JP2002033547A

JP2002033547A - 半導体集積化光素子

Info

Publication number: JP2002033547A
Application number: JP2000217208A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Komori; 正明古森; Masahiro Aoki; 雅博青木
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2000-07-13
Filing date: 2000-07-13
Publication date: 2002-01-31

Abstract

(57)【要約】【課題】広範囲にわたる発振波長で高精度に所望の波長
を送信できる低コスト半導体集積化光素子を提供する。【解決手段】歪量子井戸層と障壁層からなる歪多重量子
井戸構造の上部に、イオン注入プロセスを用いた際、イ
オンが通過する領域とイオンが通過しない領域をストラ
イプ状に設け、この歪多重量子井戸構造にイオンを注入
した後、アニールを施し、イオンが通過しない領域を光
導波路とした半導体集積化光素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光通信用の半導体集
積化光素子に係り、特に高密度波長多重伝送用に好適な
半導体集積化光素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】インターネットビジネスなどの発展に伴
い、伝送情報の大容量化は不可欠であり、情報伝送シス
テムとして高密度波長多重伝送システムの研究開発が活
発に行われている。

【０００３】高密度波長多重伝送システムは、光ファイ
バ中に複数の異なる波長の信号光を伝播させ、情報伝送
量の大容量化を図る。しかしながら、光ファイバには伝
送に適さない波長領域が存在する。したがって、情報伝
送量の大容量化に伴い、伝送する波長数を増加させた場
合、上記波長領域の制限によって伝送波長は近接化す
る。

【０００４】上記伝送波長の近接化は混信の原因となる
ので、混信を回避するために送信光源の発振波長の高精
度化が要求される。しかし、送信光源の波長仕様が厳し
くなると送信光源の作製歩留まりが低下するという課題
があった。

【０００５】さらに、波長多重伝送システムでは、波長
資源の効果的な活用法の開発も鍵である。これに対し、
伝送可能な波長域の拡大を目的とした、光ファイバある
いは光アンプなどの研究開発もまた活発になされてい
る。

【０００６】また、光通信網の拡大に伴い、高密度波長
多重伝送システムの開発では低コストおよび小型化の要
求も高まっている。これらの要求を満足するためには、
システムを構成する送信光源などの部品が集積化素子で
あることが望ましい。

【０００７】半導体レーザアレイや変調器集積化半導体
レーザを作製するための半導体光素子の集積化プロセス
として、選択成長プロセスが一般的である。例えばアイ
トリプルイー・ジャーナル・オブ・カンタム・エレクト
ロニクス（IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONIC
S），ＶＯＬ．２９，ＮＯ．６，ｐｐ２０８８によれ
ば、選択成長プロセスを用いることにより半導体レーザ
と変調器を集積する技術が開示されている。

【０００８】選択成長プロセスは、一回の成長で変調器
領域と半導体レーザ領域を形成する。この選択成長プロ
セスは、光導波路を結晶成長する前に、誘電材料からな
る選択成長マスクを局所的に蒸着する。これによって、
光導波路を結晶成長する際、成長に寄与する反応種は、
この選択成長マスク表面に吸着できず、選択成長マスク
の領域外に拡散する。この拡散によって、局所的に光導
波路の組成が変化する。上記組成変化を制御することに
よって、変調器と半導体レーザ部の光導波路、あるいは
異なる発振波長を有する複数の半導体レーザの活性層を
一括して形成できる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】以上のようなシステム
開発動向から、高密度波長多重伝送システムに用いる送
信光源は、第１に異なる発振波長を有する複数の半導体
レーザを集積し、このときの発振波長は広範囲にわたっ
ていること、第２にこの送信光源は高精度に所望の波長
を送信できる低コスト半導体集積化光素子であることが
要求される。

【００１０】しかしながら、前述の選択成長プロセスな
どの集積化プロセスでは、以下の二つの理由から目的の
低コスト半導体集積化光素子の実現が困難であった。

【００１１】その第１の理由は、同一の基板面内での反
応種の振る舞いを制御し、複数の光導波路を１回の選択
成長プロセスで形成する場合、結晶性の観点からすると
作製できる半導体レーザの発振波長の範囲に限界がある
ことである。

【００１２】これを回避して作製する光導波路の波長範
囲を拡大するためには、複数回の選択成長プロセスを行
うというアプローチがある。それぞれの選択成長プロセ
スで作製する波長範囲に最適な選択成長マスク配置と結
晶成長条件を用いることによって、良好な結晶性を有す
る広い波長範囲の光導波路を集積できる。しかし、この
アプローチを用いた場合、選択成長マスクの蒸着プロセ
スと結晶成長プロセスの回数が増加する。このようなプ
ロセス回数の増加は面内の構造ばらつきの悪化またはロ
ットアウトといった問題を伴う。

【００１３】第２の理由は、プロセスの安定性に関する
問題である。この選択成長プロセスでは選択成長マスク
の影響を利用するため、例えば選択成長マスク表面にお
いて、ごみなどの影響によって、反応種の吸着率が変化
した場合、反応種の挙動は敏感に変化する。さらに、反
応種の振る舞いを利用するため、ラン・トゥ・ラン（ｒ
ｕｎｔｏｒｕｎ）の結晶成長雰囲気の変化が作製ば
らつきを増長する。

【００１４】以上の理由から、従来の集積化プロセスで
は、広範囲および高精度の発振波長を有する低コスト半
導体光集積化素子の実現は困難であった。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めには、集積化プロセスにおいて以下のような条件が要
求される。

【００１６】（１）プロセス回数が少ない。

【００１７】（２）作製構造の面内均一性が高い。

【００１８】（３）集積化プロセスにおけるラン・トゥ
・ランのばらつきが小さい。

【００１９】本発明では、これらの要求を満たす新規な
集積化プロセスを発案した。以下、本発明の集積化プロ
セスの手順を記述する。

【００２０】図１は本発明のプロセスの説明図である。
はじめにＩｎＰ基板１上に通常の成長方法で光導波路と
なる歪多重量子井戸層２を成長する（ａ）。次に注入イ
オンを通過させないイオン注入遮断マスク３をストライ
プ状に設ける。このイオン注入遮断マスク３は半導体レ
ーザ領域４と変調器領域５においてストライプ幅６、
７、８、９が異なっている（ｂ）。このとき、半導体レ
ーザ領域４のストライプ幅６、７は、変調器領域５のス
トライプ幅８、９より大きい。

【００２１】この後、電気的な分離を図るため鉄イオン
を注入し、アニールする。次に電流狭窄層１０および上
側クラッド層１１を結晶成長により形成する（ｃおよび
ｄ）。最後に電極蒸着等を行い、半導体集積化光素子を
完成する（ｅ）。

【００２２】以上までの集積化プロセスによって、それ
ぞれのイオン注入遮断マスク３の下部に位置する光導波
路の波長は異なった値となる。結果として、集積化され
た半導体レーザの送信光源１２、１３の波長は異なる。
以上により高精度に波長を制御した半導体集積化光素子
を実現できる。

【００２３】波長の広範囲化プロセスの手順に関して、
図２を用いて説明する。はじめにＩｎＰ基板１４上に第
１の歪多重量子井戸層１５を成長する（ａ）。次に第１
の歪多重量子井戸層１５の一部に誘電材料であるＳｉＯ
₂膜１６を蒸着する（ｂ）。次にＳｉＯ₂膜１６に覆われ
ていない領域の歪多重量子井戸層１５をエッチングによ
り除去する（ｃ）。

【００２４】次に第１の歪多重量子井戸層１５に比べて
少なくとも５０ｎｍ以上の波長差を有する第２の歪多重
量子井戸層１７を順次結晶成長する（ｄ）。次に前記部
分的に形成したＳｉＯ₂膜１６を除去する（ｅ）。さら
に、幅１８、１９、２０、２１の異なるイオン注入遮断
マスク２２を一括して蒸着する（ｆ）。

【００２５】この後、図１により説明した電気的な分離
を図るため鉄イオン注入、アニール、電流狭窄層および
上側クラッド層形成および電極蒸着等を行うことによっ
て、広範囲および高精度に波長を制御した半導体集積化
光素子が形成できる。

【００２６】ここで、上記の波長制御に関して行った基
礎実験について説明する。図３は本発明の原理を説明す
るため実験方法の説明図である。フォトルミネッセンス
発光波長が１．５３μmである歪多重量子井戸層２３の
上に、幅の異なるストライプ状のイオン注入遮断マスク
２４を並列に配置した。この時の幅は１〜４０μmであ
る。この後、鉄イオンを注入した。この時のイオン注入
条件は、加速電圧８０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０¹³／ｃ
ｍ²である。この後、イオン注入遮断マスク２４を除去
し、アニールした。このときのアニール温度は、７８７
℃である。

【００２７】図４は各イオン注入遮断マスクが位置して
いたイオン未注入領域２５を顕微フォトルミネッセンス
により評価した結果である。図４から、イオン注入遮断
マスク２４の幅が約５μm以下の領域ではマスク幅の低
減に伴い発光波長が短波長化していることがわかる。つ
まり、イオン注入遮断マスク２４の幅の変化のみで、光
導波路の発光波長を制御できることが判明した。

【００２８】この光導波路領域における発光波長の短波
長化は、界面無秩序化に起因するものとの推測される。
界面無秩序化とは、歪多重量子井戸層の量子井戸層と障
壁層の界面元素が移動することにより、歪多重量子井戸
層の発光波長が変化する現象である。

【００２９】界面無秩序化を起こす通常の方法は、はじ
めに歪多重量子井戸層にイオンを注入し、結晶欠陥を構
造中に発生させ、この後アニールを行い結晶性を回復さ
せるという方法が採られる。上記アニールの際に結晶欠
陥が移動し、同時に界面元素も移動する。

【００３０】これに対して前述の基礎実験では直接には
イオン注入をしていない歪多重量子井戸層の領域におい
て波長変化が確認された。この要因としてイオン注入プ
ロセスの際にイオンがイオン注入遮断マスクの下部にも
飛散したことが考えられるが、鉄元素が歪多重量子井戸
層に混入した場合には歪多重量子井戸層は発光しない。
上記基礎実験では歪多重量子井戸層の光学的特性の劣化
はみられなかった。これはイオン注入時に発生した結晶
欠陥のみが、アニールの際にイオン注入遮断マスク下部
まで進入し、界面無秩序化が横方向に進行したことを意
味する。

【００３１】そして本発明のように、並列させたストラ
イプ状のイオン注入遮断マスクの幅を各マスクごとに異
なる幅とすることにより、界面無秩序化の進行の度合い
が各導波路ごとに異なるものとなり、その結果として上
記マスク幅に対応して各領域での発光波長が変化したも
のと推測される。また、上記界面無秩序化による波長変
化の度合いはイオン注入条件によっても制御できる。し
たがって、波長の変化量に対するイオン注入遮断マスク
幅の制御において、寸法設計の融通性は高いといえる。

【００３２】以上より、低コスト半導体集積化光素子の
実現のために、本発明の集積化プロセスを用いることに
より、以下の効果を得ることができる。

【００３３】（１）本集積化プロセスに用いるイオン注
入プロセスは、高均一プロセスであり、面内の構造均一
化に対して有効である。

【００３４】（２）イオン注入遮断マスクはフォトリソ
グラフにより容易かつ安定に幅を調整できる。本発明に
よればこの幅の制御のみで光導波路の波長を高精度に制
御できる。

【００３５】（３）結晶成長し、作製した歪多重量子井
戸層の波長を評価した後でイオン注入遮断マスクを形成
できる。したがって、イオン注入遮断マスク幅を変更す
ることにより、所望の波長に向けた波長補正が可能とな
る。つまり、結晶成長雰囲気のラン・トゥ・ランのばら
つきに影響されない。

【００３６】（４）搭載する半導体レーザの波長範囲を
拡大するために、複数回の結晶成長を行っても、イオン
注入遮断マスクの蒸着は１回である。したがって、プロ
セス回数は減少する。

【００３７】以上のように、本発明の集積化プロセスを
用いることにより、広範囲にわたり、異なる発振波長を
有する半導体レーザを集積し、かつ高精度に所望の波長
を送信できる低コスト半導体集積化光素子を実現でき
る。また、上記集積化技術はＩｎＧａＡｓＰ系材料のみ
ならず、Ａｌ元素などの他元素を含む場合にも有効であ
ることはいうまでもない。さらに光変調器以外の、半導
体アンプなど複数の機能光素子を集積化する場合におい
ても有効である。

【００３８】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）本発明による高
精度発振波長半導体レーザアレイの一例を、図５を用い
て説明する。ｎ型ＩｎＰ（キャリア濃度１×１０¹⁸／ｃ
ｍ³）基板２６上に、ｎ型ＩｎＰ（キャリア濃度１×１
０¹⁸／ｃｍ³）バッファ層２７を０．１５μm成長した。
その後、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．１５μｍ、
無歪、キャリア濃度５×１０¹⁷／ｃｍ³）下側ガイド層
２８を、厚さ１００ｎｍで成長する。次に６ｎｍのＩｎ
ＧａＡｓＰ（組成波長１．７０μm、圧縮歪量１．０
％）歪量子井戸層２９と１０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ（組
成波長１．１５μｍ、無歪）障壁層３０との６周期構造
である歪多重量子井戸層を成長した。さらにＩｎＧａＡ
ｓＰ（組成波長１．１５μm、無歪）上側ガイド層３１
を５０ｎｍ成長した。

【００３９】次にこの上にＳｉＯ₂膜を蒸着し、フォト
レジストをストライプ状に４本、パターンニングした。
このときのストライプ幅は１．８、１．９、２．０、
２．１μmである。さらに、このフォトレジストをマス
クとしてＳｉＯ₂膜をエッチングした。この後、鉄イオ
ンを加速電圧８０ｋｅＶ、イオン注入量１×１０¹³／ｃ
ｍ²でイオン注入を行なった。

【００４０】フォトレジストを除去した後、再成長によ
り上記鉄ドープを行った膜厚０．６μmのＩｎＰ電流狭
窄層３２およびアンドープＩｎＧａＡｓＰ（組成波長
１．１５μｍ、無歪）層３３を順次成長した。この後、
活性層上に蒸着されているＳｉＯ₂膜のマスクを除去
し、さらに結晶回復のためにアニ−ルを施した。このと
きのアニ−ル条件は、温度７８７℃であり、時間１０分
とした。

【００４１】次に厚さ１．３μmのベリリウムドープの
ｐ型ＩｎＰ（キャリア濃度７×１０¹⁷／ｃｍ³）クラッ
ド層３４を再成長する。その後、高濃度ＩｎＧａＡｓ
（ドーピング量１．５×１０¹⁹／ｃｍ³）コンタクト層
３５を厚さ０．２μm成長する。最後に、電極３６を形
成し、へき開した後、前方および後方に反射膜を蒸着し
た。この結果、それぞれの発振波長は、１４５５、１４
５７、１４５９、１４６１ｎｍであった。

【００４２】本発明により、作製した光素子のプロセス
安定性と作製構造の均一性を改善させることができ、し
かも波長歩留まりが向上した。

【００４３】（実施の形態２）図６を用いて本発明によ
る広範囲発振波長半導体レーザアレイの一例を説明す
る。ｎ型ＩｎＰ（キャリア濃度１×１０¹⁸／ｃｍ³）基
板３７上に、ｎ型ＩｎＰ（キャリア濃度１×１０¹⁸／ｃ
ｍ³）バッファ層３８を０．１５μm成長した。その後、
ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．１５μｍ、無歪、キ
ャリア濃度５×１０¹⁷／ｃｍ³）下側ガイド層３９を、
厚さ１００ｎｍで成長した。次に６ｎｍのＩｎＧａＡｓ
Ｐ（組成波長１．７０μm、圧縮歪量１．０％）歪量子
井戸層４０と１０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．
１５μｍ、無歪）障壁層４１との６周期構造である第１
の歪多重量子井戸層４２を成長した。さらにＩｎＧａＡ
ｓＰ（組成波長１．１５μm、無歪）上側ガイド層４３
を５０ｎｍ成長した。

【００４４】次に図２に説明した方法を用いて、第２の
歪多重量子井戸層４４を設ける。この構造は、以下の手
順で成長した。はじめにｎ型ＩｎＧａＡｓＰ（組成波長
１．１５μｍ、無歪、キャリア濃度５×１０¹⁷／ｃ
ｍ³）下側ガイド層４５を、厚さ１００ｎｍで成長す
る。次に６ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．４５μ
m、圧縮歪量１．０％）歪量子井戸層４６と１０ｎｍの
ＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．１５μｍ、無歪）障壁層
４７を６周期成長した。これによって、第２の歪多重量
子井戸層４４が完成する。さらにＩｎＧａＡｓＰ（組成
波長１．１５μm、無歪）上側ガイド層４８を５０ｎｍ
成長した。

【００４５】その後、この上にＳｉＯ₂膜を蒸着し、フ
ォトレジストをストライプ状に４本、パターンニングし
た。この時のストライプ幅は２．０、２．１、２．０、
２．１μmである。さらに、このフォトレジストをマス
クとしてＳｉＯ₂膜をエッチングした。この後、加速電
圧８０ｋｅＶ、イオン注入量１×１０¹³／ｃｍ²で鉄イ
オンを注入した。

【００４６】さらに、フォトレジストを除去した後、再
成長により鉄ドープを行った膜厚０．６μmの半絶縁性
のＩｎＰ電流狭窄層４９およびアンドープＩｎＧａＡｓ
Ｐ（組成波長１．１５μｍ、無歪）層５０を順次成長し
た。

【００４７】この後、活性層上に蒸着されているＳｉＯ
₂膜のマスクを除去し、結晶回復のためにアニ−ルを施
した。このときのアニ−ル条件は温度７８７℃、１０分
間とした。そして厚さ１．３μmのベリリウムドープの
ｐ型ＩｎＰ（キャリア濃度７×１０¹⁷／ｃｍ³）クラッ
ド層５１を再成長した。その後、高濃度ＩｎＧａＡｓ
（ドーピング量１．５×１０¹⁹／ｃｍ³）コンタクト層
５２を厚さ０．２μm成長し、電極５３を形成した後、
へき開し、前方および後方に反射膜を蒸着した。この結
果、それぞれの発振波長は、１３１０、１３１２、１４
６０、１４６２ｎｍであった。

【００４８】本発明により、作製した光素子のプロセス
安定性と作製構造の均一性を改善させ、波長歩留まりが
向上した。

【００４９】（実施の形態３）図７を用いて本発明によ
る変調器集積化半導体レーザの一例を説明する。ｎ型Ｉ
ｎＰ（キャリア濃度１×１０¹⁸／ｃｍ³）基板５４上
に、ｎ型ＩｎＰ（キャリア濃度１×１０¹⁸／ｃｍ³）バ
ッファ層５５を厚さ０．１５μm成長した。その後、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ（組成波長１．１５μｍ、無歪）下側ガイ
ド層５６を、厚さ１００ｎｍで成長した。

【００５０】次に６ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ（組成波長
１．７６μm、圧縮歪量１．０％）歪量子井戸層５７と
１０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．１５μｍ、無
歪）障壁層５８との６周期構造である歪多重量子井戸層
５９を成長した。さらにＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．
１５μm、無歪）上側ガイド層６０を５０ｎｍ成長した
（ａ）。

【００５１】その後、この上にイオン注入遮断マスクと
なるＳｉＯ₂膜６１をストライプ状にパターンニングし
た（ｂ）。この時のストライプ幅は２．０μmである。
さらに、フォトレジスト６２をレーザ領域６３に塗布し
た（ｃ）。

【００５２】この後、加速電圧８０ｋｅＶ、イオン注入
量１×１０¹³／ｃｍ²で鉄イオンを注入した。さらに、
フォトレジスト６２を除去した後（ｄ）、再成長により
鉄ドープを行った膜厚０．６μmのＩｎＰ電流狭窄層６
４を成長した（ｅ）。この後、活性層上に蒸着されてい
るＳｉＯ₂膜６１のマスクを除去し、結晶性回復のため
にアニ−ルを施した。このときのアニ−ル条件は、温度
７８７℃、１０分間とした。

【００５３】この後、導波路の上に回折格子構造６５を
形成した。次に厚さ１．３μmのベリリウムドープのｐ
型ＩｎＰ（キャリア濃度７×１０¹⁷／ｃｍ³）クラッド
層６６を再成長した。その後、高濃度ＩｎＧａＡｓ（ド
ーピング量１．５×１０¹⁹／ｃｍ³）コンタクト層６７
を厚さ０．２μm成長した。

【００５４】以上で、変調器集積化半導体レーザの基本
構造が完成した（ｆ）。この時の送信波長は１．５３μ
mであった。

【００５５】本発明により、作製した光素子のプロセス
安定性と作製構造の均一性を改善させ、波長歩留まりが
向上した。

【００５６】以上、本発明における集積化プロセスを用
いた、単体の変調器集積化半導体レーザの作製工程を示
した。本作製プロセスと、図２を用いて説明した方法を
用いることによって、広範囲な波長範囲を有する変調器
集積化半導体レーザアレイを実現できることは言うまで
もない。

【００５７】

【発明の効果】本発明により、高密度波長多重伝送シス
テムに用いる送信光源において、以下の特徴を有する低
コスト半導体集積化光素子を提供できる。第１に、提供
される送信光源は、異なる発振波長を有する複数の半導
体レーザを搭載し、この時の発振波長は広範囲にわたっ
ている。第２に、送信光源に搭載された半導体レーザの
発振波長は、高精度に制御されている。これにより、高
密度波長多重伝送における単一チャンネルあたりの製造
コストを低減することが可能となり、システムの小型化
と低コスト化に対して有効となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体集積化光素子の製造プロセスを
示す要部斜視図。

【図２】本発明の半導体集積化光素子の製造プロセスを
示す要部斜視図。

【図３】本発明の原理および方法を説明するための断面
図。

【図４】本発明の原理を説明するために実験的に作成さ
れた光素子の特性図。

【図５】本発明の一実施例の半導体集積化光素子を示す
斜視図および部分拡大断面図。

【図６】本発明の一実施例の半導体集積化光素子を示す
斜視図および部分拡大断面図。

【図７】本発明の一実施例の変調器集積化半導体レーザ
の製造プロセスを示す要部斜視図。

【符号の説明】

１，１４，２６，３７，５４…ＩｎＰ基板、２，２３，
５９…歪多重量子井戸層、３，２２，２４…イオン注入
遮断マスク、４，６３…半導体レーザ領域、５…変調器
領域、６，７，８，９，１８，１９，２０，２１…スト
ライプ幅、１０…電流狭窄層、１１…上側クラッド層、
１２，１３…送信光、１５，４２…第１の歪多重量子井
戸層、１６，６１…ＳｉＯ₂膜、１７，４４…第２の歪
多重量子井戸層、２５…イオン未注入領域、２７，３
８，５５…ｎ型ＩｎＰバッファー層、２８，３９，４
５，５６…ＩｎＧａＡｓＰ下側ガイド層、２９，４０，
４６，５７…歪量子井戸層、３０，４１，４７，５８…
障壁層、３１，４３，４８，６０…ＩｎＧａＡｓＰ上側
ガイド層、３２，４９，６４…鉄ドープＩｎＰ電流狭窄
層、３３，５０…アンドープＩｎＧａＡｓＰ層、３４，
５１，６６…上側ｐ型ＩｎＰクラッド層、３５，５２，
６７…ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、３６，５３…電
極、６２…フォトレジスト、６５…回折格子構造。

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】歪量子井戸層と障壁層からなる歪多重量子
井戸層の上部に、イオンが通過する領域とイオンが通過
しないイオン注入遮断領域を設け、イオンを注入した後
アニールを施し、上記歪多重量子井戸層のイオン注入遮
断領域を光導波路とすることを特徴とする半導体集積化
光素子。
【請求項２】請求項１の半導体集積化光素子において、
イオン注入遮断領域はストライプ状であり、少なくとも
２つ以上が並列に配置されていることを特徴とする半導
体集積化光素子。
【請求項３】請求項１または２記載の半導体集積化光素
子において、注入するイオンは、鉄または酸素のいずれ
かが含まれていることを特徴とした半導体集積化光素
子。
【請求項４】請求項１ないし３のいずれか記載の半導体
集積化光素子において、隣接するイオン注入遮断領域の
幅が異なることを特徴とする半導体集積化光素子。
【請求項５】請求項１ないし４のいずれか記載の半導体
集積化光素子において、ストライプ状のイオン注入遮断
領域の幅が部分的に異なっていることを特徴とする半導
体集積化光素子。
【請求項６】請求項１ないし５のいずれか記載の半導体
集積化光素子に形成された光導波路によって、半導体レ
ーザ、光変調器、およびビーム拡大器のいずれかの組み
合わせで、それらの少なくとも２つ以上が集積されてい
ることを特徴とする半導体集積化光素子。