方向に揺
動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記
可動板に通電により磁界を発生する平面コイルとミラー
を設け、該半導体基板を台座基板に搭載し、該台座基板
と前記半導体基板のトーションバーの軸方向と平行に配
置された可動板の平面コイルに磁界を作用させるための
対をなす永久磁石とヨークをベース基板に固定し、前記
ベース基板に設けられたパターン部と前記半導体基板に
形成されたパターン部が電気的に接続されて成るプレー
ナ型ガルバノミラーにおいて、前記可動板の両端に質量
負荷部を形成したプレーナ型ガルバノミラーとする。
【０００８】質量負荷部の形成されたプレーナ型ガルバ
ノミラーを動作させる工程と、該プレーナ型ガルバノミ
ラーの初期共振周波数と予め設定されたねらいの共振周
波数の差を読みとり、照射するレーザーパルス数を計算
する工程と、前記照射するレーザーパルス数に基づきレ
ーザーを質量負荷部に照射して質量を減少して周波数を
調整し、ねらい値に追い込む工程とを有するプレーナ型
ガルバノミラーの製造方法とする。
ノミラーを動作させる工程と、該プレーナ型ガルバノミ
ラーの初期共振周波数と予め設定されたねらいの共振周
波数の差を読みとり、照射するレーザーパルス数を計算
する工程と、前記照射するレーザーパルス数に基づきレ
ーザーを質量負荷部に照射して質量を減少して周波数を
調整し、ねらい値に追い込む工程とを有するプレーナ型
ガルバノミラーの製造方法とする。
【０００９】質量負荷部の形成されたプレーナ型ガルバ
ノミラーを動作させる工程と、該プレーナ型ガルバノミ
ラーの初期共振周波数と予め設定されたねらいの共振周
波数の差を読みとり、照射する樹脂量を計算する工程
と、前記計算された照射する樹脂量に基づき樹脂を質量
負荷部に照射し、質量を増加して周波数を調整する工程
とを有するプレーナ型ガルバノミラーの製造方法とす
る。
ノミラーを動作させる工程と、該プレーナ型ガルバノミ
ラーの初期共振周波数と予め設定されたねらいの共振周
波数の差を読みとり、照射する樹脂量を計算する工程
と、前記計算された照射する樹脂量に基づき樹脂を質量
負荷部に照射し、質量を増加して周波数を調整する工程
とを有するプレーナ型ガルバノミラーの製造方法とす
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】図４は本発明の実施形態を示すプ
レーナ型ガルバノミラーの斜視図であり、図５は図４の
Ａ−Ａ断面図である。従来例と同じ部分については同じ
符号を用いている。図６は質量負荷部レーザー加工装置
ブロック図である。１４は金属材料を蒸着した質量負荷
部であり、ミラーの両端にあるトーションバー５・６を
結んだ線対称位置に質量負荷部１４と同様の質量負荷部
１５が設けられている。前記質量負荷部はミラー形成時
の蒸着により同時に形成される。図６においては、１９
はレーザー発振器、１６は発振されたレーザーを伝送す
るレーザービーム光伝送系、１７は、伝送されてきたレ
ーザービームをミラーの質量負荷部上に結像させる結像
光学系である。２０は、プレーナ型ガルバノミラー１８
の周波数を測定する周波数測定系である。周波数測定系
２０は、プレーナ型ガルバノミラー１８の初期共振周波
数と、予め設定された狙いの共振周波数との差から、照
射すべきレーザーパルス数を計算する機能を有してい
る。周波数測定系２０には照射すべきパルス数を計算す
るために必要な、レーザー照射回数と共振周波数の変化
量との関係が予め入力されている事は当然である。以上
のような装置を用いプレーナ型ガルバノミラー１８を個
々に動作させ共振周波数をモニターしつつ図４に示す質
量負荷部１４・１５の金属を徐々に飛ばしながら共振周
波数を下げて行き、所定の周波数に追い込むようにす
る。場合によっては金属を飛ばしすぎてしまったり作製
時から高い共振周波数でできてしまったもの等もある。
高い共振周波数のものは、質量負荷部の質量を増やす事
が必要になる。
レーナ型ガルバノミラーの斜視図であり、図５は図４の
Ａ−Ａ断面図である。従来例と同じ部分については同じ
符号を用いている。図６は質量負荷部レーザー加工装置
ブロック図である。１４は金属材料を蒸着した質量負荷
部であり、ミラーの両端にあるトーションバー５・６を
結んだ線対称位置に質量負荷部１４と同様の質量負荷部
１５が設けられている。前記質量負荷部はミラー形成時
の蒸着により同時に形成される。図６においては、１９
はレーザー発振器、１６は発振されたレーザーを伝送す
るレーザービーム光伝送系、１７は、伝送されてきたレ
ーザービームをミラーの質量負荷部上に結像させる結像
光学系である。２０は、プレーナ型ガルバノミラー１８
の周波数を測定する周波数測定系である。周波数測定系
２０は、プレーナ型ガルバノミラー１８の初期共振周波
数と、予め設定された狙いの共振周波数との差から、照
射すべきレーザーパルス数を計算する機能を有してい
る。周波数測定系２０には照射すべきパルス数を計算す
るために必要な、レーザー照射回数と共振周波数の変化
量との関係が予め入力されている事は当然である。以上
のような装置を用いプレーナ型ガルバノミラー１８を個
々に動作させ共振周波数をモニターしつつ図４に示す質
量負荷部１４・１５の金属を徐々に飛ばしながら共振周
波数を下げて行き、所定の周波数に追い込むようにす
る。場合によっては金属を飛ばしすぎてしまったり作製
時から高い共振周波数でできてしまったもの等もある。
高い共振周波数のものは、質量負荷部の質量を増やす事
が必要になる。
【００１１】図７は質量付加装置の簡単なブロック図で
あり２２は、ミラーの質量負荷部上に樹脂を付加する機
能を有する質量付加装置である。２１の周波数測定系
は、プレーナ型ガルバノミラー１８の初期共振周波数
と、予め設定された狙いの共振周波数との差から、照射
すべき樹脂量を計算する機能を有している。周波数測定
系２１には付加すべき樹脂量計算するために必要な、樹
脂付加量と共振周波数の変化量との関係が予め入力され
ている事は当然である。共振周波数をモニターしながら
樹脂を図４に示す質量負荷部１４・１５に付加する。徐
々に周波数が下がって行くので所定の周波数で付加をや
める。上記により本発明のプレーナ型ガルバノミラーが
完成する。尚、樹脂を用いるのは常温での作業が行え、
作業性が良くなること、また、樹脂は物質密度が低いた
め質量付加において微調整が利くためである。
あり２２は、ミラーの質量負荷部上に樹脂を付加する機
能を有する質量付加装置である。２１の周波数測定系
は、プレーナ型ガルバノミラー１８の初期共振周波数
と、予め設定された狙いの共振周波数との差から、照射
すべき樹脂量を計算する機能を有している。周波数測定
系２１には付加すべき樹脂量計算するために必要な、樹
脂付加量と共振周波数の変化量との関係が予め入力され
ている事は当然である。共振周波数をモニターしながら
樹脂を図４に示す質量負荷部１４・１５に付加する。徐
々に周波数が下がって行くので所定の周波数で付加をや
める。上記により本発明のプレーナ型ガルバノミラーが
完成する。尚、樹脂を用いるのは常温での作業が行え、
作業性が良くなること、また、樹脂は物質密度が低いた
め質量付加において微調整が利くためである。
【００１２】
【発明の効果】共振周波数が狙い値よりも低い場合、質
量負荷部の金属を飛ばすことにより共振周波数の調整が
でき、狙い値を個々に合わせ込む事が可能なため歩留ま
りの飛躍的向上が可能となる。
量負荷部の金属を飛ばすことにより共振周波数の調整が
でき、狙い値を個々に合わせ込む事が可能なため歩留ま
りの飛躍的向上が可能となる。
【００１３】共振周波数が狙い値よりも高い場合、質量
負荷部に樹脂を付加することにより共振周波数の調整が
でき、狙い値を個々に合わせ込む事が可能なため歩留ま
りの飛躍的向上が可能となる。
負荷部に樹脂を付加することにより共振周波数の調整が
でき、狙い値を個々に合わせ込む事が可能なため歩留ま
りの飛躍的向上が可能となる。
【００１４】樹脂を用いることにより、常温での作業が
行え、作業性が良くなる。また、樹脂は物質密度が低い
ため質量付加において微調整が利く。
行え、作業性が良くなる。また、樹脂は物質密度が低い
ため質量付加において微調整が利く。
【００１５】工程管理上も外形加工条件が比較的ラフな
設定で良いため標準的設備がそのまま流用できる。
設定で良いため標準的設備がそのまま流用できる。
【００１６】トーションバーの加工形状の修正による共
振周波数調整が不要なためマイクロクラックの発生がな
く高信頼性のものが供給可能になった。
振周波数調整が不要なためマイクロクラックの発生がな
く高信頼性のものが供給可能になった。
【００１７】質量負荷部はミラー蒸着時に同時に形成す
るためマスク変更のみで実現可能なため工程を増やす必
要無く低価格に部品供給可能である。
るためマスク変更のみで実現可能なため工程を増やす必
要無く低価格に部品供給可能である。
【図１】従来のプレーナ型ガルバノミラーを示す図で、
（ａ）は上面図、（ｂ）は正面断面図、（ｃ）は側面断
面図
（ａ）は上面図、（ｂ）は正面断面図、（ｃ）は側面断
面図
【図２】従来のプレーナ型ガルバノミラーの斜視図
【図３】図２のＡ−Ａ断面図
【図４】本発明の実施形態を示すプレーナ型ガルバノミ
ラーの斜視図
ラーの斜視図
【図５】図４のＡ−Ａ断面図
【図６】質量負荷部レーザー加工装置ブロック図
【図７】質量付加装置ブロック図
１ シリコン基板 １ａ パターン ２ 可動板 ３ ミラー ４ 平面コイル ５ トーションバー ６ トーションバー ７ ベース基板 ７ａ パターン ７ｂ スルーホール ７ｃ サイドスルーホール ８ 台座 ９ 永久磁石 １０ 永久磁石 １１ ヨーク １２ カバー部材 １２ａ 開口部 １３ ワイヤー １４ 質量負荷部 １５ 質量負荷部 １６ レーザービーム光伝送系 １７ 結像光学系 １８ プレーナ型ガルバノミラー １９ レーザー発振器 ２０ 周波数測定系 ２１ 周波数測定系 ２２ 質量付加装置系
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板に平板状の可動板と該可動板
を半導体基板に対して基板上下方向に揺動可能に軸支す
るトーションバーとを一体形成し、前記可動板に通電に
より磁界を発生する平面コイルとミラーを設け、該半導
体基板を台座基板に搭載し、該台座基板と前記半導体基
板のトーションバーの軸方向と平行に配置された可動板
の平面コイルに磁界を作用させるための対をなす永久磁
石とヨークをベース基板に固定し、前記ベース基板に設
けられたパターン部と前記半導体基板に形成されたパタ
ーン部が電気的に接続されて成るプレーナ型ガルバノミ
ラーにおいて、前記可動板の両端に質量負荷部を形成し
たことを特徴とするプレーナ型ガルバノミラー。 - 【請求項２】 質量負荷部の形成されたプレーナ型ガル
バノミラーを動作させる工程と、該プレーナ型ガルバノ
ミラーの初期共振周波数と予め設定されたねらいの共振
周波数との差を読みとり、照射するレーザーパルス数を
計算する工程と、前記照射するレーザーパルス数に基づ
きレーザーを質量負荷部に照射して質量を除去して周波
数を調整する工程とを有するプレーナ型ガルバノミラー
の製造方法。 - 【請求項３】 質量負荷部の形成されたプレーナ型ガル
バノミラーを動作させる工程と、該プレーナ型ガルバノ
ミラーの初期共振周波数と予め設定されたねらいの共振
周波数の差を読みとり、照射する樹脂量を計算する工程
と、前記計算された照射する樹脂量に基づき樹脂を質量
負荷部に照射し、質量を増加して周波数を調整する工程
とを有するプレーナ型ガルバノミラーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000228300A JP4516673B2 (ja) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | プレーナ型ガルバノミラーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000228300A JP4516673B2 (ja) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | プレーナ型ガルバノミラーの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002040355A true JP2002040355A (ja) | 2002-02-06 |
| JP4516673B2 JP4516673B2 (ja) | 2010-08-04 |
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