JP2001358191A - 半導体製造装置用の基板支持板 - Google Patents
半導体製造装置用の基板支持板Info
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- JP2001358191A JP2001358191A JP2000174489A JP2000174489A JP2001358191A JP 2001358191 A JP2001358191 A JP 2001358191A JP 2000174489 A JP2000174489 A JP 2000174489A JP 2000174489 A JP2000174489 A JP 2000174489A JP 2001358191 A JP2001358191 A JP 2001358191A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 真空排気と大気圧復帰がなされるチャンバー
において，放熱の際に生じる基板の反りを実質的に減少
させる基板支持板を提供する。 【解決手段】基板支持板は１０，半導体製造装置に組み
込まれる，真空排気と大気圧復帰とがなされるチャンバ
ーにおいて，基板を支持するための基板支持板であっ
て，当該基板支持板１０は，間に基板を収納することが
できる，向かい合った一対の支持部１１を有し，各支持
部１１は互いに向かい合う側壁１２を有し，各側壁１２
から，基板を下から接して，支持するための支持片１
３，１４が突出し，支持片１３，１４は，基板Ｗとの接
触部分を減らすために，少なくとも一つ以上の空間１５
を有する。
において，放熱の際に生じる基板の反りを実質的に減少
させる基板支持板を提供する。 【解決手段】基板支持板は１０，半導体製造装置に組み
込まれる，真空排気と大気圧復帰とがなされるチャンバ
ーにおいて，基板を支持するための基板支持板であっ
て，当該基板支持板１０は，間に基板を収納することが
できる，向かい合った一対の支持部１１を有し，各支持
部１１は互いに向かい合う側壁１２を有し，各側壁１２
から，基板を下から接して，支持するための支持片１
３，１４が突出し，支持片１３，１４は，基板Ｗとの接
触部分を減らすために，少なくとも一つ以上の空間１５
を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体製造装置に
組み込まれるチャンバーにおいて，基板を支持する基板
支持板に関し，とくに半導体製造装置のロードロックチ
ャンバーにおいて，基板を支持する基板支持板に関す
る。
組み込まれるチャンバーにおいて，基板を支持する基板
支持板に関し，とくに半導体製造装置のロードロックチ
ャンバーにおいて，基板を支持する基板支持板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】典型的な真空ロードロック方式の半導体
製造装置1の略示斜示図を図１に示す。半導体製造装置1
はチャンバー２（図では左右に二組ある）内には，外部
から供給された半導体ウエハである基板を載置し，そし
てリアクターチャンバーへ移すことできるように，基板
支持板３が設けられている（図は下部でロボットAが基
板支持板に処理前の基板を載置し，上部でロボットBが
基板支持板に処理後の基板を載置している）。
製造装置1の略示斜示図を図１に示す。半導体製造装置1
はチャンバー２（図では左右に二組ある）内には，外部
から供給された半導体ウエハである基板を載置し，そし
てリアクターチャンバーへ移すことできるように，基板
支持板３が設けられている（図は下部でロボットAが基
板支持板に処理前の基板を載置し，上部でロボットBが
基板支持板に処理後の基板を載置している）。
【０００３】図２はチャンバー2に設けられた従来の基
板支持板3の一部拡大図を示す。基板支持板3は，基板W
を間に収納するように，向かい合った一対の支持部4
（図２では，簡単化のため一方のみを示す）を有する。
この支持部4の側壁は，基板Wの周囲の形状に対応する形
状をもち，さらに基板Wを下から支持するための張り出
し部4’を有する。この張り出し部4’上に基板Wの周囲
の部分が載置されて，広い範囲で接する。
板支持板3の一部拡大図を示す。基板支持板3は，基板W
を間に収納するように，向かい合った一対の支持部4
（図２では，簡単化のため一方のみを示す）を有する。
この支持部4の側壁は，基板Wの周囲の形状に対応する形
状をもち，さらに基板Wを下から支持するための張り出
し部4’を有する。この張り出し部4’上に基板Wの周囲
の部分が載置されて，広い範囲で接する。
【０００４】基板をチャンバー２に供給するために，ま
ずチャンバー２内の圧力が大気圧にされ，外部にあるハ
ンドリングロボットA（図１）により，基板がカセット
（図示せず）から取り出され，基板支持板3上に載置さ
れる。つぎに，チャンバー2は真空に排気され，基板支
持板3は所定の位置まで移動する。真空下にあるハンド
リングロボットB（図１）は，移動した基板支持板3上の
基板をリアクターチャンバーへと移す。通常の処理で
は，リアクターチャンバーで基板は400℃程度に熱せら
れる。
ずチャンバー２内の圧力が大気圧にされ，外部にあるハ
ンドリングロボットA（図１）により，基板がカセット
（図示せず）から取り出され，基板支持板3上に載置さ
れる。つぎに，チャンバー2は真空に排気され，基板支
持板3は所定の位置まで移動する。真空下にあるハンド
リングロボットB（図１）は，移動した基板支持板3上の
基板をリアクターチャンバーへと移す。通常の処理で
は，リアクターチャンバーで基板は400℃程度に熱せら
れる。
【０００５】処理の終了後，ハンドリングロボットBに
より基板は，真空排気されているチャンバー2の基板支
持板3上に載置され，所定の位置まで移動する。チャン
バー2は大気圧に復帰される。そして，基板は，ハンド
リングロボットAによりカセットへと戻される。
より基板は，真空排気されているチャンバー2の基板支
持板3上に載置され，所定の位置まで移動する。チャン
バー2は大気圧に復帰される。そして，基板は，ハンド
リングロボットAによりカセットへと戻される。
【０００６】上記の半導体製造装置では，基板支持板は
両側から基板の出し入れが可能なタイプのものである。
両側から基板の出し入れが可能なタイプのものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように，リアク
ターチャンバーでは基板は400℃程度まで加熱されてい
る。この加熱された基板をチャンバー2の基板支持板3上
に戻されたとき,チャンバー2内は真空排気されており，
真空中では基板はさめにくく，基板支持板3上に載置さ
れていてもほとんど放熱はしない。
ターチャンバーでは基板は400℃程度まで加熱されてい
る。この加熱された基板をチャンバー2の基板支持板3上
に戻されたとき,チャンバー2内は真空排気されており，
真空中では基板はさめにくく，基板支持板3上に載置さ
れていてもほとんど放熱はしない。
【０００８】チャンバー2が大気圧に復帰すると，同時
に放熱が始まる。とくに，基板と基板支持板3の張り出
し部4’の接触部分に（この部分は幾何学的には点接触
である）に気体（窒素）が入りこみ，急激な熱の移動が
なされ，放熱をはじめる。
に放熱が始まる。とくに，基板と基板支持板3の張り出
し部4’の接触部分に（この部分は幾何学的には点接触
である）に気体（窒素）が入りこみ，急激な熱の移動が
なされ，放熱をはじめる。
【０００９】そのため，図３において破線で示すよう
に，真空下では平坦な基板も，大気圧復帰後放熱する
と，基板の外周部と中心部に温度差が生じ，反りが発生
する。ある条件下では，反りの量は2〜3ｍｍ程度にもな
る。
に，真空下では平坦な基板も，大気圧復帰後放熱する
と，基板の外周部と中心部に温度差が生じ，反りが発生
する。ある条件下では，反りの量は2〜3ｍｍ程度にもな
る。
【００１０】この反りの発生により基板中央部は所定の
位置より垂れ，基板の搬送に支障をきたす。また，基板
上の成膜にもストレスが生じ，強いてはクラックや，剥
離が発生する。
位置より垂れ，基板の搬送に支障をきたす。また，基板
上の成膜にもストレスが生じ，強いてはクラックや，剥
離が発生する。
【００１１】さらに，基板と基板支持板との接触面積が
大きいと，基板の裏面からのパーティクルの発生の原因
にもなる。
大きいと，基板の裏面からのパーティクルの発生の原因
にもなる。
【００１２】本発明は上記課題を解決するためになされ
たもので，真空排気と大気圧復帰がなされるチャンバー
において，放熱の際に生じる熱の不均一な移動を減少さ
せる基板支持板を提供することを目的とする。
たもので，真空排気と大気圧復帰がなされるチャンバー
において，放熱の際に生じる熱の不均一な移動を減少さ
せる基板支持板を提供することを目的とする。
【００１３】本発明の他の目的は，基板との接触を減少
させ，基板の反りを実質的に減少させる上記基板支持板
を提供することである。
させ，基板の反りを実質的に減少させる上記基板支持板
を提供することである。
【００１４】さらに，本発明の他の目的は，単純な構造
で基板との接触を減少させることができる上記基板支持
板を提供することである。
で基板との接触を減少させることができる上記基板支持
板を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の基板支持板は，半導体製造装置に組み込まれる，真
空排気と大気圧復帰とがなされるチャンバーにおいて，
基板を支持するための基板支持板である。当該基板支持
板は，間に基板を収納することができる，向かい合った
一対の支持部を有する。各支持部は互いに向かい合う側
壁を有し，各側壁から，基板を下から接して，支持する
ための支持片が突出する。支持片は，基板との接触部分
を減らすために，少なくとも一つ以上の空間を有する。
明の基板支持板は，半導体製造装置に組み込まれる，真
空排気と大気圧復帰とがなされるチャンバーにおいて，
基板を支持するための基板支持板である。当該基板支持
板は，間に基板を収納することができる，向かい合った
一対の支持部を有する。各支持部は互いに向かい合う側
壁を有し，各側壁から，基板を下から接して，支持する
ための支持片が突出する。支持片は，基板との接触部分
を減らすために，少なくとも一つ以上の空間を有する。
【００１６】ここで，支持片は，側壁の両端から伸長
し，間に空間を有することが望ましい。また支持片は，
基板の周囲と線接触するために，傾斜面を有することが
望ましい。
し，間に空間を有することが望ましい。また支持片は，
基板の周囲と線接触するために，傾斜面を有することが
望ましい。
【００１７】本発明の，他の基板支持板の支持部は互い
に向かい合う側壁から，間に収納される基板の下まで支
持片が伸長するものである。支持片は，基板を下から，
点接触して支持する二つ以上の突起を有するものであ
る。ここで，突起の先端は，基板を傷つけないように丸
みをもつことが望ましい。
に向かい合う側壁から，間に収納される基板の下まで支
持片が伸長するものである。支持片は，基板を下から，
点接触して支持する二つ以上の突起を有するものであ
る。ここで，突起の先端は，基板を傷つけないように丸
みをもつことが望ましい。
【００１８】さらに，本発明の，他の基板支持板の支持
部は互いに向かい合う側壁から基板を下から支持するた
めの支持片が伸長するものである。支持片は，基板の周
囲と線接触するために傾斜面を有するものである。
部は互いに向かい合う側壁から基板を下から支持するた
めの支持片が伸長するものである。支持片は，基板の周
囲と線接触するために傾斜面を有するものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】図４は，半導体製造装置に組み込
まれる，本発明の基板支持板10およびハンドリングアー
ムA，Bの略示斜示図を示す。基板支持板10は間に基板W
を収納できるように，間隔をあけて向かい合うように配
置された一対の支持板11，11を有する。この基板支持板
10は，図には示されていないが，真空排気および大気圧
復帰がなされるチャンバー内に配置される。大気圧下で
作動するハンドリングアームAにより基板Wが基板支持板
10へと供給され（このときのチャンバーは大気圧とな
る），真空下で作動するハンドリングアームBにより，
基板Wが基板支持板10から搬出される（このときチャン
バーは真空となる）。このように，基板支持板10は一対
の支持部の両側からハンドリングアームが接近可能とな
っている。
まれる，本発明の基板支持板10およびハンドリングアー
ムA，Bの略示斜示図を示す。基板支持板10は間に基板W
を収納できるように，間隔をあけて向かい合うように配
置された一対の支持板11，11を有する。この基板支持板
10は，図には示されていないが，真空排気および大気圧
復帰がなされるチャンバー内に配置される。大気圧下で
作動するハンドリングアームAにより基板Wが基板支持板
10へと供給され（このときのチャンバーは大気圧とな
る），真空下で作動するハンドリングアームBにより，
基板Wが基板支持板10から搬出される（このときチャン
バーは真空となる）。このように，基板支持板10は一対
の支持部の両側からハンドリングアームが接近可能とな
っている。
【００２０】図５において，本発明の基板支持板10の支
持部11の一方が示されている。図では，支持部11の，基
板に面する側壁12は基板Wの周囲の形状に対応した形状
となっているが，これに限定されず，直線状など他の形
状であってもよい。
持部11の一方が示されている。図では，支持部11の，基
板に面する側壁12は基板Wの周囲の形状に対応した形状
となっているが，これに限定されず，直線状など他の形
状であってもよい。
【００２１】その側壁12の両端から，基板を下から接し
て，支持するための支持片13，14が突出し，間に空間15
が形成されている。支持片は，基板との接触部分を減ら
すために小さいこと望ましいが，基板を安定して支持す
るのに必要な最小限の面積をもつ。
て，支持するための支持片13，14が突出し，間に空間15
が形成されている。支持片は，基板との接触部分を減ら
すために小さいこと望ましいが，基板を安定して支持す
るのに必要な最小限の面積をもつ。
【００２２】したがって，支持片13，14（向かい側にも
ある二つの支持片）により，基板Wは支持されるが，基
板Wが接触する面積は従来の基板の周囲にそって接する
場合より極端に小さくなる。このために，チャンバーが
大気圧に復帰し，基板と支持片との間の接触部分に気体
（窒素ガス）が浸透し，放熱が始まっても，熱の移動は
従来の基板支持板に比べて極端に小さくなる。
ある二つの支持片）により，基板Wは支持されるが，基
板Wが接触する面積は従来の基板の周囲にそって接する
場合より極端に小さくなる。このために，チャンバーが
大気圧に復帰し，基板と支持片との間の接触部分に気体
（窒素ガス）が浸透し，放熱が始まっても，熱の移動は
従来の基板支持板に比べて極端に小さくなる。
【００２３】図５の例では，支持片13，14の間に空間が
形成されているが，これに代えて，三つ以上の支持片を
設け，それらの間に空間を設けてもよい。ただし，この
場合，接触面積が増えないように，個々の支持片の面積
を小さくする必要がある。
形成されているが，これに代えて，三つ以上の支持片を
設け，それらの間に空間を設けてもよい。ただし，この
場合，接触面積が増えないように，個々の支持片の面積
を小さくする必要がある。
【００２４】また，支持片の基板に面する部分を傾斜さ
せ，基板の周囲と線接触するようにしてもよい。これに
より一層接触部分が減り，支持片を通って移動する熱が
減少する。
せ，基板の周囲と線接触するようにしてもよい。これに
より一層接触部分が減り，支持片を通って移動する熱が
減少する。
【００２５】図６は本発明の基板支持板10の他の実施例
の部分拡大側面図を示す。この例においては，支持部11
の側壁12（図５を参照）から支持片20が伸長する。この
支持片20は，図５のような間隔が開けられたものでも，
図２に示すような連続したものでもよい。この支持片20
の上面から，前記基板を下から，点接触して支持する突
起21が設けられている。突起21は安定して基板を支持す
るために，三つ以上となることが望ましい（たとえば，
一方の支持部から伸長した支持片に一つの突起，一方の
指示部に向かい合う他方の支持部から伸長した支持片に
二つの突起を設ける）。なお，突起の先端は，基板を傷
つけないように丸みをもつことが望ましい。
の部分拡大側面図を示す。この例においては，支持部11
の側壁12（図５を参照）から支持片20が伸長する。この
支持片20は，図５のような間隔が開けられたものでも，
図２に示すような連続したものでもよい。この支持片20
の上面から，前記基板を下から，点接触して支持する突
起21が設けられている。突起21は安定して基板を支持す
るために，三つ以上となることが望ましい（たとえば，
一方の支持部から伸長した支持片に一つの突起，一方の
指示部に向かい合う他方の支持部から伸長した支持片に
二つの突起を設ける）。なお，突起の先端は，基板を傷
つけないように丸みをもつことが望ましい。
【００２６】図７は本発明の基板支持板10のさらに他の
実施例の部分拡大側面図を示す。この例においては，支
持部11の側壁12から支持片30が伸長する。この支持片30
は，図５のような間隔が開けられたものでも，図２に示
すような連続したものでもよい。この支持片30は，基板
の周囲と線接触するために傾斜している。この傾斜角度
は，基板に関して15〜45°が望ましい。
実施例の部分拡大側面図を示す。この例においては，支
持部11の側壁12から支持片30が伸長する。この支持片30
は，図５のような間隔が開けられたものでも，図２に示
すような連続したものでもよい。この支持片30は，基板
の周囲と線接触するために傾斜している。この傾斜角度
は，基板に関して15〜45°が望ましい。
【００２７】
【効果】本発明の基板支持板により，基板と基板支持板
との接触が著しく減少し，したがって，基板支持板が配
置されるチャンバーが大気圧に復帰し，接触部分に気体
が浸透し，より基板から基板支持板へと熱の移動が行わ
れても，その移動は従来に基板支持板の場合よりも著し
く減少する。そのため，基板の周囲部と中心部との温度
差も小さく，基板の反りが大幅に減少する（従来の基板
支持板において，2〜3ｍｍの反りが生ずる場合でも，本
発明の場合は0.5ｍｍ以下に抑えられた）。
との接触が著しく減少し，したがって，基板支持板が配
置されるチャンバーが大気圧に復帰し，接触部分に気体
が浸透し，より基板から基板支持板へと熱の移動が行わ
れても，その移動は従来に基板支持板の場合よりも著し
く減少する。そのため，基板の周囲部と中心部との温度
差も小さく，基板の反りが大幅に減少する（従来の基板
支持板において，2〜3ｍｍの反りが生ずる場合でも，本
発明の場合は0.5ｍｍ以下に抑えられた）。
【００２８】さらに，接触面積の減少は，基板の裏面か
らのパーティクルの発生をも抑制するという効果も奏す
る。
らのパーティクルの発生をも抑制するという効果も奏す
る。
【図１】図１は，従来の基板支持板がチャンバーに組み
込まれた半導体製造装置の略示斜示図である。
込まれた半導体製造装置の略示斜示図である。
【図２】図２は，従来の基板支持板の，一方の支持部の
平面図である。
平面図である。
【図３】図３は，従来の基板支持板上に基板を載置した
後，放熱により基板が反った状態を示す。
後，放熱により基板が反った状態を示す。
【図４】図４は，本発明の基板支持板と二つのハンドリ
ングアームの略示斜示図である。
ングアームの略示斜示図である。
【図５】図５は，本発明の基板支持板の，一方の支持部
の平面図である。
の平面図である。
【図６】図６は，本発明の他の基板支持板上に基板を載
置した部分拡大側面図である。
置した部分拡大側面図である。
【図７】図７は，さらに，本発明の他の基板支持板上に
基板を載置した部分拡大側面図である。
基板を載置した部分拡大側面図である。
10 本発明の基板支持板 11 本発明の基板支持板の支持部 12 側壁 13，14 支持片 15 空間 W 基板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年６月２０日（２０００．６．２
０）
０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年６月２６日（２０００．６．２
６）
６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】本発明の，他の基板支持板の支持部は互い
に向かい合う側壁から，間に収納される基板の下まで支
持片が伸長するものである。支持片は，基板を下から，
点接触して支持する三つ以上の突起を有するものであ
る。ここで，突起の先端は，基板を傷つけないように丸
みをもつことが望ましい。
に向かい合う側壁から，間に収納される基板の下まで支
持片が伸長するものである。支持片は，基板を下から，
点接触して支持する三つ以上の突起を有するものであ
る。ここで，突起の先端は，基板を傷つけないように丸
みをもつことが望ましい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡部 剛志 東京都多摩市永山６丁目23番１ 日本エ ー・エス・エム株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 BD01 JA01 KA09 4K030 CA04 CA12 GA02 5F031 CA02 DA13 DA17 FA01 FA11 FA15 GA43 HA09 NA05
Claims (8)
- 【請求項１】半導体製造装置に組み込まれる，真空排気
と大気圧復帰とがなされるチャンバーにおいて，基板を
支持するための基板支持板であって，当該基板支持板
は，間に基板を収納することができる，向かい合った一
対の支持部を有し，前記各支持部は互いに向かい合う側
壁を有し，前記各側壁から，前記基板を下から接して，
支持するための支持片が突出し，前記支持片は，前記基
板との接触部分を減らすために，少なくとも一つ以上の
空間を有する，ところの基板支持板。 - 【請求項２】請求項１に記載の基板支持板であって，前
記支持片は，前記側壁の両端から伸長し，間に前記空間
を有する，ところの基板支持板。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の基板支持板であ
って，前記支持片は，前記基板の周囲と線接触するため
に，傾斜面を有する，ところの基板支持板。 - 【請求項４】半導体製造装置に組み込まれる，真空排気
と大気圧復帰とがなされるチャンバーにおいて，基板を
支持するための基板支持板であって，当該基板支持板
は，間に基板を収納することができる，向かい合った一
対の支持部を有し，前記各支持部は互いに向かい合う側
壁を有し，前記側壁から，間に収納される基板の下まで
支持片が伸長し，前記支持片は，前記基板を下から，点
接触して支持する三つ以上の突起を有する，ところの基
板支持板。 - 【請求項５】請求項４に記載の基板支持板であって，前
記突起の先端は，前記基板を傷つけないように丸みをも
つ，ところの基板支持板。 - 【請求項６】半導体製造装置に組み込まれる，真空排気
と大気圧復帰とがなされるチャンバーにおいて，基板を
支持するための基板支持板であって，当該基板支持板
は，間に基板を収納することができる，向かい合った一
対の支持部を有し，前記各支持部は互いに向かい合う側
壁を有し，前記側壁から前記基板を下から支持するため
の支持片が伸長し，前記支持片は，前記基板の周囲と線
接触するために傾斜面を有する，ところの基板支持板。 - 【請求項７】請求項１，４または６に記載の基板支持板
であって，前記各支持部の前記側壁は，前記基板の周囲
の一部の形状に対応する形状をもつ，ところの基板支持
板。 - 【請求項８】請求項１，４または６に記載の基板支持板
であって，前記一対の支持部の両側から前記基板を載置
できる，ところの基板支持板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000174489A JP2001358191A (ja) | 2000-06-09 | 2000-06-09 | 半導体製造装置用の基板支持板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000174489A JP2001358191A (ja) | 2000-06-09 | 2000-06-09 | 半導体製造装置用の基板支持板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001358191A true JP2001358191A (ja) | 2001-12-26 |
Family
ID=18676519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000174489A Pending JP2001358191A (ja) | 2000-06-09 | 2000-06-09 | 半導体製造装置用の基板支持板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001358191A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100773231B1 (ko) | 2006-11-13 | 2007-11-05 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 웨이퍼 링 |
| JP2015103565A (ja) * | 2013-11-21 | 2015-06-04 | 光洋サーモシステム株式会社 | 基板支持構造 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03273606A (ja) * | 1990-02-17 | 1991-12-04 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体製造装置 |
| JPH0758039A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | サセプタ |
| JPH09321126A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JPH11233583A (ja) * | 1998-02-09 | 1999-08-27 | Nippon Asm Kk | 半導体処理用ロードロック装置及び方法 |
| JPH11233587A (ja) * | 1998-02-09 | 1999-08-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウエハ移載用フォーク |
-
2000
- 2000-06-09 JP JP2000174489A patent/JP2001358191A/ja active Pending
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