JP2001502109A - 微小放電などの電磁波ノイズを補償した電気導体及び電気回路の製造方法と、それらの導体及び回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、回路自体から生ずるものを含む電磁波妨害が打ち消される導体または電気回路を製造する方法に関する。それは、電気回路への導体（１）の外面を導体（１）の静電位に近い静電位に維持するための、および界面微小放電妨害現象をなくすために不安定な放電電流を吸収するための単位長さ当りの抵抗率を有する半導体物質（２）を付着することにある。本発明は高忠実度装置、家庭用オートメーション、および計装の分野に応用できる。

Description

【発明の詳細な説明】 微小放電などの電磁波ノイズを補償した電気導体及び 電気回路の製造方法と、それらの導体及び回路 本発明は、微小放電などの電磁波ノイズを補償した電気導体及び電気回路の製 造方法と、この方法によって得られる導体及び回路に関する。 電気信号の処理、その後の電気信号の記憶や、人の生理的受容器によって直接 知覚される感覚現象への電気信号の変換の分野において、それらの感覚現象の再 生およびしたがって知覚を改善する目的で、処理に起因する各変換の後で信号対 雑音比を維持し実際には向上させるために、現在まで数多くの研究が行われてき ている。 そのような関心は、音の再生などの感覚現象という単一分野に一層特化するも のではなくて、電気信号の形成、伝送、蓄積、およびこの目的にとくに適合する 電子的または電気的トランスデューサによるそれらの使用という、はるかに広い 分野においても現れている。 高い忠実度の技術における音声の形成、処理、蓄積およびその後の再生の分野 、とくにハイファイ(HiFi)の分野、に具体的に関して、とくに詳しい何人かのオ ーディオ愛好聴取者が、１９７０年から、電力増幅器−ラウドスピーカまたはス ピーカシステム(enceintes acoustique)接続ケーブルの性質にしたがってハイフ ァイ装置の間で音質の知覚できる変化を検出できることに気が付き、そのことを 報告した。 さらに、何人かは、彼等の意見では、たとえば、電力増幅器の、または前置増 幅器でさえの入力端子におけるディスクプレイヤー、レコードディスク(disque de modulation）を取り替えた時に、音質のなお大きな知覚し得る違いに注目す ることをためらわなかった。 著名な物理学者達によって行われた迅速な研究によって、それらのワイヤや接 続ケーブルのほとんどの抵抗のオームで表した抵抗値が、スピーカやスピーカシ ステムのインピーダンスより非常に低いこと、増幅器や前置増幅器の入力インピ ーダンスについてもなおさらそうであること、および、したがってそのような可 変性によってここで扱っている特性が現れることが、正しく示された。 電気伝送線理論を基にしたより完全な研究によって、伝送およびしたがってそ れらの信号の再生に、すなわち、実際に、信号源から発生されまたは無線空間内 に放射された信号の全てに影響を及ぼし勝ちである集中特性または分布特性の全 てを考慮に入れることが可能にされた。 増幅器−スピーカ接続のために、図１ａに示すように、等価回路図を、 − ケーブルの幾何学的寸法と電気絶縁体の性質との関数である導体の間の容 量Ｃ、 − 導体を流れる電流によって発生した磁界に対応する２つの成分Ｌ／２に分 割されたインダクタンスＬ、 − 導体の表面における表皮効果とそれらの導体の近接効果とに起因する抵抗 部分と誘導（インダクティブ）部分を有する各導体についての内部インピーダン スＺｉ、 とに還元することができる。 表皮効果すなわちケルビン(Kelvin)効果については、この現象は、図１ｂに示 すように、交流においては周波数とともに電流密度が導体の中心で低くなり、周 辺部で高くなることを特徴とするものであることが思い出される。 この現象に対しては、メートルで表した浸透深さδが式、 によって与えられる。ここに、 ρはΩ×ｍで表わした導体の抵抗率を示し、 μ₀＝４π１０^-7は真空の透磁率を示し、 ｆはＨｚで表わした伝送される信号の周波数を示す。 この現象を考慮に入れると、導体の実際の導電表面の減少のために、指定され た性質の導体半径ｒと結びついた遮断周波数ｆｃを定めることが可能である。ここに、 Ｋ＝１．９１０８５２であり、 ｒは導体の半径を示し、 ρおよびμ₀は先に定義した。 ｆｃを伝送するための最高周波数に対する導体の最大直径は によって与えられる。 したがって、銅については、ｆｃ＝２０ｋＨｚ、ｒ＝０．６２３ｍｍ、すなわ ち、φ＝２ｒ＝１．２５ｍｍが得られる。浸透深さは、 ｆ Ｈｚ δｍｍ １０ ２０．６ １００ ６．５２ １０００ ２．０６ １０ｋＨｚ ０．６５ １００ｋＨｚ ０．２０６ によって与えられる。 それらの結果は、この深さが伝送される信号の周波数の関数として大幅に変化 し、オーディオ周波数の範囲では正確であることを示す。したがって、ハイファ イ技術に関する限りは、６／１０ｍｍより短いストランド(brin)直径の導体によ って変調接続（liasons de mudulation)を行うこと、および増幅器とスピーカシ ステムの間の接続を、長さの関数として断面積が１．５ｍｍ²と３ｍｍ²の間であ るケーブルを得るために平行に置かれている５／１０ないし６／１０ｍｍの、お のおのが個々に絶縁されているストランドによって行うことが推奨される。より 大きい断面積を持つウーブルのいかなる使用の唯一の実際的な効果は、低い周波 数の信号の減衰が小さく、したがって、それらの低い周波数の信号が相対的に「 上昇する」ことである。 前述現象の以外に、とくに増幅器−スピーカシステム接続ケーブルに関する限 りは、それらのケーブルば、図１ｃに示すように、近接効果を受けることがある 。この効果は、高い周波数の周期信号または疑似周期信号の伝送中に現れるだけ で あり、平行な往復導体中を流れる電流が、放射される磁束を最小にする作用を行 う。 近似計算によって、直径がφで、両者の中心軸がＤの距離だけ離れている２本 の平行な円形断面導体に対して、表皮効果と近接効果を考慮に入れて、オーディ オ周波数の場における１０ｋＨｚより高い高周波における伝送ケーブルのインピ ーダンス係数値が設定可能にされる。 Ω／ｍで表されるインピーダンス係数は式 が定められる。この式では、Ｋ，ρおよびδは表皮効果現象に関連して以前に定 義したパラメータであり、Ｐｍは各導体の周囲の長さを表す。積Ｐｍ×δは電流 かしこの寄与はＤ≫φになるやたちまち無視できる。 前の式（４）は重要である。その理由は、あやふやな結論または実務慣行とは 反対に、同じオーム抵抗値と同じφ／Ｄ比とを持つ導体が伝送される信号周波数 に従って全く同じ振舞いをする、ということを立証することをその式が可能にす るからである。したがって、オーム抵抗値特性と同じφ／Ｄ比特性とが満足でき るものであれば、導体の構成金属、すなわち、銅、金、銀、アルミニウムの性質 を選択しても、伝送される信号周波数の関数としてケーブルの振舞にどのような 影響も及ぼすことができない。達関数Γによってモデル化される場合に、スピーカシステムケーブルに適用され る伝送線理論により、増幅器−スピーカシステム伝達関数を、図１ｄに示すよう に、 の形で設定可能にできる。ここに、Ｚは導体の直列インピーダンスを表し、 タンスであり、Ｚはスピーカシステムの複素インピーダンスを示し、１は線すな わち接続の長さを示す。 オーディオ領域内の周波数で、かつ接続長さ１が１０メートルより短い場合に ここにＺはΩ／ｍで、ｚはΩで、および１はメートルで表されている。 したがって、伝送線理論は原理的に、 − どのような増幅器−スピーカシステム接続ケーブルもそれ自身のインピー ダンスに適合できること、 − このケーブルの容量を無視できること、 を示す。 以前の解析を考慮に入れると、ハイファイ装置の音質での知覚できる変化を接 続ケーブルの性質の関数として生じさせがちである唯一の現象は、表皮効果単独 あるいは近接効果を含めたものに帰されることが明らかにできる。 その後で、 − 非絶縁多ストランド導体の場合である、ストランドの間の接触現象、 − 本質的に非常に複雑な現象である、ケーブルの絶縁体におけるメモリの現 象、 などの、「補足的なもの」と通常考えられているがそれでも非常に現実的である 現象を考慮に入れて、Ｍ．ジョアネ(M．JOHANNET)によってさらなる研究が行わ れた。 図１ｅに示すように、非絶縁ストランドの間の接触現象によって、ストランド の間に僅かな電流、およびストランド中に僅かな電流が現れる。ストランドの間 の僅かな電流は、とくに低レベル信号の場合には、非線形のストランド中抵抗値 を受ける。この現象は、ストランドの界面に酸化物が存在すると強められる。こ れは、銅または脱酸素された物質の使用が有利であることを説明するものである 。 表皮効果に対処するために、直径が６／１０ｍｍより短い個々に絶縁されたス トランドを使用することにある解決策が提案されており、かつ現在用いられてい る。しかし、この解決策は、絶縁体におけるメモリ現象に関連し、金属−絶縁体 界面および絶縁体−空気界面のレベルにおける、非常に複雑な前記の現象に結び 付けられた困難をもたらす。 絶縁体のメモリ現象は知られており、１９世紀末にジャック キュリー(Jacqu es CURIE)によってとくに研究された。この現象は、起動(oriqine)電圧Ｖまで充 電された電気コンデンサのパルス放電に続く、起動電圧Ｖのいくらかの割合での コンデンサ端子への多少とも迅速な電圧復帰によって、強調できる。この現象を 説明できるようにする仮定は、充電中にコンデンサの絶縁誘電体の内部に入り込 んだ自由電子またはイオンが、放電中に完全には解放されないというものか、コ ンデンサの分子の「慣性」か、あるいはこれらの仮定の組合わせたものであるこ とを要する。コンデンサ絶縁体の極軸は、充電時には動かされるが、放電時には 最初の位置まで完全には回復しない。 この現象を抑えるために提案されている解決策は、高抵抗値によってケーブル 絶縁体に加えられた外部電圧によってケーブル絶縁体を分極することにあった。 増幅器−スピーカシステム接続ケーブル、分極ＰＴＴケーブル、および分極フラ ットライン(FLATLINE)ケーブルに適用されるそのような解決策は、オーディオ愛 好家の集まりで受け容れられるレベルの結果が認められ、郵便番号７５０１８パ リ市ミルア(Myrha)６番地所在のＡ．Ｆ．Ｄ．Ｅ．Ｒ．Ｓ．すなわちフランス l'Enregistrement et de laReproduction sonore)の基準を構成している。 しかし、この許容できかつ許容された解決策では、この望ましくない現象の物 理的本質を明らかにできなかった。分極ＨＰ ＰＴＴケーブルに関しては、非常 に小さい結果としての容量、数１０ｐＦ／ｍ、が、そのような現象をひき起こす 種類のものには見えない。同様に、１．２ｍｍを超えないそれの幅のフラットラ イン(FLATLINE)変調ケーブルが、表皮効果に関連する問題を実際にもたらすこ とはできない。そこで使用されている絶縁体、テフロン(TEFLON)、ポリテトラフ ルオロエチレンは、完全ではないが最良の電気絶縁体の１つである。 上述の解決策のほかに、エナメルを塗布されたケーブルを使用する既存の解決 策が、興味を持った人々の注目を引いた。とくに、真空管増幅器の出力トランス で使用されるそれらのケーブルは優れた作用を常に示すが、博識のオーディオ愛 好家からは目立った反応はない。それらのケーブルは、ポリウレタンワニスをベ ースとするエナメルの層を、一層または何層かで被覆された０．数ミリメートル またはそれ以上の銅導体で構成されている。 エナメル線の増幅器−ラウドスピーカ接続ケーブルに関しては、各ケーブルは ２本の独立している別々の導体から構成されている。各導体は５／１０ｍｍの撚 りエナメル線の８本ないし１６本の基本ストランドで構成されて、接続の長さの 関数として、１．５７ないし３．１４ｍｍ²の断面積をなす。表皮効果および近 接効果を最大限減少するために、各基本線は撚り内で区別されず、したがって、 撚り内で、導体の全断面積内の全ての位置を次々に占める。接続ピンへのケーブ ルの接続は、エナメルを蒸発させて、銅にスズ（錫）めっきする６００℃のスズ 浴によってプロ級の質で行われる。分極は追加のストランドによって、または伝 送すべき信号を受けないストランドの１本によって行うことができる。 変調ケーブルに関しては、最も新しい解決策は、コネクタのコアとアースを５ ／１０ｍｍのエナメル線で単に接続することである。ケーブルの容量を制限する ために、２本のエナメル線をきつく撚ることができる。１ｃｍピッチに近いピッ チを有する最適な撚りが、実現できる唯一のものである。 この種の変調ケーブルの大きな改良は、図１ｆに示すように、変調源の出力端 子に１／１のトランスを挿入し、フェライトコアを増幅器の入力端子の前のケー ブル上に挿入することで構成できる。それらのやり方によって、たとえばチュー ナまたは光ディスク（ＣＤ）プレーヤーなどの信号源から出た時に２つの導体を 同時に伝わる非常に混乱させられた同相信号を最終的に阻止することができる。 前記やり方および改良によって、分極ＨＰ ＰＴＴ分極ケーブルおよび分極フ ラットラインケーブルで得られる結果に全く驚くほど、容易に分かるように、等 しい優れた結果を得ることができる。 しかし、このようにして行われる改良の物理的性質は、同相信号阻止は別にし て、常に直ちには現れなかった。 この理由から、Ｍ．ジョアネ(M．JOHANNET)は、図１ｇに回路図が示されてい る、とくに簡単な２×１Ｗ増幅回路から始める彼の研究を再び進行するようにな った。１９９５年にフランスでオーディオフィル(Audiophile)誌第３２号に発表 されたこの増幅器の図は、専門家の集まりで半導体増幅器の本来の欠点であると 考えられている熱による歪みを減少するようにもともと考案された、集積回路お よびトランジスタを有する増幅器に関するものである。 これらの研究の唯一の目的である電気信号の伝送の問題に関しては、この増幅 器を図１ｈの回路図に簡約化することができる。１０００Ω回路と、５ｐＦから １００ｐｆまでの可変容量とによって演算増幅器ＡＯＰの動作を安定にできる。 利得が９．２である演算増幅器ＡＯＰがこの利得値では本質的に安定であるから 、この回路は重要ではない。しかし、増幅器中の飽和作用のために、この演算増 幅器ＡＯＰが付加されている。実際に、音楽的な過渡状態では、飽和すなわち過 渡的ピークを制限することは聴く人にとっては間題ではない。しかし、この飽和 は増幅器内部回路を撹乱させそうであり、そうするとその内部回路は、「でたら めな動作(aveuqle)」のために、この撹乱に続く恐らくは弱い信号を正しく処理 することができない。Ｃの値の調整は実験的に行われる。 それらの研究中の最初の試験時に、Ｍ．ジョアネによって受け容れられた値は ４７ｐＦであった。用いられたコンデンサは固定ポリスチレンコンデンサであっ た。聴取者の主観試験の結果は良好であった。高いレベルのピーク制限のどのよ うな感じも消失したが、博識のオーディオ愛好家の感覚に対しては「生きていな その後でフィリップス(PHILIPS)社によって市販されている可変テフロンコン デンサによって２回目の試験が行われた。この試験では、１次の誘電体物質、テ フロン、を用いるそのようなプロ級のコンデンサが、慎重な調整によって優れた 結果を必ず与える限りは、正しいものとして見えた。 あらゆる期待に反して、そのように構成されている増幅器からの音は、音質の 明らかな低下と音の混合感覚とによって明らかに劣化させられ、落胆させる結果 をもたらす傾向になる。 その後で、第３の対照試験が行われた。この試験は、可変テフロンコンデンサ を、電極間に絶縁体がない可変空気コンデンサで置き換えることからなる。効果 は、直接的で、増幅器の音質劣化が消失した。この新しいコンデンサを３０ｐＦ のオーダーの値まで調整することによって、元の増幅器の優れた音を再び得るこ とを可能にするばかりでなく、元の増幅器の通常の容量の出力を信号制限ピーク に耐えること、および実効２０ないし３０Ｗに少なくとも等しい電力の増幅器で 伝送および増幅される信号の主観的な印象を再び得ることを可能にするものであ る。 電気回路、または表面における容量が無視できる値である、３０ｐＦで、しか も現在使用されているより良い絶縁体の１つが設けられている導体、の破滅的な 主観的音響的振舞は、どのような場合にも、この明細書で上述した現象の１つに 帰するとすることはできない。 それらの研究によって、その後でＭ．ジョアネは、とくにコンデンサなどの電 気回路の絶縁体／導体の界面の不満足な挙動の原因を、この絶縁体／導体の界面 における双極分子、吸着された酸素、の存在と、電磁波ノイズを生ずる妨害放射 を生じさせる傾向を持つ導体−絶縁分子界面における微小な放電とであると考え るようになった。そのような発見が正しいことはこの明細書の後の方で述べるこ とにする。 本発明の目的は、微小放電によってとくにひき起こされる電磁波ノイズを補償 した導体または電気回路の製造方法である。ここで、この導電体の表面またはこ の回路の表面、あるいは、より一般的には、導体−絶縁体の界面が不可避的にシ 本発明の他の目的は、導電体または回路の表面に存在する微小放電によってと くにひき起こされる電磁波ノイズを補償した導電体または回路を使用することで ある。それらの補償された導体または回路における微小放電は著しく減衰させら れまたは解消される。 本発明の他の目的は、家庭電気製品または家庭電子機器、ハイファイ装置、お よび計装機器ならびに測定機器などの多様な技術分野において、アナログ信号ま たはデジタル信号の伝送および／または処理を行うために使用されそうな導体ま たは電気回路を使用することである。 本発明の目的である、電圧の下に導電体または電気回路に存在する微小放電に よってとくに発生される電磁波ノイズを補償したこの導電体または回路の製造方 法は、この導体またはこの回路の外部のむき出しの表面または絶縁体を被覆され た表面上に、半導体被覆物質を付着させ、この半導体被覆物質は、導電体の外面 または回路の外面が、導体の局所的な静的値に近い一定の局所的な静的値を維持 できるようにすると同時に、それらのノイズ現象によってひき起こされるランダ ムな放電電流の全てを吸収できるようにする抵抗率の値を持つという点で注目に 値する。 本発明の目的である方法および電気回路は、ハイファイ電子機器製造の分野ば かりでなく、家庭オートメーション、デジタル信号の設備、測定および伝送の分 野にも応用される。 それらは、以下の説明を読み、かつ先行技術の図１ａ〜１ｈ以外の図を参照す ることによって、より良く理解されるであろう。 図２ａは、誘電体絶縁体を有する可変コンデンサの構造を線図的に示す。 図２ｂ〜２ｄは、与えられた電気信号または電子信号からの電圧を受けている 電気回路またはケーブルの絶縁誘電体物質／導体の界面に常に存在する双極分子 の挙動を示す。 図２ｅは、断面が円形である２つの平行線形導体の間に存在する容量結合の等 価回路図を示す。 図３ａは、本発明の目的である方法の実行を図解する図を示す。 図３ｂは、本発明の目的である方法の実行の第１の変更例を例示的に示す。 図３ｃは、パッケージ後に半導体物質が液状またはゲル状で使用される場合に おける、本発明の目的である方法の実行の第２の変更例を例示的やり方で示す。 図３ｄは、液状またはゲル状半導体物質がフェロ流体(ferrofluide)に類似の 強磁性特性を有する場合における、本発明の目的である方法の特定の実施形態を 示す。 図４ａ、図４ｂおよび図４ｃは、本発明に基づく方法を実施することによって 得られた導体または回路を、斜視図としてまたは長手方向対称面に沿う断面図と して示す。 図５ａおよび図５ｂは、導電体の絶縁体金属界面における微小放電現象のモデ ルの線図を示す。 図５ｃ〜５ｆは、それらの微小放電現象のタイミング図を示す。 図６ａは、本発明の目的に従って、むき出しの導電部分の上に絶縁体で被覆さ れ、その後、液状半導体物質中にパッケージされた電子回路の図を示す。 図６ｂは、強磁性特性を備えている半導体物質で磁気閉じ込めをされている高 周波ラウドスピーカの断面図である。 本発明の目的に従って電磁波ノイズが補償されている導体または電気回路の製 造方法についての説明の前に、発明者であるＭ．ジョアネによって行われた観察 および発見についての理論的な正当化を図２ａないし図２ｅに関連して行うこと にする。 この正当化は図１ｇと図１ｈに示され、かつ説明で前に述べた増幅器について 行われた研究を基にしている。 図２ａを参照して、最初に、調整可能なテフロン（ポリテトラフルオロエチレ ン）コンデンサが、前述の図でＳＦおよびＳＭでそれぞれ示されている、交互に 固定されているセクタと可動のセクタとのスタックから構成されていることが思 い出される。引き続く各セクタの間に、テフロン絶縁シートＦＩが挿入されてい る。 実際に、一般に受け容れられている見方とは逆に、絶縁表面と導電表面は露出 しておらず、吸着または村着した空気の層で被覆されている。 より正確には、空気に露出されている固定セクタＳＦと可動ＳＭの金属表面は 、吸着酸素の単分子層でほとんど即座に被覆されるようになる。空気分子以外に 、窒素、二酸化炭素ＣＯ₂、または水蒸気Ｈ₂Ｏなどの分子が、導電表面に接触し ていることを見出だすことができる。 しかし、それらの分子のうちで、少なくとも２つ、すなわち酸素と水蒸気が、 電界の作用の下に分極作用を受けることがある。 コンデンサ電極に、すなわち固定セクタと可動セクタの金属表面に接触してい る上記分子が、その後、これらの電極に加えられている電圧の作用の下に分極し 、もちろんある遅れで極性を変化する。上記分子は、実際には、逆電圧の作用の 下に逆転(basculement)を受け、最終的に再配置する。その逆電圧はもちろん、 楽音から伝送されるオーディオ信号でしばしば発生される。 そのような過程は、上述したポリテトラフルオロエチレンにより被覆された可 変コンデンサのとくに有害な影響を説明するものである。全く、逆反作用ループ 内に、すなわち図１ｈに示されている１００Ωコレクタ回路および可変容量５〜 １００ｐＦからなるループ内に遅延が導入されることによって、増幅器の出力端 子に、明らかに聞こえる分裂を生じそうである。 上述した寄生分極現象は、これらの導体の表面における微小放電に関連してい ること、この種の界面微小放電の発生より前にあるいは発生時に放射された電磁 波ノイズのために、それらの微小放電が現象を悪化できることも示されている。 この微小放電現象については後で説明する。 以前の議論に対する最初の異議は、酸素分子およびとくに水蒸気も空気コンデ ンサ中に存在することを指摘することにある。 実際には、空気コンデンサの場合には、導体の表面すなわち可動セクタＳＭお よび固定セクタＳＦの表面における電界が、誘電体物質が存在しないために、は るかに弱い。一方、誘電体物質が付加されたコンデンサの場合には、この電界は 、知られているように、空気に対する誘電体の比誘電率の値が乗ぜられたものと なる。実際に、また非常に高い品質のポリテトラフルオロエチレン誘電体物質の ために、導体の表面すなわち固定セクタと可動セクタの表面における電界は、空 気コンデンサの場合におけるものよりはるかに強い。さらに、絶縁体が分子を損 なわないという事実を考えると、吸着現象は永久的であり、したがって、それら の分子の移動度は高く、そうすると逆反作用ループのために導入される遅延は非 常に小さい。それは、空気コンデンサのほとんど完全な挙動を説明するものであ る。 絶縁体が弱く付着している絶縁層で被覆されているケーブルなどの導電体の場 合には、同じ現象を観察でき、それを図２ａないし図２ｄを参照して説明する。 上述した図には、上述したケーブルの長手方向対称面に沿う断面で、たとえば 銅の中心導体Ｃと絶縁層Ｉが示されている。絶縁体は、たとえばＰＴＦＥまたは ＰＶＣなどの物質の層とすることができる。 図２ｂに示すように、上記の双極分子ＭＤが導体Ｃの表面に存在し、吸着現象 は、いわば凍結されたか、絶縁層Ｉの存在という事実のために少なくとも弱めら れる。吸着された双極分子は、どのような場合にも、絶縁体Ｉが存在していると いうまさにその理由で、導体Ｃの表面層から除去できない。 図２ｃに示すように、たとえばオーディオ信号などの信号の伝送中に存在する 電圧の作用の下に、双極分子ＭＤは導体Ｃと絶縁体Ｉとの間に存在する分極電界 接結び付けられている配向にされ、かつ伝送されている信号の瞬時極性の作用を 受ける。 図２ｄに示すように、伝送されている信号の極性の変化中は、導体Ｃと絶縁体 Ｉとの間に存在する分極電界によって発生された静電力を平衡させるために、双 極分子ＭＤは異なる位置へ戻る。このプロセスは、微小放電を伴う。 位置または向きの上述した変化が、ある慣性をもって生じるという事実のため に、非常に弱いものではあっても、この慣性は伝送されるオーディオ信号の伝搬 条件にある遅延を生じさせる。この遅延はよく聞こえるエコー効果をひき起こす 。 上述の正当化は、もちろん本質的に定性的のように見える。しかし、分極可能 な分子の付加による導体と絶縁体との間の接触現象はいぜんとして非常に少しし か知られていないことが示されている。示すための例として、良く研究されてお よそ１００年にわたってブランリー(Branly)効果として知られてきた現象が、今 日まで、明確な説明をされなかったが、それは最初に絶縁された金属ストランド の間の接触現象に関するものであることが、確実に知られている。 ２本の平行円筒導体、たとえばＣＡとＣＢによって構成された接続ケーブルに 対して、図２ｅに示すように、上述の現象の巨視的レベルにおけるモデル化を行 うことができる。この接続ケーブルは、先にこの明細書中で述べた変調ケーブル に対応させることができる。 図２ｅに示すモデルでは、 − Ｃ₀は、金属−絶縁体界面における等価容量を表し、 − Ｃ₁は、近接している導体間の容量を表し、 − Ｃ₂は、導体と接地との間の容量、すなわち装置中で環境に対して絶縁さ れている各導体の容量である。 導体ＣＡとＣＢの間に印加された電圧Ｅに対して、取り出される電流は式 を有する。 図２ｅで提案されているモデルでは、金属−絶縁体界面に起因する容量である 容量Ｃ₀が、図２ｂないし図２ｄに関連して先に説明した双極分子の向きおよび 動き現象を受ける不完全な容量を実際に表すことが指摘される。 前の解析を考察すると、発明者Ｍ．ジョアネによって行われた観察および発見 のとくに顕著な面によれば、音質すなわち対応する接続ケーブルからの信号の伝 送品質に対して、制御されない有害な影響をもちろん及ぼすことがあるこのコン デンサＣ₀の影響を小さくするために、以前の解析は時機にかなっているようで ある。 最初に受け容れられた解決策では、推奨されたやり方は、上述の容量Ｃ₀の影 響をできる限り大きく減少することにあった。 この影響の減少は、光ディスクプレイヤーからなる信号源と図１ｇおよび図１ ｈに示される１Ｗ増幅器との間の変調ケーブルを構成する接続ケーブルの製作に 適用される２つの相補的なやり方で構成されていた。 このやり方は、一方では、 − 明細書中で先に述べたエナメル線の品質のために、この部品の性質が、以 前の研究に従って容量Ｃ₀の値を最大限減少するようであるために、５／１０ｍ ｍのエナメル線を導体ごとに１本用いること、 および他方では、 − 項Ｃ₂＋２Ｃ₁、すなわち接続のバイファイラ性質に固有に存在する容量結 合の影響をできるだけ大きく減少すること、 に存していた。 第２のやり方は、導体を付近の接地部分から隔て、かつ接続の構成往復導体を 最大限離隔することにある。実際に、このようにして構成された接続は、光ディ スクプレイヤー信号源と増幅器との間の長さである、５０ｃｍの長さにわたって 、約１ないし２ｃｍ隔てられている、２本の５〜１０ｍｍのエナメル線で構成さ れていた。 得られた結果は期待にかない、他の面では全て同じであるとして、増幅器およ びラウドスピーカまたはスピーカシステムによって再生された信号は、比べよう もない明瞭さおよび自然さで現れた。 このような結果によってこの明細書で以前に述べた理論的正当化を実証でき、 もちろん、ケーブルとくに変調ケーブルに関するメモリ効果のとくに大きな有害 性の仮定を実証できるようにするブレッドボード（回路部品板）モデルを維持す る。確かに、そのようなケーブルに対して動作させられる容量は注目すべきであ る。その理由は、伝送される電圧が比較的高くて数ボルトの何分の１かであり、 一方、入力インピーダンスまたは出力インピーダンスが、ｋΩのオーダーと無視 できないからである。 増幅器−ラウドスピーカ、スピーカシステム接続ケーブルの場合には、接触し ている２つのストランドの間にこの同じメモリ効果が現れそうである。このメモ リ効果をひき起こす局所的な電位差を存在させることができ、多数の導体を平行 に置くことによって、このメモリ効果現象を表皮効果でさらに複雑にできる。 以前の研究は、とくにハイファイ機器で使用されている変調ケーブルおよび増 幅器−ラウドスピーカ接続ケーブルの挙動の理解のためには極めて貴重なもので あることが判明している。 とくに、接続ケーブルの音質のために非常に重要なポイントが明らかにされて おり、それは、導体と絶縁体との間に存在する電界を受ける気体状の双極分子の 存在である。それらは微小放電の媒体になり得る。 そのような観察は、高温でのエナメル塗布が吸着双極分子のいかなる痕跡も無 くしそうである限り、エナメルケーブルの非常に満足できる挙動を説明するもの である。 しかし、エナメル膜層を構成するために用いられる絶縁体の厚さが非常に薄い ことを考慮して、双極分子は絶縁体の表面すなわちエナメルの表面に付着しそう であり、したがって、それらの同じ双極分子が伝送される信号によって発生され る電界も受ける程度まで、その信号を損ないがちである。 この観察を考慮して、新しいやり方および新しい試験は、すでに表明された仮 定を完全に立証するために、この明細書中で上述したバイファイラ線によって接 続を構成している上述したエナメル線導体に、ワニスの表面にそれらの双極分子 が累積することを少なくとも一時的に解消しそうである静電気防止型化学品を通 すことにあった。 そうすると得られた結果は直接で、改善は、主観的ではあるが、眼を見張らせ るものである。この改善は、維持された低い周波数の領域にとくに進む。その周 波数の損失は非常に後まで持続するようであり、一方、適度な周波数すなわち中 間周波数の領域は相関的によくなる。 非限定的な例として、用いられて成功した静電気防止剤は次の通りであったこ とが示されている。 この後者の静電気防止剤に関しては、グラファイト導電層の付着に続いて試験 が行われ、その後にワイピングが行われ、層は非常に薄いままでなければならな いことが示されている。 実験によって、上述した静電気防止剤の塗布は間隔を置くことができること、 しかし聴取を持続するためにそれらの化学品を交換することが好ましいことが示 されている。 構成ケーブルや、ハイファイ装置用の変調ケーブルまたは増幅器／ラウドスピ ーカ接続ケーブルなどのこれらの接続ケーブルの導体の処理は、限られた時間で は効果的であるが、この時間は温度および周囲の湿度の関数であり、何時間かま でに達することができる。しかし、この操作方法によって、発明者Ｍ．ジョアネ によって行われた研究、観察および発見の全てを立証できるようにされる。 本発明の目的に従って、微小放電によってとくに発生される電磁波ノイズが補 償され、静電気防止剤による処理によって得られる結果とほぼ同じ永久的な結果 を得ることを可能にできる、導体または電気回路の製造方法を図３ａおよびその 後の図を参照して以下に説明する。 一般的なやり方で、電気ケーブルの絶縁体／導体界面に、またはエナメル／導 体界面すなわちエナメルを付着された導体の絶縁体−空気に存在する双極分子分 極の現象を、もちろん回路のレベルで強調できることが示されている。これらの 回路は、１つまたはいくつかの指定された機能の範囲内で配置されている導体の 異なる組立体のみである。 そのために、本発明の目的である方法を、オーディオ信号などの信号またはそ の他の信号の伝送をできるようにする導体または電気的接続ケーブルを製造する 方法ばかりでなく、とくに微小放電現象および／または双極分子分極現象によっ て発生する電磁波ノイズを補償した電気回路の製造の範囲内でもしたがって使用 できることが示されている。 非限定的な例として、電磁波ノイズを補償した導電体の製造の範囲内において 、本発明の目的である方法が、一般的な目的のために説明されることが示されて いる。導体という概念は、上述したように、説明した理由から回路という概念を 包含するものである。 たとえば図３ａに示すように、非限定的な例として、本発明の目的である方法 は、導体１または回路の外表面に、半導体物質２の被覆を付着せしめることにあ る。この半導体物質は、導体１または回路の外面を導体１の静電位に近い一定の 値の静電位に維持すること、および妨害現象によってひき起こされるランダムな 放電電流の全てを吸収することとを同時にできるようにする抵抗率の値を有する 。純粋に例示的な例として、図３ａに示すように、たとえば円筒形の銅線である 導体１が、タンクおよびノズルによって象徴的に示されエアロゾルまたは粉末状 製品を含み手動または自動的に操作される吹き付け機に向き合って、導体１の軸 線に対して直進運動Ｄｅｐと同時の回転運動Ｒｏｔを受けることができることが 有 利であることが示されている。 もちろん、このような実施形態では、導体をノズルの前で動かすすなわち進ま せる速さと、回転の速さとが、導体１の全体を覆う厚さがほぼ数μｍのほぼ均質 なスリーブ２を構成するよ、うなやり方に適合されたやり方で計算されることが 、示されている。 使用される半導体物質に関しては、半導体という概念が、電気を不完全に通し 、かつ抵抗率が温度上昇とともに低下する非金属物質に対する用語で表されるこ とが、指摘されている。この定義は、ラルース大辞典(Grand Dictionnaire LARO USSE)１９８２年版、９４７８ページによって与えられているものなどの半導体 の定義に相当する。 もちろん、導体１または回路の外表面に半導体物質２の被覆の付着させるため に行われる作業方法は、吹き付けに限定されるものではない。他方、たとえば図 ３ｂに示すように、上述の図３ｂの段階ａ）において、好ましくは導体１の外面 への含浸を達成するために、たとえば半導体物質の浴内に導体１または回路を浸 すのと全く同じように、この同じ半導体物質の浴内に浸すなどのその他の作業を 使用できる。浸す時間は、浴内の半導体製品の構成分子がそれ自体で導体１の導 電面のレベルにおいて吸着できるようなやり方で定められている。 さらに、かつ図３ａに示すように、半導体物質の粉末状液体またはエアロゾル の吹き付けなどのその他の作業を使用できることが理解される。 あらゆる場合に、図３ｂの点ｂ）に示すように、各作業の後には半導体物質の 安定化操作が続くことが好ましい。 安定化操作の後でこのようにして得られた半導体物質スリーブ２は、液体また は固体であることができ、あるいは必要が生ずればゲル状にできる。 図３ｂに例示的なやり方で示すように、半導体物質２が、安定化操作の後で固 体またはゲル状であると、上述した安定化操作は調整された乾燥作業で構成でき る。 性質と使用した半導体製品との関数として、半導体物質２の層または必要があ れば半導体物質２の２つの層またはいくつかの層の付着に続いて、乾燥を、開放 空気中ですなわち周囲温度で各付着の間の２時間にわたって、またはそれとは逆 に、作業を加速するために調整された雰囲気中ですなわち炉内で、行うことがで きる。それのスリーブすなわち半導体物質２の層が付着された導体１は、たとえ ば６０℃の程度の温度に加熱されている外囲器内に１時間置かれる。 次に、本発明の目的であるこの方法の実効の実施形態のより具体的な例を、特 定の半導体製品の場合について以下に説明する。以下に説明するこの方法の実施 いて実施された。代わりの例として、ＤＳＭ社によってオランダで製造販売され ている真性ポリマー導体ベースすなわちポリピロールを含み、水中で混合できる 被覆がある。フランスで出版されたIndustrie et Technique誌第７６１号を Electronique社によって供給されているコロイド状のグラファイトを使用できる 。 この操作方法は、たとえば撚られていない５／１０ｍｍのエナメル線によって 構成されている変調ケーブルを被覆することであった。各往復導体は、このワニ スの層により数μｍのオーダーで被覆されている。図２ｅに示されている実験条 件内で信号源と増幅器とを接続するために約１ｃｍの間隔で隔てられている導体 によって、信号源によっで供給された信号の伝送の非常に注目すべき、直接かつ 永続きする改善を達成できた。 増幅器の出力端子とラウドスピーカまたはスピーカシステムとの間の接続ケー ブルに対して同様の操作を行った。接続ケーブルは、５／１０ｍｍの撚りエナメ ル線導体で構成されていた。数ミクロン厚さの層を構成するために、その接続ケ ーブルに同様の吹き付けを行った。 ワニスの形の半導体物質のこのような層の付着は、主観的な背景雑音がほとん ど完全に消失することを特徴とする、とくに眼を見張るような結果を与えた。 このようにして処理された変調ケーブルと、増幅器とスピーカーの間の接続ケ ーブルとの組合わせはとくに印象的である。これらのケーブルは、エナメル線導 体で構成され、前記した諸条件で半導体ワニスを含浸させられている。 主観的な性質のものではあるが、音の柔らかさと、歪みおよび背景雑音がない ことと、伝送された信号の相関性が失われることなしに微小信号の分析というと くに注目すべき印象によって知覚が特徴付けられることが示されている。知覚と いう観点からは、経験された知覚が、信号源によって再生される記憶媒体の異な る内容の発見の知覚であることが示されている。 しかし、本発明の目的であるこの方法の上述した実施化は、接続ケーブル、変 調ケーブルおよび増幅器−ラウドスピーカ接続ケーブルに対してなされた処理の 寿命を延ばすために、下記の対策を守ることが好ましかったことを示している。 − たとえばパレットミキサーによって製品を完全に混合すること、 − おそらくアルコールで希釈された第１の薄い層を付着させること、 − 第１の層を乾燥した後で、すなわち第１の層の付着の少な＜とも３０分後 に、第２の層を付着させること。 考察および引き続く研究の後、得られた結果の質は、 − 導電体に付着させた半導体物質の最適抵抗率についての研究、 − 半導体物質と、信号を伝える導体の導電部との間またはそれらの導電部を 被覆する絶縁ワニスとの間での密接なほとんど完全な接触のための研究、 に起因する。 このようにして処理された接続ケーブルに対して行われた物理的測定が、半導 体物質層が０．１Ω×ｍと１００Ω×ｍの間の抵抗率ρを有することを示した。 半導体ワニスに関連する半導体物質層の抵抗値は１０³と１０⁵Ωの間の値であっ た。 発明者であるＭ．ジョアネによって行われた上述した新たな研究、観察によっ て、Ｍ．ジョアネは、本発明の目的である方法を、完全に液状の半導体物質で出 発する、すなわちほとんど完全な密着という条件をとくに満たすためにこの明細 書においてさきに与えた定義を基づいて、実施するようにされた。 第１のアプローチでは、許容された液体は電解質液体であった。 とくに有利な許容された溶液は、適合された抵抗率を得るやり方で溶解された 塩化ナトリウムＮａＣｌを添加された水で構成されていた。 非限定的な例として、使用された溶液に対応する濃度および抵抗率は次の通り である。 濃度 ＮａＣｌ ｇ／ｌ ρΩ×ｍ ０．６ ９．１７７２ ５ １．２００５ １０ ０．６２８５ ２０ ０．３３４９ ２８ ０．２４４１ その塩分Ｓの関数として溶液の抵抗率ρの値を与える法則は、式 ρ＝５．３６７６Ｓ−^0.927 （温度２０℃） （８） を実証する。この式では、塩分はｇ／ｌで表され、抵抗率はΩ×ｍで表されてい る。 引き続く実験によって、上述した電磁波ノイズの吸収効果を最大限にするため の溶液の最適抵抗率は、ほとんど１０の値までの値ρ＝１×Ω×ｍのレベルに設 定されることが示されている。 これらの条件では、および本発明の目的である方法のとくに有利な実施形態に おいては、使用される塩溶液は、９ｇ／ｌに調整された生理的食塩水によって構 成されている。そうするとその溶液の最適抵抗率はρ＝０．７Ω×ｍである。 変更実施形態によれば、塩溶液は、濃度が１１ｇ／ｌである塩化カリウムＫＣ ｌ溶液で構成できる。この塩溶液は、正イオンと負イオンとで同じイオン移動度 であることが利点である。 あらゆる場合に、塩溶液のｐＨは７に等しいことが好ましい。さらに、抗菌お よび抗藻安定化剤を付加できる。 そのような場合には、安定化操作の後で用いられる半導体物質が必要に応じて 液体またはゲル状であると、本発明の目的である方法を下記のようにして実施で きる。それについては図３ｃを参照して説明する。本発明の目的である方法の実 施を可能にする作業方法を、たとえば増幅器−ラウドスピーカ接続ケーブルを製 造する場合において、この図を基にして説明することにする。 てフランスで市販されているＳＴ２．ＮＧという型番のエナメル線などの、５／ １０ｍｍエナメル銅線のストランド８本の形態で有利に製造することができる。 この明細書でさきに述べたように、表皮効果および近接効果を軽減するために、 それらのストランドは対として撚られる。 半導体物質溶液はたとえば生理的食塩水の形で得られ、安定化操作は、図３ｃ に示すように、まず、導体１または電気回路を確実に封止された外囲器３の中に 入れることからなる作業を行うことで構成できる。この被覆作業が図３の点ａ） に示されている。封止された外囲器３は、非限定的な例として、４／７ｍｍポリ エチレンチューブで構成できる。 そうすると、有利に、上述の被覆段階ａ）の後に、図３ｃに点ｂ）で示されて いる、成形段階ｂ）を続けることができる。この段階は、組立体をたとえばＵ形 にする段階であって、導体１の端部が封止されている外囲器３の端部を越えて通 っている。 実際の成形段階ｂ）の後に、図３ｃの点に示されている、導体１と封止されて いる外囲器３との間の隙間に塩溶液を充填する段階ｃ）が続く。図３ｃの点ｃ） に、充填が、タンクまたはピペットによる非限定的な例として例示的なやり方で 、示されている。しかし、封止されている外囲器３内に含まれている塩溶液中に 気泡が生ずることを、有利なやり方で、無くすために、そのような充填を吸い込 み操作で行うことが好ましい。 充填段階ｃ）に、図３ｃの点ｄ）に示されている、端部の封止を構成する段階 ｄ）が続く。確実に封止されている外囲器に適切な防水封止は、封止されている 外囲器３の端部を封止することを意図されているシリコーン接着剤によって行え ることが好ましい。このようにして行われた封止部を導体１の端部が通る。封止 を保護するために、各端部に置かれた取り付け部材または熱収縮スリーブによっ て端部の全体は覆われている。完全に封止するために、シリコーンジョイントの 薄い層で被覆されているポリテトラフルオロエチレンのリボンの片でチューブの 端部と導体とを囲むことを考えられる。全体は熱収縮スリーブによって保持されchauffant)によって、チューブ上でまたは自己融解熱可塑性物質カバーで行うこ とができる。 この同じ方法を変調ケーブルの製造に応用できる。その場合には、しかし、導 体１が簡単な５／１０ｍｍエナメル線であること、一方、封止されている外囲器 ３は３／６ｍｍポリエチレンチューブによって、または任意の同等のチューブに よって構成されることが指摘される。この実施形態の方法は限定的なものではな く、変調接続ケーブルの各構成導体に対して、接続の各導体１を構成するために ２本の撚りエナメル線を使用することを考えられる。 この明細書において既に述べた変調ケーブルの接続の構成のためのエナメル線 で受け容れられている固有の品質以外に、エナメルの存在によって、銅導体を塩 溶液による侵食から確実に保護できることが指摘される。それによって伝送品質 特性をほぼ永久的なやり方で保持できる。 本発明の目的である方法に従って得られた、図３ｃを参照して説明したような 、変調ケーブルおよび増幅器−ラウドスピーカ接続ケーブルを使用することは、 優れた聴取結果が得られることを可能にした。聴取の質と音色は、この明細書で 前述した半導体ワニスの抵抗率の質がそれの最適値である時に、この半導体ワニ スの吹き付けで得られるものよりもはるかに優れている。 本発明の目的である方法は、安定化段階の後では半導体物質が液体である時は 、図３ｃを参照して説明した実施形態の方法に限定されるものではない。実際、 ここで図３ｄを参照して説明するように、安定化段階の後では半導体物質が液体 またはゲル状である時は、この安定化操作は、半導体物質特性を持つ強磁性化合 物を生成するために、強磁性特性を持つ元素を半導体物質に加えることで構成で き、そうすると有利である。図３ｄには、液体またはゲル状の対応する物質を製 造するために、ＭＳＣと呼ばれる液状半導体と粉末状の強磁性物質とのパレット 混合器での混合操作によるこの方法の実施段階が、例示的なやり方で示されてい る。 さらに図３ｄに示すように、その後で、図３ｄに破線で示されている例えば層 またはスリーブを構成するために、上述の混合操作によって得られた半導体物質 特性を持つ強磁性化合物を導体Ｃの上に付着させ、それから、半導体物質特性を 持つ強磁性化合物の導体１または電気回路の外表面上への限定を確実にするため に、組立体とくに半導体物質特性を持つ強磁性化合物によって構成された半導体 ち維持されている磁界を印加する。 本発明の目的である方法は、図３ｄを参照して説明した実施形態の方法におい て、この明細書中で後で説明するように、高忠実度の分野においてラウドスピー カ自体の電磁波ノイズ補償のためのとくに有利な応用を見出し、ここでは増幅器 とラウドスピーカやスピーカシステムの間の接続の分野には応用されない。 電気回路または電気ケーブルに電圧が供給された時にとくにそれらの電気回路 またはケーブルの外面に存在する微小放電によって発生する電磁波ノイズを補償 した、これらの回路またはケーブルについて、図４ａないし図４ｄを参照して次 に説明する。これらの回路または電気ケーブルは、もちろん上述した方法の実施 によって得られたものである。 たとえば図４ａに示すように、導体や電気回路１は、それの外表面に、半導体 物質の被覆２を有する。半導体の概念については本発明の目的である方法につい ての説明の枠組みにおいて先に定義した。 一般的なやり方で、本明細書で後で説明するように、半導体物質２は導電体１ を被覆するスリーブを、または少なくとも、電気回路を被覆する層を形成すると 指摘される。半導体物質はこの電気回路または導電体の外表面を、回路または導 体１の静電位に近い一定の局所値を持つ静電位に維持できるようにすると同時に 、上述のノイズ現象によって生じたランダムな放電電流の全部を吸収できるよう にする抵抗率値を有する。半導体物質は、固体、液体あるいはゲル状であること が る製品番号８００１の半導体ワニスの蒸着によって被着した数μｍの薄い層で構 成できる。 しかし、非限定的なやり方で、好ましくは、組立体を、このようにして構成さ れた半導体物質層および組立体の保護を確実にする薄い保護シース３によって覆 うことができる。一般的なやり方で、導体１を、適切な断面の、エナメルを塗布 されたまたは塗布されなていない、銅電線で構成できることが指摘される。 図４ｂに示すような実施形態の変形では、導電体１は撚られたエナメル銅線の いくつかのストランドによって構成でき、そうすると有利である。図４ｂに示す ように、中心コアに参照番号１がつけられ、エナメルに参照番号１０がつけられ ている。 あらゆる場合に、組立体を保護するために保護シース３を付加することができ る。 最後に、半導体物質が生理的食塩水などのたとえば塩溶液である場合には、図 ４ｃに長手方向断面に沿って断面で示されている、本発明の目的である電磁波ノ イズを補償されたこの電気回路は、たとえばポリエチレンチューブで構成された 封止された外囲器３を有利に備えることができる。封止された外囲器３は電気回 路または導体１を部分的に含む。それは５／１０ｍｍのエナメル撚り電線によっ て、またはたとえば５／１０ｍｍの単線のエナメル線によって構成できる。この ようにして、電気回路１の主要部分または導電体１の主要部分は、液体状または ゲル状の半導体物質中に浸される。接続を行うことが意図される端部だけは、上 述した半導体物質中には浸されない。 さらに、図４ｃで観察されるように、封止された外囲器３の外部の接続端子４ が、浸された電気回路の主要部分に相互接続されている。 図４ｃに示すように、封止された外囲器３の各端部での封じ閉じを確実にする シーリング４０によって、接続端子４０を有利に構成できる。そのシーリング４ ０は、たとえばシリコーン充填剤(mastic)で製造されている。この組立体は、熱 収縮可能なスリーブ４１で被覆でき、たとえばバナナプラグ型の接続接点または 接続端子４２が導体１に相互接続されており、接続ピン４２は、好ましくは熱収 縮可能なスリーブ４１で取出され保持される。そのような製造方法によって、１ 次の電気信号のための、天候や伝送条件に対して良く安定している、指定された 標準長さの変調ケーブルまたは増幅器−ラウドスピーカ接続ケーブルが製造可能 にされる。 次に、本発明の目的である方法の実施と、図４ｃないし図４ｄを参照して先に 説明したように電磁波ノイズを補償した電気ケーブルおよび電気回路の構造によ って得られた結果との正当化を、本発明の目的である方法に従って補償されてい ない任意の導電体の表面に生じがちであるランダムな微小放電の現象について関 連して、以下に与える。 図５ａに示されている、むき出しであると仮定されている円筒形導電体Ｃの場 合には、そのような新たに製造された導体は、１つまたはいくつかの空気層、さ らに具体的には、金を除く金属に対して特定の親和力を持つ酸素層で、ほとんど 瞬時に被覆される。 銅という特定の場合には、酸化過程が開始する。それは数時間後に遅くなる。 したがって、酸化開始の現象によって複雑にされた、酸素、窒素または二酸化 炭素ガスあるいは水蒸気でさえなどの吸着ガスの１分子または２分子の深さの層 が、常に存在する。 そのような導体Ｃによる信号の伝送中に電位を加えると、この導体に、とくに 導体／絶縁体界面に界面微小放電と呼ばれる１群の放電現象を生ずる。 そのような現象は、高電圧線におけるコロナ効果の名で知られている現象に結 び付けることができるが、動作中の電圧の大きさの程度は非常に異なる。 界面微小放電の場合には、それらはμＶのオーダーの極めて低い電圧で起き、 導体Ｃの非常に近傍に、すなわちそれの外表面でのみ現れる。とくに、前記外表 面の平坦でないざらつきのレベルに含まれている電圧は何μＶかであるが、μｍ のオーダーのざらつきまたは粒度の距離に付加されるそれらの電位差は、メート ル当り数ボルトのオーダーの大きな局所的電界を発生しがちであることが、理解 される。 したがって、境界面微小放電の現象は、明細書でさきに述べたブランリー(Bra nky)効果に結び付けられもする。 コロナ効果からの界面微小放電現象の解析を、フランスのパリで１９７６年に Librairies Eyolle社により出版された「交流電圧におけるコロナ効果(L'effet de couronne en tension alternaive)」と題する著作において、このクラウン効 果に対してＣｌａｕｄｅ ＧＡＲＹとＭａｒｃｅｌ ＮＯＲＥＡＵによって行わ れて発表された研究を参照することによって行うことができる。 この研究のいくつかの要素を取り出して境界面微小放電現象に適用できる。 電位Ｖが加えられた半径ｒの円筒形導体に対してこの導体の表面における電界 は式 を満たす。 この式によって表される電界の値はＶ／ｍで、Ｄは付近の導体または基準電位 までの導体Ｃの距離を表し、ｒは導体表面に対する距離を表し、ｌｎは自然対数 を示す。 もちろん、電界の局所的な値は、導体上が平坦でない場合に尖端効果によって 増加できることが理解される。これは正確には、ブランリー効果を観察可能にす るやすり粉(remailles)の場合である。ダイスから生産される工業製品の導体は 、もちろん、その側面においてこの種の不平坦部が常に非常に多数存在している ことが理解される。 分子の尺度では、この電界はもちろん局所的に非常に大きいことになる。 図５ａ）の右側部分に示すように、垂直に示されている導体の表面に対する半 楕円形の形で単純にモデル化された不平坦部の場合には、電界の値は次のように 書くことができる。 この式で、 ｃは、導体Ｃの表面までの楕円の焦点の距離を表し、 ａは、同じ導体Ｃの表面に対する楕円の頂部の距離、すなわち不平坦さを表し、 ｈは、楕円の横半分寸法を表す。 楕円がもっと尖ると、したがって不平坦性が大きくなると、比ｃ／ａが低くな り、導体Ｃの表面近くの電界の値Ｅ₀に対する不平坦部の近くで発生する電界の 値の乗率がより大きくなる。 非限定的な例として、ｃ／ａ＝０．７およびｃ／ｈ＝３に対して、Ｅ_max／Ｅ₀ ＝３７．７であることが指摘される。 古典的なコロナ効果では、それらの不平坦部の頂部に加えられた電圧および信 号の極性の関数として多種の放電が現れ、それらの放電は、タウンゼント電子な だれ型、正放電、緩和周波数がたとえば１ないし１００ｋＨｚであるパルス電流 に対するトリチェ(Trichel)パルスである。これに対し、界面微小放電の場合に は、それらの放電は周囲の空気中ではもはや起こらず、導体すなわちそれの周囲 の表面に接触している薄い絶縁層内で起きる。 使用される電気ケーブルの製造方法、すなわち押し出し、接合、型の出口にお けるポリマー化に続いて、いくらかのガス状分子が、たとえば絶縁物質と導体Ｃ 自体との間に捕らえられることがある。さらに、分子の尺度では、導体Ｃの周囲 の表面における製造上の不平坦性は大きい。 むき出しの導体の場合には、上述したように、吸着分子の１つまたは２つ、実 際にはいくつかの層が常に存在する。貴金属ではない金属、とくに銅では、それ の表面層の酸化がほとんど常に起きている。 したがって、導体Ｃに直接接触しているそれらの分子層においては、誘電体が 完全に付着しているときは、吸着された周囲気体または誘電体は、局所的な誘電 体電界と考えられている界面の絶縁体金属構造の関数として、界面微小放電の現 象が起きる。 生じさせられる物理的現象は依然としてほとんど知られていないが、これらの 界面放電現象のモデル化が、図５ｂおよび図５ｃないし図５ｆに関連して提案さ れるであろう。 この明細書で述べた研究および観察に引き続いて先に述べたように関連する、 信号での聴き取ることができる劣化に導くこれらの微小放電現象は、２０Ｈｚと ２０ｋＨｚの間のオーディオ周波数スペクトラム内で撹乱を導く。 このような観察は、急峻な立ち上がりの急速放電の場合に、オーディオ周波数 帯内の繰り返し周期での再発の形で、これら放電が出現するはずであることを意 味する。これは、たとえばコロナ効果の場合におけるトリチェ(Trichel)パルス の例に対する場合である。 そうすると、界面微小放電の場合には、図５ｂに示されている図によって、界 面の構造をモデル化することが可能である。このモデル化が図５ａに関連して示 されており、このモデル化のために図５ｂで用いられている記号は、 − Ｅ（ｔ）が、電圧源、すなわち結局は伝送すべき信号または外部の電磁波 ノイズのいずれかにより、ケーブルに誘起される電圧を表し、 − Ｒは、界面の内部抵抗値を表し、 − Ｃ₁は、導体に直接接触している第１の絶縁層の容量を表す。したがって 、それはむき出しの導体の場合における空気、または絶縁されている導体に付着 されている絶縁体に関するものである。 − ｅは、容量Ｃ₁の端子における電圧が与えられたしきい値をこえて緩和現 象を開始させたときに直ちにＣ₁を短絡する火花放電間隙（スパークギャップ） である。 − Ｃ₂は、グラウンドすなわち基準電位またはアースに対する導体Ｃの容量 を表す。 組立体Ｃ₁＋ｅは、微小放電現象を界面、絶縁導体Ｃへ運ぶ。どのような仮定 用語によって呼ばれている、単なる場所の移動から微小降伏まで進む電子ジャン プに対応する、直列または並列に接続されている数多くの結合Ｃ₁＋ｅが実際に 存在する。 しかし、数多くのシミュレーションが、図５ｃないし図５ｆに示されている重 要な結果を供給する。 図５ｃに示すように、周波数が１ｋＨｚの純正弦波電圧によって構成されてい る電源電圧Ｅ（ｔ）に対して、正信号においては負信号におけるものより２倍の 大きさの仮定された降伏電圧に対するために、火花放電間隙ｅが存在する中での コンデンサＣ₁の端子における電圧が図５ｃに示されている。 回路の全体における電流は、図５ｄに示すように、火花放電間隙ｅによってひ き起こされた引き続く降伏によっては、全体的にはほとんど影響を受けないよう である。 図５ｂに示されている電流の正および負の頂点のそれぞれの図５ｅと図５ｆに 示される拡大図は、微小放電によるこの電流の撹乱を示す。負の頂点に対して変 動の周波数は最高に現れるが、それらの変動の振幅は小さく現れる。 図５ｂに示されている上述したモデル化によって、図５ｄから図５ｆまで、得 られる結果に対する下記の解釈を提供することが可能にされる。 − 微小放電に結び付けられた変動が、局所的に一定な周波数のパルス列の形 で現れる。それらのパルスの繰り返し周波数はオーディオ周波数スペクトラム内 に入りがちである。 − 微小放電は、別々に非常に短く現れ、このため標準的な機器を用いた場合 、本当には検出できない。上述した繰り返し周波数のみが知覚可能である。 − この繰り返し周波数は、下記のパラメータの関数として変化する。 − 放電回路の内部抵抗値、 − 降伏しきい値、 − 信号極性、 − 降伏容量Ｃ₁の値、 − 対地容量Ｃ₂の値、 すなわち、金属／絶縁体界面の物理的および幾何学的パラメータの組に従う。 − 振幅が一定である純粋の正弦波信号に対しては、全ての微小放電が、オー ディオ周波数スペクトラム中のたかだか１本の線、および必要が生ずれば、追加 の２本の線、で生ずる。それらの追加の２本の線は雑音中に大変しばしば埋もれ る。周波数スペクトラムが広く、かつ信号に強く相関させられている追加の線の 出現で常に変化させられているような音楽信号は、それはもはや同じ音楽信号で はない。そうすると、そのような追加の線は完全に知覚できるやり方で、すなわ ち聴き取ることができる。他方、それらの線は、しかし旧式の測定によっては検 出が非常に困難である。 − 各微小放電に、すなわち各微小降伏ごとに、または以前の状態への復帰中 に、双極分子の分極化に対してこの明細書中で先に述べたものに匹敵する遅延が おそらく伴うことがある。この遅延は、放出される追加の線のスペクトルを変更 しないが、追加の複雑な現象をひき起こす。 − 繰り返し周期がτである線のスペクトラムに対しては、繰り返し周期に適 用されるラプラス変換は、１／１−ｅｘｐ（−τｐ）の形である。その結果とし て、開放（オープン）伝送線の連続スペクトラム＋線スペクトラム群に類似する 連続スペクトラム＋線スペクトラム群が生ずる。それは、音楽の質に関する場合 に多数回非難される遅延またはエコー現象の場合にまで煮詰めることを可能にす る。 − 界面微小放電によって発生したノイズ電圧は非常に急激で、したがって非 常に迅速に減衰させられる。この理由から、それらは放射または容量性誘導によ って局所的なただし疑いようもない影響を与えるだけであるが、それに反して、 導体Ｃを流れる電流の強さに全体的な影響を与える。 しかし、絶縁ケーブル中の上述した導体／絶縁体界面における特定の伝搬モー ドの存在に注目する必要がある。この伝搬モードはマックスウエルの方程式の特 定の解に対応する。したがって、標準絶縁導体Ｃにおける界面微小放電によって 発生した放射のこの伝搬モードに従う伝搬は除外できる。 図５ｂで提案されているモデル化と図５ｃないし図５ｆに表されているシミュ レーションとによって示されている導体／絶縁体界面における微小放電の問題と 、本発明の目的である方法の実施のために受け容れられた解決策と、対応する電 磁波ノイズを補償され、微小放電現象からと双極分子の向きに結び付けられてい る絶縁体メモリ現象とから保護されることが可能なケーブルの製造とは、下記の 理由から正当化されるように見える。 本発明の目的である方法に従う半導体物質の層は、それらの微小放電が局所的 な導体とそのじかに接触している環境との等電位を生ずることを避けることを可 能にする。 シールドに類似する、導体の電位にある導電体スクリーンなどのスクリーンを 考えることは、問題を単に先送りすることである。その理由は、微小放電がこの スクリーンの表面にそれ自身で現れるためである。 実際に半導体スクリーンを使用することにある、本発明の目的に従う、推奨さ れる解決策は、この半導体スクリーンが、 − 実効静電位を生ずるために十分に導電性であり、 − 上述した界面微小放電によって発生されやすい電流、それらの電流は導体 Ｃ内を横または縦に流れる電流である、を打ち消すために十分に抵抗性である、 限り、正当化される。 上述した半導体スクリーンは、導体Ｃに完全に接触しなければならないこと、 またより一般的には、残っている空胞または表面の凹凸が問題を悪化させるだけ である限り保護のために導体を被覆するエナメル層などの絶縁体に完全に接触し なければならないことが、最も明らかなやり方で理解される。 さきに解析した界面微小放電現象は、導線によって構成されているケーブルに 限定されるのみでなく、導線の用語のより一般的な意味での電子回路のレベルに においても起きるように見える。 この意味での研究が、図１、図１ｇおよび図１ｈに示されている１Ｗ増幅器を 基にして、発明者Ｗ．ジョアネによって行われた。 最初の研究は、一般に電子回路のレベルにおける先の仮定を検証することにあ った。検証過程を簡単にするために、なんら特定の予防策を講ずることなく実験 的な結線の形で製作された回路全体に、この明細書で先に述べた静電気防止流体 層、ＰＨＥＭＡＳＴＡＴを塗布することで、その検証過程は構成された。静電気 防止物質層はプリント回路の上面と下面に、およびとくに部品の全面に、および とくに露出されているまたは絶縁されている導体部分に付着させた。 このような処理に従って、全てのものが他の面では同じである。すなわち本発 明の目的に従った実施形態に維持されている変調ケーブルと、増幅器／ラウドス ピーカ（スピーカシステム）接続ケーブルである。主観的な聴取の全体的な結果 は、それ自体とくに驚くべきものであることを示した。 得られた結果の主観的解析レベルにおいて、 − 主観的歪みのどのような印象も消失したこと、 − 聴取のダイナミックスがかなり増加したという感覚、この増加は、増幅器 によって伝送される信号のレベルがどのようなものであっても、聴取の明瞭度を 全体的に維持することによって前へもたらされた、 − 知覚される背景雑音の完全消失、それに反して、逆説的に、信号源によっ て供給される信号のレベルにおける録音スタジオの実際の背景雑音は非常に明ら かに存在するままである、 − 楽器に特有の音色細部の存在、それは通常の回路によって聴取者に対して 決して明らかすることができなかった、 − メロディーとの完全な相関性でのリズムまたはテンポの明瞭さと正確さ、 について示すことが重要である。 以前の研究以外に、市販の光ディスクプレイヤーによって構成されている信号 源からの供給ケーブルを、再びＧＲＡＰＨＩＴＥ ３３の層によって被覆されて いるフラットライン(FLATLINE)型ケーブルで交換することによって聴取結果が改 善されることが、また指摘される。主電源ケーブルを、本発明の目的に従って電 磁波ノイズを補償した導体が設けられているケーブルで置き換えることによって 、決定的な改善が最終的に得られた。実際に、標準電源ケーブルの使用中に、主 電源点の方向の関数として電源トランスの外部巻線が中性導体ではなくて相導体 に接続されている時に、微小放電現象および音楽の質の劣化がはるかに重要なや り方で現れることを観察できた。電源ケーブルを置き換える補償された導体の使 用中に上述した決定的な改善が続くこの観察は、したがって、微小放電現象の有 効性をさらに確認するものである。 したがって、先に明細書中で強調した現象は、実際に全ての信号処理電子回路 に、およびとくにハイファイ装置の増幅器回路ばかりでなく、主電源から電流を 伝える電源ケーブルにも関するものである。 一般的なやり方で、およびいかなる電子回路にも対する電磁波ノイズの補償を 永続させるやり方で、１つの解決策は、明細書中で先に述べたように、ＧＲＡＰ ＨＩＴ ３３物質によってグラファイトの層などの半導体物質の層を被着させる ことで構成できる。グラファイトの形の半導体物質の層のこの付着は、上述した ＧＲＡＰＨＩＴ ３３製品、またはＫＦ−ＢＬＩＮＤＯＴＵＢなどの同等の製品 を、電源トランスなどのトランス巻線および電源を回路に接続する結線ワイヤに エアロゾル吹き付けることによって行うことができる。 しかし、たとえば図６ａに関連して説明するように、どのような電子回路に対 してもとくに有利であるパッケージングが、たとえばポリウレタンの層などの保 護物質の層で内部が被覆され、または被覆されていない、金属箱によってたとえ ば構成された、参照番号３をつけられている、封止された外囲器を設けることで 構成できることが指摘される。この外囲器３は、パッケージする電気回路または 電子回路と、電気回路または電子回路の大部分が浸される半導体物質２とを部分 的に含むようにして設けられる。非限定的な例として、この場合には、半導体物 質２はこの明細書中で先に述べたように適切な抵抗率のゲルで構成でき、そうす ると有利であることが指摘される。この場合には、明細書中で先に述べたように 、 塩溶液によって必要が生ずる。このような場合には、電子回路全体、または少な くとも、半導体物質２中に浸されている電気回路の主要部分の防食保護を確実に 行うために、図６ａに示すように、腐食現象および電解現象に対して、参照番号 １０がつけられている保護膜で電子回路を全体的に被覆でき、そうすると有利で あることが指摘される。 このような場合には、たとえば、電気的接続と上述した電子回路機能を確保す るために適切な導電体が設けられているプリント回路板ＣＩによって電子回路が 構成されている場合には、導体１と、導体の役割を演ずる集積回路ＣＩの反対側 の面に置かれている部品との表面で微小放電現象が起きることが理解される。そ の後で、全体が保護層１０で被覆される。この保護層１０は、２つまたは３つの ポリウレタンの薄い層を付着することで構成できる。各付着層を次々に完全に乾 燥するために、それらの層は時間的に隔てられて付着される。 もちろん、接続端子Ｔ₁，Ｔ₂，Ｔ₃，Ｔ₄およびＴ'₁，Ｔ'₂，Ｔ'₃は、それぞれ 、封止されている外囲器３の外部に設けられ、電子回路の電源端子および処理す る信号の入力端子と出力端子などのこれらの端子は、浸されている電子回路の主 要部分に相互接続されている。もちろん、浸されている電子回路の主要部分を構 成するために電子回路自体と同じやり方で、接続の、もちろん、防食層が付着さ れていない、接続されている端子を支持する、封止されている通路の外部の部品 だけを保護できることが理解される。 さらに、封止されている金属外囲器３を、より複雑な装置全体の接地点などの 基準電位に接続することを可能にする端子をこの封止されている外囲器３に設け ることができる。図６ａではこの端子には参照番号３０が付けられている。入力 および端子には、参照符号Ｔ₁〜Ｔ₄およびＴ'₁〜Ｔ'₃が非限定的なやり方でそれ ぞれ付けられている。 このようにして、処理モジュールは、封止されている外囲器３が電気的シール る需要が起きるとすると、上述した封止されている外囲器３によって構成されて いるシールドによって阻止される外部の電気的または電磁波撹乱からばかりでな く、界面微小放電によって構成されている内部の電磁波撹乱からも全面的に保護 される。それによって、入力信号の処理をあらゆる妨害からほぼ免れて行うこと が可能にされる。 さらに、空気の熱容量よりもゲル状または液体状の半導体物質２の熱容量が大 きいために、冷却の問題は、とくに電子的またはデジタル処理回路などの低電力 回路に対して、完全に解決されることが理解される。 そのような電気回路または電子回路の有利な例として、とくにポテンショメー タなどの、既にケース内に封入されている電子部品へのそのような実施形態の適 用が指摘される。 ここで、電気回路、具体的にはハイファイ装置で使用されている電気回路の特 定のパッケージングを行う、他のとくに有利な実施形態の方法を図６ａを参照し て説明する。 スピーカシステムのツイーター、ツイーターという概念は任意の高音スピーカ ーを指す、などの膜ラウドスピーカの導体１によって構成されているコイルＢ０ により電気回路が構成されていると、本発明の目的に従う電気回路は、上述の図 ６ｂに示すように、たとえば、エナメル電線の多数の巻線によって構成されて、 ラウドスピーカの膜Ｍのベース内に巻かれて、永久磁石の極部分ＰＰとコアＣＯ との間に置かれている電気コイルＢ０を含む。それの平均位置すなわち中立位置 において、コイルは永久磁石のコアＣＯを囲んでいる。さらに、上述した図６ｂ に示すように、強磁性特性を持つ半導体物質２がコイルＢ０をそれの平均位置に おいて完全に浸すようにして、その強磁性特性を持つ半導体物質２が、極部分と コアＣＯとの間に置かれる。その後で、半導体物質２は、永久磁石の極部分ＰＰ とコアＣＯとによって画定されている空間内の永久磁石閉じ込め磁界を受ける。 もちろん、標準的な方法で極部分ＰＰが磁気回路ＣＭによって接続されているこ とが思い起こされる。 特定の実施形態の方法では、強磁性特性を持つ半導体物質２は、 − ７０〜９０重量％のフェロフルイド(FERROFLUIDE)と、 − ３０〜１０重量％のわずかかに導電性の混合できる粉末状物質と、 の混合物によって構成されたことが指摘される。 粉末状物質は、フェロフルイドに関連して指示されている割合で混合される粉 末状グラファイトである。 知覚できる結果が得られ、このようにして得られた強磁性特性を持つ半導体物 質２は、０．１Ω×ｍと１０Ω×ｍとの間の抵抗率ρを有するやり方でパッケー ジされた。 最後に、電気回路または電子回路の封入を行うことができないあらゆる場合に 、エナメル電線導体に、上述したＧＲＡＰＨＩＴ ３３などの、グラフアイト・ エアロゾルを吹き付け、過剰な薬剤を慎重にふき取ることによって、非常に良い 結果が得られた。これはとくに、 − トランスおよびそれの接続ネットワーク、 − 電源用に使用することを意図するケーブルの束、 − フェロフルイドが使用されていないラウドスピーカの可動コイル、 − 一般に、封入できない全ての絶縁導体、 に対する場合である。 一般的な結論として、絶縁体／導体界面微小放電が絶縁体のメモリ現象に強く 関連して現れることが指摘されるであろう。 実際に、導体中を電気信号の形で運ばれる、音楽信号すなわちオーディオ周波 数の電気信号が、導体／絶縁体境界面に微小放電を生じさせる。 界面微小放電によって、下記の現象の全てを理解することが必要である。 − 導体に接触しているまたは導体の近くにある絶縁分子の向きが変化する。 この現象は、絶縁体のメモリ現象について強調したものなどの双極分子の向きま たは、目立って異なる現象ではない、 − 放電またはトンネル効果のいずれかによってジャンプする電子、 − 金属−絶縁体間の隙間たは絶縁体−絶縁体間の隙間における部分放電、 − 分子的尺度では導体物質の表面に常に存在する電気伝導性尖端部の周囲の コロナ・マイクロ効果。 微小放電全体は、非常に弱い信号、たとえば可動コイルセルから生ずる信号に 対しても起きることは、注目されるであろう。 それらの微小放電はおそらく分極される、すなわち、ある極性の信号では逆極 性のものとはより異なるようにして微小放電が生ずる。この観察によって全体的 な妨害信号の検波の現象を強調するようになる。その信号は、有用な信号に加え 合わされて、その現象が弱いにもかかわらず明らかに聞こえる歪みを生ずる。 電圧すなわち伝送すべき信号の出現時の微小放電のトリガは、あらゆる可能性 において即時であって、ブランリー効果におけるものと同じである。しかし、逆 電圧の作用の下での復帰は、ある遅れをもって生ずることができる。それは、聴 取で経験される記憶を長引かす作用すなわち歪みを生ずる。 最後に、たとえばハイファイ装置などの装置の完全な処理、とくにそれを構成 する要素全体のための電源ケーブルが、主観的な聴取者のレベルにおいて全く驚 くべき結果を与える。主観的聴取の結果は、 − 制限するピーク上で接するレベルにおいてさえも歪みは完全に無く、 − 音平面(plans somores)の完全な分離、 − ライブを聴いている印象を与える、全く思いがけない音情報の出現、 − 以前は知覚されなかった、低音領域でのニュアンスの出現、 − 背景雑音の完全な消失、有用な信号のみが聴こえている、 において解析されることができる。 最後に上述した点は、最近のものであるために確かに最もすごいものである。 それは、背景雑音が存在はするが伝送すべき信号と全く関係のない白色雑音の形 で生じ、耳は、背景雑音から有用な信号を分離するのに何等の困難も感じないと いう事実に起因させることができる。 上述した主観的な結果の別の特徴は、２０Ｈｚないし２０ｋＨｚ帯で伝送され る低いピッチ、中の下のピッチ、中のピッチ、中の上のピッチおよび高いピッチ の信号を構成している種々の周波数帯の主観的な平衡がとくに注目に値して現れ る限り、信号によって伝送される音の生理学の全体的な保持に関するものである 。 同様に、聴取の動力学に関しては、歪みの全面的な不存在に明らかに結び付い て、低いレベルでの聴取は高いレベルでの聴取とほぼ同じであり、音平面とステ レオ像とが全体的に保存され、録音のために伝送される信号を発生する種々の楽 器を少なくとも知覚的に聴取者が局所化することを可能にすることが、指摘され る。 発明者Ｍ．ジョアネによって研究室で、図１ｇおよび図１ｈに関連して説明し たような増幅器などの増幅器に組合わされ、かつ全く任意の質の単一チャネルス ピーカシステムに組合わされた、ＰＨＩＬＩＰＳの商標が付された市販の完全に 標準モデルの光ディスクプレーヤー信号源から行われた試験によって、スピーカ システムの並の質がそれ自身で隠されるように、ある質の聴取を全体的に可能に した。 聴取のパラメータと、主観的な動的品質、主観的な平衡およびステレオ像との より正確な定義のためには、７５０１８、パリ市Ｎｅｙ街５所在の出版社ｐ．ｖ ． すると有用である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，Ｓ Ｄ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ， ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，Ｆ Ｉ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ， ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，Ｍ Ｗ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ， ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． とくに電圧の下で導電体または電気回路に存在する微小放電現象によ って発生する電磁波ノイズを補償された導電体またはこの電気回路を製造する方 法において、この導体または電気回路の前記外表面に半導体物質皮膜を付着させ 、前記半導体物質が、導電体または回路の前記外表面を、前記導体の静電位に近 い一定の局所的値の静電位に維持できるようにすると同時に、前記ノイズ現象に よって発生したランダムな放電電流の全てを吸収できるようにする０．１Ω×ｍ と１００Ω×ｍとの間の抵抗率の値を有することを特徴とする方法。 ２． 前記付着を、前記液体、粉末またはエアロゾル半導体物質による前記 導体または前記電気回路のディップコーティング、吹き付け、浸漬などからなる 方法群の中の１つの方法によって行い、これらの方法の１つの実施の後に、前記 半導体物質の安定化過程が続くことを特徴とする請求の範囲第１項に記載の方法 。 ３． 前記安定化過程後の前記半導体物質が、液体、固体またはゲル状であ ることを特徴とする請求の範囲第２項に記載の方法。 ４． 安定化過程後の前記半導体物質が固体またはゲル状である場合に、前 記安定化過程が、制御された乾燥過程からなることを特徴とする請求の範囲第３ 項に記載の方法。 ５． 安定化過程後の前記半導体物質が液体またはゲル状である場合に、前 記操作が、 前記導体または電気回路を確実に封止された外囲器内に封入し、 前記導体または電気回路を含んでいる前記外囲器に液体またはゲル状の半導体 物質を充填し、 前記確実に封止された外囲器の適切な封止を行う、 ものであることを特徴とする請求の範囲第３項に記載の方法。 ６． 安定化過程後の前記半導体物質が液体またはゲル状である場合に、前 記安定化過程が、 半導体物質特性を持つ強磁性化合物を生ずるように、強磁性特性を持つ成分を 前記半導体物質に加え 前記導体または回路の前記外表面上において、半導体物質特性を持つ前記化合 物に永久磁界または持続する磁界を印加し、半導体特性を持つ前記成分の前記導 体または前記回路の前記外表面上への限定を確実にできるようにするものである ことを特徴とする請求の範囲第３項に記載の方法。 ７． 前記液体半導体物質が、抵抗率ρが０．１Ω×ｍ≦ρ≦１００Ω×ｍ との間である塩溶液によって構成されることを特徴とする請求の範囲第１項、第 ２項、第３項、第５項または第６項のいずれか１項に記載の方法。 ８． 電圧が供給されたときにとくに回路の外表面に存在する微小放電現象 によって発生する電磁波ノイズを補償された電気回路において、前記外面上に半 導体物質被覆を有し、前記半導体物質被覆が、この電気回路の前記外面を、回路 の静電位に近い一定の局所的値の静電位に維持できるようにすると同時に、前記 ノイズ現象によって発生したランダムな放電電流の全てを吸収できるようにでき る０．１Ω×ｍと１００Ω×ｍとの間の抵抗率の値を持つことを特徴とする、電 気回路。 ９． 前記半導体物質が、液体、固体またはゲル状であることを特徴とする 請求の範囲第８項に記載の電気回路。 １０． 前記半導体物質が液体またはゲル状である場合に、前記回路が、 前記電気回路と前記半導体物質とを部分的に含み、前記回路の主要部分が浸さ れている封止された外囲器と、 浸されている電気回路の前記主要部分に相互接続された、封止された外囲器へ の外部端子接続と、 によって少なくとも構成されることを特徴とする請求の範囲第９項に記載の電気 回路。 １１． 前記液体またはゲル状の半導体物質中に浸されている電気回路の前記 主要部分が、防食電気絶縁保護膜をさらに備えることを特徴とする請求の範囲第 １０項に記載の電気回路。 １２． 前記液体半導体物質が塩溶液であり、それの抵抗率ρが０．１Ω×ｍ ≦ρ≦１００Ω×ｍの間であることを特徴とする請求の範囲第１１項に記載の電 気回路。 １３． 封止された導電外囲器であって、動作中に、前記封止された導電外囲 器を基準電位にできる端子と、入力および出力電気信号の入力端子−出力端子を この封止されている外囲器内に確実に導入できるようにする多数の封止されてい る通路とを含む前記封止された導電外囲器と、 相互接続線によって前記入力および出力電気信号の前記入力−出力端子に相互 に接続され、相互接続線とともに不活性電気絶縁膜で被覆された処理モジュール と、 前記封止された外囲器を充填し、かつ前記処理モジュールを浸すゲル状または 固体状の液体半導体物質と、 を少なくとも備えることを特徴とする請求の範囲第８項乃至第１２項のいずれか １項に記載の電気回路。 １４． 高周波膜ラウドスピーカを備え、前記回路が、少なくとも、永久磁石 の極部分とコアとの間に置かれた、 − 前記ラウドスピーカの膜のベースに巻かれ、それの中間位置で、前記永久 磁石の前記コアを囲むエナメル電線の多重巻き線によって形成された電気コイル と、 − 前記極部分と前記コアとの間に置かれ、中間位置にある時に前記コイルが 完全に浸されることを確実にし、前記永久磁石の前記極部分と前記コアとによっ て画定されている空間内の永久磁石の閉じ込め磁界を受ける、強磁性特性を持つ 半導体物質と、 を含むことを特徴とする請求の範囲第８項乃至第１２項のいずれか１項に記載の 電気回路。 １５． 強磁性特性を持つ前記半導体物質が − ７０〜９０重量％のフェロフルイド(FERROFLUID)と、 − ３０〜１０重量％のわずかに導電性の、混合できる粉末状物質と、 の混合物によって構成され、前記混合物の抵抗率ρが０．１Ω×ｍと１００Ω× ｍとの間であることを特徴とする請求の範囲第１４項に記載の電気回路。