JP2002015296A - メモリカード - Google Patents

メモリカード

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JP2002015296A
JP2002015296A JP2000198329A JP2000198329A JP2002015296A JP 2002015296 A JP2002015296 A JP 2002015296A JP 2000198329 A JP2000198329 A JP 2000198329A JP 2000198329 A JP2000198329 A JP 2000198329A JP 2002015296 A JP2002015296 A JP 2002015296A
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memory
filler
semiconductor
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Kazuhiro Uji
和博 宇治
Tomokazu Takami
友和 高見
Shuichi Takeda
修一 武田
Shusuke Kuwata
秀典 桑田
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型で薄型化に対応可能で、かつその全体と
しての強度を保持できるメモリカードを提供する。 【解決手段】 記録内容を書き換え可能な半導体メモリ
を有し機器との電気的接続をする複数の接触端子を一体
的に設けたメモリカードであって、チップサイズパッケ
ージよりなるCSPタイプの半導体メモリ2と、プリン
ト配線を施し前記複数の接触端子8を形成する実装基板
1と、メモリカード本体を構成するべく前記半導体メモ
リと基板を収納する上下筐体6,7とを備え、前記半導
体メモリ2は、その下面に形成された端子2aを前記実
装基板1に半田付け2bにより実装すると共に、当該半
導体メモリ2のパッケージ側面と実装基板1との間に充
填剤9,9aを施して一体化し、前記半導体メモリ2を
実装した状態で実装基板1を前記上下筐体6,7により
挟持することにより構成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録内容を書き換
え可能な半導体メモリを有し当該半導体メモリと機器と
の電気的接続をする複数の接触端子を一体的に設けたメ
モリカードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種メモリカードは、チップ状のフラ
ッシュメモリより成る半導体メモリを実装基板に半田付
等により実装し、上下ケースに収納したものが一般的で
あり、実装基板の端部に入出力端子を形成して、本体装
置のメモリカード挿入口に挿入して信号の入出力を行う
ようにしている。
【0003】従来のメモリカードの一例として、例え
ば、特開平4−19194号公報に開示されているよう
に、基板にベアチップ状態のICチップを実装してワイ
ヤボンディングし、その上からモールドすることにより
構成したもの。また、特開平9−147545号公報に
開示されているように、基板上に複数のベアチップを実
装し、更に保護部で封止する構成のもの。特開平10−
284684号公報に開示されているように、実装基板
上に半導体チップを実装して封止体で封止された構造の
もの等が一般的であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このメモリーカード
は、最近、小型で薄型、かつ大容量化が進み、切手サイ
ズの大きさに、64MBの容量のものが開発されてい
る。このようなメモリカードにおいて、その強度を如何
に保持するかが課題となっている。
【0005】本発明は、小型で薄型化に対応可能で、か
つその全体としての強度を保持しながら外観を損なうこ
となく形成できるメモリカードを提供することを目的と
してなされたものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明のメモリカードは、少なくとも記録内容を書き
換え可能な半導体メモリを有し当該半導体メモリと機器
との電気的接続をする複数の接触端子を一体的に設けた
メモリカードであって、チップサイズパッケージよりな
るCSPタイプの半導体メモリと、プリント配線を施し
前記複数の接触端子を形成する実装基板と、メモリカー
ド本体を構成するべく前記半導体メモリと基板を収納す
る上下筐体とを備え、前記半導体メモリは、その下面に
形成された端子を前記実装基板に半田付けにより実装す
ると共に、当該半導体メモリのパッケージ側面と実装基
板との間に充填剤を施して一体化し、前記半導体メモリ
を実装した状態で実装基板を前記上下筐体に収納するこ
とにより構成したものである。
【0007】これにより、小型で薄型化に対応可能で、
かつその全体としての強度を保持しながら外観を損なう
ことなく形成できるメモリカードが得られる。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、少なくとも記録内容を書き換え可能な半導体メモリ
を有し当該半導体メモリと機器との電気的接続をする複
数の接触端子を一体的に設けたメモリカードであって、
チップサイズパッケージよりなるCSPタイプの半導体
メモリと、プリント配線を施し前記複数の接触端子を形
成する実装基板と、メモリカード本体を構成するべく前
記半導体メモリと基板を収納する上下筐体とを備え、前
記半導体メモリは、その下面に形成された端子を前記実
装基板に半田付けにより実装すると共に、当該半導体メ
モリのパッケージ側面と実装基板との間に充填剤を施し
て一体化し、前記半導体メモリを実装した状態で実装基
板を前記上下筐体に収納することにより構成したもので
あり、小型で薄型化に対応可能で、かつその全体として
の強度を保持しながら外観を損なうことがないという作
用を有する。
【0009】請求項2に記載の発明は、前記半導体メモ
リは複数個有し、前記充填剤を、当該半導体メモリ間の
パッケージ側面全面に施したものであり、実装基板が硬
質のシリコンを内部に有する半導体メモリとの一体化に
より補強され、樹脂製でかつ薄型で変形しやすい上下筐
体に収納されたものであっても、メモリカード全体とし
ても変形しにくいカードとして構成できるという作用を
有する。
【0010】請求項2に記載の発明は、前記充填剤は、
エポキシ系接着剤としたもので、低温硬化で硬化収縮の
少ないものであるため、熱よる変形を発生することが無
く、また、硬化収縮が少ないため充填剤の収縮により実
装基板に対する半導体メモリの位置が変形したり、充填
による接着強度が落ちるというようなことも無いという
作用を有する。
【0011】以下本発明の実施の形態について、図1か
ら図3を用いて説明する。
【0012】(実施の形態1)図1は本発明の第1の実
施の形態におけるメモリカードの断面図、図2はその分
解斜視図、図3は全体構成の斜視図を示す。
【0013】図において、1は樹脂製の実装基板、2は
フラッシュメモリよりなる半導体メモリ、3はコントロ
ーラ用IC、4はマイコン、5はチップ部品であり、こ
れら2〜5の電子部品は実装基板1に実装されている。
その各電子部品2〜5が実装された実装基板1を、樹脂
製の上筐体6と下筐体7に収納することにより、メモリ
ーカード全体を構成している。このメモリカードは、実
装基板1の端部に入出力用の接触端子8を形成してお
り、本体装置のメモリカード挿入口に挿入して、その装
置本体との間で信号の入出力を行い、このメモリカード
に有する半導体メモリ2に、画像や音楽信号、種々のデ
ータ等を記録可能としている。
【0014】実装基板1には、接触端子8の他に、この
接触端子8、半導体メモリ2、コントローラ用IC3、
マイコン4、チップ部品5間を接続し、所定の回路を構
成するプリント配線を施し、必要に応じて両面間のプリ
ント配線を接続するスルーホール端子を形成している。
半導体メモリ2は、例えば、記録内容を書き換え可能な
フラッシュメモリであって、その構成は、チップサイズ
パッケージよりなるCSPタイプで、その底面に有する
複数の端子2a(図2参照)を半田付け2bにより、実
装基板1に固定することにより実装している。また、こ
の半導体メモリ2と実装基板1とは、半導体メモリ2の
パッケージ側面と実装基板1との間に充填剤9を施して
一体化している。更に、複数の半導体メモリ2,2間に
おいては両者の側面間にも充填剤9aを施して両半導体
メモリ2,2間をも一体化している。これにより、実装
基板1と半導体メモリ2とは、半田付け2bによる固定
に加え、充填剤9及び9aによりより一体化されること
となる。
【0015】また、コントローラ用IC3及びマイコン
4は、ベアチップタイプで、接着剤3a,4aで固定
し、その下面に形成した端子3b,4bを銀ペーストで
接続し、更に充填剤10を施すことにより実装してい
る。チップ部品5は、チップコンデンサ又はチップ抵抗
であり、このメモリカードに必要な回路を構成してお
り、実装基板1に半田付けにより取り付けている。
【0016】上筐体6は、内面に凹部6aを形成し、外
側表面にカードに記録された内容を表示するラベル12
を貼付する凹部6bを形成しており、外周は下筐体7と
の接合面6cを形成している。また、下筐体7は、実装
基板1上の接触端子8に対応する位置にそれぞれ貫通孔
7aを形成し、実装基板1を収納した状態でこの貫通孔
7aを通して接触端子8がコネクタ端子(図示せず)と
接触可能となっており、また、内部にコントローラ用I
C3及びマイコン4収納用の凹部7b及び7cを形成
し、中間位置である凹部7b−7c間に実装基板1に当
接する突条部7dを形成し、貫通孔7aの前面には前面
壁7eを形成して上筐体6の前面をもカバーする構造と
なっている。
【0017】また、メモリカードの全体の構成は、図3
の斜視図に示すように構成され、上筐体6及び下筐体7
にそれぞれ形成した切欠部6d,7fの位置に、誤消去
防止用の操作片13が形成されており、その操作位置に
応じて、このメモリカードへのデータの記録が可能か不
可能かを検出できるようになっている。
【0018】このように本実施形態によれば、充填剤9
及び9aにより、半導体メモリ2が実装基板1と一体化
されることにより、本来変形しやすい樹脂よりなる実装
基板1が、硬質のシリコンを内部に有する半導体メモリ
2との一体化により、補強され、樹脂製でかつ薄型で変
形しやすい上下筐体6,7に収納されたものであって
も、メモリカード全体としても変形しにくいカードとし
て構成できる。
【0019】ここで、充填剤9,9aは、上下筐体6,
7が樹脂製であるために耐熱性が低く熱の影響を受けや
すい点、硬化収縮が大きいと硬化後の外観を損なうこと
になりかねない点から、低温硬化で硬化収縮の少ないエ
ポキシ系接着剤としている。このため、充填剤9,9a
の硬化時に高温加熱する必要がないので、上下筐体6,
7が薄く(最薄部で約0.15mm)形成されても、熱に
よる変形を発生することが無く、また、硬化収縮が少な
いため充填剤9,9aの収縮により実装基板1に対する
半導体メモリ2の位置が変形したり、充填による接着強
度が落ちるというようなことも無い。
【0020】また、充填剤9,9aは、メモリカードの
薄型指向に対応するために、図示するように、半導体メ
モリ2の側面と実装基板1との間に施して、半導体メモ
リ2の上面には施さないようにしている。例えば半導体
メモリ2の上面まで充填剤で覆って補強するようにした
場合は、薄い上筐体6と当接して変形させるおそれがあ
るが、前述の構成としたことにより、半導体メモリ2の
上面と上筐体6との間を最小限に詰めることができ、か
つ変形することもなく、上筐体6表面はフラットで、薄
型化が可能である。
【0021】また、上筐体6は、その凹部6b対応位置
の内面側に、ほぼ前面にわたり半導体メモリ2の上面が
対向して、その上筐体6の内方への変形を阻止する構成
となっている。一方、下筐体7は、凹部7b及び7cを
形成して当該部分が薄くなっているものの、中間位置に
実装基板1に当接する突条部7dを形成しすることによ
り、この下筐体7の内方への変形をも阻止する構成とな
っている。
【0022】次に、以上のように構成したメモリカード
の全体を組み立てる際の組立工法について説明する。
【0023】まず、実装基板1に、半導体メモリ2、コ
ントローラ用IC3、マイコン4、チップ部品5をそれ
ぞれ半田付け等により、両面に実装する。次に、充填剤
9,9aを、半導体メモリ2の側面と実装基板1との間
に塗布する。そして、次に、加熱を行い、塗布した充填
剤9,9aを硬化させる。その後、前述の各部品が実装
されかつ充填剤が硬化された状態の実装基板1を、上筐
体6と下筐体7との間の所定位置に、配置させて挟み込
んだ状態で、上筐体6の周縁部に形成した接合面6cと
下筐体7の周縁部との間を超音波溶着により接合し、筐
体全体を構成して実装基板1を収納した状態となってい
る。
【0024】このように、実装基板1上に所定の部品を
実装した後、充填剤9,9aを塗布してその硬化後、上
下筐体6,7に収納することにより、硬化時における収
縮等による変形、位置ずれが筐体に対して影響を及ぼす
ことがなく、前述したメモリカードそのものを、所期の
目的を達成しながら組み立てることができることとな
る。
【0025】ここで、上筐体6と下筐体7との接合は、
超音波加熱やその他の加熱方法等の溶着による接合、接
着剤による接合などにより行うことができる。
【0026】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、少なくと
も記録内容を書き換え可能な半導体メモリを有し当該半
導体メモリと機器との電気的接続をする複数の接触端子
を一体的に設けたメモリカードであって、チップサイズ
パッケージよりなるCSPタイプの半導体メモリと、プ
リント配線を施し前記複数の接触端子を形成する実装基
板と、メモリカード本体を構成するべく前記半導体メモ
リと基板を収納する上下筐体とを備え、前記半導体メモ
リは、その下面に形成された端子を前記実装基板に半田
付けにより実装すると共に、当該半導体メモリのパッケ
ージ側面と実装基板との間に充填剤を施して一体化し、
前記半導体メモリを実装した状態で実装基板を前記上下
筐体に収納することにより構成したものであり、小型で
薄型化に対応可能で、かつその全体としての強度を保持
しながら外観を損なうことなく形成できるメモリカード
を提供できるという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)本発明の一実施の形態によるメモリカー
ドの全体の断面図 (b)同部分拡大断面図
【図2】同分解斜視図
【図3】同全体構成の斜視図
【符号の説明】
1 実装基板 2 半導体メモリ 2a 端子 2b 半田付け 6 上筐体 7 下筐体 8 接触端子 9,9a 充填剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武田 修一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 桑田 秀典 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5B035 AA08 BA05 BB09 BC00 CA03

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも記録内容を書き換え可能な半
    導体メモリを有し当該半導体メモリと機器との電気的接
    続をする複数の接触端子を一体的に設けたメモリカード
    であって、 チップサイズパッケージよりなるCSPタイプの半導体
    メモリと、プリント配線を施し前記複数の接触端子を形
    成する実装基板と、メモリカード本体を構成するべく前
    記半導体メモリと基板を収納する上下筐体とを備え、 前記半導体メモリは、その下面に形成された端子を前記
    実装基板に半田付けにより実装すると共に、当該半導体
    メモリのパッケージ側面と実装基板との間に充填剤を施
    して一体化し、 前記半導体メモリを実装した状態で実装基板を前記上下
    筐体に収納することにより構成したことを特徴とするメ
    モリカード。
  2. 【請求項2】 前記半導体メモリは複数個有し、前記充
    填剤を、当該半導体メモリ間のパッケージ側面全面に施
    したことを特徴とする請求項1記載のメモリカード。
  3. 【請求項3】 前記充填剤は、エポキシ系接着剤である
    ことを特徴とする請求項1又は2記載のメモリカード。
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