JP2001513012A - 粒子の形成のための方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、物質の粒子を形成するための方法及び装置であって、（ａ）温度及び圧力の管理された粒子形成チャンバーの中に第一超臨界流体(SCF)とビヒクル中の当該物質の溶液又は懸濁物とを導入し；（ｂ）同時に、当該粒子形成チャンバーの中に第二超臨界流体(SCF)の衝突フローを前記第一超臨界流体のフロー方向に対して斜め方向に、且つそれに向けて導入し、かくして当該溶液又は懸濁物に移される動力学エネルギーの量を高め；そして（ｃ）前記第一及び第二超臨界流体の一方又は双方を用い、実質的に同時に、且つ実質的に前記粒子形成チャンバーの中への当該流体の導入の直後に、前記溶液又は懸濁物を分散させ、且つ前記ビヒクルをその溶液又は懸濁物から抽出する；ことを含んで成る方法及び装置を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】 粒子の形成のための方法及び装置 発明の分野 本発明は超臨界流体を使用する粒状製品の管理式形成に関連する。本発明は粒 状の物質の形成のための方法及び装置、更には当該方法の粒状製品を提供する。 発明の背景 本発明は注目の物質の粒子を、適当なビヒクル中のその物質の溶液又は懸濁物 から、超臨界流体を利用してそのビヒクルを抽出し、その結果粒状製品の沈殿を 行うことにより形成することに関連する。 より詳しくは、本発明はWO 95／01221及びWO 96／00610(改良型式)に記載の超 臨界流体を使用する粒子形成のための現在の技術に対する改良に関する。この技 術は「SEDS」(Solution Enhanced Dispersion by Supercritical Fluids(超臨界 流体による溶解向上分散))として知られる。その本質は、適当なビヒクル中の注 目の物質の溶液又は懸濁物を超臨界流体と一緒に粒子形成容器の中に、その超臨 界流体の作用によりビヒクルの分散と抽出とが実質的に同時に、しかも実質的に この槽への流体の導入の直後に起こるように導入することにある。この粒子形成 容器内の圧力及び温度はこのプロセスの間慎重に管理される。 SEDSは圧力、温度及び流体流速の如き条件についての、並びに溶液／懸濁物の 物理的分散についての、粒子形成が起こる正確な地点（即ち、ビヒクルが超臨界 流体の中へと抽出される地点）での高度 な管理を可能にする。従って、SEDSは形成される粒子のサイズ、形状並びにその 他の物理及び／又は化学特性の優れた管理を可能にする。 本発明はこの現存の技術を頼りとする。本発明はSEDS技術に対する改良を提供 し、これは粒状製品の特徴の著しく改善された管理をもたらしうる。 従って、WO 95／01221及びWO 96／00610に開示のSEDSの技術的事項のほとんど が本発明にも適用される。この先行公開物に含まれているSEDSの実施に関する技 術情報は本発明を実施するときにも適用可能であり、かくしてWO 95／01221及び WO 96／00610は本願と一緒に読まれることを意図する。 発明の記述 本発明の第一の観点に従うと、物質の粒子を形成するための方法を提供し、当 該方法は（ａ）温度及び圧力の管理された粒子形成チャンバーの中に第一超臨界 流体とビヒクル中の当該物質の溶液又は懸濁物とを導入し；（ｂ）同時に、当該 粒子形成チャンバーの中に第二超臨界流体の衝突フローを前記第一超臨界流体の フロー方向に対して斜め方向に、且つそれに向けて導入し；そして（ｃ）前記第 一及び第二超臨界流体の一方又は双方を用い、実質的に同時に、且つ実質的に前 記粒子形成チャンバーの中への当該流体の導入の直後に、前記溶液又は懸濁物を 分散させ、且つ前記ビヒクルをその溶液又は懸濁物から抽出する；ことを含んで 成る。 本方法はSEDS技術の利点全てを保持している。内側の圧力及び温度の管理され たチャンバーへの当該溶液又は懸濁物と当該超臨界流体の同時導入は流体が互い と接触する正確な地点、それ故実際の粒子形成の地点での運転パラメーターの高 度な管理を可能にする。重 要なことには、この超臨界流体の機械的作用が、溶液／懸濁物を分散させ、しか も同時にその流体がその溶液／懸濁物からビヒクルを抽出されるために用いられ ていることにある。これにより、これらの流体の相対流速の管理は、溶液／懸濁 物の分散により形成される流体素子（例えば液滴）、それ故超臨界流体へのビヒ クルの抽出により実質的に同時に形成される粒子のサイズの精密な管理が可能と なる。 しかしながら、本発明の方法は、第二超臨界流体の追加の衝突（好ましくは向 流）フローにより、注目の物質の溶液又は懸濁物の著しく改善された分散を可能 にする。この改善された分散は溶液／懸濁物と（通常は比較的高速、それ故高い 動力学エネルギーの）超臨界流体との向上した物理的接触に帰すると考えられ、 それ故極めて狭いサイズ分布の非常に微細な粒子の形成を及ぼす。互いに向けら れ、且つ通常は実質的に対立する方向での２本の超臨界流体フローはそれぞれの 動力学エネルギーをこの溶液又は懸濁物に移し、それが個々の流体素子へと分解 することを司る。これらの素子のサイズ及びサイズ分布は様々な流体の流速並び にその他の作業条件、例えば粒子形成チャンバーの温度及び圧力を調節すること により厳密に管理できる。この溶液／懸濁物は速い総超臨界流体速度（即ち、高 い総動力学エネルギー）により非常に高度な分散に委ねられることができ、そし てビヒクルが溶液／懸濁物から抽出されるのと実質的に同時でのその有効な分散 は、かくして形成される粒子の高度な均一性を供しうる。 ２本の超臨界流体フローを利用する、それ故粒子形成地点又はその付近にて溶 液／懸濁物に高レベルの動力学エネルギーを導入する更なる利点は、この溶液又 は懸濁物から形成される粒子が粒子形成地点から直ちに遠ざけられ、それ故装置 の閉塞(詰まり)(これは流 体を粒子形成槽の中に導入するのに用いる入口手段で本来起こりうる)が抑制又 は回避されることさえできることにある。かくして超臨界流体は溶液又は懸濁物 を分散する、ビヒクルをそれから抽出する、及び粒状製品を粒子形成領域から移 動させることを司る。高速度の超臨界流体は粒子の迅速な移動を促進し、それら が流体素子と再結合する、互いと凝集し合う、又は粒子形成領域を閉塞すること がないことを確実にする。 この第一超臨界流体及び溶液又は懸濁物のフローの方向はWO 95／01221及びWO 96／00610に記載の通り実質的に平行、例えば同軸上であってよい。しかしなが ら、この溶液又は懸濁物は本発明においては、それが超臨界流体と接触するやい なやその流体により分散される限り、第一超臨界流体のフローに対して斜め方向 （例えば、90°に至るまで）において導入してよい。一般に、全ての流体のフロ ーの方向は粒子形成領域におけるそれらの物理的接触の程度を最大とするように 選定すべきである。これはかくして溶液／懸濁物及び粒状製品に超臨界流体から 移される動力学エネルギー量を最大にすることを司り、それ故分散を向上させ、 そして潜在的な閉塞領域から粒子を一層効率的に移動させる。２本の超臨界流体 フローを一緒に利用することはかかるプロセスを一層更に改善し、そして粒子形 成のメカニズムのより良い管理を保証する。 第二の観点に従うと、本発明は上記方法を実施するために適当な装置を提供す る。この装置は粒子形成チャンバー；当該チャンバー内の温度を所望のレベルに 管理するための手段；当該チャンバー内の圧力を所望のレベルに管理するための 手段；第一超臨界流体及びビヒクル中の注目の物質の溶液又は懸濁物を当該チャ ンバーに導入するための第一流体入口手段；並びに第二超臨界流体の衝突フロー を、前記第一超臨界流体フローに対して斜めの角度で、且つそれに 向いて同時に導入するための第二流体入口手段；を含んで成り、ここで当該装置 は前記溶液又は懸濁物の分散と、前記ビヒクルの抽出とが、２つの超臨界流体の 一方又は双方の作用により、実質的に同時に、且つ実質的に前記粒子形成チャン バーへの当該流体の導入の直後に起こることを可能にする。 また、当該第一流体入口手段は、第一超臨界流体と溶液又は懸濁物の、例えば 実質的に平行な方向又は同軸上での同時導入を可能にするのが好ましい。 本発明の第一及び第二の観点において、この第二超臨界流体は第一のものと実 質的に対立する方向で流れるのが好ましく、即ち、第一超臨界流体フローに対す るその角度が約180°であることが好ましい。しかしながら、その他の衝突角度 を選定してよく、ここでもその一般的概念は粒子形成領域における流体間の物理 的接触を最大とするものである。この第一及び位二超臨界流体は通常、但し必然 的ではなく、粒子形成点で又はその非常に近く、即ち、それらが当該溶液又は懸 濁物と接触する点で出会う。 本発明において、「超臨界流体」とは同時に臨界圧力（Pc）及び臨界圧力（Tc ）に実質的になっている又はそれらを超えている流体を意味する。実際には、こ の流体の圧力は範囲(1.01〜7.0)Pcであり、その温度は範囲(1.01〜4.0)Tcであり がちである。 「ビヒクル」とは１又は複数の固体を溶液又は懸濁物内で輸送できる流体を意 味する。ビヒクルは１又は複数種の成分の流体から成ってよい。本発明において 利用するビヒクルは粒子形成地点でのその抽出が可能となるよう選定の超臨界流 体の中で実質的に可溶性であるべきである。 本明細書で用いる「超臨界溶液」なる語は、抽出又は溶解が行われた１又は複 数種のビヒクルと一緒になった１又は複数種の超臨界 流体を意味する。この溶液は通常、ただし必然的ではなく、それ自体少なくとも 粒子形成チャンバー内で超臨界状態にある。 「分散」とは、何らかのことわりのない限り、溶液もしくは懸濁物及び／又は ビヒクルの液滴、又はその他の似たような流体素子の形成を意味する。 本発明の方法が適用される物質は粒状で製造される必要のある任意の物質であ ってよい。これは医薬において又は医薬として利用される物質であってよい。し かしながら、この粒状製品はセラミックス、爆薬又は写真産業；食品；染料；コ ーティング等において利用する製品であってもよい。いずれにせよ、本発明の方 法の背景にある原理は同じままである；技術者は形成すべき粒子の特徴の適当な 管理を行うために運転条件を調節するだけで足りる。 当該物質は単一又は多成分形態であってよい。これは例えば２種類の材料の均 質混合物、又は別のマトリックス中の一の材料、又は別の支持体の上にコーティ ングされた一の材料、又はその他の似かよった混合物を含んで成りうる。本発明 の方法を利用してこの物質から形成された粒状製品は多成分形態であってもよい 。かかる製品は、溶液／懸濁物を超臨界流体の中に適正に導入されることを条件 に、単一成分出発材料のみを含む溶液又は懸濁物から製造されうる（複数の溶液 ／懸濁物を超臨界流体と一緒に粒子形成チャンバーに導入してよい）。この粒状 製品は、適当なビヒクルによりそれぞれ担持されている２種以上の反応物質間で のin situ反応（即ち、超臨界による分散の直前又は分散に基づく）から形成さ れた物質であってもよい。in situ反応及び／又は注目の物質の複数の溶液又は 懸濁物の利用を包含するSEDSプロセスへのかかる改良はWO 95／01221及びWO 96 ／00610に記載され、そして本発明を実施するときにも適用されうる。 第一及び第二超臨界流体それぞれは任意の適切な超臨界流体、例えば超臨界二 酸化炭素、窒素、亜酸化窒素、六フッ化硫黄、キセノン、エチレン、クロロトリ フルオロメタン、エタン、トリフルオロメタン又はそれらの混合物であってよい 。特に好適な超臨界流体はその比較的低価格、毒性、燃焼性及び臨界温度に基づ き超臨界二酸化炭素である。 第二及び第一超臨界流体は好ましくは、但し必然的ではなく、ここでも共に超 臨界二酸化炭素である。 超臨界流体の一方又は双方は任意的に１又は複数種の改質剤、例えばメタノー ル、エタノール、イソプロパノール、アセトン又は水を含みうる。使用するとき 、改質剤はこの超臨界流体の20％以下、そしてより好ましくは１〜10％のモル分 率を占める。「改質剤」なる語はそれ自体当業者に周知である。改質剤（又は共 溶媒）は、それは超臨界流体に加えると、その超臨界点前後での流体の固有の特 性を変える化学物質として記述できる。 ビヒクルは注目の物質を溶解又は懸濁し、そしてそれ自体は選定の超臨界流体 の中に実質的に可溶性である任意の適当な流体でありうる。任意の特定のケース におけるビヒクルの選定は物質の種類、超臨界流体、及び所望の最終製品を支配 するその他の実用的な基準に依存するであろう。「ビヒクル」なる語は注目の物 質及び超臨界流体と相対する必須の特徴を共に有する２種以上の流体の混合物を 包含する。 任意の所望の製品のための超円界流体、改質剤（所望するとき）及びビヒクル の適当な組合せの選定は当業者の能力の範囲に属するであろう。 粒子形成チャンバーの中に導入する流体の相対流速は形成する粒子のサイズ、 サイズ分布及びその他の特徴を管理するために用いて よい。各流体流速は独立に調節してよい。好ましくは、２種の超臨界流体の流速 は溶液又は懸濁物のそれよりもはるかに速くする。典型的には、溶液／懸濁物の 流速、対、各超臨界流体の流速の比は0.001〜0.2、好ましくは0.001〜0.1、より 好ましくは0.01〜0.07であろう。 しかしながら、任意の特定のケースで選定される流体の流速は総合的に注目の 物質及び利用する流体のタイプに依存するであろう。 溶液／懸濁物のそれに対する超臨界流体の流速は極めて重要であり、なぜなら 超臨界流体は溶液／懸濁物を分散させ、そして粒子を粒子形成領域から移動させ るのに働くからである。かくして、その流速は分散により形成される流体素子、 それ故ビヒクルをその流体素子から抽出することにより形成される粒子のサイズ に影響を及ぼす。これらは粒子形成装置内での閉塞を回避するのにも役立つ。 粒子形成チャンバー内での圧力及び温度の管理（並びに流体の流速の管理）を 通じて、超臨界条件のチャンバー内で常に維持されうる。溶液又は懸濁物の流速 に対する超臨界流体の流速、並びに流体の圧力及び温度は超臨界流体がビヒクル と適合し（一般に、このビヒクルは超臨界流体の５％モル分率前後を上まわらな いであろう）、それによりビヒクルが溶液／懸濁物から抽出されて粒子形成が生 ずることを可能とするのに十分なものとすべきである。かかる運転条件の慎重な 選択は、粒子形成プロセスのほとんどにわたり、超臨界流体及び抽出ビヒクルを 含む溶液内での単相のみの存在を保証できる。かくしてこれは粒子特性の改善さ れた管理を可能にし、そして粒状製品内の残留ビヒクルのおそれを実質的に消失 させる。 流体は好ましくは本発明の装置との関係で下記に説明するタイプの流体入口手 段を通じて粒子形成チャンバーの中に導入する。理想的には、流体を平坦に連続 式に、そして好ましくは実質的なパルス のない状況で流れるようにすべきである。これは入口手段への流体の逆流を防ぐ 。この逆流は望ましくない場所での粒子の沈殿及び装置の閉塞を招くことがある 。 粒子形成槽内の温度は加熱ジャケット又はオーブンにより所望のレベルに維持 されうる（好ましくは±0.1℃）。チャンバー内の圧力は背圧レギュレーターに より所望のレベルに簡単に維持される(好ましくは±２bar)。 利用する正確な温度及び圧力は超臨界流体の選定及び改質剤の有無に依存する であろう。これらの条件は、流体の流速及びビヒクル中の物質の濃度と共に、粒 状製品のパラメーター、例えばサイズ、サイズ分布、形状及び結晶形態を管理す るために調節されうる主要変動因子である。 本発明の方法は好ましくは更に、形成後の粒子の回収、より好ましくは粒子形 成チャンバー自体の中での回収を包含する。この方法は更に超臨界流体へのビヒ クルの抽出により形成される溶液の回収、溶液の成分の分離、及び将来の使用の ための１又は複数種の成分のリサイクルを包含する。特に、超臨界流体の一方又 は双方を除去し、精製し、そしてリサイクルすることができる。 この方法はバッチ式ではなく、実質的に連続式に実施するのが好ましい。この ことは、粒子の形成及び回収、並びに／又は流体の回収及びリサイクルを連続式 に実施するのが好ましいことを意味する。 本発明の第二の観点に係る装置において、この第一及び第二流体入口手段は好 ましくはそれぞれ第一及び第二ノズルを含んで成る。この第一流体入口手段は実 際には２つのノズルを含んで成り、一方は第一超臨界流体の導入のためであり、 そして他方は溶液又は懸濁物の導入のためであり、互いと適当な角度で配置され ている。この 第一及び第二流体入口手段は共に全ての流体を粒子形成チャンバーの中に適当な 状態で導入するのに有用な単独流体入口アセンブリの一部を構成してよい。 好適な流体入口アセンブリは２つの主要成分を含んで成る： ａ）２本以上の同軸通路を有する第一の「一次」ノズル（これを通じて、第一 超臨界流体のフロー並びに注目の物質の溶液又は懸濁物のフローを導入できうる ）；並びに ｂ）一次ノズル通路に対して斜め方向の少なくとも１本の通路を有する第二の 「二次」ノズル（この二次ノズルの通路を通じて、第二超臨界流体のフローを導 入できうる）。 この一次及び二次ノズル通路の出口は、二次ノズルを通過する超臨界流体が一 次ノズルを通過する超臨界流体に衝突することができるように配置する。 好ましくは、二次ノズル通路は一次ノズル通路と同軸上にあるが、対立方向を 向き、二次ノズル通路の出口端が一次ノズル通路の出口端と向き合うようになっ ている。 一次ノズル通路は、少なくとも一方の流体の「事前膜形成」又は「外装形成」 が他方の流体との接触の直前に生ずるタイプであってよい。典型的には、一次ノ ズルは溶液又は懸濁物の事前膜形成が超臨界流体による溶液又は懸濁物の分散の 直前に生ずるように使用されうる。このことは、一次ノズル通路の寸法、及びそ の出口の相対位置が、一の通路に入った流体がその通路の出口に到達すると隣り の通路の出口のリップと接触して薄膜又は外装を形成できるようなものでなくて はならないことを意味する。この膜又は外装は、それが別のノズル通路の中の高 速流体ストリーム及び／又は二次ノズルからの衝突ストリームと接触すると延伸 され（不安定化となり）、そして究極的に独立の流体素子へと分散してしまう。 明らかに、膜 又は外装の厚み、それ故分散により形成される流体素子のサイズは流体の相対流 速、そして更にはノズルの形状に依存するであろう。 一次ノズル通路の出口は二次ノズル通路の出口から妥当な近さにあるべきであ り、これにより第二超臨界流体と溶液／懸濁物との間での動力学エネルギーの移 動が最大となる。それらの実際の距離及び角度は、例えば形成することが所望さ れる粒子のサイズ、タイプ及び形状、物質及び流体の種類、使用する流体の流速 、製造上の制約、等に依存するであろう。 少なくとも２本の二次ノズル通路に関して、内部通路の出口は１又は複数の周 囲外部通路の上流もしくは下流にあってよく、又は事実上同じ位置にあってもよ い。前者のケースでは、内部通路を通過する溶液／懸濁物と周囲通路を通過する 第一超臨界流体との接触は、一次ノズルの内側で、且つその２つが一緒に第二超 臨界流体と接触する前に起こる。従って、ある程度の分散及び抽出が第二超臨界 流体による更なる分散の前に起こりうる。かかる入口アセンブリは例えばビヒク ルの中に担持されている一の成分と第一超臨界流体の中の別の成分との間での、 又は３本の一次ノズル通路のうちの２本の中の２種類の独立ビヒクルにおいて担 持されている２つの成分との間でのin situ反応を実施するうえでも利用される ことがあり、ここでその反応は一次ノズルの中でのみ起こり、ビヒクルの抽出と 粒子形成との直前に起こる。それは例えば、被覆粒子又は一の成分が別の成分の マトリックスの中に含浸された粒子の調製において更に利用されうる。 （この「第一ケース」の一次ノズルを利用する別の態様は、第一超臨界流体を 内部通路に導入し、そして溶液／懸濁物を周囲通路に導入することであろう。溶 液／懸濁物は内部通路の出口を覆う円錐膜を形成し、その膜の表面は内部通路か ら出る高速超臨界流体によ り不安定化となり、究極的に溶液／懸濁物の分散をもたらすであろう。） 第二ケースのシナリオにおいては、第一及び第二超臨界流体は共に一緒になっ て内部一次ノズル通路を通過する溶液又は懸濁物を分散するように働くことがで きる。これは粒子の特徴の管理レベルを高めることができ、それ故往々にして好 適なアレンジメントの一つである。このケースにおいて、in situ反応、被覆、 含浸及びその他の多成分運転は追加の二次ノズル通路を介して更なる成分を導入 することにより実施できうる。従って、この二次ノズル自体は２本以上の同軸通 路を含んで成ってよく、かくして注目の物質の溶液又は懸濁物及び第二超臨界流 体は第一超臨界流体に対して斜め方向で導入されうる。出口の位置及び事前膜形 成の所望性については、一次ノズル通路と同じことが２本以上の二次ノズル通路 にも言える。 流体入口アセンブリは典型的には一次及び二次ノズル出口の間に位置する中間 チャンバーを含んで成り、そのチャンバー内で流体が出会い、そして相互作用す る。このチャンバーは好ましくは流体及び／又はそれから形成された粒子を流体 同志が出会う地点にまで導くような形状である。粒子形成は一般にノズル出口に おいて事実上起こるため、中間チャンバー自体、粒子形成チャンバーの一部を構 成する。この中間チャンバーは、例えば一次及び二次ノズル通路に対して斜め方 向（垂直方向を含む）にあり、そして実際にはノズル出口領域からの粒状製品の 移動に重力が寄与できるよう（２本の超臨界流体フローの比較的高い総合速度と 共に）下方向を向いていることができる。この中間チャンバーのサイズ及び形状 は、ある程度、形成される粒子の特徴を決定するために、更には効率的な粒子移 動に寄与するため、並びに溶液の液滴が粒子と再結合する及び凝集するおそれを 最少限とするために利用されうる。従って、この中間 チャンバーは粒子形成の領域の中又はそのまわりでの流体乱流を最大限とする大 きさ及び形状であるべきであり、これにより流体間の物理的接触は高まり、そし て溶液／懸濁物の分散及び粒状製品の移動が促進される。 ノズル通路は好都合にはステンレススチール；その他の適切な材料、例えばサ ファイア、高性能セラミックス及び高性能ポリマー等より成ってよい。入口アセ ンブリのデザインのその他の観点、例えばノズル通路及びその出口の直径、一次 及び二次ノズルの互いとの相対位置、各ノズルの中の通路の数、並びにそれらの 用途はWO 95／01221及びWO 96／00610に開示されている（これらの文献は一方向 のフローのみを供するノズルについて述べているが、その教示は本発明の装置に おいて利用される一次又は二次ノズル通路に同等に適用されうる。 かかる入口アセンブリを使用して本発明の方法を実施するとき、その流体流速 は好ましくは沈殿粒子が事実上形成されるやいなや入口アセンブリから離れ、ノ ズル通路出口の閉塞を回避できるように選定する。ここでも、中間チャンバーの デザインは、粒子形成の領域における所望のフロー特性を構築することによりこ れに役立つように選定できうる。 第三の観点に従うと、本発明は上記のタイプの流体入口アセンブリを提供する 。 本発明は更に、第四の観点に従うと、第一の観点の方法及び／又は第二の観点 の装置を利用して形成した粒状製品を提供する。 詳細な説明 本発明をこれより、添付図面を参考に、例示により説明する。ここで： 図１は本発明に係る方法で実施するうえで使用するための模式装置を示す； 図２は図１の装置における粒子形成チャンバーの中に流体を導入するための流 体入口アセンブリの断面図である； 図３及び４は図２の入口アセンブリの２本のノズル出口を示すより詳細な断面 図である； 図５は図１の装置の一部として利用するためのその他の部品に接続された、図 ２の入口アセンブリの断面図である； 図６〜９は図１の装置において利用するための別の入口アセンブリの模式断面 図である； 図10及び11は下記の実施例１に関連する粒度分布曲線である； 図12〜15は実施例１〜４の製品それぞれのSEM顕微鏡写真である； 図16は実施例４において作製された別の製品のSEM顕微鏡写真である；そして 図17〜19は実施例５，６及び７それぞれの製品のSEM顕微鏡写真である。 まず図１を参照すると、示しているこの装置は粒子回収容器６を含む。これは 典型的には標準の反応容器、例えばkeystone Scientific Incより入手できるタ イプの、特定の用途のための適当な容量のものである。この容器内の温度及び圧 力はオーブン７及び背圧レギュレーター８それぞれにより一定の所望レベルに維 持できうる。 本発明に従って利用するとき、このシステムはまず加圧し、そして安定な作業 条件に合わせる。適当なガス、例えば二酸化炭素をソース１からクーラ−２（液 化の確保）へと供給し、そしてポンプ４を介し、容器６の内部と連絡した流体入 口アセンブリ20へと供給する。適当なビヒクル中の注目の物質の溶液をポンプ３ によりソース ５から導入し、そして更に入口アセンブリ20を介して容器６へと供給する。 入口アセンブリ20は図２では模式的にしか示しておらず、そして以下に更に説 明する。これはクーラー２で形成された超臨界流体（２本の対立方向のフロー） 及びソース５からの溶液を粒子回収容器の中に、本発明の方法により必要とされ る方式で導入する。粒子形成は主に入口アセンブリ内の中間チャンバーで起こり 、そして形成される粒子は容器６の中に落下し、そこでそれらは回収手段21によ り保持される。得られる超臨界溶液は背圧レギュレーター８、次いで分離容器９ へと供給され、そこでそれは膨張し、超臨界流体が液体ビヒクルからガスとして 分離される。次いでこのガスはタンク10へと供給され、そしてクーラー２に戻さ れる。このビヒクルはその後の再利用のためにも回収されうる。示してはいない が、ポンプ３及び４により生ずる流体フローのパルスを平坦にする手段を施して よい。 十分な粒子形成が行われたら、入口アセンブリ及び容器を清浄なドライ超臨界 流体でフラッシングし、任意の残留ビヒクルの除去を確実にする。次いでこの容 器の圧力を解放し、そして粒状製品を取り出す。 粒子形成工程の際、容器６内の温度及び圧力は超臨界レベル、即ち、超臨界流 体へのビヒクルの抽出により形成される溶液が粒子沈殿の最中及び後の双方にお いて超臨界状態のままであるか、又は少なくとも粒子形成の後可能な限りす早く 超臨界状態に到達することが確実となるレベルに維持する。 入口アセンブリ20は図２〜５に示す形状をとってよく、又は図６〜９のいずれ に示すものであってもよい。 これより図２を参照すると、示している入口アセンブリは一般表 示30及び31の２本の対立方向の入口ノズルを含んで成る。これら２本のノズルの 出口は中間チャンバー32の中で互いに向き合って終結し、そのチャンバー内で流 体の混合及び粒子形成が当該装置の使用の際に起こる。ノズルの出口部分は加熱 ブロック33に納まり、ノズル出口及びチャンバー32内が温度管理されている。 「一次」ノズル30は図３により詳細に示す。それは２本の同軸通路34及び35を 含んで成り、そのうちの内部通路（35）は外部通路の下流で終結する。外部通路 34は終結通路区画29で終わる。この入口アセンブリはこれら２本の通路への２つ の別々の流体の導入を可能にするように配備されている。 外部通路の出口を超える内部通路の突き出しは有利であり、なぜなら使用の際 、内部通路から出る溶液又は懸濁物を同時に、外部一次ノズル通路34を通過する 及び「二次」ノズル31を通過する対立方向の２本の超臨界流体フローの効果に委 ねられることができるからである。これは溶液／懸濁物の一層効率的な分散を確 保し、そして粒子形成が起こる際のノズル出口での閉塞を防ぐのに役立つ。 内部通路35の突き出し部分の長さは要件に応じて選定されうる；それは本発明 の方法に従って流体接触及び向上した分散が起こるのに十分に短いべきである。 二次ノズル31（図４参照）は、狭い終結通路区画37を有するたった一本の通路 36を含んで成る。双方のノズルの通路は.316ステンレススチール製であり、ステ ンレススチール製装着ブロック38の上に装着されている。 図２の入口アセンブリのその他の部品は図５に詳細し、そして以降に説明する 。 ノズル通路の寸法は特定の使用状況に合うように、即ち、適当な流体流速、製 品収量等が可能となるように選定すべきである。図２ に示す入口アセンブリにおいて、一次ノズル30はその内部通路35については0.35 mmの内径、そしてその外部通路34については0.75mmの内径を有する。内部通路35 は外部通路34の終結区画29（長0.5mm）の出口端の下流0.2mmで終結する。二次ノ ズル通路36の内径は0.75mmであり、内径0.15mm及び長0.4mmの終結通路区画37を 有する。主要通路36の出口でのテーパー角度は45°となっている。 装着ブロック38はノズル出口に深さ約0.9mmの45°の面取りも有する。（実際 には、このような面取り部分の上流縁は、たとえ図２のようになっていたとして も、中間チャンバー32の内壁に正確に整合しないことに注意すべきである。）面 取りの深さを深くして、各ブロックの頂端がその対応のノズル出口付近の点近く まで先細りするようにすることが好ましいことがある。これはノズル出口での及 びその間での粒状製品の堆積を減らすのに役立ちうる。 チャンバー32はノズル通路を介して導入される流体の混合及び注目の物質の溶 液又は懸濁物の分散を可能にする形状である必要がある；かくしてこれは、チャ ンバー32の中に残ってノズル出口を閉塞するのではなく、回収容器へとより簡単 に押出されることができる（超臨界流体フローの作用により）分散した粒子の「 曇り」の形成を可能にする。図２に示すチャンバー32の内径は3.5mmである；入 口アセンブリの好適な形態は狭い中間チャンバーを有してよく（流体乱流を高め るため）、又は幅広いものでもよい（これは閉塞を減らし、そして洗浄及びメン テナンスを一般に容易にしうる）。接続されている回収容器と同じ内径の中間槽 （例えば、約14mm）が好ましく、そしてこれは流体及び粒状製品の一層効率的な 分散を可能にするであろう。この場合、入口ノズルは中間チャンバーの中へと更 に突き出し、それらの出口の間に所望の空間を保つべきである。 ノズル出口間のすき間の幅（この場合、装着ブロック38の対立八 面の間を測定して1.2mm）はどのような場合でもチャンバー32内での粒状製品の 堆積を防ぐように選定しなくてはならない。これは使用する流体流速及びノズル の形状の如きパラメーターに依存するであろう。特に、それは侵入する流体間で の最大限の乱流（それ故効率的な流体混合）が達成され、しかもノズル出口での 閉塞のおそれを最少限にするように選定すべきである。典型的には、このすき間 の幅は約0.4mm〜2.5mm、より好ましくは約１mm〜２mmとしてよい。別の態様で測 定すると、それはノズル通路出口の内径の約２〜12倍でありうる。 図２の装置に関して言及した寸法（実験室スケールでの粒子形成を意図）は必 ずしも産業におけるような粒状製品の大量スケール製造に適切なものではないこ とが理解される。しかしながら、当業者は本発明を過剰に熟練することなく所定 の運転条件に合うようかかるパラメーターを改良できるであろう。 図５は図２〜４の入口アセンブリと一緒に利用される部品の詳細を示す。装着 ブロック38の中の二本の対立方向ノズル30及び31は加熱ブロック33の中に収まっ ている。両ノズル装着ブロックはPEEK（ポリエーテル−エーテルケトン）シール 39を担持している。二次ノズル31の入口は標準入口部品40（Swagelock(商標)１ ／16インチステンレススチール雄ユニオン）に接続され、それを介して超臨界流 体のフローがチャンバー32の中に、一次ノズル30を介して侵入する流体とは反対 方向で導入される。 ノズル30の入口は標準のSwagelock １／16インチステンレススチールＴ−コネ クター41に接続され、そのコネクターは標準雌入口部品42（Valco(商標)2-2997 ステンレススチール雌ユニオン）に接続されている。この配備は２つの独立流体 の導入を可能にし、一方（一般には超臨界流体）はＴ−コネクター41に直接、そ れ故ノズルの 外部通路へと、そして他方（一般には注目の物質の溶液又は懸濁物）は入口部品 42を介して内部ノズル通路35へと導入される。 チャンバー32の下方の出口は外径25mm、内径14mmそして容量50mlのKeystone（ 商標）高圧容器43の頂部に接続されている。この接続は先端嵌合部材44、PEEKカ ラー（つば）シール45及びPEEK容器シール46（これらも全てKeystone）を介して いる。 部品47はSwagelock １／16インチステンレススチールフェルールである。部品 48はAllteck(商標)万能１／16インチステンレススチールフェルールである。部 品49は内径0.6mmのカスタムメードPEEKフェノールである。 この入口アセンブリを本発明の方法に従って利用するとき、流体をノズル30及 び31の中に上記の態様で適当な流速で導入し、チャンバー32の中でノズル出口に おいて出会うようにする。ここで、数多くの現象が事実上同時に行われる−２つ の超臨界流体フロー（通常は注目の溶液／懸濁物の流速と比べて高い流速におい て）は溶液／懸濁物を独立の流体素子（例えば液滴）へと分散させる。これらの 超臨界流体は同時にビヒクルを溶液／懸濁物から抽出し、分散した流体素子から の微粒子の沈殿を及ぼす。これらの粒子はチャンバー32を介して、主として侵入 してくる流体の作用及び部分的に重力の作用により、高圧回収容器43へと落下す る。 双方のチャンバー32及び容器43は「粒子形成チャンバー」として一緒に働く。 図６〜９に目を向けると、本発明に係る方法において使用するための流体入口 アセンブリの別の形態を示す。図６に示すものは２本の同軸通路50及び51を含ん で成る一次ノズルを有し、そのうちの内部通路51は（内側の）外部通路50の上流 で終結する。これは更に、一次ノズル通路と同軸上にあるが、反対方向を向いて いる通路52を 含んで成る二次ノズル、並びに流体及び沈殿粒子が排出されうる中間チャンバー 53も有する。典型的には、これらのノズルは通路50及び52を介してチャンバー53 の中に２本の超臨界流体の向流フローを、そして内部一次通路51を介してビヒク ル中の注目の物質の溶液又は懸濁物を導入するために用いる。かくして、使用の 際、この溶液又は懸濁物はまず超臨界流体の第一フローと通路50の内側で接触し 、そしてその後直ちに通路52由来の超臨界流体の第二向流フローと接触する。超 臨界流体の双方のフローは溶液又は懸濁物を分散し、それからビヒクルを抽出し 、そして粒状製品を取り出す。追加の反応体を外部一次通路50を通過する超臨界 流体の中に担持させ、内部通路51を通過する溶液／懸濁物の中に担持されている 物質とのin situ反応を可能にしてよい。 他に、図６のアセンブリを使用して、第一超臨界流体を内部一次通路51を介し て、そして注目の物質の溶液／懸濁物を外部一次通路50を介して導入することが できる。このケースにおけるメカニズムは、内部通路51の出口のまわりの外部通 路の内面上の薄い円錐「外装」に溶液／懸濁物がなることを包含するようである 。この外装の表層は内部通路から出る高速超臨界流体により不安定化となる；こ の外装は外部通路50の出口において薄い「靱帯（ligament）」へと分解され、そ して最終的に２本の超臨界流体の作用により流体素子へと分解される。 図６のアセンブリに似ている図７の入口アセンブリにおいて、内部一次通路61 は外部一次通路60の外端の下流にて終結する。この場合、第一超臨界流体が外部 一次ノズル通路60を介して導入され、そして溶液／懸濁物が内部一次通路61を介 して導入されると（図示の通り）、双方の超臨界流体フローは溶液又は懸濁物を 分散し、そしてビヒクルをそれから抽出させることを担うであろう。図６のノズ ルのように、流体が互いと接触したときに形成される粒子は中間チャンバー63を 介して遠ざけられる。 図７において点線で示しているのは内部二次ノズル通路64であり、必要ならそ れを介して別の流体がこのシステムの中に導入されうる。一般に、この一次ノズ ルは２本以上の通路を含んで成りうる。この二次通路は同時に１又は複数の同軸 通路を含んで成りうる。 ここでも、図６のように、図７のアセンブリは内部ノズル通路を介して超臨界 流体を、そして外部ノズル通路を介して溶液／懸濁物を導入するために同等に利 用できる。 図８及び図９のアセンブリは標的の溶液又は懸濁物を２本の向流超臨界流体フ ローの方向とほぼ垂直方向において導入することを可能にする。図８において、 このアセンブリは、超臨界流体がそれを介して典型的に導入されるであろう２つ の対立方向単独通路ノズル70及び72、中間チャンバー73、並びに注目の物質の溶 液又は懸濁物をそれを介して超臨界流体ストリームの中に直接導入できる第三ノ ズル75を含んで成る。 図８の装置の改良バージョン（図９参照）は、別の溶液又は懸濁物を超臨界流 体フローの一方と共に導入することを可能にする追加の一次ノズル通路71を含む 。双方の溶液／懸濁物フロー（即ち、ノズル通路75を介するものと通路71を介す るもの）は通路70及び72を通過する超臨界流体により分散される。２つの溶液／ 懸濁物の供与は、図９のアセンブリが一括の様々なプロセス、例えばin situ反 応等のために利用できうることを意味する。実施例 以下の実験は図１〜５に示すタイプの装置を利用して実施できる。本発明に係 る方法を注目の物質の粒子を高度に管理された態様で作製するのに利用した。 流体の流速を言及するとき、これらは関連の流体ポンプヘッドで測定したもの である。超臨界流体フローの場合、ポンプの流速は、超臨界状態となるように熱 交換器を通過する前の液体についてのものとした。実施例１ 本実験において、ニコチン酸粒子をニコチン酸の無水エタノール溶液から、溶 媒の抽出に超臨界CO₂を用いて作製した。コントロール実験においては、同じ装 置及び材料を使用したが、図２の流体入口アセンブリをWO 95／01221及びWO 96 ／00610に示すタイプの単純な二重通路同軸入口ノズルに置き換え、ニコチン酸 溶液を二本の通路のうちの内部通路を介して導入し、そして超臨界CO₂は外部通 路を介して導入した。 粒子サイズのデーターを双方のプロセスについて記録して比較し、本発明の方 法を利用して得られる改善された結果を実証する。 実験条件 双方の実験において、粒子形成容器の内側の条件は90bar及び90℃とした。0.6 25％ｗ／ｖのニコチン酸無水エタノール溶液を対応の入口アセンブリに0.3ml／m inの流速で供給した。入口アセンブリへの超臨界CO₂の流速は９ml／minとした。 本発明の「交流」入口アセンブリの場合、これはそれぞれ９ml／minの２本の対 立CO₂フローを供する。 ニコチン酸粒子は粒子回収容器、即ち、図５の中で43と表示したKeystone高圧 容器の中で回収した。 コントロール実験のため、粒子サイズはAerosizer／Aerodisperser(Amherst P rocessing Instruments)ドライパウダー分析器を利用して空気力学直径を介して 測定した。本発明に従って調製した粒子に関し、粒子サイズはエーテル中での懸 濁及びMalvern LoC PCS システムを用いる分析により決定した。 各実験を２回行った。 結果 粒子サイズ分析の結果を以下の表にまとめる。 粒子サイズ分析 ¹ サイズ分析法：空気力学直径によるAerosizer／Aerodisperserドライパウダー 分析器² サイズ分析法：エーテル中での粒子の懸濁及びMalvern LoC PCSによる分析 粒度分布曲線を図10（コントロール実験）及び11（本発明に係る交流ノズル実 験）に示す。 従来の方法（それ自体はその他の有用な技術よりも優れた結果を示す）を利用 して可能であったものよりもはるかに小さい粒子が本発明の方法を利用して形成 されることがわかる。本発明に従って形成された粒子はコントロール実験で達成 できるものよりも有意に小さいメジアン直径を有した。 十分に管理された粒度分布も両ケースで達成された。本発明の方法を利用して 達成される分布は、図11からわかるように、極めて良好であった。 両ケースにおいて、形成される粒子は微細な白色結晶粉末であっ た。製品のSEM顕微鏡写真を図12に示す；図12Aは交流ノズル実験の製品である（ ２回目の実験）；図12Ｂはコントロール実験の製品である（これも２回目）。実施例２ 図１〜５の装置を、外部及び内部一次通路60及び61、並びに単独二次通路62を 有する図７に示すタイプのノズルと共に用いた。 0.2ｇの(α−［（ｔ−ブチルアミノ）メチル］−４−ヒドロキシ−ｍ−キシサ ン−α，α−ジオール)(サルブタモール、ぜん息薬)(Sigma UK，lot 73F0007)を ３mlのメタノール及び20mlのアセトンに溶かした。この溶液を18ml／minで流す 超臨界CO₂と一緒にこのシステム（60℃及び100barに保持）に導入した。CO₂を対 立通路60及び62に導入し、そしてこの溶液(0.1ml／min)は内部通路61に導入した 。 実験が終了したら、微細な白色のさらさらとした粉末を粒子形成容器(125mlの Keystone容器)から回収し、そして遮光して保存した。 SEM顕微鏡写真は丸い平均直径500nm未満の粒子を示した（図13参照）。実施例３ 図１〜５の装置において、図６に示すタイプのノズルを使用し、２本のSCFフ ローによる分散の前に、SCFと注目の溶液との間でのある程度の内部混合が起こ るようにした。ノズル通路50及び51はそれぞれ0.75mm及び0.35mmの内径を有した ；内部通路の壁は0.65mmの外径を有した。通路50の出口は直径0.15mmとした。中 間チャンバー53内の２本の外部通路50及び52の出口の間のすき間は0.15mmとした 。 0.2ｇのサルブタモールを３mlのメタノール及び20mlのアセトン に溶かし、次いで100bar及び60℃に保った粒子形成容器(125mlのKeystone容器) に導入した。超臨界CO₂は通路51及び52に18ml／minで流し、そして通路50を通過 する溶液フローは0.2ml／minに保った。微細で白色のさらさらとした粉末を実験 の終了時に回収し、そしてこはく色のボトルに保存した。SEM分析は平均直径500 nm未満の球状粒子を示した（図14）。実施例４ 本実験はよく管理された物理化学特性を有する硝酸銀粒子を製造するために利 用した。 銀塩の微粒子のエマルションは往々にして写真産業におけるフィルム及び紙を コーティングするために用いられている。写真の解像度及びフィルムスピードは このエマルションの中に存在する塩の粒子のサイズにより左右される。粒子サイ ズが細いほど、最終製品（フィルム又はプリント）の解像度は高度となり、そし てスピードは遅くなる。従って、高いフィルムスピードを有する高解像度製品を 製造するためにかなりの研究が過去に行われていた。SEDSプロセスが無機感光材 料の非常に細い単一分散粒子を調製するのに利用できることは非常に所望される 。 本実験において、２％ｗ／ｖの硝酸銀メタノール溶液を100bar及び70℃に保っ た125mlのKeystone容器の中に0.1ml／minでポンプした。使用したノズルは実施 例３のものとした。18ml／minで流れる超臨界CO₂を通路51及び52に導入し、溶液 は通路52に導入した。 微細な灰色がかった白色のさらさらとした粉末を実験の終了時に回収し、そし て遮光して保存した。SEM顕微鏡写真は非常に均一なサイズ分布を有する球状傾 向のナノ粒子（平均直径約300nm）を示した（図15）。 製品の粒子サイズに対する作業条件の効果を研究するため、圧力 を100から150barに上昇させ、そして温度を70から50℃に下げた。ノズル形態、 流体流速及び溶液濃度は一定のままとした。微細なさらさらした粉末の製品は、 SEMで調べると、約300nmから約1000nmへの平均粒径の上昇を示した（図16）。0. 25ｇ／cm³(100bar)70℃）から0.71g／cm³(150bar、50℃)の超臨界CO₂の密度の上 昇はその線形速度の低下、それ故溶液の分散度の低下をもたらした。しかしなが ら、我々はこの解釈に拘束されるわけではない。実施例５ 実施例２の装置を利用し、0.2％ｗ／ｖのポリスチレンのトルエン溶液を内部 通路61に0.2ml／minで導入した。超臨界CO₂を通路60及び62に18ml／minで導入し た。粒子形成容器(Keystone、125ml)を100bar及び35℃で保った。 実験の終了時に微細な白色粉末を回収し、そしてスクリューキャップボトルに 保存した。SEM顕微鏡写真は平均直径約300nmの非常に均一な球形粒子を示した（ 図17）。実施例６ 本実験においては、ポリスチレン溶液を実施例３の装置の中に導入した。この 溶液濃度は0.2％ｗ／ｖのトルエンとし、そして通路50に0.2ml／minの流速で導 入した。超臨界CO₂(流速18ml／min)を150bar及び35℃に保った。粒子形成容器(1 25ml、Keystone)にノズル通路51及び52を介して導入した。 微細でふわふわとし、さらさらとした白色粉末製品を実験終了時に回収し、そ してスクリューキャップボトルに保存した。 この製品の平均粒径はSEMにより調べると約500nmであった（図18）。 上記の実施例は有機及び無機、モノマー及びポリマーの様々な製品を作るため の本発明の方法及び装置の有効利用を実証する。いず れの場合も、製品は非常に所望される粒子特性を有する。実施例７ サマリウムは電子デバイスのための軟質永久磁石の製造において、更にはセラ ミック製品において利用される稀土類金属である。本実験においては、その酢酸 塩の粒子を製造した。 0.2gの酢酸サマリウムを２mlの脱イオン水及び20mlのメタノールに溶かし、そ して実施例３の装置に0.2ml／minの流速で導入した。２本の対立超臨界CO₂フロ ーをそれぞれ18ml／minで同様にノズルに導入した。125mlのKeystone容器内の圧 力及び温度はそれぞれ150bar及び50℃に保った。実験の終了時に、微細なふわふ わとした白色粉末を回収し、そして水分から隔離して保存した。 製品のSEM顕微鏡写真（図19参照）は丸い形状の弱い凝集物を示し、個々の粒 子の平均直径は約200nmであった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，Ｍ Ｗ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ， ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，Ｅ Ｓ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＧＷ，ＨＵ，ＩＤ ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ， ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，Ｍ Ｇ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ， ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，Ｖ Ｎ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 ヨーク，ピーター イギリス国，ウエスト ヨークシャー エ ルエス29 ９ピーアール，イルクリー，パ リッシュ ギル ドライブ 47

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 1. 物質の粒子を形成するための方法であって、（ａ）温度及び圧力の管理さ れた粒子形成チャンバーの中に第一超臨界流体とビヒクル中の当該物質の溶液又 は懸濁物とを導入し；（ｂ）同時に、当該粒子形成チャンバーの中に第二超臨界 流体の衝突フローを前記第一超臨界流体のフロー方向に対して斜め方向に、且つ それに向けて導入し；そして（ｃ）前記第一及び第二超臨界流体の一方又は双方 を用い、実質的に同時に、且つ実質的に前記粒子形成チャンバーの中への当該流 体の導入の直後に、前記溶液又は懸濁物を分散させ、且つ前記ビヒクルをその溶 液又は懸濁物から抽出する；ことを含んで成る方法。 2. 前記第一及び第二超臨界流体フローが実質的に互いに対して対立方向に向 けられている、請求項１記載の方法。 3. 前記第一超臨界流体のフロー方向と前記溶液又は懸濁物のフロー方向が実 質的に平行である、先の請求項のいずれか１項記載の方法。 4. 前記第一超臨界流体のフロー方向と前記溶液又は懸濁物のフロー方向が同 軸上にある、請求項３記載の方法。 5. 前記溶液又は懸濁物を前記第一超臨界流体のフローに対して斜め方向で導 入する、請求項１又は２記載の方法。 6. 前記第一及び第二超臨界流体が同じものである、先の請求項のいずれか１ 項記載の方法。 7. 前記溶液／懸濁物の流速、対、各超臨界流体の流速の比が0.001〜0.2であ る、先の請求項のいずれか１項記載の方法。 8. 前記粒子形成チャンバー内での粒子形成後のその回収を更に包括する、先 の請求項のいずれか１項記載の方法。 9. 実質的に連続式に実施する、先の請求項のいずれか１項記載の方法。 10．物質の粒子形成の方法において利用するための装置であって、粒子形成チ ャンバー；当該チャンバー内の温度を所望のレベルに管理するための手段；当該 チャンバー内の圧力を所望のレベルに管理するための手段；第一超臨界流体及び ビヒクル中の注目の物質の溶液又は懸濁物を当該チャンバーに導入するための第 一流体入口手段；並びに第二超臨界流体の衝突フローを、前記第一超臨界流体フ ローに対して斜め方向で、且つそれに向けて同時に導入するための第二流体入口 手段；を含んで成り、ここで当該装置は前記溶液又は懸濁物の分散と、前記ビヒ クルの抽出とが２つの超臨界流体の一方又は双方の作用により、実質的に同時に 、且つ実質的に前記粒子形成チャンバーへの当該流体の導入の直後に起こること を可能にする装置。 11．前記第一流体入口手段が前記第一超臨界流体及び前記溶液又は懸濁物の実 質的に平行方向での同時導入を可能にする、請求項10記載の装置。 12．前記第一流体入口手段が前記第一超臨界流体及び前記溶液又は懸濁物の同 軸上での同時導入を可能にする、請求項11記載の装置。 13．前記第二流体入口手段が前記第二超臨界流体の、前記第一超臨界流体のフ ロー方向に対して実質的に対立する方向での導入を可能にする、請求項10〜12の いずれか１項記載の装置。 14．前記第一及び第二流体入口手段が第一及び第二ノズルをそれぞれ含んで成 る、請求項10〜13のいずれか１項記載の装置。 15．前記第一流体入口手段が２個のノズルを含んで成り、一方は前記第一超臨 界流体の導入のためであり、そして他方は前記溶液又 は懸濁物の導入のためであり、互いに対して適正な角度で配置されている、請求 項10〜14のいずれか１項記載の装置。 16．前記第一及び第二流体入口手段が共に、全ての流体を前記粒子形成チャン バーに導入するために利用する単独流体入口アセンブリの一部を構成している、 請求項10〜15のいずれか１項記載の装置。 17．前記流体入口アセンブリが： ａ）２本以上の同軸通路を有する一次ノズル、これを介して前記第一超臨界流 体のフロー及び前記溶液又は懸濁物のフローが導入されうる；並びに ｂ）前記一次ノズル通路に対して斜め方向の少なくとも１本の通路を有する二 次ノズル、その二次ノズル通路を介して前記第二超臨界流体のフローが導入され うる；こで当該一次及び二次ノズル通路の出口は、二次ノズルを通過する超臨界 流体が一次ノズルを通過する超臨界流体に衝突することができるように配置され ている、 請求項16記載の装置。 18．前記二次ノズル通路が前記一次ノズル通路と同軸上にあるが、対立方向を 向いており、これにより当該二次ノズル通路の出口端が当該一次ノズル通路の出 口端と対面している、請求項17記載の装置。 19．前記一次ノズル通路が、少なくとも一の流体が他の流体と接触する直前に 事前膜形成できるタイプのものである、請求項17又は18記載の装置。 20．前記一次ノズルの内部通路の出口が１又は複数の周囲外部通路の上流又は 下流にある、請求項17〜19のいずれか１項記載の装置。 21．前記二次ノズルが２本以上の同軸通路を含んで成る、請求項 17〜20のいずれか１項記載の装置。 22．前記二次ノズル通路が、少なくとも一の流体が他の流体と接触する直前に 事前膜形成できるタイプのものである、請求項21記載の装置。 23．前記流体入口アセンブリが前記第一と第二ノズル出口との間に位置する中 間チャンバーを含んで成り、そのチャンバー内で流体が出会い、そして相互作用 できうる、請求項17〜22のいずれか１項記載の装置。 24．前記中間チャンバーが流体及び／又はそれから形成される粒子を流体が出 会う地点から遠ざける形状となっている、請求項23記載の装置。 25．前記中間チャンバーが前記第一及び第二ノズル通路に対してほぼ垂直方向 にあり、そして使用の際、下方向を向いており、重力が粒状製品のノズル出口領 域からの移動に寄与できるようになっている、請求項23又は24記載の装置。 26．本明細書及び図面に記載の物質の粒子の形成のための方法。 27．本明細書及び図面に記載の物質の粒子の形成の方法に使用する装置。 28．請求項17〜25又は27のいずれか１項記載の装置において利用するための流 体入口アセンブリ。 29．請求項１〜９もしくは26のいずれか１項記載の方法及び／又は請求項10〜 25もしくは27のいずれか１項記載の装置を利用して形成した粒状製品。