JP2001519615A - 集積回路 - Google Patents

集積回路

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JP2001519615A JP2000515338A JP2000515338A JP2001519615A JP 2001519615 A JP2001519615 A JP 2001519615A JP 2000515338 A JP2000515338 A JP 2000515338A JP 2000515338 A JP2000515338 A JP 2000515338A JP 2001519615 A JP2001519615 A JP 2001519615A
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ケンブリッジ シリコン レィディオ リミテッド
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K23/00Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains
    • H03K23/40Gating or clocking signals applied to all stages, i.e. synchronous counters
    • H03K23/50Gating or clocking signals applied to all stages, i.e. synchronous counters using bi-stable regenerative trigger circuits
    • H03K23/54Ring counters, i.e. feedback shift register counters
    • H03K23/542Ring counters, i.e. feedback shift register counters with crossed-couplings, i.e. Johnson counters

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  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Circuits Of Receivers In General (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 最終の増幅段の出力が最初の増幅段の入力に接続された、直列接続の偶数の増幅段と、分周されるべき入力信号に応答し、分周されるべき入力信号の周期に関して、増幅段の各々による伝搬遅延を、奇数増幅段による伝搬遅延が増加する時偶数増幅段による伝搬遅延が減少するように変調する変調手段とを有する分周回路が提供される。分周回路は、無線受信回路のプリスケーラとして使用することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 本発明は、半導体集積回路に関し、特に、分周回路(プリスケーラ)に使用さ
れる場合のCMOSまたは同様のタイプの回路に関する。
【0002】 多くの高周波無線受信機において、シンセサイザおよび電圧制御発振器は、受
信高周波無線信号の最初の復調を行なうのに使用される局部搬送波信号を発生す
るために必要とされる。しかしながら、シンセサイザは、一般に、入力として直
接高周波搬送波信号を受けることができない。したがって、搬送波周波数をシン
セサイザが受け入れ可能な周波数に分周するプリスケーラを使用しなければなら
ない。プリスケーラ回路は、一般に、多数の2分周回路と、たとえば16または
17分周回路を提供するためのいくつかの制御論理回路とからなる。各々の2分
周回路は、一般に、主従形態に接続された一対のラッチ回路からなる。
【0003】 低周波で動作可能な従来のCMOSラッチ回路において、データ入力の信号は
、クロック信号がハイの間に出力に通過する。クロック信号がローになると、ラ
ッチ回路は、新たなデータ値が通過を許される時、クロック信号が再びハイにな
るまで同一出力を維持する。従来のCMOSラッチ回路は、直列に接続された2
つのインバータと、2つの伝送ゲートとからなる。ラッチ回路のデータ入力は、
一方の伝送ゲートを介して第1のインバータの入力に接続される。第2のインバ
ータの出力(ラッチ回路の出力でもある)は、他方の伝送ゲートを介して第1の
インバータの入力に帰還される。帰還とデータ入力が互いに干渉し合わないよう
にするために、2つの伝送ゲートは、一方がオープンすると他方がクローズする
ように、反対位相クロック信号で駆動される。
【0004】 ラッチ回路をクロックすることができる最大周波数は、伝送ゲートがオープン
、クローズできる速度と、当然ながらインバータによる伝搬遅延とに依存する。
CMOS伝送ゲートは、実質的に、状態間の電源電圧の全振幅を有するクロック
信号で駆動される必要がある。したがって、CMOSラッチ回路の最大動作周波
数は、実際上、ECL等の適切な高周波バイポーラー技術で構築されたラッチ回
路の最大動作周波数よりかなり低くなっている。さらに、CMOS回路は、高周
波で多くの電力を消費し、したがって、高速プリスケーラが必要な場合、バイポ
ーラー技術が必ず使用されるのに対して、低速デジタルデバイスに対しては、C
MOSまたは他のMOS技術が好適なことがある。したがって、高速および低速
デジタル機能の両方が必要なアプリケーションにおいては、一般に、2個の独立
したチップを使用する必要がある。一方は、低速デジタル機能を実行するために
CMOS技術を使用し、他方は、高速デジタルおよびアナログ機能を実行するた
めにバイポーラー技術を使用する。2個の独立したチップの必要性は、最終製品
のコストとサイズを増加させる。かけがえとして、バイポーラーおよびCMOS
トランジスタの両方をサポートするより複雑で高価なIC処理を用いることがで
きる。
【0005】 一態様によれば、本発明は、予備増幅段の入力に接続された終端増幅段の出力
と直列に接続された多数の増幅段と、分周されるべき入力信号に応答して、一方
の増幅段群による伝搬遅延が増加した時に他方の増幅段による伝搬遅延が減少す
るように、各増幅段による伝搬遅延を変調する変調手段とからなる分周回路を提
供する。
【0006】 また、本発明は、データ入力と、データ出力と、クロック入力と、メモリ装置
に接続されると共に、一方の出力が他方の入力に接続された2つのインバータと
、メモリ装置に接続され、上記クロック入力に印加されるクロック信号から独立
して、データ入力に印加された新たなデータをメモリ装置に書き込む入力手段と
からなる半導体ラッチ回路であって、上記メモリ装置に書き込まれるべき新たな
データのために費やされる時間を可変する可変手段を含む半導体ラッチ回路を提
供する。
【0007】 また、本発明は、最終の増幅段の出力が最初の増幅段の入力に接続された、直
列接続の多数の増幅段を使用する分周方法であって、所定のグループの増幅段に
よる伝搬遅延が増加した場合に、他のグループの増幅段による伝搬遅延が減少す
るように、各増幅段による伝搬遅延を変調することからなる分周方法を提供する
【0008】 本発明を実施する分周器すなわちラッチ回路は、多くのアプリケーションで使
用することができる。たとえば、無線受信回路の局部搬送波を発声させるのに使
用することができる。
【0009】 図1aは、参照数字10で一般的に示された、本発明の一実施例によるラッチ
回路を示し、図1bは、その論理等価回路を示す。ラッチ回路は、クロック入力
CLKと、データ入力Dと、相補データ入力DBと、データ出力Qと、相補デー
タ出力QBとを有する。この説明と図面において、接尾辞“B"は、Q=0の場 合にQB=1またはその逆になるように所定の論理信号の相補を示すために使用
されている。
【0010】 図1aの回路において、pチャンネルMOSトランジスタP1およびnチャン
ネルMOSトランジスタN1は、入力Qおよび出力QBを有する第1のCMOS
インバータ1を構成し、pチャンネルMOSトランジスタP2およびnチャンネ
ルMOSトランジスタN2は、入力QBおよび出力Qを有する第2のインバータ
3を構成している。2つのインバータ1および3は、標準的なスタティックメモ
リセルと同じ配置に接続され、図1bに示されるように、一方の出力が他方の入
力に接続されている。これは、上述の伝送ゲートを使用したより典型的なCMO
Sラッチ回路と対照的になっている。また、この回路は、各々が、それぞれ、入
力DおよびCLKと、DBDBおよびCLKと、出力QBおよびQを有するNA
NDタイプ機能を実行する、直列接続の2対のnチャンネルトランジスタ(N3
およびN5;N4およびN6)を含む。これらの2つのNANDタイプ回路は、
図1bに示される論理等価回路においてNANDゲート5および7で表され、以
後NANDゲート5および7と呼ばれる。しかしながら、当業者はわかるように
、これらの回路は、完全なCMOSNANDゲートを構成していない。
【0011】 動作時、CLKがローのままになっていると、インバータ1および3間の正帰
還接続は、ラッチ回路をその現在状態(Qがロー/QBがハイまたはQがハイ/
QBがロー)に維持する。しかしながら、CLKがハイになると、ラッチ回路の
状態は、データ入力D/DBに依存して可変される。たとえば、QBの論理がハ
イであり、論理ハイが、Dがハイの間にCLKに印加された場合は、QBは、強
制的に論理ローになる。同様に、Qの論理がハイであり、論理ハイが、DBがハ
イの間にCLKに印加された場合は、Qは、強制的に論理ローになる。CLKが
再びローになると、新たな状態が保たれる。
【0012】 2つのインバータ1および3のnチャンネルトランジスタN1およびN2は、
それらを駆動する対応するNANDゲート7および5より“弱く"作られており 、そのため、メモリセル内の論理レベルを上書きすることができる。これは、ト
ランジスタN3,N5およびN4,N6の幅対長さ比(アスペクト比)と比較し
た場合のトランジスタN1およびN2のアスペクト比を減少させることによりこ
の実施例で達成される。下記の表1は、代わりのものとして0.7μmおよび0
.5μmプロセスの場合の、図1に示される各トランジスタに適する寸法を記載
している。クロック信号CLKに応答するトランジスタN3,N4は、特に“強
く"作られている。
【0013】
【表1】
【0014】 ラッチ回路10による伝搬遅延は、D/DBが変化した後,QまたはQBのど
ちらかを強制的に論理ローにするのに費やされる時間に依存する。アナログ信号
が論理信号の代わりにCLKに印加された場合は、トランジスタN3およびN4
は、必ずしも完全にオープンまたはクローズされないが、可変抵抗として作用し
、その値は、クロック信号(CLK)に応じて変動する。この変動する抵抗の結
果として、ラッチ回路10を強制的に各々異なる状態にするのに費やされる時間
は変調され、そこで、ラッチ回路10による伝播遅延は変調される。
【0015】 発明者は、このタイプのラッチ回路の遅延変調効果を利用することにより、現
行のCMOS技術で現在入手することができるものよりもっと高い周波数で動作
することができるプリスケーラ回路を作ることができることがわかった。特に、
CLK入力に発振信号を印加することにより、伝搬遅延を、ラッチ回路の通常の
“デジタル”動作のためには高すぎる周波数でさえ首尾良く変調することができ
る。
【0016】 図2は、2分周器を構成するように互いに接続された2つの上述のラッチ回路
10aおよび10bを示す。第1のラッチ10aのQおよびQB出力は、それぞ
れ、第2のラッチ10bのDおよびDB入力に接続され、第2のラッチ10bの
QおよびQB出力は、それぞれ、第2のラッチ10aのDBおよびD入力に接続
されている。分周されるべき入力信号(IN)は、第1のラッチ回路10aのク
ロック入力CLKに印加され、分周されるべき入力信号の反対位相バージョン(
INB)は、第2のラッチ回路10bのクロック入力CLKに印加される。信号
INおよびINBは、論理ハイおよびローレベルの中間の電圧に関して一定振幅
で発振する。
【0017】 このように接続されると、回路は、リング発振器として働き、論理ハイおよび
論理ローの鎖が回りを伝搬する。論理ハイおよび論理ローが伝搬する速度は、各
ラッチ回路10aおよび10bによる伝播遅延に依存する。ラッチ回路10aに
よる遅延がT1 であり、ラッチ回路10bによる遅延がT2 であれば、発振周波
数=1/(T1 +T2 )となる。
【0018】 遅延T2 が減少する時遅延T1 が増加し、またその逆になるように、遅延T1
+T2 が、1/fINの値に関して、周波数fINで周期的に変化するように行なわ
れる場合(すなわち、1/fIN<T1 およびT2 <1/fIN)、論理ハイおよび
論理ローは、2/fINの遅延を伴って回路の回りを伝搬することができるだけで
ある。これよりも早くまたは遅く回路の回りを伝播しようとするどんな信号も、
変化する遅延値に起因して、多分この場合のように、自動的に遅くなったり早く
なったりする。このように、回路は、周波数fIN/2でロックされた発振器にな
り、それにより、分周器を構成する。なぜなら、fINは、入力信号IN/INB
の周波数だからである。このように考察される場合、回路の動作は、いわゆるパ
ラメトリック増幅器になぞらえることができる。
【0019】 発明者は、このように分周動作を実行することにより、CMOSプリスケーラ
回路が、従来の0.7μmCMOSプロセスのみを使用して、約600MHzま
での周波数(fIN)で動作することができることを確認した。これらの周波数で
動作する能力は、単一チップ上への撚り多くの機能の集積を可能にする。
【0020】 図2に示される分周器がどのように異なるレベルで動作するかを説明するため
に、各ラッチ回路10aおよび10bは、増幅器による伝播遅延を変化させるの
に使用することができる変調入力を有する、ヒステリシスを持った差動増幅器と
みなすことが有効である。この実施例では、変調入力振幅は、ヒステリシスが一
定のままの間に、増幅器に印加された入力を変調する。
【0021】 図3は、図2に示される分周器の当か回路図であり、上述のように、各ラッチ
回路10aおよび10bは、ヒステリシスを持った差動増幅器30aよび30b
と、変調ブロック33aおよび33bで表されている。変調ブロック33aは、
分周されるべき入力信号(IN)で駆動され、変調ブロック33bは、分周され
るべき入力信号の逆(INB)で駆動される。
【0022】 上述のように、変調ブロック33aおよび33bは、各増幅器の伝搬遅延を変
化させる手段として働き、これは、この実施例では、入力トランジスタN5/N
6と直列のクロックトランジスタN3/N4の抵抗値を変化させ、一方の増幅器
から他方の増幅器への結合の強度を効果的に変化させることにより達成される。
増幅器30aと増幅器30bの結合強度が減少すると、増幅器30bを介して伝
搬する信号のためにより長く費やされる。一方、増幅器30aと増幅器30bの
結合強度が増加すると、増幅器30bを介して伝搬する信号のための時間が少な
く費やされる。同様に、増幅器30aによる伝搬遅延は、増幅器30bと増幅器
30aの結合強度を可変することにより変化させることができる。このように、
遅延T1 およびT2 は、2つの増幅器の結合強度を変化させることにより可変す
ることができる。
【0023】 図2に示される回路を図3に示される等価回路に一般化した後、同じ変調効果
を他の方法で、たとえば、図4および図5に示されるように直接増幅器のヒステ
リシスを変調することにより達成することができることがわかる。
【0024】 図4は、直列に接続され、第1の増幅器40aのDB入力に接続された第2の
増幅器40bの出力Qと、第1の増幅器のD入力に接続された出力QBとを有す
る、ヒステリシスを持った差動増幅器を概略的に示す。入力信号INは、第1の
増幅器40aに印加されて、そのヒステリシスを変化させ、相補入力信号INB
は、第2の増幅器40bに印加されて、そのヒステリシスを変化させる。
【0025】 図5は、ヒステリシスを含む図4に示される各増幅器40aおよび40bの入
力/出力特性を概略的に示す。(第2段のQ出力から第1段のDB入力への結合
による)負帰還全体は、各ラッチ回路のヒステリシスを作り出すのに必要な正帰
還に打ち勝つ。この効果は、ヒステリシスを可変することにより、増幅器による
有効伝搬遅延(T1 およびT2 )が、増幅器の結合強度が一定のままになってい
る間に変化するようになる。特に、遅延(T1 およびT2 )が、1/fINの値に
関して、周波数fINで周期的に変化するように行なわれる場合(すなわち、1/
IN<T1 およびT2 <1/fIN)、論理ハイおよび論理ローは、1/2fIN
遅延を伴って回路の回りを伝搬することができるだけである。
【0026】 図6は、参照数字60で一般的に示され、図4に示される増幅器を構成するの
に使用することができるラッチ回路、すなわち、ヒステリシスを可変することが
できるラッチ回路を示す。ラッチ回路60は、図1aに示されるラッチ回路10
と同じものであるが、トランジスタN3′,N4′は、それぞれ、トランジスタ
N5′およびN6′と直列よりむしろ、トランジスタN2′およびN1′と直列
に配置されている。
【0027】 第1の実施例のように、ラッチ回路60による伝搬遅延は、Q′またはQB′
のどちらかを強制的に論理ローにするのに費やされる時間に依存する。さらに、
高周波信号がCLKに印加された場合は、トランジスタN3′およびN4′は、
必ずしも十分にオープンまたは十分にクローズになる時間を持っていないが、と
にかく可変抵抗として働き、その値は、入力信号(CLK)に応じて変動する。
この変動する抵抗の結果として、ラッチ回路60を強制的に各々の異なる状態に
するのに費やされる時間が変調され、そこで、ラッチ回路60による伝搬遅延が
変調される。したがって、この実施例では、クロック信号は、ラッチ回路のヒス
テリシスを変調することによって伝搬遅延を効果的に変調している。
【0028】 図7aは、図1aに示されるラッチ回路がどのようにして他の論理機能を含む
ように修正することができるかを示している(同様の修正を、図6に示されるラ
ッチ回路に対して行うことができる)。可能な限り、図1aと同じ参照符号が使
用されている。詳細には、図7aは、入力Qおよび出力QBを有する第1のCM
OSインバータ1を構成するPチャンネルMOSトランジスタP1およびNチャ
ンネルMOSトランジスタN1と、入力QBおよび出力Qを有する第2のインバ
ータ3を構成するPチャンネルトランジスタP2およびNチャンネルトランジス
タN2とからなる。図1aに示されるラッチ回路のように、2つのインバータ1
および3は、図7bに示されるように、一方の出力が他方の入力に接続されてい
る、標準的なスタティックメモリセル配置に接続されている。また、ラッチ回路
は、入力ABおよびCLKと出力QBを有する3入力NANDタイプ機能を実行
する回路を互いに構成し、図7bにおいてNANDゲート70および5で表され
ているトランジスタN3,N6AおよびN6Bを含む。また、ラッチ回路は、並
列のトランジスタN6AおよびN6Bと、トランジスタN6AおよびN6Bの並
列接続と直列に接続されたトランジスタN4を含む。トランジスタN6Aおよび
N6Bの並列接続は、ORタイプ機能を実行する回路を構成し、図7bにおいて
ORゲート71で表されている。トランジスタN4と上記の並列接続は、互いに
、NANDタイプ機能を実行する回路を構成し、図7bにおいてNANDゲート
7で表されている。
【0029】 図7aに示される回路は、次のように動作する。QBがハイであり、かつ入力
A、BおよびCLKが全てハイの場合は、QBは、強制的に論理ローにされる。
同様に、Qがハイであり、かつ(i)入力AB(Aの相補)およびCLKがハイ
または(ii)入力BB(Bの相補)およびCLKがハイのどちらかである場合
は、Qは、強制的に論理ローにされるだろう。換言すれば、ラッチ回路の出力(
Q)は、CLKがハイの時に入力AおよびBが共にハイである限り、ローになる
だろう。したがって、図7aに示されるラッチ回路は、実際上、そのデータ入力
が入力AおよびBの論理AND機能であるDタイプラッチ回路からなる。
【0030】 当業者はわかるように、特別な論理回路の追加は、分周回路に使用される場合
のラッチ回路の動作原理に影響を及ぼさない。したがって、ラッチ回路は、より
複雑なカウンタ回路に使用することができ、まだ既知のデバイスに勝る速度利点
を維持する。
【0031】 図8は、4または5分周動作を実行することができるプリスケーラ回路の一例
を示す。図示の回路は、図1aまたは図6に示されるタイプの4個のラッチ回路
(L2,L3,L4およびL6)と、図7aに示されるANDゲートタイプの2
個のラッチ回路(L1およびL5)からなる。制御入力CTRL/CTRLBは
、ラッチ回路L5のB/BBに接続されている。この回路は、CTRLがローの
場合に4分周し、CTRLがハイの場合に5分周し、0.7μmプロセスに基づ
いて、3V供給源からの約450MHzまでかつ5Vの600MHzまでの周波
数で動作することができる。この回路の動作原理は、図2に示される2つの回路
による分周のものと同じであり、再び説明はしない。
【0032】 ラッチ回路L1乃至L5は全て、その周波数が分周される入力信号IN/IN
Bでクロックされる。かけがえとして、カウンタ回路は、図2に示されるものと
同様の、直列接続された複数の2分周回路からなり、ある2分周回路の出力は、
次の隣接する2分周回路のクロック入力に印加される。これは、後段をより遅い
速度とより少ない電流動作のための寸法にすることができるという利点を有する
が、分割係数の選択時、2の累乗に限らない。適切な制御論理で4および5の分
割係数(22 および22 +1)を提供することによって、4×5よりも大きいど
んな整数分割係数も達成できる。
【0033】 図9は、比較的に低いビットレートのデジタルデータのための、一般的に参照
数字90で示される単一周波数変調された(FM)無線送受信機の形態の新規な
分周回路のアプリケーションを示す。このような無線機のアプリケーションは、
移動体ページャーや、今後はガスおよび電気供給のような便益設備の制御および
計測のためのデータ伝送も含む。送信機/受信機の一般構造は、当業者に周知の
形態からなり、徹底的には説明されない。
【0034】 図9を参照すると、データは、送信されることになる場合、まず、変調ブロッ
ク91で、クォードラチャ位相シフトキーイング(QPSK)等のデータ変調技
術を使用して変調され、次に、電圧制御発振器(VCO)93の入力に供給され
る。VCO93の出力は、QPSKで変調された無線周波数(RF)信号であり
、次に電力増幅器95で増幅され、送信/受信制御スイッチ99およびフィルタ
101を介してアンテナ97から放送される。
【0035】 データが受信されることになる場合は、アンテナ97で捕えられたRF入力信
号は、フィルタ101でろ波されてノイズが除去され、送信/受信制御スイッチ
99を介してRF増幅器103に通される。次に、増幅された信号は、再びフィ
ルタ105でろ波されて、IF段で“イメージ信号”になるかもしれない望まし
くない搬送波信号が除去される。ミキサー107は、RF入力信号を、局部的に
発生した搬送波信号で到来RF信号を乗算することによって中間周波(IF)信
号にダウンコンバートする。次に、ミキサ−107の出力のIF信号は、必要な
帯域幅にわたってフラットな応答と、通過帯域の両側の大きな減衰とを有するセ
ラミック共振器または同様のフィルタ109で再びろ波される。次に、受信デー
タは、復調ブロック111でセラミックフィルタ109からのIF信号出力を復
調することにより再生される。
【0036】 フィルタとして非常に有効であるが、セラミックタイプのフィルタ109の中
心周波数は、固定値を有する。この中心周波数を変えて、無線機を他の中心周波
数に再同調すると同時に、通過帯域の両側の必要な減衰を維持することはできな
い。この問題の解決法は、ミキサ−107の出力におけるIF信号が、常に同一
周波数に中心があることを保証することである。したがって、他の変調された搬
送波を受信するために、ミキサ−107に印加される局部搬送波信号は、望まし
いRF信号を固定IF周端数にダウンコンバートするために可変になっていなけ
ればならない。
【0037】 これは、従来的には、図5に示されるように接続された電圧制御発振器(VC
O)93、プリスケーラ113およびデジタル周波数シンセサイザ115を使用
するこよにより達成されている。VCO93からの出力信号の周波数は、シンセ
サイザ115よりそれに供給される入力電圧で制御され、シンセサイザは、プリ
スケーラ113で分周されたVCO出力信号の変形を受信する。
【0038】 分周は、従来的には、デジタル機能と考えられており、プリスケーラ113が
減少できる最大周波数は、使用されるデジタル回路技術に依存している。RF入
力信号に対して、高いRF周波数で動作可能なバイポーラートランジスタ技術が
、通常使用される。しかしながら、低コストで低電力のCMOSチップがシンセ
サイザ115のために(また、多分、全体としての受信機のデータ復号、処理お
よび制御動作のために)使用される場合は、これは、分周を実行する第2のチッ
プが必要になり、送受信機90のコストとサイズを増加させる。対照的に、図9
の送受信機のプリスケーラ103は、上述の新規な分周器を使用している。この
特徴により、単信送受信樹0のどの部分も、アナログフィルタの除去が可能であ
り、1個のMOS集積チップに構築することができ、それにより、データ送受信
機90の全コストおよびサイズが減少する。ミキサ−107は、同じチップに同
様に集積されたMOSFETトランジスタで実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1a】 本発明の第1の実施例によるラッチ回路を示す図である。
【図1b】 図1aに示されるラッチ回路の論理等価回路を示す図である。
【図2】 互いに縦続接続され、2分周器を構成するように接続された、図1aに示され
る2つのラッチ回路を示す図である。
【図3】 各ラッチ回路がヒステリシスを有する差動増幅器と変調ブロックとで表される
、図2に示される分周器の一般化した等価回路である。
【図4】 本発明の第2の実施例による分周回路を示す図である。
【図5】 第2の実施例に使用されるヒステリシスを有する差動増幅器の入力/出力関係
を示す図である。
【図6】 図4に示される分周回路で使用することができるラッチ回路の第2の実施例を
示す図である。
【図7a】 図1aに示されるラッチ回路がどのようにして追加の論理機能を提供するよう
に修正されるのかを説明する回路図である。
【図7b】 図7aに示されるラッチ回路の論理等価回路を示す図である。
【図8】 本発明の実施例によるラッチ回路を使用した4/5分周回路を示す回路図であ
る。
【図9】 本発明の実施例による、比較的に低いビットレートのデジタルデータ用の単一
周波数変調された無線送受信機を示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成12年9月27日(2000.9.27)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0017
【補正方法】変更
【補正内容】
【0017】 このように接続されると、回路は、リング発振器として働き、論理ハイおよび
論理ローの鎖が回りを伝搬する。論理ハイおよび論理ローが伝搬する速度は、各
ラッチ回路10aおよび10bによる伝播遅延に依存する。ラッチ回路10aに
よる遅延がT1 であり、ラッチ回路10bによる遅延がT2 であれば、発振周波
数=1/[2T1 +T2 ]となる。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0018
【補正方法】変更
【補正内容】
【0018】 遅延T2 が減少する時遅延T1 が増加し、またその逆になるように、遅延T1
およびT2 が、1/[2fIN]の値に関して、周波数fINで周期的に変化するよう
に行なわれる場合(すなわち、1/[2fIN]<T1 およびT2 <1/[2fIN])
、論理ハイおよび論理ローは、2/fINの遅延を伴って回路の回りを伝搬するこ
とができるだけである。これよりも早くまたは遅く回路の回りを伝播しようとす
るどんな信号も、変化する遅延値に起因して、多分この場合のように、自動的に
遅くなったり早くなったりする。このように、回路は、周波数fIN/2でロック
された発振器になり、それにより、分周器を構成する。なぜなら、fINは、入力
信号IN/INBの周波数だからである。このように考察される場合、回路の動
作は、いわゆるパラメトリック増幅器になぞらえることができる。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0025
【補正方法】変更
【補正内容】
【0025】 図5は、ヒステリシスを含む図4に示される各増幅器40aおよび40bの入
力/出力特性を概略的に示す。(第2段のQ出力から第1段のDB入力への結合
による)負帰還全体は、各ラッチ回路のヒステリシスを作り出すのに必要な正帰
還に打ち勝つ。この効果は、ヒステリシスを可変することにより、増幅器による
有効伝搬遅延(T1 およびT2 )が、増幅器の結合強度が一定のままになってい
る間に変化するようになる。特に、遅延(T1 およびT2 )が、1/[2fIN]の
値に関して、周波数fINで周期的に変化するように行なわれる場合(すなわち、
1/[2fIN]<T1 およびT2 <1/[2fIN])、論理ハイおよび論理ローは、
IN/2の遅延を伴って回路の回りを伝搬することができるだけである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サバートン,イアン,マイケル イギリス国.シービー4 4ディーダヴリ ュ ケンブリッジ,ミルトン ロード,サ イエンス パーク,ケンブリッジ コンサ ルタンツ リミテッド Fターム(参考) 5J001 AA05 BB00 BB02 BB05 BB08 BB10 BB12 BB20 BB21 BB24

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 直列に接続された偶数の増幅段であって、最終増幅段の出力
    が最初の増幅段の入力に接続されている増幅段と、 分周されるべき入力信号に応答し、分周されるべき入力信号の周期に関して、
    上記増幅段の各々による伝搬遅延を、奇数増幅段による伝搬遅延が増加する時偶
    数増幅段による伝搬遅延が減少するように変調する変調手段とからなる分周回路
  2. 【請求項2】 請求項1記載の分周回路において、直列に接続された2つの
    増幅段がある分周回路。
  3. 【請求項3】 直列に接続された請求項1または2記載の複数の分周回路か
    らなる分周回路。
  4. 【請求項4】 請求項1、2または3記載の分周回路において、各増幅器は
    差動増幅器である分周回路。
  5. 【請求項5】 いずれかの先行する請求項に記載の分周回路において、各増
    幅段は、ヒステリシスを持った増幅器を含む分周回路。
  6. 【請求項6】 いずれかの先行する請求項に記載の分周回路において、前記
    変調手段は、隣接する増幅段間の結合強度を可変する分周回路。
  7. 【請求項7】 請求項5記載の分周回路において、前記変調手段は、前記各
    増幅段のヒステリシスを変化させる分周回路。
  8. 【請求項8】 いずれかの先行する請求項に記載の分周回路において、FE
    Tタイプ半導体回路である分周回路。
  9. 【請求項9】 請求項8記載の分周回路において、相補FET論理回路と共
    にモノリシックに集積されている分周回路。
  10. 【請求項10】 請求項8記載の分周回路において、標準的なCMOSプロ
    セスでCMOS論理回路と共にモノリシックに集積されているCMOS回路であ
    る分周回路。
  11. 【請求項11】 いずれかの先行する請求項に記載の分周回路において、分
    周されるべき入力信号の周波数が100MHzより大きい場合に使用に適する分
    周回路。
  12. 【請求項12】 いずれかの先行する請求項に記載の分周回路において、さ
    らに、2の1乗以外の比による分周を提供する論理手段を含む分周回路。
  13. 【請求項13】 いずれかの先行する請求項に記載の分周回路において、各
    増幅段は、一方の出力が他方の入力に接続された、メモリ配置に接続された2つ
    のインバータを有するラッチ回路からなる分周回路。
  14. 【請求項14】 データ入力と、 データ出力と、 クロック入力と、 一方の出力が他方の入力に接続された、メモリ配置に接続された2つのインバ
    ータと、 上記メモリ配置に接続され、上記データ入力に印加される新たなデータを、上
    記クロック入力に印加されるクロック信号から独立して、上記メモリ配置に書き
    込む入力手段とからなる半導体ラッチ回路において、 上記メモリ配置に書き込まれるべき新たなデータのために費やされる時間を可
    変する可変手段を含むことを特徴とする半導体ラッチ回路。
  15. 【請求項15】 請求項14記載の半導体ラッチ回路において,前記可変手
    段は、前記入力手段と前記メモリ配置間の結合強度を可変する半導体ラッチ回路
  16. 【請求項16】 請求項14記載の半導体ラッチ回路において、前記可変手
    段は、メモリ配置のヒステリシスを可変する半導体ラッチ回路。
  17. 【請求項17】 請求項14、15または16記載の半導体ラッチ回路にお
    いて、集積回路におけるFETタイプラッチ回路である半導体ラッチ回路。
  18. 【請求項18】 請求項17記載の半導体ラッチ回路において、集積回路に
    おけるCMOSラッチ回路である半導体ラッチ回路。
  19. 【請求項19】 請求項13乃至18のいずれか1項記載の半導体ラッチ回
    路において、前記可変手段は、前記クロック入力に印加されるクロック信号に応
    答して,前記メモリ配置に書き込まれるべき新たなデータのために費やされる時
    間を可変する半導体ラッチ回路。
  20. 【請求項20】 最終の増幅段の出力が最初の増幅段の入力に接続されてい
    る、直列に接続された偶数の増幅段を用いる分周方法であって、 分周されるべき入力信号の周期に関して、上記各増幅段による伝搬遅延を、奇
    数番目の増幅段による伝搬遅延が増加する時に偶数番目の増幅段による伝搬遅延
    が減少するように変調するステップからなる分周方法。
  21. 【請求項21】 請求項20記載の分周方法において、各増幅器は差動増幅
    器である分周方法。
  22. 【請求項22】 請求項20または21記載の分周方法において、使用され
    る各増幅段は、ヒステリシスを持った増幅器を含む分周方法。
  23. 【請求項23】 請求項20、21または22記載の分周方法において、前
    記変調ステップは、隣接する増幅段間の結合強度を可変する分周方法。
  24. 【請求項24】 請求項22記載の分周方法において、前記変調ステップは
    、前記各増幅段のヒステリシスを可変する分周方法。
  25. 【請求項25】 請求項20乃至24のいずれか1項記載の分周方法におい
    て、前記増幅段は、FETタイプ半導体集積回路からなる分周方法。
  26. 【請求項26】 請求項25記載の分周方法において、前記増幅段は、CM
    OS集積回路からなる分周方法。
  27. 【請求項27】 請求項20乃至26のいずれか1項記載の分周方法におい
    て、分周されるべき入力信号の周波数は、100MHzより大きい分周方法。
  28. 【請求項28】 請求項20〜27のいずれか1項記載の分周方法において
    、2の1乗以外の比による分周を提供する論理回路も使用する分周方法。
  29. 【請求項29】 請求項1乃至12のいずれか1項記載の分周回路からなる
    か、または、請求項20乃至28のいずれか1項記載の分周方法を利用する無線
    受信機。
  30. 【請求項30】 請求項13乃至19のいずれか1項記載のラッチ回路を含
    む無線受信機。
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