JP2002033390A - ダミー絶縁層を用いた集積回路素子の導電性コンタクト体の形成方法 - Google Patents
ダミー絶縁層を用いた集積回路素子の導電性コンタクト体の形成方法Info
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- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】
【課題】 集積回路素子の導電性コンタクト体の製造方
法を提供する。 【解決手段】 ダミー絶縁層を用いる多数の相互離隔さ
れたラインを含み、ダミー絶縁層は相互離隔されたライ
ンから１次選択される一部の間に形成される。１次選択
された相互離隔されたラインの一部と他の相互離隔され
たラインの２次選択される一部との間に層間絶縁層が形
成される。層間絶縁層は所定のエッチング液に対してダ
ミー絶縁層よりも低いエッチング率を有する。ダミー絶
縁層は相互離隔されたラインの前記１次選択された一部
の間のダミー絶縁層の少なくとも一部を除去するために
所定のエッチング液によりエッチングされる。ダミー絶
縁層の少なくとも一部が除去された相互離隔されたライ
ンの１次選択された一部の間に導電層が形成され、導電
層は相互離隔されたラインの１次選択された一部の間の
集積回路に電気的に接続される。
法を提供する。 【解決手段】 ダミー絶縁層を用いる多数の相互離隔さ
れたラインを含み、ダミー絶縁層は相互離隔されたライ
ンから１次選択される一部の間に形成される。１次選択
された相互離隔されたラインの一部と他の相互離隔され
たラインの２次選択される一部との間に層間絶縁層が形
成される。層間絶縁層は所定のエッチング液に対してダ
ミー絶縁層よりも低いエッチング率を有する。ダミー絶
縁層は相互離隔されたラインの前記１次選択された一部
の間のダミー絶縁層の少なくとも一部を除去するために
所定のエッチング液によりエッチングされる。ダミー絶
縁層の少なくとも一部が除去された相互離隔されたライ
ンの１次選択された一部の間に導電層が形成され、導電
層は相互離隔されたラインの１次選択された一部の間の
集積回路に電気的に接続される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は集積回路素子の製造
方法に係り、特に、層間絶縁層に導電性コンタクト体を
製造する方法に関する。
方法に係り、特に、層間絶縁層に導電性コンタクト体を
製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の高集積化が進むにつれて、
写真エッチング工程における誤整列マージンが狭くなり
つつある。このため、半導体素子を製造するとき、十分
な誤整列マージンが確保し難くなり、その結果、ゲート
ラインとゲートラインに隣り合うコンタクトパッドとの
間、ビットラインとビットラインに隣り合う埋め込みコ
ンタクト（Ｂｕｒｉｅｄ Ｃｏｎｔａｃｔ；以下、Ｂ
Ｃ）との間、あるいはゲートラインとＢＣまたは直接コ
ンタクト（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｏｎｔａｃｔ；以下、Ｄ
Ｃ）との間に電気的な短絡が生じる場合がある。
写真エッチング工程における誤整列マージンが狭くなり
つつある。このため、半導体素子を製造するとき、十分
な誤整列マージンが確保し難くなり、その結果、ゲート
ラインとゲートラインに隣り合うコンタクトパッドとの
間、ビットラインとビットラインに隣り合う埋め込みコ
ンタクト（Ｂｕｒｉｅｄ Ｃｏｎｔａｃｔ；以下、Ｂ
Ｃ）との間、あるいはゲートラインとＢＣまたは直接コ
ンタクト（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｏｎｔａｃｔ；以下、Ｄ
Ｃ）との間に電気的な短絡が生じる場合がある。
【０００３】これを克服するために、自己整列コンタク
ト（Ｓｅｌｆ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｎｔａｃｔ；ＳＡ
Ｃ）エッチング工程が試みられている。しかし、このＳ
ＡＣエッチング工程は、オープニングされない点及び低
い選択比の点から、限界がある。
ト（Ｓｅｌｆ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｎｔａｃｔ；ＳＡ
Ｃ）エッチング工程が試みられている。しかし、このＳ
ＡＣエッチング工程は、オープニングされない点及び低
い選択比の点から、限界がある。
【０００４】詳細に説明すれば、高い選択比を得るため
には、エッチング工程を、ポリマーが多く生じる工程
（ｐｏｌｙｍｅｒ ｅｎｒｉｃｈ ｐｒｏｃｅｓｓ）とし
て行う必要がある。しかし、このエッチング工程は、反
応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔ
ｃｈｉｎｇ；以下、ＲＩＥ）など、エッチングのラッグ
が激しい条件に該当する。これらの条件下で行われる乾
式エッチングは、半導体基板上での乾式エッチングの均
一度を悪化させ、その結果、オーバーエッチング量を増
やす必要性が生じてくる。これは、選択比を低くする結
果となる。
には、エッチング工程を、ポリマーが多く生じる工程
（ｐｏｌｙｍｅｒ ｅｎｒｉｃｈ ｐｒｏｃｅｓｓ）とし
て行う必要がある。しかし、このエッチング工程は、反
応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔ
ｃｈｉｎｇ；以下、ＲＩＥ）など、エッチングのラッグ
が激しい条件に該当する。これらの条件下で行われる乾
式エッチングは、半導体基板上での乾式エッチングの均
一度を悪化させ、その結果、オーバーエッチング量を増
やす必要性が生じてくる。これは、選択比を低くする結
果となる。
【０００５】さらに、半導体素子の高い集積度は、コン
タクト体が埋め込まれるコンタクトホールの縦横比の増
加を必要とし、ゲートまたは配線の上側及び側面に十分
な厚さのシリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）を残留させて十分
な絶縁ショルダーを確保することを必要とする。これに
伴い、ＳＡＣエッチングによりコンタクトホールを形成
するとき、十分な選択比を得るために、シリコン窒化物
のハードマスクまたはスペーサを厚くする必要がある。
これは、コンタクトホールを形成するときの縦横比をさ
らに増加させる結果となる。さらに、コンタクトホール
を形成するときの縦横比の増加は、十分なコンタクトホ
ール底面臨界線幅の確保を一層難しくする。このため、
コンタクトホールがオープニングされないという不良が
生じる。しかし、前述したように、絶縁ショルダーを確
保するためには、このような縦横比の増加が回避できな
い。
タクト体が埋め込まれるコンタクトホールの縦横比の増
加を必要とし、ゲートまたは配線の上側及び側面に十分
な厚さのシリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）を残留させて十分
な絶縁ショルダーを確保することを必要とする。これに
伴い、ＳＡＣエッチングによりコンタクトホールを形成
するとき、十分な選択比を得るために、シリコン窒化物
のハードマスクまたはスペーサを厚くする必要がある。
これは、コンタクトホールを形成するときの縦横比をさ
らに増加させる結果となる。さらに、コンタクトホール
を形成するときの縦横比の増加は、十分なコンタクトホ
ール底面臨界線幅の確保を一層難しくする。このため、
コンタクトホールがオープニングされないという不良が
生じる。しかし、前述したように、絶縁ショルダーを確
保するためには、このような縦横比の増加が回避できな
い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みてなされたものであり、その目的は、電気的な短絡が
生じること、及びコンタクトホールがオープニングされ
ないことを防止し、さらに、半導体素子の高集積化に対
する写真エッチング工程における誤整列マージンが確保
できる導電性コンタクト体の製造方法を提供することで
ある。
みてなされたものであり、その目的は、電気的な短絡が
生じること、及びコンタクトホールがオープニングされ
ないことを防止し、さらに、半導体素子の高集積化に対
する写真エッチング工程における誤整列マージンが確保
できる導電性コンタクト体の製造方法を提供することで
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の一観点は、ダミー絶縁層を用いる多数の相
互離隔されたラインを含む。特に、前記ダミー絶縁層
は、前記相互離隔されたラインから１次選択される一部
の間に形成される。前記１次選択された相互離隔された
ラインの一部と他の相互離隔されたラインの２次選択さ
れる一部との間に層間絶縁層が形成される。前記層間絶
縁層は、所定のエッチング液に対して前記ダミー絶縁層
よりも低いエッチング率を有する。前記ダミー絶縁層
は、相互離隔されたラインの前記１次選択された一部の
間のダミー絶縁層の少なくとも一部を除去するために、
所定のエッチング液によりエッチングされる。前記ダミ
ー絶縁層の少なくとも一部が除去された相互離隔された
ラインの１次選択された一部の間に導電層が形成され、
前記導電層は相互離隔されたラインの１次選択された一
部の間の集積回路に電気的に接続される。
に、本発明の一観点は、ダミー絶縁層を用いる多数の相
互離隔されたラインを含む。特に、前記ダミー絶縁層
は、前記相互離隔されたラインから１次選択される一部
の間に形成される。前記１次選択された相互離隔された
ラインの一部と他の相互離隔されたラインの２次選択さ
れる一部との間に層間絶縁層が形成される。前記層間絶
縁層は、所定のエッチング液に対して前記ダミー絶縁層
よりも低いエッチング率を有する。前記ダミー絶縁層
は、相互離隔されたラインの前記１次選択された一部の
間のダミー絶縁層の少なくとも一部を除去するために、
所定のエッチング液によりエッチングされる。前記ダミ
ー絶縁層の少なくとも一部が除去された相互離隔された
ラインの１次選択された一部の間に導電層が形成され、
前記導電層は相互離隔されたラインの１次選択された一
部の間の集積回路に電気的に接続される。
【０００８】本発明の実施形態によれば、電気的な短絡
を適切に防止でき、さらに、コンタクトホールがオープ
ニングされないことを適切に防止できる。
を適切に防止でき、さらに、コンタクトホールがオープ
ニングされないことを適切に防止できる。
【０００９】本発明の他の観点は、多数の導電ラインを
形成する。多数の導電ラインは、集積回路基板上にライ
ン状の導電パターンと前記導電パターンの側面及び上面
上に遮へい絶縁層を含む。ダミー絶縁層が前記導電ライ
ン間のギャップに形成される。前記導電ライン間のギャ
ップの一部を選択的に露出するダミーオープニングを与
えるために、前記ダミー絶縁層がパターニングされる。
層間絶縁層パターンが前記ダミーオープニングに埋め込
まれる。前記層間絶縁層をエッチングマスクとして露出
される前記ダミー絶縁層パターンを選択的に除去し、コ
ンタクトオープニングを形成する。前記コンタクトオー
プニングを埋め込んで、前記基板に電気的に接続される
導電層を形成する。前記導電層をエッチングして、前記
遮へい絶縁層及び前記層間絶縁層パターンにより取り囲
まれた導電性コンタクト体に分離する。
形成する。多数の導電ラインは、集積回路基板上にライ
ン状の導電パターンと前記導電パターンの側面及び上面
上に遮へい絶縁層を含む。ダミー絶縁層が前記導電ライ
ン間のギャップに形成される。前記導電ライン間のギャ
ップの一部を選択的に露出するダミーオープニングを与
えるために、前記ダミー絶縁層がパターニングされる。
層間絶縁層パターンが前記ダミーオープニングに埋め込
まれる。前記層間絶縁層をエッチングマスクとして露出
される前記ダミー絶縁層パターンを選択的に除去し、コ
ンタクトオープニングを形成する。前記コンタクトオー
プニングを埋め込んで、前記基板に電気的に接続される
導電層を形成する。前記導電層をエッチングして、前記
遮へい絶縁層及び前記層間絶縁層パターンにより取り囲
まれた導電性コンタクト体に分離する。
【００１０】前記目的を達成するために、本発明の他の
観点は、集積回路基板上に下部絶縁層を介在するライン
状の導電パターンと前記導電パターンの側面を保護する
スペーサ及び前記導電パターンの上面を保護するハード
マスクを含む多数の導電ラインを形成する。前記ハード
マスク及びスペーサをエッチングマスクとして前記下部
絶縁層を選択的にエッチングして下部の前記基板を露出
する。前記ハードマスク及びスペーサを覆い、前記露出
される基板上を覆うように延びるストッパ層を形成す
る。前記ストッパ層上の導電ライン間のギャップにダミ
ー絶縁層を形成する。前記導電ライン間のギャップを選
択的に露出するダミーオープニングを与えるために、前
記ダミー絶縁層をパターニングする。前記ダミー絶縁層
を選択的に露出し、前記ダミーオープニングを埋め込む
層間絶縁層パターンを形成する。前記層間絶縁層パター
ンをエッチングマスクとして露出される前記ダミー絶縁
層パターンを選択的に除去し、前記ダミー絶縁層パター
ンが位置していた部位の下方の前記ストッパ層の部分を
露出するコンタクトオープニングを形成する。前記コン
タクトオープニングにより露出されたストッパ層の部分
を除去する。前記コンタクトオープニングを埋め込ん
で、前記基板に電気的に接続される導電層を形成する。
前記導電層及び前記層間絶縁層パターンをエッチングし
て前記スペーサ及び前記層間絶縁層パターンにより取り
囲まれた導電性コンタクト体に分離する。本発明によれ
ば、ゲートまたはビットラインなどの導電パターンが損
傷されたり、あるいはこの導電パターンの側壁または上
側を保護するスペーサまたはハードマスクが損傷された
りすることを防止し、さらに、導電性コンタクト体を形
成できる。
観点は、集積回路基板上に下部絶縁層を介在するライン
状の導電パターンと前記導電パターンの側面を保護する
スペーサ及び前記導電パターンの上面を保護するハード
マスクを含む多数の導電ラインを形成する。前記ハード
マスク及びスペーサをエッチングマスクとして前記下部
絶縁層を選択的にエッチングして下部の前記基板を露出
する。前記ハードマスク及びスペーサを覆い、前記露出
される基板上を覆うように延びるストッパ層を形成す
る。前記ストッパ層上の導電ライン間のギャップにダミ
ー絶縁層を形成する。前記導電ライン間のギャップを選
択的に露出するダミーオープニングを与えるために、前
記ダミー絶縁層をパターニングする。前記ダミー絶縁層
を選択的に露出し、前記ダミーオープニングを埋め込む
層間絶縁層パターンを形成する。前記層間絶縁層パター
ンをエッチングマスクとして露出される前記ダミー絶縁
層パターンを選択的に除去し、前記ダミー絶縁層パター
ンが位置していた部位の下方の前記ストッパ層の部分を
露出するコンタクトオープニングを形成する。前記コン
タクトオープニングにより露出されたストッパ層の部分
を除去する。前記コンタクトオープニングを埋め込ん
で、前記基板に電気的に接続される導電層を形成する。
前記導電層及び前記層間絶縁層パターンをエッチングし
て前記スペーサ及び前記層間絶縁層パターンにより取り
囲まれた導電性コンタクト体に分離する。本発明によれ
ば、ゲートまたはビットラインなどの導電パターンが損
傷されたり、あるいはこの導電パターンの側壁または上
側を保護するスペーサまたはハードマスクが損傷された
りすることを防止し、さらに、導電性コンタクト体を形
成できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき、本
発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。しか
し、本発明の実施形態は各種の形態に変形でき、本発明
の範囲が後述する実施形態によって限定されることはな
い。本発明の実施形態は当業界における通常の知識を有
した者に本発明をより完全に説明するために提供される
ものである。従って、図面における要素の形状はより明
確な説明のために誇張されている。また、同一の要素に
は同一の符号を使用した。さらに、ある層が他の層また
は半導体基板の"上"にあると記載される場合、前記ある
層は前記他の層または半導体基板に直接的に接触して存
在でき、あるいはそれらの間に第３の層が介在できる。
発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。しか
し、本発明の実施形態は各種の形態に変形でき、本発明
の範囲が後述する実施形態によって限定されることはな
い。本発明の実施形態は当業界における通常の知識を有
した者に本発明をより完全に説明するために提供される
ものである。従って、図面における要素の形状はより明
確な説明のために誇張されている。また、同一の要素に
は同一の符号を使用した。さらに、ある層が他の層また
は半導体基板の"上"にあると記載される場合、前記ある
層は前記他の層または半導体基板に直接的に接触して存
在でき、あるいはそれらの間に第３の層が介在できる。
【００１２】本発明の実施形態は、高いエッチング率を
有する絶縁物質からなるダミー絶縁層と、このダミー絶
縁層に比べて低いエッチング率を有する層間絶縁層を導
入し、ダミー絶縁層と層間絶縁層との間になされる高い
エッチング選択比を用いてダミー絶縁層を選択的に除去
することにより、コンタクト体が形成される部分を露出
するコンタクトオープニングを形成する点を記載する。
有する絶縁物質からなるダミー絶縁層と、このダミー絶
縁層に比べて低いエッチング率を有する層間絶縁層を導
入し、ダミー絶縁層と層間絶縁層との間になされる高い
エッチング選択比を用いてダミー絶縁層を選択的に除去
することにより、コンタクト体が形成される部分を露出
するコンタクトオープニングを形成する点を記載する。
【００１３】本発明の実施形態において、このコンタク
トオープニングを形成するために、ダミー絶縁層を選択
的にパターニングしてコンタクト体が形成されない部分
を露出するダミーオープニングを先に形成し、層間絶縁
層はこのダミーオープニングを埋め込むように形成され
る。その後、前記パターニングされたダミー絶縁層を除
去してコンタクトオープニングを形成する。コンタクト
オープニングを導電物質で埋め込み、全面エッチングま
たは研磨によりコンタクト体に分離する。
トオープニングを形成するために、ダミー絶縁層を選択
的にパターニングしてコンタクト体が形成されない部分
を露出するダミーオープニングを先に形成し、層間絶縁
層はこのダミーオープニングを埋め込むように形成され
る。その後、前記パターニングされたダミー絶縁層を除
去してコンタクトオープニングを形成する。コンタクト
オープニングを導電物質で埋め込み、全面エッチングま
たは研磨によりコンタクト体に分離する。
【００１４】本発明によれば、既存のＳＡＣとは異なっ
て高い乾式エッチング選択比が要求されないので、デザ
インルールの急激な減少及び縦横比の増加に応えうるも
のとなる。
て高い乾式エッチング選択比が要求されないので、デザ
インルールの急激な減少及び縦横比の増加に応えうるも
のとなる。
【００１５】以下、図面を参照する本発明の実施形態を
通じて、本発明による半導体素子の導電性コンタクト体
の製造方法について具体的に説明する。
通じて、本発明による半導体素子の導電性コンタクト体
の製造方法について具体的に説明する。
【００１６】図１ないし図６は、本発明の第１実施形態
による半導体素子の導電性コンタクト体の製造方法を説
明するために概略的に示した平面図及び断面図である。
による半導体素子の導電性コンタクト体の製造方法を説
明するために概略的に示した平面図及び断面図である。
【００１７】図１Ａは、半導体基板１００上にゲートラ
イン３００を形成する段階を説明するために概略的に示
した平面図であり、図１Ｂは、図１ＡのＸ1-Ｘ1'切断線
に沿って示した断面図である。
イン３００を形成する段階を説明するために概略的に示
した平面図であり、図１Ｂは、図１ＡのＸ1-Ｘ1'切断線
に沿って示した断面図である。
【００１８】具体的に、半導体基板１００上に、通常の
トランジスター製造工程を用い、ゲートライン３００を
ライン状または相互離隔されるように形成する。例え
ば、半導体基板１００に浅いトレンチ分離工程を用いて
素子分離領域２００を形成した後、素子分離領域２００
によって設定される活性領域１２０上を横切るライン状
の導電パターンからゲート３３０、３５０を形成する。
トランジスター製造工程を用い、ゲートライン３００を
ライン状または相互離隔されるように形成する。例え
ば、半導体基板１００に浅いトレンチ分離工程を用いて
素子分離領域２００を形成した後、素子分離領域２００
によって設定される活性領域１２０上を横切るライン状
の導電パターンからゲート３３０、３５０を形成する。
【００１９】ゲート３３０、３５０は、下部にゲート酸
化層３１０を挟んで形成される。ゲート３３０、３５０
は各種の導電物質から形成できるが、ゲート酸化層３１
０上に多晶質シリコン層３３０及びシリサイド層３５０
を順次形成した後、これらをパターニングすることによ
り行われる。このとき、シリサイド層３５０はタングス
テンシリサイド（ＷＳｉ）などの金属シリサイドからな
りうる。しかし、ゲートは、タングステン（Ｗ）などの
金属物質からなりうる。
化層３１０を挟んで形成される。ゲート３３０、３５０
は各種の導電物質から形成できるが、ゲート酸化層３１
０上に多晶質シリコン層３３０及びシリサイド層３５０
を順次形成した後、これらをパターニングすることによ
り行われる。このとき、シリサイド層３５０はタングス
テンシリサイド（ＷＳｉ）などの金属シリサイドからな
りうる。しかし、ゲートは、タングステン（Ｗ）などの
金属物質からなりうる。
【００２０】前述したゲートパターニングを行う前に、
前記シリサイド層３５０上に絶縁物質、例えば、シリコ
ン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）またはシリコン酸化物（Ｓｉ
Ｏ2）を蒸着してハードマスク３７０をさらに形成でき
る。ハードマスク３７０はシリコン酸窒化物（ＳｉＯ
Ｎ）またはシリコン炭化物（ＳｉＣ）、アルミニウム酸
化物（Ａｌ2Ｏ3）などから形成できる。このとき、シリ
コン酸化物から前記ハードマスク３７０を形成する場
合、膜質の密度を高く具現できる蒸着方法、例えば、化
学気相蒸着（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＰＥ-ＣＶＤ（Ｐｌａｓｍ
ａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ −ＣＶＤ）、ＡＰ-ＣＶＤ（Ａｔ
ｍｏｓｐｈｅｒｅ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ-ＣＶＤ）、ＨＤＰ
-ＣＶＤ（ＨｉｇｈＤｅｎｓｉｔｙ Ｐｌａｓｍａ−ＣＶ
Ｄ）など、実質的にＣＶＤ方式によりシリコン酸化層を
形成することが望ましい。
前記シリサイド層３５０上に絶縁物質、例えば、シリコ
ン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）またはシリコン酸化物（Ｓｉ
Ｏ2）を蒸着してハードマスク３７０をさらに形成でき
る。ハードマスク３７０はシリコン酸窒化物（ＳｉＯ
Ｎ）またはシリコン炭化物（ＳｉＣ）、アルミニウム酸
化物（Ａｌ2Ｏ3）などから形成できる。このとき、シリ
コン酸化物から前記ハードマスク３７０を形成する場
合、膜質の密度を高く具現できる蒸着方法、例えば、化
学気相蒸着（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＰＥ-ＣＶＤ（Ｐｌａｓｍ
ａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ −ＣＶＤ）、ＡＰ-ＣＶＤ（Ａｔ
ｍｏｓｐｈｅｒｅ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ-ＣＶＤ）、ＨＤＰ
-ＣＶＤ（ＨｉｇｈＤｅｎｓｉｔｙ Ｐｌａｓｍａ−ＣＶ
Ｄ）など、実質的にＣＶＤ方式によりシリコン酸化層を
形成することが望ましい。
【００２１】これは、後続するコンタクト体の形成工程
において、ハードマスク３７０の高いエッチング選択比
を具現するためである。これにより、前記工程によって
ハードマスク３７０が損傷されて、実質的にゲート３３
０、３５０が露出されることを防止できる。このハード
マスク３７０は、前記ゲート３３０、３５０をパターニ
ングするときに共にパターニングされて、ゲート３３
０、３５０の上側を遮へいして保護する。このとき、ハ
ードマスク３７０の厚さは後続する工程条件によって変
わりうるが、シリコン窒化物から形成される場合、ほぼ
５００Åないし１５００Åの厚さで形成できる。
において、ハードマスク３７０の高いエッチング選択比
を具現するためである。これにより、前記工程によって
ハードマスク３７０が損傷されて、実質的にゲート３３
０、３５０が露出されることを防止できる。このハード
マスク３７０は、前記ゲート３３０、３５０をパターニ
ングするときに共にパターニングされて、ゲート３３
０、３５０の上側を遮へいして保護する。このとき、ハ
ードマスク３７０の厚さは後続する工程条件によって変
わりうるが、シリコン窒化物から形成される場合、ほぼ
５００Åないし１５００Åの厚さで形成できる。
【００２２】ゲート３３０、３５０が形成された後、ゲ
ート３３０、３５０の側壁を覆うスペーサ３９０を通常
のスペーサ工程により形成する。このとき、スペーサ３
９０はシリコン窒化物またはシリコン酸化物などの絶縁
物質から形成できる。シリコン酸化物からスペーサ３９
０を形成する場合、前述したように、後続するコンタク
ト体の形成工程中にスペーサ３９０が損傷されることを
防止して、実質的にゲート３３０、３５０の側壁が露出
されることを防止するために、高い選択比を具現するよ
うに一層高い膜質の密度で形成されることが望ましい。
例えば、ＣＶＤまたはＰＥＣＶＤを用い、スペーサ３９
０をなすシリコン酸化物層が形成されることが望まし
い。さらに、シリコン酸窒化物またはシリコン炭化物、
アルミニウム酸化物などから前記スペーサ３９０を形成
できる。
ート３３０、３５０の側壁を覆うスペーサ３９０を通常
のスペーサ工程により形成する。このとき、スペーサ３
９０はシリコン窒化物またはシリコン酸化物などの絶縁
物質から形成できる。シリコン酸化物からスペーサ３９
０を形成する場合、前述したように、後続するコンタク
ト体の形成工程中にスペーサ３９０が損傷されることを
防止して、実質的にゲート３３０、３５０の側壁が露出
されることを防止するために、高い選択比を具現するよ
うに一層高い膜質の密度で形成されることが望ましい。
例えば、ＣＶＤまたはＰＥＣＶＤを用い、スペーサ３９
０をなすシリコン酸化物層が形成されることが望まし
い。さらに、シリコン酸窒化物またはシリコン炭化物、
アルミニウム酸化物などから前記スペーサ３９０を形成
できる。
【００２３】前述したように、スペーサ３９０を側壁
に、ハードマスク３７０を上側に備えるゲート３３０、
３５０を含むゲートライン３００を形成した後、実質的
に、スペーサ３９０及びハードマスク３７０上を覆うス
トッパ層３９５をさらに形成できる。このストッパ層３
９５は、後続するコンタクト体の形成工程に用いられる
エッチングまたは研磨工程において、エッチングの終了
点として用いられる。さらに、ストッパ層３９５は前記
スペーサ３９０またはハードマスク３７０がこのような
エッチングまたは研磨工程中に激しく損傷されてゲート
３３０、３５０が露出されることを防止することをより
確実に保障する役目をする。
に、ハードマスク３７０を上側に備えるゲート３３０、
３５０を含むゲートライン３００を形成した後、実質的
に、スペーサ３９０及びハードマスク３７０上を覆うス
トッパ層３９５をさらに形成できる。このストッパ層３
９５は、後続するコンタクト体の形成工程に用いられる
エッチングまたは研磨工程において、エッチングの終了
点として用いられる。さらに、ストッパ層３９５は前記
スペーサ３９０またはハードマスク３７０がこのような
エッチングまたは研磨工程中に激しく損傷されてゲート
３３０、３５０が露出されることを防止することをより
確実に保障する役目をする。
【００２４】従って、前記ストッパ層３９５は、前記ス
ペーサ３９０及びハードマスク３７０を覆うライナー状
に形成でき、後続工程において、高い選択比を具現でき
る絶縁物質、例えば、シリコン窒化物から形成されるこ
とが望ましい。しかし、シリコン窒化物のほかにも、低
い乾式または湿式エッチング率を示せるシリコン酸窒化
物、シリコン炭化物またはアルミニウム酸化物から形成
できる。
ペーサ３９０及びハードマスク３７０を覆うライナー状
に形成でき、後続工程において、高い選択比を具現でき
る絶縁物質、例えば、シリコン窒化物から形成されるこ
とが望ましい。しかし、シリコン窒化物のほかにも、低
い乾式または湿式エッチング率を示せるシリコン酸窒化
物、シリコン炭化物またはアルミニウム酸化物から形成
できる。
【００２５】このように、スペーサ３９０、ハードマス
ク３７０またはストッパ層３９５はゲート３３０、３５
０などの導電パターンを後続するエッチング工程から保
護する遮へい絶縁層として用いられる。
ク３７０またはストッパ層３９５はゲート３３０、３５
０などの導電パターンを後続するエッチング工程から保
護する遮へい絶縁層として用いられる。
【００２６】一方、前述したように、半導体素子の高集
積化によるＳＡＣ工程の問題点は、主として半導体基板
１００のセル領域１１０で生じるため、後述する本発明
の実施形態は、このセル領域１１０を対象として述べら
れる。
積化によるＳＡＣ工程の問題点は、主として半導体基板
１００のセル領域１１０で生じるため、後述する本発明
の実施形態は、このセル領域１１０を対象として述べら
れる。
【００２７】図２Ａは、ダミー絶縁層４００を形成し、
ダミー絶縁層４００上にフォトレジストパターン５５０
を形成する段階を説明するために概略的に示した平面図
であり、図２Ｂは、図２ＡのＸ2-Ｘ2'-Ｙ2-Ｙ2'-Ｚ2-Ｚ
2'切断線に沿って示した断面図である。
ダミー絶縁層４００上にフォトレジストパターン５５０
を形成する段階を説明するために概略的に示した平面図
であり、図２Ｂは、図２ＡのＸ2-Ｘ2'-Ｙ2-Ｙ2'-Ｚ2-Ｚ
2'切断線に沿って示した断面図である。
【００２８】具体的に、半導体基板１００上にゲートラ
イン３００間のギャップを埋め込むダミー絶縁層４００
を形成する。ダミー絶縁層４００は、ゲートライン３０
０間のギャップを十分に埋め込む程度の流動性を有する
絶縁物質から形成される。また、ハードマスク３７０ま
たはスペーサ３９０、実質的にはストッパ層３９５に比
べて高い乾式又は／及び湿式エッチング率を有して、こ
のような膜質に対し高いエッチング選択比を有しうる絶
縁物質からダミー絶縁層４００を形成することが望まし
い。
イン３００間のギャップを埋め込むダミー絶縁層４００
を形成する。ダミー絶縁層４００は、ゲートライン３０
０間のギャップを十分に埋め込む程度の流動性を有する
絶縁物質から形成される。また、ハードマスク３７０ま
たはスペーサ３９０、実質的にはストッパ層３９５に比
べて高い乾式又は／及び湿式エッチング率を有して、こ
のような膜質に対し高いエッチング選択比を有しうる絶
縁物質からダミー絶縁層４００を形成することが望まし
い。
【００２９】これは、本発明において必須に伴う後続す
るダミー絶縁層４００をパターニングまたは除去する工
程により、スペーサ３９０またはハードマスク３７０が
激しく損傷されてゲート３３０、３５０に侵害が生じる
ことを確実に防止するためである。加えて、前記ダミー
絶縁層４００は、以降に形成される実質的な層間絶縁層
をなす絶縁物質に比べて極めて高い湿式または乾式エッ
チング率を有する絶縁物質からなることが望ましい。
るダミー絶縁層４００をパターニングまたは除去する工
程により、スペーサ３９０またはハードマスク３７０が
激しく損傷されてゲート３３０、３５０に侵害が生じる
ことを確実に防止するためである。加えて、前記ダミー
絶縁層４００は、以降に形成される実質的な層間絶縁層
をなす絶縁物質に比べて極めて高い湿式または乾式エッ
チング率を有する絶縁物質からなることが望ましい。
【００３０】従って、ダミー絶縁層４００は、前記スト
ッパ層３９５及び後続して形成される実質的に層間絶縁
層として用いられる絶縁物質によって、各種の絶縁物質
が用いられる。しかし、ダミー絶縁層４００は、少なく
ともストッパ層３９５及び後続して形成される、実質的
に層間絶縁層として用いられる絶縁物質に対して極めて
高い湿式または乾式エッチング選択比を呈しうる絶縁物
質から形成されることが望ましい。
ッパ層３９５及び後続して形成される実質的に層間絶縁
層として用いられる絶縁物質によって、各種の絶縁物質
が用いられる。しかし、ダミー絶縁層４００は、少なく
ともストッパ層３９５及び後続して形成される、実質的
に層間絶縁層として用いられる絶縁物質に対して極めて
高い湿式または乾式エッチング選択比を呈しうる絶縁物
質から形成されることが望ましい。
【００３１】例えば、前記ダミー絶縁層４００は、流動
性酸化物（ＦＯＸ；Ｆｌｏｗａｂｌｅ Ｏｘｉｄｅ；ダ
ウコーニング社製）または水素シルセスキオキサン（Ｈ
ＳＱ；ＨｙｄｒｏＳｉｌｓｅｓＱｕｉｏｘａｎｅ）など
のように、流動性に富んでいる特性を示すシリコン酸化
物から形成できる。これらのＦＯＸ層またはＨＳＱ層
は、スピンオン方式などの塗布方式により、ゲートライ
ン３００を覆うように形成される。この膜質のほかに
も、前記スピンオン方式により塗布される膜質、例え
ば、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）系の絶縁物質
は、実質的に、通常のシリコン酸化物に比べて高い湿式
エッチング率を示すと知られているので、前記ダミー絶
縁層４００に適用できる。
性酸化物（ＦＯＸ；Ｆｌｏｗａｂｌｅ Ｏｘｉｄｅ；ダ
ウコーニング社製）または水素シルセスキオキサン（Ｈ
ＳＱ；ＨｙｄｒｏＳｉｌｓｅｓＱｕｉｏｘａｎｅ）など
のように、流動性に富んでいる特性を示すシリコン酸化
物から形成できる。これらのＦＯＸ層またはＨＳＱ層
は、スピンオン方式などの塗布方式により、ゲートライ
ン３００を覆うように形成される。この膜質のほかに
も、前記スピンオン方式により塗布される膜質、例え
ば、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）系の絶縁物質
は、実質的に、通常のシリコン酸化物に比べて高い湿式
エッチング率を示すと知られているので、前記ダミー絶
縁層４００に適用できる。
【００３２】この説明において、通常のシリコン酸化物
とは、塗布方式ではない方式により膜質をなすシリコン
酸化物を言う。例えば、ＨＤＰ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉ
ｔｙＰｌａｓｍａ）−ＣＶＤシリコン酸化物またはＣＶ
Ｄ-シリコン酸化物のように、実質的にＣＶＤ方式によ
り形成されるシリコン酸化物を言う。あるいは、ＢＰＳ
Ｇ（ＢｏｒｏＰｈｏｓｐｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａ
ｓｓ）またはＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｙｌ Ｏｒｔ
ｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ）などのシリコン酸化物を言
う。
とは、塗布方式ではない方式により膜質をなすシリコン
酸化物を言う。例えば、ＨＤＰ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉ
ｔｙＰｌａｓｍａ）−ＣＶＤシリコン酸化物またはＣＶ
Ｄ-シリコン酸化物のように、実質的にＣＶＤ方式によ
り形成されるシリコン酸化物を言う。あるいは、ＢＰＳ
Ｇ（ＢｏｒｏＰｈｏｓｐｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａ
ｓｓ）またはＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｙｌ Ｏｒｔ
ｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ）などのシリコン酸化物を言
う。
【００３３】このように、通常のシリコン酸化物は、前
記ＦＯＸまたはＨＳＱに比べて極めて低い湿式エッチン
グ率を示すと知られている。例えば、ＨＤＰ-ＣＶＤシ
リコン酸化物の場合、ＦＯＸに比べて希釈されたフッ酸
（ＨＦ）溶液に対しほぼ１／１００以下と低い湿式エッ
チング率を示すと知られている。このように、ＦＯＸ層
などの高い湿式エッチング率は、主としてＦＯＸ層など
が通常のシリコン酸化物層に比べて極めて低い密度を示
すのに起因すると知られている。
記ＦＯＸまたはＨＳＱに比べて極めて低い湿式エッチン
グ率を示すと知られている。例えば、ＨＤＰ-ＣＶＤシ
リコン酸化物の場合、ＦＯＸに比べて希釈されたフッ酸
（ＨＦ）溶液に対しほぼ１／１００以下と低い湿式エッ
チング率を示すと知られている。このように、ＦＯＸ層
などの高い湿式エッチング率は、主としてＦＯＸ層など
が通常のシリコン酸化物層に比べて極めて低い密度を示
すのに起因すると知られている。
【００３４】さらに、ダミー絶縁層４００は、以降に湿
式または乾式エッチングにより選択的に除去されるた
め、前述のように塗布により形成されるシリコン酸化物
の膜質のほかにも、ポリマーよりなる有機物質として高
い乾式エッチング率を示せる絶縁物質から前記ダミー絶
縁層４００を形成できる。すなわち、ポリマーなどの有
機物は、一般に、シリコン酸化物などの無機物に対して
極めて高い乾式エッチング率を示す。このとき、乾式エ
ッチング率は通常の異方性乾式エッチングを意味するよ
りはむしろアッシングなどの等方性乾式エッチングを意
味する。
式または乾式エッチングにより選択的に除去されるた
め、前述のように塗布により形成されるシリコン酸化物
の膜質のほかにも、ポリマーよりなる有機物質として高
い乾式エッチング率を示せる絶縁物質から前記ダミー絶
縁層４００を形成できる。すなわち、ポリマーなどの有
機物は、一般に、シリコン酸化物などの無機物に対して
極めて高い乾式エッチング率を示す。このとき、乾式エ
ッチング率は通常の異方性乾式エッチングを意味するよ
りはむしろアッシングなどの等方性乾式エッチングを意
味する。
【００３５】例えば、写真工程に用いられるレジスト物
質などの有機物質を前記ダミー絶縁層４００として用い
うる。そして、写真エッチング工程において、有機反射
防止層ＡＲＬとして用いられる有機物質もやはり前記ダ
ミー絶縁層４００として用いうる。一方、有機絶縁体と
しては、フレアー（ＦＬＡＲＥ；"ＡｌｌｉｅｄＳｉｇ
ｎａｌ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ"で製造）またはＳｉＬＫなど
の物質が挙げられる。これらの有機物質は、アッシング
または酸素ソースを用いる乾式エッチングなどにより、
高いエッチング率で除去できる。
質などの有機物質を前記ダミー絶縁層４００として用い
うる。そして、写真エッチング工程において、有機反射
防止層ＡＲＬとして用いられる有機物質もやはり前記ダ
ミー絶縁層４００として用いうる。一方、有機絶縁体と
しては、フレアー（ＦＬＡＲＥ；"ＡｌｌｉｅｄＳｉｇ
ｎａｌ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ"で製造）またはＳｉＬＫなど
の物質が挙げられる。これらの有機物質は、アッシング
または酸素ソースを用いる乾式エッチングなどにより、
高いエッチング率で除去できる。
【００３６】一方、前述のように、ＨＳＱまたはＦＯＸ
よりなるダミー絶縁層４００は、ＨＳＱまたはＦＯＸの
豊富な流動性によって比較的に平らな表面を有しうる。
したがって、平らな表面を有するダミー絶縁層４００上
にフォトレジスト層を形成し、露光及び現像を行って、
セル領域１１０において、コンタクト体が位置する部分
以外の部分を露出する部分６００と設定するフォトレジ
ストパターン５５０を形成する。微細なフォトレジスト
パターン５５０を形成するために、フォトレジスト層の
下部に反射防止層５１０をさらに形成できる。
よりなるダミー絶縁層４００は、ＨＳＱまたはＦＯＸの
豊富な流動性によって比較的に平らな表面を有しうる。
したがって、平らな表面を有するダミー絶縁層４００上
にフォトレジスト層を形成し、露光及び現像を行って、
セル領域１１０において、コンタクト体が位置する部分
以外の部分を露出する部分６００と設定するフォトレジ
ストパターン５５０を形成する。微細なフォトレジスト
パターン５５０を形成するために、フォトレジスト層の
下部に反射防止層５１０をさらに形成できる。
【００３７】ダミー絶縁層４００のコンタクト体が形成
されない位置を露出する部分６００は、活性領域１２０
と活性領域１２０との間の素子分離領域２００上に該当
する。活性領域１２０は（-）の形態または（Ｔ）の形
態が配列された状態よりなりうるため、これらの活性領
域１２０間を露出する長い楕円形または（-）の形とし
てフォトレジストパターン５５０による露出部分６００
が設定できる。したがって、フォトレジストパターン５
５０は、コンタクト体が形成される部分を実質的に覆っ
て遮へいする。
されない位置を露出する部分６００は、活性領域１２０
と活性領域１２０との間の素子分離領域２００上に該当
する。活性領域１２０は（-）の形態または（Ｔ）の形
態が配列された状態よりなりうるため、これらの活性領
域１２０間を露出する長い楕円形または（-）の形とし
てフォトレジストパターン５５０による露出部分６００
が設定できる。したがって、フォトレジストパターン５
５０は、コンタクト体が形成される部分を実質的に覆っ
て遮へいする。
【００３８】一方、このように形成されるダミー絶縁層
４００上に、ダミー絶縁層４００に比べて緻密な構造を
有する物質よりなる保護ライナー層（図示せず）が前記
反射防止層５１０の下部に導入できる。この保護ライナ
ー層は、フォトレジストパターン５５０を形成する現像
工程などにおいて、ダミー絶縁層４００が損傷されるこ
とを防止するために導入される。したがって、この保護
ライナー層は、例えば、ＰＥＣＶＤ、ＡＰ-ＣＶＤ、Ｈ
ＤＰ-ＣＶＤのようにＣＶＤに基づく方法により形成さ
れるシリコン酸化物層から形成できる。
４００上に、ダミー絶縁層４００に比べて緻密な構造を
有する物質よりなる保護ライナー層（図示せず）が前記
反射防止層５１０の下部に導入できる。この保護ライナ
ー層は、フォトレジストパターン５５０を形成する現像
工程などにおいて、ダミー絶縁層４００が損傷されるこ
とを防止するために導入される。したがって、この保護
ライナー層は、例えば、ＰＥＣＶＤ、ＡＰ-ＣＶＤ、Ｈ
ＤＰ-ＣＶＤのようにＣＶＤに基づく方法により形成さ
れるシリコン酸化物層から形成できる。
【００３９】図３Ａは、ダミー絶縁層４００をパターニ
ングしてダミーオープニング４５０を有するダミー絶縁
層パターン４０１を形成する段階を説明するために概略
的に示した平面図であり、図３Ｂは、図３ＡのＸ3-Ｘ3'
-Ｙ3-Ｙ3'-Ｚ3-Ｚ3'切断線に沿って示した断面図であ
る。
ングしてダミーオープニング４５０を有するダミー絶縁
層パターン４０１を形成する段階を説明するために概略
的に示した平面図であり、図３Ｂは、図３ＡのＸ3-Ｘ3'
-Ｙ3-Ｙ3'-Ｚ3-Ｚ3'切断線に沿って示した断面図であ
る。
【００４０】具体的に、前記フォトレジストパターン５
５０をエッチングマスクとしてダミー絶縁層４００を選
択的にエッチングし、ゲートライン３００間を露出する
ダミーオープニング４５０を有するダミー絶縁層パター
ン４０１を形成する。このとき、前記ダミーオープニン
グ４５０を形成するエッチング工程は選択的な乾式エッ
チング工程により行われ、このようなエッチング工程の
エッチング終了はストッパ層３９５によってなされう
る。このように形成されたダミーオープニング４５０
は、コンタクト体が形成されない部分のゲートライン３
００間を実質的に露出させる。
５０をエッチングマスクとしてダミー絶縁層４００を選
択的にエッチングし、ゲートライン３００間を露出する
ダミーオープニング４５０を有するダミー絶縁層パター
ン４０１を形成する。このとき、前記ダミーオープニン
グ４５０を形成するエッチング工程は選択的な乾式エッ
チング工程により行われ、このようなエッチング工程の
エッチング終了はストッパ層３９５によってなされう
る。このように形成されたダミーオープニング４５０
は、コンタクト体が形成されない部分のゲートライン３
００間を実質的に露出させる。
【００４１】一方、ダミー絶縁層４００が有機物質より
なる場合、前記ダミー絶縁層パターン４０１を形成する
パターニング工程は、別途のエッチングマスク（図示せ
ず）を用い、酸素ソースを用いる乾式エッチングまたは
アッシング工程により行いうる。また、前記フレアーを
用いてダミー絶縁層４００を形成する場合には、窒素及
び水素ガスを含むエッチングガスを用い、乾式エッチン
グにより前記パターニング工程を行いうる。このとき、
フォトレジストパターン５５０及びダミー絶縁層４００
をなすフレアーは前記乾式エッチングにおいてエッチン
グ選択比を示すため、前記別途のエッチングマスクは省
略できる。
なる場合、前記ダミー絶縁層パターン４０１を形成する
パターニング工程は、別途のエッチングマスク（図示せ
ず）を用い、酸素ソースを用いる乾式エッチングまたは
アッシング工程により行いうる。また、前記フレアーを
用いてダミー絶縁層４００を形成する場合には、窒素及
び水素ガスを含むエッチングガスを用い、乾式エッチン
グにより前記パターニング工程を行いうる。このとき、
フォトレジストパターン５５０及びダミー絶縁層４００
をなすフレアーは前記乾式エッチングにおいてエッチン
グ選択比を示すため、前記別途のエッチングマスクは省
略できる。
【００４２】このように形成されたダミーオープニング
４５０は下部のゲートライン３００に交差するように形
成されることが望ましい。したがって、ダミーオープニ
ング４５０によって多数のゲートライン３００が露出で
きる。このため、ダミーオープニング４５０を形成する
とき極めて高い解像度の写真工程が要求されず、その結
果、写真工程のマージンを大きく確保できる。
４５０は下部のゲートライン３００に交差するように形
成されることが望ましい。したがって、ダミーオープニ
ング４５０によって多数のゲートライン３００が露出で
きる。このため、ダミーオープニング４５０を形成する
とき極めて高い解像度の写真工程が要求されず、その結
果、写真工程のマージンを大きく確保できる。
【００４３】図４Ａは、ダミーオープニング４５０を埋
め込む層間絶縁層パターン７００を形成する段階を説明
するために概略的に示した平面図であり、図４Ｂは、図
４ＡのＸ4-Ｘ4'-Ｙ4-Ｙ4'-Ｚ4-Ｚ4'切断線に沿って示し
た断面図である。
め込む層間絶縁層パターン７００を形成する段階を説明
するために概略的に示した平面図であり、図４Ｂは、図
４ＡのＸ4-Ｘ4'-Ｙ4-Ｙ4'-Ｚ4-Ｚ4'切断線に沿って示し
た断面図である。
【００４４】具体的に、ダミーオープニング４５０を埋
め込む層間絶縁層を形成する。そして、層間絶縁層を化
学機械的な研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃ
ａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ；以下"ＣＭＰ"と称する）また
は乾式エッチバックしてダミーオープニング４５０内に
限定させる。このとき、湿式エッチバックも用いうる。
このような研磨またはエッチバックはダミー絶縁層パタ
ーン４０１の表面が露出されるように行われ、その結
果、層間絶縁層パターン７００が形成される。
め込む層間絶縁層を形成する。そして、層間絶縁層を化
学機械的な研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃ
ａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ；以下"ＣＭＰ"と称する）また
は乾式エッチバックしてダミーオープニング４５０内に
限定させる。このとき、湿式エッチバックも用いうる。
このような研磨またはエッチバックはダミー絶縁層パタ
ーン４０１の表面が露出されるように行われ、その結
果、層間絶縁層パターン７００が形成される。
【００４５】一方、前記層間絶縁層は前記ダミー絶縁層
パターン４０１に比べて極めて低い湿式または乾式エッ
チング率を有する絶縁物質から形成されることが望まし
い。例えば、前述のように、ダミー絶縁層パターン４０
１がＦＯＸまたはＨＳＱなど、塗布方式によるシリコン
酸化物から形成される場合、層間絶縁層パターン７００
は前記ＦＯＸまたはＨＳＱなどの物質に比べて密度が高
いため、湿式エッチング率が相対的に低いＣＶＤ-シリ
コン酸化物から形成できる。例えば、前記層間絶縁層パ
ターン７００は、通常のＢＰＳＧなどのシリケートガラ
ス類から形成されるか、あるいはＨＤＰ-ＣＶＤ、ＡＰ-
ＣＶＤまたはＰＥ ＣＶＤなどのＣＶＤ方式により形成
されるシリコン酸化物またはＴＥＯＳから形成できる。
パターン４０１に比べて極めて低い湿式または乾式エッ
チング率を有する絶縁物質から形成されることが望まし
い。例えば、前述のように、ダミー絶縁層パターン４０
１がＦＯＸまたはＨＳＱなど、塗布方式によるシリコン
酸化物から形成される場合、層間絶縁層パターン７００
は前記ＦＯＸまたはＨＳＱなどの物質に比べて密度が高
いため、湿式エッチング率が相対的に低いＣＶＤ-シリ
コン酸化物から形成できる。例えば、前記層間絶縁層パ
ターン７００は、通常のＢＰＳＧなどのシリケートガラ
ス類から形成されるか、あるいはＨＤＰ-ＣＶＤ、ＡＰ-
ＣＶＤまたはＰＥ ＣＶＤなどのＣＶＤ方式により形成
されるシリコン酸化物またはＴＥＯＳから形成できる。
【００４６】また、層間絶縁層パターン７００は、ダミ
ー絶縁層パターン４０１が通常のシリコン酸化物よりな
るとき、シリコン窒化物から形成できる。シリコン窒化
物は、通常、シリコン酸化物に比べて極めて低い湿式エ
ッチング率を示すので、前述のような組み合わせが可能
である。または、シリコン酸化物に比べて極めて低い湿
式エッチング率を示すシリコン酸窒化物、シリコン炭化
物またはアルミニウム酸化物からも、層間絶縁層パター
ン７００は形成できる。
ー絶縁層パターン４０１が通常のシリコン酸化物よりな
るとき、シリコン窒化物から形成できる。シリコン窒化
物は、通常、シリコン酸化物に比べて極めて低い湿式エ
ッチング率を示すので、前述のような組み合わせが可能
である。または、シリコン酸化物に比べて極めて低い湿
式エッチング率を示すシリコン酸窒化物、シリコン炭化
物またはアルミニウム酸化物からも、層間絶縁層パター
ン７００は形成できる。
【００４７】さらに、前記ダミー絶縁層パターン４０１
をＦＯＸなどの物質から形成し、層間絶縁層パターン７
００をＴＯＳＺ（Ｔｏｎｎｅｎ社製）などのＳＯＧ系の
絶縁物質から形成できる。このとき、ＴＯＳＺから層間
絶縁層パターン７００を形成する場合、ＴＯＳＺを蒸着
した後で湿式アニーリングを行って緻密化を図る段階が
伴われる。この湿式アニーリングは、前記ダミー絶縁層
パターン４０１をなすＦＯＸなどの絶縁物質も緻密化で
きる。これは、この実施形態において有害なため、ダミ
ー絶縁層パターン４０１のＦＯＸなどが湿式アニーリン
グから影響されることを防止するために、ＴＯＳＺを蒸
着する前に、ダミー絶縁層パターン４０１が形成された
結果物上にシリコン窒化物などの反応防止層をさらに形
成する。この反応防止層は、前記湿式アニーリングにお
いて酸素のダミー絶縁層パターン４０１への拡散または
浸透を防止し、その結果、ダミー絶縁層パターン４０１
をなすＦＯＸなどの緻密化を防止できる。
をＦＯＸなどの物質から形成し、層間絶縁層パターン７
００をＴＯＳＺ（Ｔｏｎｎｅｎ社製）などのＳＯＧ系の
絶縁物質から形成できる。このとき、ＴＯＳＺから層間
絶縁層パターン７００を形成する場合、ＴＯＳＺを蒸着
した後で湿式アニーリングを行って緻密化を図る段階が
伴われる。この湿式アニーリングは、前記ダミー絶縁層
パターン４０１をなすＦＯＸなどの絶縁物質も緻密化で
きる。これは、この実施形態において有害なため、ダミ
ー絶縁層パターン４０１のＦＯＸなどが湿式アニーリン
グから影響されることを防止するために、ＴＯＳＺを蒸
着する前に、ダミー絶縁層パターン４０１が形成された
結果物上にシリコン窒化物などの反応防止層をさらに形
成する。この反応防止層は、前記湿式アニーリングにお
いて酸素のダミー絶縁層パターン４０１への拡散または
浸透を防止し、その結果、ダミー絶縁層パターン４０１
をなすＦＯＸなどの緻密化を防止できる。
【００４８】結論的に、ダミー絶縁層パターン４０１は
層間絶縁層パターン７００に比べて極めて高い湿式（場
合によっては乾式）エッチング率を示す絶縁物質であれ
ば、いかなる絶縁物質からなっても関係ない。逆に、層
間絶縁層パターン７００はダミー絶縁層パターン４０１
に比べて低い湿式（場合によっては乾式）エッチング率
を有して、ダミー絶縁層パターン４０１に比べて高い湿
式（または乾式）エッチング選択比を有する絶縁物質で
あれば、いかなる絶縁物質からなっても関係ない。
層間絶縁層パターン７００に比べて極めて高い湿式（場
合によっては乾式）エッチング率を示す絶縁物質であれ
ば、いかなる絶縁物質からなっても関係ない。逆に、層
間絶縁層パターン７００はダミー絶縁層パターン４０１
に比べて低い湿式（場合によっては乾式）エッチング率
を有して、ダミー絶縁層パターン４０１に比べて高い湿
式（または乾式）エッチング選択比を有する絶縁物質で
あれば、いかなる絶縁物質からなっても関係ない。
【００４９】一方、このような層間絶縁層パターン７０
０は、ゲートライン３００間を埋め込む必要があるた
め、これらのゲートライン３００間の縦横比が極めて高
くなり、その結果、その内部にシームまたはボイド７０
５が生じる場合がある。このボイド７０５は層間絶縁層
パターン７０５の中心部に生じうるが、層間絶縁層パタ
ーン７００をなす絶縁物質によって閉鎖されて隔離され
た状態で存在することになる。すなわち、ＣＶＤの蒸着
特性により層間絶縁層パターン７００がオープニング４
５０の内側面及び底面から共に成長されて、ボイド７０
５がゲートライン３００間の層間絶縁層パターン７００
の中心部に生じる。このため、ボイド７０５が層間絶縁
層パターン７００の両側面から外側に延びて側方向に露
出されない。これにより、後続する導電物質の蒸着工程
において、このようなボイド７０５またはシームに導電
物質が埋め込まれて残留しても、この残留する導電物質
がブリッジなどの電気的な短絡を与える不良として作用
することを防止できる。
０は、ゲートライン３００間を埋め込む必要があるた
め、これらのゲートライン３００間の縦横比が極めて高
くなり、その結果、その内部にシームまたはボイド７０
５が生じる場合がある。このボイド７０５は層間絶縁層
パターン７０５の中心部に生じうるが、層間絶縁層パタ
ーン７００をなす絶縁物質によって閉鎖されて隔離され
た状態で存在することになる。すなわち、ＣＶＤの蒸着
特性により層間絶縁層パターン７００がオープニング４
５０の内側面及び底面から共に成長されて、ボイド７０
５がゲートライン３００間の層間絶縁層パターン７００
の中心部に生じる。このため、ボイド７０５が層間絶縁
層パターン７００の両側面から外側に延びて側方向に露
出されない。これにより、後続する導電物質の蒸着工程
において、このようなボイド７０５またはシームに導電
物質が埋め込まれて残留しても、この残留する導電物質
がブリッジなどの電気的な短絡を与える不良として作用
することを防止できる。
【００５０】図５Ａは、ダミー絶縁層パターン４０１を
選択的に除去する段階を説明するために概略的に示した
平面図であり、図５Ｂは、図５ＡのＸ5-Ｘ5'-Ｙ5-Ｙ5'-
Ｚ5-Ｚ5'切断線に沿って示した断面図である。
選択的に除去する段階を説明するために概略的に示した
平面図であり、図５Ｂは、図５ＡのＸ5-Ｘ5'-Ｙ5-Ｙ5'-
Ｚ5-Ｚ5'切断線に沿って示した断面図である。
【００５１】具体的に、層間絶縁層パターン７００をエ
ッチングマスクとしてダミー絶縁層パターン４０１を選
択的に除去し、コンタクトオープニング７５０を形成す
る。このため、コンタクトオープニング７５０はダミー
絶縁層パターン４０１が位置していた部分に位置するこ
とになる。このとき、前述のように、半導体素子の集積
化によるＳＡＣ工程の問題点は主としてセル領域１１０
で生じるので、セル領域１１０を選択的に露出するセル
オープンを施しうる。例えば、層間絶縁層パターン７０
０及びダミー絶縁層パターン４０１が形成された結果物
上にセル領域１１０を選択的に露出する別途の第２フォ
トレジストパターン（図示せず）またはエッチングマス
ク（図示せず）を形成するセルオープン工程をダミー絶
縁層パターン４０１を選択的に除去する工程前に行いう
る。これらの第２フォトレジストパターンまたはエッチ
ングマスクはセル領域１１０以外の周辺領域またはコア
領域を遮へいするので、周辺領域またはコア領域におけ
る前記ダミー絶縁層パターンの部分は前記ダミー絶縁層
パターン４０１を除去する段階後にも残存できる。
ッチングマスクとしてダミー絶縁層パターン４０１を選
択的に除去し、コンタクトオープニング７５０を形成す
る。このため、コンタクトオープニング７５０はダミー
絶縁層パターン４０１が位置していた部分に位置するこ
とになる。このとき、前述のように、半導体素子の集積
化によるＳＡＣ工程の問題点は主としてセル領域１１０
で生じるので、セル領域１１０を選択的に露出するセル
オープンを施しうる。例えば、層間絶縁層パターン７０
０及びダミー絶縁層パターン４０１が形成された結果物
上にセル領域１１０を選択的に露出する別途の第２フォ
トレジストパターン（図示せず）またはエッチングマス
ク（図示せず）を形成するセルオープン工程をダミー絶
縁層パターン４０１を選択的に除去する工程前に行いう
る。これらの第２フォトレジストパターンまたはエッチ
ングマスクはセル領域１１０以外の周辺領域またはコア
領域を遮へいするので、周辺領域またはコア領域におけ
る前記ダミー絶縁層パターンの部分は前記ダミー絶縁層
パターン４０１を除去する段階後にも残存できる。
【００５２】前記ダミー絶縁層パターン４０１の除去
は、湿式エッチング液を導入する湿式エッチングを使っ
て行う。この湿式エッチングは、前記ダミー絶縁層パタ
ーン４０１と層間絶縁層パターン７００との湿式エッチ
ング率の違いを用いた選択的なエッチングにより行われ
る。湿式エッチング液としては、通常の湿式エッチング
工程に用いられるエッチング液を用いうる。例えば、シ
リコン酸化物に対する希釈されたＨＦ溶液またはＢＯＥ
（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ Ｏｘｉｄｅ Ｅｔｃｈａｎｔ）溶液
などをエッチング液として用いうる。
は、湿式エッチング液を導入する湿式エッチングを使っ
て行う。この湿式エッチングは、前記ダミー絶縁層パタ
ーン４０１と層間絶縁層パターン７００との湿式エッチ
ング率の違いを用いた選択的なエッチングにより行われ
る。湿式エッチング液としては、通常の湿式エッチング
工程に用いられるエッチング液を用いうる。例えば、シ
リコン酸化物に対する希釈されたＨＦ溶液またはＢＯＥ
（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ Ｏｘｉｄｅ Ｅｔｃｈａｎｔ）溶液
などをエッチング液として用いうる。
【００５３】ダミー絶縁層パターン４０１をなす前記Ｈ
ＳＱまたはＦＯＸなどは、層間絶縁層パターン７００を
なす通常のシリコン酸化物に比べて極めて高い湿式エッ
チング速度を示す。例えば、ＦＯＸよりなるダミー絶縁
層パターン４０１に比べて、ＣＶＤ-シリコン酸化物よ
りなる層間絶縁層パターン７００は、フッ酸溶液を含む
湿式エッチング液に対してほぼ１００：１またはそれ以
下の低い湿式エッチング率を示す。このように、ダミー
絶縁層パターン４０１及び層間絶縁層パターン７００が
ほぼ１００：１の高い湿式エッチング比を示せるので、
前記湿式エッチングは実質的にダミー絶縁層パターン４
０１を選択的に除去することになる。
ＳＱまたはＦＯＸなどは、層間絶縁層パターン７００を
なす通常のシリコン酸化物に比べて極めて高い湿式エッ
チング速度を示す。例えば、ＦＯＸよりなるダミー絶縁
層パターン４０１に比べて、ＣＶＤ-シリコン酸化物よ
りなる層間絶縁層パターン７００は、フッ酸溶液を含む
湿式エッチング液に対してほぼ１００：１またはそれ以
下の低い湿式エッチング率を示す。このように、ダミー
絶縁層パターン４０１及び層間絶縁層パターン７００が
ほぼ１００：１の高い湿式エッチング比を示せるので、
前記湿式エッチングは実質的にダミー絶縁層パターン４
０１を選択的に除去することになる。
【００５４】さらに、前述のように、層間絶縁層パター
ン７００が湿式アニーリングが行われて緻密化されたＴ
ＯＳＺなどのＳＯＧ系よりなる場合、ダミー絶縁層パタ
ーン４０１をなすＦＯＸなどは前記湿式エッチング時に
極めて高いエッチング選択比を具現し、選択的に除去さ
れる。
ン７００が湿式アニーリングが行われて緻密化されたＴ
ＯＳＺなどのＳＯＧ系よりなる場合、ダミー絶縁層パタ
ーン４０１をなすＦＯＸなどは前記湿式エッチング時に
極めて高いエッチング選択比を具現し、選択的に除去さ
れる。
【００５５】このようなダミー絶縁層パターン４０１を
除去する湿式エッチングはダミー絶縁層パターン４０１
が完全に除去されるまで行われる。すなわち、下部のス
トッパ層３９５をエッチング終了として前記湿式エッチ
ングを行う。ストッパ層３９５は、前述のように、シリ
コン窒化物よりなりうるので、ダミー絶縁層パターン４
０１に比べて極めて低い湿式エッチング率を示せ、その
結果、エッチング終了の作用を十分に果たしうる。
除去する湿式エッチングはダミー絶縁層パターン４０１
が完全に除去されるまで行われる。すなわち、下部のス
トッパ層３９５をエッチング終了として前記湿式エッチ
ングを行う。ストッパ層３９５は、前述のように、シリ
コン窒化物よりなりうるので、ダミー絶縁層パターン４
０１に比べて極めて低い湿式エッチング率を示せ、その
結果、エッチング終了の作用を十分に果たしうる。
【００５６】したがって、前記湿式エッチングによって
下部のスペーサ３９０及びハードマスク３７０が損傷さ
れることを防止できる。そして、実質的にスペーサ３９
５及びハードマスク３７０が、前述のようにシリコン窒
化物よりなる場合、前記ダミー絶縁層パターン４０１は
スペーサ３９５及びハードマスク３７０に対して極めて
高い湿式選択比にて除去されるので、実質的にスペーサ
３９５及びハードマスク３７０が損傷されることが防止
できる。さらに、従来のＳＡＣ工程における乾式エッチ
ングによる侵食発生の恐れがないので、前記スペーサ３
９５及びハードマスク３７０の損傷が一層確実に防止で
きる。
下部のスペーサ３９０及びハードマスク３７０が損傷さ
れることを防止できる。そして、実質的にスペーサ３９
５及びハードマスク３７０が、前述のようにシリコン窒
化物よりなる場合、前記ダミー絶縁層パターン４０１は
スペーサ３９５及びハードマスク３７０に対して極めて
高い湿式選択比にて除去されるので、実質的にスペーサ
３９５及びハードマスク３７０が損傷されることが防止
できる。さらに、従来のＳＡＣ工程における乾式エッチ
ングによる侵食発生の恐れがないので、前記スペーサ３
９５及びハードマスク３７０の損傷が一層確実に防止で
きる。
【００５７】前述のように、ダミー絶縁層パターン４０
１を湿式エッチングにより選択的に除去した後、露出さ
れるストッパ層３９５を別途に除去してゲート３３０、
３５０のスペーサ３９５に隣接する下部の半導体基板１
００を露出させるコンタクトオープニング７５０を形成
する。この半導体基板１００は活性領域１２０を含んで
いて、後続して形成されるコンタクト体が電気的に接続
される部分を活性領域１２０は含む。
１を湿式エッチングにより選択的に除去した後、露出さ
れるストッパ層３９５を別途に除去してゲート３３０、
３５０のスペーサ３９５に隣接する下部の半導体基板１
００を露出させるコンタクトオープニング７５０を形成
する。この半導体基板１００は活性領域１２０を含んで
いて、後続して形成されるコンタクト体が電気的に接続
される部分を活性領域１２０は含む。
【００５８】このコンタクトオープニング７５０は、通
常のＳＡＣ工程において形成するコンタクトホールがゲ
ートライン間の特定の半導体基板の部分だけを選択的に
露出することとは異なって、多数のゲートライン３００
及びこれに隣接する半導体基板１００上を共に露出する
ように形成される。
常のＳＡＣ工程において形成するコンタクトホールがゲ
ートライン間の特定の半導体基板の部分だけを選択的に
露出することとは異なって、多数のゲートライン３００
及びこれに隣接する半導体基板１００上を共に露出する
ように形成される。
【００５９】一方、ダミー絶縁層パターン４０１が有機
物質から形成される場合、酸素ソースを用いる乾式エッ
チングまたはアッシングにより、シリコン酸化物などの
無機物よりなる層間絶縁層パターン７００に対して選択
的にダミー絶縁層パターン４０１は除去できる。さら
に、ダミー絶縁層パターン４０１がフレアーなどよりな
る場合には、窒素及び水素ガスを含むエッチングガスを
用いる乾式エッチング工程により前記選択的な除去工程
を行いうる。
物質から形成される場合、酸素ソースを用いる乾式エッ
チングまたはアッシングにより、シリコン酸化物などの
無機物よりなる層間絶縁層パターン７００に対して選択
的にダミー絶縁層パターン４０１は除去できる。さら
に、ダミー絶縁層パターン４０１がフレアーなどよりな
る場合には、窒素及び水素ガスを含むエッチングガスを
用いる乾式エッチング工程により前記選択的な除去工程
を行いうる。
【００６０】加えて、このようにコンタクトオープニン
グ７５０の側壁をなす層間絶縁層パターン７００の側壁
には、層間絶縁層パターン７００内に生じたボイド（図
４Ｂの７０５）が延びたり、あるいは露出されることは
ない。これは、前述のように、層間絶縁層パターン７０
０の蒸着特性によるものである。
グ７５０の側壁をなす層間絶縁層パターン７００の側壁
には、層間絶縁層パターン７００内に生じたボイド（図
４Ｂの７０５）が延びたり、あるいは露出されることは
ない。これは、前述のように、層間絶縁層パターン７０
０の蒸着特性によるものである。
【００６１】図６Ａは、コンタクトオープニング７５０
によって露出された半導体基板１００に電気的に接続さ
れる導電性コンタクト体８００を形成する段階を説明す
るために概略的に示した平面図であり、図６Ｂは、図６
ＡのＸ6-Ｘ6'-Ｙ6-Ｙ6'-Ｚ6-Ｚ6'切断線に沿って示した
断面図である。
によって露出された半導体基板１００に電気的に接続さ
れる導電性コンタクト体８００を形成する段階を説明す
るために概略的に示した平面図であり、図６Ｂは、図６
ＡのＸ6-Ｘ6'-Ｙ6-Ｙ6'-Ｚ6-Ｚ6'切断線に沿って示した
断面図である。
【００６２】具体的に、形成されたコンタクトオープニ
ング７００を埋め込んで露出される半導体基板１００に
電気的に接続される導電層を蒸着した後、導電層の全面
をＣＭＰまたは全面エッチバックして導電層をゲートラ
イン３００間に各々分離し、導電性コンタクト体８００
を形成する。これにより、導電性コンタクト体８００の
対向する両側壁はゲート３３０、３５０のスペーサ３９
０によって分離され、対向する他の両側壁は層間絶縁層
７００によって分離される。
ング７００を埋め込んで露出される半導体基板１００に
電気的に接続される導電層を蒸着した後、導電層の全面
をＣＭＰまたは全面エッチバックして導電層をゲートラ
イン３００間に各々分離し、導電性コンタクト体８００
を形成する。これにより、導電性コンタクト体８００の
対向する両側壁はゲート３３０、３５０のスペーサ３９
０によって分離され、対向する他の両側壁は層間絶縁層
７００によって分離される。
【００６３】導電層は通常の導電体、例えば、多晶質シ
リコン、タングステン、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウ
ム窒化物（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、タングステ
ンシリサイド（ＷＳｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム
（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）などよりなりうる。前記ＣＭ
Ｐまたは全面エッチバックはストッパ層３９５またはス
トッパ層３９５の上部のハードマスク３７０によって終
了できる。このとき、層間絶縁層７００の中心部に存在
するシームまたはボイド（図４Ａの７５０）はコンタク
トオープニング７５０の側面に露出あるいは延びないの
で、前記導電層を蒸着するとき、シームまたはボイドに
導電物質が埋め込まれて生じるブリッジなどの導電性コ
ンタクト体８００間の短絡の不良が生じない。
リコン、タングステン、チタニウム（Ｔｉ）、チタニウ
ム窒化物（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、タングステ
ンシリサイド（ＷＳｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム
（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）などよりなりうる。前記ＣＭ
Ｐまたは全面エッチバックはストッパ層３９５またはス
トッパ層３９５の上部のハードマスク３７０によって終
了できる。このとき、層間絶縁層７００の中心部に存在
するシームまたはボイド（図４Ａの７５０）はコンタク
トオープニング７５０の側面に露出あるいは延びないの
で、前記導電層を蒸着するとき、シームまたはボイドに
導電物質が埋め込まれて生じるブリッジなどの導電性コ
ンタクト体８００間の短絡の不良が生じない。
【００６４】前述のように、本発明の第１実施形態によ
れば、湿式エッチング選択比を用い、ダミーオープニン
グ４５０に埋め込まれた層間絶縁層７００をエッチング
マスクとしてダミー絶縁層パターン４０１を選択的に除
去できる。このとき、前記選択的なエッチング工程が高
い湿式エッチング選択比を具現するので、ゲート３３
０、３５０のスペーサ３９０及びハードマスク３７０の
損傷または下部のゲート３３０、３５０の損傷が防止で
きる。さらに、ダミーオープニング４５０を形成する工
程によってスペーサ３９０またはハードマスク３７０の
露出される部位が損傷されても、この露出部位は後続す
る層間絶縁層７００によって遮へいされるので、電気的
な短絡などが十分に防止できる。
れば、湿式エッチング選択比を用い、ダミーオープニン
グ４５０に埋め込まれた層間絶縁層７００をエッチング
マスクとしてダミー絶縁層パターン４０１を選択的に除
去できる。このとき、前記選択的なエッチング工程が高
い湿式エッチング選択比を具現するので、ゲート３３
０、３５０のスペーサ３９０及びハードマスク３７０の
損傷または下部のゲート３３０、３５０の損傷が防止で
きる。さらに、ダミーオープニング４５０を形成する工
程によってスペーサ３９０またはハードマスク３７０の
露出される部位が損傷されても、この露出部位は後続す
る層間絶縁層７００によって遮へいされるので、電気的
な短絡などが十分に防止できる。
【００６５】さらに、従来のＳＡＣ工程とは異なって、
高い縦横比を要するコンタクトホールの形成工程が本発
明の第１実施形態では不要であって、コンタクトホール
の底面臨界線幅の確保が難しく、しかも極めて高い乾式
エッチング選択比を要する乾式エッチング工程が不要で
ある。または、高い解像度を要する写真工程が排除でき
る。
高い縦横比を要するコンタクトホールの形成工程が本発
明の第１実施形態では不要であって、コンタクトホール
の底面臨界線幅の確保が難しく、しかも極めて高い乾式
エッチング選択比を要する乾式エッチング工程が不要で
ある。または、高い解像度を要する写真工程が排除でき
る。
【００６６】前述のように、第１実施形態においては、
ダミー絶縁層パターン４０１と層間絶縁層パターン７０
０との間の高い湿式エッチング選択比を具現するため
に、ダミー絶縁層パターン４０１をＦＯＸまたはＨＳＱ
など、塗布により形成されるシリコン酸化物のように高
い湿式エッチング率を有する絶縁物質から形成し、層間
絶縁層パターン７００を通常のシリコン酸化物、例え
ば、実質的にＣＶＤによって形成されるシリコン酸化物
から形成すると記載したが、本発明がこれに限定される
ことはない。
ダミー絶縁層パターン４０１と層間絶縁層パターン７０
０との間の高い湿式エッチング選択比を具現するため
に、ダミー絶縁層パターン４０１をＦＯＸまたはＨＳＱ
など、塗布により形成されるシリコン酸化物のように高
い湿式エッチング率を有する絶縁物質から形成し、層間
絶縁層パターン７００を通常のシリコン酸化物、例え
ば、実質的にＣＶＤによって形成されるシリコン酸化物
から形成すると記載したが、本発明がこれに限定される
ことはない。
【００６７】実質的に、ダミー絶縁層パターン４０１を
通常のシリコン酸化物から形成しても、層間絶縁層パタ
ーン７００をシリコン窒化物などのシリコン酸化物及び
湿式エッチング選択比が高い絶縁物質から形成する場
合、第１実施形態において述べたような本発明の効果を
具現できる。
通常のシリコン酸化物から形成しても、層間絶縁層パタ
ーン７００をシリコン窒化物などのシリコン酸化物及び
湿式エッチング選択比が高い絶縁物質から形成する場
合、第１実施形態において述べたような本発明の効果を
具現できる。
【００６８】そして、層間絶縁層パターン７００をシリ
コン窒化物から形成し、ダミー絶縁層パターン４０１を
通常のシリコン酸化物から形成すれば、ダミー絶縁層パ
ターン４０１を除去する工程をセル領域１１０内におい
て選択的に行いうる。これにより、セル領域１１０以外
の領域、例えば、コア領域または周辺領域にダミー絶縁
層を選択的に残留でき、この残留されるダミー絶縁層は
実質的に半導体装置の絶縁層として用いられる。
コン窒化物から形成し、ダミー絶縁層パターン４０１を
通常のシリコン酸化物から形成すれば、ダミー絶縁層パ
ターン４０１を除去する工程をセル領域１１０内におい
て選択的に行いうる。これにより、セル領域１１０以外
の領域、例えば、コア領域または周辺領域にダミー絶縁
層を選択的に残留でき、この残留されるダミー絶縁層は
実質的に半導体装置の絶縁層として用いられる。
【００６９】一方、通常のシリコン酸化物をエッチング
する湿式エッチバック、例えば、ＢＯＥまたはＨＦ溶液
などはシリコン窒化物に対しては極めて低い湿式エッチ
ング率を示す。したがって、前記湿式エッチング液を用
いる湿式エッチングは、極めて高いエッチング選択比に
てダミー絶縁層パターン４０１を選択的に除去できる。
する湿式エッチバック、例えば、ＢＯＥまたはＨＦ溶液
などはシリコン窒化物に対しては極めて低い湿式エッチ
ング率を示す。したがって、前記湿式エッチング液を用
いる湿式エッチングは、極めて高いエッチング選択比に
てダミー絶縁層パターン４０１を選択的に除去できる。
【００７０】そして、このようにシリコン窒化物から層
間絶縁層パターン７００を形成する場合、ダミーオープ
ニング４５０を形成する乾式エッチング工程によってス
トッパ層３９５、ハードマスク３７０またはスペーサ３
９０などが損傷されても、このダミーオープニング４５
０を埋め込む層間絶縁層パターン７００のシリコン窒化
物によって補償できる。
間絶縁層パターン７００を形成する場合、ダミーオープ
ニング４５０を形成する乾式エッチング工程によってス
トッパ層３９５、ハードマスク３７０またはスペーサ３
９０などが損傷されても、このダミーオープニング４５
０を埋め込む層間絶縁層パターン７００のシリコン窒化
物によって補償できる。
【００７１】このように、本発明の第１実施形態は、ゲ
ート３３０、３５０間のギャップを埋め込む導電性コン
タクト体８００、例えば、ＤＣパッドまたはＢＣパッド
を形成する場合を例として挙げているが、本発明は各種
のコンタクト体、例えば、キャパシターのストレージノ
ードパッドまたは導電性プラグなどにも適用できる。以
下、前述のような本発明の変形を本発明の第２実施形態
を通じて詳細に説明する。
ート３３０、３５０間のギャップを埋め込む導電性コン
タクト体８００、例えば、ＤＣパッドまたはＢＣパッド
を形成する場合を例として挙げているが、本発明は各種
のコンタクト体、例えば、キャパシターのストレージノ
ードパッドまたは導電性プラグなどにも適用できる。以
下、前述のような本発明の変形を本発明の第２実施形態
を通じて詳細に説明する。
【００７２】図７ないし図９は、本発明の第２実施形態
の導電ライン間を埋め込むダミー絶縁層を形成する方法
を説明するために概略的に示した断面図であり、図１０
は、本発明の第２実施形態によるダミー絶縁層上にフォ
トレジストパターンを形成する段階を概略的に示した平
面図であり、図１１は、図１０のＡ1-Ａ1'-Ａ2-Ａ2'-Ａ
3-Ａ3'-Ａ4-Ａ4'切断線に沿う断面図である。そして、
図１２ないし図１８は、本発明の第２実施形態による導
電性コンタクト体を形成する方法を説明するために図１
０のＡ1-Ａ1'-Ａ2-Ａ2'-Ａ3-Ａ3'-Ａ4-Ａ4'切断線に沿
う断面に対して示した断面図である。
の導電ライン間を埋め込むダミー絶縁層を形成する方法
を説明するために概略的に示した断面図であり、図１０
は、本発明の第２実施形態によるダミー絶縁層上にフォ
トレジストパターンを形成する段階を概略的に示した平
面図であり、図１１は、図１０のＡ1-Ａ1'-Ａ2-Ａ2'-Ａ
3-Ａ3'-Ａ4-Ａ4'切断線に沿う断面図である。そして、
図１２ないし図１８は、本発明の第２実施形態による導
電性コンタクト体を形成する方法を説明するために図１
０のＡ1-Ａ1'-Ａ2-Ａ2'-Ａ3-Ａ3'-Ａ4-Ａ4'切断線に沿
う断面に対して示した断面図である。
【００７３】図７は、半導体基板１１００上にビットラ
インパターン１３１０、１３３０を形成する段階を概略
的に示したものである。
インパターン１３１０、１３３０を形成する段階を概略
的に示したものである。
【００７４】具体的に、半導体基板１１００上に下部絶
縁層１２００を形成する。半導体基板１１００上にはゲ
ートラインを含むトランジスター構造（図示せず）など
が形成されている場合もある。前記下部絶縁層１２００
は、通常の絶縁物質、例えば、シリコン酸化物から形成
できる。
縁層１２００を形成する。半導体基板１１００上にはゲ
ートラインを含むトランジスター構造（図示せず）など
が形成されている場合もある。前記下部絶縁層１２００
は、通常の絶縁物質、例えば、シリコン酸化物から形成
できる。
【００７５】次に、下部絶縁層１２００上に障壁層１３
１０及び導電パターン１３３０よりなるビットラインパ
ターン１３１０、１３３０を通常の工程により形成す
る。障壁層１３１０としては、チタニウム／チタニウム
窒化物（Ｔｉ／ＴｉＮ）の二重層を用いうる。導電パタ
ーン１３３０はタングステンＷなどの導電物質よりなり
うる。次に、ビットラインパターン１３１０、１３３０
の上側を保護するハードマスク１３５０及び側壁を保護
するスペーサ１３７０を形成する。これらのハードマス
ク１３５０及びスペーサ１３７０は、シリコン窒化物か
ら形成されることが望ましい。しかし、シリコン酸化
物、シリコン酸窒化物、シリコン炭化物またはアルミニ
ウム酸化物などの絶縁物質からも形成できる。
１０及び導電パターン１３３０よりなるビットラインパ
ターン１３１０、１３３０を通常の工程により形成す
る。障壁層１３１０としては、チタニウム／チタニウム
窒化物（Ｔｉ／ＴｉＮ）の二重層を用いうる。導電パタ
ーン１３３０はタングステンＷなどの導電物質よりなり
うる。次に、ビットラインパターン１３１０、１３３０
の上側を保護するハードマスク１３５０及び側壁を保護
するスペーサ１３７０を形成する。これらのハードマス
ク１３５０及びスペーサ１３７０は、シリコン窒化物か
ら形成されることが望ましい。しかし、シリコン酸化
物、シリコン酸窒化物、シリコン炭化物またはアルミニ
ウム酸化物などの絶縁物質からも形成できる。
【００７６】図８は、スペーサ１３７０によって露出さ
れる下部絶縁層１２００の部分を選択的にパターニング
する段階を概略的に示したものである。
れる下部絶縁層１２００の部分を選択的にパターニング
する段階を概略的に示したものである。
【００７７】具体的に、スペーサ１３７０及びハードマ
スク１３５０をエッチングマスクとして、露出される下
部絶縁層１２００を選択的にエッチングする。このエッ
チングによって下部の半導体基板１１００を露出する。
第２実施形態においては、半導体基板１１００上を露出
することを例示して説明したが、下部絶縁層１２００の
下部に他の導電パッド（図示せず）が存在し、その結
果、前記エッチングによって導電パッドが選択的に露出
される場合もある。
スク１３５０をエッチングマスクとして、露出される下
部絶縁層１２００を選択的にエッチングする。このエッ
チングによって下部の半導体基板１１００を露出する。
第２実施形態においては、半導体基板１１００上を露出
することを例示して説明したが、下部絶縁層１２００の
下部に他の導電パッド（図示せず）が存在し、その結
果、前記エッチングによって導電パッドが選択的に露出
される場合もある。
【００７８】図９は、ハードマスク１３５０及びスペー
サ１３７０を覆うストッパ層１３９０を形成する段階を
概略的に示したものである。
サ１３７０を覆うストッパ層１３９０を形成する段階を
概略的に示したものである。
【００７９】具体的に、半導体基板１１００上に露出さ
れた、結果物上を覆うストッパ層１３９０を低い乾式エ
ッチング率または湿式エッチング率を有する絶縁物質か
ら形成する。ストッパ１３９０層は、後続工程において
エッチング終了のための膜質であるから、エッチング選
択比を示せる低いエッチング率の絶縁物質から形成され
ることが望ましい。例えば、シリコン窒化物を蒸着して
薄膜を形成し、これをストッパ層１３９０として用い
る。
れた、結果物上を覆うストッパ層１３９０を低い乾式エ
ッチング率または湿式エッチング率を有する絶縁物質か
ら形成する。ストッパ１３９０層は、後続工程において
エッチング終了のための膜質であるから、エッチング選
択比を示せる低いエッチング率の絶縁物質から形成され
ることが望ましい。例えば、シリコン窒化物を蒸着して
薄膜を形成し、これをストッパ層１３９０として用い
る。
【００８０】一方、このストッパ層１３９０は、前記下
部絶縁層１２００のエッチングによってハードマスク１
３５０またはスペーサ１３７０が損傷される場合、この
ような損傷を回復させる役目をもさらにする。
部絶縁層１２００のエッチングによってハードマスク１
３５０またはスペーサ１３７０が損傷される場合、この
ような損傷を回復させる役目をもさらにする。
【００８１】図１０は、ダミー絶縁層１４００上にフォ
トレジストパターン１５００を形成する段階を説明する
ために概略的に示した平面図であり、図１１は、図１０
のＡ 1-Ａ1'-Ａ2-Ａ2'-Ａ3-Ａ3'-Ａ4-Ａ4'切断線に沿う
断面図である。そして、図１２ないし図１８は、図１０
のＡ1-Ａ1'-Ａ2-Ａ2'-Ａ3-Ａ3'-Ａ4-Ａ4'切断線に沿う
断面に対して示した断面図である。
トレジストパターン１５００を形成する段階を説明する
ために概略的に示した平面図であり、図１１は、図１０
のＡ 1-Ａ1'-Ａ2-Ａ2'-Ａ3-Ａ3'-Ａ4-Ａ4'切断線に沿う
断面図である。そして、図１２ないし図１８は、図１０
のＡ1-Ａ1'-Ａ2-Ａ2'-Ａ3-Ａ3'-Ａ4-Ａ4'切断線に沿う
断面に対して示した断面図である。
【００８２】具体的に、ビットラインパターン１３１
０、１３３０間のギャップを埋め込むダミー絶縁層１４
００を形成する。ダミー絶縁層１４００は、ビットライ
ンパターン１３１０、１３３０間のギャップを十分に埋
め込む程度の流動性を有する絶縁物質から形成される。
また、ハードマスク１３５０及びスペーサ１３７０及び
乾式または湿式エッチング選択比を有しうる絶縁物質か
らダミー絶縁層１４００を形成する。加えて、ダミー絶
縁層１４００は、以後に形成される実質的な層間絶縁層
として用いられる絶縁物質よりも低い湿式エッチング率
を有する絶縁物質よりなることが望ましい。
０、１３３０間のギャップを埋め込むダミー絶縁層１４
００を形成する。ダミー絶縁層１４００は、ビットライ
ンパターン１３１０、１３３０間のギャップを十分に埋
め込む程度の流動性を有する絶縁物質から形成される。
また、ハードマスク１３５０及びスペーサ１３７０及び
乾式または湿式エッチング選択比を有しうる絶縁物質か
らダミー絶縁層１４００を形成する。加えて、ダミー絶
縁層１４００は、以後に形成される実質的な層間絶縁層
として用いられる絶縁物質よりも低い湿式エッチング率
を有する絶縁物質よりなることが望ましい。
【００８３】したがって、前記ダミー絶縁層１４００
は、ＦＯＸまたはＨＳＱなど流動性に富んでいる特性を
示すシリコン酸化物から形成できる。また、ダミー絶縁
層１４００は、以降に湿式エッチングによって選択的に
除去されるため、前述のように、塗布によって形成され
るシリコン酸化物の膜質のほかにも、ポリマーなどの有
機物質として絶縁特性を有する物質などから前記ダミー
絶縁層１４００を形成できる。
は、ＦＯＸまたはＨＳＱなど流動性に富んでいる特性を
示すシリコン酸化物から形成できる。また、ダミー絶縁
層１４００は、以降に湿式エッチングによって選択的に
除去されるため、前述のように、塗布によって形成され
るシリコン酸化物の膜質のほかにも、ポリマーなどの有
機物質として絶縁特性を有する物質などから前記ダミー
絶縁層１４００を形成できる。
【００８４】例えば、写真工程に用いられるレジスト物
質を塗布し、これを前記ダミー絶縁層１４００として用
いうる。そして、有機反射防止層として用いられる有機
物質もやはり前記ダミー絶縁層１４００として用いう
る。一方、有機絶縁体としては、フレアーまたはＳｉＬ
Ｋなどの物質が挙げられる。
質を塗布し、これを前記ダミー絶縁層１４００として用
いうる。そして、有機反射防止層として用いられる有機
物質もやはり前記ダミー絶縁層１４００として用いう
る。一方、有機絶縁体としては、フレアーまたはＳｉＬ
Ｋなどの物質が挙げられる。
【００８５】ダミー絶縁層１４００上にフォトレジスト
層を形成し露光及び現像を行って、コンタクト体が位置
する部分の以外の部分を露出する部分１６００と設定す
るフォトレジストパターン１５００を形成する。ダミー
絶縁層１４００のコンタクト体が形成されない部分の露
出する部分６００はビットライン１３００と交差するよ
うに長く設定できる。したがって、フォトレジストパタ
ーン１５００はコンタクト体が形成される部分を実質的
に覆って遮へいする。
層を形成し露光及び現像を行って、コンタクト体が位置
する部分の以外の部分を露出する部分１６００と設定す
るフォトレジストパターン１５００を形成する。ダミー
絶縁層１４００のコンタクト体が形成されない部分の露
出する部分６００はビットライン１３００と交差するよ
うに長く設定できる。したがって、フォトレジストパタ
ーン１５００はコンタクト体が形成される部分を実質的
に覆って遮へいする。
【００８６】一方、前述のように、ダミー絶縁層１４０
０をレジスト物質、有機反射防止層物質または有機絶縁
体などの有機絶縁物質から形成する場合、このダミー絶
縁層１４００上に保護ライナー層（図示せず）をさらに
形成できる。前述のように形成される保護ライナー層
は、フォトレジストパターン１５００を現像する工程か
らダミー絶縁層１４００を保護する役目をする。
０をレジスト物質、有機反射防止層物質または有機絶縁
体などの有機絶縁物質から形成する場合、このダミー絶
縁層１４００上に保護ライナー層（図示せず）をさらに
形成できる。前述のように形成される保護ライナー層
は、フォトレジストパターン１５００を現像する工程か
らダミー絶縁層１４００を保護する役目をする。
【００８７】この場合、保護ライナー層はシリコン酸化
物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物またはアルミニ
ウム酸化物から形成できる。さらに、一般に、前記有機
絶縁物質は熱に弱いと知られているので、前記保護ライ
ナー層を形成する工程は低い温度、例えば、４００℃以
下でＣＶＤにより行われるか、あるいは塗布方式または
液状蒸着により行われることが望ましい。
物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物またはアルミニ
ウム酸化物から形成できる。さらに、一般に、前記有機
絶縁物質は熱に弱いと知られているので、前記保護ライ
ナー層を形成する工程は低い温度、例えば、４００℃以
下でＣＶＤにより行われるか、あるいは塗布方式または
液状蒸着により行われることが望ましい。
【００８８】図１２は、ダミー絶縁層４００をパターニ
ングしてダミーオープニング１４５５を有するダミー絶
縁層パターン１４５０を形成する段階を概略的に示した
ものである。
ングしてダミーオープニング１４５５を有するダミー絶
縁層パターン１４５０を形成する段階を概略的に示した
ものである。
【００８９】具体的に、前記フォトレジストパターン１
５００をエッチングマスクとしてダミー絶縁層１４００
を選択的にエッチングし、ビットライン１３００間を露
出するダミーオープニング１４５５を有するダミー絶縁
層パターン１４５０を形成する。このとき、前記ダミー
オープニング１４５５を形成するエッチング工程は選択
的な乾式エッチング工程により行われうる。また、この
エッチング工程のエッチング終了はダミー絶縁層１４０
０をなす絶縁物質及びエッチング選択比を有する絶縁物
質、例えば、シリコン窒化物よりなるストッパ層１３９
０によってなされうる。このように形成されたダミーオ
ープニング１４５５は、コンタクト体が形成されない部
分のビットライン１３００間を露出させる。
５００をエッチングマスクとしてダミー絶縁層１４００
を選択的にエッチングし、ビットライン１３００間を露
出するダミーオープニング１４５５を有するダミー絶縁
層パターン１４５０を形成する。このとき、前記ダミー
オープニング１４５５を形成するエッチング工程は選択
的な乾式エッチング工程により行われうる。また、この
エッチング工程のエッチング終了はダミー絶縁層１４０
０をなす絶縁物質及びエッチング選択比を有する絶縁物
質、例えば、シリコン窒化物よりなるストッパ層１３９
０によってなされうる。このように形成されたダミーオ
ープニング１４５５は、コンタクト体が形成されない部
分のビットライン１３００間を露出させる。
【００９０】一方、ダミー絶縁層１４００が有機絶縁体
よりなる場合には、エッチングガスとして窒素及び水素
を含む反応ガスを用いる乾式エッチング方法を用いう
る。
よりなる場合には、エッチングガスとして窒素及び水素
を含む反応ガスを用いる乾式エッチング方法を用いう
る。
【００９１】図１３は、ダミーオープニング１４５５を
埋め込む層間絶縁層１７００を形成する段階を概略的に
示したものである。
埋め込む層間絶縁層１７００を形成する段階を概略的に
示したものである。
【００９２】具体的に、ダミーオープニング１４５５を
埋め込む層間絶縁層１７００を形成する。前記層間絶縁
層１７００は前記ダミー絶縁層パターン１４５０に比べ
て低い乾式または湿式エッチング率を有する絶縁物質か
ら形成されることが望ましい。例えば、前述のように、
ダミー絶縁層パターン１４５０がＦＯＸまたはＨＳＱな
ど、塗布方式によるシリコン酸化物から形成される場
合、層間絶縁層１７００は前記ＦＯＸまたはＨＳＱなど
の物質に比べて密度が高く、かつ高い湿式エッチング率
を有するＣＶＤ-シリコン酸化物から形成できる。この
ＣＶＤ-シリコン酸化物は、実質的にＣＶＤを用いて形
成されるシリコン酸化物を意味する。したがって、前記
層間絶縁層１７００は通常のＢＰＳＧなどのシリケート
ガラス類から形成されるか、あるいはＨＤＰ-ＣＶＤ、
ＡＰ-ＣＶＤまたはＰＥ ＣＶＤなどのＣＶＤ方式により
形成されるシリコン酸化物から形成できる。 また、層
間絶縁層１７００はシリコン窒化物、シリコン炭化物
（ＳｉＣ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）またはアル
ミニウム酸化物（Ａｌ2Ｏ3）などの絶縁物質から形成で
きる。望ましくは、シリコン窒化物から形成される。
埋め込む層間絶縁層１７００を形成する。前記層間絶縁
層１７００は前記ダミー絶縁層パターン１４５０に比べ
て低い乾式または湿式エッチング率を有する絶縁物質か
ら形成されることが望ましい。例えば、前述のように、
ダミー絶縁層パターン１４５０がＦＯＸまたはＨＳＱな
ど、塗布方式によるシリコン酸化物から形成される場
合、層間絶縁層１７００は前記ＦＯＸまたはＨＳＱなど
の物質に比べて密度が高く、かつ高い湿式エッチング率
を有するＣＶＤ-シリコン酸化物から形成できる。この
ＣＶＤ-シリコン酸化物は、実質的にＣＶＤを用いて形
成されるシリコン酸化物を意味する。したがって、前記
層間絶縁層１７００は通常のＢＰＳＧなどのシリケート
ガラス類から形成されるか、あるいはＨＤＰ-ＣＶＤ、
ＡＰ-ＣＶＤまたはＰＥ ＣＶＤなどのＣＶＤ方式により
形成されるシリコン酸化物から形成できる。 また、層
間絶縁層１７００はシリコン窒化物、シリコン炭化物
（ＳｉＣ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）またはアル
ミニウム酸化物（Ａｌ2Ｏ3）などの絶縁物質から形成で
きる。望ましくは、シリコン窒化物から形成される。
【００９３】一方、ダミー絶縁層パターン１４５０が、
前記有機絶縁物質、例えば、レジスト物質、有機反射防
止層物質または有機絶縁体などの有機絶縁物質から形成
される場合、一般に、この有機絶縁物質は熱に弱いと知
られているため、前記層間絶縁層１７００を形成する工
程は低い温度、例えば、４００℃以下でＣＶＤにより行
われるか、あるいは塗布方式または液状蒸着により行わ
れることが望ましい。
前記有機絶縁物質、例えば、レジスト物質、有機反射防
止層物質または有機絶縁体などの有機絶縁物質から形成
される場合、一般に、この有機絶縁物質は熱に弱いと知
られているため、前記層間絶縁層１７００を形成する工
程は低い温度、例えば、４００℃以下でＣＶＤにより行
われるか、あるいは塗布方式または液状蒸着により行わ
れることが望ましい。
【００９４】図１４は、層間絶縁層１７００を研磨また
はエッチングしてダミー絶縁層パターン１４５０を露出
する段階を概略的に示したものである。
はエッチングしてダミー絶縁層パターン１４５０を露出
する段階を概略的に示したものである。
【００９５】具体的に、層間絶縁層１７００をＣＭＰま
たは、乾式または湿式エッチバックして下部のダミー絶
縁層パターン１４５０の表面を露出することにより、ダ
ミーオープニング１４５５内に限定させる。
たは、乾式または湿式エッチバックして下部のダミー絶
縁層パターン１４５０の表面を露出することにより、ダ
ミーオープニング１４５５内に限定させる。
【００９６】図１５は、露出されるダミー絶縁層パター
ン１４５０を選択的に除去する段階を概略的に示したも
のである。
ン１４５０を選択的に除去する段階を概略的に示したも
のである。
【００９７】具体的に、層間絶縁層１７００をエッチン
グマスクとして露出されるダミー絶縁層パターン１４５
０を選択的に除去し、コンタクトオープニング１７５０
を形成する。コンタクトオープニング１７５０はダミー
絶縁層パターン１４５０が位置していた部分を露出す
る。
グマスクとして露出されるダミー絶縁層パターン１４５
０を選択的に除去し、コンタクトオープニング１７５０
を形成する。コンタクトオープニング１７５０はダミー
絶縁層パターン１４５０が位置していた部分を露出す
る。
【００９８】前記ダミー絶縁層パターン１４５０の除去
は、湿式エッチングを導入する選択的な湿式エッチング
により行われる。この湿式エッチングは、ダミー絶縁層
パターン１４５０と層間絶縁層１７００との湿式エッチ
ング率の違いを用いた選択的なエッチングにより行わ
れ、湿式エッチング液としては、通常のシリコン酸化物
に対するエッチング液、例えば、ＨＦ溶液またはＢＯＥ
溶液などを用いうる。
は、湿式エッチングを導入する選択的な湿式エッチング
により行われる。この湿式エッチングは、ダミー絶縁層
パターン１４５０と層間絶縁層１７００との湿式エッチ
ング率の違いを用いた選択的なエッチングにより行わ
れ、湿式エッチング液としては、通常のシリコン酸化物
に対するエッチング液、例えば、ＨＦ溶液またはＢＯＥ
溶液などを用いうる。
【００９９】ダミー絶縁層パターン１４５０をなす前記
ＦＯＸなどは、層間絶縁層１７００をなすシリコン窒化
物などに対して極めて高い湿式エッチング速度を示す。
このため、下部のストッパ１３９０またはスペーサ１３
５０及びハードマスク１３７０を実質的に損傷せずと
も、選択的にダミー絶縁層パターン１４５０を除去でき
る。
ＦＯＸなどは、層間絶縁層１７００をなすシリコン窒化
物などに対して極めて高い湿式エッチング速度を示す。
このため、下部のストッパ１３９０またはスペーサ１３
５０及びハードマスク１３７０を実質的に損傷せずと
も、選択的にダミー絶縁層パターン１４５０を除去でき
る。
【０１００】ダミー絶縁層パターン１４５０が有機物質
よりなる場合、前述のように、ダミー絶縁層パターン１
４５０の除去は、酸素ソースを用いる乾式エッチングま
たはアッシング工程または窒素及び水素ガスを反応ガス
として用いる乾式エッチング工程によって行われうる。
よりなる場合、前述のように、ダミー絶縁層パターン１
４５０の除去は、酸素ソースを用いる乾式エッチングま
たはアッシング工程または窒素及び水素ガスを反応ガス
として用いる乾式エッチング工程によって行われうる。
【０１０１】図１６は、露出されるストッパ層１３９０
の部分を除去する段階を概略的に示したものである。
の部分を除去する段階を概略的に示したものである。
【０１０２】具体的に、前述のように、ダミー絶縁層パ
ターン１４５０を湿式または乾式エッチングにより選択
的に除去した後、露出されるストッパ層１３９０の部分
を除去してコンタクト体が接続される半導体基板１１０
０の部分を露出するコンタクトオープニング１７５０を
形成する。このとき、半導体基板１１００上に半導体基
板１１００に電気的に接続される導電パッド（図示せ
ず）が導入される場合、前記ストッパ層１３９０の除去
によってコンタクトオープニング１７５０に導電パッド
の表面が露出される。
ターン１４５０を湿式または乾式エッチングにより選択
的に除去した後、露出されるストッパ層１３９０の部分
を除去してコンタクト体が接続される半導体基板１１０
０の部分を露出するコンタクトオープニング１７５０を
形成する。このとき、半導体基板１１００上に半導体基
板１１００に電気的に接続される導電パッド（図示せ
ず）が導入される場合、前記ストッパ層１３９０の除去
によってコンタクトオープニング１７５０に導電パッド
の表面が露出される。
【０１０３】図１７は、コンタクトオープニング１７５
０を埋め込む導電層１８００を形成する段階を概略的に
示したものである。
０を埋め込む導電層１８００を形成する段階を概略的に
示したものである。
【０１０４】具体的に、形成されたコンタクトオープニ
ング１７５０を埋め込んで露出される半導体基板１１０
０に電気的に接続される導電層１８００を蒸着する。こ
の導電層１８００は多晶質シリコン、タングステン、チ
タニウム、チタニウム窒化物、タングステン、タングス
テンシリサイド（ＷＳｉ）、白金、アルミニウムまたは
銅などよりなりうる。
ング１７５０を埋め込んで露出される半導体基板１１０
０に電気的に接続される導電層１８００を蒸着する。こ
の導電層１８００は多晶質シリコン、タングステン、チ
タニウム、チタニウム窒化物、タングステン、タングス
テンシリサイド（ＷＳｉ）、白金、アルミニウムまたは
銅などよりなりうる。
【０１０５】図１８は、導電層１８００をエッチングま
たは研磨してコンタクト体１８５０を形成する段階を概
略的に示したものである。具体的に、導電層１８００の
全面をエッチバックまたはＣＭＰを用いて研磨またはエ
ッチングし、導電性コンタクト体１８５０を分離する。
したがって、前記エッチバックまたはＣＭＰはストッパ
層１３９０が露出されるように行い、導電層１８００を
コンタクトオープニング１７５０と完全に分離して導電
性コンタクト体１８５０を形成する。このように、導電
性コンタクト体１８５０は、キャパシターのストレージ
ノードパッドとして用いられる。
たは研磨してコンタクト体１８５０を形成する段階を概
略的に示したものである。具体的に、導電層１８００の
全面をエッチバックまたはＣＭＰを用いて研磨またはエ
ッチングし、導電性コンタクト体１８５０を分離する。
したがって、前記エッチバックまたはＣＭＰはストッパ
層１３９０が露出されるように行い、導電層１８００を
コンタクトオープニング１７５０と完全に分離して導電
性コンタクト体１８５０を形成する。このように、導電
性コンタクト体１８５０は、キャパシターのストレージ
ノードパッドとして用いられる。
【０１０６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ダ
ミー絶縁層パターン及び層間絶縁層パターンの高いエッ
チング選択比を用いた湿式または乾式エッチング工程を
コンタクト体を形成するときに伴うエッチング工程に適
用できる。これにより、ゲートまたはビットラインパタ
ーンなどの導電パターンを保護するスペーサ及びハード
マスクが乾式エッチング工程によって損傷されることを
防止できる。実質的に、ダミーオープニングを形成する
ときに用いられる選択的な乾式エッチング工程によって
ストッパ層またはスペーサ及びハードマスクが損傷され
ても、このダミーオープニングは層間絶縁層パターンに
よって埋め込まれるので、前記ストッパ層またはスペー
サ及びハードマスクの損傷部位は層間絶縁層パターンに
よって補完できる。このため、前述のように損傷が生じ
ても、この損傷を容易に復旧できる。
ミー絶縁層パターン及び層間絶縁層パターンの高いエッ
チング選択比を用いた湿式または乾式エッチング工程を
コンタクト体を形成するときに伴うエッチング工程に適
用できる。これにより、ゲートまたはビットラインパタ
ーンなどの導電パターンを保護するスペーサ及びハード
マスクが乾式エッチング工程によって損傷されることを
防止できる。実質的に、ダミーオープニングを形成する
ときに用いられる選択的な乾式エッチング工程によって
ストッパ層またはスペーサ及びハードマスクが損傷され
ても、このダミーオープニングは層間絶縁層パターンに
よって埋め込まれるので、前記ストッパ層またはスペー
サ及びハードマスクの損傷部位は層間絶縁層パターンに
よって補完できる。このため、前述のように損傷が生じ
ても、この損傷を容易に復旧できる。
【０１０７】以上、本発明を具体的な実施形態を通じて
詳細に説明したが、本発明はこれに限定されることな
く、本発明の技術的な思想内において当分野における通
常の知識を有した者なら、これより各種の変形や改良が
可能であるということは言うまでもない。
詳細に説明したが、本発明はこれに限定されることな
く、本発明の技術的な思想内において当分野における通
常の知識を有した者なら、これより各種の変形や改良が
可能であるということは言うまでもない。
【図１】本発明の第１実施形態を説明するために概略的
に示した平面図及び断面図である。
に示した平面図及び断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態を説明するために概略的
に示した平面図及び断面図である。
に示した平面図及び断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態を説明するために概略的
に示した平面図及び断面図である。
に示した平面図及び断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態を説明するために概略的
に示した平面図及び断面図である。
に示した平面図及び断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態を説明するために概略的
に示した平面図及び断面図である。
に示した平面図及び断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態を説明するために概略的
に示した平面図及び断面図である。
に示した平面図及び断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態を説明するために概略的
に示した図である。
に示した図である。
【図８】本発明の第２実施形態を説明するために概略的
に示した図である。
に示した図である。
【図９】本発明の第２実施形態を説明するために概略的
に示した図である。
に示した図である。
【図１０】本発明の第２実施形態を説明するために概略
的に示した図である。
的に示した図である。
【図１１】本発明の第２実施形態を説明するために概略
的に示した図である。
的に示した図である。
【図１２】本発明の第２実施形態を説明するために概略
的に示した図である。
的に示した図である。
【図１３】本発明の第２実施形態を説明するために概略
的に示した図である。
的に示した図である。
【図１４】本発明の第２実施形態を説明するために概略
的に示した図である。
的に示した図である。
【図１５】本発明の第２実施形態を説明するために概略
的に示した図である。
的に示した図である。
【図１６】本発明の第２実施形態を説明するために概略
的に示した図である。
的に示した図である。
【図１７】本発明の第２実施形態を説明するために概略
的に示した図である。
的に示した図である。
【図１８】本発明の第２実施形態を説明するために概略
的に示した図である。
的に示した図である。
１００…半導体基板、 ２００…素子分離領域、 ３００…ゲートライン、 ３１０…ゲート酸化層、 ３３０、３５０…ゲート、 ４００…ダミー絶縁層、 ４５０…ダミーオープニング、 ５５０…フォトレジストパターン、 ７００…層間絶縁層パターン ８００…導電性コンタクト体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金 東 鉉 大韓民国京畿道龍仁市器興邑書川里397− 11番地 (72)発明者 呉 容 哲 大韓民国京畿道水原市八達区靈通洞清明マ ウル建栄アパート426棟702号 (72)発明者 金 亨 俊 大韓民国ソウル特別市銅雀区舎堂２洞105 番地 宇成アパート203棟1205号 (72)発明者 南 炳 允 大韓民国京畿道水原市八達区梅灘洞897番 地 住公５団地514棟204号 (72)発明者 朴 ▲けい▼ 媛 大韓民国京畿道水原市八達区梅灘１洞153 −65番地204号 (72)発明者 李 相 協 大韓民国ソウル特別市冠岳区新林５洞1418 −12番地 Ｆターム(参考） 4M104 BB01 BB02 BB04 BB06 BB14 BB18 BB28 BB30 DD02 DD07 DD19 DD20 DD71 EE05 EE09 EE14 EE16 EE17 FF13 FF14 GG14 GG16 5F033 JJ04 JJ07 JJ08 JJ11 JJ18 JJ19 JJ28 JJ33 KK01 NN31 NN37 NN40 QQ08 QQ09 QQ11 QQ19 QQ25 QQ28 QQ31 QQ35 QQ37 QQ48 RR01 RR03 RR04 RR06 RR08 RR09 RR15 SS04 SS11 SS12 SS15 SS21 TT08 5F083 AD00 JA35 JA36 JA38 JA39 JA40 JA53 JA56 MA03 MA20 PR06 PR07 PR21 PR23 PR29 PR39 PR40 ZA28
Claims (34)
- 【請求項１】 集積回路基板上にライン状の導電パター
ン及び前記導電パターンの側面及び上面上に遮へい絶縁
層を含む多数の導電ラインを形成する段階と、 前記導電ライン間のギャップにダミー絶縁層を形成する
段階と、 前記導電ライン間のギャップの一部を選択的に露出する
ダミーオープニングを与えるために前記ダミー絶縁層を
パターニングする段階と、 前記ダミーオープニングを埋め込む層間絶縁層パターン
を形成する段階と、 前記層間絶縁層パターンをエッチングマスクとして露出
される前記ダミー絶縁層パターンを選択的に除去し、コ
ンタクトオープニングを形成する段階と、 前記コンタクトオープニングを埋め込んで、前記基板に
電気的に接続される導電層を形成する段階と、 前記導電層をエッチングして、前記遮へい絶縁層及び前
記層間絶縁層パターンにより取り囲まれた導電性コンタ
クト体に分離する段階とを含むことを特徴とする集積回
路素子の導電性コンタクト体の製造方法。 - 【請求項２】 前記遮へい絶縁層は、前記ダミー絶縁層
に比べて低い乾式または湿式エッチング率を有すること
を特徴とする請求項１に記載の半導体素子の導電性コン
タクト体の製造方法。 - 【請求項３】 前記遮へい絶縁層は、 シリコン酸化物（ＳｉＯ2）、シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ
4）、シリコン炭化物（ＳｉＣ）、シリコン酸窒化物
（ＳｉＯＮ）またはアルミニウム酸化物（Ａｌ2Ｏ3）か
ら形成されることを特徴とする請求項２に記載の集積回
路素子の導電性コンタクト体の製造方法。 - 【請求項４】 前記遮へい絶縁層は、 前記導電パターン上のハードマスク及び前記導電パター
ンの側面へのスペーサを含んで形成されることを特徴と
する請求項１に記載の集積回路素子の導電性コンタクト
体の製造方法。 - 【請求項５】 前記遮へい絶縁層は、 前記スペーサ及び前記ハードマスクを覆い、前記スペー
サ間の前記半導体基板上を覆うように延びるストッパ層
をさらに含んで形成されることを特徴とする請求項４に
記載の集積回路素子の導電性コンタクト体の製造方法。 - 【請求項６】 前記ストッパ層は、 シリコン窒化物から形成されることを特徴とする請求項
５に記載の集積回路素子の導電性コンタクト体の製造方
法。 - 【請求項７】 前記導電パターンは、 ゲートまたはビットラインから形成されることを特徴と
する請求項１に記載の集積回路素子の導電性コンタクト
体の製造方法。 - 【請求項８】 前記ビットラインの下部に下部絶縁層を
さらに形成し、 前記下部絶縁層をエッチングして下部の前記基板上を露
出する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記
載の集積回路素子の導電性コンタクト体の製造方法。 - 【請求項９】 前記層間絶縁層パターンは、 シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン炭化物、シ
リコン酸窒化物またはアルミニウム酸化物から形成され
ることを特徴とする請求項１に記載の集積回路素子の導
電性コンタクト体の製造方法。 - 【請求項１０】 前記ダミー絶縁層は、 塗布方式により形成されるシリコン酸化層からなり、前
記層間絶縁層は、実質的に化学気相蒸着方式により形成
されるシリコン酸化層からなることを特徴とする請求項
１に記載の集積回路素子の導電性コンタクト体の製造方
法。 - 【請求項１１】 前記塗布方式により形成されるシリコ
ン酸化層は、 流動性酸化（ＦＯＸ）層または水素シルセスキオキサン
（ＨＳＱ）層であることを特徴とする請求項１０に記載
の集積回路素子の導電性コンタクト体の製造方法。 - 【請求項１２】 前記ダミー絶縁層は流動性酸化（ＦＯ
Ｘ）層からなり、 前記層間絶縁層パターンは、高密度プラズマ化学気相蒸
着によるシリコン酸化層、ボロフォスフォシリケートガ
ラス（ＢＰＳＧ）層またはテトラエチルオルトシリケー
ト（ＴＥＯＳ）層を含んでなることを特徴とする請求項
１に記載の集積回路素子の導電性コンタクト体の製造方
法。 - 【請求項１３】 前記ダミー絶縁層は、 実質的に化学気相蒸着方式により形成されるシリコン酸
化層からなり、前記層間絶縁層はシリコン窒化物からな
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の導電
性コンタクト体の製造方法。 - 【請求項１４】 前記ダミー絶縁層パターンは流動性酸
化（ＦＯＸ）層からなり、 前記層間絶縁層パターンを形成する段階は、 前記ダミー絶縁層パターン上に反応防止層を形成する段
階と、 前記反応防止層上に前記ダミーコンタクトホールを埋め
込むスピンオンガラス（ＳＯＧ）系のシリコン酸化物を
蒸着する段階と、 前記シリコン酸化物を湿式アニーリングして緻密化する
段階と、緻密化された前記シリコン酸化物層を全面エッ
チングして前記ダミー絶縁層パターンを露出する段階と
を含むことを特徴とする請求項１に記載の集積回路素子
の導電性コンタクト体の製造方法。 - 【請求項１５】 前記ダミー絶縁層上に、 前記ダミー絶縁層に比べてエッチング率の低い絶縁物質
から保護ライナー層を形成する段階をさらに含むことを
特徴とする請求項１に記載の集積回路素子の導電性コン
タクト体の製造方法。 - 【請求項１６】 前記ダミーオープニングは、 前記導電性ラインに隣接する前記半導体基板の素子分離
領域上を露出し、前記コンタクトオープニングは、前記
ダミーオープニングに隣接する前記半導体基板の活性領
域上を露出することを特徴とする請求項１に記載の集積
回路素子の導電性コンタクト体の製造方法。 - 【請求項１７】 前記ダミーオープニングは、 前記導電ラインに交差するように形成されることを特徴
とする請求項１に記載の集積回路素子の導電性コンタク
ト体の製造方法。 - 【請求項１８】 前記コンタクトオープニングは、 前記半導体基板上に電気的に接続される導電性パッドを
露出することを特徴とする請求項１に記載の集積回路素
子の導電性コンタクト体の製造方法。 - 【請求項１９】 前記導電層のエッチングは、 湿式エッチバック、乾式エッチバックまたは化学機械的
な研磨で行われることを特徴とする請求項１に記載の集
積回路素子の導電性コンタクト体の製造方法。 - 【請求項２０】 前記導電層のエッチングは、 前記導電パターンの上面部位の前記遮へい絶縁層の部分
をエッチング終了として用いることを特徴とする請求項
１に記載の集積回路素子の導電性コンタクト体の製造方
法。 - 【請求項２１】 前記ダミーオープニング及び前記コン
タクトオープニングは、 前記基板のセル領域に位置することを特徴とする請求項
１に記載の集積回路素子の導電性コンタクト体の製造方
法。 - 【請求項２２】 集積回路基板上に下部絶縁層を介在す
るライン状の導電パターンと前記導電パターンの側面を
保護するスペーサ及び前記導電パターンの上面を保護す
るハードマスクを含む多数の導電ラインを形成する段階
と、 前記ハードマスク及びスペーサをエッチングマスクとし
て前記下部絶縁層を選択的にエッチングし、下部の前記
基板を露出する段階と、 前記ハードマスク及びスペーサを覆い、前記露出される
基板上を覆うように延びるストッパ層を形成する段階
と、 前記ストッパ層上の導電ライン間のギャップにダミー絶
縁層を形成する段階と、 前記導電ライン間のギャップを選択的に露出するダミー
オープニングを与えるために前記ダミー絶縁層をパター
ニングする段階と、 前記ダミー絶縁層を選択的に露出し、前記ダミーオープ
ニングを埋め込む層間絶縁層パターンを形成する段階
と、 前記層間絶縁層パターンをエッチングマスクとして露出
される前記ダミー絶縁層パターンを選択的に除去して、
前記ダミー絶縁層パターンが位置していた部位の下方の
前記ストッパ層の部分を露出するコンタクトオープニン
グを形成する段階と、 前記コンタクトオープニングにより露出されたストッパ
層の部分を除去する段階と、 前記コンタクトオープニングを埋め込んで、前記基板に
電気的に接続される導電層を形成する段階と、 前記導電層及び前記層間絶縁層パターンをエッチングし
て、前記スペーサ及び前記層間絶縁層パターンにより取
り囲まれた導電性コンタクト体に分離する段階とを含む
ことを特徴とする集積回路素子の導電性コンタクト体の
製造方法。 - 【請求項２３】 前記下部絶縁層の下部に前記半導体基
板の活性領域に電気的に接続され、前記コンタクトオー
プニングにより露出される導電パッドを形成する段階を
さらに含むことを特徴とする請求項２２に記載の集積回
路素子の導電性コンタクト体の製造方法。 - 【請求項２４】 前記ダミーオープニングは、 前記導電ラインに交差するように長く形成されることを
特徴とする請求項２３に記載の集積回路素子の導電性コ
ンタクト体の製造方法。 - 【請求項２５】 前記ダミーオープニングは、 前記導電パッドを露出しない位置に形成されることを特
徴とする請求項２４に記載の集積回路素子の導電性コン
タクト体の製造方法。 - 【請求項２６】 前記導電性コンタクト体は、 ストレージノードコンタクトパッドとして用いられ、前
記導電パターンはビットラインであることを特徴とする
請求項２２に記載の集積回路素子の導電性コンタクト体
の製造方法。 - 【請求項２７】 相互離隔されたラインで１次選択され
る一部の間にダミー絶縁層を形成する段階と、 前記１次選択された相互離隔されたラインの一部と他の
前記相互離隔されたラインの２次選択される一部との間
に所定のエッチング液に対して前記ダミー絶縁層よりも
低いエッチング率を有する層間絶縁層を形成する段階
と、 前記相互離隔されたラインの前記１次選択された一部の
間の前記ダミー絶縁層の少なくとも一部を除去するため
に前記所定のエッチング液により前記ダミー絶縁層をエ
ッチングする段階と、 前記ダミー絶縁層の少なくとも一部が除去された前記相
互離隔されたラインの前記１次選択された一部の間に、
前記相互離隔されたラインの１次選択された一部の間の
集積回路に電気的に接続される導電層を形成する段階と
を含むことを特徴とする集積回路素子の導電性コンタク
ト体の製造方法。 - 【請求項２８】 前記層間絶縁層を形成する段階は、 前記ダミー絶縁層上と前記相互離隔されたラインの２次
選択された一部との間の全面に層間絶縁層を形成する段
階と、 前記ダミー絶縁層から前記層間絶縁層を除去する段階と
を含むことを特徴とする請求項２７に記載の集積回路素
子の導電性コンタクト体の製造方法。 - 【請求項２９】 前記ダミー絶縁層を形成する段階前
に、 前記集積回路基板上に相互離隔された多数の導電性ライ
ンを形成し、前記相互離隔された多数の導電性ラインの
上面及び側面上に一致する形状の層間絶縁層を形成する
段階によって形成される前記集積回路基板上に相互離隔
された多数のラインを形成する段階が行われることを特
徴とする請求項２７に記載の集積回路素子の導電性コン
タクト体の製造方法。 - 【請求項３０】 前記層間絶縁層は、 シリコン酸化物（ＳｉＯ2）、シリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ
4）、シリコン炭化物（ＳｉＣ）、シリコン酸窒化物
（ＳｉＯＮ）またはアルミニウム酸化物（Ａｌ2Ｏ3）か
ら形成されることを特徴とする請求項２７に記載の集積
回路素子の導電性コンタクト体の製造方法。 - 【請求項３１】 前記ダミー絶縁層は、 塗布方式により形成されるシリコン酸化層からなり、前
記層間絶縁層は実質的に化学気相蒸着方式により形成さ
れるシリコン酸化層からなることを特徴とする請求項２
７に記載の集積回路素子の導電性コンタクト体の製造方
法。 - 【請求項３２】 前記塗布方式により形成されるシリコ
ン酸化層は、 流動性酸化（ＦＯＸ）層または水素シルセスキオキサン
（ＨＳＱ）層であることを特徴とする請求項３１に記載
の集積回路素子の導電性コンタクト体の製造方法。 - 【請求項３３】 前記ダミー絶縁層は流動性酸化（ＦＯ
Ｘ）層からなり、 前記層間絶縁層パターンは高密度プラズマ化学気相蒸着
によるシリコン酸化層、ボロフォスフォシリケートガラ
ス（ＢＰＳＧ）層またはテトラエチルオルトシリケート
（ＴＥＯＳ）層を含んでなることを特徴とする請求項２
７に記載の集積回路素子の導電性コンタクト体の製造方
法。 - 【請求項３４】 前記ダミー絶縁層は、 実質的に化学気相蒸着方式により形成されるシリコン酸
化層からなり、前記層間絶縁層はシリコン窒化物からな
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の導電
性コンタクト体の製造方法。
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|---|---|---|---|
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| KR10-2000-0035950A KR100366621B1 (ko) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | 반도체 소자의 도전성 콘택체를 형성하는 방법 |
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