JP2001356635A - 画像形成装置 - Google Patents

画像形成装置

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JP2001356635A
JP2001356635A JP2000180352A JP2000180352A JP2001356635A JP 2001356635 A JP2001356635 A JP 2001356635A JP 2000180352 A JP2000180352 A JP 2000180352A JP 2000180352 A JP2000180352 A JP 2000180352A JP 2001356635 A JP2001356635 A JP 2001356635A
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heater
temperature
control
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image forming
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Junichi Shirai
潤一 白井
Masami Masushiro
正己 益城
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Kyocera Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な構成で温度リップルの少ない定着装置
を備えた画像形成装置を提供する。 【解決手段】 記録媒体に形成した画像をランプヒータ
3を内蔵した加熱手段により定着する定着装置を備えた
画像形成装置において、前記画像形成装置の駆動制御に
用いられる交流電源の振幅周期の半サイクルを単位とし
て前記ランプヒータ3を点灯制御して前記加熱手段の加
熱制御を行うことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体に形成し
た画像をヒータを内蔵した加熱手段により定着する定着
装置を備えた画像形成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、加熱手段にハロゲンランプヒ
ータを内蔵し、図6に示すように、設定温度に対して定
着装置の検知温度が低いとき、ハロゲンランプヒータへ
の電力供給をオン制御し、検知温度が設定温度以上であ
れば電力供給をオフ制御する制御技術はよく知られてい
る。しかしながら、この技術は前記設定温度を中心とし
てハロゲンヒータがオンオフ動作するために、温度リッ
プルが発生し定着ムラが生じるという問題がある。
【0003】よって、ヒータへの電力供給制御は設定温
度上限値と下限値を設け、定着体の検知温度が設定温度
上限値以上のとき加熱電力をオフ制御し、設定温度下限
値以下のとき加熱電力をオン制御している。そして、設
定温度下限値よりも高く設定温度上限値未満のとき定着
体の熱容量、周囲温度等の環境条件から求めたオン、オ
フデューティ比に基づいて加熱電力を制御する方法が特
開平8−146816号公報に提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この技
術は、検知温度が設定温度上限値と下限値の範囲内にあ
るとき、加熱電力をオン、オフデューティ比に基づいて
制御することで、温度リップルはある程度改善される
が、オン、オフデューティ比に基づく制御期間中はデュ
ーティ比が固定されているために温度リップルがなくな
るものではない。また、様々な環境条件を想定して、加
熱装置固有の静的条件及び動的条件までも加味した係数
を多数用意しておかなければならず、それらのための記
憶装置が必要になるばかりでなく、処理も煩雑になって
しまう。
【0005】本発明は上記問題に鑑みてなされたもので
あり、簡単な構成で温度リップルの少ない定着装置を備
えた画像形成装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本第1発明は、記録媒体
に形成した画像をヒータを内蔵した加熱手段により定着
する定着装置を備えた画像形成装置において、前記画像
形成装置の駆動制御に用いられる交流電源の振幅周期の
半サイクルを単位として前記加熱手段の加熱制御を行う
ことを特徴とする。
【0007】かかる技術によると、画像形成装置の駆動
制御に用いられる交流電源の振幅周期の半サイクルを単
位として前記ヒータを点灯制御しているので、特別に水
晶発信器と分周手段とにより制御用周波数電源を構成す
る必要はない。ヒータをオンオフ制御する時間幅を従来
技術に比べて容易に設定することができる。
【0008】また、本第2発明は、記録媒体に形成した
画像をヒータを内蔵した加熱手段により定着する定着装
置を備えた画像形成装置において、前記ヒータへの通電
をオン、オフ制御して前記定着装置の温度を制御する温
度制御手段を設け、この温度制御手段は、設定温度の上
限値及び下限値を設定し、前記定着装置の検知温度が前
記上限値以上のとき電力供給をオフ制御し、検知温度が
前記下限値以下のとき電力供給をオン制御し、検知温度
が前記下限値よりも高く前記上限値よりも低い適正範囲
内のとき、前記ヒータへの電力供給オン比率を変えて制
御するように構成し、検知温度が前記下限値以下から前
記適正範囲に到達した後の前記上限値に向かう立ち上が
り勾配を、前記下限値以下から前記適正範囲に到達した
立ち上がり勾配より緩くするとともに、検知温度が前記
上限値以上から前記適正範囲に到達した後の前記下限値
に向かう立ち下がり勾配を、前記上限値以上から前記適
正範囲に到達した立ち下がり勾配より緩くしたことを特
徴とする。
【0009】かかる技術によると、設定温度の上限値及
び下限値を設定し、前記定着装置の検知温度が前記上限
値以上のとき電力供給をオフ制御し、検知温度が前記下
限値以下のとき電力供給をオン制御し、ヒータへの通電
を制御する温度制御手段を設け、例えば、図5に示すよ
うに、前記定着装置の検知温度Tが前記下限値TLより
も高く前記上限値TUよりも低い適正範囲内のとき、前
記ヒータへの電力供給オン比率を変えて制御するように
構成し、検知温度Tが前記下限値TL以下から前記適正
範囲に到達した後の前記上限値に向かう立ち上がり勾配
L1を、前記下限値TL以上から前記適正範囲に到達し
た立ち上がり勾配L0より緩くするとともに、検知温度
が前記上限値TU以上から前記適正範囲に到達した後の
前記下限値TLに向かう立ち下がり勾配L4を、前記上
限値TU以上から前記適正範囲に到達した立ち下がり勾
配L3より緩くしたので、従来技術に比べて温度リップ
ルの発生を抑制することができる。
【0010】また、前記画像形成装置の駆動制御に用い
られる交流電源の振幅周期の半サイクルを単位として前
記ヒータへの通電を制御して前記加熱手段の加熱制御を
行うように構成することも本第2発明の有効な手段であ
る。
【0011】かかる技術手段によると、画像形成装置の
駆動制御に用いられる交流電源の振幅周期の半サイクル
を単位として前記ヒータを点灯制御しているので、特別
に水晶発信器と分周手段とにより制御用周波数電源を構
成する必要はない。ヒータをオンオフ制御する時間幅が
従来技術に比べて容易に設定することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を例示的に詳しく説明する。但しこの実施の形
態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その
相対配置などは特に特定的な記載がない限りは、この発
明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく単なる説明
例に過ぎない。
【0013】図1は、本発明に用いられる定着装置を制
御する概略ブロック構成図、図2は、定着装置を制御す
る要部ブロック構成図、図3は、ヒータへの電力供給方
法を説明する説明図、図4は、半波波数制御によりヒー
タへ通電する方法を説明する説明図、図5は、定着装置
の温度変化を示す説明図である。
【0014】図1において、内部に両端子形のハロゲン
ランプヒータ3が配置された加熱ローラ26は、記録媒
体への加熱部分が熱伝導体で円筒状に形成され、その一
端側には絶縁体の合成樹脂で形成された回転軸部28、
及び他端側には歯部27aと回転軸部27bを有するギ
ア部27が配設され、前記回転軸部28及び27bは図
示しない枠体の軸受けによって回転自在に保持されてい
る。尚、本実施の形態においては、ランプヒータに限定
するものではないが、通電後の昇温ディレイや通電断後
のオーバーシュートに鑑みた場合においては、上述の円
筒状熱伝導体とハロゲンランプとの組み合わせ時に特に
顕著の作用効果を奏する。
【0015】前記回転軸部28及び27bからは接点軸
29及び30が突出され、接点軸29はトライアック4
及びリード線31を介してヒータ制御手段24に、ま
た、接点軸30と前記トリアック4間には交流電源が接
続されている。尚、図示を省略したが、接点軸29とト
ライアック4,5、また、接点軸30と交流電源との間
の接続は、トライアック4,5側の固定接点に回転可能
な接点軸29が接触し、交流電源側の固定接点に回転可
能な接点軸30が接触するように構成されている。
【0016】後述する半波波数制御パルス発生回路1
2、温度制御部13、インターフェイス回路及びCPU
(中央演算装置)等を備えた電気制御回路20は、前記
したヒータ制御手段24、ROM22、入出力手段2
1、温度センサ25、前記加熱ローラ26の歯部27a
と噛合して前記加熱ローラ26を回転駆動する加熱ロー
ラ駆動手段23と接続している。
【0017】ヒータ制御手段24、温度制御部13、及
び半波波数制御パルス発生回路12は、図2に示すよう
に構成される。ヒータ制御手段24は、電源プラグ1、
ヒューズ2、トライアック4、5、及びゼロクロス検出
回路6により構成され、ヒューズ2とゼロクロス検出回
路6との接続点とトライアック4、5との間にはハロゲ
ンランプヒータ3が接続されている。
【0018】そして、電源プラグ1により交流電源が印
加されている状態で、フォトトライアック5に外部から
光信号が入来するとトライアック4が導通し、ハロゲン
ランプヒータ3が点灯し、交流電源の振幅波形が正から
負に切り替わる際の、ゼロクロス時点に同期して外部に
光信号を送出するように構成されている。
【0019】また、温度センサ25からの検知温度に基
づいて温度制御部13は、定着装置の設定温度上限値T
Uと、設定温度下限値TLとが設定されている。そし
て、ヒータ制御手段24、温度センサ25、温度制御部
13は温度制御手段を構成している。
【0020】温度制御部13は、図3に示すように、半
波波数制御パルス発生回路12にヒータオン信号(a)
を、すなわち、負から正への立ち上がり信号を送出する
とともに、温度センサ25からの検知温度に基づいて、
設定温度上限値TU>検知温度Tとなったときに負とな
る前記ヒータオン信号(a)を送出する。
【0021】このヒータオン信号(a)は、そのままヒ
ータ制御信号として用いられるものではなく、(b)に
示すように半波波数制御パルス発生回路12において、
前記ヒータオン信号の立ち上がり時点から連続点灯に入
る前にオンオフ信号により断続点灯を行う連続点灯前断
続点灯制御(A段階)と、前記ヒータオン信号の立ち下
がり時点から連続消灯に入る前にオンオフ信号により連
続消灯前断続点灯制御(B段階)とを行うために、不連
続期間決定部7に伝えられる。
【0022】この不連続期間決定部7は、前記ヒータオ
ン信号(a)に同期して制御出力部9に信号を送出して
制御出力部9を駆動して光出力をフォトトライアック5
に送出してトライアック4をオンしてハロゲンランプヒ
ータ3を点灯する。
【0023】一方、ゼロクロス検出回路6は、図4に示
すように、交流電源の振幅周期の半サイクル毎に点滅す
る光出力を半波波数制御パルス発生回路12のクロック
発生部11に送出して、このクロック発生部11により
形成される交流電源の振幅周期の半サイクル毎のクロッ
ク信号を波数制御パルス発生部10に送出する。
【0024】一方、前記不連続期間決定部7は、予め決
定された不連続期間とそれに対応するヒータオンオフ比
率との組み合わせが多数、テーブルとして用意されてい
る。よって、所定の不連続期間、所定のパルス出力を繰
り返すように前記不連続期間決定部7から可変比率発生
部8に指令すると、可変比率発生部8によって、その不
連続期間に対応する所定のパルス出力を出力するために
波数制御パルス発生部10に信号を出力する。
【0025】この出力を受けて波数制御パルス発生部1
0は交流電源の振幅周期の半サイクル毎の光出力をフォ
トトライアック5に送出するように制御出力部9を制御
し、ハロゲンランプヒータ3を点滅する。
【0026】所定のパルス出力を繰り返した後は、次の
ヒータオンオフ比率へ切替えられ、パルス出力を所定の
回数繰り返す。よって、所定の不連続期間、所定のパル
ス出力を繰り返すと可変比率発生部8により次のヒータ
オンオフ比率へ切替えられ、パルス出力を所定の回数繰
り返す。このヒータオンオフ比率の切り換え回数は、設
定温度と検知温度との差が大きいほど多く、小さいほど
少ない。つまり、前記温度検知信号はこの不連続期間決
定部7にも伝えられ、可変比率発生部8におけるヒータ
オンオフ比率の切り換え回数が決まる。
【0027】波数制御パルス発生部10と制御出力部9
は、不連続期間決定部7と可変比率発生部8からの信号
により最終的にフォトトライアック5を制御する事でヒ
ータがオフからオンへ移行する時とオンからオフへ移行
する時、ゼロクロスを制御の起点にした半波波数制御と
なる。
【0028】ヒータ制御手段24、温度制御部13、及
び半波波数制御パルス発生回路12は、上述のように構
成されているので、ゼロクロス検出回路6は電源電圧を
光に変換しクロック発生部11に伝え、半波波数制御パ
ルス発生回路12はゼロクロス信号に同期して動作す
る。温度制御部13からの検知温度に基づくヒータオン
信号は不連続期間決定部7に伝えられ半波波数制御が開
始される。
【0029】あらかじめ設定されたヒータオンオフ比率
から始まり、所定のパルス出力を繰り返すと可変比率発
生部8により次のヒータオンオフ比率へ切替えられ、パ
ルス出力を所定の回数繰り返す。波数制御パルス発生部
10と制御出力部9は、不連続期間決定部7と可変比率
発生部8からの信号により最終的にフォトトライアック
5を制御する事でヒータがオフからオンへ移行する時と
オンからオフへ移行する時、ゼロクロスを制御の起点に
した半波波数制御となる。
【0030】図3(a)は、温度制御部13からのヒー
タオン信号であり、この信号をもとに図3(b)のA部
及びB部の半波波数制御パルスが追加される。図4に
は、交流電源の振幅周期の半サイクル毎にヒータに電流
が通過する様子が示されている。R1の期間では、半波
波数制御がオンオフ比1:2で3回、1:1で3回オン
比率を増し、R2の期間では全波オンになり、R3の期
間更にオンオフ比1:1で2回、1:2で2回、1:3
で1回オン比率を減らしながら終結する様子を示す。破
線で示すところはヒータに電力供給されず間引かれた部
分である。
【0031】次に、図5を用いて本実施の形態にかかる
定着装置の温度特性を説明する。定着装置の温度センサ
25が設定温度下限値TL以下の検知温度Tを検出した
際には、TL≧Tでありヒータが連続的にオンであるた
めに、定着装置の温度は画像形成装置の周囲温度と定着
装置のヒータオン以前の温度等との関係から決まる適宜
温度からラインL0のように上昇する。
【0032】そして、検知温度が前記下限値よりも高く
前記上限値よりも低い適正範囲内では、TL<T<TU
であり、半波波数制御パルス発生回路12により、図3
(b)に示す前記ヒータオン信号の立ち下がり時点から
連続消灯に入る前にオンオフ信号により連続消灯前断続
点灯制御(B段階)のごとく、半波波数制御が開始され
る。そのために、ラインL0で立ち上がった勾配は、半
波波数制御のためにラインL1に示すように緩くなり、
よって、消灯後のラインL2の勾配は半波波数制御を行
わずに連続点灯を続けた場合より緩くなり、設定温度上
限値を越える温度リップル量は少なくなる。
【0033】また、定着装置の温度センサ25が設定温
度上限値TU以上の検知温度Tを検出した際には、TU
≦Tでありヒータが連続的にオフであるために、定着装
置の温度は画像形成装置の周囲温度と定着装置のヒータ
オフ以前の温度等との関係から決まる適宜温度からライ
ンL3のように降下する。
【0034】そして、検知温度が前記下限値よりも高く
前記上限値よりも低い適正範囲内では、TL<T<TU
であり、半波波数制御パルス発生回路12により、図3
(b)に示す前記ヒータオフ信号の立ち上がり時点から
連続点灯に入る前にオンオフ信号により連続点灯前断続
点灯制御(A段階)のごとく、半波波数制御が開始され
る。そのために、ラインL3で立ち下がった勾配は、半
波波数制御のためにラインL4に示すように緩くなり、
よって、点灯後のラインL5の勾配は半波波数制御を行
わずに連続点灯を続けた場合より緩くなり、設定温度下
限値を越える温度リップル量は少なくなる。
【0035】そして、本実施の形態においては、適正温
度値内の立ち上がりラインL1の勾配より立ち下がりラ
インL4の勾配を緩くしている。これにより、速く適正
温度値に立ち上げ、長く適正温度値内に保つことができ
るとともに、上下方向の温度リップルを少なくすること
ができる。
【0036】また、ヒータオン状態のラインL0の温度
上昇の度合いが、ヒータオフ時のラインL3の温度下降
の度合いよりも大きいために、ヒータがオンからオフへ
移行する時の半波波数制御を省き、ヒータオン状態で適
正温度値内へ立ち上げてもよい。
【0037】尚、本実施の形態においては、図1で説明
したハードウェアで交流電源から半波波数制御パターン
を得ているが、必ずしもこれに限定されるものではな
く、適宜水晶発信器と分周器を用い前記半波波数制御パ
ターンを発生することも可能である。
【0038】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように本第1発明
は、画像形成装置の駆動制御に用いられる交流電源の振
幅周期の半サイクルを単位として定着装置のヒータを点
灯制御しているので、特別に水晶発信器と分周手段とに
より制御用周波数電源を構成する必要はない。ヒータを
オンオフ制御する時間幅が従来技術に比べて容易に設定
することができる。
【0039】また、本第2発明は、設定温度の上限値及
び下限値を設定し、定着装置の検知温度が前記上限値以
上のとき電力供給をオフ制御し、検知温度が前記下限値
以下のとき電力供給をオン制御し、ヒータへの通電を制
御する温度制御手段を設け、検知温度が前記下限値より
も高く前記上限値よりも低い適正範囲内の温度勾配を、
その前段の温度特性勾配より緩く形成したので、従来技
術に比べて温度リップルの発生を抑制することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に用いられる定着装置を制御する概
略ブロック構成図である。
【図2】 定着装置を制御する要部ブロック構成図で
ある。
【図3】 ヒータへの電力供給方法を説明する説明図
である。
【図4】 半波波数制御によりヒータへ通電する方法
を説明する説明図である。
【図5】 定着装置の温度変化を示す説明図である。
【図6】 従来技術による定着装置の温度変化を説明
する説明図である。
【符号の説明】
3 ハロゲンランプヒータ(ヒータ) 6 ゼロクロス検出回路 12 半波波数制御パルス発生回路 24 ヒータ制御手段
フロントページの続き Fターム(参考) 2H033 AA03 BA30 CA07 CA30 CA47 CA48 3K058 AA72 BA18 CA23 CB05 CD01 CE16 DA02 GA06 5H323 BB11 CA06 CB04 DA01 DB04 FF01 KK05 MM02 MM15

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 記録媒体に形成した画像をヒータを内蔵
    した加熱手段により定着する定着装置を備えた画像形成
    装置において、 前記画像形成装置の駆動制御に用いられる交流電源の振
    幅周期の半サイクルを単位として前記加熱手段の加熱制
    御を行うことを特徴とする画像形成装置。
  2. 【請求項2】 記録媒体に形成した画像をヒータを内蔵
    した加熱手段により定着する定着装置を備えた画像形成
    装置において、 前記ヒータへの通電をオン、オフ制御して前記定着装置
    の温度を制御する温度制御手段を設け、 この温度制御手段は、設定温度の上限値及び下限値を設
    定し、前記定着装置の検知温度が前記上限値以上のとき
    電力供給をオフ制御し、検知温度が前記下限値以下のと
    き電力供給をオン制御し、 検知温度が前記下限値よりも高く前記上限値よりも低い
    適正範囲内のとき、前記ヒータへの電力供給オン比率を
    変えて制御するように構成し、 検知温度が前記下限値以下から前記適正範囲に到達した
    後の前記上限値に向かう立ち上がり勾配を、前記下限値
    以下から前記適正範囲に到達した立ち上がり勾配より緩
    くするとともに、 検知温度が前記上限値以上から前記適正範囲に到達した
    後の前記下限値に向かう立ち下がり勾配を、前記上限値
    以上から前記適正範囲に到達した立ち下がり勾配より緩
    くしたことを特徴とする画像形成装置。
  3. 【請求項3】 前記画像形成装置の駆動制御に用いられ
    る交流電源の振幅周期の半サイクルを単位として前記ヒ
    ータへの通電を制御して前記加熱手段の加熱制御を行う
    ことを特徴とする請求項2記載の画像形成装置。
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