JP2001354630A - ノルボルナンｔ−ブチルエステル化合物及びその製造法 - Google Patents
ノルボルナンｔ−ブチルエステル化合物及びその製造法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 経済的にコストが安価で、溶解阻止剤と
しての性能が高く（コントラストが明確になる）、かつ
基板との密着性の良好な脂環式溶解阻止化合物を提供す
ることを課題とする。 【解決手段】 本発明は、式［１］で表される表される
２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル−３，５，６−トリ
（ｔ−ブトキシカルボニル）ノルボルナン及び式［２］
で表される２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル−３−ｔ
−ブトキシカルボニルノルボルナン−５，６−ジカルボ
ン酸無水物に関する。又、式［３］で表される２−カル
ボキシメチル−３，５，６−トリカルボキシノルボルナ
ン又は式［４］で表される２−カルボキシメチル−３−
カルボキシノルボルナン−５、６−ジカルボン酸無水物
を酸触媒の存在下、イソブテン又はｔ−ブタノールと反
応させる式［１］及び式［２］で表される前記の化合物
の製造法に関する。 【化１】
しての性能が高く（コントラストが明確になる）、かつ
基板との密着性の良好な脂環式溶解阻止化合物を提供す
ることを課題とする。 【解決手段】 本発明は、式［１］で表される表される
２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル−３，５，６−トリ
（ｔ−ブトキシカルボニル）ノルボルナン及び式［２］
で表される２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル−３−ｔ
−ブトキシカルボニルノルボルナン−５，６−ジカルボ
ン酸無水物に関する。又、式［３］で表される２−カル
ボキシメチル−３，５，６−トリカルボキシノルボルナ
ン又は式［４］で表される２−カルボキシメチル−３−
カルボキシノルボルナン−５、６−ジカルボン酸無水物
を酸触媒の存在下、イソブテン又はｔ−ブタノールと反
応させる式［１］及び式［２］で表される前記の化合物
の製造法に関する。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、式［１］及び
［２］
［２］
【０００２】
【化７】
【０００３】で表される２−ｔ−ブトキシカルボニルメ
チル−３，５，６−トリ（ｔ−ブトキシカルボニル）ノ
ルボルナン及び２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル−３
−ｔ−ブトキシカルボニルノルボルナン−５，６−ジカ
ルボン酸無水物及びそれらの製造法に関する。
チル−３，５，６−トリ（ｔ−ブトキシカルボニル）ノ
ルボルナン及び２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル−３
−ｔ−ブトキシカルボニルノルボルナン−５，６−ジカ
ルボン酸無水物及びそれらの製造法に関する。
【０００４】本発明のノルボルナンｔ−ブチルエステル
化合物は、半導体製造プロセスにおけるフォトリソグラ
フィー工程に関し、紫外線、遠紫外線、電子線、イオン
ビーム及びＸ線などの活性光線を用いたリソグラフィ−
に好適なパターン形成材料のアルカリ溶液への溶解抑止
剤等として用いられる。
化合物は、半導体製造プロセスにおけるフォトリソグラ
フィー工程に関し、紫外線、遠紫外線、電子線、イオン
ビーム及びＸ線などの活性光線を用いたリソグラフィ−
に好適なパターン形成材料のアルカリ溶液への溶解抑止
剤等として用いられる。
【０００５】
【従来の技術】これまで知られている脂環式溶解抑止剤
としては、下記構造式で表されるコリン酸ｔ-ブチルエ
ステルの記載がある（日本特許：特開平１１−８４６６
３号公報）。しかし、原料のコリン酸はコスト的に高価
であった。
としては、下記構造式で表されるコリン酸ｔ-ブチルエ
ステルの記載がある（日本特許：特開平１１−８４６６
３号公報）。しかし、原料のコリン酸はコスト的に高価
であった。
【０００６】
【化８】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は経済的
にコストが安価で、パターン形成材料の溶解抑止剤とし
ての性能が高く（コントラストが明確になる）、かつ基
板との密着性が良好な脂環式溶解抑止化合物を提供する
ことにある。
にコストが安価で、パターン形成材料の溶解抑止剤とし
ての性能が高く（コントラストが明確になる）、かつ基
板との密着性が良好な脂環式溶解抑止化合物を提供する
ことにある。
【０００８】本発明者らは、安価な原料から脂環式ｔ−
ブチルエステルを得る方法を鋭意検討した。その結果、
ジシクロペンタジエンと３級アルコ−ル中の一酸化炭素
挿入反応によって得られるトリシクロ［５．２．１．０
2,6］デセ−３−エン−８，９−ジカルボン酸無水物の
二重結合を酸化開裂させた後、ｔ−ブチルエステル化す
ることにより目的の２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル
−３，５，６−トリ（ｔ−ブトキシカルボニル）ノルボ
ルナン及び２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル−３−ｔ
−ブトキシカルボニルノルボルナン−５，６−ジカルボ
ン酸無水物が得られることを見出し本発明を完成させ
た。
ブチルエステルを得る方法を鋭意検討した。その結果、
ジシクロペンタジエンと３級アルコ−ル中の一酸化炭素
挿入反応によって得られるトリシクロ［５．２．１．０
2,6］デセ−３−エン−８，９−ジカルボン酸無水物の
二重結合を酸化開裂させた後、ｔ−ブチルエステル化す
ることにより目的の２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル
−３，５，６−トリ（ｔ−ブトキシカルボニル）ノルボ
ルナン及び２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル−３−ｔ
−ブトキシカルボニルノルボルナン−５，６−ジカルボ
ン酸無水物が得られることを見出し本発明を完成させ
た。
【０００９】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、式
［１］
［１］
【００１０】
【化９】
【００１１】で表される２−ｔ−ブトキシカルボニルメ
チル−３，５，６−トリ（ｔ−ブトキシカルボニル）ノ
ルボルナンに関する。
チル−３，５，６−トリ（ｔ−ブトキシカルボニル）ノ
ルボルナンに関する。
【００１２】また、本発明は、［２］
【００１３】
【化１０】
【００１４】で表される２−ｔ−ブトキシカルボニルメ
チル−３−ｔ−ブトキシカルボニルノルボルナン−５，
６−ジカルボン酸無水物に関する。
チル−３−ｔ−ブトキシカルボニルノルボルナン−５，
６−ジカルボン酸無水物に関する。
【００１５】また更に、本発明は、式［３］
【００１６】
【化１１】
【００１７】で表される２−カルボキシメチル−３，
５，６−トリカルボキシノルボルナンを酸触媒の存在
下、イソブテン又はｔ−ブタノールと反応させることを
特徴とする式［１］及び［２］
５，６−トリカルボキシノルボルナンを酸触媒の存在
下、イソブテン又はｔ−ブタノールと反応させることを
特徴とする式［１］及び［２］
【００１８】
【化１２】
【００１９】で表される２−ｔ−ブトキシカルボニルメ
チル−３，５，６−トリ（ｔ−ブトキシカルボニル）ノ
ルボルナン及び２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル−３
−ｔ−ブトキシカルボニルノルボルナン−５，６−ジカ
ルボン酸無水物の製造法に関する。
チル−３，５，６−トリ（ｔ−ブトキシカルボニル）ノ
ルボルナン及び２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル−３
−ｔ−ブトキシカルボニルノルボルナン−５，６−ジカ
ルボン酸無水物の製造法に関する。
【００２０】更にまた、本発明は、式［４］
【００２１】
【化１３】
【００２２】で表される２−カルボキシメチル−３−カ
ルボキシノルボルナン−５、６−ジカルボン酸無水物を
酸触媒の存在下、イソブテン又はｔ−ブタノールと反応
させることを特徴とする式［２］
ルボキシノルボルナン−５、６−ジカルボン酸無水物を
酸触媒の存在下、イソブテン又はｔ−ブタノールと反応
させることを特徴とする式［２］
【００２３】
【化１４】
【００２４】で表される２−ｔ−ブトキシカルボニルメ
チル−３−ｔ−ブトキシカルボニルノルボルナン−５，
６−ジカルボン酸無水物の製造法に関する。
チル−３−ｔ−ブトキシカルボニルノルボルナン−５，
６−ジカルボン酸無水物の製造法に関する。
【００２５】
【発明の実施態様】以下、本発明を詳細に説明する。原
料のトリシクロデカン誘導体は、次の反応スキームで製
造される（特公平５−２６７４号公報）。
料のトリシクロデカン誘導体は、次の反応スキームで製
造される（特公平５−２６７４号公報）。
【００２６】
【化１５】
【００２７】ジシクロペンタジエン、ｔ−ブタノールな
どの３級アルコール，アリルアルコール更にエチレング
リコール等のアルコール類および一酸化炭素から、塩化
銅存在下パラジウム触媒によりトリシクロ［５．２．
１．０2,6］デセ−３−エン−８，９−ジカルボン酸無
水物（ＴＣＤＡ）が得られる。
どの３級アルコール，アリルアルコール更にエチレング
リコール等のアルコール類および一酸化炭素から、塩化
銅存在下パラジウム触媒によりトリシクロ［５．２．
１．０2,6］デセ−３−エン−８，９−ジカルボン酸無
水物（ＴＣＤＡ）が得られる。
【００２８】次に、ＴＣＤＡの二重結合の酸化開裂によ
る２−カルボキシメチル−３−カルボキシノルボルナン
−５、６−ジカルボン酸無水物（ＮＭＡ）及び２−カル
ボキシメチル−３，５，６−トリカルボキシノルボルナ
ン（ＴＣＮ）は、次のスキームで製造される（特公平４
−５４６６３号公報）。
る２−カルボキシメチル−３−カルボキシノルボルナン
−５、６−ジカルボン酸無水物（ＮＭＡ）及び２−カル
ボキシメチル−３，５，６−トリカルボキシノルボルナ
ン（ＴＣＮ）は、次のスキームで製造される（特公平４
−５４６６３号公報）。
【００２９】
【化１６】
【００３０】次に、テトラカルボン酸のＴＣＮとイソブ
テン又はｔ−ブタノールとの反応について述べる。反応
は、下記のスキームで表される。
テン又はｔ−ブタノールとの反応について述べる。反応
は、下記のスキームで表される。
【００３１】
【化１７】
【００３２】原料のＴＣＮは、上記反応粗物をそのまま
用いることができる。イソブテン又はｔ−ブタノール
は、ジカルボン酸に対し１〜２０モル倍、経済的には１
〜５モル倍使用することが好ましい。イソブテンは、先
に溶媒を仕込んだ耐圧反応器を−１０℃以下に冷却した
ところに、気体又は液体で常圧下仕込むことができる。
用いることができる。イソブテン又はｔ−ブタノール
は、ジカルボン酸に対し１〜２０モル倍、経済的には１
〜５モル倍使用することが好ましい。イソブテンは、先
に溶媒を仕込んだ耐圧反応器を−１０℃以下に冷却した
ところに、気体又は液体で常圧下仕込むことができる。
【００３３】本反応は、酸触媒により促進される。酸触
媒としては、一例を挙げれば、硫酸、塩酸及び燐酸等の
無機鉱酸類、ギ酸、酢酸及びトリフルオロ酢酸等の脂肪
族カルボン酸類、メタンスルホン酸、トリフルオロメタ
ンスルホン酸及びｐ−トルエンスルホン酸等の有機スル
ホン酸類、リンタングステン酸、シリカタングステン酸
及びリンモリブデン酸等のヘテロポリ酸類及びスカンジ
ウムトリフルオロメタンスルホネートスカンジウム、ト
リフルオロメタンスルホネート及びイッテルビウムトリ
フルオロメタンスルホネート等の希土類金属トリフラー
トに代表されるルイス酸類等が使用することができる。
これらの中で、特には経済的な硫酸及びｐ−トルエンス
ルホン酸が好ましく、更には硫酸が好ましい。
媒としては、一例を挙げれば、硫酸、塩酸及び燐酸等の
無機鉱酸類、ギ酸、酢酸及びトリフルオロ酢酸等の脂肪
族カルボン酸類、メタンスルホン酸、トリフルオロメタ
ンスルホン酸及びｐ−トルエンスルホン酸等の有機スル
ホン酸類、リンタングステン酸、シリカタングステン酸
及びリンモリブデン酸等のヘテロポリ酸類及びスカンジ
ウムトリフルオロメタンスルホネートスカンジウム、ト
リフルオロメタンスルホネート及びイッテルビウムトリ
フルオロメタンスルホネート等の希土類金属トリフラー
トに代表されるルイス酸類等が使用することができる。
これらの中で、特には経済的な硫酸及びｐ−トルエンス
ルホン酸が好ましく、更には硫酸が好ましい。
【００３４】その使用量は、基質に対し０．１〜５０モ
ル％（ヘテロポリ酸類の場合は１〜５０重量％）が好ま
しく、特には０．５〜１０モル％（ヘテロポリ酸類の場
合は５〜２０重量％）が好ましい。
ル％（ヘテロポリ酸類の場合は１〜５０重量％）が好ま
しく、特には０．５〜１０モル％（ヘテロポリ酸類の場
合は５〜２０重量％）が好ましい。
【００３５】イソブテンによるエステル化反応は、溶媒
を使用することが好ましい。その種類としては、例え
ば、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン（ＥＤＣ）
及び１，１，2−トリクロロエタン等のハロゲン化炭化
水素類、トルエン、キシレン及びジクロロベンゼンなど
の芳香族化合物類、アセトニトリル及びプロピオニトリ
ル等の脂肪族ニトリル類、ジオキサン、１，２−ジメト
キシエタン及びジグライム（ジエチレングリコールジメ
チルエーテル）等のエーテル化合物類等が挙げられる。
これらの中で好ましくは、ＥＤＣである。
を使用することが好ましい。その種類としては、例え
ば、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン（ＥＤＣ）
及び１，１，2−トリクロロエタン等のハロゲン化炭化
水素類、トルエン、キシレン及びジクロロベンゼンなど
の芳香族化合物類、アセトニトリル及びプロピオニトリ
ル等の脂肪族ニトリル類、ジオキサン、１，２−ジメト
キシエタン及びジグライム（ジエチレングリコールジメ
チルエーテル）等のエーテル化合物類等が挙げられる。
これらの中で好ましくは、ＥＤＣである。
【００３６】ｔ−ブタノールによるエステル化反応で
は、前記溶媒類を使用することもできるが、ｔ−ブタノ
ールを過剰量用いて、余剰量を回収するのが好ましい。
使用量は、基質に対し１〜５０重量倍が好ましく、特に
は１〜１０重量倍が好ましい。
は、前記溶媒類を使用することもできるが、ｔ−ブタノ
ールを過剰量用いて、余剰量を回収するのが好ましい。
使用量は、基質に対し１〜５０重量倍が好ましく、特に
は１〜１０重量倍が好ましい。
【００３７】反応温度は、−１０〜１５０℃で可能であ
るが、好ましくは、１０〜１００℃が、特には、３０〜
８０℃が反応が速くかつ高収率で目的物が得られる。ｔ
−ブタノールによるエステル化反応では、副生する水を
過剰量のｔ−ブタノールと一緒に留出させながら、また
トルエンなどを加えて共沸させながら、常圧又は減圧下
で反応を進行させることができる。
るが、好ましくは、１０〜１００℃が、特には、３０〜
８０℃が反応が速くかつ高収率で目的物が得られる。ｔ
−ブタノールによるエステル化反応では、副生する水を
過剰量のｔ−ブタノールと一緒に留出させながら、また
トルエンなどを加えて共沸させながら、常圧又は減圧下
で反応を進行させることができる。
【００３８】更に、本反応は、回分式または連続式で行
なうことができる。反応終了後、余剰イソブテン又はｔ
−ブタノール及び溶媒を留去し、得られた反応粗物を蒸
留、カラムクロマトグラフィー又は再結晶で精製するこ
とにより、目的のｔ−ブチルエステル化合物（ＢＢＮ
Ａ、ＴＢＢＮ）が得られる。次に、ＮＭＡのイソブテン
又はｔ−ブタノールによるｔ−ブチルエステル化につい
て述べる。反応は、次のスキームで表される。
なうことができる。反応終了後、余剰イソブテン又はｔ
−ブタノール及び溶媒を留去し、得られた反応粗物を蒸
留、カラムクロマトグラフィー又は再結晶で精製するこ
とにより、目的のｔ−ブチルエステル化合物（ＢＢＮ
Ａ、ＴＢＢＮ）が得られる。次に、ＮＭＡのイソブテン
又はｔ−ブタノールによるｔ−ブチルエステル化につい
て述べる。反応は、次のスキームで表される。
【００３９】
【化１８】
【００４０】原料のＮＭＡは、前記反応粗物をそのまま
用いることができる。反応条件及び生成物ＢＢＮＡの精
製は、前記ＴＣＮを原料とする場合と同様に行なうこと
ができる。
用いることができる。反応条件及び生成物ＢＢＮＡの精
製は、前記ＴＣＮを原料とする場合と同様に行なうこと
ができる。
【００４１】以下、実施例により本発明を更に説明する
が、本発明はこれらにより限定されるものではない。
が、本発明はこれらにより限定されるものではない。
【００４２】
【実施例】実施例１
【００４３】
【化１９】
【００４４】５０ｍｌ耐圧ガラス反応器に２−カルボキ
シメチル−３，５，６−トリカルボキシノルボルナン
（ＴＣＮ）３．３６ｇ（１１．７ｍｍｏｌ）、９５％硫
酸０．２０ｇ（１０ｍｏｌ％）及び１，2−ジクロロエ
タン（ＥＤＣ）２０ｇを仕込み、−１０℃に冷却してか
らイソブテン６．６ｇ（１１８ｍｍｏｌ）を吹き込んだ
後密閉した。４０℃でマグネチックスターラーにより２
０時間撹拌した。終了後、水２０ｍｌ、飽和重曹水２０
ｍｌ、更に水２０ｍｌで２回の順に洗浄した後、ＥＤＣ
溶液を濃縮した。得られた油状物をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（展開液：ヘプタン／酢酸エチル＝９
／１〜５／１）で精製した。
シメチル−３，５，６−トリカルボキシノルボルナン
（ＴＣＮ）３．３６ｇ（１１．７ｍｍｏｌ）、９５％硫
酸０．２０ｇ（１０ｍｏｌ％）及び１，2−ジクロロエ
タン（ＥＤＣ）２０ｇを仕込み、−１０℃に冷却してか
らイソブテン６．６ｇ（１１８ｍｍｏｌ）を吹き込んだ
後密閉した。４０℃でマグネチックスターラーにより２
０時間撹拌した。終了後、水２０ｍｌ、飽和重曹水２０
ｍｌ、更に水２０ｍｌで２回の順に洗浄した後、ＥＤＣ
溶液を濃縮した。得られた油状物をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（展開液：ヘプタン／酢酸エチル＝９
／１〜５／１）で精製した。
【００４５】その結果、室温で油状物質０．５５ｇ
（２．５ｍｍｏｌ；収率２１．４％）が得られた。この
物質は以下に示す分析結果より２−ｔ−ブトキシカルボ
ニルメチル−３，５，６−トリ（ｔ−ブトキシカルボニ
ル）ノルボルナン（ＴＢＢＮ）であることを確認した。
（２．５ｍｍｏｌ；収率２１．４％）が得られた。この
物質は以下に示す分析結果より２−ｔ−ブトキシカルボ
ニルメチル−３，５，６−トリ（ｔ−ブトキシカルボニ
ル）ノルボルナン（ＴＢＢＮ）であることを確認した。
【００４６】MASS(FAB+1,m/e(%)):511(M+1,7),455(12),
399(16),343(25),287(100),269(47),251(55).1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.418(s,9H),1.422(s,9H),1.427
(s,9H),1.432(s,9H),2.16(d,J=7.78Hz,1H),2.27(dd,J1=
7.33Hz,J2=14.05Hz,1H),2.35(s,1H),2.67(d,J=2.67Hz,1
H),2.82-2.90(m,2H),3.06(d,J=18.3Hz,3H),3.08(s,1H),
3.23(d,J=9.78Hz,1H),3.32(d,J=9.78Hz,1H).13 C-NMR(CDCl3,δppm):28.10(3本分),28.12(6本分),28.
15(3本分),34.05,36.33,37.11,44.05,44.66,44.99,45.4
6,46.01,80.13,80.19,80.26,80.32,172.16,172.30,172.
33,172.60.
399(16),343(25),287(100),269(47),251(55).1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.418(s,9H),1.422(s,9H),1.427
(s,9H),1.432(s,9H),2.16(d,J=7.78Hz,1H),2.27(dd,J1=
7.33Hz,J2=14.05Hz,1H),2.35(s,1H),2.67(d,J=2.67Hz,1
H),2.82-2.90(m,2H),3.06(d,J=18.3Hz,3H),3.08(s,1H),
3.23(d,J=9.78Hz,1H),3.32(d,J=9.78Hz,1H).13 C-NMR(CDCl3,δppm):28.10(3本分),28.12(6本分),28.
15(3本分),34.05,36.33,37.11,44.05,44.66,44.99,45.4
6,46.01,80.13,80.19,80.26,80.32,172.16,172.30,172.
33,172.60.
【００４７】更に、後留として針状結晶３．１５ｇ
（６．２ｍｍｏｌ；収率５２．８％）が得られた。この
物質は以下に示す分析結果より２−ｔ−ブトキシカルボ
ニルメチル−３−ｔ−ブトキシカルボニルノルボルナン
−５，６−ジカルボン酸無水物（ＢＢＮＡ）であること
を確認した。
（６．２ｍｍｏｌ；収率５２．８％）が得られた。この
物質は以下に示す分析結果より２−ｔ−ブトキシカルボ
ニルメチル−３−ｔ−ブトキシカルボニルノルボルナン
−５，６−ジカルボン酸無水物（ＢＢＮＡ）であること
を確認した。
【００４８】MASS(FAB+1,m/e(%)):381(M+1,20),325(3
5),310(34),269(100),251(75).1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.41-1.43(m,1H),1.44(s,9H),1.4
6(s,9H),1.57(d,J=11.0Hz,1H),2.31(dd,J1=7.33Hz,J2=1
5.89Hz,1H),2.58-2.65(m,1H),2.73(dd,J1=8.55Hz,J2=1
5.88Hz,1H),2.77(d,J=2.67Hz,1H),2.96(dd,J1=3.66Hz,J
2=11.0Hz,1H),3.00(d,J=4.28Hz,1H),3.25(d,J=7.33Hz,1
H).13 C-NMR(CDCl3,δppm):28.08(3本分),28.13(3本分),33.
79,35.33,36.88,43.06,43.90,44.63,44.68,45.58,81.1
5,81.56,171.45,171.61,173.22,173.30. ｍｐ．１７１〜１７２℃． 実施例２
5),310(34),269(100),251(75).1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.41-1.43(m,1H),1.44(s,9H),1.4
6(s,9H),1.57(d,J=11.0Hz,1H),2.31(dd,J1=7.33Hz,J2=1
5.89Hz,1H),2.58-2.65(m,1H),2.73(dd,J1=8.55Hz,J2=1
5.88Hz,1H),2.77(d,J=2.67Hz,1H),2.96(dd,J1=3.66Hz,J
2=11.0Hz,1H),3.00(d,J=4.28Hz,1H),3.25(d,J=7.33Hz,1
H).13 C-NMR(CDCl3,δppm):28.08(3本分),28.13(3本分),33.
79,35.33,36.88,43.06,43.90,44.63,44.68,45.58,81.1
5,81.56,171.45,171.61,173.22,173.30. ｍｐ．１７１〜１７２℃． 実施例２
【００４９】
【化２０】
【００５０】実施例１に於て、原料を２−カルボキシメ
チル−３−カルボキシノルボルナン−５，６−ジカルボ
ン酸無水物（ＮＭＡ）３．１４ｇ（１１．７ｍｍｏｌ）
に変えた他は同様に反応・精製させた後、得られたＢＢ
ＮＡは、３．０５ｇ（８．０３ｍｍｏｌ；収率６８．６
％）であった。更に、後留としてＮＭＡ０．７４ｇ（収
率２３．６％）が回収された。
チル−３−カルボキシノルボルナン−５，６−ジカルボ
ン酸無水物（ＮＭＡ）３．１４ｇ（１１．７ｍｍｏｌ）
に変えた他は同様に反応・精製させた後、得られたＢＢ
ＮＡは、３．０５ｇ（８．０３ｍｍｏｌ；収率６８．６
％）であった。更に、後留としてＮＭＡ０．７４ｇ（収
率２３．６％）が回収された。
【００５１】
【発明の効果】本発明により、新規な２−ｔ−ブトキシ
カルボニルメチル−３，５，６−トリ（ｔ−ブトキシカ
ルボニル）ノルボルナン（ＴＢＢＮ）及び２−ｔ−ブト
キシカルボニルメチル−３−ｔ−ブトキシカルボニルノ
ルボルナン−５，６−ジカルボン酸無水物（ＢＢＮＡ）
を安価な製造法で提供できる。また、得られた脂環式エ
ステル化合物は、優れた性能を有するパターン形成材料
の溶解抑止剤として提供できる。
カルボニルメチル−３，５，６−トリ（ｔ−ブトキシカ
ルボニル）ノルボルナン（ＴＢＢＮ）及び２−ｔ−ブト
キシカルボニルメチル−３−ｔ−ブトキシカルボニルノ
ルボルナン−５，６−ジカルボン酸無水物（ＢＢＮＡ）
を安価な製造法で提供できる。また、得られた脂環式エ
ステル化合物は、優れた性能を有するパターン形成材料
の溶解抑止剤として提供できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (5)
- 【請求項１】 式［１］ 【化１】 で表される２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル−３，
５，６−トリ（ｔ−ブトキシカルボニル）ノルボルナ
ン。 - 【請求項２】 式［２］ 【化２】 で表される２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル−３−ｔ
−ブトキシカルボニルノルボルナン−５，６−ジカルボ
ン酸無水物。 - 【請求項３】 式［３］ 【化３】 で表される２−カルボキシメチル−３，５，６−トリカ
ルボキシノルボルナンを酸触媒の存在下、イソブテン又
はｔ−ブタノールと反応させることを特徴とする式
［１］及び［２］ 【化４】 で表される２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル−３，
５，６−トリ（ｔ−ブトキシカルボニル）ノルボルナン
及び２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル−３−ｔ−ブト
キシカルボニルノルボルナン−５，６−ジカルボン酸無
水物の製造法。 - 【請求項４】 式［４］ 【化５】 で表される２−カルボキシメチル−３−カルボキシノル
ボルナン−５、６−ジカルボン酸無水物を酸触媒の存在
下、イソブテン又はｔ−ブタノールと反応させることを
特徴とする式［２］ 【化６】 で表される２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル−３−ｔ
−ブトキシカルボニルノルボルナン−５，６−ジカルボ
ン酸無水物の製造法。 - 【請求項５】 酸触媒が鉱酸、ヘテロポリ酸及びトリフ
ルオロメタンスルホン酸希土類金属塩である請求項３又
は４記載の２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル−３，
５，６−トリ（ｔ−ブトキシカルボニル）ノルボルナン
及び２−ｔ−ブトキシカルボニルメチル−３−ｔ−ブト
キシカルボニルノルボルナン−５，６−ジカルボン酸無
水物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000176397A JP2001354630A (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | ノルボルナンｔ−ブチルエステル化合物及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000176397A JP2001354630A (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | ノルボルナンｔ−ブチルエステル化合物及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001354630A true JP2001354630A (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=18678127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000176397A Pending JP2001354630A (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | ノルボルナンｔ−ブチルエステル化合物及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001354630A (ja) |
-
2000
- 2000-06-13 JP JP2000176397A patent/JP2001354630A/ja active Pending
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