JP2001514636A - シクロプロピルアセチレンを製造するための改善法 - Google Patents

シクロプロピルアセチレンを製造するための改善法

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JP2001514636A JP53912598A JP53912598A JP2001514636A JP 2001514636 A JP2001514636 A JP 2001514636A JP 53912598 A JP53912598 A JP 53912598A JP 53912598 A JP53912598 A JP 53912598A JP 2001514636 A JP2001514636 A JP 2001514636A
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Abstract

(57)【要約】 本発明の目的は、80〜130℃で一般式I:R3PHal2(I)[式中、基Rは同じか異なってよく、かつ飽和又は不飽和脂肪族C1〜C20−炭化水素基、フェニル基又はC1〜C4−アルキルフェニル基(更に1〜2個のフルオロ基、クロロ基及び/又はニトロ基で置換されていてよい)であり、Pはリンであり、かつHalは塩素、臭素又はヨウ素を表す]で示されるジハロゲントリオルガノホスホラン少なくとも1種を用いてのシクロプロピルメチルケトンのハロゲン化法(その際、一般式(I)のジハロゲントリオルガノホスホランをその場で、一般式II:R3PA(II)[式中、Rは式Iに記載の意味を有し、かつAは酸素又は硫黄である]で示されるトリオルガノホスファンオキシド又はトリオルガノホスファンスルフィドからハロゲン化試薬を用いて製造する場合に、トリオルガノホスファンオキシド又はトリオルガノホスファンスルフィドを触媒量で使用することを特徴とする)、この方法により得られたシクロプロピルケトンのハロゲン化生成物並びにシクロプロピルアセチレンへのその反応方法である。

Description

【発明の詳細な説明】 シクロプロピルアセチレンを製造するための改善法 本発明は、ジハロゲントリオルガノホスホランを用いてシクロプロピルメチル ケトンをハロゲン化するための改善法、この方法により得られるハロゲン化生成 物並びにこのハロゲン化生成物の脱ハロゲン化水素によるシクロプロピルアセチ レンの製法に関する。 シクロプロピルアセチレンはPCT/WO 96/22955から、HIV− 貯蔵トランスクリプターゼのインヒビターのための中間段階として公知である。 HIV−レトロウイルス(ヒト免疫不全ウイルス)は免疫不全疾患AIDS(後 天性免疫不全症候群)を引き起こす。宿主生物中でのHIVレトロウイルスの覆 製に関しては、ウイルス性HIV−貯蔵トランスクリプターゼが鍵酵素である。 この鍵酵素は、シクロプロピルアセチレンが中間工程であるインヒビターによ り抑制されるので、シクロプロピルアセチレンはAIDSに対する薬剤の製造の ために非常に重要である。 非プロトン性溶剤中、強塩基、例えばブチルリチウムを用いて5−ハロ−1− ペンチンを環化し、かつ引き続きプロトン源、例えば塩化アンモニウムを用いて 得られたリチウム塩をクエンチすることによるシクロ プロピルアセチレンの製法がPCT/WO 96/22955から公知である。 J.Amer.Chem.Soc.94,1158(1972)中に、シクロプロピルアセチレンの製法が記 載されており、その場合、シクロプロピルメチルケトンを五塩化リンを用いて塩 化し、次いで塩化生成物から単離された1,1−ジクロロ−1−シクロプロピル エタンを、ナトリウムアミドを用いてアンモニウム液中で脱塩酸してシクロプロ ピルアセチレンにする。 Synthesis 1972,703から、純化された酸不含の五塩化リンを用いて処理する と、たいしたシクロプロパン環の開環もなく、五塩化リンを用いてのシクロプロ ピルメチルケトンの環化が進行することが公知である。 シクロプロピルメチルケトンの塩素化の間のシクロプロパン環の開環を防ぐた めに、ソ連特許(SU)第555079号明細書、同第578293号明細書及 び同第572445号明細書中に記載の方法では、塩素化を有機塩基、例えばピ リジン又はN,N−ジエチルアニリンの存在下に実施する。 五塩化リンを用いてのシクロプロピルメチルケトンの前記の塩素化は、非常に 加水分解不安定な五塩化リンは完全な湿気遮断下にのみ処理することができ、か つ当量で使用されるべきであるという欠点を有する。更に、この塩化の際に、加 水分解により除去されるベきオキシ塩化リンが生じる。それというのも、蒸留に より塩化生成物から分離することができないか、又は分離が非常に難しいためで ある。 米国特許(US−B)第3715407号明細書から、ケトンに対してモル過 剰の、その場でトリオルガノホスファンオキシド及びホスゲンから製造されたジ クロロトリオルガノホスホランを用いてケトンを塩化するための方法が公知であ る。この方法は、トリオルガノホスファンオキシドをケトンに対してかなり過剰 に使用する必要があるという欠点を有する。トリオルガノスルファンオキシドの 劣悪な可溶性の故に、大量の溶剤が反応のために必要であり、かつ連続的な方法 はかなりの技術的困難を現実のものとする。 従って、前記の欠点を克服するという課題が存在した。 相応して、80〜130℃で一般式I: R3PHal2 (I) [式中、基Rは同じか異なってよく、かつ飽和又は不飽和脂肪族C1〜C20−炭化 水素基、フェニル基又はC1〜C4−アルキルフェニル基(更に1〜2個のフルオ ロ基、クロロ基及び/又はニトロ基で、有利にはリンに対してオルト位及び/又 はパラ位で置換されていてよく、その際、4−クロロ−、4−フルオロ−又は4 −ニトロ置換されたフェニル基が特に有利である)であり、Pはリンであり、か つHalは塩素、臭素又はヨウ素を表す]で示されるジハロゲントリオルガノホ ス ホラン少なくとも1種を用いてシクロプロピルメチルケトンをハロゲン化するた めの新規かつ改善された方法を発見し、その際、一般式(I)のジハロゲントリ オルガノホスホランをその場で、一般式II: R3PA (II) [式中、Rは式Iに記載の意味を有し、かつAは酸素又は硫黄である]で示される トリオルガノホスファンオキシド又はトリオルガノホスファンスルフィドからハ ロゲン化試薬を用いて製造し、トリオルガノホスファンオキシド又はトリオルガ ノホスファンスルフィドを触媒量で使用することを特徴とする。 本発明の方法では有利には、一般式Iのジクロロトリオルガノホスホランをそ の場で製造し、その際、ジクロロトリフェニルホスホラン、ジクロロ−トリ−( C6〜C8−アルキル)−ホスホラン、ジクロロ−トリ−(4−クロロフェニル)− ホスホラン、ジクロロ−トリ−(4−フルオロフェニル)ホスホラン、ジクロロ− トリ−(4−ニトロフェニル)−ホスホラン又はそれらの混合物が特に有利である 。 本発明の方法で使用するために好適なハロゲン化試薬は自体公知であり、かつ 例えば、Houben-Weyl,Methoden der organischen Chemie,Band E2,872(1982) 中に記載されている。本発明の方法では有利には、塩素化剤、例えば塩素、塩化 オキサリル、塩化チオニル、ホスゲン、ジホスゲン又はトリホスゲン(このうち ホスゲンが特に有利である)を使用する。 シクロプロピルメチルケトンのハロゲン化は有利には90〜120℃、特に有 利には90〜100℃の温度で、かつ0.8〜1.5バールの圧力で、有利には 常圧で実施し、その際、それぞれシクロプロピルメチルケトンに対して、ハロゲ ン化剤を0.5〜2、有利に0.5〜1.0のモル比で、かつトリオルガノホス ファンオキシド又はトリオルガノホスファンスルフィドを当量で、有利に0.5 〜5モル%、特に有利に1.0〜2.5モル%の触媒量で使用する。 ハロゲン化の実施のために、ハロゲン化剤を予め装入し、次いでシクロプロピ ルメチルケトン中のトリオルガノホスファンオキシド又はトリオルガノホスファ ンスルフィドの溶液を添加することが殊に推奨される。ハロゲン化剤全量の一部 のみを予め装入し、かつ残りの部分を、シクロプロピルメチルケトン中のトリオ ルガノホスファンオキシド又はトリオルガノホスファンスルフイドの溶液の添加 終了時に添加することも可能である。この処理方法は殊に、ハロゲン化剤として ホスゲンを使用する場合に推奨される。 更に、シクロプロピルメチルケトン中のトリオルガノホスファンオキシド又は トリオルガノホスファンスルフィドの溶液の全量の5〜25重量%、特に有利に 15〜25重量%を予め装入し、塩化剤を添加し、次いで残りの溶液を導入する ことができる。勿論、シク ロプロピルメチルケトン中のトリオルガノホスファンオキシド又はトリオルガノ ホスファンスルフィドの溶液の全量を予め装入することもできる。 本発明の方法は断続的又は連続的に運転することができ、その際、経済的な理 由から連続運転が有利である。 トリオルガノホスファンオキシドは例えば、Houven-Weyl,Methoden der orga nischen Chemie,Band E2(1982),p.2中に記載の方法により製造することができ る。 C6〜C8−トリアルキルホスファンオキシドからな tries Inc.社製、N.J.、USA)で販売されている。 トリオルガノホスファンスルフィドは例えば、Houven-Weyl,Methoden der or ganischen Chemie,Band E2(1982),p.79中に記載の方法により製造することが できる。 シクロプロピルメチルケトンをハロゲン化するための本発明の方法は有利に溶 剤を用いずに実施する。しかし本発明の方法は、110℃を上回る沸点を有利に は有し、ジハロゲントリオルガノホスホランがその中に溶ける不活性溶剤中でも 実施することができる。 好適な溶剤は例えば、ハロゲン化芳香族炭化水素、例えばクロロベンゼン、1 −メチルナフタリン、キシレン又はメシチレンであり、このうちキシレン又はメ シチレンが有利である。 シクロプロピルメチルケトンの本発明によるハロゲン化の際に副産物として、 式IIのトリオルガノホスファンオキシド又はトリオルガノホスファンスルフィ ドが生じ、これらからハロゲン化生成物を蒸留により分離する。 シクロプロピルケトンをハロゲン化するための本発明の方法は、触媒量の使用 トリオルガノホスファンオキシド又はトリオルガノホスファンスルフィド及び反 応生成物が反応バッチ中で完全に溶け、それにより装置部分の所での沈積並びに 殊にバルブ閉塞を回避することができるという利点を有する。本発明の方法は経 済的な観点から有利に連続的に、かつ溶剤を用いずに操作することができる。 従って本出願の目的は更に、シクロプロピルメチルケトンのハロゲン化生成物 であり、これは本発明の方法により、殊に生じたトリオルガノホスファンオキシ ドもしくは−スルフィドからの蒸留によるその分離により得られる。 更にシクロプロピルアセチレンの製法を発見し、これは、シクロプロピルメチ ルケトンのハロゲン化のための本発明の方法により得られるハロゲン化生成物を −33〜250℃、有利に80℃〜140℃で、特に有利に80〜120℃の温 度で、強塩基で処理することを特徴とする。 シクロプロピルアセチレンを製造するために強塩基として例えば、ナトリウム アミド、アルカリ金属アルコラート、例えばナトリウムエタノラート、カリウム エタノラート、ナトリウムメタノラート、カリウムメタノラート、カリウム−t −ブチラート、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム並びにグリコールエーテル のアルカリ金属塩、例えば、カリウムブチルトリグリコラートが好適であり、そ の内、水酸化カリウムが有利である。強塩基を好適な溶剤中で、例えばナトリウ ムアミドをアンモニア中で、ナトリウムメタノラート又はカリウムメタノラート をエタノール中で、カリウム−t−ブチラートをジメチルスルホキシド中で、か つ水酸化カリウム又はカリウムメタノラートをグリコールエーテル、例えばトリ エチレングリコールジメチルエーテル、エトキシエタノール、メチルトリグリコ ール、ブチルトリグリコール中で本発明の方法で使用し、その際、グリコールエ ーテル中での水酸化カリウム、カリウムメタノラート又はナトリウムメタノラー トの使用が有利であり、かつグリコールエーテル中でのカリウムメタノラートの 使用が特に有利である。 強塩基がその中で使用される溶剤に付加的に、シクロプロピルアセチレンを製 造するための本発明の方法の反応バッチは、170℃未満の沸点を有するもう1 つの不活性溶剤、例えばトルエンを含有して良い。 強塩基をシクロプロピルメチルケトンのハロゲン化 生成物に対して10:1〜0.5:1の重量比で使用する。 次の例により本発明を詳述する。 例 シクロプロピルメチルケトンの塩化 例1 トリフェニルホスファンオキシド7gをキシレン42g中に溶かし、かつ10 0〜110℃で、冷却機のところでホスゲン還流が支配的になるまでホスゲンを ガス導入した。1時間かけて、シクロプロピルメチルケトン42gを滴加し、か つ同時に更にホスゲン(全部で66g)を導入した。添加の終了後に110℃で 1時間、後反応させ、引き続き、窒素を用いて過剰のホスゲンを完全に排出させ た。 ガスクロマトグラフィーにより、1−シクロプロピルビニルクロリド8g及び 1−シクロプロピル−1,1−ジクロロエタン26.3gの収量が測定された。 例2 トリフェニルホスファンオキシド14gをキシレン42g中に溶かし、かつ1 00〜110℃で、冷却機の所でホスゲン還流が支配的になるまでホスゲンをガ ス導入した。1時間かけてシクロプロピルメチルケトン42gを滴加し、同時に 更にホスゲン(全部で66g)を導入した。添加の終了後に110℃でl時間、 後反応させ、引き続き窒素を用いて過剰のホスゲンを 完全に排出させた。ガスクロマトグラフィーにより、1−シクロプロピルビニル クロリド8.7g及び1−シクロプロピル−1,1−ジクロロエタン1.74g の収量が測定された。 例3 トリフェニルホスファンオキシド7gを1−メチルナフタリン42g中に溶か し、かつ100〜110℃で、冷却機の所でホスゲン還流が支配的になるまでホ スゲンをガス導入した。1時間かけてシクロプロピルメチルケトン42gを滴加 し、同時に更にホスゲン(全部で54g)を導入した。添加の終了後に110℃ で1時間、後反応させ、引き続き窒素を用いて過剰のホスゲンを完全に排出させ た。 ガスクロマトグラフィーにより、1−シクロプロピルビニルクロリド9.5g 及び1−シクロプロピル−1,1−ジクロロエタン3.5gの収量が測定された 。 例4 トリフェニルホスファンオキシド3.5gを1−メチルナフタリン42g中に 溶かし、かつ100〜110℃で、冷却機の所でホスゲン還流が支配的になるま でホスゲンをガス導入した。1時間かけてシクロプロピルメチルケトン42gを 滴加し、同時に更にホスゲン(全部で54g)を導入した。添加の終了後に11 0℃で1時間、後反応させ、引き続き窒素を用いて過 剰のホスゲンを完全に排出させた。 ガスクロマトグラフィーにより、1−シクロプロピルビニルクロリド11.3 g及び1−シクロプロピル−1,1−ジクロロエタン12.3gの収量が測定さ れた。 例5 シクロプロピルメチルケトン84g中にトリフェニルホスファンオキシド7g を溶かし、かつ110℃に加熱した。冷却機の所でホスゲン還流が支配的になる までホスゲン110gを2.5時間かけてガス導入した。110℃で1時間の後 反応の後に、窒素を用いて過剰のホスゲンを完全に排出させた。ガスクロマトグ ラフィーにより、1−シクロプロピルビニルクロリド19.3g及び1−シクロ プロピル−1,1−ジクロロエタン12.65gの収量が測定された。 例6 ガラスフラスコ中に100℃でホスゲンを強い還流が生じるまでガス導入した 。トリフェニルホスファンオキシド13.9gを室温でシクロプロピルメチルケ トン168g中に溶かし、かつホスゲンに滴加した。9時間に亙り、更にホスゲ ンをガス導入した。ホスゲンの全量は220gであった。ホスゲン添加の終了後 に100℃で2時間、後反応させ、引き続き窒素を用いて過剰のホスゲンを完全 に排出させた。94〜95℃の転移温度及び1013ミリバールでの蒸留により 、シクロプロピルビニルクロリド80g及びジクロロシクロプロピルエタン44 .5gからなるハロゲン化生成物が得られた(この組成はガスクロマトグラフィ ーにより測定した)。 例7 トリフェニルホスファンオキシド28gをシクロプロピルメチルケトン336 g中に溶かした。この溶液73g中に2時間かけて105℃でホスゲン89gを 還流が生じるまで導入した。12.5時間かけて95〜100℃で引き続きシク ロプロピルメチルケトン中のトリフェニルホスファンオキシドの溶液291gを 添加し、かつホスゲン350gをガス導入した。その後、95℃で更にホスゲン 25gをガス導入した。添加の終了後に、窒素を用いて過剰のホスゲンを完全に 排出させた。得られた粗製生成物(522g)は、その組成をガスクロマトグラ フィーにより測定すると、シクロプロピルビニルクロリド160g及びジクロロ シクロプロピルエタン183gを含有した。 例8 トリフェニルホスファンオキシド7gをシクロプロピルメチルケトン84g中 に溶かした。この溶液10ml(10v/v%)に、2つの冷却機を備えた撹拌 装置中で、室温でジホスゲン17.2gを還流まで導入したが、その際、温度が 63℃まで上昇した。その後、90〜95℃で、シクロプロピルメチルケトン中 のトリフェニルホスファンオキシドの残りの溶液90mlを添加し、かつジホス ゲン126gを9時間かけてガス導入した。ジホスゲン添加の終了後に90〜9 5℃で2時間、後反応させ、引き続き窒素を用いて過剰のジホスゲンを完全に排 出させた。得られた粗製生成物は、その組成をガスクロマトグラフィーにより測 定すると、シクロプロピルビニルクロリド21.3g及び1,1−ジクロロシク ロプロピルエタン34.4gを含有した。 例9 連続運転される反応装置中で、ホスゲン10gを凝縮させた。次いで90〜9 5℃で連続的に、シクロプロピルメチルケトン中のトリフェニルホスファンオキ シド2.5モル%の溶液を配量するが、その際、シクロプロピルメチルケトンの 供給を0.25〜0.3モル/時にした。 全部でシクロプロピルメチルケトン1713.5g及びホスゲン1948gを 81時間かけて反応させた。流出物中には、その組成をガスクロマトグラフィー により測定すると、1,1−ジクロロシクロプロピルエタン20重量%(476 g)及びシクロプロピルビニルクロリド31重量%(732g)が含まれ、これ は、有価生成物0.13モル/時の空時収率に相応した。 シクロプロピルアセチレンの製造 例10 トルエン13g中の1−シクロプロピルビニルクロリド21g及び1−シクロ プロピル−1,1−ジクロロエタン4.9gの溶液を8ml/時の速度で、17 0℃に加熱されたブチルトリグリコール120g中のKOH20gからなる混合 物中に滴加した。 生じた低沸点物質を連続的に反応混合物から留去し、かつトルエン10gを充 填された冷却された受器中で凝縮させた。 2相の流出液は水6.2g並びにシクロプロピルアセチレン30.5重量%及 び1−シクロプロピルビニルクロリド3.1重量%の含有率を有する有機相47 .6gからなった。このことは94%の変換率及び84%のシクロプロピルアセ チレン−選択率に相応した。 例11 メタノール50g中の1−シクロプロピルビニルクロリド133g及び1−シ クロプロピル−1,1−ジクロロエタン90.3gの溶液を40ml/時の速度 で、110℃に加熱されたブチルトリグリコール800g中の95重量%カリウ ムメチラート179.3gからなる混合物に滴加した。 生じた低沸点物質を連続的に反応混合物から留去し、かつメタノール150g を充填された冷却された受器中で凝縮させた。 得られた流出液はシクロプロピルアセチレン100.7g、1−シクロプロピ ルビニルクロリド13.8g及びメタノール261gからなった。このことは9 3%の変換率及び84%のシクロプロピルアセチレン−選択率に相応した。蒸留 及びそれに続く水を用いての抽出により、シクロプロピルアセチレンは99.5 %に富化することができた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),CA,JP,US (72)発明者 マーティン フィッシャー ドイツ連邦共和国 D―67071 ルートヴ ィッヒスハーフェン エルビンガー ヴェ ーク 1 (72)発明者 ヴォルフガング ジーゲル ドイツ連邦共和国 D―67117 リムブル ガーホーフ ゲーテーシュトラーセ 34ベ ー

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 80〜130℃で一般式I: R3PHal2 (I) [式中、基Rは同じか又は異なってよく、かつ飽和又は不飽和脂肪族C1〜C20 −炭化水素基、フェニル基又はC1〜C4−アルキルフェニル基(更に1〜2個の フルオロ基、クロロ基及び/又はニトロ基で置換されていてよい)であり、Pは リンであり、かつHalは塩素を表す]で示されるジハロゲントリオルガノホス ホラン少なくとも1種を用いてのシクロプロピルメチルケトンのハロゲン化法に おいて、一般式(I)のジハロゲントリオルガノホスホランをその場で、一般式 II: R3PA (II) [式中、Rは式Iに記載の意味を有し、かつAは酸素又は硫黄である]で示され るトリオルガノホスファンオキシド又はトリオルガノホスファンスルフィドから ハロゲン化試薬を用いて製造する場合に、トリオルガノホスファンオキシド又は トリオルガノホスファンスルフィドを触媒量で使用することを特徴とする、シク ロプロピルメチルケトンのハロゲン化法。 2. 式(I)のジクロロトリオルガノホスホランを、式(II)のトリオルガノ ホスファンオキシド又は トリオルガノホスファンスルフィドとホスゲンとの反応によりその場で製造する 、請求項1に記載の方法。 3. ジクロロ−トリ−(C6〜C8−アルキル)−ホスホラン、ジクロロトリフェニ ル−ホスホラン、ジクロロ−トリ−(4−クロロフェニル)−ホスホラン、ジクロ ロ−トリ−(4−フルオロフェニル)ホスホラン、ジクロロ−トリ−(4−ニトロ フェニル)−ホスホラン又はそれらの混合物をその場で製造する、請求項1又は 2に記載の方法。 4. シクロプロピルメチルケトンを溶剤の不在下にハロゲン化する、請求項1か ら3までのいずれか1項に記載の方法。 5. シクロプロピルアセチレンの製法において、請求項1から4までのいずれか 1項の記載によりシクロプロピルメチルケトンをハロゲン化し、かつ−33〜2 50℃の温度でそのハロゲン化生成物を強塩基で処理することを特徴とする、シ クロプロピルアセチレンの製法。 6. 強塩基として、グリコールエーテル中の水酸化カリウム又はカリウムメタノ ラートを使用する、請求項5に記載の方法。
JP53912598A 1997-03-07 1998-02-18 シクロプロピルアセチレンを製造するための改善法 Pending JP2001514636A (ja)

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