JP2002026082A - 配線基板及びその製造方法、半導体装置、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
配線基板及びその製造方法、半導体装置、回路基板並びに電子機器Info
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- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ベース基板の屈曲性を確保しつつ、製品の信
頼性を高めることができる配線基板及びその製造方法、
半導体装置、回路基板並びに電子機器を提供することに
ある。 【解決手段】 配線基板の製造方法は、屈曲可能なベー
ス基板１０の一方の面に基材３０を貼り付け、所定の工
程を、前記ベース基板１０を前記基材３０で補強した状
態で行い、前記基材３０の一部を取り除き、前記一方の
面に、前記基材３０が貼り付けられていない第１の部分
１４と、前記基材３０が貼り付けられた第２の部分１６
と、を形成する工程を含む。
頼性を高めることができる配線基板及びその製造方法、
半導体装置、回路基板並びに電子機器を提供することに
ある。 【解決手段】 配線基板の製造方法は、屈曲可能なベー
ス基板１０の一方の面に基材３０を貼り付け、所定の工
程を、前記ベース基板１０を前記基材３０で補強した状
態で行い、前記基材３０の一部を取り除き、前記一方の
面に、前記基材３０が貼り付けられていない第１の部分
１４と、前記基材３０が貼り付けられた第２の部分１６
と、を形成する工程を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板及びその
製造方法、半導体装置、回路基板並びに電子機器に関す
る。
製造方法、半導体装置、回路基板並びに電子機器に関す
る。
【０００２】
【発明の背景】極めて薄い長尺状のベース基板をリール
・トゥ・リールの工程で製造するときに、ベース基板の
裏面に別の裏打ちテープを貼り付けることで剛性を確保
し、ベース基板を円滑に搬送している。その後、裏打ち
テープは剥がされ、極めて薄いベース基板を有する半導
体装置が完成する。
・トゥ・リールの工程で製造するときに、ベース基板の
裏面に別の裏打ちテープを貼り付けることで剛性を確保
し、ベース基板を円滑に搬送している。その後、裏打ち
テープは剥がされ、極めて薄いベース基板を有する半導
体装置が完成する。
【０００３】ところで、極めて薄いベース基板は、屈曲
が容易である点で、実装するときの自由度が広がるとい
う長所を有する。しかし、その反面で例えば、コネクタ
によって挟む部分が薄すぎて挟めない場合や、配線パタ
ーンの接合部の領域が屈曲して半導体チップとの電気的
接続が図れない場合があり、半導体装置の信頼性を損な
う場合があった。
が容易である点で、実装するときの自由度が広がるとい
う長所を有する。しかし、その反面で例えば、コネクタ
によって挟む部分が薄すぎて挟めない場合や、配線パタ
ーンの接合部の領域が屈曲して半導体チップとの電気的
接続が図れない場合があり、半導体装置の信頼性を損な
う場合があった。
【０００４】本発明はこの問題点を解決するためのもの
であり、その目的は、ベース基板の屈曲性を確保しつ
つ、製品の信頼性を高めることができる配線基板及びそ
の製造方法、半導体装置、回路基板並びに電子機器を提
供することにある。
であり、その目的は、ベース基板の屈曲性を確保しつ
つ、製品の信頼性を高めることができる配線基板及びそ
の製造方法、半導体装置、回路基板並びに電子機器を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る配線
基板の製造方法は、屈曲可能なベース基板の一方の面に
基材を貼り付け、所定の工程を、前記ベース基板を前記
基材で補強した状態で行い、前記基材の一部を取り除
き、前記一方の面に、前記基材が貼り付けられていない
第１の部分と、前記基材が貼り付けられた第２の部分
と、を形成する工程を含む。
基板の製造方法は、屈曲可能なベース基板の一方の面に
基材を貼り付け、所定の工程を、前記ベース基板を前記
基材で補強した状態で行い、前記基材の一部を取り除
き、前記一方の面に、前記基材が貼り付けられていない
第１の部分と、前記基材が貼り付けられた第２の部分
と、を形成する工程を含む。
【０００６】本発明によれば、所定の工程を行うために
ベース基板に基材を貼り付け、その基材の一部を取り除
くことによって、第１及び第２の部分を形成する。これ
により、ベース基板を、第１の部分において屈曲しやす
くし、第２の部分において第１の部分よりも屈曲しにく
くすることができる。すなわち、部分的にベース基板を
補強することができる。また、例えば、ベース基板に基
材を貼り付け、その後に剥がすという工程で、容易に第
１及び第２の部分を形成できる。
ベース基板に基材を貼り付け、その基材の一部を取り除
くことによって、第１及び第２の部分を形成する。これ
により、ベース基板を、第１の部分において屈曲しやす
くし、第２の部分において第１の部分よりも屈曲しにく
くすることができる。すなわち、部分的にベース基板を
補強することができる。また、例えば、ベース基板に基
材を貼り付け、その後に剥がすという工程で、容易に第
１及び第２の部分を形成できる。
【０００７】（２）この配線基板において、前記ベース
基板は、長尺状をなし、前記ベース基板を、前記基材を
貼り付けた状態で一対のリールに掛け渡し、前記ベース
基板を一方のリールから引き出して他方のリールに巻き
取らせる間に前記所定の工程を行ってもよい。
基板は、長尺状をなし、前記ベース基板を、前記基材を
貼り付けた状態で一対のリールに掛け渡し、前記ベース
基板を一方のリールから引き出して他方のリールに巻き
取らせる間に前記所定の工程を行ってもよい。
【０００８】これにより、リールによってベース基板を
搬送させるために補強した基材を使用して、ベース基板
に第１及び第２の部分を形成できる。
搬送させるために補強した基材を使用して、ベース基板
に第１及び第２の部分を形成できる。
【０００９】（３）この配線基板において、前記所定の
工程は、前記ベース基板に配線パターンを形成する工程
を含んでもよい。
工程は、前記ベース基板に配線パターンを形成する工程
を含んでもよい。
【００１０】これにより、ベース基板に配線パターンを
形成し、かつ、部分的にベース基板を補強した配線基板
を製造できる。
形成し、かつ、部分的にベース基板を補強した配線基板
を製造できる。
【００１１】（４）本発明に係る配線基板は、上記配線
基板の製造方法によって製造されてなる。
基板の製造方法によって製造されてなる。
【００１２】（５）本発明に係る配線基板は、屈曲可能
なベース基板と、前記ベース基板の一方の面に形成され
た配線パターンと、前記ベース基板の他方の面に部分的
に貼り付けられた基材と、を含み、前記ベース基板は、
前記基材が貼り付けられていない第１の部分と、前記基
材が貼り付けられ前記第１の部分よりも屈曲しにくい第
２の部分と、を有する。
なベース基板と、前記ベース基板の一方の面に形成され
た配線パターンと、前記ベース基板の他方の面に部分的
に貼り付けられた基材と、を含み、前記ベース基板は、
前記基材が貼り付けられていない第１の部分と、前記基
材が貼り付けられ前記第１の部分よりも屈曲しにくい第
２の部分と、を有する。
【００１３】本発明によれば、ベース基板を、第１の部
分において屈曲しやすくし、第２の部分において第１の
部分よりも屈曲しにくくすることができる。すなわち、
部分的にベース基板を補強することができる。これによ
り、補強した第２の部分において半導体チップ等の他の
部材を接続して、配線基板と半導体チップ等との接続信
頼性を高めることができる。したがって、屈曲させたい
部分では容易に屈曲可能であり、かつ、半導体チップ等
の他の部材との接続信頼性を高めた配線基板を提供する
ことができる。
分において屈曲しやすくし、第２の部分において第１の
部分よりも屈曲しにくくすることができる。すなわち、
部分的にベース基板を補強することができる。これによ
り、補強した第２の部分において半導体チップ等の他の
部材を接続して、配線基板と半導体チップ等との接続信
頼性を高めることができる。したがって、屈曲させたい
部分では容易に屈曲可能であり、かつ、半導体チップ等
の他の部材との接続信頼性を高めた配線基板を提供する
ことができる。
【００１４】（６）この配線基板において、前記配線パ
ターンは他の部材との接合部を有し、前記第２の部分
は、前記ベース基板における前記配線パターンの前記接
合部が形成された部分を含んでもよい。
ターンは他の部材との接合部を有し、前記第２の部分
は、前記ベース基板における前記配線パターンの前記接
合部が形成された部分を含んでもよい。
【００１５】これにより、配線基板における配線パター
ンの接合部を屈曲しにくいようにすることができる。す
なわち、配線基板の接合部を補強して平坦にすること
で、配線基板と、例えば半導体チップとの電気的接続の
信頼性を高めることができる。
ンの接合部を屈曲しにくいようにすることができる。す
なわち、配線基板の接合部を補強して平坦にすること
で、配線基板と、例えば半導体チップとの電気的接続の
信頼性を高めることができる。
【００１６】また、配線パターンの接合部が形成された
領域を含んで基材が形成されることで、その領域を厚く
形成できる。これにより、極めて薄いベース基板を使用
した場合でも、例えばコネクタなどによって配線基板の
接合部を容易に挟むことができる。
領域を含んで基材が形成されることで、その領域を厚く
形成できる。これにより、極めて薄いベース基板を使用
した場合でも、例えばコネクタなどによって配線基板の
接合部を容易に挟むことができる。
【００１７】（７）この配線基板において、前記第２の
部分は、半導体チップの搭載領域に対応して形成されて
もよい。
部分は、半導体チップの搭載領域に対応して形成されて
もよい。
【００１８】これにより、ベース基板の半導体チップの
搭載領域を、補強して平坦にすることができる。したが
って、半導体チップとの接続信頼性を高めた配線基板を
提供することができる。
搭載領域を、補強して平坦にすることができる。したが
って、半導体チップとの接続信頼性を高めた配線基板を
提供することができる。
【００１９】（８）本発明に係る半導体装置は、上記配
線基板と、前記配線基板に搭載された半導体チップと、
を含む。
線基板と、前記配線基板に搭載された半導体チップと、
を含む。
【００２０】（９）本発明に係る回路基板は、上記半導
体装置が電気的に接続されている。
体装置が電気的に接続されている。
【００２１】（１０）本発明に係る電子機器は、上記半
導体装置を有する。
導体装置を有する。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、
以下の実施の形態に限定されるものではない。
について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、
以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００２３】図１は、本実施の形態に係る配線基板の平
面図を示す図である。また、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）
は本実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図であ
り、図２（Ｂ）は図１におけるIIＢ−IIＢ線断面図であ
る。なお、図３は、本実施の形態に係る半導体装置を説
明するための図である。本実施の形態における配線基板
は、ベース基板１０と、配線パターン２０と、基材３０
と、を含む。
面図を示す図である。また、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）
は本実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図であ
り、図２（Ｂ）は図１におけるIIＢ−IIＢ線断面図であ
る。なお、図３は、本実施の形態に係る半導体装置を説
明するための図である。本実施の形態における配線基板
は、ベース基板１０と、配線パターン２０と、基材３０
と、を含む。
【００２４】ベース基板１０は、屈曲できるものであ
る。ベース基板１０は、有機系の材料から形成されたも
のであってもよい。有機系の材料から形成された基板１
０として、例えばポリイミド樹脂などからなるフレキシ
ブル基板が挙げられる。フレキシブル基板として、ＦＰ
Ｃ（Flexible Printed Circuit）と呼ばれる基板を使用
してもよい。フレキシブル基板は、極めて薄く（例えば
２５〜４０μｍ程度）形成されているものが多く、これ
によりベース基板１０を容易に屈曲させて、実装形態の
自由度を高めることができるという利点がある。本発明
は、このような極めて薄いベース基板１０を使用する場
合に、特に効果的である。なお、ベース基板１０は、上
述とは別に、無機系の材料を含むものであってもよい。
る。ベース基板１０は、有機系の材料から形成されたも
のであってもよい。有機系の材料から形成された基板１
０として、例えばポリイミド樹脂などからなるフレキシ
ブル基板が挙げられる。フレキシブル基板として、ＦＰ
Ｃ（Flexible Printed Circuit）と呼ばれる基板を使用
してもよい。フレキシブル基板は、極めて薄く（例えば
２５〜４０μｍ程度）形成されているものが多く、これ
によりベース基板１０を容易に屈曲させて、実装形態の
自由度を高めることができるという利点がある。本発明
は、このような極めて薄いベース基板１０を使用する場
合に、特に効果的である。なお、ベース基板１０は、上
述とは別に、無機系の材料を含むものであってもよい。
【００２５】図１に示すように、ベース基板１０は、長
尺状をなすものであってもよい。長尺状のベース基板１
０は、いわゆるリール・トゥ・リールの工程に使用され
るものであってもよい。すなわち、本実施の形態に係る
配線基板は、完成品として長尺状をなしていてもよい。
この場合に、長尺状のベース基板１０には、幅方向の両
側端部であって、長さ方向に並ぶ複数のスプロケットホ
ール１２が形成されてもよい。スプロケットホール１２
に、スプロケット（図示しない）を噛み合わせること
で、ベース基板１０は長手方向に搬送することが可能と
なる。
尺状をなすものであってもよい。長尺状のベース基板１
０は、いわゆるリール・トゥ・リールの工程に使用され
るものであってもよい。すなわち、本実施の形態に係る
配線基板は、完成品として長尺状をなしていてもよい。
この場合に、長尺状のベース基板１０には、幅方向の両
側端部であって、長さ方向に並ぶ複数のスプロケットホ
ール１２が形成されてもよい。スプロケットホール１２
に、スプロケット（図示しない）を噛み合わせること
で、ベース基板１０は長手方向に搬送することが可能と
なる。
【００２６】あるいは、本実施の形態に係る配線基板
は、ベース基板１０が既に個片切断されたものであって
もよく、その形状は限定されない。ベース基板１０の個
片切断されたものとして、上述の長尺状をなすベース基
板１０の一部が打ち抜かれたものであってもよい。
は、ベース基板１０が既に個片切断されたものであって
もよく、その形状は限定されない。ベース基板１０の個
片切断されたものとして、上述の長尺状をなすベース基
板１０の一部が打ち抜かれたものであってもよい。
【００２７】配線パターン２０は、基板１０の一方の面
に形成されている。配線パターン２０は、直線又は曲線
形状をなして形成されてもよく、一部が屈曲して形成さ
れてもよい。また、図１に示す例では、配線パターン２
０は、ベース基板１０の長手方向に沿って延びて形成さ
れているが、これに限定されず、幅方向又はあらゆる方
向に延びて形成されても構わない。
に形成されている。配線パターン２０は、直線又は曲線
形状をなして形成されてもよく、一部が屈曲して形成さ
れてもよい。また、図１に示す例では、配線パターン２
０は、ベース基板１０の長手方向に沿って延びて形成さ
れているが、これに限定されず、幅方向又はあらゆる方
向に延びて形成されても構わない。
【００２８】配線パターン２０は、一層又は複数層から
形成される。配線パターン２０は、例えば、銅（Ｃ
ｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、金（Ａｕ）、ア
ルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、
タングステン（Ｗ）のいずれか一つ又は複数の材料によ
って形成されてもよい。配線パターン２０は、金属箔状
に設けられたものをエッチングして形成されてもよい。
あるいは、配線パターン２０は、スパッタリング又はメ
ッキ処理（電解メッキ又は無電解メッキ）等で形成され
てもよい。また、配線パターン２０は、接着剤を介して
ベース基板１０に貼り付けられてもよく、あるいは接着
剤なしで形成されてもよい。ベース基板１０に配線パタ
ーン２０が形成されることで、それらを配線基板と称す
ることができる。
形成される。配線パターン２０は、例えば、銅（Ｃ
ｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、金（Ａｕ）、ア
ルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、
タングステン（Ｗ）のいずれか一つ又は複数の材料によ
って形成されてもよい。配線パターン２０は、金属箔状
に設けられたものをエッチングして形成されてもよい。
あるいは、配線パターン２０は、スパッタリング又はメ
ッキ処理（電解メッキ又は無電解メッキ）等で形成され
てもよい。また、配線パターン２０は、接着剤を介して
ベース基板１０に貼り付けられてもよく、あるいは接着
剤なしで形成されてもよい。ベース基板１０に配線パタ
ーン２０が形成されることで、それらを配線基板と称す
ることができる。
【００２９】配線パターン２０は、他の部材との接合部
２２を有する。接合部２２は複数形成される。詳しく
は、接合部２２は、後述する半導体チップ５０又はその
他の電子部品に電気的に接続するためのものである。図
１に示す例では、配線パターン２０は、各接合部２２に
つながる配線を有する。接合部２２は、図示するように
接合部２２につながる配線とほぼ同じ幅を有して形成さ
れてもよく、あるいは各配線の幅よりも大きい幅を有す
る、いわゆるランド部となって形成されてもよい。後者
の場合は、接合部２２の面積を広くして電気的接続を確
実に図ることができる。なお、接合部２２は、図示する
ように配線パターン２２の端部に形成されてもよく、あ
るいは端部以外に形成されてもよい。
２２を有する。接合部２２は複数形成される。詳しく
は、接合部２２は、後述する半導体チップ５０又はその
他の電子部品に電気的に接続するためのものである。図
１に示す例では、配線パターン２０は、各接合部２２に
つながる配線を有する。接合部２２は、図示するように
接合部２２につながる配線とほぼ同じ幅を有して形成さ
れてもよく、あるいは各配線の幅よりも大きい幅を有す
る、いわゆるランド部となって形成されてもよい。後者
の場合は、接合部２２の面積を広くして電気的接続を確
実に図ることができる。なお、接合部２２は、図示する
ように配線パターン２２の端部に形成されてもよく、あ
るいは端部以外に形成されてもよい。
【００３０】配線パターン２０は、その表面にスズメッ
キなどのメッキ処理が施されていてもよい。また、配線
パターン２０は、少なくとも接合部２２を除いて、図示
しないレジスト等の保護膜によって覆われていてもよ
い。これにより、意図しない箇所での配線パターン２０
のショートを防止することができる。
キなどのメッキ処理が施されていてもよい。また、配線
パターン２０は、少なくとも接合部２２を除いて、図示
しないレジスト等の保護膜によって覆われていてもよ
い。これにより、意図しない箇所での配線パターン２０
のショートを防止することができる。
【００３１】図１において破線で示すように基材３０
は、ベース基板１０における配線パターン２０が形成さ
れた側とは反対側の面に、部分的に貼り付けられてい
る。基材３０の材料は特に限定されないが、例えばベー
ス基板１０と同じ材料からなるものであってもよい。ま
た、基材３０は、ベース基板１０よりも厚く形成されて
いてもよい（図２（Ｂ）参照）。この場合に、基材３０
は、ベース基板１０の数倍厚く形成されていてもよい。
こうすることで、基材３０が、ベース基板１０と同じ屈
曲可能なものであっても、ベース基板１０を一部におい
て屈曲しにくくすることができる。基材３０は、ベース
基板１０に接着剤４０（図２（Ｂ）参照）によって貼り
付けられてもよい。なお、基材３０は、その形成部分に
おいてベース基板１０を屈曲しにくくすることができれ
ば、材料、形状及びその他の形態は限定されない。
は、ベース基板１０における配線パターン２０が形成さ
れた側とは反対側の面に、部分的に貼り付けられてい
る。基材３０の材料は特に限定されないが、例えばベー
ス基板１０と同じ材料からなるものであってもよい。ま
た、基材３０は、ベース基板１０よりも厚く形成されて
いてもよい（図２（Ｂ）参照）。この場合に、基材３０
は、ベース基板１０の数倍厚く形成されていてもよい。
こうすることで、基材３０が、ベース基板１０と同じ屈
曲可能なものであっても、ベース基板１０を一部におい
て屈曲しにくくすることができる。基材３０は、ベース
基板１０に接着剤４０（図２（Ｂ）参照）によって貼り
付けられてもよい。なお、基材３０は、その形成部分に
おいてベース基板１０を屈曲しにくくすることができれ
ば、材料、形状及びその他の形態は限定されない。
【００３２】ベース基板１０に基材３０が部分的に貼り
付けられることによって、ベース基板１０には、第１及
び第２の部分１４、１６が形成される。詳しくは、第１
の部分１４は基材３０から露出しており、第２の部分１
６には基材３０が貼り付けられている。言い換えると、
第１の部分１４は基材が貼り付けられていない部分であ
り、第２の部分１６は基材が貼り付けられた部分であ
る。第２の部分１６ではベース基板１０と基材３０とを
合わせた厚さを有するので、ベース基板１０自体が屈曲
可能であっても、第２の部分１６では屈曲しにくくする
ことができる。これにより、ベース基板１０を、第１の
部分１４において屈曲しやすくし、第２の部分１６にお
いて第１の部分１４よりも屈曲しにくくすることができ
る。
付けられることによって、ベース基板１０には、第１及
び第２の部分１４、１６が形成される。詳しくは、第１
の部分１４は基材３０から露出しており、第２の部分１
６には基材３０が貼り付けられている。言い換えると、
第１の部分１４は基材が貼り付けられていない部分であ
り、第２の部分１６は基材が貼り付けられた部分であ
る。第２の部分１６ではベース基板１０と基材３０とを
合わせた厚さを有するので、ベース基板１０自体が屈曲
可能であっても、第２の部分１６では屈曲しにくくする
ことができる。これにより、ベース基板１０を、第１の
部分１４において屈曲しやすくし、第２の部分１６にお
いて第１の部分１４よりも屈曲しにくくすることができ
る。
【００３３】図１に示すように、基材３０が貼り付けら
れた第２の部分１６は、ベース基板１０の平面視におい
て、ベース基板１０における配線パターン２０の接合部
２２が形成された領域を含んでもよい。この場合に、第
２の部分１６は、複数の接合部２２を囲む範囲で形成さ
れてもよい。例えば、ベース基板１０の一部に形成され
た１つの基材３０によって、一群の接合部２２を囲む範
囲においてベース基板１０を屈曲しにくくしてもよい。
この場合に、ベース基板１０の屈曲性を確保しておきた
い部分を除いて、基材３０がベース基板１０に形成され
ることが好ましい。なお、部分的に形成する基材３０の
形状は、図１に示すように矩形であってもよく、その形
状は限定されない。
れた第２の部分１６は、ベース基板１０の平面視におい
て、ベース基板１０における配線パターン２０の接合部
２２が形成された領域を含んでもよい。この場合に、第
２の部分１６は、複数の接合部２２を囲む範囲で形成さ
れてもよい。例えば、ベース基板１０の一部に形成され
た１つの基材３０によって、一群の接合部２２を囲む範
囲においてベース基板１０を屈曲しにくくしてもよい。
この場合に、ベース基板１０の屈曲性を確保しておきた
い部分を除いて、基材３０がベース基板１０に形成され
ることが好ましい。なお、部分的に形成する基材３０の
形状は、図１に示すように矩形であってもよく、その形
状は限定されない。
【００３４】基材３０が接合部２２の領域に形成される
ことで、配線基板における配線パターン２０の接合部２
２を屈曲しにくくすることができる。すなわち、配線基
板の接合部２２を補強して平坦にすることで、配線基板
と、例えば半導体チップ５０との電気的接続の信頼性を
高めることができる。
ことで、配線基板における配線パターン２０の接合部２
２を屈曲しにくくすることができる。すなわち、配線基
板の接合部２２を補強して平坦にすることで、配線基板
と、例えば半導体チップ５０との電気的接続の信頼性を
高めることができる。
【００３５】また、配線パターン２０の接合部２２が形
成された領域を含んで基材３０が形成されることで、そ
の領域を厚く形成できる。これにより、極めて薄いベー
ス基板１０を使用した場合でも、例えばコネクタ６０
（図３参照）などによって配線基板の接合部２２を容易
に挟んで電気的接続を図ることができる。
成された領域を含んで基材３０が形成されることで、そ
の領域を厚く形成できる。これにより、極めて薄いベー
ス基板１０を使用した場合でも、例えばコネクタ６０
（図３参照）などによって配線基板の接合部２２を容易
に挟んで電気的接続を図ることができる。
【００３６】図１に示すように、第２の部分１６は、ベ
ース基板１０の平面視において、ベース基板１０におけ
る半導体チップ５０の搭載領域に対応して形成されても
よい。詳しくは、配線パターン２０の複数の接合部２２
のうち、半導体チップ５０と電気的に接続するためのい
くつかを囲む範囲で基材３０が形成されてもよい。この
場合の基材３０の形状は、例えば半導体チップ５０の外
形の相似形であってもよい。また、基材３０は、半導体
チップ５０の外形より大きく形成されてもよく、あるい
は半導体チップ５０の外形とほぼ同じ大きさで形成され
てもよい。基材３０が半導体チップ５０の搭載領域に形
成されることで、配線基板の半導体チップ５０の搭載領
域を補強して平坦にすることができる。したがって、半
導体チップ５０との接続信頼性を高めることができる。
ース基板１０の平面視において、ベース基板１０におけ
る半導体チップ５０の搭載領域に対応して形成されても
よい。詳しくは、配線パターン２０の複数の接合部２２
のうち、半導体チップ５０と電気的に接続するためのい
くつかを囲む範囲で基材３０が形成されてもよい。この
場合の基材３０の形状は、例えば半導体チップ５０の外
形の相似形であってもよい。また、基材３０は、半導体
チップ５０の外形より大きく形成されてもよく、あるい
は半導体チップ５０の外形とほぼ同じ大きさで形成され
てもよい。基材３０が半導体チップ５０の搭載領域に形
成されることで、配線基板の半導体チップ５０の搭載領
域を補強して平坦にすることができる。したがって、半
導体チップ５０との接続信頼性を高めることができる。
【００３７】なお、第２の部分１６が形成される部分
は、上述に限定されず、ベース基板１０を補強するため
のその他の部分に形成されても構わない。例えば、配線
基板を液晶パネルに電気的に接続する場合に、ベース基
板１０の液晶パネルの端部の領域に基材３０が形成され
てもよい。
は、上述に限定されず、ベース基板１０を補強するため
のその他の部分に形成されても構わない。例えば、配線
基板を液晶パネルに電気的に接続する場合に、ベース基
板１０の液晶パネルの端部の領域に基材３０が形成され
てもよい。
【００３８】本実施の形態における配線基板によれば、
ベース基板１０を、第１の部分１４において屈曲しやす
くし、第２の部分１６において第１の部分よりも屈曲し
にくくすることができる。すなわち、部分的にベース基
板１０を補強することができる。これにより、補強した
第２の部分１６において半導体チップ５０等の他の部材
を接続して、配線基板と半導体チップ５０等との接続信
頼性を高めることができる。したがって、屈曲させたい
部分では容易に屈曲可能であり、かつ、半導体チップ５
０等の他の部材との接続信頼性を高めた配線基板を提供
することができる。
ベース基板１０を、第１の部分１４において屈曲しやす
くし、第２の部分１６において第１の部分よりも屈曲し
にくくすることができる。すなわち、部分的にベース基
板１０を補強することができる。これにより、補強した
第２の部分１６において半導体チップ５０等の他の部材
を接続して、配線基板と半導体チップ５０等との接続信
頼性を高めることができる。したがって、屈曲させたい
部分では容易に屈曲可能であり、かつ、半導体チップ５
０等の他の部材との接続信頼性を高めた配線基板を提供
することができる。
【００３９】なお、本実施の形態における配線基板は、
ＣＯＦ（Chip On Film）用基板であってもよく、あるい
は、ＣＳＰ（Chip Scale/Size Package）に使用するイ
ンターポーザとなるものであってもよい。また、配線基
板は、半導体チップ５０を搭載するためのものであって
もよく、あるいはその他の電子部品を搭載するためのも
のであってもよい。
ＣＯＦ（Chip On Film）用基板であってもよく、あるい
は、ＣＳＰ（Chip Scale/Size Package）に使用するイ
ンターポーザとなるものであってもよい。また、配線基
板は、半導体チップ５０を搭載するためのものであって
もよく、あるいはその他の電子部品を搭載するためのも
のであってもよい。
【００４０】次に、本実施の形態に係る配線基板の製造
方法について説明する。なお、上述の配線基板の説明に
おいて記載した事項と重複する部分は省略する。本実施
の形態では、屈曲可能なベース基板１０と、基材３０
と、を使用する。
方法について説明する。なお、上述の配線基板の説明に
おいて記載した事項と重複する部分は省略する。本実施
の形態では、屈曲可能なベース基板１０と、基材３０
と、を使用する。
【００４１】図２（Ａ）に示す例では、ベース基板１０
として、長尺状をなすものを使用する。長尺状のベース
基板１０としてリール・トゥ・リールの工程で使用する
ものであってもよい。リール・トゥ・リールの工程によ
る製造では、まず、図示しない一対のリールにベース基
板１０を掛け渡すことで、長さ方向の一端を一方のリー
ルに巻き取らせ、他端を他方のリールに巻き取らせる。
この状態から一方のリールからベース基板１０の一部を
引き出し、その一部を他方のリールに巻き取らせるまで
の間に所定の工程を行う。所定の工程が複数ある場合
は、複数の工程の全部を一つのリール・トゥ・リールの
工程で行ってもよく、各工程ごとに一つずつのリール・
トゥ・リールの工程で行ってもよい。リール・トゥ・リ
ールの工程では、大量生産に適した、効率良い製造方法
を行うことができる。
として、長尺状をなすものを使用する。長尺状のベース
基板１０としてリール・トゥ・リールの工程で使用する
ものであってもよい。リール・トゥ・リールの工程によ
る製造では、まず、図示しない一対のリールにベース基
板１０を掛け渡すことで、長さ方向の一端を一方のリー
ルに巻き取らせ、他端を他方のリールに巻き取らせる。
この状態から一方のリールからベース基板１０の一部を
引き出し、その一部を他方のリールに巻き取らせるまで
の間に所定の工程を行う。所定の工程が複数ある場合
は、複数の工程の全部を一つのリール・トゥ・リールの
工程で行ってもよく、各工程ごとに一つずつのリール・
トゥ・リールの工程で行ってもよい。リール・トゥ・リ
ールの工程では、大量生産に適した、効率良い製造方法
を行うことができる。
【００４２】なお、本発明を適用した配線基板の製造方
法は、リール・トゥ・リールの工程で行う製造方法に限
定されず、例えば既に個片切断してなるベース基板１０
を使用してもよい。
法は、リール・トゥ・リールの工程で行う製造方法に限
定されず、例えば既に個片切断してなるベース基板１０
を使用してもよい。
【００４３】屈曲可能なベース基板１０は極めて薄く形
成されているものが多く、このようなベース基板１０で
はリールを使用することが困難な場合がある。詳しく
は、ベース基板１０があまりに薄すぎてリールによる巻
き取りがうまくいかず、これによってベース基板１０を
リールで搬送できない場合がある。これを改善するため
に、ベース基板１０の一方の面に、基材３０を形成す
る。詳しくは、長尺状のベース基板１０の形状に合わせ
て基材３０を貼り付け、リールによって搬送する対象物
に剛性をもたせて、ベース基板１０のリールによる搬送
を可能とする。この場合に、基材３０は、ベース基板１
０の裏面に形成する裏打ちテープと称してもよい。本発
明は、このように基材３０を使用してリール・トゥ・リ
ールの工程を行う場合に特に効果的である。
成されているものが多く、このようなベース基板１０で
はリールを使用することが困難な場合がある。詳しく
は、ベース基板１０があまりに薄すぎてリールによる巻
き取りがうまくいかず、これによってベース基板１０を
リールで搬送できない場合がある。これを改善するため
に、ベース基板１０の一方の面に、基材３０を形成す
る。詳しくは、長尺状のベース基板１０の形状に合わせ
て基材３０を貼り付け、リールによって搬送する対象物
に剛性をもたせて、ベース基板１０のリールによる搬送
を可能とする。この場合に、基材３０は、ベース基板１
０の裏面に形成する裏打ちテープと称してもよい。本発
明は、このように基材３０を使用してリール・トゥ・リ
ールの工程を行う場合に特に効果的である。
【００４４】図２（Ａ）に示すように、基材３０は、接
着剤４０によって貼り付けてもよい。接着剤４０は、リ
ールによる搬送途中において剥がれてしまわないように
両者を接着し、かつ、後の工程で部分的に剥がすことの
できる性質のものが好ましい。接着剤４０は、熱硬化
性、熱可塑性又は紫外線硬化性などのいずれの特徴を有
するものであってもよいが、これらに限定されない。接
着剤４０は、例えばエポキシ系樹脂を含むものであって
もよい。なお、基材３０は、その他の形態によってベー
ス基板１０の一方の面に取り付けられてもよい。
着剤４０によって貼り付けてもよい。接着剤４０は、リ
ールによる搬送途中において剥がれてしまわないように
両者を接着し、かつ、後の工程で部分的に剥がすことの
できる性質のものが好ましい。接着剤４０は、熱硬化
性、熱可塑性又は紫外線硬化性などのいずれの特徴を有
するものであってもよいが、これらに限定されない。接
着剤４０は、例えばエポキシ系樹脂を含むものであって
もよい。なお、基材３０は、その他の形態によってベー
ス基板１０の一方の面に取り付けられてもよい。
【００４５】こうしてリールによってベース基板１０を
搬送可能とし、ベース基板１０の一部を一方のリールか
ら引き出して他方のリールに巻き取らせる間に、所定の
工程を行う。所定の工程は、ベース基板１０を補強した
状態で行う工程を示す。すなわち、リール・トゥ・リー
ルの工程では、リールでベース基板１０を搬送させて行
う工程を示す。所定の工程は、ベース基板１０に配線パ
ターン２０を形成する工程を含み、その他の工程をさら
に含んでもよい。配線パターン２０を形成する工程は、
配線パターン２０を形成するステージにベース基板１０
の一部を搬送して、そのステージにおいて配線パターン
２０をベース基板１０に次々に形成してもよい。なお、
配線パターン２０の形成方法は上述の通りである。
搬送可能とし、ベース基板１０の一部を一方のリールか
ら引き出して他方のリールに巻き取らせる間に、所定の
工程を行う。所定の工程は、ベース基板１０を補強した
状態で行う工程を示す。すなわち、リール・トゥ・リー
ルの工程では、リールでベース基板１０を搬送させて行
う工程を示す。所定の工程は、ベース基板１０に配線パ
ターン２０を形成する工程を含み、その他の工程をさら
に含んでもよい。配線パターン２０を形成する工程は、
配線パターン２０を形成するステージにベース基板１０
の一部を搬送して、そのステージにおいて配線パターン
２０をベース基板１０に次々に形成してもよい。なお、
配線パターン２０の形成方法は上述の通りである。
【００４６】所定の工程を終えた後、ベース基板１０に
配線パターン２０が形成されてなる配線基板は、長尺状
をなす状態のままで半導体チップ５０を搭載する工程を
含む半導体装置の製造方法に移ってもよく、あるいは配
線基板の一部を打ち抜いて個片切断してから半導体装置
の製造方法に移ってもよい。
配線パターン２０が形成されてなる配線基板は、長尺状
をなす状態のままで半導体チップ５０を搭載する工程を
含む半導体装置の製造方法に移ってもよく、あるいは配
線基板の一部を打ち抜いて個片切断してから半導体装置
の製造方法に移ってもよい。
【００４７】図２（Ｂ）に示すように、配線パターン２
０を形成した後に、基材３０の一部を取り除くことによ
って、ベース基板１０に第１及び第２の部分１４、１６
を形成する。例えば、基材３０の一部を剥がして第１の
部分１４を形成し、基材３０の他の部分を残して第２の
部分１６を形成する。この工程は、リール・トゥ・リー
ルの工程において行ってもよく、あるいはベース基板１
０をリールから取り外した後に行ってもよい。また、基
材３０の一部を剥がす工程は、半導体チップ５０を搭載
する前に行ってもよく、半導体チップ５０を搭載した後
に行ってもよい。なお、基材３０をベース基板１０から
剥がす手段は、特に限定されない。
０を形成した後に、基材３０の一部を取り除くことによ
って、ベース基板１０に第１及び第２の部分１４、１６
を形成する。例えば、基材３０の一部を剥がして第１の
部分１４を形成し、基材３０の他の部分を残して第２の
部分１６を形成する。この工程は、リール・トゥ・リー
ルの工程において行ってもよく、あるいはベース基板１
０をリールから取り外した後に行ってもよい。また、基
材３０の一部を剥がす工程は、半導体チップ５０を搭載
する前に行ってもよく、半導体チップ５０を搭載した後
に行ってもよい。なお、基材３０をベース基板１０から
剥がす手段は、特に限定されない。
【００４８】本実施の形態に係る配線基板の製造方法に
よれば、所定の工程を行うためにベース基板１０に基材
３０を貼り付け、その基材３０の一部を取り除くことに
よって、第１及び第２の部分１４、１６を形成する。こ
れにより、ベース基板１０を、第１の部分１４において
屈曲しやすくし、第２の部分１６において第１の部分よ
りも屈曲しにくくすることができる。すなわち、部分的
にベース基板１０を補強することができる。
よれば、所定の工程を行うためにベース基板１０に基材
３０を貼り付け、その基材３０の一部を取り除くことに
よって、第１及び第２の部分１４、１６を形成する。こ
れにより、ベース基板１０を、第１の部分１４において
屈曲しやすくし、第２の部分１６において第１の部分よ
りも屈曲しにくくすることができる。すなわち、部分的
にベース基板１０を補強することができる。
【００４９】また、第１及び第２の部分１４、１６は、
既存の工程で使用する基材３０を使用すればコストを削
減できる。さらに、ベース基板１０に基材３０を貼り付
け、その後に剥がすという既存の工程で、容易に第１及
び第２の部分１４、１６を形成できる。
既存の工程で使用する基材３０を使用すればコストを削
減できる。さらに、ベース基板１０に基材３０を貼り付
け、その後に剥がすという既存の工程で、容易に第１及
び第２の部分１４、１６を形成できる。
【００５０】また、リール・トゥ・リールの工程を使用
する場合は、リールによってベース基板１０を搬送させ
るために補強した基材３０を使用して、ベース基板１０
に第１及び第２の部分１４、１６を形成できる。
する場合は、リールによってベース基板１０を搬送させ
るために補強した基材３０を使用して、ベース基板１０
に第１及び第２の部分１４、１６を形成できる。
【００５１】次に、本実施の形態に係る配線基板を使用
した半導体装置について説明する。図３は、本実施の形
態に係る半導体装置を説明するための図である。また、
図４は、本実施の形態に係る半導体装置が電気的に接続
された回路基板を示す図である。
した半導体装置について説明する。図３は、本実施の形
態に係る半導体装置を説明するための図である。また、
図４は、本実施の形態に係る半導体装置が電気的に接続
された回路基板を示す図である。
【００５２】本実施の形態に係る半導体装置は、上述の
配線基板と、半導体チップ５０とを含む。半導体チップ
５０は、既に周知のものであってもよい。半導体チップ
５０は、複数の電極５２を有する。電極５２は、半導体
チップ５０の内部に形成された集積回路の端子である。
半導体チップ５０の電極５２の形成された側の面には、
各電極５２の少なくとも一部を避けて、ＳｉＯ2、Ｓｉ
Ｎ、ポリイミド樹脂などからなるパッシベーション膜
（図示しない）が形成されていることが多い。
配線基板と、半導体チップ５０とを含む。半導体チップ
５０は、既に周知のものであってもよい。半導体チップ
５０は、複数の電極５２を有する。電極５２は、半導体
チップ５０の内部に形成された集積回路の端子である。
半導体チップ５０の電極５２の形成された側の面には、
各電極５２の少なくとも一部を避けて、ＳｉＯ2、Ｓｉ
Ｎ、ポリイミド樹脂などからなるパッシベーション膜
（図示しない）が形成されていることが多い。
【００５３】また、電極５２上にはバンプ（図示しな
い）が形成されていてもよい。バンプは、メッキ処理又
はワイヤーによる処理で形成されてもよい。バンプは、
金を含むものが多いが、ニッケル又はハンダなどを材料
としてもよい。なお、電極５２上のバンプの有無に関わ
らず、配線パターン２０の接合部２２にバンプを形成し
てもよい。
い）が形成されていてもよい。バンプは、メッキ処理又
はワイヤーによる処理で形成されてもよい。バンプは、
金を含むものが多いが、ニッケル又はハンダなどを材料
としてもよい。なお、電極５２上のバンプの有無に関わ
らず、配線パターン２０の接合部２２にバンプを形成し
てもよい。
【００５４】半導体チップ５０は、配線基板にフェース
ダウンボンディングされてもよい。この場合には、配線
パターン２０の接合部２２と、電極５２上のバンプとが
電気的に接続される。電気的接続は、バンプと、配線パ
ターン２０の接合部２２と、で共晶合金を形成すること
で接続してもよい。例えば、両者に熱及び圧力を加え
て、配線パターン２０の接合部２２上のスズメッキを溶
かして、金からなるバンプと接合させてもよい。また、
電気的接続は上述に限定されず、ハンダによる接合、異
方性導電材料又は絶縁樹脂の収縮力などを利用して、バ
ンプと配線パターン２０の接合部２２とを電気的に接続
されてもよい。
ダウンボンディングされてもよい。この場合には、配線
パターン２０の接合部２２と、電極５２上のバンプとが
電気的に接続される。電気的接続は、バンプと、配線パ
ターン２０の接合部２２と、で共晶合金を形成すること
で接続してもよい。例えば、両者に熱及び圧力を加え
て、配線パターン２０の接合部２２上のスズメッキを溶
かして、金からなるバンプと接合させてもよい。また、
電気的接続は上述に限定されず、ハンダによる接合、異
方性導電材料又は絶縁樹脂の収縮力などを利用して、バ
ンプと配線パターン２０の接合部２２とを電気的に接続
されてもよい。
【００５５】図３に示す例では、配線基板には、半導体
チップ５０の搭載領域に対応して基材３０が形成されて
いる。すなわち、第２の部分１６が半導体チップ５０の
搭載領域に対応して形成されている。これによって、配
線基板に搭載された半導体チップ５０を補強することが
できる。すなわち、配線基板は、半導体チップ５０の搭
載領域において屈曲しにくくなっているので、半導体チ
ップ５０と配線パターン２０とを確実に電気的に接続す
ることができる。
チップ５０の搭載領域に対応して基材３０が形成されて
いる。すなわち、第２の部分１６が半導体チップ５０の
搭載領域に対応して形成されている。これによって、配
線基板に搭載された半導体チップ５０を補強することが
できる。すなわち、配線基板は、半導体チップ５０の搭
載領域において屈曲しにくくなっているので、半導体チ
ップ５０と配線パターン２０とを確実に電気的に接続す
ることができる。
【００５６】さらに、配線基板において、基材３０は、
ベース基板１０の接合部２２が形成された領域を含んで
形成されている。これにより、配線基板の接合部２２を
補強して平坦にすることができるので、例えば回路基板
７０（図４参照）などの他の部材との接続信頼性を高め
ることができる。
ベース基板１０の接合部２２が形成された領域を含んで
形成されている。これにより、配線基板の接合部２２を
補強して平坦にすることができるので、例えば回路基板
７０（図４参照）などの他の部材との接続信頼性を高め
ることができる。
【００５７】また、配線パターン２０の接合部２２が形
成された領域を含んで基材３０が形成されることで、そ
の領域を厚く形成できる。すなわち、接合部２２を含む
領域に基材３０が形成されることで、配線基板がその一
部において周囲よりも厚く形成され、例えば両側から挟
む形態を有するコネクタ６０によって挟んで電気的接続
を容易に図ることができる。
成された領域を含んで基材３０が形成されることで、そ
の領域を厚く形成できる。すなわち、接合部２２を含む
領域に基材３０が形成されることで、配線基板がその一
部において周囲よりも厚く形成され、例えば両側から挟
む形態を有するコネクタ６０によって挟んで電気的接続
を容易に図ることができる。
【００５８】したがって、屈曲させたい部分では容易に
屈曲可能であり、かつ、半導体チップ５０等の他の部材
との接続信頼性を高めた半導体装置を提供することがで
きる。
屈曲可能であり、かつ、半導体チップ５０等の他の部材
との接続信頼性を高めた半導体装置を提供することがで
きる。
【００５９】図４に示すように、回路基板７０には、上
述の配線基板１を有する半導体装置が電気的に接続され
ている。回路基板７０は、例えば液晶パネルであっても
よい。
述の配線基板１を有する半導体装置が電気的に接続され
ている。回路基板７０は、例えば液晶パネルであっても
よい。
【００６０】なお、図４に示すように、半導体装置は、
屈曲させて設けてもよい。詳しくは、配線基板１におい
て基材３０が形成されていない部分で、半導体装置を屈
曲させてもよい。この場合に、例えば、回路基板７０の
端部の回りに半導体装置を屈曲させてもよい。
屈曲させて設けてもよい。詳しくは、配線基板１におい
て基材３０が形成されていない部分で、半導体装置を屈
曲させてもよい。この場合に、例えば、回路基板７０の
端部の回りに半導体装置を屈曲させてもよい。
【００６１】本発明を適用した半導体装置を有する電子
機器として、図５には、本発明を適用した半導体装置
（図示せず）を有するノート型パーソナルコンピュータ
８０が示されている。図６には、携帯電話９０が示され
ている。この携帯電話９０は、本発明を適用した回路基
板７０（液晶パネル）も有する。
機器として、図５には、本発明を適用した半導体装置
（図示せず）を有するノート型パーソナルコンピュータ
８０が示されている。図６には、携帯電話９０が示され
ている。この携帯電話９０は、本発明を適用した回路基
板７０（液晶パネル）も有する。
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る配線基板を
示す図である。
示す図である。
【図２】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明の実施の
形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態に係る半導体装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係る半導体装置
が電気的に接続された回路基板を示す図である。
が電気的に接続された回路基板を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態に係る半導体装置
を有する電子機器を示す図である。
を有する電子機器を示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係る半導体装置
を有する電子機器を示す図である。
を有する電子機器を示す図である。
１０ ベース基板 １４ 第１の部分 １６ 第２の部分 ２０ 配線パターン ２２ 接合部 ３０ 基材 ５０ 半導体チップ
Claims (10)
- 【請求項１】 屈曲可能なベース基板の一方の面に基材
を貼り付け、 所定の工程を、前記ベース基板を前記基材で補強した状
態で行い、 前記基材の一部を取り除き、前記一方の面に、前記基材
が貼り付けられていない第１の部分と、前記基材が貼り
付けられた第２の部分と、を形成する工程を含む配線基
板の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の配線基板の製造方法にお
いて、 前記ベース基板は、長尺状をなし、 前記ベース基板を、前記基材を貼り付けた状態で一対の
リールに掛け渡し、前記ベース基板を一方のリールから
引き出して他方のリールに巻き取らせる間に前記所定の
工程を行う配線基板の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の配線基板
の製造方法において、 前記所定の工程は、前記ベース基板に配線パターンを形
成する工程を含む配線基板の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
の配線基板の製造方法によって製造された配線基板。 - 【請求項５】 屈曲可能なベース基板と、 前記ベース基板の一方の面に形成された配線パターン
と、 前記ベース基板の他方の面に部分的に貼り付けられた基
材と、 を含み、 前記ベース基板は、前記基材が貼り付けられていない第
１の部分と、前記基材が貼り付けられ前記第１の部分よ
りも屈曲しにくい第２の部分と、を有する配線基板。 - 【請求項６】 請求項５記載の配線基板において、 前記配線パターンは他の部材との接合部を有し、 前記第２の部分は、前記ベース基板における前記配線パ
ターンの前記接合部が形成された部分を含む配線基板。 - 【請求項７】 請求項５又は請求項６記載の配線基板に
おいて、 前記第２の部分は、半導体チップの搭載領域に対応して
形成された配線基板。 - 【請求項８】 請求項４から請求項７のいずれかに記載
の配線基板と、前記配線基板に搭載された半導体チップ
と、を含む半導体装置。 - 【請求項９】 請求項８記載の半導体装置が電気的に接
続された回路基板。 - 【請求項１０】 請求項８記載の半導体装置を有する電
子機器。
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|---|---|---|---|---|
| US7176568B2 (en) | 2003-10-27 | 2007-02-13 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and its manufacturing method, electronic module, and electronic unit |
-
2000
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