JP2001522381A

JP2001522381A - 置換フタロシアニン類及びそれらの用途

Info

Publication number: JP2001522381A
Application number: JP51619998A
Authority: JP
Inventors: ヴォレブ，ハインツ
Original assignee: Ciba Spezialitaetenchemie Holding AG
Current assignee: BASF Schweiz AG
Priority date: 1996-10-03
Filing date: 1997-09-24
Publication date: 2001-11-13
Anticipated expiration: 2017-09-24
Also published as: KR20000048837A; WO1998014520A1; CN1491993A; CN1236438C; DE69713512T2; CN1145678C; CA2262976A1; CZ116599A3; DE69713512D1; CN1232480A; US6087492A; KR100503773B1; EP0929609B1; AU4556797A; CZ297162B6; EP0929609A1; TW442542B; JP3515128B2

Abstract

(57)【要約】本発明は、周辺炭素骨格に結合した、非置換若しくは置換の、ホルミル、カルボニル、ヒドロキシメチル若しくはカルボキシルの基少なくとも１個を含むフタロシアニン、又は２価の、金属、オキソメタル、ハロゲノメタル若しくはヒドロキシメタルとのその金属錯体に関する。これらのフタロシアニン類又はそれらの誘導体は、光学記録媒体の記録層に使用される。また、式（III）(式中、Ｍは、２価の、金属、オキソメタル、ハロゲノメタル若しくはヒドロキシメタル又は２個の水素原子であり、Ｘは、ハロゲンであるか、又はフェニル環上の隣接位置にある２個のＸが一緒になって−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−ブリッジを形成し、それにより、更なるフェニル環が得られ、Ｙは、−ＯＲ₁、−ＯＯＣ−Ｒ₂、−ＮＨＲ₁、−Ｎ（Ｒ₁）Ｒ₂又は−ＳＲ₁であり、ｘは、０又は１〜８の数であり、ｙは、ｚに依存して、ｚ〜４の数であり、ｚは、１〜４の数である)に相当する化合物のいくつかを調製するための、式（IV）(式中、Ｍ、Ｘ、Ｙ、ｘ及びｙは、式（III）で定義したとおりである)の化合物を、ジメチルホルムアミド及び塩化ホスホリルそれぞれのｚmolと反応させることによる新規な方法が特許請求されている。

Description

【発明の詳細な説明】置換フタロシアニン類及びそれらの用途本発明は、１〜４個の、ホルミル、カルボニル、ヒドロキシメチル若しくはカルボキシル基によって置換されている新規なフタロシアニン類又はそれらの誘導体、光学記録媒体の記録層におけるそれらの用途並びにこれら化合物のいくつかを調製する新規な方法に関する。本発明の分野は、情報ビットが書き込み場所又は非書き込み場所における染料の異なる光学的性質において異なる、１回書き込み型記録媒体に対する光学的情報記録の分野である。この技術は、通常、ＷＯＲＭと呼ばれ（例えばＣＤ−Ｒ、ＳＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ又はＭＭＣＤ−Ｒ）、本明細書ではこの略号を採用する。ＷＯＲＭ（write once read many）システムに情報を記録するための、近赤外範囲（ＮＩＲ範囲）の放射線を吸収する染料の使用は以前から既知であり、とりわけ、EmmeliusによってAngewandte Chemie，No．11，pages 1475-1502（1989）に記載されている。このような記録材料にレーザを照射することにより、情報を２進形態で記録するために必要な吸収率の変化は、物理的変化（例えば昇華又は拡散によって）又は化学的変化（例えばフォトクロミズム、異性化又は熱分解）によって達成することが可能である。置換フタロシアニン類は、そのようなＷＯＲＭシステムに使用するための重要な種類の染料である。理由は、中心金属原子に依存しながらも、相応に周辺を置換されているとき、７００nm〜９００nmの範囲で高いＮＩＲ吸収を有するからである。最も厳しい要件、例えば、高い屈折率、高い初期反射率、固体状態での狭い吸収帯域、種々のパルス幅での書き込み幅の均一さ、太陽光に対する、また弱いレーザ照射（読み出し）下での高い安定性とともに強いレーザ照射（刻み込み）に対する高い感度、低いノイズ、高い解像度、並びに、最も重要なことは、最適な書き込み性能における所望の値でのピットの非常にわずかな統計的ジッタ（jitt er）が、使用される記録層に課されている。通常、記録層は、典型的にはスピン被覆によって溶液から塗被されるため、染料は、有用であるためには、とりわけ欧州特許第５１１５９８号に記載されている従来の溶媒に易溶性でなければならない。アルコキシ多置換され、かつハロゲン化されたフタロシアニン類が、欧州特許第３７３６４３号及び欧州特許第５１３３７０号から既知である。しかし、このような化合物は、単独では使用することができず、多くの異性体の混合物としてはじめて使用することができる。改善された十分な可溶性を有する類似の異性体混合物が欧州特許第７０３２８０号から既知である。他方、欧州特許第７１２９０４号は、低い分解温度、比較的狭い吸収帯域及び７８０nmでの高い屈折率及び書き込み場所と非書き込み場所との良好なコントラストを有する、リン基によって置換されているフタロシアニン類を開示している。しかし、易溶性のフタロシアニン染料を用いる既知の記録層は、必要とされる性質を不満足な程度にしか有さず、特に、光学解像度は、しばしばまったく不十分である。更に、最良の生成物は、貴金属フタロシアニン類であり、その高額な材料費は、くず扱いされるかもしれない廉価な大量生産物の需要とは両立しない。更に、既知の可溶性生成物は、もっぱら複雑な異性体混合物であるため、品質管理のためにきわめて精巧な分析手法を使用しなければならない。驚くべきことに、特定のフタロシアニン誘導体を記録層として使用して、現在知られる記録媒体よりも驚くほど良好な性質を有する光学記録媒体を提供することが可能になった。加えて、本発明のフタロシアニン誘導体は、容易に分析することができ、中心金属原子として貴金属を選択する必要はない。本発明は、その一つの態様において、周辺炭素骨格に結合した、非置換若しくは置換の、ホルミル、カルボニル、ヒドロキシメチル若しくはカルボキシル基の少なくとも１個を含むフタロシアニン、又は２価の、金属、オキソメタル、ハロゲノメタル若しくはヒドロキシメタルとのその金属錯体に関する。２価の、オキソメタル、ハロゲノメタル又はヒドロキシメタルは、１個の中性分子に更に配位されていることができ、２価の金属は、独立しているか、互いに依存している１個又は２個の中性分子に更に配位されていることができ、これらの中性分子は、Ｎ、Ｏ及びＳからなる群より選択される少なくとも１個のヘテロ原子を含む。２価の金属は、例えばＣｕ(II)、Ｚｎ(II)、Ｆｅ(II)、Ｎｉ(II)、Ｒｕ(II)、Ｒｈ(II)、Ｐｄ(II)、Ｐｔ(II)、Ｍｎ(II)、Ｍｇ(II)、Ｂｅ(II)、Ｃａ(II)、Ｂａ(II)、Ｃｄ(II)、Ｈｇ(II)、Ｓｎ(II)、Ｃｏ（II）又はＰｂ（II）である。２価のオキソメタルは、例えばＶ（IV）Ｏ、Ｍｎ（IV）Ｏ、Ｚｒ（IV）Ｏ又はＴｉ（IV）Ｏである。２価のハロゲノメタルは、例えばＦｅ（III）Ｃｌ、Ｉｎ（III ）Ｃｌ又はＣｅ（III）Ｃｌである。２価のヒドロキシメタルは、例えばＡｌ（I II）ＯＨ、Ｃｒ（III）ＯＨ、Ｂｉ（III）ＯＨ又はＺｒ（IV）(ＯＨ)₂である。周辺炭素骨格に結合した基は、−ＣＨＯ、−ＣＯ−ＫＷ_radical、−ＣＨ₂ＯＨ若しくは−ＣＯＯＨ又は、−ＣＨＯ、−ＣＯ−ＫＷ_radical、−ＣＨ₂ＯＨ若しくは−ＣＯＯＨからそれ自体既知の方法によって調製することができる、非置換若しくは置換の、ホルミル、ヒドロキシメチル又はカルボキシル基であることができる。置換の、ホルミル又はカルボニル基は、典型的には、それらのアセタール類、オキシム類又はヒドラゾン類である。置換ヒドロキシメチル基は、典型的には、−ＣＨ₂−ＯＯＣ−ＫＷ_radical又は−ＣＨ₂−Ｏ−ＫＷ_radicalである。置換カルボキシル基は、典型的には、エステル類又はチオエステル類、例えばＯＯ− ＫＷ_radical又は−ＣＯＳ−ＫＷ_radicalであり、各ＫＷ_radicalは、飽和、不飽和又は芳香族の非置換又は置換された炭化水素基、例えばＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルキニル、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール又はＣ₇〜Ｃ₁₈アラルキルである。好ましい化合物は、式Ｉの化合物である。式中、Ｍは、２価の、金属、オキソメタル、ハロゲノメタル若しくはヒドロキシメタル又は２個の水素原子であり、Ｘは、ハロゲンであるか、又はフェニル環上の隣接位置にある２個のＸが一緒になって−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−ブリッジを形成して、それにより更なるフェニル環が得られ、Ｙは、−ＯＲ₁、−ＯＯＣ−Ｒ₂、−ＮＨＲ₁、−Ｎ（Ｒ₁）Ｒ₂又は−ＳＲ₁であり、Ｚは、−ＣＨＯ、−ＣＨ（ＯＲ₃）ＯＲ₄、−ＣＨ＝Ｎ−ＯＨ、−ＣＨ＝Ｎ−ＯＲ₃、−ＣＨ＝Ｎ−ＮＨＲ₅、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ（Ｒ₃）Ｒ₅、−ＣＨ₂ＯＨ、−ＣＨ₂ ＯＲ₃、−ＣＨ₂ＯＯＣ−Ｒ₃、−ＣＯ−Ｒ₃、−ＣＯＯＨ又は−ＣＯＯＲ₃であり、ｘは、０又は１〜８の数であり、ｙは、ｚに依存して、ｚ〜４の数であり、ｚは、１〜４の数であり、Ｒ₁〜Ｒ₅は、それぞれ互いに独立して、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル（これは、非置換であるか、又はハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルコキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキルアミノ若しくはＣ₂〜Ｃ₂₀ジアルキルアミノによって置換されており、−Ｏ− 、−Ｓ−、−ＮＨ−若しくは−ＮＲ₆−によって中断されていもよい）、Ｃ₁〜Ｃ₂₀ シクロアルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルキニル、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール若しくはＣ₇〜Ｃ₁₈アラルキルであるか、又はＲ₁とＲ₂は、一緒になって、Ｃ₂〜Ｃ₂₀アルキレン（これは、非置換であるか、又はオキソ、ヒドロキシ若しくはＣ₁〜Ｃ₂₀カルボキシによって置換されており、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−若しくは−ＮＲ₆−によって中断されていもよい）であるか、又はＲ₃とＲ₄は、一緒になって、Ｃ₂〜Ｃ₂₀アルキレン（これは、非置換であるか、又はハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルコキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキルアミノ若しくはＣ₂〜Ｃ₂₀ジアルキルアミノによって置換されている）であり、Ｒ₆は、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルキニル、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール又はＣ₇〜Ｃ₁₈アラルキルであり、２価の、オキソメタル、ハロゲノメタル又はヒドロキシメタルは、１個の中性分子に更に配位されていてもよく、２価の金属原子は、独立しているか、互いに依存している１個又は２個の中性分子に更に配位されていてもよく、これらの中性分子は、Ｎ、Ｏ及びＳからなる群より選択される少なくとも１個のヘテロ原子を含む。アルキル、アルケニル又はアルキニル、例えばＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₂〜Ｃ₂₀ アルケニル又はＣ₂〜Ｃ₂₀アルキニルは、直鎖状、分岐鎖状、単環式又は多環式であることができる。したがって、Ｃ₁〜Ｃ₆アルキルは、典型的には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、sec−ブチル、イソブチル、tert−ブチル、シクロブチル、ｎ−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２，２−ジメチルプロピル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシルであり、加えて、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキルは、典型的には、ｎ−オクチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、２−エチルヘキシル、ノニル、トリメチルシクロヘキシル、デシル、メンチル、ツジル、ボルニル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル又はエイコシルである。Ｃ₂〜Ｃ₂₀アルケニルは、２個以上の二重結合が孤立又は共役していることができる、モノ若しくはポリ不飽和Ｃ₂〜Ｃ₂₀アルキル、典型的にはビニル、アリル、２−プロペン−２−イル、２−ブテン−１−イル、３−ブテン−１−イル、１，３−ブタジエン−２−イル、２−シクロブテン−１−イル、２−ペンテン− １−イル、３−ペンテン−２−イル、２−メチル−１−ブテン−３−イル、２− メチル−３−ブテン−２−イル、３−メチル−２−ブテン−１−イル、１，４− ペンタジエン−３−イル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン −１−イル、３−シクロヘキセン−１−イル、２，４−シクロヘキサジエン−１ −イル、１−ｐ−メンテン−８−イル、４（１０）−ツジェン−１０−イル、２ −ノルボルネン−１−イル、２，５−ノルボルナジエン−１−イル、７，７−ジメチル−２，４−ノルカラジエン−３−イル又はヘキセニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ドデセニル、テトラデセニル、ヘキサデセニル、オクタデセニル、エイコセニル、ヘンエイコセニル、ドコセニル、テトラコセニル、ヘキサジエニル、オクタジエニル、ノナジエニル、デカジエニル、ドデカジエニル、テトラデカジエニル、ヘキサデカジエニル、オクタデカジエニル若しくはエイコサジエニルの種々の異性体である。Ｃ₂〜Ｃ₂₀アルキニルは、二重にモノ又はポリ飽和した、三重結合が孤立していることもできるし、互い又は二重結合と共役していることもできる、Ｃ₂〜Ｃ₂ ₀ アルキル又はＣ₂〜Ｃ₂₀アルケニル、典型的には１−プロピン−３−イル、１− ブチン−４−イル、１−ペンチン−５−イル、２−メチル−３−ブチン−２−イル、１，４−ペンタジイン−３−イル、１，３−ペンタジイン−５−イル、１− ヘキシン−６−イル、シス−３−メチル−２−ペンテン−４−イン−１−イル、トランス−３−メチル−２−ペンテン−４−イン−１−イル、１，３−ヘキサジイン−５−イル、１−オクチン−８−イル、１−ノニン−９−イル、１−デシン −１０−イル又は１−エイコシン−２０−イルである。Ｃ₇〜Ｃ₁₈アラルキルは、典型的には、ベンジル、２−ベンジル−２−プロピル、β−フェニルエチル、９−フルオレニル、α，α−ジメチルベンジル、ω− フェニルブチル、ω−フェニルオクチル、ω−フェニルドデシル又は３−メチル −５−（１’，１’，３’，３’−テトラメチル）−ブチルベンジルである。加えて、Ｃ₇〜Ｃ₂₄アラルキルも、また、典型的には２，４，６−トリ−tert−ブチルベンジル又は１−（３，５−ジベンジルフェニル）−３−メチル−２−プロピルであることができる。Ｃ₇〜Ｃ₁₈アラルキルが置換されているならば、アラルキル基のアルキル及びアリール部分、好ましくはアリール部分が置換されていてもよい。Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリールは、典型的にはフェニル、ナフチル、ビフェニリル、２− フルオレニル、フェナントリル、アントラセニル又はターフェニリルである。Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキルアミノは、−ＮＨ−Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル、典型的にはメチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、ヘキシルアミノ又はオクチルアミノである。Ｃ₂〜Ｃ₂₀ジアルキルアミノは、−Ｎ(アルキル₁)(アルキル₂)(両アルキル基中の炭素原子の数は全部で２〜２０個である)、例えばジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、メチルヘキシルアミノ、エチルヘキシルアミノ、オクチルドデシルアミノ又はエチルオクタデシルアミノである。ハロゲンは、クロロ、ブロモ、フルオロ又はヨードである。配位された中性分子は、遷移金属に適した通例の配位子、例えば水、アミン類、アンモニア、ヒドラジン、トリエチルアミン、一酸化炭素、一酸化窒素、アセトン又は複素芳香族化合物、例えばピリジン、キノリン、フラン、ピロール、チオフェン又はメチルイミダゾールであることができる。Ｍは、好ましくはＨ₂、Ｃｕ(II)、Ｚｎ(II)、Ｎｉ(II)、Ｐｄ(II)、Ｐｔ(II) 、Ｍｎ（II）又はＣｏ（II）であり、特に好ましくはＨ₂、Ｃｕ(II)、Ｚｎ（II ）又はＰｄ（II）であり、非常に特に好ましくはＣｕ（II）である。Ｘは、好ましくはクロロ又はブロモであり、特に好ましくはブロモである。Ｙは、好ましくは−ＯＲ₁又は−ＯＯＣ−Ｒ₂であり、特に好ましくは−ＯＲ₁ である。Ｚは、好ましくは−ＣＨＯ、−ＣＨ（ＯＲ₃）ＯＲ₄、−ＣＨ₂ＯＨ、−ＣＨ₂ＯＯＣ−Ｒ₃、−ＣＯ−Ｒ₃、−ＣＯＯＨ又は−ＣＯＯＲ₃であり、特に好ましくは −ＣＨＯ、−ＣＨ（ＯＲ₃）ＯＲ₄、−ＣＨ₂ＯＨ、−ＣＨ₂ＯＯＣ−Ｒ₃又は−ＣＯ−Ｒ₃である。ｘは、好ましくは０又は１〜８の数であり、特に好ましくは０又は２〜４の数である。ｙは、好ましくは２、３又は４であり、特に好ましくは４である。ｚは、好ましくは１又は２であり、特に好ましくは１である。Ｒ₁は、好ましくは、−Ｏ−によって中断されていてもよいＣ₄〜Ｃ₈アルキルであり、特に好ましくは、数回分岐している非置換の第二級Ｃ₄〜Ｃ₈アルキルである。Ｒ₂は、好ましくは、−Ｏ−によって中断されていもよい非置換Ｃ₁〜Ｃ₈アルキルであり、特に好ましくは非置換Ｃ₁〜Ｃ₃アルキルである。Ｒ₁とＲ₂が一緒になって基を形成するならば、この基は、好ましくは、非置換であるか、又はオキソ、ヒドロキシ若しくはＣ₁〜Ｃ₂₀カルボキシによって置換されており、−Ｏ−、−ＮＨ−若しくは−ＮＲ₆−によって中断されていもよいＣ₄〜Ｃ₈アルキレンであり、特に好ましくは−(ＣＨ₂)₄−、−(ＣＨ₂)₅−、−( ＣＨ₂)₂Ｏ(ＣＨ₂)₂−、−(ＣＨ₂)₂Ｎ（ＣＨ₃）(ＣＨ₂)₂−、−（ＣＨ₂）₂ＮＨ( ＣＨ₂)₂−、−Ｃ(ＣＨ₃)₂ＣＨ₂ＣＯＣＨ₂Ｃ(ＣＨ₃)₂−、−Ｃ(ＣＨ₃)₂ＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂Ｃ(ＣＨ₃)₂−又は−Ｃ(ＣＨ₃)₂ＣＨ₂ＣＨ（ＯＣＯＣＨ₃）ＣＨ₂Ｃ (ＣＨ₃)₂−であり、非常に特に好ましくは−(ＣＨ₂)₄−、−(ＣＨ₂)₅−又は−( ＣＨ₂)₂Ｏ(ＣＨ₂)₂−である。Ｒ₃は、好ましくは、−Ｏ−によって中断されていもよい非置換Ｃ₁〜Ｃ₄アルキルであり、特に好ましくはメチル、エチル又は３−オキサ−１−ペンチルである。Ｒ₄は、好ましくは、−Ｏ−によって中断されていもよい非置換Ｃ₁〜Ｃ₄アルキルであり、特に好ましくはメチル、エチル又は３−オキサ−１−ペンチルである。Ｒ₃とＲ₄とが一緒になって基を形成するならば、この基は、好ましくは、非置換であるか、又はヒドロキシ若しくはＣ₁〜Ｃ₈アルコキシによって置換されているＣ₂〜Ｃ₂₀アルキレンであり、特に好ましくは−(ＣＨ₂)₂−、−(ＣＨ₂)₃−又は−ＣＨ₂−ＣＨ（ＣＨ₂ＯＨ）−である。Ｒ₅は、好ましくは、非置換であるか、又はハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀ アルコキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキルアミノ若しくはＣ₂〜Ｃ₂₀ジアルキルアミノによって置換されている、第三級Ｃ₄〜Ｃ₁₂アルキル又はフェニルである。Ｒ₆は、好ましくはＣ₁〜Ｃ₄アルキル、特に好ましくはメチル又はエチルである。特に好ましい化合物は、式IIａ、IIｂ、IIｃ又はIIｄ：の化合物、又は、式IIａ、IIｂ、IIｃ及びIIｄの化合物から選択される２種以上の化合物の混合物である。式中、Ｍは、２価の、金属、オキソメタル、ハロゲノメタル若しくはヒドロキシメタル又は２個の水素原子であり、Ｘ₁〜Ｘ₄及びＸ₁’〜Ｘ₄’は、それぞれ互いに独立して、水素又はハロゲンであり、Ｙ₁〜Ｙ₄は、それぞれ互いに独立して、水素又は−ＯＲ₁であり、Ｚ₁は、−ＣＨＯ、−ＣＨ（ＯＲ₃）ＯＲ₄、−ＣＨ＝Ｎ−ＯＨ、−ＣＨ＝Ｎ− ＯＲ₃、−ＣＨ＝Ｎ−ＮＨＲ₅、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ（Ｒ₃）Ｒ₅、−ＣＨ₂ＯＨ、−ＣＨ₂ＯＲ₃、−ＣＨ₂ＯＯＣ−Ｒ₃、−ＣＯ−Ｒ₃、−ＣＯＯＨ又は−ＣＯＯＲ₃であり、Ｚ₂〜Ｚ₄は、それぞれ互いに独立して、水素又は基Ｚ₁であるが、但し置換基Ｙ₁〜Ｙ₄のうち水素ではないものの数は、置換基Ｚ₁〜Ｚ₄のうち水素ではないものの数に少なくとも等しく、そしてＲ₁〜Ｒ₅は、式Ｉで定義したとおりであり、２価のオキソメタル、ハロゲノメタル又はヒドロキシメタルは、１個の中性分子に更に配位されていてもよく、２価の金属原子は、独立しているか、又は互いに依存している１個又は２個の中性分子に更に配位されていてもよく、これらの中性分子は、Ｎ、Ｏ及びＳからなる群より選択される少なくとも１個のヘテロ原子を含む。特に好ましいものは、式IIａ、IIｂ、IIｃ及び／又はIIｄの化合物に相当する２〜８種の異性化合物の混合物である。 −ＣＨＯ、−ＣＨ₂ＯＨ又は−ＣＯＯＨ基を有する新規なフタロシアニン類は、とりわけNouveau Journal de Chimie，6，653-8(1982)、Tetrahedron Letters 30/41，5555-8(1989)、J．Am．Chem．Soc．112，9640-1(1990)、欧州特許第３７３６４３号及び欧州特許第４９２５０８号に記載されているそれ自体既知である方法とほぼ同様にして調製することができる。これらの反応は、例えば、少なくとも１個が−ＣＨＯ、−ＣＨ₂ＯＨ、−ＣＯＯＨ又はそれらの誘導体によって置換されている置換フタロジニトリル類又はジイミノイソインドリン類の１種又は数種から出発して実施することができる。遊離体及び反応条件に依存して、純粋な化合物又は生成物の混合物が得られ、それらから所望の化合物を従来の分離方法、例えばクロマトグラフィーによって単離することができる。フタロシアニンへの縮合の前又は後で、−ＣＨＯ、−ＣＨ₂ＯＨ及び−ＣＯＯＨ基を、既知の方法により、還元的又は酸化的に互いに転換したり、置換したりすることができる。しかし、これらの方法の欠点は、おおむね不十分な収率及び少ない成分しか有しない十分に定義される生成物を得ることの多大な難しさである。したがって、−ＣＨＯ、−ＣＨ₂ＯＨ又は−ＣＯＯＨ基を有する新規なフタロシアニン類は、好ましくは、非常に驚くべきことに本発明で好ましいフタロシアニン類を顕著に良好な収率及び良好な選択性で与える、以下に記載する新規な合成方法によって調製される。少数の成分を考慮すると、これらの生成物は、従来のスピン被覆溶媒への驚くほど良好な可溶性を有する。原則的に、１個又は数個のホルミル基を置換フタロシアニンに導入した後、これらのホルミル基を既知の方法によって酸化的又は還元的にヒドロキシメチル又はカルボキシル基及びそれらの誘導体に転換することができる。フタロシアニン類のホルミル化は新規である。この理由は、おそらく、大部分の従来既知のフタロシアニン類、例えば非置換又は塩素化銅フタロシアニンのホルミル化が、通常は、完全に失敗するか、単離することができない痕跡量のホルミル化生成物しか与えないからである。ホルミル基は、原則的には、とりわけ、公知の要覧「Compedium of Organic S ynthetic Methods」(I．T．Harrison＋Sh．Harrison，John Wiley & Sons)に見ることができる非常に多くの種々の方法によって導入することができる。これらの方法の一つが、ジメチルホルムアミド及び塩化ホスホリルを使用する、ビルスマイヤー反応としても知られる芳香族化合物のホルミル化である。Tetrahedron 27 ，3323-30（1971）によると、３−メチルフランの場合、この反応は、２種の異性体の１４：１の比率の混合物を与える。非常に驚くべきことに、ビルスマイヤー反応が特定の置換フタロシアニン類において良好な選択性で進行し、優れた収率を提供することが見いだされた。生成物は、光学記録媒体で使用するのに十分に純粋な形態で容易に単離することができる。したがって、本発明は、また、式III：（式中、Ｍ、Ｘ、Ｙ、ｘ、ｙ及びｚは、式Ｉで定義したとおりである）の化合物を調製するための方法であって、式IV：（式中、Ｍ、Ｘ、Ｙ、ｘ及びｙは、式IIIで定義したとおりである）の化合物１molを、ジメチルホルムアミド及び塩化ホスホリルそれぞれｚmolと反応させる方法に関する。同時に、式IIIの化合物は、また、好ましくは、式IIａ、IIｂ、IIｃ又はIIｄに相当し、その場合、IIIへのIVの反応において、基Ｘ及びＹの実体、数及び位置に変更はない。本方法に使用される式IVの遊離体は、例えば、Nouveau Journal de Chimie，6 ，653-8(1982)、Tetrahedron Letters 30/41，5555-8(1989)、J．Am．Chem．Soc ．112 ，9640-1(1990)、欧州特許第３７３６４３号、欧州特許第４９２５０８号又は欧州特許第７０３２８１号に記載されていろ方法によって、又はそれと同様にして調製することができる既知の物質である。この反応は、芳香族化合物のビルスマイヤー反応の当業者に既知であり、とりわけ、Houben-Weyl，Vol．7/1，16/44（1954）及びE3，3-115（1983）[Georg Th ieme Verlag]に開示されている条件の下で実施することができる。好ましくは、不活性溶媒中及び不活性ガスの下で、通常は芳香族溶媒中、好ましくは窒素下にクロロベンゼン中で実施される。まず、当モル量のジメチルホルムアミドと塩化ホスホリルとを不活性ガスの下で反応させ、次に、不活性溶媒中に溶解した、ホルミル化されるフタロシアニンを加え、その後、温度を上げることが好ましい。最初の反応工程では、温度は、好ましくは−１００〜５０℃、特に好ましくは− ３０〜２５℃の範囲であり、最後の反応工程で、温度を、好ましくは０〜１５０ ℃、特に好ましくは５０〜１００℃に上昇させる。アシル化フタロシアニン類は、また、それ自体既知である方法によって調製される。周知の方法であるフリーデル・クラフツアシル化を使用することが好ましい。アシル化は、特開平２−９２９６３号公報に記載されているナフタロシアニン類のアシル化に類似したフリーデル・クラフツ条件の下で実施することができる。驚くべきことに、新規なフタロシアニン類のフリーデル・クラフツアシル化が有利にも選択的に進行することがわかった。新規なフタロシアニン類は、光学記録媒体の染料として使用して優れた結果を得ることができる。したがって、本発明は、また、基材、記録層、反射若しくは部分反射層を含み、記録層が新規なフタロシアニンを含む光学記録媒体に関する。本発明の光学記録媒体は、また、当然、２枚以上の記録層及び／又は２枚以上の反射若しくは部分反射（半透明）層を含むこともできる。被着される層の支持体として働く基材は、好都合には半透明（Ｔ≧１０％）であり、好ましくは透明（Ｔ≧９０％）である。支持体は、０．０１〜１０mm、好ましくは０．１〜５mmの厚さであることができる。記録層は、好ましくは、透明な基材と反射層との間に配置される。記録層の厚さは、１０〜１０００nmであり、好ましくは５０〜５００nmであり、特に好ましくは約１００nmであり、例えば８０〜１５０nmである。記録層の吸収は、典型的には、吸収極大位置で０．１〜１．５である。非常に特に好ましくは、層の厚さは、読み出し波長における書き込み状態及び非書き込み状態それぞれでの屈折率に依存して、非書き込み状態では強め合う干渉が起こり、書き込み状態では弱め合う干渉が起こる、又はその逆になるよう、既知の方法で選択される。厚さ１０〜１５０nmであることができる反射層は、好ましくは、高い反射率（Ｒ≧７０％）とともに低い透明度（Ｔ≦１０％）を有する。層構造に依存して一番上にある層、例えば反射層又は記録層は、好都合には、厚さ０．１〜１０００μm、好ましくは０．１〜５０μm、特に好ましくは０．５〜１５μmであることができる保護層を更に設けられる。この保護層は、所望ならば、その上に被着される、好ましくは厚さ０．１〜５mmであり、支持基材と同じ材料からなる第二の基材層の接着促進剤として働くこともできる。記録媒体全体の反射率は、好ましくは少なくとも４５％、特に好ましくは少なくとも６０％である。本発明の染料の使用は、有利には、均質で非晶質で散乱性が低く、その吸収エッジが固相で急峻である記録層を与える。更なる利点は、太陽光に対する、また低密度レーザ照射の下での高い安定性と同時に高密度レーザ照射の下での高い感度、均一な書き込み幅、良好な熱安定性及び貯蔵安定性並びに、特に、高い光学解像度及び非常に小さなジッタである。適当な基材の例は、ガラス、鉱物、セラミックス及び熱硬化性樹脂若しくは熱可塑性樹脂である。好ましい支持体は、ガラス及びホモ若しくはコポリマープラスチックである。適当なプラスチックの例は、熱可塑性ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート及びポリメタクリレート、ポリウレタン、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリイミド、熱硬化性ポリエステル並びにエポキシ樹脂である。基材は、純粋な形態であることもできるし、とりわけ特開平４−１６７２３９号公報に記録層の光保護として提案されている通例の添加剤、例えばＵＶ吸収剤又は染料を含むこともできる。後者の場合、支持基材に添加される染料は、記録層の染料に対して少なくとも１０ nm、好ましくは少なくとも２０nm短波長シフトされた吸収極大位置を有することが好都合である。基材は、有利には、書き込み又は読み出し波長の入射光の少なくとも９０％に対して透過性であるよう、少なくとも６００〜８３０nmの範囲の部分が透明である。被覆のある側で、基材は、好ましくは、深さが５０〜５００nmであり、幅が０.２〜０.８μmであり、２本の隣接する巻きの間の半径方向距離が０.４〜１．６μmであり、特に好ましくは、深さが１００〜３００nmであり、幅が０．３μm 〜０．６μmであるらせんの案内溝を有している。とりわけ欧州特許第３９２５３１号に記載されているように、基材ではなく記録層そのものが案内溝を有することもできる。記録層は、排他的又は実質的に、１種以上の新規なフタロシアニン類からなることができる。しかし、安定性を更に高めるため、所望ならば、既知の安定剤、例えば特開平４−０２５４９３号公報に記載されたニッケルジチオレートを光安定剤として通例の量で加えることも可能である。所望ならば、更なる染料を加えることも可能であるが、そのような染料の量は、記録層を基準にして、好都合には５０重量％を超えず、好ましくは１０重量％を超えない。新規な記録媒体の利点は新規なフタロシアニン類に基づくため、場合によって加えられる染料が、新規なフタロシアニンに対して短波長シフトされた吸収極大位置を有し、加えられる染料の量が、６００〜８３０nmの領域の記録層の全吸収における染料の割合が２０％を超えない、好ましくは１０％を超えないように少なく維持されることが有利である。しかし、特に好ましくは、更なる染料を加えない。反射層にとって特に適した反射材料は、記録及び再生に使用されるレーザ放射線の良好な反射体である金属を含み、例は、元素周期律表の第三、第四及び第五主族及び亜族の金属である。特に適した金属は、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ並びにランタノイド金属Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕ並びにそれらの合金である。高い反射率及び調製しやすさの理由から、特に好ましいものは、アルミニウム、銀、銅、金又はそれらの合金の反射層である。保護層に適した材料は、主として、直接又は接着層を用いて支持体又は最上層に薄層で被着されるプラスチックである。更に変性され、例えば書き込まれることができる、良好な表面特性を有する機械的及び熱的に安定なプラスチックを選択することが賢明である。プラスチックは、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂のいずれかであることができる。好ましいものは、特に容易かつ経済的に調製される放射線硬化される（例えばＵＶ放射線を使用して）保護層である。多数の放射線硬化性材料が既知である。放射線硬化性モノマー及びオリゴマーの例は、アクリレート類及びメタクリレート類又はジオール類、トリオール類及びテトロール類、芳香族テトラカルボン酸のポリイミド類並びにアミノ基に対してオルトの少なくとも２個の位置にＣ₁〜Ｃ₄アルキル基を有する芳香族ジアミン類並びにジアルキル基、例えばジメチルマレイミジル基を含むオリゴマーである。新規な記録媒体は、また、更なる層、例えば干渉層を有することができる。また、複数の（例えば２枚の）記録層を有する記録媒体を構成することも可能である。そのような材料の構造及び使用は当業者に既知である。そのような層を使用するならば、記録層と反射層との間及び／又は記録層と基材との間に配置され、誘電材料、例えば欧州特許第３５３３９３号に記載されているようにＴｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＺｎＳ又はシリコーン樹脂からなる干渉層が好ましい。新規な記録媒体は、それ自体既知の方法によって調製することができ、使用する材料及びそれらの機能に依存して、種々の被覆法を用いることが可能である。適当な被覆法の例は、浸漬、流れ被覆、延展、ナイフ被覆及びスピン被覆並びに高真空蒸着法である。例えば流れ被覆法を使用するとき、有機溶媒中の溶液が一般に使用される。溶媒を使用するとき、使用する支持体がこれらの溶媒に対して非感受性であるよう注意すべきである。新規な染料の他ならぬ利点は、純粋な化合物としてでも、わずか数種の成分の混合物としてでも、これらの染料がより極性の弱い溶媒にも十分に可溶性であり、アセトンのような活性の溶媒の使用に優先させることを可能にすることである。適当な被覆法及び溶媒の例は、欧州特許第４０１７９１号に記載されている。記録層は、好ましくは、染料溶液をスピン被覆することによって被着され、適当であることがわかった溶媒は、特に、アルコール類、例えば２−メトキシ−エタノール、イソプロパノール、イソブタノール若しくはｎ−ブタノール又は、好ましくはフッ素化アルコール類、例えば２，２，２−トリフルオロエタノール若しくは２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール並びにそれらの混合物である。金属反射層は、好ましくは、スパッタリング又は減圧下の蒸着によって被着される。金属反射層の被着のための支持体への高度な付着を考慮すると、スパッタリング技術が特に好ましい。この技術は、教本（例えばJ．L．Vossen及びW．Ker nの「Thin Film Processes」Academic Press，1978）並びに現在の技術水準（例えば欧州特許第７１２９０４号）に詳細に記載されている。新規な記録媒体の構造は、主として読み出し方法に依存する。既知の機能的原理は、透過又は好ましくは反射における変化の測定である。記録材料が反射の変化にしたがって構成されるならば、以下の構造が、用いることができる構造の例である。透明な支持体／記録層（１枚以上の層）／反射層及び、有用ならば、保護層（必ずしも透明ではない）又は支持体（必ずしも透明ではない）／反射層／記録層、及び、有用ならば、透明な保護層。前者の場合、光は、支持体側から照射されるが、後者の場合、放射は、記録層側、又は、適当ならば、保護層側から入射する。いずれの場合でも、光検出器が光源と同じ側にある。本発明にしたがって使用される記録材料の前者の構造が一般に好ましい。記録材料が光透過の変化にしたがって構成されるならば、以下の代替え構造が適当な例である。透明な支持体／記録層(１枚以上の層)、及び、有用ならば、透明な保護層。記録及び読み出しのための光は、支持体側又は記録層側から照射することができ、あるいは、適当ならば、保護層側から照射することもでき、この場合、光検出器は常に反対側にある。情報の記録（刻み込み、書き込み）及び読み出しは、好ましくは、レーザ放射線を使用して実施される。適当なレーザの例は、市販の半導体ダイオードレーザ、典型的には、６３５、６５０、６７０、６８０、７８０若しくは８３０nm又は３９０〜４３０nmの波長を有するＧａＡｓＡｌ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＧａＡｓ若しくはＧａＮレーザダイオード又は６０２、６１２、６３３、６４７若しくは４４２及び４５７nmの波長を有するガス／イオンレーザ、通常はＨｅ／Ｎｅ、Ｋｒ、ＨｅＣｄ若しくはＡｒレーザである。記録は、好ましくは、パルス幅変調され、記録層に合焦されたレーザ放射線を使用して可変長のピットを刻み込むことによって実施される。焦点の幾何学形状及びレーザの性能に依存して、記録層は、例えば０．０１〜１００m/sであり、好ましくは１〜１０m/sである。情報の読み出しは、好ましくは、低い能力のレーザ放射線及び光検出器を使用する、反射又は透過の空間的に分解された測定によって実施される。第二のレーザ装置を使用する必要がないよう、記録に使用される波長のレーザ放射線を用いることが特に有利である。したがって、本発明の好ましい実施態様では、情報は、同じ波長で記録され、読み出される。読み出し中は、レーザの能力は普通、記録に使用されるレーザ放射線の、例えば１０分の１〜５０分の１に減らされる。本発明にしたがって使用される記録材料では、情報は、一回又は数回読み出すことができる。適当な光検出器は、好ましくは、ＰＩＮ及びＡＶフォトダイオード並びにＣＣＤ（電荷結合素子）を含む。新規な方法は、高度な信頼性及び耐久性で情報を記録することを可能にし、これらの記録は、優れた機械的及び熱的安定性、光に対する高い安定性及び光学ピットの鋭いエッジ区域を有することによってきわだっている。具体的な利点は、高い信号／ノイズ比並びに、驚くべきことに、高い速度（≧４×）でさえも欠点のない信号の記録及び読み出し（ジッタがほとんどない）を可能にする高い光学解像度である。新規な媒体は、特に、ＷＯＲＭタイプの光学情報媒体である。これは、例えば、再生可能なＣＤ(コンパクトディスク)、コンピュータの記憶材料又は身分保証カードとして使用することもできるし、回折性光学要素、例えばホログラムの製造に使用することもできる。したがって、本発明は、また、情報の光学的記録、記憶及び再生、回折性光学要素の製造又はホログラムの記録のための新規な記録媒体の使用に関する。記録及び再生は、好ましくは、４００〜５００nm、特に好ましくは６００〜８３０nm の波長範囲で起こる。以下の例が本発明を更に詳細に説明する。例Ａ１：温度計、滴下漏斗、還流凝縮器及び窒素注入口を備えた１００mlの三つ口フラスコに、モレキュラーシーブ４Ａ上で乾燥させたジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２．１９ｇ（３０mmol）を充填し、不活性ガス雰囲気下で攪拌しながら３℃に冷却した。１０分間かけて、蒸留したばかりの塩化ホスホリル（ＰＯＣｌ₃ ）４．６０ｇ（３０mmol）を滴下した後、透明な無色の液体を２３℃で３０分間攪拌した。続いて、クロロベンゼン（モレキュラーシーブ４Ａ上で乾燥）５０ ml中テトラ（α−２，４−ジメチル−３−ペンチルオキシ）パラジウムフタロシアニン（欧州公開特許第７１２９０４号公報にしたがって調製）５．３８ｇ（５ mmol）を加え、混合物を９５℃で６時間加熱した。２３℃に冷却した後、水２０ ml中の酢酸ナトリウム５．５gを加え、混合物を１５分間攪拌した。この混合物を酢酸エチル２００mlで抽出し、有機相を１０％ＮａＨＣＯ₃溶液５０ml及びＮａＣｌ飽和溶液３×５０mlで洗浄した後、ＭｇＳＯ₄上で乾燥し、ろ過し、蒸発させて濃縮した。緑の残渣をフラッシュクロマトグラフィー（φ９cm、ヘキサン／酢酸エチル＝９：１）によって精製して、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）中で７０３nmのλ_maxを有する緑色の固体モノホルミル−テトラ（α−２，４−ジメチル−３−ペンチルオキシ）パラジウムフタロシアニン４．６２ｇ（理論値の８３．７％）を得た。ＩＲスペクトル（ＫＢｒ）：2960-2880(ｓ)、1680(ｓ)、1590(ｓ)、1490（ｓ）ＭＡＬＤＩＭＳ：(Ｍ＋Ｈ)⁺＝１１０４．７Da ＮＭＲ（５００MHz、ＣＤＣｌ₃）は、生成物が選択的にモノホルミル化され、１個のアルデヒド基がアルコキシ基の１個に対してパラ位置にあることを示した。例Ａ２：磁気攪拌器、温度計、滴下漏斗、還流凝縮器及び窒素注入口を備えた５０mlの三つ口フラスコに、ＤＭＦ（モレキュラーシーブ４Ａ上で乾燥）１．１４ｇ（１５．５６mmol）を充填し、不活性ガス雰囲気下で攪拌しながら３℃に冷却した。１０分間かけて、ＰＯＣｌ₃（蒸留したばかり）２．３９ｇ（１５．５６m mol）を滴下し、明澄な無色の液体を２３℃で３０分間攪拌した。続いて、クロロベンゼン（モレキュラーシーブ４Ａ上で乾燥）２０ml中テトラ（α−２，４− ジメチル−３−ペンチルオキシ）銅フタロシアニン（欧州公開特許第７１２９０４号公報にしたがって調製）２ｇ（１．９５mmol）を加え、混合物を９５℃で６．５時間加熱した。２３℃に冷却した後、水８ml中、酢酸ナトリウム２ｇを加え、混合物を３０分間攪拌した。この混合物を酢酸エチル１００ml で抽出し、有機相を１０％ＮａＨＣＯ₃溶液５０ml及びＮａＣｌ飽和溶液２×５０mlで洗浄した後、ＭｇＳＯ₄上で乾燥し、ろ過し、蒸発させて濃縮した。緑の残渣をフラッシュクロマトグラフィー（φ４cm、ヘキサン／酢酸エチル＝１１：１）によって精製して、７１４nmのλ_max（ＮＭＰ）を有する緑色の固体モノホルミル−テトラ（α−２，４−ジメチル−３−ペンチルオキシ）銅フタロシアニン０．７９ｇ（理論値の３８．５％）を得た。ＩＲスペクトル(ＫＢｒ)：3700-3300(ｖｗ)、2960-2880(ｓ)、1680(ｓ)、1590( ｓ)、1490（ｓ）例Ａ３：磁気攪拌器、温度計、滴下漏斗、還流凝縮器及び窒素注入口を備えた５０mlの三つ口フラスコに、ＤＭＦ（モレキュラーシーブ４Ａ上で乾燥）１．２０ｇ（１６．４７mmol）を充填し、不活性ガス雰囲気下で攪拌しながら３℃に冷却した。１０分間かけて、ＰＯＣｌ₃（蒸留したばかり）２．５３ｇ（１６．４７m mol）を滴下し、明澄な無色の液体を２３℃で３０分間攪拌した。続いて、クロロベンセン（モレキュラーシーブ４Ａ上で乾燥）２０ml中テトラ（α−２，４− ジメチル−３−ペンチルオキシ）フタロシアニン（M．J．Cook，J．Chem．Soc． Perkin Trans．I，2453(1988)にしたがって調製）２ｇ（２．０６mmol）を加え、混合物を９５℃で５．５時間加熱した。２３℃に冷却した後、水８ml中、酢酸ナトリウム２ｇを加え、混合物を３０分間攪拌した。この混合物を酢酸エチル１００mlで抽出し、有機相を１０％ＮａＨＣＯ₃溶液５０ml及びＮａＣｌ飽和溶液２×５０mlで洗浄した後、ＭｇＳＯ₄上で乾燥し、ろ過し、蒸発させて濃縮した。緑の残渣をフラッシュクロマトグラフィー（φ４cm、ヘキサン／酢酸エチル＝１２：１）によって精製して、７２８nmのλ_max（ＮＭＰ）を有する、金属を含まない緑色の固体モノホルミル−テトラ（α−２，４−ジメチル−３−ペンチルオキシ）フタロシアニン１．２１ｇ（理論値の５８．９％）を得た。ＩＲスペクトル(ＫＢｒ)：3700-3300(ｍ)、2960-2880(ｓ)、1680(ｓ)、 1590(ｓ)、1490（ｓ）例Ａ４：磁気攪拌器、温度計及び窒素注入口を備えた２５０mlの三つ口フラスコに、エタノール／テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）(＝１：１)１００ml中、例Ａｌのモノホルミル化生成物１．５８ｇ（１．４３mmol）を充填し、緑色の溶液を不活性ガス雰囲気下で攪拌しながら３℃に冷却した。次に、ホウ水素化ナトリウム１８９mg(５．００mmol)を加え、液体を２３℃に加熱し、この温度で１.５時間攪拌した。反応混合物を水１００mlに注加し、沈殿した生成物をろ過し、水３× ５０mlで洗浄した。緑の残渣をフラッシュクロマトグラフィー（φ４cm、ヘキサン／酢酸エチル＝４：１）によって精製して、７０６nmのλ_max（ＮＭＰ）を有する緑色の固体モノ（ヒドロキシメチル）−テトラ(α−２，４−ジメチル−３ −ペンチルオキシ)パラジウムフタロシアニン１.２７ｇ(理論値の８０.１％)を得た。ＩＲスペクトル(ＫＢｒ)：3700-3120(ｗ)、2960-2880(ｓ)、1740(ｗ)、1600(ｓ) 、1590（ｓ）ＭＡＬＤＩＭＳ：(Ｍ＋Ｈ)⁺＝１１０６．７Da ＮＭＲ（５００MHz、ＣＤＣｌ₃）は、アルコキシ基の１個に対してパラ位置にある１個のヒドロキシメチル基を示した。例Ａ５：磁気攪拌器、温度計及び窒素注入口を備えた２５０mlの三つ口フラスコに、エタノール／ＴＨＦ（＝１：１）１００ml中、例Ａ２のモノホルミル化生成物０．７９ｇ（０．７４mmol）を充填し、緑色の溶液を不活性ガス雰囲気下で攪拌しながら５℃に冷却した。続いて、ホウ水素化ナトリウム９８mg（２．５９mm ol）を加え、液体を２３℃に加熱し、この温度で２．５時間攪拌した。次に、反応混合物を水１００mlに注加し、酢酸エチル２００mlで抽出した。有機相をＮａＣｌ飽和溶液３×５０mlで洗浄した後、ＭｇＳＯ₄上で乾燥し、ろ過し、蒸発させて濃縮した。緑の残渣をフラッシュクロマトグラフィー（φ４cm、ヘキサン／酢酸エチル＝５：１）によって精製して、７１６nmのλ_max（ＮＭＰ）を有する緑色の固体モノ（ヒドロキシメチル）−テトラ（α−２，４−ジメチル−３−ペンチルオキシ）銅フタロシアニン０．５７ｇ（理論値の７２．５％）を得た。このようにして得られた化合物は、示差熱量測定（Perkin Elmer DSC-7、アルミニウムるつぼ、加熱速度１０℃／分）において、１４０〜１７７℃で、ガラス転移に帰される小さな吸熱流を示した。ＩＲスペクトル(ＫＢｒ)：3700-3120(ｗ)、2960-2880(ｓ)、1590(ｓ)、1500(ｓ) 、1490（ｓ）例Ａ６：磁気攪拌器、温度計及び窒素注入口を備えた２５０mlの三つ口フラスコに、エタノール／ＴＨＦ（＝１：１）１００ml中、例Ａ３のモノホルミル化生成物１．２１ｇ（１．２１mmol）を充填し、緑色の溶液を不活性ガス雰囲気下で攪拌しながら４℃に冷却した。続いて、ホウ水素化ナトリウム１６０mg（４．２４ mmol）を加え、溶液を２３℃に加熱し、この温度で１時間攪拌した。反応混合物を水１００mlに注加し、酢酸エチル２００mlで抽出した。有機相をＮａＣｌ飽和溶液３×５０mlで洗浄した後、ＭｇＳＯ₄上で乾燥し、ろ過し、蒸発させて濃縮した。緑の残渣をフラッシュクロマトグラフィー（φ４cm、ヘキサン／酢酸エチル＝６：１）によって精製して、７１６nmのλ_max（ＮＭＰ）及び７４２nmのサイドバンドを有する緑色の固体モノ（ヒドロキシメチル）−テトラ（α−２，４ −ジメチル−３−ペンチルオキシ）フタロシアニン１．１１ｇ（理論値の９１．６％）を得た。ＩＲスペクトル(ＫＢｒ)：3700-3120(ｗ)、2960-2880(ｓ)、1590(ｓ)、1490（ｓ）ＮＭＲ（３００MHz、ＣＤＣｌ₃）は、アルコキシ基の１個に対してパラ位置にある１個のヒドロキシメチル基を示した。例Ａ７：磁気攪拌器、温度計及び窒素注入口を備えた５０mlの三つ口フラスコに、例Ａ５の生成物０．５ｇ(０．４７mmol)、４−ジメチルアミノピリジン１０mg 、ピリジン１０ml及び酢酸無水物５mlを充填し、緑色の溶液を２３℃で２時間攪拌した。次に、この混合物を水３０mlに注加し、沈殿した生成物をろ過によって単離し、水で徹底的に洗浄した。緑の残渣をフラッシュクロマトグラフィー（φ ４cm、ヘキサン／酢酸エチル＝９：１）によって精製して、７１４nmのλ_max（ＮＭＰ）を有する緑色の固体モノ（アセトキシメチル）−テトラ（α−２，４− ジメチル−３−ペンチルオキシ）銅フタロシアニン０．４２ｇ（理論値の８０．９％）を得た。ＩＲスペクトル(ＫＢｒ)：2960-2880(ｓ)、1740(ｍ)、1590(ｓ)、1500(ｓ)、149 0（ｓ）例Ａ８：磁気攪拌器、温度計、還流凝縮器、窒素注入口及びオイルバスを備えた５０mlの三つ口フラスコに、例Ａ６の生成物０．５ｇ(０．５０mmol)、酢酸亜鉛二水塩１．１０ｇ（５mmol）及びジクロロメタン２０mlを充填し、緑色の溶液を不活性ガス雰囲気下で攪拌しながら５時間還流させた。次に、溶液を蒸発させて濃縮し、残渣をフラッシュクロマトグラフィー（φ４cm、ヘキサン／酢酸エチル＝１０：１）によって精製して、７１５nmのλ_max（ＮＭＰ）を有する緑色の固体モノ（ヒドロキシメチル）−テトラ（α−２，４−ジメチル−３−ペンチルオキシ）亜鉛フタロシアニン０．２８ｇ（理論値の５２．２％）を得た。ＩＲスペクトル(ＫＢｒ)：3700-3100(ｍ)、2960-2880(ｓ)、1590(ｓ)、1490（ｓ）元素分析：理論値Ｚｎ６．１％、実測値Ｚｎ５．９９％例Ａ９：磁気攪拌器、温度計、滴下漏斗、還流凝縮器及び窒素注入口を備えた２５０mlの三つ口フラスコに、ＤＭＦ（モレキュラーシーブ４Ａ上で乾燥）４．４０ｇ（６０．２mmol）を充填し、不活性ガス雰囲気下で攪拌しながら３℃に冷却した。５分間かけて、ＰＯＣｌ₃（蒸留したばかり）５．５ml（６０．２mmol）を滴下し、明澄な無色の液体を２３℃で３０分間攪拌した。クロロベンゼン（モレキュラーシーブ４Ａ上で乾燥）８０ml中テトラ（α−２，４−ジメチル−３− ペンチルオキシ）亜鉛フタロシアニン（欧州公開特許第４９２５０８号公報にしたがって調製）７．８ｇ（７．５３mmol）を加えた後、混合物を９５℃で６時間加熱した。２３℃に冷却した後、水３４ml中、酢酸ナトリウム７．８ｇを加え、混合物を３０分間攪拌した。混合物を酢酸エチル２５０mlで抽出し、有機相を１０％ＮａＨＣＯ₃溶液１００ml及びＮａＣｌ飽和溶液３×５０mlで洗浄した後、ＭｇＳＯ₄上で乾燥し、ろ過し、蒸発させ、濃縮して、金属を含まない、モノホルミルーテトラ（α−２，４−ジメチル−３−ペンチルオキシ）フタロシアニンとジホルミル−テトラ（α−２，４−ジメチル−３−ペンチルオキシ）フタロシアニンとの混合物である、７２８nmの λ_max（ＮＭＰ）を有する緑色の固体６．８９ｇを得た。磁気攪拌器、温度計及び窒素注入口を備えた１リットルの三つ口フラスコに、この粗生成物６．８９ｇ（６．８９mmol）及びエタノール／ＴＨＦ（＝１：１）５００mlを充填し、緑色の溶液を不活性ガス雰囲気下で攪拌しながら４℃に冷却した。続いて、ホウ水素化ナトリウム１．６４ｇ（３８．７mmol）を加え、溶液を２３℃に加熱し、この温度で３０分間攪拌した。反応混合物を水２５０mlに注加し、酢酸エチル４００mlを充填した。有機相をＮａＣｌ飽和溶液３×１００ml で洗浄した後、ＭｇＳＯ₄上で乾燥し、ろ過し、蒸発させて濃縮した。緑の残渣をフラッシュクロマトグラフィー（φ９cm、ヘキサン／酢酸エチル＝６：１）によって精製して、ＤＣ、ＵＶ及びＮＭＲによると例Ａ６の生成物と同一である緑色の固体モノヒドロキシメチル−テトラ(α−２,４−ジメチル−３−ペンチルオキシ)フタロシアニン４．７０ｇ（理論値の６１．５％）と、ジ（ヒドロキシメチル）−テトラ（α−２，４−ジメチル−３−ペンチルオキシ）フタロシアニン０．１９ｇ（理論値の２．４％）とを得た[ＭＡＬＤＩ−ＭＳ：(Ｍ＋Ｈ)⁺＝１０３３．２Da]。例Ａ１０：磁気攪拌器、温度計、滴下漏斗、窒素注入口及び還流凝縮器を備えた５０mlの三つ口フラスコに、ＤＭＦ（モレキュラーシーブ４Ａ上で乾燥）０．８３ml（１０．９mmol）を充填し、不活性ガス雰囲気下で攪拌しながら３℃に冷却した。５分間かけて、ＰＯＣｌ₃（蒸留したばかり）１ml（１０．９mmol）を滴下し、明澄な無色の液体を２３℃で３０分間攪拌した。続いて、クロロベンゼン２０ml中、例Ａ１のモノホルミル化生成物２ｇ（１．８１mmol）を滴下し、混合物を９５℃で３．５時間攪拌した。２３℃に冷却した後、水８ml中、酢酸ナトリウム２gを加え、混合物を３０分間攪拌した。混合物を酢酸エチル２５０mlで抽出し、有機相を１０％ＮａＨＣＯ₃溶液５０ml及びＮａＣｌ飽和溶液３×５０ml で洗浄した後、ＭｇＳＯ₄上で乾燥させ、ろ過し、蒸発によって濃縮した。緑の残渣をフラッシュクロマトグラフィー（φ９cm、ヘキサン／酢酸エチル＝８：１）によって精製して、７０４nmのλ_max（ＮＭＰ）及び０．１６のＲ_f（シリカゲル、ヘキサン／酢酸エチル４：１）を有する緑色の固体ジホルミルーテトラ（α −２，４−ジメチル−３−ペンチルオキシ）パラジウムフタロシアニン０．５ｇ（理論値の２４．４％）を得た。ＩＲ(ＫＢｒ)：3000-2840(ｓ)、1690(ｓ)、1590(ｓ)、1500(ｓ) ＭＡＬＤＩ−ＭＳ：(Ｍ＋Ｈ)⁺＝１１３２．９Da ＮＭＲ（３００MHz、ＣＤＣｌ₃）は、２個のアルデヒド官能基を示した(１２．５５〜１２．４９ppm、ｍ、２Ｈ)。例Ａ１１：磁気攪拌器、ガス注入管及び温度計を備えた５０mlの三つ口フラスコに、ＴＨＦ２０ml中、例Ａ１のモノホルミル化生成物１ｇ（０．９１mmol）及びピラゾール３７mg（０．５４mmol）を充填し、攪拌しながら３℃に冷却した。１０分間かけて、水素化ナトリウム４８mg（１．０９mmol）を漸増的に加え、緑色の溶液を２３℃の気流の下で２４時間攪拌した。溶液を、１NＨＣｌで酸性化した氷水６０mlに注加した。沈殿物をフラッシュクロマトグラフィー（φ２cm、ヘキサン／酢酸エチル＝４：１）によって精製して、７０７nmのλ_max（ＮＭＰ）を有する緑色の固体モノカルボキシ−テトラ（α−２，４−ジメチル−３−ペンチルオキシ）パラジウムフタロシアニン０．３ｇ（理論値の２９．６％）を得た。ＩＲ(ＫＢｒ)：3640-3100(ｓ)、2980-2820(ｍ)、1710(ｍ)、1630(ｍ)、1590(ｍ) 、1480（ｍ）ＭＡＬＤＩ−ＭＳ：(Ｍ＋Ｈ)⁺＝１１２１．１Da例Ａ１２：磁気攪拌器、温度計及び窒素注入口を備えた２５０mlの三つ口フラスコに、ジクロロベンゼン５０ml中テトラ（α−２，４−ジメチル−３−ペンチルオキシ）パラジウムフタロシアニン（欧州公開特許第７０３２８０号公報にしたがって調製）及び塩化アセチル０．４７ｇ（６mmol）を充填した。混合物をアルゴン雰囲気下で攪拌しながら３℃に冷却した。続いて、クロロベンゼン１５ml中、四塩化スズ０．６５ｇ（２．５mmol）を３０分間かけて滴下し、混合物を２３ ℃で５分間攪拌した。次に、３N ＨＣｌの５０mlを加え、５分間攪拌した。沈殿物を酢酸エチル３００mlに溶解し、相を分離し、有機相を、中性になるまで、1N ＮａＯＨ１００ml及びＮａＣｌ飽和溶液３×１００mlで洗浄した。溶液をＭｇＳＯ₄上で乾燥し、ろ過し、蒸発させて濃縮した。遊離体をまだ含有する粗生成物をフラッシュクロマトグラフィー（φ９cm、ヘキサン／酢酸エチル＝６：１）によって精製して、７０４nmのλ_max（ＮＭＰ）を有する緑色の固体モノアセチルーテトラ（α−２，４−ジメチル−３−ペンチルオキシ）パラジウムフタロシアニン０．５９ｇ（理論値の１０．５％）を得た。ＩＲ(ＫＢｒ)：3000-2840(ｍ)、1690(ｍ)、1590(ｓ)、1490（ｓ）ＭＡＬＤＩ−ＭＳ：(Ｍ＋Ｈ)⁺＝１１２０．０Da ＮＭＲ（５００MHz、ＣＤＣｌ₃）は、アセチル基がアルコキシ基の１個に対してパラ位置に選択的に導入されたことを示した。例Ｂ１：メチルシクロヘキサン中、例Ａ７の生成物の２％溶液を、深さ１８０nm 、幅０.５μmの溝を１.６μmの相互距離で有する直径１２cmの１.２mmポリカーボネート基材にスピン被覆した。この被覆の上に金層を蒸着した後、ＵＶ硬化性保護層をその上に被着した。Phillips ＣＤ−Ｒエンジン装置上、７８０nmの光を発する半導体ダイオードを使用して、倍（２×）又は４倍（４×）の記録速度で信号を記録層に刻み込んだ。Phillips CD920JT読み出し試験装置上、１倍（１ ×）の読み出し速度で測定した最大ジッタは、欧州公開特許第７０３２８１号公報にしたがって調製されたテトラ（α−２，４−ジメチル−３−ペンチルオキシ）銅フタロシアニンのジッタよりも有意に良好であった。例Ｂ２：メチルシクロヘキサン中、例Ａ５の生成物の２％溶液を、深さ１８０nm 、幅０.５μmの溝を１.６μmの相互距離で有する直径１２cmの１.２mmポリカーボネート基材にスピン被覆した。この被覆の上に金層を蒸着した後、ＵＶ硬化性保護層をその上に被着した。Phillips ＣＤ−Ｒエンジン装置上、７８０nmの光を発する半導体ダイオードを使用して、１倍（１×）の記録速度で信号を記録層に刻み込んだ。Phillips CD920JT読み出し試験装置上、１倍（１×）の読み出し速度で測定した最大ジッタは、欧州公開特許第７０３２８１号公報にしたがって調製されたテトラ（α−２，４−ジメチル−３−ペンチルオキシ）銅フタロシアニンのジッタよりも有意に良好であった。

【手続補正書】【提出日】平成１１年９月２９日（１９９９．９．２９）【補正内容】請求の範囲１．式Ｉ：（式中、Ｍは、２価の、金属、オキソメタル、ハロゲノメタル若しくはヒドロキシメタル又は２個の水素原子であり、Ｘは、ハロゲンであるか、又はフェニル環上の隣接位置にある２個のＸが一緒になって−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−ブリッジを形成して、それにより更なるフェニル環が得られ、Ｙは、−ＯＲ₁、−ＯＯＣ−Ｒ₂、−ＮＨＲ₁、−Ｎ（Ｒ₁）Ｒ₂又は−ＳＲ₁であり、Ｚは、−ＣＨＯ、−ＣＨ（ＯＲ₃）ＯＲ₄、−ＣＨ＝Ｎ−ＯＨ、−ＣＨ＝Ｎ−ＯＲ₃、−ＣＨ＝Ｎ−ＮＨＲ₅、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ（Ｒ₃）Ｒ₅、−ＣＨ₂ＯＨ、−ＣＨ₂ ＯＲ₃、−ＣＨ₂ＯＯＣ−Ｒ₃、−ＣＯ−Ｒ₃、−ＣＯＯＨ又は−ＣＯＯＲ₃であり、ｘは、０又は１〜８の数であり、ｙは、ｚに依存して、ｚ〜４の数であり、ｚは、１〜４の数であり、Ｒ₁〜Ｒ₅は、それぞれ互いに独立して、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル(これは、非置換であるが、又はハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルコキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキルアミノ若しくはＣ₂〜Ｃ₂₀ジアルキルアミノによって置換されており、かつ −Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−若しくは−ＮＲ₆−によって中断されていてもよい)、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルキニル、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール若しくはＣ₇〜Ｃ₁₈アラルキルであるか、又はＲ₁とＲ₂は、一緒になって、Ｃ₂〜Ｃ₂₀アルキレン（これは、非置換であるか、又はオキソ、ヒドロキシ若しくはＣ₁〜Ｃ₂₀カルボキシによって置換されており、かつ−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−若しくは−ＮＲ₆−によって中断されていてもよい）であるか、又はＲ₃とＲ₄は、一緒になって、Ｃ₂〜Ｃ₂₀アルキレン（これは、非置換であるか、又はハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルコキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキルアミノ若しくはＣ₂〜Ｃ₂₀ジアルキルアミノによって置換されている）であり、Ｒ₆は、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルキニル、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール又はＣ₇〜Ｃ₁₈アラルキルであり、そして２価の、オキソメタル、ハロゲノメタル又はヒドロキシメタルは、１個の中性分子に更に配位されていてもよく、かつ２価の金属原子は、独立しているか、互いに依存している１個又は２個の中性分子に更に配位されていてもよく、これらの中性分子は、Ｎ、Ｏ及びＳからなる群より選択される少なくとも１個のヘテロ原子を含む）で示される化合物。２．Ｍが、Ｈ₂、Ｃｕ（II）、Ｚｎ（II）、Ｎｉ（II）、Ｐｄ（II）、Ｐｔ（I I）、Ｍｎ（II）又はＣｏ（II）であり、好ましくはＨ₂、Ｃｕ（II）、Ｚｎ（II ）又はＰｄ（II）であり、特に好ましくはＣｕ（II）である、請求項１記載の化合物。３．Ｘが、クロロ又はブロモであり、好ましくはブロモである、請求項１記載の化合物。４．Ｙが、−ＯＲ₁又は−ＯＯＣ−Ｒ₂であり、好ましくは−ＯＲである、請求項１記載の化合物。５．Ｚが、−ＣＨＯ、−ＣＨ（ＯＲ₃）ＯＲ₄、−ＣＨ₂ＯＨ、−ＣＨ₂ＯＯＣ− Ｒ₃、−ＣＯ−Ｒ₃、−ＣＯＯＨ又は−ＣＯＯＲ₃であり、好ましくは−ＣＨＯ、 −ＣＨ（ＯＲ₃）ＯＲ₄、−ＣＨ₂ＯＨ、−ＣＨ₂ＯＯＣ−Ｒ₃又は−ＣＯ−Ｒ₃である、請求項１記載の化合物。６．ｘが、０であり、ｙが、２、３又は４であり、ｚが、１又は２であり、Ｙが、−ＯＲ₁（ここで、Ｒ₁は、数回分岐している非置換の第二級Ｃ₄〜Ｃ₈アルキルである）である、請求項１記載の化合物。７．ｙが、４である、請求項６記載の化合物。８．式IIａ、IIｂ、IIｃ又はIIｄ：（式中、Ｍは、２価の、金属、オキソメタル、ハロゲノメタル若しくはヒドロキシメタル又は２個の水素原子であり、Ｘ₁〜Ｘ₄及びＸ₁’〜Ｘ₄’は、それぞれ互いに独立して、水素又はハロゲンであり、Ｙ₁〜Ｙ₄は、それぞれ互いに独立して、水素又は−ＯＲ₁であり、Ｚ₁は、−ＣＨＯ、−ＣＨ（ＯＲ₃）ＯＲ₄、−ＣＨ＝Ｎ−ＯＨ、−ＣＨ＝Ｎ− ＯＲ₃、−ＣＨ＝Ｎ−ＮＨＲ₅、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ（Ｒ₃）Ｒ₅、−ＣＨ₂ＯＨ、−ＣＨ₂ＯＲ₃、−ＣＨ₂ＯＯＣ−Ｒ₃、−ＣＯ−Ｒ₃、−ＣＯＯＨ又は−ＣＯＯＲ₃であり、Ｚ₂〜Ｚ₄は、それぞれ互いに独立して、水素又は基Ｚ₁であるが、但し置換基Ｙ₁〜Ｙ₄のうち水素ではないものの数は、置換基Ｚ₁〜Ｚ₄のうち水素ではないものの数に少なくとも等しく、そしてＲ₁〜Ｒ₅は、請求項１で定義したとおりであり、２価の、オキソメタル、ハロゲノメタル又はヒドロキシメタルは、１個の中性分子に更に配位されていてもよく、かつ２価の金属原子は、独立しているか、互いに依存している１個又は２個の中性分子に更に配位されていてもよく、これらの中性分子は、Ｎ、Ｏ及びＳからなる群より選択される少なくとも１個のヘテロ原子を含む）で示される、請求項１記載の化合物、又は式IIａ、IIｂ、IIｃ及びIIｄの化合物から選択される２種以上の化合物の混合物。９．式III：（式中、Ｍ、Ｘ、Ｙ、ｘ、ｙ及びｚは、式Ｉで定義したとおりである）の化合物を調製するための方法であって、式IV：（式中、Ｍ、Ｘ、Ｙ、ｘ及びｙは、式IIIで定義したとおりである）の化合物１molを、ジメチルホルムアミド及び塩化ホスホリルそれぞれｚmolと反応させる方法。１０．まず、当モル量のジメチルホルムアミドと塩化ホスホリルとを不活性ガス下で反応させ、次いで、不活性溶媒中に溶解した、ホルミル化されるフタロシアニンを加え、その後、温度を上昇させることを含む、請求項９記載の方法。１１．温度を５０〜１００℃に上昇させることを含む、請求項１０記載の方法。１２．基材、記録層及び反射又は部分反射層を含み、記録層が請求項１記載の化合物を含む光学記録媒体。１３．情報の光学的な記録、記憶若しくは再生、回折性光学要素の製造、又はホログラムの記録のための、請求項１２記載の記録媒体の用途。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ

Claims

【特許請求の範囲】１．周辺炭素骨格に結合した、非置換若しくは置換の、ホルミル、カルボニル、ヒドロキシメチル若しくはカルボキシル基の少なくとも１個を含むフタロシアニン、又は２価の、金属、オキソメタル、ハロゲノメタル若しくはヒドロキシメタルとのその金属錯体。２．式Ｉ：（式中、Ｍは、２価の、金属、オキソメタル、ハロゲノメタル若しくはヒドロキシメタル又は２個の水素原子であり、Ｘは、ハロゲンであるか、又はフェニル環上の隣接位置にある２個のＸが一緒になって−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−ブリッジを形成して、それにより更なるフェニル環が得られ、Ｙは、−ＯＲ₁、−ＯＯＣ−Ｒ₂、−ＮＨＲ₁、−Ｎ（Ｒ₁）Ｒ₂又は−ＳＲ₁であり、Ｚは、−ＣＨＯ、−ＣＨ（ＯＲ₃）ＯＲ₄、−ＣＨ＝Ｎ−ＯＨ、−ＣＨ＝Ｎ−ＯＲ₃、−ＣＨ＝Ｎ−ＮＨＲ₅、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ（Ｒ₃）Ｒ₅、−ＣＨ₂ＯＨ、−ＣＨ₂ ＯＲ₃、−ＣＨ₂ＯＯＣ−Ｒ₃、−ＣＯ−Ｒ₃、−ＣＯＯＨ又は−ＣＯＯＲ₃であり、ｘは、０又は１〜８の数であり、ｙは、ｚに依存して、ｚ〜４の数であり、そしてｚは、１〜４の数であり、Ｒ₁〜Ｒ₅は、それぞれ互いに独立して、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル(これは、非置換であるか、又はハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルコキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキルアミノ若しくはＣ₂〜Ｃ₂₀ジアルキルアミノによって置換されており、かつ−Ｏ −、−Ｓ−、−ＮＨ−若しくは−ＮＲ₆−によって中断されていてもよい)、Ｃ₁ 〜Ｃ₂₀シクロアルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルケニル、Ｃ₁ 〜Ｃ₂₀アルキニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルキニル、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール若しくはＣ₇〜Ｃ₁₈アラルキルであるか、又はＲ₁とＲ₂は、一緒になって、Ｃ₂〜Ｃ₂₀アルキレン（これは、非置換であるか、又はオキソ、ヒドロキシ若しくはＣ₁〜Ｃ₂₀カルボキシによって置換されており、かつ−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−若しくは−ＮＲ₆−によって中断されていてもよい）であるか、又はＲ₃とＲ₄は、一緒になって、Ｃ₂〜Ｃ₂₀アルキレン（これは、非置換であるか、又はハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルコキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキルアミノ若しくはＣ₂〜Ｃ₂₀ジアルキルアミノによって置換されている）であり、Ｒ₆は、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルキニル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀シクロアルキニル、Ｃ₆〜Ｃ₁₈アリール又はＣ₇〜Ｃ₁₈アラルキルであり、そして２価の、オキソメタル、ハロゲノメタル又はヒドロキシメタルは、１個の中性分子に更に配位されていてもよく、かつ２価の金属原子は、独立しているか、互いに依存している、１個又は２個の中性分子に更に配位されていてもよく、これらの中性分子は、Ｎ、Ｏ及びＳからなる群より選択される少なくとも１個のヘテロ原子を含む）で示される、請求項１記載の化合物。３．Ｍが、Ｈ₂、Ｃｕ(II)、Ｚｎ(II)、Ｎｉ(II)、Ｐｄ(II)、Ｐｔ(II)、Ｍｎ（II）又はＣｏ（II）であり、好ましくはＨ₂、Ｃｕ(II)、Ｚｎ（II）又はＰｄ（II）であり、特に好ましくはＣｕ（II）である、請求項２記載の化合物。４．Ｘが、クロロ又はブロモであり、好ましくはブロモである、請求項２記載の化合物。５．Ｙが、−ＯＲ₁又は−ＯＯＣ−Ｒ₂であり、好ましくは−ＯＲである、請求項２記載の化合物。６．Ｚが、−ＣＨＯ、−ＣＨ（ＯＲ₃）ＯＲ₄、−ＣＨ₂ＯＨ、−ＣＨ₂ＯＯＣ− Ｒ₃、−ＣＯ−Ｒ₃、−ＣＯＯＨ又は−ＣＯＯＲ₃であり、好ましくは−ＣＨＯ、 −ＣＨ（ＯＲ₃）ＯＲ₄、−ＣＨ₂ＯＨ、−ＣＨ₂ＯＯＣ−Ｒ₃又は−ＣＯ−Ｒ₃である、請求項２記載の化合物。７．ｘが、０であり、ｙが、２、３又は４であり、ｚが、１又は２であり、Ｙが、−ＯＲ₁（ここで、Ｒ₁は、数回分岐している非置換の第二級Ｃ₄〜Ｃ₈アルキルである）である、請求項２記載の化合物。８．ｙが、４である、請求項７記載の化合物。９．式IIａ、IIｂ、IIｃ又はIIｄ：（式中、Ｍは、２価の、金属、オキソメタル、ハロゲノメタル若しくはヒドロキシメタル又は２個の水素原子であり、Ｘ₁〜Ｘ₄及びＸ₁’〜Ｘ₄’は、それぞれ互いに独立して、水素又はハロゲンであり、Ｙ₁〜Ｙ₄は、それぞれ互いに独立して、水素又は−ＯＲ₁であり、Ｚ₁は、−ＣＨＯ、−ＣＨ（ＯＲ₃）ＯＲ₄、−ＣＨ＝Ｎ−ＯＨ、−ＣＨ＝Ｎ− ＯＲ₃、−ＣＨ＝Ｎ−ＮＨＲ₅、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ（Ｒ₃）Ｒ₅、−ＣＨ₂ＯＨ、−ＣＨ₂ＯＲ₃、−ＣＨ₂ＯＯＣ−Ｒ₃、−ＣＯ−Ｒ₃、−ＣＯＯＨ又は−ＣＯＯＲ₃であり、Ｚ₂〜Ｚ₄は、それぞれ互いに独立して、水素又は基Ｚ₁であるが、但し置換基Ｙ₁〜Ｙ₄のうち水素ではないものの数は、置換基Ｚ₁〜Ｚ₄のうち水素ではないものの数に少なくとも等しく、そしてＲ₁〜Ｒ₅は、請求項２で定義したとおりであり、２価の、オキソメタル、ハロゲノメタル又はヒドロキシメタルは、１個の中性分子に更に配位されていてもよく、かつ２価の金属原子は、独立しているか、互いに依存している１個又は２個の中性分子に更に配位されていてもよく、これらの中性分子は、Ｎ、Ｏ及びＳからなる群より選択される少なくとも１個のヘテロ原子を含む）で示される、請求項２記載の化合物、又は式IIａ、IIｂ、IIｃ及びIIｄの化合物から選択される２種以上の化合物の混合物。１０．式III：（式中、Ｍ、Ｘ、Ｙ、ｘ、ｙ及びｚは、式Ｉで定義したとおりである）の化合物を調製するための方法であって、式IV：（式中、Ｍ、Ｘ、Ｙ、ｘ及びｙは、式IIIで定義したとおりである）の化合物１molを、ジメチルホルムアミド及び塩化ホスホリルそれぞれｚmolと反応させる方法。１１．まず、当モル量のジメチルホルムアミドと塩化ホスホリルとを不活性ガス下で反応させ、次いで、不活性溶媒中に溶解した、ホルミル化されるフタロシアニンを加え、その後、温度を上昇させることを含む、請求項１０記載の方法。１２．温度を５０〜１００℃に上昇させることを含む、請求項１１記載の方法。１３．基材、記録層及び反射又は部分反射層を含み、記録層が請求項１記載の化合物を含む光学記録媒体。１４．情報の光学的な記録、記憶若しくは再生、回折性光学要素の製造、又はホログラムの記録のための、請求項１３記載の記録媒体の用途。