JP2001518566A - プラズマスパッタリアクタに用いられる絶縁セラミックがコーティングされた金属部品 - Google Patents

プラズマスパッタリアクタに用いられる絶縁セラミックがコーティングされた金属部品

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JP2001518566A
JP2001518566A JP2000514305A JP2000514305A JP2001518566A JP 2001518566 A JP2001518566 A JP 2001518566A JP 2000514305 A JP2000514305 A JP 2000514305A JP 2000514305 A JP2000514305 A JP 2000514305A JP 2001518566 A JP2001518566 A JP 2001518566A
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Abstract

(57)【要約】 特にプラズマスパッタリングリアクタにおける電気的に浮いているシールド用の支持体としての、プラズマリアクタにおいて使用するための絶縁部品である。この絶縁部品は、金属基材とセラミック絶縁体、例えばアルミナの部分表面のコーティングからなっている。好ましくは、このセラミックのこティングは熱スプレイによって堆積される。この絶縁部品は、部品のコーティングされない部分に設けられる、例えばネジのような取付け手段の使用によって、チャンバの他の金属部分に容易に固定される。この絶縁部品が第２の金属部分を支持するが、電気的に絶縁する絶縁体として用いられる場合、第２の金属部分は、セラミックコーティング上に載ると共に、絶縁部品は、チャンバの壁或いは他の金属支持部材にネジ止めされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （発明の属する技術分野） 本発明は、一般にプラズマリアクタに用いられる絶縁体に関し、特にセラミッ
クで覆われている金属部品に関する。
【０００２】 （発明の背景） 近年の集積回路は、下にあるシリコンの活性領域とのコンタクトや離間したデ
バイス間の相互接続のために、例えば、アルミニウムのメタライゼーションの多
くの層を必要とする。物理的気相堆積、即ちＰＶＤと呼ばれるプラズマスパッタ
リングは、メタライゼーションを堆積する最も普及した方法になった。金属スパ
ッタリングにおいて、ターゲットは堆積される材料と同じ材料で作られる。アル
ゴンのような不活性ガスが非常に低い圧力でチャンバに入れられ、チャンバの壁
や他の部分に関して、ターゲットを負にバイアスすることによってプラズマに励
起される。例示的なバイアス電圧は−６００ボルトＤＣである。プラズマは充分
な速度でターゲットに引きつけられる正に帯電したアルゴンイオンを生成し、原
子サイズのターゲット粒子を取り出す。スパッタ粒子の幾らかは、コーティング
されるべきウエハを打ち、ターゲット材料の層としてウエハ上に堆積される。
【０００３】 高度の集積回路へのスパッタリングの適用は、スパッタリング処理に厳しい要
件を課す。これらの要件の一つは、スパッタされた金属が効果的に狭く、深い孔
（ホール）を満たすことである。代表的なＩＣ構造の場合、例えば二酸化シリコ
ンの誘電体層が下にあるシリコン層や前のメタライゼーション層である前の層上
に堆積される。孔は誘電体層をとおしてエッチングされ、その後スパッタリング
によって孔の中や誘電体層上にアルミニウム層が堆積される。孔の中の金属は下
にある層の小さな限られた部分と選択的に接触する。その後、金属の重ね合わせ
層は水平の相互接続にホトリソグラフ的に画定される。孔は、もし、下部でシリ
コンと接触していれば、コンタクトホール(contact hole)と呼ばれ、もし、他の
金属層と接触していればバイアホール(via hole)と呼ばれる。非常に高度の集積
回路に対して、メタライゼーションの低いレベルのためのコンタクトホールやバ
イアホールは、密度の高い回路を提供するために、誘電体の厚さと比較して非常
に狭い。結果的に、スパッタリングは非常に高い、孔の深さと幅の比として定義
されるアスペクト比を有する孔を充填しなければならない。このアスペクト比は
、高度の集積回路では、５またはそれ以上である。
【０００４】 孔の充填は、ターゲットからスパッタされた粒子がウエハへの直接通路上にあ
る全てのアルゴン原子を叩かないように低いチャンバ圧によって助長される。こ
の条件は、アルゴンまたは他のスパッタリングガスの動作圧力におけるスパッタ
された原子の平均自由路にほぼ等しいか、それより小さい、ターゲットとウエハ
間の間隔として表される。このような弾道軌道はウエハの法線の周りでピークに
達した、即ち深い孔に向けられたスパッタされた粒子分布に適している。更に、
いろいろな技術が、高い異方性の速度分布におけるウエハに粒子を加速するよう
に、スパッタされた粒子の幾らかをイオン化するために利用でき、それによって
、孔の底を効率よく充填する。過剰衝突は、方向性抽出の効率を減少する。
【０００５】 高い動作圧や活発な、スパッタされた原子とアルゴン原子間の頻繁な衝突によ
る欠点は、充分なエネルギーがアルゴン原子に与えられて、それらの幾らかがス
パッタされた金属フィルムに埋められるようにすることである。
【０００６】 しかし、一般に、もし、チャンバの圧力が減少しすぎるなら、プラズマが崩れ
、したがってスパッタリング処理を停止する。即ち、最小のプラズマチャンバ圧
力がある。最小の圧力の値は、チャンバの設計と共に変化し、不必要な損失メカ
ニズムによって増加される。一般的な商用のスパッタリングリアクタにおいては
、ＲＦバイアスが上述した方向性抽出のためにチャンバに与えられるけれども、
ウエハのＤＣ電位がフローティングのままにされる。スパッタリングボリューム
の周りに配置されるほぼ円筒形のシールドは接地され、負にバイアスされたター
ゲットに対してアノードとして作用する。このシールドは、更に、チャンバの壁
がスパッタされた材料で覆われるのを妨げるように、コーティングシールドとし
て作用する。このシールドは、スパッタされた材料で過剰に覆われた場合には、
容易に取り替えることができる。しかし、接地されたシールドは、プラズマから
アルゴンイオンを抽出する傾向にあり、即ち、プラズマに対して損失メカニズム
として作用する。この損失は、プラズマを支持するために必要な最小のチャンバ
圧力を増加する。
【０００７】 効果的な費用の面でこの問題を避けるために、Ding他は１つの部分は電気的に
浮いて（フローティングして）おり、他の部分は接地されている２つの部分のシ
ールドを１９９６年７月１０に出願された米国特許出願、出願番号08/677,760に
よって開示し、その内容はレファレンスによってここに取りこまれる。図１の断
面図に示されるように、ＰＶＤリアクタ１０は主チャンバの壁１２及びターゲッ
ト１４と対向するヒータペデスタル１８上に支持されるウエハ１６上にスパッタ
堆積されるべき材料のターゲット１４によって画定される。真空ポンプ２０はリ
アクタ内の基礎圧力を１０-6トル以下に維持することができるが、ガス源２２は
低いミリトル範囲の圧力でチャンバへアルゴンガスのような不活性動作ガスを供
給する。電気的絶縁体２４が主チャンバの壁１２とターゲット１４の間に真空シ
ールを形成する。ＤＣ電源２６がチャンバ壁１２に関してターゲットを充分負に
バイアスし、動作ガスがターゲット１４とペデスタル１８の間の空間にプラズマ
励起されるようにすることができる。ターゲット１４の背面上に配置されたマグ
ネトロンは、スパッタリング速度を増加するように、ターゲット１４の近くのプ
ラズマを増強する。Ding他によれば、一部が重なった、２つの環状シールド３０
、３２がプラズマ処理空間とチャンバ壁１０の間に配置される。
【０００８】 シールド３０、３２の目的の一つは、スパッタリングプロセスの電気的バイア
スを与えることである。この構成において、ペデスタル１８は電気的に浮いてお
り、下部のシールド３２は、カソードをターゲットの負にバイアスされたアノー
ドに与えるために接地される。接地されたシールド３２とターゲット１４の間に
印加される負の電圧によって、アルゴンの動作ガスがプラズマへ放電するように
なり、結果として生じる帯電したアルゴンイオンは、十分なエネルギーを持って
負にバイアスされたターゲット１４に引きつけられて、ターゲット１４から原子
や他の原子サイズの粒子をスパッタする。スパッタされた原子の幾らかはウエハ
上に堆積するが、他のものはシールド３０、３２を覆う。しかし、上部のシール
ド３０は、電気的に浮いたままであり、移動する電気的に帯電したプラズマ粒子
は、ターゲット１４と接地されたシールド３２の電圧の中間電圧まで結果的に帯
電する。それによって、ターゲット１４とシールドアッセンブリ３０、３２間の
電気的アークは、ターゲットの近くへ延びている単一の接地されたシールドの従
来の構成と比較して、著しく減少される。浮いたシールド３０は、更に、壁に対
してイオン損失を減少すると言う目的を果たし、それによって、プラズマを支持
するのに必要な最小圧力を減少し、正に帯電したスパッタされた粒子をウエハ１
６へ導く。
【０００９】 図１に図示されたリアクタ１０は概念的に示されているのみであり、これはシ
ールド３０、３２のための支持構造を省略している。Ding他によって示された詳
細な実施の形態は、接地されたシールド３２の縁をとおしてチャンバの壁の内方
に延びている棚の上に支持されている、平らな環状のセラミックスのスペーサ或
いはリング上に載置しているステンレススチールの厚い浮いたシールド３０を用
いている。このセラミックスのスペーサはチャンバの壁１２と浮いたシールドの
間に必要な電気的絶縁を与える。
【００１０】 しかし、セラミックスのスペーサは幾つかの問題を有している。セラミックス
は脆く、特に据付け中にひびが入りやすい。鋭い角を有する複雑に形成された本
体に対して脆さはさらに悪化する。また、微粒子はセラミックスから剥がれ落ち
やすい。このような粒子は、高度の半導体製造においては大きな問題である。更
に、ネジ等によってセラミックスと金属片を結合することは困難である。金属の
ネジは、上述のひび割れや剥がれの問題を増進し、それらはセラミックスによっ
て得られる電気的絶縁を困難にする。セラミックスのネジは利用可能であるが、
しかし、代わりに、それらはネジのかみ合いの高いストレスにおいて割れや剥が
れを受けやすくなる。最後に、少量の金属部品は経済的に加工することができる
けれども、セラミック部品の製造は、少ない特殊な部品に対しては法外な初期コ
ストがかかる。これらの問題にかんがみ、浮かしたり、接地したりしたシールド
３０、３２を支持したり、取付けたりするDing他の構造は、ネジを用いていない
が、代わりに、接地されたチャンバの壁１２に対して接地されたシールド３２を
機械的にバイアスする幾らか重い浮いたシールド３０の重量のみで機械的に浮い
たままにしている。結果的に、物理的な間隔を正確に制御することができず、動
作中に部品の避けることができないこすりによって、特にセラミックスのスペー
サから更なる粒子を生じる。また、接地されたシールド３２とチャンバの壁１２
の間の電気的接触が不安定である。
【００１１】 ポリマーの絶縁体が利用できるけれども、それらは、特に高温になると、ポリ
マーにとって良くないプラズマ環境において無事ではすまされない。勿論、金属
は電気的絶縁体とは通常考えられない。
【００１２】 したがって、セラミックスのパーツを必要としないプラズマチャンバの電気的
絶縁部分のための支持構造を作るすることが望まれる。
【００１３】 さらに、このような支持構造がチャンバの壁とネジ的に係合することが望まれ
る。
【００１４】 （本発明の概要） 本発明は、主に形成された電気的絶縁部分が、プラズマリアクタに用いられる
金属部材を形成するものとして要約される。セラミックの絶縁コーティングが部
品の一部に堆積され、そによってあらゆる金属部材、例えば内部の金属部材が固
定されるリアクタチャンバからセラミックコーティングに面したり、接触したり
するものは全て電気的に絶縁する。
【００１５】 本発明の他の特徴において、絶縁部のコーティングされていない部分に適用さ
れたネジまたは他の機械的止め金は、パーツを他の金属部分に固定する。もし止
め金が金属ならば、絶縁部の金属部材は他の部分に電気的に接触される。
【００１６】 本発明の好ましい使用は、物理的気相プラズマリアクタの接地された壁に電気
的に浮いているシールドを支持することである。
【００１７】 本発明の特徴は、固定手段が絶縁部の導電性表面部分に与えられる。更に他の
特徴において、接地されたシールドまたは他の接地された部材は、絶縁部の導電
性表面とチャンバの導電性の、接地された部分の間に挟まれる。
【００１８】 （発明の実施の形態） 本発明の実施の形態によると、電気的絶縁部材は金属基材及び好ましくは、基
材の一部にのみ適用された絶縁セラミックの表面コーティングから形成される。
【００１９】 スパッタリングリアクタの好適な構成は、図１のリアクタ１０の上部及び新規
な部分のみを示す図２の断面図に示されている。図３の断面図は、左上部の拡大
図である。このリアクタは主なチャンバの壁の上方の延長部であり、電気的に接
地されているアダプタ４０を有する。スパッタリングターゲット１４は、セラミ
ックの絶縁体リング４４によってアダプタ４０に支持されており、図示されない
電気的手段によって負にバイアスされる。図示されないＯリングまたは同等なシ
ール手段がセラミック絶縁体４４とスパッタリングターゲット１４及びアダプタ
４０の間に配置され、真空シールを与える。環状の棚４６がチャンバの内方に、
半径方向に延びており、接地された円筒状の壁シールド４８を支持し、その上に
第２の接地されたシールド５０が支持される。この接地された壁シールド４８は
図１に示された下部のトラフを有している。チムニー５４がターゲット１４と図
示されないウエハの間の位置に第２の接地されたシールド５０によって保持され
る。本発明に直接関係はないが、接地されたチムニー５４によって、ウエハ１６
を支持するペデスタル１８は電気的に、好ましくは負にバイアスされ、ウエハ１
６をコーティングする、イオン化され、スパッタされた粒子の速度を制御する。
バイアスしなくても、チムニーコリメータ５４は、ウエハを横切るスパッタ堆積
の改善された均一性を与える。
【００２０】 浮いているシールド６０は、ターゲット１４の下部に垂直に配置された浮いて
いるシールド６０の外方に延びた縁によって絶縁リング５６上に支持される。浮
いているシールド６０の円筒状のスカート６４は、シールドの縁から下方へチム
ニー５４に向かってチャンバへ延びており、薄い円筒状の壁に剛性を与えるため
に環状の曲がり６６で終端している。
【００２１】 浮いているシールド６０は、チャンバの他の部分から電気的に絶縁されている
ので、プラズマによって、電子が接地されたシールド４８、５０及び負にバイア
スされたターゲット１４の電位の中間の負の値までその電位が上昇する程度に、
浮いているシールド６０を帯電する。増加した負の電位は、特にターゲット１４
に直接隣接する領域において、イオンを反発し、したがってプラズマ損失を減少
し、それによって最小のプラズマチャンバ圧力を減少する。
【００２２】 本発明の実施の形態によると、絶縁体５６は、図４の詳細な断面図に示されて
いるように、金属体７０と、好ましくは、金属体７０の一部のみを覆っている電
気的絶縁セラミックコーティング７２を有している。止めネジ７６がシールド４
８、５０をアダプタ４０に接地するように、接地されたシールド４８、５０と接
地されたアダプタの両方に対して金属体７０をしめつける。浮いているシールド
６０はセラミックコーティング７２の上に載っていて、したがって、金属体７０
から、接地されたシールド４８、５０から、及び接地されたアダプタ４０とチャ
ンバの壁から電気的に絶縁される。
【００２３】 金属体７０は金属から作られている。ステンレススチールが不良のプラズマ環
境に対して好適である。しかし、代わりに、例えばアルミニウムのようなざらざ
らしてない金属を使用することもできる。
【００２４】 セラミックコーティング７２は電気的絶縁セラミックからなる。好ましい例は
アルミナ(Ａｌ2Ｏ3)であるが、他の多くの化合物、例えばジルコニア（ＺｒＯ2 ）やアルミノ−チタニア(alumino-titania(Ａｌ,Ｔｉ)Ｏ2)を用いることができ る。ジルコニアは他の酸化物、例えば２０パーセントのＭｇＯ、８−２０％のＹ 2 Ｏ3、または５％のＣａＯによって安定化される必要がある。アルミノーチタニ
アは１７−６０％のチタニアを有している。一般に、何れの電気的絶縁セラミッ
クコーティングを用いることができる。セラミックコーティング７２は浮いてい
るシールド６０を支持し、浮いているシールド６０に面している金属体７２の側
にのみ設けられる。金属体７０の残りの側はコーティングされないままであるの
で、裸の金属が露出されたままである。それによって、絶縁体５６をアダプタ４
０やチャンバの架台へ機械的に固定するために、標準の金属固定手段を用いるこ
とができる。
【００２５】 特に、説明された実施の形態において、金属体７０は、３またはそれ以上の等
しい角度で離間された垂直の貫通孔のある金属体７０の下部から放射状に、外方
へ延びる外側の環状の縁７４を有している。図３に示されたように止めネジ７６
は貫通孔をとおして自由に通過し、アダプタ４０へ、及びチャンバの架台へ絶縁
体５６を機械的に固定する。好適な実施の形態においては、１２の等しく円周状
に離間した止めネジがある。
【００２６】 図４に示されるように、各々のネジ位置において、窪み７８が絶縁体の縁７４
の外側から削られて、止めネジ７６の平らな下部を有する頭（ヘッド）を収容す
る。窪み７８の底の部分は絶縁体５６の平らな金属表面を有している。垂直に貫
通した孔８３は、図３に示されるように、窪み７８の領域において絶縁体の縁７
４をとおして孔があけられ、止めネジ７６の軸部を自由にとおす。重要なことに
は、止めネジ７６が締付けられると、ヘッド８０の平らな下部は、絶縁体５６の
金属部分８２に抗して進む。
【００２７】 実施の形態において、貫通孔は止めネジ７６の軸を自由にとおすために、２つ
の接地されたシールド４８、５０の放射状に外側へ延びている上部の縁をとおし
て孔があけられ、シールドの上部の縁８４、８６は絶縁体５６とアダプタ４０の
内方へ延びる環状の棚４６の間に配置される。貫通孔は、また、止めネジ７６が
自由にとおるように、アダプタの棚４６をとおして孔があけられる。平らなリン
グ９０は、止めネジ７６がアタプタ４０の棚４６の下部に係合するように貫通さ
れた垂直の孔を有し、それにより絶縁体５６と２つの接地されたシールド４８、
５０をアダプタ４０へ締付ける。リング９０は、アダプタの棚の上部における窪
みに押し下げられたヘッドを有し、アダプタの棚４６を通過するシャンクを有し
、そしてリング９０の他の貫通された孔と契合するねじ切りされた終端を有する
幾つかの他の短い止めネジによって、シールド４８、５０の組み立て前にアダプ
タの棚４６へ取付けられる。他の設計では、止めネジ７６は、アダプタの棚４６
の貫通された孔に沿って貫通される。
【００２８】 リアクタのプラズマ空間からシールドの縁８４、８６、および絶縁体５６の裏
側まで延びているギャップ９８の厚さは、プラズマがギャップ９８へ伝播するの
を妨げるのに充分小さくされる。即ち、ギャップ９８はプラズマリアクタの動作
圧力と電圧においてダークスペースとして働く。
【００２９】 セラミックコーティングは、ＣＶＤまたはＲＦスパッタリングのようないろい
ろな堆積技術によって設けられる。もし、幾らかの薄い絶縁層が受け入れ可能で
あれば、その層は陽極化されたアルミニウムであることができる。しかし、好適
なコーティング方法は熱スプレーであり、それは熱的にスプレーコーティングさ
れる部分において、指向されたガスストリームにセラミック材料の粉末の溶融を
含むいろいろな技術の何れでもよい。熱スプレー技術の利点は、金属体が熱スプ
レーのガンに面した側にのみコーティングされ、そして裸のまま残される領域を
保護するためにマスキングを用いることができることである。Pawlowskiは、彼 の著書"The Science and Engineering of Thermal Srpay Coatings"(John Wiley
,1995)でいろいろな熱スプレイ技術を論じている。
【００３０】 熱スプレーされたコーティングは、基板上への溶融した粉末のスパッタリング
、続く急速冷却および凝固から生じるコーティングのテキスチャー化された表面
(textured surface)によって容易に識別される。本発明の実験上の検証において
、プラズマスプレーは、Ａｌ2Ｏ3の０．５ｍｍ厚のコーティングを有するステン
レススチールの金属体をコーティングするために用いられた。好適なセラミック
の厚さは、信頼できる電気的絶縁を与えるために０.０５ｍｍ−０.１ｍｍである
。アルミナのスプレーコーティング前に、ステンレススチールの基体は、ＮｉＡ
ｌｘの化学組成物を有するニッケルベースの合金のボンドコーティングでスプレ
ーコーティングされた。だだし、ｘは約０.０５ｍｍと０.１ｍｍの間の値を有す
る。
【００３１】 浮いているシールドの有用性を示すために、実験が行なわれた。３つの共通に
スパッタされた金属、即ち銅、アルミニウム及びチタンに対して、プラズマと同
様に、マスフローコントローラをとおしてより正確に測定された関連アルゴンの
流れを維持する最小の圧力が決められた。本発明の実験において、上述したよう
に、セラミックのコーティングされた金属絶縁体が浮いているシールドを支持す
るために用いられた。比較例では、浮いているシールドのない標準の接地された
シールドが用いられた。これらの結果はテーブル１に示されている。
【００３２】 テーブル１
【００３３】 これから判るように、浮いているシールドは約２分の１だけ最小圧力の減少を
可能にした。
【００３４】 導入部で説明したように、低い動作圧力は高いアスペクト比を有する孔の充填
を増大するのに望ましい。３：１のアスペクト比を有する０.３７５μｍの広い 孔を充填する実験が行なわれた。例では、化学的コリメータが用いられたが、バ
イアスされたヒータは用いられなかった。浮いているシールド及び低い動作圧力
の使用は、完全に接地されたシールドと高い動作圧力の使用と比較して、約６０
％だけ下部カバレージを増加した。
【００３５】 本発明は、浮いているシールドに関して説明されたが、機械的に固定されるが
、しかし電気的に絶縁するのに必要なプラズマリアクタの他の部分でも同様な有
利な結果が得られる。このような使用は、物理的気相堆積（ＰＶＤ）に限られな
いで、プラズマリアクタの他の形式、例えば、プラズマ増大ＣＶＤやプラズマエ
ッチングにも拡張できる。プラズマはＲＦおよびＤＣ容量結合、誘導結合、及び
遠隔プラズマ源を含むいろいろな方法によって形成され得る。
【００３６】 本発明を取込んだプラズマ処理チャンバの他の部分の例は、ウエハに向かい、
且つペデスタルから離れるプラズマを案内するために、ペデスタルの周囲の周り
にしばしば設けられるプラズマガードに関係する。プラズマガードは、しばしば
水晶のような電気的絶縁体から形成される。本発明によれば、このプラズマガー
ドは、プラズマに面した絶縁セラミックコーティングを有する金属基材から形成
され得る。この金属基材は、ペデスタルに或いは他の金属支持構造に機械的に固
定される。
【００３７】 したがって、本発明は、プラズマリアクタ用の製造に価値あるパーツを提供し
、粒子の生成を更に減少する、容易で、経済的な取り付け手段を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図１】電気的に浮いているシールドを有するスパッタリングリアクタの概略
断面図である。
【図２】本発明の電気的に浮いているシールド及び絶縁体を有するスパッタリ
ングリアクタの断面図である。
【図３】本発明の絶縁体近辺のスパッタリングリアクタの一部拡大断面図であ
る。
【図４】絶縁体の断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｍ (72)発明者 ディン ペイジュン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95129 サン ホセ ウェスト リヴァー サイド ウェイ 1020

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】プラズマ処理リアクタであって、 電位を保持する金属部を有するプラズマリアクタと、 前記プラズマチャンバ内にプラズマを生成するための手段と、 それぞれヘッドを有する１以上の貫通取付け具によって前記金属部に固定可能
    な複合部品を有し、且つ前記複合部品は、 前記１以上の貫通取付け具がとおる１以上の孔を有し、且つ前記金属部と接触
    する第１の表面部分を有する金属基材と、 前記第１の表面部分以外の前記金属基材の第２の表面部分上に堆積された電気
    的絶縁セラミックコーティングを有し、前記第２の表面部分は、前記孔の１つの
    軸に関して前記第１の表面部分、及び前記貫通取付け具の前記ヘッドの下部と接
    触する１以上の平らな部分から前記金属基材の反対側に堆積され、前記平らな部
    分は前記セラミックコーティングによって覆われないことを特徴とするプラズマ
    処理リアクタ。
  2. 【請求項２】さらに、前記金属基材の前記第２の表面部分と接触し、且つ前
    記プラズマに露出される第２の金属部を有することを特徴とする請求項１に記載
    のプラズマ処理リアクタ。
  3. 【請求項３】前記貫通取付け具のヘッドは前記平らな部分に接触する平らな
    下部を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理リアクタ。
  4. 【請求項４】さらに、前記金属基材の前記第２の表面部分に接触し、且つ前
    記プラズマに露出される第２の金属部を有することを特徴とする請求項３に記載
    のプラズマ処理リアクタ。
  5. 【請求項５】プラズマ処理リアクタであって、 電位を保持する金属部を有するプラズマチャンバと、 前記プラズマチャンバ内にプラズマを生成するための手段と、 １以上の貫通取付け具によって前記金属部に固定可能な複合部品を有し、且つ
    前記複合部品は、 前記１以上の貫通取付け具が少なくとも部分的に通過する１以上の孔を有し、
    且つ前記金属部と接触する第１の表面部分を有する金属基材と、 前記第１の表面部分以外の前記金属基材の第２の表面部分上に堆積された電気
    的絶縁セラミックコーティングと、 前記金属基材の前記第２の表面部分と接触し、且つ前記プラズマに露出される
    第２の金属部、 を有することを特徴とするプラズマ処理リアクタ。
  6. 【請求項６】プラズマスパッタリングリアクタであって、 スパッタされるべき材料のターゲットを有するターゲット組立て体を絶縁的し
    て支持するのに適合した金属チャンバ壁と、 前記金属チャンバ壁に支持され、金属基材と、前記金属基材上に堆積されたセ
    ラミックコーティングを有する絶縁部材と、 前記絶縁部材の前記セラミックコーティング上に支持された外方に延びる支持
    セクションを有する円筒形状の電気的導電性シールド、 を有することを特徴とするプラズマスパッタリングリアクタ。
  7. 【請求項７】前記セラミックコーティングは前記金属基材の第１の部分のみ
    に与えられ、前記第１の部分以外の前記金属基材の第２の部分はチャンバ壁によ
    って支持されることを特徴とする請求項６に記載のプラズマスパッタリングリア
    クタ。
  8. 【請求項８】さらに、前記金属基材の前記第２の部分に設けられ、前記絶縁
    部材を前記金属壁に固定する、少なくとも１つの取付け具を有することを特徴と
    する請求項７に記載のプラズマスパッタリングリアクタ。
  9. 【請求項９】さらに、前記絶縁部材の前記第２の部分と前記チャンバ壁との
    間に挟まれた外方へ延びる支持セクションを有する、第２の円筒形状の電気的導
    電性シールドを有することを特徴とする請求項８に記載のプラズマスパッタリン
    グリアクタ。
  10. 【請求項１０】前記セラミックコーティングは前記金属基材に熱的にスプレ
    イされることを特徴とする請求項６に記載のプラズマスパッタリングリアクタ。
  11. 【請求項１１】さらに、前記セラミックコーティングと前記金属基材の間に
    Ｎｉベースのボンディング層を有することを特徴とする請求項６に記載のプラズ
    マスパッタリングリアクタ。
  12. 【請求項１２】金属チャンバ壁を有するプラズマスパッタリングリアクタに
    おいて使用するのに適合したシールド組立て体であって、 金属基材と、前記金属基材の第１の部分に堆積されたセラミックコーティング
    を有し、前記コーティングで堆積されない前記基材の第２の部分は、前記金属チ
    ャンバ壁で支持可能であり、且つ 前記チャンバによって囲まれた領域に配置され、前記金属基材の前記第１の部
    分と接触するように構成された第１のシールドを有し、それによって、前記シー
    ルドは前記金属チャンバ壁から電気的に絶縁可能であることを特徴とするシール
    ド組立て体。
  13. 【請求項１３】前記絶縁体は前記第２の部分に含まれる取付け部分を有し、
    それにより前記シールドを前記チャンバ壁に取付けることを特徴とする請求項１
    ２に記載のシールド組立て体。
  14. 【請求項１４】さらに、少なくとも３つの止めネジとネジ止めされるべきナ
    ットを有し、 前記金属チャンバ壁は、前記止めネジをとおすための複数の貫通孔を有する棚
    状の突起を有し、且つ 前記シールドは、前記ネジを通すための複数の貫通孔を有し、且つ前記ネジの
    ヘッドに接触するための前記貫通孔の周りに前記第２の部分の部分を有している
    ことを特徴とする請求項１３に記載のシールド組立て体。
  15. 【請求項１５】さらに、前記絶縁体の前記第２の部分と前記絶縁体の前記第
    ２の部分を支持する前記チャンバ壁の間に配置されるように構成された第２のシ
    ールドを有することを特徴とする請求項１２に記載のシールド組立て体。
  16. 【請求項１６】プラズマスパッタリアクタに使用するためのシールド組立て
    体であって、 金属基材と、その第１の軸側及び内側に形成されたセラミックコーティングを
    有するが、下部側は前記セラミックコーティングで覆われていない環状の絶縁部
    材と、 第１の環状金属シールドを有し、 前記第１の環状金属シールドは、前記絶縁部材の中央キャビティ内に適合する
    軸方向に延びた円筒上のスカート部分と前記絶縁部材の前記第１の軸側に支持さ
    れるのに適合した放射状に、外側に延びた縁を有することを特徴とするシールド
    組立て体。
  17. 【請求項１７】前記金属基材は、前記金属基材の第２の軸側から放射状に、
    外方に延びる縁と、 前記縁を通して軸方向に延び、そこを通してネジを受け入れるのに適合した少
    なくとも３つの、等しい角度で離間した孔、 を有することを特徴とする請求項１６に記載のシールド組立て体。
  18. 【請求項１８】さらに、第２の環状の金属シールド部材を有し、前記第２の
    環状の金属シールド部材は、前記第１のシールド部材の前記スカート部分の外側
    に適合可能な軸方向に延びた円筒状のスカート部分と、 前記絶縁部材の前記下部側に接触するのに適合し、前記金属基材の前記縁の前
    記少なくとも３つの孔と整列可能な軸方向に延びる、少なくとも３つの孔を有す
    る放射状に、外方に延びる縁、 を有することを特徴とする請求項１７に記載のシールド組立て体。
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