JP2001358076A - 半導体製造装置用基板支持ボート - Google Patents
半導体製造装置用基板支持ボートInfo
- Publication number
- JP2001358076A JP2001358076A JP2000174364A JP2000174364A JP2001358076A JP 2001358076 A JP2001358076 A JP 2001358076A JP 2000174364 A JP2000174364 A JP 2000174364A JP 2000174364 A JP2000174364 A JP 2000174364A JP 2001358076 A JP2001358076 A JP 2001358076A
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- JP
- Japan
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- substrate
- boat
- semiconductor
- substrate support
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- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の目的は、細い柱でも反りが生じず、加
工精度が高く、パーティクルの発生を防止し、かつ半導
体基板面内の温度が均一になるまでの時間が短縮される
基板支持ボートを与えることである。 【解決手段】上下に２枚の平行なプレートと、プレート
間にプレートと垂直に設けられた少なくとも３本の支柱
と、支柱に取り付けられ、複数の半導体基板を所定の間
隔で水平に支持するための支持部材と、から成る半導体
製造装置用基板支持ボートにおいて、本発明は支持部材
が半導体基板を点若しくは線で支持することを特徴とす
る。
工精度が高く、パーティクルの発生を防止し、かつ半導
体基板面内の温度が均一になるまでの時間が短縮される
基板支持ボートを与えることである。 【解決手段】上下に２枚の平行なプレートと、プレート
間にプレートと垂直に設けられた少なくとも３本の支柱
と、支柱に取り付けられ、複数の半導体基板を所定の間
隔で水平に支持するための支持部材と、から成る半導体
製造装置用基板支持ボートにおいて、本発明は支持部材
が半導体基板を点若しくは線で支持することを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、特に複数の基板をバッチ処理するために使用され
る基板支持ボートに関する。
関し、特に複数の基板をバッチ処理するために使用され
る基板支持ボートに関する。
【０００２】
【従来技術と発明が解決しようとする課題】従来、半導
体製造プロセスにおいて、スループット向上のためバッ
チ型処理装置が使用されてきた。その際、複数の半導体
基板を載置するために基板支持ボートが用いられてい
る。該基板支持ボートは、２枚の対向するプレートと、
該プレート間にプレートと垂直に設けられた少なくとも
３本の支柱であって、表面に複数の溝を有する支柱と、
から成る。被処理体である複数の半導体基板は溝によっ
て所定の間隔で平行に支持される。
体製造プロセスにおいて、スループット向上のためバッ
チ型処理装置が使用されてきた。その際、複数の半導体
基板を載置するために基板支持ボートが用いられてい
る。該基板支持ボートは、２枚の対向するプレートと、
該プレート間にプレートと垂直に設けられた少なくとも
３本の支柱であって、表面に複数の溝を有する支柱と、
から成る。被処理体である複数の半導体基板は溝によっ
て所定の間隔で平行に支持される。
【０００３】しかし従来の支持ボートには以下のような
問題点がある。
問題点がある。
【０００４】まず、従来の支持ボートでは、支柱の溝の
数が増加するに従い支柱が反りを生じてしまい半導体基
板を同一ピッチで平行に支持できなくなる。その対策と
して溝幅よりも数倍太い支柱が必要となるが、その結果
支持体が大きくなった分、チャンバの体積は増大し、チ
ャンバ内を所定の真空度にするために要する時間は長く
なってスループットが低下する。
数が増加するに従い支柱が反りを生じてしまい半導体基
板を同一ピッチで平行に支持できなくなる。その対策と
して溝幅よりも数倍太い支柱が必要となるが、その結果
支持体が大きくなった分、チャンバの体積は増大し、チ
ャンバ内を所定の真空度にするために要する時間は長く
なってスループットが低下する。
【０００５】次に、半導体基板の周縁部裏面は支柱に設
けられた溝の表面と面接触するため、安定性が悪い。ま
た被処理体を搬送するために支持体を上下に移動すると
きには振動により面接触部分に摩擦が生じパーティクル
汚染源となる可能性が高い。
けられた溝の表面と面接触するため、安定性が悪い。ま
た被処理体を搬送するために支持体を上下に移動すると
きには振動により面接触部分に摩擦が生じパーティクル
汚染源となる可能性が高い。
【０００６】さらに、半導体基板への成膜及びエッチン
グを均一に行うためには、基板面内の温度を均一に維持
する必要があるが、従来の基板支持ボートでは基板と溝
の接触面積が大きく、半導体基板の面内温度を均一にす
るのに長時間必要であるためスループットが低下する。
グを均一に行うためには、基板面内の温度を均一に維持
する必要があるが、従来の基板支持ボートでは基板と溝
の接触面積が大きく、半導体基板の面内温度を均一にす
るのに長時間必要であるためスループットが低下する。
【０００７】したがって、本発明の目的は、細い支柱を
使用しても加工精度が高く、上下に移動中には被処理体
の安定性が良く、パーティクルの発生を防止し、かつ半
導体基板面内の温度が均一になるまでの時間が短縮され
る基板支持ボートを与えることである。
使用しても加工精度が高く、上下に移動中には被処理体
の安定性が良く、パーティクルの発生を防止し、かつ半
導体基板面内の温度が均一になるまでの時間が短縮され
る基板支持ボートを与えることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る支持ボートは以下の手段から成る。
に、本発明に係る支持ボートは以下の手段から成る。
【０００９】上下に２枚の平行なプレートと、プレート
間にプレートと垂直に設けられた少なくとも３本の支柱
と、支柱に取り付けられ、複数の被処理体を所定の間隔
で水平に支持するための支持部材と、から成る半導体製
造装置用基板支持ボートにおいて、本発明は支持部材が
被処理体を点若しくは線で支持することを特徴とする。
間にプレートと垂直に設けられた少なくとも３本の支柱
と、支柱に取り付けられ、複数の被処理体を所定の間隔
で水平に支持するための支持部材と、から成る半導体製
造装置用基板支持ボートにおいて、本発明は支持部材が
被処理体を点若しくは線で支持することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の態様】以下、本発明を図面とともに詳細
に説明する。
に説明する。
【００１１】図１は、本発明に係る基板支持ボートの好
適実施例を示したものである。図１(a)は側面図を、図
１(b)はA-A断面図をそれぞれ示す。本発明に係る基板支
持ボート1は、上下に２枚の平行なプレート(2,3)と、プ
レート(2,3)間にプレートと垂直に設けられた３本の支
柱4と、支柱4に取り付けられ、複数の半導体基板6を所
定の間隔で水平に支持するための支持ピン5と、から成
る。好適実施例において支柱4は円柱形をなし、隣接す
る柱どうしは角度方向に少なくとも９０度離隔されてい
る。好適実施例において使用する支柱の数は３本である
が、３本以上の柱を使用することもできる。
適実施例を示したものである。図１(a)は側面図を、図
１(b)はA-A断面図をそれぞれ示す。本発明に係る基板支
持ボート1は、上下に２枚の平行なプレート(2,3)と、プ
レート(2,3)間にプレートと垂直に設けられた３本の支
柱4と、支柱4に取り付けられ、複数の半導体基板6を所
定の間隔で水平に支持するための支持ピン5と、から成
る。好適実施例において支柱4は円柱形をなし、隣接す
る柱どうしは角度方向に少なくとも９０度離隔されてい
る。好適実施例において使用する支柱の数は３本である
が、３本以上の柱を使用することもできる。
【００１２】本発明に係る基板支持ボート1の特徴は、
支持ピン5が円柱形である点にある。図２に支持ピン5の
拡大図を示す。支持ピン5は支柱4よりも直径の小さい円
柱形をなし支柱4に対し直角に取り付けられている（図
２(a)参照）。図２(b)に示されるように、半導体基板6
と支持ピン5は線接触することによって、従来の支持ボ
ートよりも接触面積を小さくすることができる。
支持ピン5が円柱形である点にある。図２に支持ピン5の
拡大図を示す。支持ピン5は支柱4よりも直径の小さい円
柱形をなし支柱4に対し直角に取り付けられている（図
２(a)参照）。図２(b)に示されるように、半導体基板6
と支持ピン5は線接触することによって、従来の支持ボ
ートよりも接触面積を小さくすることができる。
【００１３】図３は、基板支持ボートの他の実施例を示
したものである。その特徴は支持ピン５'が円錐台形を
なしている点にある。支持ピン5'の底面の直径は支柱4
の直径よりも小さく、支柱4から直角に突起して先細り
するように取り付けられている（図３(a)参照）。図３
(b)に示されるように、半導体基板6と支持ピン５'は点
接触することによって、さらに接触面積を小さくするこ
とができる。
したものである。その特徴は支持ピン５'が円錐台形を
なしている点にある。支持ピン5'の底面の直径は支柱4
の直径よりも小さく、支柱4から直角に突起して先細り
するように取り付けられている（図３(a)参照）。図３
(b)に示されるように、半導体基板6と支持ピン５'は点
接触することによって、さらに接触面積を小さくするこ
とができる。
【００１４】図４は、基板支持ボートの他の実施例を示
したものである。その特徴は支持ピン５"が三角柱をな
している点にある。支持ピン5"は、側線部分が真上にな
りかつ支柱4から直角に突起するように取り付けられて
いる（図４(a)参照）。図４(b)に示されるように、半導
体基板6と支持ピン５"は線接触することによって、接触
面積を小さくすることができる。
したものである。その特徴は支持ピン５"が三角柱をな
している点にある。支持ピン5"は、側線部分が真上にな
りかつ支柱4から直角に突起するように取り付けられて
いる（図４(a)参照）。図４(b)に示されるように、半導
体基板6と支持ピン５"は線接触することによって、接触
面積を小さくすることができる。
【００１５】図２、３及び４において、支持ピンの形状
が円柱形、円錐台形及び三角柱形の場合について説明し
たが、支持ピンの形状はこれらに限定されるものではな
く、基板と点若しくは線で接触するようなあらゆる形状
が適用可能である。例えば半球体若しくは半楕円体など
である。
が円柱形、円錐台形及び三角柱形の場合について説明し
たが、支持ピンの形状はこれらに限定されるものではな
く、基板と点若しくは線で接触するようなあらゆる形状
が適用可能である。例えば半球体若しくは半楕円体など
である。
【００１６】次に、半導体バッチ処理装置について説明
する。図５は半導体バッチ処理装置を略示したものであ
る。半導体バッチ処理装置40は、ロードロックチャンバ
43、リアクタチャンバ48、両方の部屋を仕切るためのゲ
ートバルブ(45,47)、基板搬送ロボット46、及び真空排
気ポンプ（図示せず）から成る。本発明に係る基板支持
ボート(44,49)はロードロックチャンバ43内及びリアク
タチャンバ48内に配置されている。
する。図５は半導体バッチ処理装置を略示したものであ
る。半導体バッチ処理装置40は、ロードロックチャンバ
43、リアクタチャンバ48、両方の部屋を仕切るためのゲ
ートバルブ(45,47)、基板搬送ロボット46、及び真空排
気ポンプ（図示せず）から成る。本発明に係る基板支持
ボート(44,49)はロードロックチャンバ43内及びリアク
タチャンバ48内に配置されている。
【００１７】カセット40aに積載された被処理体である
半導体基板は、大気ロボット41によって、ゲートバルブ
42を通じてロードロックチャンバ43内の所定の基板支持
ボート44に搬送される。すべての搬送が終了すると、ゲ
ートバルブ42が閉じられ、ロードロックチャンバ43内は
真空排気される。次に真空ロボット46によって支持ボー
ト44上の被処理体である半導体基板は、ゲートバルブ45
及び47を介してリアクタチャンバ48内の基板支持ボート
49の所定位置（スロット）に搬送される。その後ゲート
バルブ45及び47が閉じられる。リアクタチャンバ内で半
導体基板は加熱され薄膜の成膜若しくはエッチングなど
の処理が施される。処理が終了すると、ゲートバルブ45
及び47が開かれ、処理済の半導体基板は逆の動作でカセ
ット40aまで搬送される。
半導体基板は、大気ロボット41によって、ゲートバルブ
42を通じてロードロックチャンバ43内の所定の基板支持
ボート44に搬送される。すべての搬送が終了すると、ゲ
ートバルブ42が閉じられ、ロードロックチャンバ43内は
真空排気される。次に真空ロボット46によって支持ボー
ト44上の被処理体である半導体基板は、ゲートバルブ45
及び47を介してリアクタチャンバ48内の基板支持ボート
49の所定位置（スロット）に搬送される。その後ゲート
バルブ45及び47が閉じられる。リアクタチャンバ内で半
導体基板は加熱され薄膜の成膜若しくはエッチングなど
の処理が施される。処理が終了すると、ゲートバルブ45
及び47が開かれ、処理済の半導体基板は逆の動作でカセ
ット40aまで搬送される。
【００１８】
【効果】本発明に従う基板支持ボートによれば、従来の
支柱を使用しても反りが生ずることなく、しかも材質に
無関係に高精度の支持ボートを製作することができる。
支柱を使用しても反りが生ずることなく、しかも材質に
無関係に高精度の支持ボートを製作することができる。
【００１９】また、本発明に従う基板支持ボートによれ
ば、支持ピンと半導体基板との接触面積を非常に小さく
することができ、その結果、安定性が増し、上下に移動
中に発生する振動が極力抑えられ、パーティクル汚染の
心配がなくなった。
ば、支持ピンと半導体基板との接触面積を非常に小さく
することができ、その結果、安定性が増し、上下に移動
中に発生する振動が極力抑えられ、パーティクル汚染の
心配がなくなった。
【００２０】さらに、本発明に従う基板支持ボートによ
れば、支持ピンと半導体基板との接触面積を非常に小さ
くすることができ、その結果、被処理体の面内の熱均一
性を短時間で達成することができる。
れば、支持ピンと半導体基板との接触面積を非常に小さ
くすることができ、その結果、被処理体の面内の熱均一
性を短時間で達成することができる。
【図１】図１は、本発明に従う基板支持ボートの好適実
施例を示し、図１(a)は側面図を、図１(b)は図１(a)のA
-A断面図をそれぞれ示す。
施例を示し、図１(a)は側面図を、図１(b)は図１(a)のA
-A断面図をそれぞれ示す。
【図２】図２は、図１の部分拡大図を示し、図２(a)は
斜視図を、図２(b)は側面図をそれぞれ示す。
斜視図を、図２(b)は側面図をそれぞれ示す。
【図３】図３は、本発明に従う基板支持ボートの他の実
施例を示し、図３(a)は斜視図を、図３(b)は側面図をそ
れぞれ示す。
施例を示し、図３(a)は斜視図を、図３(b)は側面図をそ
れぞれ示す。
【図４】図４は、本発明に従う基板支持ボートの他の実
施例を示し、図４(a)は斜視図を、図４(b)は側面図をそ
れぞれ示す。
施例を示し、図４(a)は斜視図を、図４(b)は側面図をそ
れぞれ示す。
【図５】図５は、本発明に従う基板支持ボートを用いる
半導体処理装置の略示図である。
半導体処理装置の略示図である。
1 基板支持ボート 2 上部プレート 3 下部プレート 4 支柱 5 支持ピン 6 半導体基板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年６月１９日（２０００．６．１
９）
９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【図３】
【図１】
【図４】
【図５】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA24 BD01 JA01 KA02 4K030 CA04 CA12 GA02 GA13 5F004 BB16 BB19 BB26 BC05 BC06 5F031 CA02 MA28 MA29 MA30 MA32 PA26 5F045 BB02 BB15 EB08 EM08 EM09 EN04 EN05
Claims (2)
- 【請求項１】上下に２枚の平行なプレートと、前記プレ
ート間に該プレートと垂直に設けられた少なくとも３本
の支柱と、前記支柱に取り付けられ、複数の被処理体を
所定の間隔で水平に支持するための支持部材と、から成
る半導体製造装置用基板支持ボートにおいて、前記支持
部材が前記被処理体を点若しくは線で支持することを特
徴とする装置。 - 【請求項２】請求項１に記載の装置であって、前記被処
理体は半導体基板である、ところの装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000174364A JP2001358076A (ja) | 2000-06-09 | 2000-06-09 | 半導体製造装置用基板支持ボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000174364A JP2001358076A (ja) | 2000-06-09 | 2000-06-09 | 半導体製造装置用基板支持ボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001358076A true JP2001358076A (ja) | 2001-12-26 |
Family
ID=18676418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000174364A Pending JP2001358076A (ja) | 2000-06-09 | 2000-06-09 | 半導体製造装置用基板支持ボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001358076A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006089819A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Ｃｖｄコーティング方法およびｃｖｄコーティング装置 |
| JP2009228050A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 被成膜物の支持機構 |
-
2000
- 2000-06-09 JP JP2000174364A patent/JP2001358076A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006089819A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Ｃｖｄコーティング方法およびｃｖｄコーティング装置 |
| JP2009228050A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 被成膜物の支持機構 |
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