JP2002025887A - 基板処理装置 - Google Patents
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
- B05C11/1042—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material provided with means for heating or cooling the liquid or other fluent material in the supplying means upstream of the applying apparatus
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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- Coating Apparatus (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理基板に塗布するレジスト液等の処理液
を、効率良く所望の温度にて供給することができる基板
処理装置を提供する。 【解決手段】 基板処理装置は、基板を保持する保持台
と、一端部からレジスト液が供給され、このレジスト液
を他端部から基板に対し供給する供給管１２２〜１２４
と、内部に温調水が流通され、供給管１２２〜１２４の
他端部付近を温度調整する第１温調部１１７ａ〜１１７
ｃと、内部に第１温調部１１７ａ〜１１７ｃから排出さ
れた温調水が流通され、供給管１２２〜１２４の一端部
付近を温度調整する第２温調部１２０とを具備する。こ
れにより、基板に供給される直前の処理液の温度調整に
対して用いられた温調水を、供給管に供給された直後の
処理液の温度調整に再利用することができる。
を、効率良く所望の温度にて供給することができる基板
処理装置を提供する。 【解決手段】 基板処理装置は、基板を保持する保持台
と、一端部からレジスト液が供給され、このレジスト液
を他端部から基板に対し供給する供給管１２２〜１２４
と、内部に温調水が流通され、供給管１２２〜１２４の
他端部付近を温度調整する第１温調部１１７ａ〜１１７
ｃと、内部に第１温調部１１７ａ〜１１７ｃから排出さ
れた温調水が流通され、供給管１２２〜１２４の一端部
付近を温度調整する第２温調部１２０とを具備する。こ
れにより、基板に供給される直前の処理液の温度調整に
対して用いられた温調水を、供給管に供給された直後の
処理液の温度調整に再利用することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理基板にレジスト液や現像液等の液剤を塗布する塗
布装置に関する。
被処理基板にレジスト液や現像液等の液剤を塗布する塗
布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィ工程においては、半導体ウエ
ハ（以下、「ウエハ」という）の表面にレジスト膜を形
成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後のウエハに
対し露光処理を挟んで現像処理が行われる。
おけるフォトリソグラフィ工程においては、半導体ウエ
ハ（以下、「ウエハ」という）の表面にレジスト膜を形
成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後のウエハに
対し露光処理を挟んで現像処理が行われる。
【０００３】レジスト塗布処理について注目すると、ウ
エハ表面にレジスト液を均一に塗布するための方法とし
てスピンコーティング法などが多用されている。このス
ピンコーティング法によるレジスト塗布は、ウエハをス
ピンチャックにて真空吸着した状態で回転させ、その回
転中心の真上からウエハ表面にレジスト液をノズルから
滴下、供給し、遠心力によってウエハ中心からその周囲
全域にレジスト液を広げることによって行われる。この
種のレジスト塗布装置では、レジスト膜の膜質などを考
慮して、所望の温度に調整したレジスト液をウエハ上に
供給する。このようなレジスト液の温度調整は、例え
ば、レジスト液が吐出するノズル先端付近に設けられた
温調配管により行っている。ノズル先端付近では、レジ
スト液が通るレジスト液配管を囲むように温調配管が配
置され、温調配管に温度調整された例えば純水を通すこ
とにより、間接的にレジスト液に対し温度調整が施され
る。温調配管内の純水は、温度調整に用いられた後、温
度調整部に送液され、温度調整部にて再度温度調整され
て、温調配管内に再度供給される。
エハ表面にレジスト液を均一に塗布するための方法とし
てスピンコーティング法などが多用されている。このス
ピンコーティング法によるレジスト塗布は、ウエハをス
ピンチャックにて真空吸着した状態で回転させ、その回
転中心の真上からウエハ表面にレジスト液をノズルから
滴下、供給し、遠心力によってウエハ中心からその周囲
全域にレジスト液を広げることによって行われる。この
種のレジスト塗布装置では、レジスト膜の膜質などを考
慮して、所望の温度に調整したレジスト液をウエハ上に
供給する。このようなレジスト液の温度調整は、例え
ば、レジスト液が吐出するノズル先端付近に設けられた
温調配管により行っている。ノズル先端付近では、レジ
スト液が通るレジスト液配管を囲むように温調配管が配
置され、温調配管に温度調整された例えば純水を通すこ
とにより、間接的にレジスト液に対し温度調整が施され
る。温調配管内の純水は、温度調整に用いられた後、温
度調整部に送液され、温度調整部にて再度温度調整され
て、温調配管内に再度供給される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなレジスト塗布装置においては、温調前のレジスト液
の温度とレジスト液塗布時の所望塗布温度とに大幅に差
があると、温調配管に流す純水の温度を高く設定する必
要があり、多大なエネルギーが必要であった。
うなレジスト塗布装置においては、温調前のレジスト液
の温度とレジスト液塗布時の所望塗布温度とに大幅に差
があると、温調配管に流す純水の温度を高く設定する必
要があり、多大なエネルギーが必要であった。
【０００５】本発明はこのような課題を解決するための
もので、効率良く、被処理基板に塗布するレジスト液等
の処理液を所望の温度にて供給することができる基板処
理装置を提供することを目的とする。
もので、効率良く、被処理基板に塗布するレジスト液等
の処理液を所望の温度にて供給することができる基板処
理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の基板処理装置
は、基板を水平に保持する保持台と、一端部から処理液
が供給され、該処理液を他端部から前記基板に対し供給
する供給管と、内部に温調水が流通され、前記供給管の
他端部付近を温度調整する第１温調部と、内部に前記第
１温調部から排出された前記温調水が流通され、前記供
給管の一端部付近を温度調整する第２温調部とを具備す
ることを特徴とする。
は、基板を水平に保持する保持台と、一端部から処理液
が供給され、該処理液を他端部から前記基板に対し供給
する供給管と、内部に温調水が流通され、前記供給管の
他端部付近を温度調整する第１温調部と、内部に前記第
１温調部から排出された前記温調水が流通され、前記供
給管の一端部付近を温度調整する第２温調部とを具備す
ることを特徴とする。
【０００７】本発明のこのような構成によれば、基板に
供給される直前の処理液の温度調整に対して用いられた
温調水を、供給管に供給された直後の処理液の温度調整
に再利用することにより、効率良く処理液を温度調整す
ることができる。
供給される直前の処理液の温度調整に対して用いられた
温調水を、供給管に供給された直後の処理液の温度調整
に再利用することにより、効率良く処理液を温度調整す
ることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。
に基づき説明する。
【０００９】図１〜図３は本発明の実施形態である基板
処理装置としてのレジスト塗布装置が採用された半導体
ウエハ（以下、「ウエハ」という）の塗布現像処理シス
テム１の全体構成の図であって、図１は平面、図２は正
面、図３は背面を夫々示している。
処理装置としてのレジスト塗布装置が採用された半導体
ウエハ（以下、「ウエハ」という）の塗布現像処理シス
テム１の全体構成の図であって、図１は平面、図２は正
面、図３は背面を夫々示している。
【００１０】この塗布現像処理システム１は、被処理基
板としてウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚、例え
ば２５枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるい
はシステムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対し
てウエハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステ
ーション１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷ
に所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位
置に多段配置してなる処理ステーション１１と、この処
理ステーション１１に隣接して設けられる露光装置（図
示せず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインタ
ーフェース部１２とを一体に接続した構成を有してい
る。
板としてウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚、例え
ば２５枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるい
はシステムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対し
てウエハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステ
ーション１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷ
に所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位
置に多段配置してなる処理ステーション１１と、この処
理ステーション１１に隣接して設けられる露光装置（図
示せず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインタ
ーフェース部１２とを一体に接続した構成を有してい
る。
【００１１】前記カセットステーション１０では、図１
に示すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２
０ａの位置に、複数個例えば４個までのウエハカセット
ＣＲが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション１１側
に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置され、
このカセット配列方向（Ｘ方向）およびウエハカセッ卜
ＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向；
垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカ
セットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。
に示すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２
０ａの位置に、複数個例えば４個までのウエハカセット
ＣＲが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション１１側
に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置され、
このカセット配列方向（Ｘ方向）およびウエハカセッ卜
ＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向；
垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカ
セットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。
【００１２】さらにこのウエハ搬送体２１は、θ方向に
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ3 の多段ユニッ
ト部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）および
イクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスでき
るようになっている。
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ3 の多段ユニッ
ト部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）および
イクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスでき
るようになっている。
【００１３】前記処理ステーション１１には、図１に示
すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエ
ハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニ
ットが１組または複数の組に亙って多段に配置されてい
る。
すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエ
ハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニ
ットが１組または複数の組に亙って多段に配置されてい
る。
【００１４】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転軸に接続されてお
り、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中
心としてウエハ搬送装置４６と一体に回転し、それによ
りこのウエハ搬送装置４６は、θ方向に回転自在となっ
ている。なお筒状支持体４９は前記モータによって回転
される別の回転軸（図示せず）に接続するように構成し
てもよい。
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転軸に接続されてお
り、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中
心としてウエハ搬送装置４６と一体に回転し、それによ
りこのウエハ搬送装置４６は、θ方向に回転自在となっ
ている。なお筒状支持体４９は前記モータによって回転
される別の回転軸（図示せず）に接続するように構成し
てもよい。
【００１５】ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しを実現している。
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しを実現している。
【００１６】また、この例では、５つの処理ユニット群
Ｇ1 、Ｇ2 、Ｇ3 、Ｇ4 、Ｇ5 が配置可能な構成であ
り、第１および第２の処理ユニット群Ｇ1 、Ｇ2 の多段
ユニットは、システム正面（図１において手前）側に配
置され、第３の処理ユニット群Ｇ3 の多段ユニットはカ
セットステーション１０に隣接して配置され、第４の処
理ユニット群Ｇ4 の多段ユニットはインターフェース部
１２に隣接して配置され、第５の処理ユニット群Ｇ5 の
多段ユニットは背面側に配置されることが可能である。
Ｇ1 、Ｇ2 、Ｇ3 、Ｇ4 、Ｇ5 が配置可能な構成であ
り、第１および第２の処理ユニット群Ｇ1 、Ｇ2 の多段
ユニットは、システム正面（図１において手前）側に配
置され、第３の処理ユニット群Ｇ3 の多段ユニットはカ
セットステーション１０に隣接して配置され、第４の処
理ユニット群Ｇ4 の多段ユニットはインターフェース部
１２に隣接して配置され、第５の処理ユニット群Ｇ5 の
多段ユニットは背面側に配置されることが可能である。
【００１７】図２に示すように、第１の処理ユニット群
Ｇ1 では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像
ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられてい
る。第２の処理ユニット群Ｇ2 でも、２台のスピンナ型
処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）
および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ね
られている。これらレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）
は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上で
も面倒であることから、このように下段に配置するのが
好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に配置するこ
とももちろん可能である。更に、レジスト塗布ユニット
（ＣＯＴ）の下部には、処理液としてのレジスト液など
が設置されたケミカルエリア１３が設けられている。
Ｇ1 では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像
ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられてい
る。第２の処理ユニット群Ｇ2 でも、２台のスピンナ型
処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）
および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ね
られている。これらレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）
は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上で
も面倒であることから、このように下段に配置するのが
好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に配置するこ
とももちろん可能である。更に、レジスト塗布ユニット
（ＣＯＴ）の下部には、処理液としてのレジスト液など
が設置されたケミカルエリア１３が設けられている。
【００１８】図３に示すように、第３の処理ユニット群
Ｇ3 では、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を
行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う
クーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高
めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニッ
ト（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニ
ット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を
行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が、下
から順に例えば８段に重ねられている。第４の処理ユニ
ット群Ｇ4 でも、オーブン型の処理ユニット、例えばク
ーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クー
リングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）、クーリングユニッ卜（ＣＯＬ）、プ
リベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポスト
ベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例
えば８段に重ねられている。
Ｇ3 では、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を
行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う
クーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高
めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニッ
ト（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニ
ット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を
行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が、下
から順に例えば８段に重ねられている。第４の処理ユニ
ット群Ｇ4 でも、オーブン型の処理ユニット、例えばク
ーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クー
リングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）、クーリングユニッ卜（ＣＯＬ）、プ
リベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポスト
ベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例
えば８段に重ねられている。
【００１９】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いベ
ーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキン
グユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョンユニ
ット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱
的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ラ
ンダムな多段配置としてもよい。
ット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いベ
ーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキン
グユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョンユニ
ット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱
的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ラ
ンダムな多段配置としてもよい。
【００２０】前記インターフェース部１２は、奥行方向
（Ｘ方向）については、前記処理ステーション１１と同
じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズ
に設定されている。そしてこのインターフェース部１２
の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲと、
定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、他方
背面部には周辺露光装置２３が配設され、さらにまた中
央部にはウエハ搬送体２４が設けられている。このウエ
ハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセット
ＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２３にアクセスするよう
になつている。前記ウエハ搬送体２４は、θ方向にも回
転自在となるように構成されており、前記処理ステーシ
ョン１１側の第４の処理ユニット群Ｇ4 の多段ユニット
に属するイクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さら
には隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）
にもアクセスできるようになっている。
（Ｘ方向）については、前記処理ステーション１１と同
じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズ
に設定されている。そしてこのインターフェース部１２
の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲと、
定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、他方
背面部には周辺露光装置２３が配設され、さらにまた中
央部にはウエハ搬送体２４が設けられている。このウエ
ハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセット
ＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２３にアクセスするよう
になつている。前記ウエハ搬送体２４は、θ方向にも回
転自在となるように構成されており、前記処理ステーシ
ョン１１側の第４の処理ユニット群Ｇ4 の多段ユニット
に属するイクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さら
には隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）
にもアクセスできるようになっている。
【００２１】また前記塗布現像処理システム１では、既
述の如く主ウエハ搬送機構２２の背面側にも破線で示し
た第５の処理ユニット群Ｇ5 の多段ユニットが配置でき
るようになっているが、この第５の処理ユニット群Ｇ5
の多段ユニットは、案内レール２５に沿って主ウエハ搬
送機構２２からみて、側方へシフトできるように構成さ
れている。従って、この第５の処理ユニット群Ｇ5 の多
段ユニットを図示の如く設けた場合でも、前記案内レー
ル２５に沿ってスライドすることにより、空間部が確保
されるので、主ウエハ搬送機構２２に対して背後からメ
ンテナンス作業が容易に行えるようになっている。なお
第５の処理ユニット群Ｇ5 の多段ユニッ卜は、そのよう
に案内レール２５に沿った直線状のスライドシフトに限
らず、図１中の一点鎖線の往復回動矢印で示したよう
に、システム外方へと回動シフトさせるように構成して
も、主ウエハ搬送機構２２に対するメンテナンス作業の
スペース確保が容易である。
述の如く主ウエハ搬送機構２２の背面側にも破線で示し
た第５の処理ユニット群Ｇ5 の多段ユニットが配置でき
るようになっているが、この第５の処理ユニット群Ｇ5
の多段ユニットは、案内レール２５に沿って主ウエハ搬
送機構２２からみて、側方へシフトできるように構成さ
れている。従って、この第５の処理ユニット群Ｇ5 の多
段ユニットを図示の如く設けた場合でも、前記案内レー
ル２５に沿ってスライドすることにより、空間部が確保
されるので、主ウエハ搬送機構２２に対して背後からメ
ンテナンス作業が容易に行えるようになっている。なお
第５の処理ユニット群Ｇ5 の多段ユニッ卜は、そのよう
に案内レール２５に沿った直線状のスライドシフトに限
らず、図１中の一点鎖線の往復回動矢印で示したよう
に、システム外方へと回動シフトさせるように構成して
も、主ウエハ搬送機構２２に対するメンテナンス作業の
スペース確保が容易である。
【００２２】次に、本実施形態に関わるレジスト塗布ユ
ニット（ＣＯＴ）及びケミカルエリア１３の構造につい
て、図４〜図７を用いて説明する。図４は、レジスト塗
布ユニット（ＣＯＴ）の構成を示す概略断面図、図５
は、その平面図である。ここでは、２つのレジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ）の一方を例にあげて説明するが、も
う一方のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）も同じ構造を
有する。図６は、処理ステーション１１の概略斜視図で
ある。図７は、ケミカルエリア１３内のレジスト液の供
給構造を説明するための図である。
ニット（ＣＯＴ）及びケミカルエリア１３の構造につい
て、図４〜図７を用いて説明する。図４は、レジスト塗
布ユニット（ＣＯＴ）の構成を示す概略断面図、図５
は、その平面図である。ここでは、２つのレジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ）の一方を例にあげて説明するが、も
う一方のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）も同じ構造を
有する。図６は、処理ステーション１１の概略斜視図で
ある。図７は、ケミカルエリア１３内のレジスト液の供
給構造を説明するための図である。
【００２３】図４、図５に示すように、レジスト塗布ユ
ニット（ＣＯＴ）の中央部には環状のカップＣΡが配設
され、カップＣΡの内側には、基板を水平に保持する保
持台としてのスピンチャック５２が配置されている。ス
ピンチャック５２は真空吸着によって半導体ウエハＷを
固定保持した状態で駆動モータ５４によって回転駆動さ
れる。駆動モータ５４は、ユニット底板５０に設けられ
た開口５０ａに昇降移動可能に配置され、たとえばアル
ミニウムからなるキャップ状のフランジ部材５８を介し
てたとえばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０およ
び昇降ガイド手段６２と結合されている。
ニット（ＣＯＴ）の中央部には環状のカップＣΡが配設
され、カップＣΡの内側には、基板を水平に保持する保
持台としてのスピンチャック５２が配置されている。ス
ピンチャック５２は真空吸着によって半導体ウエハＷを
固定保持した状態で駆動モータ５４によって回転駆動さ
れる。駆動モータ５４は、ユニット底板５０に設けられ
た開口５０ａに昇降移動可能に配置され、たとえばアル
ミニウムからなるキャップ状のフランジ部材５８を介し
てたとえばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０およ
び昇降ガイド手段６２と結合されている。
【００２４】半導体ウエハＷの表面に、レジスト液を供
給するための吐出手段としてのノズル３６ａは、ノズル
スキャンアーム９２の先端部にノズル保持体１００を介
して着脱可能に取り付けられている。このノズルスキャ
ンアーム９２は、ユニット底板５０の上に一方向（Ｙ方
向）に敷設されたガイドレール９４上で水平移動可能な
垂直支持部材９６の上端部に取り付けられており、図示
しないＹ方向駆動機構によって垂直支持部材９６と一体
にＹ方向に移動するようになっている。
給するための吐出手段としてのノズル３６ａは、ノズル
スキャンアーム９２の先端部にノズル保持体１００を介
して着脱可能に取り付けられている。このノズルスキャ
ンアーム９２は、ユニット底板５０の上に一方向（Ｙ方
向）に敷設されたガイドレール９４上で水平移動可能な
垂直支持部材９６の上端部に取り付けられており、図示
しないＹ方向駆動機構によって垂直支持部材９６と一体
にＹ方向に移動するようになっている。
【００２５】また、ノズルスキャンアーム９２は、ノズ
ル待機部９０で複数のノズルからノズル３６ａを選択的
に取り付けるためにＹ方向と直角なΧ方向にも移動可能
であり、図示しないΧ方向駆動機構によってΧ方向にも
移動するようになっている。また、複数本のノズル、こ
こでは３本のノズル３６ａ、後述するノズル３７ａ、３
８ａが設けられ、レジスト液の種類、粘度に応じてそれ
らのノズルが使い分けられるようになっている。
ル待機部９０で複数のノズルからノズル３６ａを選択的
に取り付けるためにＹ方向と直角なΧ方向にも移動可能
であり、図示しないΧ方向駆動機構によってΧ方向にも
移動するようになっている。また、複数本のノズル、こ
こでは３本のノズル３６ａ、後述するノズル３７ａ、３
８ａが設けられ、レジスト液の種類、粘度に応じてそれ
らのノズルが使い分けられるようになっている。
【００２６】各ノズル３６ａ、３７ａ、３８ａは、チュ
ーブ８３ａ、後述するチューブ８４ａ、８５ａを介し
て、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の下方室内に配設
されたケミカルエリア内のレジスト液タンク３３ａ〜３
５ａに接続されている。
ーブ８３ａ、後述するチューブ８４ａ、８５ａを介し
て、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の下方室内に配設
されたケミカルエリア内のレジスト液タンク３３ａ〜３
５ａに接続されている。
【００２７】次に、図６及び図７を用いてケミカルエリ
ア内の構造について説明する。図７は、図６にて図示し
た２つのレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）のうち左側に
図示したレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に供給される
レジスト液の供給構造を説明するための図である。
ア内の構造について説明する。図７は、図６にて図示し
た２つのレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）のうち左側に
図示したレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に供給される
レジスト液の供給構造を説明するための図である。
【００２８】図６に示すように、処理ステーション１１
内のケミカルエリア１３には、各レジスト塗布ユニット
（ＣＯＴ）毎に、ウエハ上に供給するレジスト液を供給
するためのチューブ８３ａ〜８５ａまたは８３ｂ〜８５
ｂと、マニホールド３２ａまたは３２ｂと、循環ユニッ
ト３１ａまたは３１ｂと、処理液としてのレジスト液が
貯留されているレジスト液タンク３３ａ〜３５ａまたは
３３ｂ〜３５ｂが設けられている。チューブ８３ａ〜８
５ａは、それぞれ一端部が対応するレジスト液タンク３
３ａ〜３５ａに接続され、他端部の先端部にはノズルが
設けられている。チューブ８３ｂ〜８５ｂも同様に、そ
れぞれ一端部がレジスト液タンク３３ｂ〜３５ｂに接続
され、他端部の先端部にはノズルが設けられている。そ
して、ノズルからは処理液タンクに貯留されているレジ
スト液がチューブを介して吐出される。各チューブ８３
ａ〜８５ａ、８３ｂ〜８５ｂは、後述するように、レジ
スト液が流通する供給管と、チューブ先端部付近に供給
管を囲うように設けられた第１温調部としての温調配管
とを有する。各温調配管の内部には所望の温度に調整さ
れた温調水が流通し、この温調水によって、間接的に供
給管内のレジスト液の温度調整が行われる。温調水は、
循環ユニット３１ａまたは３１ｂ内で所望の温度に調整
され、マニホールド３２ａまたはマニホールド３２ｂに
て、複数のチューブ８３ａ〜８５ａまたは８３ｂ〜８５
ｂのそれぞれに対応する温調配管に分配される。温調配
管に分配され、温調に用いられた温調水は、循環ユニッ
ト３１ａまたは３１ｂに戻り、再度温度調整されて、温
調配管に分配され、このような動作が繰り返し行われ
る。温調水としては、例えば純水が用いられる。
内のケミカルエリア１３には、各レジスト塗布ユニット
（ＣＯＴ）毎に、ウエハ上に供給するレジスト液を供給
するためのチューブ８３ａ〜８５ａまたは８３ｂ〜８５
ｂと、マニホールド３２ａまたは３２ｂと、循環ユニッ
ト３１ａまたは３１ｂと、処理液としてのレジスト液が
貯留されているレジスト液タンク３３ａ〜３５ａまたは
３３ｂ〜３５ｂが設けられている。チューブ８３ａ〜８
５ａは、それぞれ一端部が対応するレジスト液タンク３
３ａ〜３５ａに接続され、他端部の先端部にはノズルが
設けられている。チューブ８３ｂ〜８５ｂも同様に、そ
れぞれ一端部がレジスト液タンク３３ｂ〜３５ｂに接続
され、他端部の先端部にはノズルが設けられている。そ
して、ノズルからは処理液タンクに貯留されているレジ
スト液がチューブを介して吐出される。各チューブ８３
ａ〜８５ａ、８３ｂ〜８５ｂは、後述するように、レジ
スト液が流通する供給管と、チューブ先端部付近に供給
管を囲うように設けられた第１温調部としての温調配管
とを有する。各温調配管の内部には所望の温度に調整さ
れた温調水が流通し、この温調水によって、間接的に供
給管内のレジスト液の温度調整が行われる。温調水は、
循環ユニット３１ａまたは３１ｂ内で所望の温度に調整
され、マニホールド３２ａまたはマニホールド３２ｂに
て、複数のチューブ８３ａ〜８５ａまたは８３ｂ〜８５
ｂのそれぞれに対応する温調配管に分配される。温調配
管に分配され、温調に用いられた温調水は、循環ユニッ
ト３１ａまたは３１ｂに戻り、再度温度調整されて、温
調配管に分配され、このような動作が繰り返し行われ
る。温調水としては、例えば純水が用いられる。
【００２９】図７に示すように、各チューブ８３ａ〜８
５ａは、レジスト液を供給するための供給管１２２〜１
２４と、チューブ先端部付近に供給管を囲うように設け
られた第１温調部としての温調配管１１７ａ〜１１７ｃ
とを有する。更に、温調配管１１７ａ〜１１７ｃとノズ
ル３６ａ〜３８ａの先端部付近で連通し、温調配管１１
７ａ〜１１７ｃにて温調に用いられた温調水を排出する
温調配管１１７ａ〜１１７ｃを囲うように設けられた排
出管１１８ａ〜１１８ｃが設けられている。排出管１１
８ａ〜１１８ｃは、マニホールド３２ａと連通してお
り、排出管１１８ａ〜１１８ｃを通って排出された温調
水は、マニホールド３２ａを介して配管１１９へ流れ込
み、更に、第２温調部としての予備温調部１２０へ供給
される。この予備温調部１２０は、供給管１２２〜１２
４の一端部側に、これら供給管１２２〜１２４を覆うよ
うに配置されている。予備温調部１２０に供給される温
調水は、後述する温調水調整部１１１にて調整されてか
ら時間が経過しているため、所望の温度と値が多少ずれ
ているものの所望の温度に近い水温となっている。この
ため、レジスト液タンク３３ａ〜３５ａから供給管内に
供給されたレジスト液を、予備温調部１２０内を通過さ
せることにより、予め所望温度に近い温度に温度調整す
ることができる。このように本実施形態においては、温
調配管による温調より前に、既に使用された温調水を用
いて予備に温調が行われるため、レジスト液の温度調整
に用いられるエネルギーを低くすることができる。すな
わち、スペースの関係などで、温調配管の長さが制限さ
れてしまう場合においても、予備温調構造を取ることに
より、効率良く、レジスト液の温度調整を行うことがで
きる。
５ａは、レジスト液を供給するための供給管１２２〜１
２４と、チューブ先端部付近に供給管を囲うように設け
られた第１温調部としての温調配管１１７ａ〜１１７ｃ
とを有する。更に、温調配管１１７ａ〜１１７ｃとノズ
ル３６ａ〜３８ａの先端部付近で連通し、温調配管１１
７ａ〜１１７ｃにて温調に用いられた温調水を排出する
温調配管１１７ａ〜１１７ｃを囲うように設けられた排
出管１１８ａ〜１１８ｃが設けられている。排出管１１
８ａ〜１１８ｃは、マニホールド３２ａと連通してお
り、排出管１１８ａ〜１１８ｃを通って排出された温調
水は、マニホールド３２ａを介して配管１１９へ流れ込
み、更に、第２温調部としての予備温調部１２０へ供給
される。この予備温調部１２０は、供給管１２２〜１２
４の一端部側に、これら供給管１２２〜１２４を覆うよ
うに配置されている。予備温調部１２０に供給される温
調水は、後述する温調水調整部１１１にて調整されてか
ら時間が経過しているため、所望の温度と値が多少ずれ
ているものの所望の温度に近い水温となっている。この
ため、レジスト液タンク３３ａ〜３５ａから供給管内に
供給されたレジスト液を、予備温調部１２０内を通過さ
せることにより、予め所望温度に近い温度に温度調整す
ることができる。このように本実施形態においては、温
調配管による温調より前に、既に使用された温調水を用
いて予備に温調が行われるため、レジスト液の温度調整
に用いられるエネルギーを低くすることができる。すな
わち、スペースの関係などで、温調配管の長さが制限さ
れてしまう場合においても、予備温調構造を取ることに
より、効率良く、レジスト液の温度調整を行うことがで
きる。
【００３０】循環ユニット３１ａは、温度制御手段とし
ての温調水調整部１１１と、マニホールド３２ａにて複
数の温調配管１１７ａ〜１１７ｃに分配される前に、レ
ジスト液が流通する供給管１２２〜１２４を温度調整す
る分配前温調部１１０とからなる。温調水調整部１１１
には、温調素子としてのペルチェ素子１１４と、予備温
調部１２０内の温調水をくみ上げるポンプ１１３と、予
備温調部１２０からポンプ１１３及びペルチェ素子１１
４を介して分配前温調部１１０へ温調水が流通する配管
１２１とが配置されている。更に、分配前温調部１１０
には、温調水の温度を測定する温度センサ１１６が設け
られ、温度センサ１１６を用いて温調水の温度管理が行
われている。循環ユニット３１ａの分配前温調部１１０
とマニホールド３２ａとは隣接して配置されている。
ての温調水調整部１１１と、マニホールド３２ａにて複
数の温調配管１１７ａ〜１１７ｃに分配される前に、レ
ジスト液が流通する供給管１２２〜１２４を温度調整す
る分配前温調部１１０とからなる。温調水調整部１１１
には、温調素子としてのペルチェ素子１１４と、予備温
調部１２０内の温調水をくみ上げるポンプ１１３と、予
備温調部１２０からポンプ１１３及びペルチェ素子１１
４を介して分配前温調部１１０へ温調水が流通する配管
１２１とが配置されている。更に、分配前温調部１１０
には、温調水の温度を測定する温度センサ１１６が設け
られ、温度センサ１１６を用いて温調水の温度管理が行
われている。循環ユニット３１ａの分配前温調部１１０
とマニホールド３２ａとは隣接して配置されている。
【００３１】また、ペルチェ素子１１４に対しては、冷
却水タンク１１５から冷却水が循環するように構成され
ている。これにより、処理液の設定温度を低くする場合
に、冷却水を循環させることにより温調水の温度を低く
し、これにより処理液の設定温度を低くすることができ
る。また、冷却水タンク１１５内の冷却水は、ペルチェ
素子１１４の冷却用水としても併用できる。このように
処理液の設定温度を低くする場合、設定温度よりも低い
温調水を流して温度調整を行うが、処理液の温度が設定
温度に到達した際に、その温度で停止せずにさらに温度
が下降するオーバーシュート現象が生じる場合がある。
これを防止するには、処理液の温度が設定温度に到達す
る直前あたりで、温調水の温度をあげれば良い。一方、
処理液の設定温度を高くする場合には、ペルチェ素子１
１４に流す電流を大きくすることにより行う。これらの
温度制御にはＰＩＤ制御が用いられ、予め設定された加
熱時におけるＰＩＤ値、安定時におけるＰＩＤ値、冷却
時におけるＰＩＤ値に基づいて制御が行われる。本実施
形態においては、温調水は装置内のケミカルエリア内で
流通するため、装置外に循環ユニットを配置する場合と
比較して、用いる温調水は少なくてすむので、このよう
な温調水の温度制御が容易に行える。また、ポンプ１１
３の吐出力を制御して温調水の流量を調整し、温調水の
温度を変化させても良い。
却水タンク１１５から冷却水が循環するように構成され
ている。これにより、処理液の設定温度を低くする場合
に、冷却水を循環させることにより温調水の温度を低く
し、これにより処理液の設定温度を低くすることができ
る。また、冷却水タンク１１５内の冷却水は、ペルチェ
素子１１４の冷却用水としても併用できる。このように
処理液の設定温度を低くする場合、設定温度よりも低い
温調水を流して温度調整を行うが、処理液の温度が設定
温度に到達した際に、その温度で停止せずにさらに温度
が下降するオーバーシュート現象が生じる場合がある。
これを防止するには、処理液の温度が設定温度に到達す
る直前あたりで、温調水の温度をあげれば良い。一方、
処理液の設定温度を高くする場合には、ペルチェ素子１
１４に流す電流を大きくすることにより行う。これらの
温度制御にはＰＩＤ制御が用いられ、予め設定された加
熱時におけるＰＩＤ値、安定時におけるＰＩＤ値、冷却
時におけるＰＩＤ値に基づいて制御が行われる。本実施
形態においては、温調水は装置内のケミカルエリア内で
流通するため、装置外に循環ユニットを配置する場合と
比較して、用いる温調水は少なくてすむので、このよう
な温調水の温度制御が容易に行える。また、ポンプ１１
３の吐出力を制御して温調水の流量を調整し、温調水の
温度を変化させても良い。
【００３２】また、上述の実施形態においては、温度セ
ンサ１１６は循環ユニット３１ａの分配前温調部１１０
に設置されているが、図８に示すように、処理液の温調
をする擬似配管であるダミー配管としてのダミーチュー
ブ８６を更に設け、このダミーチューブ８６内の一部に
温度センサ１２６を設けても良い。尚、図８において、
図７と同様の構造については同じ符号を付し、同一の構
造については一部説明を省略する。
ンサ１１６は循環ユニット３１ａの分配前温調部１１０
に設置されているが、図８に示すように、処理液の温調
をする擬似配管であるダミー配管としてのダミーチュー
ブ８６を更に設け、このダミーチューブ８６内の一部に
温度センサ１２６を設けても良い。尚、図８において、
図７と同様の構造については同じ符号を付し、同一の構
造については一部説明を省略する。
【００３３】図８に示すように、ダミーチューブ８６
は、例えばレジスト擬似液体であるシリコンオイルが内
部を流通する循環配管１２７と、循環配管１２７の一部
を覆うように配置された第３温調部としての温調配管１
３０とを有する。温調配管１３０内には、他の温調配管
１１７ａ〜１１７ｃと同様に、マニホールド３２ａにて
分配された温調水が流通する。この温調水は、温調配管
１３０の端部付近と連通し、この温調配管を囲うように
設けられた排出管１２８を通り、マニホールド３２ａを
介して、供給管１１９に流れ込む構造となっている。ダ
ミーチューブ８６は、他のチューブ８３ａ〜８３ｃと同
様に、一部が予備温調部１２０により温調され、更に分
配前温調部１１０にて温調されている。図面では、チュ
ーブ８３ａ〜８３ｃは異なる長さを有しているが、実際
には同じ長さを有しており、温調配管１１７ａ〜１１７
ｃの長さもそれぞれ同一となっている。また、ダミーチ
ューブ８６の温調配管１３０の長さも、温調配管１１７
ａ〜１１７ｃの長さと同一となっており、温調配管１３
０内を流通する温調水の温調配管及び予備温調部などに
よる温調条件は、チューブ８３ａ〜８３ｃと同じとなっ
ている。また、ダミーチューブ８６の温調配管１３０内
には、温度センサ１２６が設けられており、この温度セ
ンサ１２６が配置される位置は、他のチューブ８３ａ〜
８３ｃのノズル３６ａ〜３８ａの位置に相当している。
従って、温度センサ１２６にて測定される温調水または
レジスト液相当の温度は、他のチューブ８３ａ〜８３ｃ
の各々のノズル３６ａ〜３８ａから吐出されるレジスト
液の温度とほぼ等しいとみなすことができ、上述の実施
形態と比較して、より一層、正確なレジスト液の温度調
整を行うことができる。そして、温度センサ１２６によ
り、所望の数値でない温度が測定された場合には、図示
しない制御部へこの情報が伝送されて、ペルチェ素子１
１４の制御が行われ、温調水の温度調整が行われる。ダ
ミーチューブ８６内を流通する液体は、他のチューブに
流通するレジスト液に近い温度変化を示す液体を用いれ
ば良く、ここではシリコンオイルを用いている。
は、例えばレジスト擬似液体であるシリコンオイルが内
部を流通する循環配管１２７と、循環配管１２７の一部
を覆うように配置された第３温調部としての温調配管１
３０とを有する。温調配管１３０内には、他の温調配管
１１７ａ〜１１７ｃと同様に、マニホールド３２ａにて
分配された温調水が流通する。この温調水は、温調配管
１３０の端部付近と連通し、この温調配管を囲うように
設けられた排出管１２８を通り、マニホールド３２ａを
介して、供給管１１９に流れ込む構造となっている。ダ
ミーチューブ８６は、他のチューブ８３ａ〜８３ｃと同
様に、一部が予備温調部１２０により温調され、更に分
配前温調部１１０にて温調されている。図面では、チュ
ーブ８３ａ〜８３ｃは異なる長さを有しているが、実際
には同じ長さを有しており、温調配管１１７ａ〜１１７
ｃの長さもそれぞれ同一となっている。また、ダミーチ
ューブ８６の温調配管１３０の長さも、温調配管１１７
ａ〜１１７ｃの長さと同一となっており、温調配管１３
０内を流通する温調水の温調配管及び予備温調部などに
よる温調条件は、チューブ８３ａ〜８３ｃと同じとなっ
ている。また、ダミーチューブ８６の温調配管１３０内
には、温度センサ１２６が設けられており、この温度セ
ンサ１２６が配置される位置は、他のチューブ８３ａ〜
８３ｃのノズル３６ａ〜３８ａの位置に相当している。
従って、温度センサ１２６にて測定される温調水または
レジスト液相当の温度は、他のチューブ８３ａ〜８３ｃ
の各々のノズル３６ａ〜３８ａから吐出されるレジスト
液の温度とほぼ等しいとみなすことができ、上述の実施
形態と比較して、より一層、正確なレジスト液の温度調
整を行うことができる。そして、温度センサ１２６によ
り、所望の数値でない温度が測定された場合には、図示
しない制御部へこの情報が伝送されて、ペルチェ素子１
１４の制御が行われ、温調水の温度調整が行われる。ダ
ミーチューブ８６内を流通する液体は、他のチューブに
流通するレジスト液に近い温度変化を示す液体を用いれ
ば良く、ここではシリコンオイルを用いている。
【００３４】上記実施形態では、本発明を半導体ウエハ
にレジスト液を塗布する装置に適用したものについて説
明したが、半導体ウエハ以外の基板、例えばＬＣＤ基板
にレジスト液を塗布する装置にも本発明は適用できる。
また、上述の実施形態では、レジスト塗布ユニット（Ｃ
ＯＴ）を例にあげて、レジスト液の供給構造について説
明したが、例えば現像ユニット（ＤＥＶ）に適用するこ
ともできる。すなわち、基板上に何らかの処理液を供給
する場合であって、この処理液に対し温度調整を行う際
に、本発明を適用することができる。
にレジスト液を塗布する装置に適用したものについて説
明したが、半導体ウエハ以外の基板、例えばＬＣＤ基板
にレジスト液を塗布する装置にも本発明は適用できる。
また、上述の実施形態では、レジスト塗布ユニット（Ｃ
ＯＴ）を例にあげて、レジスト液の供給構造について説
明したが、例えば現像ユニット（ＤＥＶ）に適用するこ
ともできる。すなわち、基板上に何らかの処理液を供給
する場合であって、この処理液に対し温度調整を行う際
に、本発明を適用することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エネルギー効率良く、処理液の温度調整を行うことがで
きる。
エネルギー効率良く、処理液の温度調整を行うことがで
きる。
【図１】 本発明の一実施形態である半導体ウエハの塗
布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。
布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。
【図２】 図１の塗布現像処理システムの構成を示す正
面図である。
面図である。
【図３】 図１の塗布現像処理システムの構成を示す背
面図である。
面図である。
【図４】 図１の塗布現像処理システムにおけるレジス
ト塗布ユニットの概略断面図である。
ト塗布ユニットの概略断面図である。
【図５】 図４のレジスト塗布ユニットの平面図であ
る。
る。
【図６】 図１のレジスト塗布ユニットの部分概略斜視
図である。
図である。
【図７】 ケミカルエリア内のレジスト液の供給構造を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図８】 他のケミカルエリア内のレジスト液の供給構
造を説明するための図である。
造を説明するための図である。
Ｗ…半導体ウエハ ５２…スピンチャック ８３ａ〜８５ａ、８３ｂ〜８５ｂ…チューブ １１７ａ〜１１７ｃ…温調配管 １１１…温調水調整部 １２０…予備温調部 １３０…温調配管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大倉 淳 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 (72)発明者 斉藤 道茂 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA18 AB16 EA05 5F046 JA03 JA04 JA24 LA01 LA03 LA13
Claims (3)
- 【請求項１】 基板を水平に保持する保持台と、 一端部から処理液が供給され、該処理液を他端部から前
記基板に対し供給する供給管と、 内部に温調水が流通され、前記供給管の他端部付近を温
度調整する第１温調部と、 内部に前記第１温調部から排出された前記温調水が流通
され、前記供給管の一端部付近を温度調整する第２温調
部とを具備することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 内部をダミー用液が循環するダミー配管
と、 内部に温調水が流通され、前記ダミー配管の一部を温度
調整する第３温調部とを更に具備し、 前記第３温調部から排出された前記温調水は、前記第２
温調部に供給され、前記第２温調部は、前記ダミー配管
の他の一部を温度調整することを特徴とする請求項１記
載の基板処理装置。 - 【請求項３】 前記第１温調部に対して供給する温調水
の温度制御を行う温度制御手段を更に具備し、 前記第２温調部から排出された温調水は、前記温調制御
手段へ再供給されることを特徴とする請求項１または請
求項２記載の基板処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000200974A JP3585217B2 (ja) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | 基板処理装置 |
| US09/893,707 US6620245B2 (en) | 2000-07-03 | 2001-06-29 | Liquid coating apparatus with temperature controlling manifold |
Applications Claiming Priority (1)
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