JP2002031893A - 微細加工方法、反射防止膜及びその成膜方法、ハードディスクヘッドの製造方法 - Google Patents
微細加工方法、反射防止膜及びその成膜方法、ハードディスクヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JP2002031893A JP2002031893A JP2000218577A JP2000218577A JP2002031893A JP 2002031893 A JP2002031893 A JP 2002031893A JP 2000218577 A JP2000218577 A JP 2000218577A JP 2000218577 A JP2000218577 A JP 2000218577A JP 2002031893 A JP2002031893 A JP 2002031893A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- forming
- antireflection film
- photoresist film
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高アスペクト比のパターンであってもフォト
レジスト膜に露光できる微細加工方法、反射防止膜及び
その成膜方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る微細加工方法は、下地膜上
にＤＬＣからなる反射防止膜２１を成膜する工程と、こ
の反射防止膜２２上にフォトレジスト膜２３を塗布する
工程と、このフォトレジスト膜２３を露光、現像する工
程と、を具備するものである。従って、高アスペクト比
のパターンであってもフォトレジスト膜にシャープに露
光できる。
レジスト膜に露光できる微細加工方法、反射防止膜及び
その成膜方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る微細加工方法は、下地膜上
にＤＬＣからなる反射防止膜２１を成膜する工程と、こ
の反射防止膜２２上にフォトレジスト膜２３を塗布する
工程と、このフォトレジスト膜２３を露光、現像する工
程と、を具備するものである。従って、高アスペクト比
のパターンであってもフォトレジスト膜にシャープに露
光できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細加工方法、反
射防止膜及びその成膜方法、ハードディスクヘッドの製
造方法に関する。特には、高アスペクト比のパターンで
あってもフォトレジスト膜に露光できる微細加工方法、
反射防止膜及びその成膜方法、ハードディスクヘッドの
製造方法に関する。
射防止膜及びその成膜方法、ハードディスクヘッドの製
造方法に関する。特には、高アスペクト比のパターンで
あってもフォトレジスト膜に露光できる微細加工方法、
反射防止膜及びその成膜方法、ハードディスクヘッドの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３（ａ）〜（ｆ）は、従来の微細加工
方法を示す断面図である。この微細加工方法は、ハード
ディスクヘッドの製造方法に適用したものを例にとり説
明する。
方法を示す断面図である。この微細加工方法は、ハード
ディスクヘッドの製造方法に適用したものを例にとり説
明する。
【０００３】まず、図３（ａ）に示すように、スパッタ
リング技術及びフォトリソグラフィー技術等を用いて絶
縁層１５の上に上部シールド層１６を形成し、この上部
シールド層１６の上に絶縁層１７を形成し、この絶縁層
１７の上に巻き回された薄膜からなる書き込みコイル
（図示せず）形成する。この書き込みコイルの周囲には
絶縁層（図示せず）が形成される。書き込みコイル及び
絶縁層は、絶縁層１７に対して傾斜した部分（図示せ
ず）を有している。また、絶縁層１５はＭＲ素子（図示
せず）の上に位置している。この後、絶縁層１７及び書
き込みコイルの上にＮｉＦｅからなるメッキ用シード層
２１を形成する。
リング技術及びフォトリソグラフィー技術等を用いて絶
縁層１５の上に上部シールド層１６を形成し、この上部
シールド層１６の上に絶縁層１７を形成し、この絶縁層
１７の上に巻き回された薄膜からなる書き込みコイル
（図示せず）形成する。この書き込みコイルの周囲には
絶縁層（図示せず）が形成される。書き込みコイル及び
絶縁層は、絶縁層１７に対して傾斜した部分（図示せ
ず）を有している。また、絶縁層１５はＭＲ素子（図示
せず）の上に位置している。この後、絶縁層１７及び書
き込みコイルの上にＮｉＦｅからなるメッキ用シード層
２１を形成する。
【０００４】次に、図３（ｂ）に示すように、メッキ用
シード層２１の上にフォトレジスト膜１２３を塗布す
る。次に、図３（ｃ）に示すように、このフォトレジス
ト膜１２３を水銀のｉ線（波長３６５ｎｍ）を用いて露
光し、現像することにより、メッキ用シード層２１上に
は後記書き込み磁極１１８を形成するためのレジストパ
ターン１２３が形成される。このレジストパターン１２
３は、書き込み磁極を形成する部分が開口されたパター
ン１２３ａを有する。この開口パターン１２３ａの一部
は、図示せぬ書き込みコイル及びその周辺の絶縁層にお
ける表面の傾斜部分上に位置している。
シード層２１の上にフォトレジスト膜１２３を塗布す
る。次に、図３（ｃ）に示すように、このフォトレジス
ト膜１２３を水銀のｉ線（波長３６５ｎｍ）を用いて露
光し、現像することにより、メッキ用シード層２１上に
は後記書き込み磁極１１８を形成するためのレジストパ
ターン１２３が形成される。このレジストパターン１２
３は、書き込み磁極を形成する部分が開口されたパター
ン１２３ａを有する。この開口パターン１２３ａの一部
は、図示せぬ書き込みコイル及びその周辺の絶縁層にお
ける表面の傾斜部分上に位置している。
【０００５】次に、図３（ｄ）に示すように、湿式メッ
キ法によりレジスト膜の開口パターン１２３ａ内をＮｉ
Ｆｅ（パーマロイ）で埋め込み、ＮｉＦｅからなる書き
込み磁極１１８を形成する。次に、図３（ｅ）に示すよ
うに、Ｏ2アッシングによりレジストパターン１２３を
剥離する。
キ法によりレジスト膜の開口パターン１２３ａ内をＮｉ
Ｆｅ（パーマロイ）で埋め込み、ＮｉＦｅからなる書き
込み磁極１１８を形成する。次に、図３（ｅ）に示すよ
うに、Ｏ2アッシングによりレジストパターン１２３を
剥離する。
【０００６】この後、図３（ｆ）に示すように、書き込
み磁極１１８を含む全面をイオンミリングすることによ
り、全面が０．２５μｍ程度削られる。つまり、書き込
み磁極１１８の上部及び側部が削られると共にメッキ用
シード層が削られ、絶縁層１７が削られ、上部シールド
層１６の上部が削られる。このようにして幅１μｍ程度
の書き込み磁極１１８が形成される。
み磁極１１８を含む全面をイオンミリングすることによ
り、全面が０．２５μｍ程度削られる。つまり、書き込
み磁極１１８の上部及び側部が削られると共にメッキ用
シード層が削られ、絶縁層１７が削られ、上部シールド
層１６の上部が削られる。このようにして幅１μｍ程度
の書き込み磁極１１８が形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ハードディ
スクヘッドにおいて書き込み磁極１１８の幅を狭くする
ことにより、トラック幅を狭くすることができ、それに
よって記録密度を上げることが可能となる。従って、書
き込み磁極１１８の幅を狭くすることが求められてい
る。
スクヘッドにおいて書き込み磁極１１８の幅を狭くする
ことにより、トラック幅を狭くすることができ、それに
よって記録密度を上げることが可能となる。従って、書
き込み磁極１１８の幅を狭くすることが求められてい
る。
【０００８】しかしながら、上記従来の微細加工方法で
は、物理的形状による制約により書き込み磁極１１８の
幅を狭くすることが困難である。この制約とは、前述し
たように書き込み磁極１１８の下地が傾斜構造（即ち書
き込み磁極と書き込みコイルを結ぶヨークが傾斜構造）
になっていること、必要な磁気特性を得るために書き込
み磁極１１８の高さが３μｍ以上必要であることであ
る。従って、書き込み磁極の高さを３μｍ以上、幅を１
μｍ以下とし、且つ、書き込み磁極の幅を狭くすると、
フォトレジスト膜１２３の露光パターンが３以上の高ア
スペクト比となってしまい、その結果、以下のような問
題が生じる。
は、物理的形状による制約により書き込み磁極１１８の
幅を狭くすることが困難である。この制約とは、前述し
たように書き込み磁極１１８の下地が傾斜構造（即ち書
き込み磁極と書き込みコイルを結ぶヨークが傾斜構造）
になっていること、必要な磁気特性を得るために書き込
み磁極１１８の高さが３μｍ以上必要であることであ
る。従って、書き込み磁極の高さを３μｍ以上、幅を１
μｍ以下とし、且つ、書き込み磁極の幅を狭くすると、
フォトレジスト膜１２３の露光パターンが３以上の高ア
スペクト比となってしまい、その結果、以下のような問
題が生じる。
【０００９】高アスペクト比のパターンをフォトレジス
ト膜に露光する場合、フォトレジスト膜の底面から露光
光が反射することにより、露光部のへりがぼやけてしま
い、シャープに露光することができない。従って、レジ
スト膜の開口パターン１２３ａの幅を狭くすることがで
きないので、書き込み磁極の幅も狭くすることができな
い。
ト膜に露光する場合、フォトレジスト膜の底面から露光
光が反射することにより、露光部のへりがぼやけてしま
い、シャープに露光することができない。従って、レジ
スト膜の開口パターン１２３ａの幅を狭くすることがで
きないので、書き込み磁極の幅も狭くすることができな
い。
【００１０】また、書き込み磁極の下地が傾斜構造にな
っているため、露光時に傾斜部分から露光光が反射する
ことによって開口パターン１２３ａの上部幅が広がった
形状に露光されてしまい、その結果、図３（ｄ）に示す
工程後の書き込み磁極１１８の上部幅が必要以上に広が
る。このとき、書き込み磁極の下部を狭く形成できたと
しても、書き込み磁極の上部幅が広がってしまうと、図
３（ｆ）に示す工程において書き込み磁極１１８を含む
全面をイオンミリングで削った際に、絶縁層１７の幅及
び上部シールド層１６の上部幅を狭くすることができな
い。つまり、絶縁層１７及び上部シールド層１６を最終
的に所望の形状に加工することができなくなる。
っているため、露光時に傾斜部分から露光光が反射する
ことによって開口パターン１２３ａの上部幅が広がった
形状に露光されてしまい、その結果、図３（ｄ）に示す
工程後の書き込み磁極１１８の上部幅が必要以上に広が
る。このとき、書き込み磁極の下部を狭く形成できたと
しても、書き込み磁極の上部幅が広がってしまうと、図
３（ｆ）に示す工程において書き込み磁極１１８を含む
全面をイオンミリングで削った際に、絶縁層１７の幅及
び上部シールド層１６の上部幅を狭くすることができな
い。つまり、絶縁層１７及び上部シールド層１６を最終
的に所望の形状に加工することができなくなる。
【００１１】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、高アスペクト比のパター
ンであってもフォトレジスト膜に露光できる微細加工方
法、反射防止膜及びその成膜方法を提供することにあ
る。
れたものであり、その目的は、高アスペクト比のパター
ンであってもフォトレジスト膜に露光できる微細加工方
法、反射防止膜及びその成膜方法を提供することにあ
る。
【００１２】また、本発明の他の目的は、高アスペクト
比のパターンをフォトレジスト膜に露光することによ
り、高アスペクト比の書き込み磁極を形成できるハード
ディスクヘッドの製造方法を提供することにある。
比のパターンをフォトレジスト膜に露光することによ
り、高アスペクト比の書き込み磁極を形成できるハード
ディスクヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る微細加工方法は、下地膜上にＤＬＣか
らなる反射防止膜を成膜する工程と、この反射防止膜上
にフォトレジスト膜を塗布する工程と、このフォトレジ
スト膜を露光、現像する工程と、を具備することを特徴
とする。
め、本発明に係る微細加工方法は、下地膜上にＤＬＣか
らなる反射防止膜を成膜する工程と、この反射防止膜上
にフォトレジスト膜を塗布する工程と、このフォトレジ
スト膜を露光、現像する工程と、を具備することを特徴
とする。
【００１４】上記微細加工方法によれば、フォトレジス
ト膜の下にＤＬＣからなる反射防止膜を形成しているた
め、露光工程においてフォトレジスト膜の底面からの露
光光の反射を抑制することができる。従って、高アスペ
クト比のパターンであってもフォトレジスト膜にシャー
プに露光することができる。
ト膜の下にＤＬＣからなる反射防止膜を形成しているた
め、露光工程においてフォトレジスト膜の底面からの露
光光の反射を抑制することができる。従って、高アスペ
クト比のパターンであってもフォトレジスト膜にシャー
プに露光することができる。
【００１５】また、本発明に係る微細加工方法において
は、上記下地膜の表面が傾斜部を有することも可能であ
る。このように傾斜部を有していていも、フォトレジス
ト膜の下にＤＬＣからなる反射防止膜を形成しているた
め、露光時に傾斜部からの露光光の反射を抑えることが
できる。
は、上記下地膜の表面が傾斜部を有することも可能であ
る。このように傾斜部を有していていも、フォトレジス
ト膜の下にＤＬＣからなる反射防止膜を形成しているた
め、露光時に傾斜部からの露光光の反射を抑えることが
できる。
【００１６】また、本発明に係る微細加工方法において
は、上記フォトレジスト膜を露光、現像する工程におい
てフォトレジスト膜を露光するパターンの少なくとも一
部が３以上のアスペクト比を有するラインパターンであ
ることも可能である。
は、上記フォトレジスト膜を露光、現像する工程におい
てフォトレジスト膜を露光するパターンの少なくとも一
部が３以上のアスペクト比を有するラインパターンであ
ることも可能である。
【００１７】本発明に係る微細加工方法は、導電膜上に
ＤＬＣからなる反射防止膜を成膜する工程と、この反射
防止膜上にフォトレジスト膜を塗布する工程と、このフ
ォトレジスト膜を露光、現像することにより、該フォト
レジスト膜に開口パターンを形成する工程と、フォトレ
ジスト膜をマスクとしてエッチングすることにより、開
口パターン内に露出している反射防止膜を除去する工程
と、メッキ法により開口パターン内に導電膜を埋め込む
工程と、を具備することを特徴とする。
ＤＬＣからなる反射防止膜を成膜する工程と、この反射
防止膜上にフォトレジスト膜を塗布する工程と、このフ
ォトレジスト膜を露光、現像することにより、該フォト
レジスト膜に開口パターンを形成する工程と、フォトレ
ジスト膜をマスクとしてエッチングすることにより、開
口パターン内に露出している反射防止膜を除去する工程
と、メッキ法により開口パターン内に導電膜を埋め込む
工程と、を具備することを特徴とする。
【００１８】上記微細加工方法によれば、フォトレジス
ト膜の下にＤＬＣからなる反射防止膜を成膜しているた
め、露光工程においてフォトレジスト膜の底面からの露
光光の反射を抑制することができる。従って、アスペク
ト比の高い開口パターンであってもフォトレジスト膜に
シャープに露光することができる。よって、開口パター
ン内に埋め込まれた導電膜も高アスペクト比とすること
ができる。
ト膜の下にＤＬＣからなる反射防止膜を成膜しているた
め、露光工程においてフォトレジスト膜の底面からの露
光光の反射を抑制することができる。従って、アスペク
ト比の高い開口パターンであってもフォトレジスト膜に
シャープに露光することができる。よって、開口パター
ン内に埋め込まれた導電膜も高アスペクト比とすること
ができる。
【００１９】また、本発明に係る微細加工方法におい
て、上記導電膜はパーマロイであることも可能である。
また、本発明に係る微細加工方法においては、上記導電
膜の表面が傾斜部を有することも可能である。
て、上記導電膜はパーマロイであることも可能である。
また、本発明に係る微細加工方法においては、上記導電
膜の表面が傾斜部を有することも可能である。
【００２０】また、本発明に係る微細加工方法において
は、上記開口パターンの少なくとも一部が３以上のアス
ペクト比を有するラインパターンであることも可能であ
る。
は、上記開口パターンの少なくとも一部が３以上のアス
ペクト比を有するラインパターンであることも可能であ
る。
【００２１】本発明に係る微細加工方法は、被エッチン
グ膜上にＤＬＣからなる反射防止膜を成膜する工程と、
この反射防止膜上にフォトレジスト膜を塗布する工程
と、このフォトレジスト膜を露光、現像することによ
り、レジストパターンを形成する工程と、このレジスト
パターンをマスクとして反射防止膜をエッチングして除
去する工程と、レジストパターンをマスクとして被エッ
チング膜をエッチングする工程と、を具備することを特
徴とする。
グ膜上にＤＬＣからなる反射防止膜を成膜する工程と、
この反射防止膜上にフォトレジスト膜を塗布する工程
と、このフォトレジスト膜を露光、現像することによ
り、レジストパターンを形成する工程と、このレジスト
パターンをマスクとして反射防止膜をエッチングして除
去する工程と、レジストパターンをマスクとして被エッ
チング膜をエッチングする工程と、を具備することを特
徴とする。
【００２２】上記微細加工方法によれば、フォトレジス
ト膜の下にＤＬＣからなる反射防止膜を成膜しているた
め、露光工程においてフォトレジスト膜の底面からの露
光光の反射を抑制することができる。従って、アスペク
ト比の高いレジストパターンを形成する場合であっても
フォトレジスト膜にシャープに露光することができる。
よって、レジストパターンをマスクとしてエッチングさ
れた被エッチング膜も高アスペクト比のパターンを形成
することができる。
ト膜の下にＤＬＣからなる反射防止膜を成膜しているた
め、露光工程においてフォトレジスト膜の底面からの露
光光の反射を抑制することができる。従って、アスペク
ト比の高いレジストパターンを形成する場合であっても
フォトレジスト膜にシャープに露光することができる。
よって、レジストパターンをマスクとしてエッチングさ
れた被エッチング膜も高アスペクト比のパターンを形成
することができる。
【００２３】また、本発明に係る微細加工方法において
は、上記被エッチング膜が傾斜部を有することも可能で
ある。また、本発明に係る微細加工方法においては、上
記レジストパターンの少なくとも一部が３以上のアスペ
クト比を有するラインパターンであることも可能であ
る。
は、上記被エッチング膜が傾斜部を有することも可能で
ある。また、本発明に係る微細加工方法においては、上
記レジストパターンの少なくとも一部が３以上のアスペ
クト比を有するラインパターンであることも可能であ
る。
【００２４】また、本発明に係る微細加工方法におい
て、上記反射防止膜を成膜する工程では、チャンバ内に
炭化水素ガスとＡｒガスを混合した原料ガスを導入し、
５０Ｗ以上２ＫＷ以下のＲＦ電力を加え、フィラメント
を点灯させてプラズマを放電させることにより、ＤＬＣ
からなる反射防止膜を成膜することが好ましい。このよ
うにフィラメントを点灯させることにより、チャンバ内
で熱電子が放出され、その熱電子がプラズマの着火のき
っかけとなるので、プラズマが着火しにくい低原料ガス
圧の条件でも反射防止膜を容易に成膜することができ
る。低原料ガス圧の条件で反射防止膜を成膜すると、反
射防止膜の屈折率を大きくすることができる。また、Ａ
ｒガスを混合させると、成膜される反射防止膜の屈折率
は大きくなり易い。
て、上記反射防止膜を成膜する工程では、チャンバ内に
炭化水素ガスとＡｒガスを混合した原料ガスを導入し、
５０Ｗ以上２ＫＷ以下のＲＦ電力を加え、フィラメント
を点灯させてプラズマを放電させることにより、ＤＬＣ
からなる反射防止膜を成膜することが好ましい。このよ
うにフィラメントを点灯させることにより、チャンバ内
で熱電子が放出され、その熱電子がプラズマの着火のき
っかけとなるので、プラズマが着火しにくい低原料ガス
圧の条件でも反射防止膜を容易に成膜することができ
る。低原料ガス圧の条件で反射防止膜を成膜すると、反
射防止膜の屈折率を大きくすることができる。また、Ａ
ｒガスを混合させると、成膜される反射防止膜の屈折率
は大きくなり易い。
【００２５】また、本発明に係る微細加工方法において
は、上記炭化水素ガスとＡｒガスの混合比が１：１以上
１：１０以下であることが好ましい。
は、上記炭化水素ガスとＡｒガスの混合比が１：１以上
１：１０以下であることが好ましい。
【００２６】また、本発明に係る微細加工方法におい
て、上記反射防止膜の屈折率をｎとし、露光時に波長λ
の露光光を用いた場合、上記反射防止膜の厚さｄは下記
式を満たすものとする。 ｄ＝λ／４ｎ
て、上記反射防止膜の屈折率をｎとし、露光時に波長λ
の露光光を用いた場合、上記反射防止膜の厚さｄは下記
式を満たすものとする。 ｄ＝λ／４ｎ
【００２７】本発明に係る反射防止膜は、微細加工を行
う際にフォトレジスト膜の下に形成するための反射防止
膜であって、ＤＬＣ膜からなることを特徴とする。
う際にフォトレジスト膜の下に形成するための反射防止
膜であって、ＤＬＣ膜からなることを特徴とする。
【００２８】本発明に係る反射防止膜の成膜方法は、微
細加工を行う際にフォトレジスト膜の下に形成するため
の反射防止膜の成膜方法であって、チャンバ内に炭化水
素ガスとＡｒガスを混合した原料ガスを導入し、５０Ｗ
以上２ＫＷ以下のＲＦ電力を加え、フィラメントを点灯
させてプラズマを放電させることにより、ＤＬＣからな
る反射防止膜を成膜することを特徴とする。
細加工を行う際にフォトレジスト膜の下に形成するため
の反射防止膜の成膜方法であって、チャンバ内に炭化水
素ガスとＡｒガスを混合した原料ガスを導入し、５０Ｗ
以上２ＫＷ以下のＲＦ電力を加え、フィラメントを点灯
させてプラズマを放電させることにより、ＤＬＣからな
る反射防止膜を成膜することを特徴とする。
【００２９】また、本発明に係る反射防止膜の成膜方法
においては、上記炭化水素ガスとＡｒガスの混合比が
１：１以上１：１０以下であることが好ましい。
においては、上記炭化水素ガスとＡｒガスの混合比が
１：１以上１：１０以下であることが好ましい。
【００３０】また、本発明に係る反射防止膜の成膜方法
において、上記反射防止膜の屈折率をｎとし、露光時に
波長λの露光光を用いた場合、上記反射防止膜の厚さｄ
は下記式を満たすものとする。 ｄ＝λ／４ｎ
において、上記反射防止膜の屈折率をｎとし、露光時に
波長λの露光光を用いた場合、上記反射防止膜の厚さｄ
は下記式を満たすものとする。 ｄ＝λ／４ｎ
【００３１】本発明に係るハードディスクヘッドの製造
方法は、ＭＲ素子の上方にシールド層を形成する工程
と、このシールド層上に第１の絶縁層を形成する工程
と、第１の絶縁層上にＮｉＦｅからなるメッキ用シード
層を形成する工程と、このメッキ用シード層上にＤＬＣ
からなる反射防止膜を形成する工程と、この反射防止膜
上にフォトレジスト膜を塗布する工程と、このフォトレ
ジスト膜を露光、現像することにより、幅０．７μｍ以
下で高さ３μｍ以上の開口パターンを形成する工程と、
フォトレジスト膜をマスクとしてエッチングすることに
より、開口パターン内に露出している反射防止膜を除去
する工程と、開口パターン内のメッキ用シード層上にメ
ッキ法によりＮｉＦｅ膜を埋め込む工程と、フォトレジ
スト膜及び反射防止膜を除去する工程と、上記埋め込ま
れたＮｉＦｅ膜、メッキ用シード層、第１の絶縁層、シ
ールド層をエッチング又はイオンミリングすることによ
り、第１の絶縁層上にＮｉＦｅ膜からなる書き込み磁極
を形成する工程と、を具備し、上記メッキ用シード層は
傾斜部を有し、上記反射防止膜を形成する工程において
は、チャンバ内に炭化水素ガスとＡｒガスを混合した原
料ガスを導入し、５０Ｗ以上２ＫＷ以下のＲＦ電力を加
え、フィラメントを点灯させてプラズマを放電させるこ
とにより反射防止膜を形成するものであり、上記炭化水
素ガスとＡｒガスの混合比が１：１以上１：１０以下で
あることを特徴とする。
方法は、ＭＲ素子の上方にシールド層を形成する工程
と、このシールド層上に第１の絶縁層を形成する工程
と、第１の絶縁層上にＮｉＦｅからなるメッキ用シード
層を形成する工程と、このメッキ用シード層上にＤＬＣ
からなる反射防止膜を形成する工程と、この反射防止膜
上にフォトレジスト膜を塗布する工程と、このフォトレ
ジスト膜を露光、現像することにより、幅０．７μｍ以
下で高さ３μｍ以上の開口パターンを形成する工程と、
フォトレジスト膜をマスクとしてエッチングすることに
より、開口パターン内に露出している反射防止膜を除去
する工程と、開口パターン内のメッキ用シード層上にメ
ッキ法によりＮｉＦｅ膜を埋め込む工程と、フォトレジ
スト膜及び反射防止膜を除去する工程と、上記埋め込ま
れたＮｉＦｅ膜、メッキ用シード層、第１の絶縁層、シ
ールド層をエッチング又はイオンミリングすることによ
り、第１の絶縁層上にＮｉＦｅ膜からなる書き込み磁極
を形成する工程と、を具備し、上記メッキ用シード層は
傾斜部を有し、上記反射防止膜を形成する工程において
は、チャンバ内に炭化水素ガスとＡｒガスを混合した原
料ガスを導入し、５０Ｗ以上２ＫＷ以下のＲＦ電力を加
え、フィラメントを点灯させてプラズマを放電させるこ
とにより反射防止膜を形成するものであり、上記炭化水
素ガスとＡｒガスの混合比が１：１以上１：１０以下で
あることを特徴とする。
【００３２】上記ハードディスクヘッドの製造方法によ
れば、フォトレジスト膜の下にＤＬＣからなる反射防止
膜を成膜しているため、下地であるメッキ用シード層に
傾斜部を有していても露光工程においてフォトレジスト
膜の底面及び傾斜部からの露光光の反射を抑制すること
ができる。従って、幅０．７μｍ以下で高さ３μｍ以上
の高アスペクト比の開口パターンをフォトレジスト膜に
シャープに露光することができ、それにより、高アスペ
クト比の書き込み磁極を形成することができる。
れば、フォトレジスト膜の下にＤＬＣからなる反射防止
膜を成膜しているため、下地であるメッキ用シード層に
傾斜部を有していても露光工程においてフォトレジスト
膜の底面及び傾斜部からの露光光の反射を抑制すること
ができる。従って、幅０．７μｍ以下で高さ３μｍ以上
の高アスペクト比の開口パターンをフォトレジスト膜に
シャープに露光することができ、それにより、高アスペ
クト比の書き込み磁極を形成することができる。
【００３３】また、本発明に係るハードディスクヘッド
の製造方法において、上記反射防止膜の屈折率をｎと
し、露光時に波長λの露光光を用いた場合、上記反射防
止膜の厚さｄは下記式を満たすものとする。 ｄ＝λ／４ｎ
の製造方法において、上記反射防止膜の屈折率をｎと
し、露光時に波長λの露光光を用いた場合、上記反射防
止膜の厚さｄは下記式を満たすものとする。 ｄ＝λ／４ｎ
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形
態による微細加工方法を用いて製造されたハードディス
クヘッドの一部を示す断面図である。このハードディス
クヘッドはＭＲ(MagnetoResistive)ヘッドである。
施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形
態による微細加工方法を用いて製造されたハードディス
クヘッドの一部を示す断面図である。このハードディス
クヘッドはＭＲ(MagnetoResistive)ヘッドである。
【００３５】図１に示すように、ＭＲヘッドはＮｉＦｅ
（パーマロイ）からなる下部シールド層１２を有してお
り、この下部シールド層１２の上には絶縁層１３が形成
されている。この絶縁層１３上且つ絶縁層１３の端部側
にはＭＲ素子１４が形成されており、このＭＲ素子１４
及び絶縁層１３の上にはＡｌ2Ｏ3からなる絶縁層１５が
形成されている。この絶縁層１５の上にはＮｉＦｅ（パ
ーマロイ）からなる上部シールド層１６が形成されてお
り、この上部シールド層１６の上にはＡｌ2Ｏ3からなる
絶縁層１７が形成されている。
（パーマロイ）からなる下部シールド層１２を有してお
り、この下部シールド層１２の上には絶縁層１３が形成
されている。この絶縁層１３上且つ絶縁層１３の端部側
にはＭＲ素子１４が形成されており、このＭＲ素子１４
及び絶縁層１３の上にはＡｌ2Ｏ3からなる絶縁層１５が
形成されている。この絶縁層１５の上にはＮｉＦｅ（パ
ーマロイ）からなる上部シールド層１６が形成されてお
り、この上部シールド層１６の上にはＡｌ2Ｏ3からなる
絶縁層１７が形成されている。
【００３６】絶縁層１７の上には絶縁層１９を介して書
き込みコイル２０が配置されており、書き込みコイル２
０は絶縁層１９内を巻き回されて形成されている。絶縁
層１９及び書き込みコイル２０は絶縁層１７の端部側に
配置されていない。つまり、絶縁層１７の端部側には絶
縁層１９及び書き込みコイル２０が形成されておらず、
端部側から離れるにしたがって絶縁層１９と書き込みコ
イル２０の全体の厚さが厚くなるように形成される部分
１９ａがある。この部分１９ａは絶縁層１７に対して傾
斜している。絶縁層１７の端部側の上及び絶縁層１９の
上にはＮｉＦｅ（パーマロイ）からなる書き込み磁極１
８が形成されている。
き込みコイル２０が配置されており、書き込みコイル２
０は絶縁層１９内を巻き回されて形成されている。絶縁
層１９及び書き込みコイル２０は絶縁層１７の端部側に
配置されていない。つまり、絶縁層１７の端部側には絶
縁層１９及び書き込みコイル２０が形成されておらず、
端部側から離れるにしたがって絶縁層１９と書き込みコ
イル２０の全体の厚さが厚くなるように形成される部分
１９ａがある。この部分１９ａは絶縁層１７に対して傾
斜している。絶縁層１７の端部側の上及び絶縁層１９の
上にはＮｉＦｅ（パーマロイ）からなる書き込み磁極１
８が形成されている。
【００３７】図２（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形
態による微細加工方法を示す断面図である。この微細加
工方法は、ハードディスクヘッドの製造方法（特にＭＲ
ヘッドの書き込み磁極の製造方法）に適用したものを例
にとり説明する。なお、図２は図１を左側から視た断面
図であり、図１の断面と図２の断面は互いに直交する位
置関係にある。
態による微細加工方法を示す断面図である。この微細加
工方法は、ハードディスクヘッドの製造方法（特にＭＲ
ヘッドの書き込み磁極の製造方法）に適用したものを例
にとり説明する。なお、図２は図１を左側から視た断面
図であり、図１の断面と図２の断面は互いに直交する位
置関係にある。
【００３８】まず、図２（ａ）に示すように、スパッタ
リング技術及びフォトリソグラフィー技術等を用いてＡ
ｌ2Ｏ3からなる絶縁層１５の上にＮｉＦｅからなる上部
シールド層１６を形成し、この上部シールド層１６の上
にＡｌ2Ｏ3からなる絶縁層１７を形成し、この絶縁層１
７の上に巻き回された薄膜からなる書き込みコイル（図
示せず）を形成する。この書き込みコイルの周囲には絶
縁層（図示せず）が形成される。書き込みコイル及び絶
縁層は、前述したように絶縁層１７の端部側には形成さ
れておらず、絶縁層１７に対して傾斜した部分を有す
る。また、絶縁層１５はＭＲ素子（図示せず）の上に位
置している。この後、絶縁層１７及び書き込みコイルの
上にＮｉＦｅからなるメッキ用シード層２１を形成す
る。
リング技術及びフォトリソグラフィー技術等を用いてＡ
ｌ2Ｏ3からなる絶縁層１５の上にＮｉＦｅからなる上部
シールド層１６を形成し、この上部シールド層１６の上
にＡｌ2Ｏ3からなる絶縁層１７を形成し、この絶縁層１
７の上に巻き回された薄膜からなる書き込みコイル（図
示せず）を形成する。この書き込みコイルの周囲には絶
縁層（図示せず）が形成される。書き込みコイル及び絶
縁層は、前述したように絶縁層１７の端部側には形成さ
れておらず、絶縁層１７に対して傾斜した部分を有す
る。また、絶縁層１５はＭＲ素子（図示せず）の上に位
置している。この後、絶縁層１７及び書き込みコイルの
上にＮｉＦｅからなるメッキ用シード層２１を形成す
る。
【００３９】次に、図２（ｂ）に示すように、メッキ用
シード層２１の上にＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n）法によりＤＬＣ(Diamond Like Carbon)からなる反射
防止膜２２を成膜する。この成膜を行う装置としては、
例えば、平行平板のＣＶＤ装置であって、ＣＶＤチャン
バの基板電極をそのままＲＦ（高周波）カソード電極と
して用い、銅板で形成したプラズマウォールをチャンバ
内壁に接続してアースに落とし、プラズマウォール内面
にはセラメッキシートを貼り付け、フィラメント電極と
電源の間にＲＦカットフィルタを入れたＣＶＤ装置を用
いることが好ましい。また、この際の成膜条件について
は後述する。
シード層２１の上にＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n）法によりＤＬＣ(Diamond Like Carbon)からなる反射
防止膜２２を成膜する。この成膜を行う装置としては、
例えば、平行平板のＣＶＤ装置であって、ＣＶＤチャン
バの基板電極をそのままＲＦ（高周波）カソード電極と
して用い、銅板で形成したプラズマウォールをチャンバ
内壁に接続してアースに落とし、プラズマウォール内面
にはセラメッキシートを貼り付け、フィラメント電極と
電源の間にＲＦカットフィルタを入れたＣＶＤ装置を用
いることが好ましい。また、この際の成膜条件について
は後述する。
【００４０】この後、図２（ｃ）に示すように、反射防
止膜２２の上にフォトレジスト膜２３を塗布する。次
に、図２（ｄ）に示すように、このフォトレジスト膜２
３を水銀のｉ線（波長３６５ｎｍ）を用いて露光し、現
像することにより、反射防止膜２２上にはメッキ法によ
り書き込み磁極１８を形成するためのレジストパターン
２３が形成される。このレジストパターン２３は書き込
み磁極を形成する部分が開口されたパターン２３ａを有
し、この開口パターン２３ａのアスペクト比は３以上で
ある。開口パターン２３ａの一部は、図示せぬ書き込み
コイル及びその周辺の絶縁層における表面の傾斜部分
（図１に示す参照符号１９ａ）上に位置している。
止膜２２の上にフォトレジスト膜２３を塗布する。次
に、図２（ｄ）に示すように、このフォトレジスト膜２
３を水銀のｉ線（波長３６５ｎｍ）を用いて露光し、現
像することにより、反射防止膜２２上にはメッキ法によ
り書き込み磁極１８を形成するためのレジストパターン
２３が形成される。このレジストパターン２３は書き込
み磁極を形成する部分が開口されたパターン２３ａを有
し、この開口パターン２３ａのアスペクト比は３以上で
ある。開口パターン２３ａの一部は、図示せぬ書き込み
コイル及びその周辺の絶縁層における表面の傾斜部分
（図１に示す参照符号１９ａ）上に位置している。
【００４１】ここで、フォトレジスト膜２３を露光する
際の反射防止膜２２の機能について説明する。反射防止
膜は一般にはＡＲＣ(Anti Refrection Coating)と呼ば
れている。ＡＲＣを用いることでフォトレジスト膜の底
面からの反射を抑制して、従来の微細加工方法よりシャ
ープなレジストパターンを得ることができ、より微細な
加工が可能となる。
際の反射防止膜２２の機能について説明する。反射防止
膜は一般にはＡＲＣ(Anti Refrection Coating)と呼ば
れている。ＡＲＣを用いることでフォトレジスト膜の底
面からの反射を抑制して、従来の微細加工方法よりシャ
ープなレジストパターンを得ることができ、より微細な
加工が可能となる。
【００４２】特に立体的形状で傾斜部分を含む微細加工
に有効である。すなわち、フォトレジスト膜２３の下地
は上述した書き込みコイル及びその周辺の絶縁層におけ
る傾斜部分を有するため、フォトレジスト膜２３下に反
射防止膜２２を形成しておかないと、露光時に上記傾斜
部分から反射した露光光によって開口パターン２３ａの
幅が広がってしまい、幅の狭い開口パターン２３ａを有
するレジストパターン２３を得ることができない。しか
し、本実施の形態では、上記傾斜部分からの露光光の反
射を反射防止膜２２によって抑制することができるの
で、シャープな幅の狭い開口パターン２３ａを得ること
ができる。
に有効である。すなわち、フォトレジスト膜２３の下地
は上述した書き込みコイル及びその周辺の絶縁層におけ
る傾斜部分を有するため、フォトレジスト膜２３下に反
射防止膜２２を形成しておかないと、露光時に上記傾斜
部分から反射した露光光によって開口パターン２３ａの
幅が広がってしまい、幅の狭い開口パターン２３ａを有
するレジストパターン２３を得ることができない。しか
し、本実施の形態では、上記傾斜部分からの露光光の反
射を反射防止膜２２によって抑制することができるの
で、シャープな幅の狭い開口パターン２３ａを得ること
ができる。
【００４３】次に、図２（ｅ）に示すように、レジスト
パターン２３をマスクとしてドライエッチング（Ｏ2ア
ッシング２５）することにより、開口パターン２３ａ下
の反射防止膜２２を除去し、開口パターン内にメッキ用
シード層２１を露出させる。
パターン２３をマスクとしてドライエッチング（Ｏ2ア
ッシング２５）することにより、開口パターン２３ａ下
の反射防止膜２２を除去し、開口パターン内にメッキ用
シード層２１を露出させる。
【００４４】この後、図２（ｆ）に示すように、湿式メ
ッキ法によりレジスト膜の開口パターン２３ａ内をＮｉ
Ｆｅ（パーマロイ）で埋め込み、ＮｉＦｅからなる書き
込み磁極１８を形成する。
ッキ法によりレジスト膜の開口パターン２３ａ内をＮｉ
Ｆｅ（パーマロイ）で埋め込み、ＮｉＦｅからなる書き
込み磁極１８を形成する。
【００４５】次に、図２（ｇ）に示すように、Ｏ2アッ
シングによりレジストパターン２３及び反射防止膜２２
を除去する。
シングによりレジストパターン２３及び反射防止膜２２
を除去する。
【００４６】この後、図２（ｈ）に示すように、書き込
み磁極１８を含む全面をイオンミリング（又はエッチン
グ）することにより、全面が０．２５μｍ程度削られ
る。つまり、書き込み磁極１８の上部及び側部が削られ
ると共にメッキ用シード層が削られ、絶縁層１７が削ら
れ、上部シールド層１６の上部が削られる。このように
して０．６５μｍより狭い幅の書き込み磁極１８が形成
される。
み磁極１８を含む全面をイオンミリング（又はエッチン
グ）することにより、全面が０．２５μｍ程度削られ
る。つまり、書き込み磁極１８の上部及び側部が削られ
ると共にメッキ用シード層が削られ、絶縁層１７が削ら
れ、上部シールド層１６の上部が削られる。このように
して０．６５μｍより狭い幅の書き込み磁極１８が形成
される。
【００４７】上記実施の形態によれば、書き込み磁極１
８を形成するためのフォトレジスト膜２３の下にＤＬＣ
からなる反射防止膜２２を形成しているため、露光時に
フォトレジスト膜の底面からの露光光の反射を抑えるこ
とができる。従って、従来の微細加工方法では困難であ
った高アスペクト比のパターンをフォトレジスト膜にシ
ャープに露光することができる。その結果、レジスト膜
の開口パターン２３ａの幅を狭く形成することができる
ので、書き込み磁極１８の幅も狭く形成することができ
る。
８を形成するためのフォトレジスト膜２３の下にＤＬＣ
からなる反射防止膜２２を形成しているため、露光時に
フォトレジスト膜の底面からの露光光の反射を抑えるこ
とができる。従って、従来の微細加工方法では困難であ
った高アスペクト比のパターンをフォトレジスト膜にシ
ャープに露光することができる。その結果、レジスト膜
の開口パターン２３ａの幅を狭く形成することができる
ので、書き込み磁極１８の幅も狭く形成することができ
る。
【００４８】また、本実施の形態では、書き込み磁極１
８の下地が傾斜構造になっているが、フォトレジスト膜
２３の下にＤＬＣからなる反射防止膜２２を形成してい
るため、露光時に傾斜部分１９ａからの露光光の反射を
抑えることができる。従って、開口パターン２３ａの上
部幅が広がることを抑制でき、従来の微細加工方法では
困難であった高アスペクト比のパターンをフォトレジス
ト膜にシャープに露光することができる。その結果、書
き込み磁極１８の上部幅も広がることを抑制できるの
で、絶縁層１７及び上部シールド層１６を最終的に所望
の形状に加工することが可能となる。
８の下地が傾斜構造になっているが、フォトレジスト膜
２３の下にＤＬＣからなる反射防止膜２２を形成してい
るため、露光時に傾斜部分１９ａからの露光光の反射を
抑えることができる。従って、開口パターン２３ａの上
部幅が広がることを抑制でき、従来の微細加工方法では
困難であった高アスペクト比のパターンをフォトレジス
ト膜にシャープに露光することができる。その結果、書
き込み磁極１８の上部幅も広がることを抑制できるの
で、絶縁層１７及び上部シールド層１６を最終的に所望
の形状に加工することが可能となる。
【００４９】また、本実施の形態では、ＤＬＣからなる
反射防止膜２２を用いることにより、図２（ｄ）に示す
開口パターン２３ａの幅を０．７μｍ以下とすることが
可能となる。そして、図３（ｈ）に示すイオンミリング
工程で０．２５μｍ削られることにより、最終的に形成
される書き込み磁極１８の幅を０．４５μｍ以下にする
ことができ、この場合の書き込み磁極１８の高さは３μ
ｍ以上とすることができる。このような幅の狭い書き込
み磁極１８を備えたＭＲヘッドでは面記録密度２５Ｇｂ
ｉｔ／ｉｎｃｈ2を実現することが可能となる。
反射防止膜２２を用いることにより、図２（ｄ）に示す
開口パターン２３ａの幅を０．７μｍ以下とすることが
可能となる。そして、図３（ｈ）に示すイオンミリング
工程で０．２５μｍ削られることにより、最終的に形成
される書き込み磁極１８の幅を０．４５μｍ以下にする
ことができ、この場合の書き込み磁極１８の高さは３μ
ｍ以上とすることができる。このような幅の狭い書き込
み磁極１８を備えたＭＲヘッドでは面記録密度２５Ｇｂ
ｉｔ／ｉｎｃｈ2を実現することが可能となる。
【００５０】また、反射防止膜２２としてＤＬＣ膜を用
いる理由は、原料ガスとしてメタン、エチレン、アセチ
レン、ベンゼン、トルエンなどの比較的取扱い易い炭化
水素系のガスを使用することができ、製造コストが低コ
ストで経済的だからである。これに対して、屈折率ｎが
２程度で消失係数ｋが０．０であるＳｉＮ膜を反射防止
膜として用いる場合、原料ガスとしてＳｉＨ4等のシラ
ン系のガスを使用することになるのでユーティリティに
膨大な設備投資が必要となり、コスト高となってしま
う。
いる理由は、原料ガスとしてメタン、エチレン、アセチ
レン、ベンゼン、トルエンなどの比較的取扱い易い炭化
水素系のガスを使用することができ、製造コストが低コ
ストで経済的だからである。これに対して、屈折率ｎが
２程度で消失係数ｋが０．０であるＳｉＮ膜を反射防止
膜として用いる場合、原料ガスとしてＳｉＨ4等のシラ
ン系のガスを使用することになるのでユーティリティに
膨大な設備投資が必要となり、コスト高となってしま
う。
【００５１】次に、反射防止膜の原理について説明す
る。反射防止膜中に入射した露光光が反射防止膜とその
下地膜の境界で反射し、その反射光が反射防止膜を通っ
て再び反射防止膜の外へ出るという露光光の経路が、入
射光のちょうど１／２波長分の長さになると、入射光と
反射光が干渉し打ち消し合う。これを利用して反射防止
を実現している。
る。反射防止膜中に入射した露光光が反射防止膜とその
下地膜の境界で反射し、その反射光が反射防止膜を通っ
て再び反射防止膜の外へ出るという露光光の経路が、入
射光のちょうど１／２波長分の長さになると、入射光と
反射光が干渉し打ち消し合う。これを利用して反射防止
を実現している。
【００５２】反射防止膜の膜厚をｄとし、露光光の波長
をλとし、反射防止膜の屈折率をｎとすると、波長λの
光にとっての実効経路長はｎｄとなる。従って、入反射
波が打ち消し合う条件は下記式（１）で表される。 ２ｎｄ＝λ／２ （１） この式（１）を膜厚ｄについて表すと、下記式（２）で
表される。 ｄ＝λ／４ｎ （２）
をλとし、反射防止膜の屈折率をｎとすると、波長λの
光にとっての実効経路長はｎｄとなる。従って、入反射
波が打ち消し合う条件は下記式（１）で表される。 ２ｎｄ＝λ／２ （１） この式（１）を膜厚ｄについて表すと、下記式（２）で
表される。 ｄ＝λ／４ｎ （２）
【００５３】本実施の形態の露光光は水銀のｉ線を使用
しているので、λを３６５ｎｍとし、ＤＬＣからなる反
射防止膜の屈折率ｎは成膜条件によって変化するが、ｎ
は１．９〜２．４程度である。従って、上記式（２）よ
り、必要な反射防止膜の膜厚は４８ｎｍ〜３８ｎｍとな
る。屈折率ｎを大きくすると膜厚ｄを薄くすることがで
き、膜厚ｄを薄くすると成膜時間を短くでき、下地との
密着性も良くなるので有利である。
しているので、λを３６５ｎｍとし、ＤＬＣからなる反
射防止膜の屈折率ｎは成膜条件によって変化するが、ｎ
は１．９〜２．４程度である。従って、上記式（２）よ
り、必要な反射防止膜の膜厚は４８ｎｍ〜３８ｎｍとな
る。屈折率ｎを大きくすると膜厚ｄを薄くすることがで
き、膜厚ｄを薄くすると成膜時間を短くでき、下地との
密着性も良くなるので有利である。
【００５４】また、反射防止膜の消失係数ｋはある程度
大きくても良いが、大きすぎると不透明になり、反射防
止膜内の露光光の反射が少なくなり干渉効果が薄れてし
まう。従って、消失係数ｋは最大でも１程度が好まし
い。
大きくても良いが、大きすぎると不透明になり、反射防
止膜内の露光光の反射が少なくなり干渉効果が薄れてし
まう。従って、消失係数ｋは最大でも１程度が好まし
い。
【００５５】上述した反射防止膜２２を成膜する際の成
膜条件は、ＲＦ電力を５０Ｗ以上２ＫＷ以下とし、原料
ガスとして例えばＣ7Ｈ8ガスのような炭化水素ガスにＡ
ｒガスを混合したものを用い、この炭化水素ガスのガス
流量を１ｓｃｃｍ以上１００ｓｃｃｍ以下とし、Ａｒガ
スのガス流量を１ｓｃｃｍ以上１００ｓｃｃｍ以下と
し、原料ガスのガス圧を０．１ｍＴｏｒｒ以上１００ｍ
Ｔｏｒｒ以下とする。
膜条件は、ＲＦ電力を５０Ｗ以上２ＫＷ以下とし、原料
ガスとして例えばＣ7Ｈ8ガスのような炭化水素ガスにＡ
ｒガスを混合したものを用い、この炭化水素ガスのガス
流量を１ｓｃｃｍ以上１００ｓｃｃｍ以下とし、Ａｒガ
スのガス流量を１ｓｃｃｍ以上１００ｓｃｃｍ以下と
し、原料ガスのガス圧を０．１ｍＴｏｒｒ以上１００ｍ
Ｔｏｒｒ以下とする。
【００５６】なお、原料ガスとしてはＣ7Ｈ8ガス以外の
炭化水素ガスを用いることも可能であり、Ａｒガスを混
合せずに炭化水素ガスのみを原料ガスとして用いること
も可能である。但し、Ａｒガスを混合させる方が好まし
い。それにより、反射防止膜の屈折率を大きくできるか
らである。しかし、Ａｒガスの混合量を多くし過ぎると
Ａｒのスパッタ効果によって反射防止膜が成膜されない
ので、炭化水素ガス１に対してＡｒガスを１〜１０の割
合で混合することが好ましい。
炭化水素ガスを用いることも可能であり、Ａｒガスを混
合せずに炭化水素ガスのみを原料ガスとして用いること
も可能である。但し、Ａｒガスを混合させる方が好まし
い。それにより、反射防止膜の屈折率を大きくできるか
らである。しかし、Ａｒガスの混合量を多くし過ぎると
Ａｒのスパッタ効果によって反射防止膜が成膜されない
ので、炭化水素ガス１に対してＡｒガスを１〜１０の割
合で混合することが好ましい。
【００５７】また、より好ましいＲＦ電力は１００Ｗ以
上１ＫＷ以下であり、より好ましい炭化水素ガス流量は
１ｓｃｃｍ以上５ｓｃｃｍ以下であり、より好ましいＡ
ｒガス流量は０ｓｃｃｍより大きく２０ｓｃｃｍ以下で
あり、より好ましい原料ガスのガス圧は０．５ｍＴｏｒ
ｒ以上１０ｍＴｏｒｒ以下である。
上１ＫＷ以下であり、より好ましい炭化水素ガス流量は
１ｓｃｃｍ以上５ｓｃｃｍ以下であり、より好ましいＡ
ｒガス流量は０ｓｃｃｍより大きく２０ｓｃｃｍ以下で
あり、より好ましい原料ガスのガス圧は０．５ｍＴｏｒ
ｒ以上１０ｍＴｏｒｒ以下である。
【００５８】成膜条件のうちの原料ガス圧を低くするほ
ど、反射防止膜２２の光の屈折率を大きくすることがで
きる。しかし、原料ガス圧を下げ過ぎると平行平板のＣ
ＶＤ装置ではプラズマが着火しにくくなる。これを防止
するためには、ＣＶＤチャンバ内でフィラメントを点灯
させることが好ましい。フィラメントを点灯させること
によりチャンバ内で熱電子が放出され、その熱電子がプ
ラズマの着火のきっかけとなるからである。このように
フィラメントを点灯させることにより、原料ガス圧を低
くしても平行平板のＣＶＤ法による成膜が可能となる。
ど、反射防止膜２２の光の屈折率を大きくすることがで
きる。しかし、原料ガス圧を下げ過ぎると平行平板のＣ
ＶＤ装置ではプラズマが着火しにくくなる。これを防止
するためには、ＣＶＤチャンバ内でフィラメントを点灯
させることが好ましい。フィラメントを点灯させること
によりチャンバ内で熱電子が放出され、その熱電子がプ
ラズマの着火のきっかけとなるからである。このように
フィラメントを点灯させることにより、原料ガス圧を低
くしても平行平板のＣＶＤ法による成膜が可能となる。
【００５９】また、フィラメントを点灯させて成膜する
ことにより、より緻密な反射防止膜を形成でき、より高
屈折率の反射防止膜を得ることができる。つまり、フィ
ラメントを点灯しＣＶＤ成膜を行うと、チャンバ内の対
向する２枚の平板電極に連続的に印加される電圧Ｖｄｃ
が大きくなり、平板電極間のバイアスが大きくなり、そ
れによりイオン衝撃が大きくなり、その結果、より緻密
な反射防止膜を成膜できる。なお、反射防止膜の屈折率
が大きい方が良い理由については前述した通りである。
ことにより、より緻密な反射防止膜を形成でき、より高
屈折率の反射防止膜を得ることができる。つまり、フィ
ラメントを点灯しＣＶＤ成膜を行うと、チャンバ内の対
向する２枚の平板電極に連続的に印加される電圧Ｖｄｃ
が大きくなり、平板電極間のバイアスが大きくなり、そ
れによりイオン衝撃が大きくなり、その結果、より緻密
な反射防止膜を成膜できる。なお、反射防止膜の屈折率
が大きい方が良い理由については前述した通りである。
【００６０】また、成膜条件のうちのＲＦ電力は大きい
方が好ましい。ＲＦ電力を大きくするとイオン衝撃の効
果が大きくなるので、下地との密着性の良い反射防止膜
を成膜することができる。また、ＲＦ電力を大きくする
ほど、成膜された反射防止膜の屈折率が大きくなる傾向
がある。
方が好ましい。ＲＦ電力を大きくするとイオン衝撃の効
果が大きくなるので、下地との密着性の良い反射防止膜
を成膜することができる。また、ＲＦ電力を大きくする
ほど、成膜された反射防止膜の屈折率が大きくなる傾向
がある。
【００６１】尚、上記実施の形態では、フォトレジスト
膜２３を露光、現像することにより、フォトレジスト膜
に開口パターン２３ａを形成し、この開口パターン内に
メッキ法によりパーマロイを埋め込んでいるが、本発明
の微細加工方法は３以上のアスペクト比を有するレジス
トパターンを形成するものであれば、他の微細加工方法
に適用することも可能である。例えば、被エッチング膜
上にＤＬＣからなる反射防止膜を成膜し、この反射防止
膜上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト
膜を露光、現像することによりレジストパターンを形成
し、このレジストパターンをマスクとして反射防止膜を
エッチングして除去し、レジストパターンをマスクとし
て被エッチング膜をエッチングするという微細加工方法
に本発明を適用することも可能である。
膜２３を露光、現像することにより、フォトレジスト膜
に開口パターン２３ａを形成し、この開口パターン内に
メッキ法によりパーマロイを埋め込んでいるが、本発明
の微細加工方法は３以上のアスペクト比を有するレジス
トパターンを形成するものであれば、他の微細加工方法
に適用することも可能である。例えば、被エッチング膜
上にＤＬＣからなる反射防止膜を成膜し、この反射防止
膜上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト
膜を露光、現像することによりレジストパターンを形成
し、このレジストパターンをマスクとして反射防止膜を
エッチングして除去し、レジストパターンをマスクとし
て被エッチング膜をエッチングするという微細加工方法
に本発明を適用することも可能である。
【００６２】以下、上記実施の形態による反射防止膜の
評価結果について説明する。反射防止膜を成膜するＣＶ
Ｄ装置としては、ＣＶＤチャンバの基板電極をそのまま
ＲＦカソード電極として用い、プラズマウォールは銅板
でチャンバ内壁に接続したアースに落とした。プラズマ
ウォール内面はセラメッキシートを貼り付けた。フィラ
メント電極と電源の間にＲＦカットフィルタを入れた。
光学測定はエリプソメータNanospec8000xse（レーザー
波長３６５ｎｍ）を使用した。
評価結果について説明する。反射防止膜を成膜するＣＶ
Ｄ装置としては、ＣＶＤチャンバの基板電極をそのまま
ＲＦカソード電極として用い、プラズマウォールは銅板
でチャンバ内壁に接続したアースに落とした。プラズマ
ウォール内面はセラメッキシートを貼り付けた。フィラ
メント電極と電源の間にＲＦカットフィルタを入れた。
光学測定はエリプソメータNanospec8000xse（レーザー
波長３６５ｎｍ）を使用した。
【００６３】上記ＣＶＤ装置を用いて反射防止膜を成膜
した際の成膜条件は下記の通りである。 到達真空度：５×１０-6Ｔｏｒｒ未満 ＲＦ電極：１００〜５００Ｗ Ｃ7Ｈ8流量：１〜５ｓｃｃｍ Ａｒ流量：０〜２０ｓｃｃｍ ガス圧：０．５〜４．７ｍＴｏｒｒ 目標膜厚：５０ｎｍ
した際の成膜条件は下記の通りである。 到達真空度：５×１０-6Ｔｏｒｒ未満 ＲＦ電極：１００〜５００Ｗ Ｃ7Ｈ8流量：１〜５ｓｃｃｍ Ａｒ流量：０〜２０ｓｃｃｍ ガス圧：０．５〜４．７ｍＴｏｒｒ 目標膜厚：５０ｎｍ
【００６４】基板は４インチ角のＳｉ基板に厚さ１００
ｎｍのＮｉＦｅ薄膜をスパッタ蒸着したものを使用し
た。基板ホルダは総Ａｌ製の４インチ角基板用ホルダ
で、表面にセラメッキ処理したものとしないものの２種
類を用意した。ＤＬＣ成膜時、低ガス圧ではＲＦ放電し
ないことがある。放電しなかったときはフィラメントを
１００Ｗで点灯させてからＲＦをかけ、放電してからフ
ィラメントを切るようなシーケンスを組んだ。これによ
って０．５ｍＴｏｒｒでも放電開始させることができ
た。
ｎｍのＮｉＦｅ薄膜をスパッタ蒸着したものを使用し
た。基板ホルダは総Ａｌ製の４インチ角基板用ホルダ
で、表面にセラメッキ処理したものとしないものの２種
類を用意した。ＤＬＣ成膜時、低ガス圧ではＲＦ放電し
ないことがある。放電しなかったときはフィラメントを
１００Ｗで点灯させてからＲＦをかけ、放電してからフ
ィラメントを切るようなシーケンスを組んだ。これによ
って０．５ｍＴｏｒｒでも放電開始させることができ
た。
【００６５】次に、評価結果について説明する。エリプ
ソメータで光学定数ｎ，ｋと膜厚の測定を行った。その
結果、ｎ＝１．９５〜２．２５、ｋ＝０．１２〜０．２
５、成膜速度が０．２〜０．７ｎｍ／ｓｅｃであった。
ガス圧、ガス流量比を小さくするとｎ，ｋともに大きく
なり、成膜速度は小さくなる。電力を大きくするとｎ，
ｋともに大きくなる。４インチ角基板内の膜厚分布は低
ガス圧（０．５ｍＴｏｒｒ）、大出力（５００Ｗ）で±
２％程度となった。連続成膜の再現性はバッチ間膜厚で
±５．８％であった。
ソメータで光学定数ｎ，ｋと膜厚の測定を行った。その
結果、ｎ＝１．９５〜２．２５、ｋ＝０．１２〜０．２
５、成膜速度が０．２〜０．７ｎｍ／ｓｅｃであった。
ガス圧、ガス流量比を小さくするとｎ，ｋともに大きく
なり、成膜速度は小さくなる。電力を大きくするとｎ，
ｋともに大きくなる。４インチ角基板内の膜厚分布は低
ガス圧（０．５ｍＴｏｒｒ）、大出力（５００Ｗ）で±
２％程度となった。連続成膜の再現性はバッチ間膜厚で
±５．８％であった。
【００６６】次に、上記評価結果の検討について説明す
る。ＭＲヘッド用の反射防止膜として必要な条件として
は、下記（１）〜（３）などが挙げられる。 （１）屈折率が高いこと（薄い膜厚で済むこと） （２）パーマロイ（ＮｉＦｅ）に対して密着性が良いこ
と （３）膜厚、膜質分布が均一であること
る。ＭＲヘッド用の反射防止膜として必要な条件として
は、下記（１）〜（３）などが挙げられる。 （１）屈折率が高いこと（薄い膜厚で済むこと） （２）パーマロイ（ＮｉＦｅ）に対して密着性が良いこ
と （３）膜厚、膜質分布が均一であること
【００６７】条件（１）の屈折率ｎについては、ｎが大
きいほど反射防止膜の膜厚をより薄くすることが可能で
あり、それによって成膜工程時間の短縮が期待できる。
条件（２）については、従来のＤＣ放電によるＤＬＣ膜
では５０ｎｍていどの膜厚になるとパーマロイ上から剥
離してしまうので、密着性の良い中間層を使用するなど
の対策が必要である。しかし、ｎ値が大きければ膜厚が
薄くて済むため、内部応力も低減され、剥離防止にも効
果がある。従って、ｎを大きく取ることで中間層なしで
も必要十分な密着性を持たせることができると考えられ
る。
きいほど反射防止膜の膜厚をより薄くすることが可能で
あり、それによって成膜工程時間の短縮が期待できる。
条件（２）については、従来のＤＣ放電によるＤＬＣ膜
では５０ｎｍていどの膜厚になるとパーマロイ上から剥
離してしまうので、密着性の良い中間層を使用するなど
の対策が必要である。しかし、ｎ値が大きければ膜厚が
薄くて済むため、内部応力も低減され、剥離防止にも効
果がある。従って、ｎを大きく取ることで中間層なしで
も必要十分な密着性を持たせることができると考えられ
る。
【００６８】直接ＤＬＣ成膜した基板を大気中に放置し
ておいた場合、ＲＦ電力を小さくしたもの（１００Ｗ）
は剥離が生じ易く、ＲＦ電力を大きくしたもの（３００
〜５００Ｗ）は比較的剥離しにくかった。これはＲＦに
よって生じる電圧Ｖｄｃが大きいほど基板へのイオン衝
撃が大きくなり密着性が高まるためと考えられる。Ｖｄ
ｃの値はＲＦ電力が１００Ｗでおよそ２００Ｖとなり、
ＲＦ電力が３００Ｗでおよそ４００Ｗとなり、ＲＦ電力
が５００Ｗでおよそ５５０Ｖとなった。ｎ値は今回の条
件では５００Ｗでｎ＝２．２３となった。この値を用い
て必要な膜厚を計算すると４０．９ｎｍとなる。ｎ値は
ＲＦ電力の増大に伴いほぼ直線的に増加するので、ＲＦ
電力を５００Ｗ以上にしてｎ値を大きくする余地があ
る。
ておいた場合、ＲＦ電力を小さくしたもの（１００Ｗ）
は剥離が生じ易く、ＲＦ電力を大きくしたもの（３００
〜５００Ｗ）は比較的剥離しにくかった。これはＲＦに
よって生じる電圧Ｖｄｃが大きいほど基板へのイオン衝
撃が大きくなり密着性が高まるためと考えられる。Ｖｄ
ｃの値はＲＦ電力が１００Ｗでおよそ２００Ｖとなり、
ＲＦ電力が３００Ｗでおよそ４００Ｗとなり、ＲＦ電力
が５００Ｗでおよそ５５０Ｖとなった。ｎ値は今回の条
件では５００Ｗでｎ＝２．２３となった。この値を用い
て必要な膜厚を計算すると４０．９ｎｍとなる。ｎ値は
ＲＦ電力の増大に伴いほぼ直線的に増加するので、ＲＦ
電力を５００Ｗ以上にしてｎ値を大きくする余地があ
る。
【００６９】上記条件（４）の膜厚分布は、４インチ角
基板内の９点測定で７〜８％前後のものが多かった。条
件をうまく選ぶことで約２％まで改善することができ
た。各サンプルの分布を比較すると、５００Ｗでは１ｍ
Ｔｏｒｒ以下、Ｃ7Ｈ8流量５ｃｃ以下で分布が良く、３
００Ｗでは０．５ｍＴｏｒｒ以下、Ｃ7Ｈ8流量１ｃｃ以
下で分布が良いと言える。以上より、ＲＦ電力は大き
く、Ｃ7Ｈ8流量とガス圧は低くすることで分布を改善す
ることができると考えられる。
基板内の９点測定で７〜８％前後のものが多かった。条
件をうまく選ぶことで約２％まで改善することができ
た。各サンプルの分布を比較すると、５００Ｗでは１ｍ
Ｔｏｒｒ以下、Ｃ7Ｈ8流量５ｃｃ以下で分布が良く、３
００Ｗでは０．５ｍＴｏｒｒ以下、Ｃ7Ｈ8流量１ｃｃ以
下で分布が良いと言える。以上より、ＲＦ電力は大き
く、Ｃ7Ｈ8流量とガス圧は低くすることで分布を改善す
ることができると考えられる。
【００７０】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
ハードディスクヘッド以外の電子部品又は種々のマイク
ロマシンに本発明を適用することも可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
ハードディスクヘッド以外の電子部品又は種々のマイク
ロマシンに本発明を適用することも可能である。
【００７１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
アスペクト比のパターンであってもフォトレジスト膜に
露光できる微細加工方法、反射防止膜及びその成膜方法
を提供することができる。また、高アスペクト比のパタ
ーンをフォトレジスト膜に露光することにより、高アス
ペクト比の書き込み磁極を形成できるハードディスクヘ
ッドの製造方法を提供することができる。
アスペクト比のパターンであってもフォトレジスト膜に
露光できる微細加工方法、反射防止膜及びその成膜方法
を提供することができる。また、高アスペクト比のパタ
ーンをフォトレジスト膜に露光することにより、高アス
ペクト比の書き込み磁極を形成できるハードディスクヘ
ッドの製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態による微細加工方法を用い
て製造されたハードディスクヘッドの一部を示す断面図
である。
て製造されたハードディスクヘッドの一部を示す断面図
である。
【図２】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態による
微細加工方法を示す断面図である。
微細加工方法を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、従来の微細加工方法を示す
断面図である。
断面図である。
１２…下部シールド層 １３，１５，１７，１９…絶縁層 １４…ＭＲ素子 １６…上部シールド層 １８，１１８…書き込み磁極 １９ａ…傾斜部分 ２０…書き込みコイル ２１…メッキ用シード層 ２２…反射防止膜 ２３，１２３…フォトレジスト膜 ２３ａ，１２３ａ…開口パターン ２５…Ｏ2アッシング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 5/31 Ｇ１１Ｂ 5/31 Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７４ (72)発明者 小林 巧 千葉県流山市大字西平井956番地の１株式 会社ユーテック内 Ｆターム(参考） 2H025 AB17 DA34 FA03 FA14 FA41 FA43 2H096 AA27 CA06 EA00 GA00 HA23 HA27 JA04 2H097 CA12 LA20 5D033 BB43 DA02 DA04 DA08 DA09 DA31 5F046 PA11
Claims (19)
- 【請求項１】 下地膜上にＤＬＣからなる反射防止膜を
成膜する工程と、 この反射防止膜上にフォトレジスト膜を塗布する工程
と、 このフォトレジスト膜を露光、現像する工程と、 を具備することを特徴とする微細加工方法。 - 【請求項２】 上記下地膜の表面が傾斜部を有すること
を特徴とする請求項１記載の微細加工方法。 - 【請求項３】 上記フォトレジスト膜を露光、現像する
工程においてフォトレジスト膜を露光するパターンの少
なくとも一部が３以上のアスペクト比を有するラインパ
ターンであることを特徴とする請求項１又は２記載の微
細加工方法。 - 【請求項４】 導電膜上にＤＬＣからなる反射防止膜を
成膜する工程と、 この反射防止膜上にフォトレジスト膜を塗布する工程
と、 このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、該
フォトレジスト膜に開口パターンを形成する工程と、 フォトレジスト膜をマスクとしてエッチングすることに
より、開口パターン内に露出している反射防止膜を除去
する工程と、 メッキ法により開口パターン内に導電膜を埋め込む工程
と、 を具備することを特徴とする微細加工方法。 - 【請求項５】 上記導電膜は、パーマロイであることを
特徴とする請求項４記載の微細加工方法。 - 【請求項６】 上記導電膜の表面が傾斜部を有すること
を特徴とする請求項４又は５記載の微細加工方法。 - 【請求項７】 上記開口パターンの少なくとも一部が３
以上のアスペクト比を有するラインパターンであること
を特徴とする請求項４〜６のうちいずれか１項記載の微
細加工方法。 - 【請求項８】 被エッチング膜上にＤＬＣからなる反射
防止膜を成膜する工程と、 この反射防止膜上にフォトレジスト膜を塗布する工程
と、 このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、レ
ジストパターンを形成する工程と、 このレジストパターンをマスクとして反射防止膜をエッ
チングして除去する工程と、 レジストパターンをマスクとして被エッチング膜をエッ
チングする工程と、 を具備することを特徴とする微細加工方法。 - 【請求項９】 上記被エッチング膜が傾斜部を有するこ
とを特徴とする請求項８記載の微細加工方法。 - 【請求項１０】 上記レジストパターンの少なくとも一
部が３以上のアスペクト比を有するラインパターンであ
ることを特徴とする請求項８又は９記載の微細加工方
法。 - 【請求項１１】 上記反射防止膜を成膜する工程におい
ては、チャンバ内に炭化水素ガスとＡｒガスを混合した
原料ガスを導入し、５０Ｗ以上２ＫＷ以下のＲＦ電力を
加え、フィラメントを点灯させてプラズマを放電させる
ことにより、ＤＬＣからなる反射防止膜を成膜すること
を特徴とする請求項１〜１０のうちいずれか１項記載の
微細加工方法。 - 【請求項１２】 上記炭化水素ガスとＡｒガスの混合比
が１：１以上１：１０以下であることを特徴とする請求
項１１記載の微細加工方法。 - 【請求項１３】 上記反射防止膜の屈折率をｎとし、露
光時に波長λの露光光を用いた場合、上記反射防止膜の
厚さｄは下記式を満たすものであることを特徴とする請
求項１〜１２のうちいずれか１項記載の微細加工方法。 ｄ＝λ／４ｎ - 【請求項１４】 微細加工を行う際にフォトレジスト膜
の下に形成するための反射防止膜であって、 ＤＬＣ膜からなることを特徴とする反射防止膜。 - 【請求項１５】 微細加工を行う際にフォトレジスト膜
の下に形成するための反射防止膜の成膜方法であって、 チャンバ内に炭化水素ガスとＡｒガスを混合した原料ガ
スを導入し、５０Ｗ以上２ＫＷ以下のＲＦ電力を加え、
フィラメントを点灯させてプラズマを放電させることに
より、ＤＬＣからなる反射防止膜を成膜することを特徴
とする反射防止膜の成膜方法。 - 【請求項１６】 上記炭化水素ガスとＡｒガスの混合比
が１：１以上１：１０以下であることを特徴とする請求
項１５記載の反射防止膜の成膜方法。 - 【請求項１７】 上記反射防止膜の屈折率をｎとし、露
光時に波長λの露光光を用いた場合、上記反射防止膜の
厚さｄは下記式を満たすものであることを特徴とする請
求項１５又は１６記載の反射防止膜の成膜方法。 ｄ＝λ／４ｎ - 【請求項１８】 ＭＲ素子の上方にシールド層を形成す
る工程と、 このシールド層上に第１の絶縁層を形成する工程と、 第１の絶縁層上にＮｉＦｅからなるメッキ用シード層を
形成する工程と、 このメッキ用シード層上にＤＬＣからなる反射防止膜を
形成する工程と、 この反射防止膜上にフォトレジスト膜を塗布する工程
と、 このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、幅
０．７μｍ以下で高さ３μｍ以上の開口パターンを形成
する工程と、 フォトレジスト膜をマスクとしてエッチングすることに
より、開口パターン内に露出している反射防止膜を除去
する工程と、 開口パターン内のメッキ用シード層上にメッキ法により
ＮｉＦｅ膜を埋め込む工程と、 フォトレジスト膜及び反射防止膜を除去する工程と、 上記埋め込まれたＮｉＦｅ膜、メッキ用シード層、第１
の絶縁層、シールド層をエッチング又はイオンミリング
することにより、第１の絶縁層上にＮｉＦｅ膜からなる
書き込み磁極を形成する工程と、 を具備し、 上記メッキ用シード層は傾斜部を有し、 上記反射防止膜を形成する工程においては、チャンバ内
に炭化水素ガスとＡｒガスを混合した原料ガスを導入
し、５０Ｗ以上２ＫＷ以下のＲＦ電力を加え、フィラメ
ントを点灯させてプラズマを放電させることにより反射
防止膜を形成するものであり、 上記炭化水素ガスとＡｒガスの混合比が１：１以上１：
１０以下であることを特徴とするハードディスクヘッド
の製造方法。 - 【請求項１９】 上記反射防止膜の屈折率をｎとし、露
光時に波長λの露光光を用いた場合、上記反射防止膜の
厚さｄは下記式を満たすものであることを特徴とする請
求項１８記載のハードディスクヘッドの製造方法。 ｄ＝λ／４ｎ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000218577A JP4542678B2 (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 微細加工方法、反射防止膜及びその成膜方法、ハードディスクヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000218577A JP4542678B2 (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 微細加工方法、反射防止膜及びその成膜方法、ハードディスクヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002031893A true JP2002031893A (ja) | 2002-01-31 |
| JP4542678B2 JP4542678B2 (ja) | 2010-09-15 |
Family
ID=18713502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000218577A Expired - Fee Related JP4542678B2 (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 微細加工方法、反射防止膜及びその成膜方法、ハードディスクヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4542678B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101173774B1 (ko) | 2008-06-30 | 2012-08-16 | 인텔 코오퍼레이션 | Ｃ４ 패드들 사이에 라인/간격 라우팅을 제조하기 위한 방법 |
| JP2015070103A (ja) * | 2013-09-29 | 2015-04-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05114558A (ja) * | 1990-11-27 | 1993-05-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH08330249A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09180127A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-11 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH10289419A (ja) * | 1997-04-14 | 1998-10-27 | Tdk Corp | 薄膜ヘッドとその製造方法 |
| JPH11150115A (ja) * | 1997-08-25 | 1999-06-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 多層構造およびその製造方法 |
| JP2000020915A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JP2000067465A (ja) * | 1998-08-20 | 2000-03-03 | Teijin Ltd | 光記録媒体およびその製造方法 |
| JP2000104171A (ja) * | 1993-07-20 | 2000-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 被膜形成方法 |
-
2000
- 2000-07-19 JP JP2000218577A patent/JP4542678B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05114558A (ja) * | 1990-11-27 | 1993-05-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000104171A (ja) * | 1993-07-20 | 2000-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 被膜形成方法 |
| JPH08330249A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09180127A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-11 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH10289419A (ja) * | 1997-04-14 | 1998-10-27 | Tdk Corp | 薄膜ヘッドとその製造方法 |
| JPH11150115A (ja) * | 1997-08-25 | 1999-06-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 多層構造およびその製造方法 |
| JP2000020915A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JP2000067465A (ja) * | 1998-08-20 | 2000-03-03 | Teijin Ltd | 光記録媒体およびその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101173774B1 (ko) | 2008-06-30 | 2012-08-16 | 인텔 코오퍼레이션 | Ｃ４ 패드들 사이에 라인/간격 라우팅을 제조하기 위한 방법 |
| JP2015070103A (ja) * | 2013-09-29 | 2015-04-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4542678B2 (ja) | 2010-09-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4863557A (en) | Pattern forming process and thin-film magnetic head formed by said process | |
| JP3004002B2 (ja) | 反射防止コーティングおよびその形成方法 | |
| US7662235B2 (en) | Method of cleaning etching apparatus | |
| US20030102286A1 (en) | Surface treatment process | |
| JPH07183194A (ja) | 多層レジストパターン形成方法 | |
| JPS6037130A (ja) | 薄膜のパタ−ニング方法 | |
| JPH09115111A (ja) | パターニングされた金属層形成方法 | |
| TWI406335B (zh) | A plasma etch method and a computer readable memory medium | |
| US7018934B2 (en) | Methods and apparatus for etching metal layers on substrates | |
| JP2024026599A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US20020155725A1 (en) | Method and apparatus for etching photomasks | |
| JPS581878A (ja) | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 | |
| JP4542678B2 (ja) | 微細加工方法、反射防止膜及びその成膜方法、ハードディスクヘッドの製造方法 | |
| JPH09139386A (ja) | 非平面層の平坦化方法 | |
| KR100666020B1 (ko) | 자기헤드에 대한 시드층 제거를 위한 방법 | |
| JPH05326380A (ja) | 薄膜組成物とこれを用いたｘ線露光用マスク | |
| KR0147996B1 (ko) | 박막 헤드의 패턴 평탄화 방법 | |
| JP4498662B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH05175167A (ja) | Ｓｉのドライエッチング方法及びこれに使用するための炭素マスク | |
| AU7502098A (en) | Method of forming a silicon layer on a surface | |
| JP2012212760A (ja) | レジストパターン形成方法およびモールド製造方法 | |
| JPH07235016A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| KR100256073B1 (ko) | 박막 자기헤드의 자성층 식각방법 | |
| Hsiao et al. | Selective SiO2/Al2O3 etching in CF4 and SF6 high-density plasma | |
| JPH1196512A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070706 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100202 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100209 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100409 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100615 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100628 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4542678 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |