JP2002249490A - 脂環式ジエーテル誘導体及びその製造法 - Google Patents
脂環式ジエーテル誘導体及びその製造法Info
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- JP2002249490A JP2002249490A JP2001048048A JP2001048048A JP2002249490A JP 2002249490 A JP2002249490 A JP 2002249490A JP 2001048048 A JP2001048048 A JP 2001048048A JP 2001048048 A JP2001048048 A JP 2001048048A JP 2002249490 A JP2002249490 A JP 2002249490A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 コストが安く、加水分解速度が速く、溶
解抑止剤としての性能が高く、かつドライエッチング耐
性の良好な脂環式溶解抑止化合物の提供。 【解決手段】 式〔1〕で表される脂環式ジエーテル誘
導体に関する。又、式〔2〕で表される脂環式ジメタノ
ールを、酸触媒の存在下、酸素原子を含んでも良い炭素
数4〜10の(置換)環状炭化水素化合物(例えば3,
4−ジヒドロ−2H−ピラン)と反応させることを特徴
とする式〔1〕で表される脂環式ジエーテル誘導体の製
造法に関する。 〔式中、Qは二重結合を含んでも良い炭素数10〜22
の脂環式炭化水素基を表し、Xは−CH2O−基又は−
O−基を表し、Rは酸素原子を含んでも良い炭素数4〜
10の(置換)環状炭化水素基を表す。但し、二つの
(−X−R)置換基は互いに隣接している。〕
解抑止剤としての性能が高く、かつドライエッチング耐
性の良好な脂環式溶解抑止化合物の提供。 【解決手段】 式〔1〕で表される脂環式ジエーテル誘
導体に関する。又、式〔2〕で表される脂環式ジメタノ
ールを、酸触媒の存在下、酸素原子を含んでも良い炭素
数4〜10の(置換)環状炭化水素化合物(例えば3,
4−ジヒドロ−2H−ピラン)と反応させることを特徴
とする式〔1〕で表される脂環式ジエーテル誘導体の製
造法に関する。 〔式中、Qは二重結合を含んでも良い炭素数10〜22
の脂環式炭化水素基を表し、Xは−CH2O−基又は−
O−基を表し、Rは酸素原子を含んでも良い炭素数4〜
10の(置換)環状炭化水素基を表す。但し、二つの
(−X−R)置換基は互いに隣接している。〕
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、式〔1〕
【0002】
【化4】
【0003】(式中、Qは二重結合を含んでも良い炭素
数10〜22の脂環式炭化水素基を表し、Xは−CH2
O−基又は−O−基を表し、Rは酸素原子を含んでも良
い炭素数4〜10の環状炭化水素基を表す。但し、二つ
の(−X−R)置換基は互いに隣接している。)で表さ
れる脂環式ジエーテル誘導体及びその製造法に関する。
数10〜22の脂環式炭化水素基を表し、Xは−CH2
O−基又は−O−基を表し、Rは酸素原子を含んでも良
い炭素数4〜10の環状炭化水素基を表す。但し、二つ
の(−X−R)置換基は互いに隣接している。)で表さ
れる脂環式ジエーテル誘導体及びその製造法に関する。
【0004】本発明の脂環式誘導体は、半導体製造プロ
セスにおけるフォトリソグラフィー工程に関し、紫外
線、遠紫外線、電子線、イオンビーム及びX線などの活
性光線を用いたリソグラフィーに好適なパターン形式材
料分野のアルカリ溶液への溶解抑止剤等として用いられ
る。
セスにおけるフォトリソグラフィー工程に関し、紫外
線、遠紫外線、電子線、イオンビーム及びX線などの活
性光線を用いたリソグラフィーに好適なパターン形式材
料分野のアルカリ溶液への溶解抑止剤等として用いられ
る。
【0005】
【従来の技術】これまで知られている脂環式溶解抑止剤
としては、下記に示すコリン酸t-ブチルエステルの記
載がある(特開平11−84663)。
としては、下記に示すコリン酸t-ブチルエステルの記
載がある(特開平11−84663)。
【0006】
【化5】
【0007】しかし、原料のコリン酸はコスト的に高価
であった。又、t-ブチルエステルは実用場面での酸に
よる加水分解速度が遅く必ずしも十分では無い。
であった。又、t-ブチルエステルは実用場面での酸に
よる加水分解速度が遅く必ずしも十分では無い。
【0008】又、4,8−ビス(2−テトラヒドロピラ
ニルオキシメチル)トリシクロデカンの記載がある(特
開平12−038416号公報)。しかし、2つの2−
テトラヒドロピラニルオキシメチル基が、トリシクロデ
カンの4位及び8位で、3環の末端にそれぞれ位置する
化学構造をしていることから疎水性が未だ不完全で、露
光しない部分の溶解阻止力が、必ずしも十分ではない。
ニルオキシメチル)トリシクロデカンの記載がある(特
開平12−038416号公報)。しかし、2つの2−
テトラヒドロピラニルオキシメチル基が、トリシクロデ
カンの4位及び8位で、3環の末端にそれぞれ位置する
化学構造をしていることから疎水性が未だ不完全で、露
光しない部分の溶解阻止力が、必ずしも十分ではない。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、経済
的にコストが安価で、加水分解速度が速く、溶解抑止剤
としての性能が高く(コントラストが明確になる)、か
つドライエッチング耐性の良好な脂環式溶解抑止化合物
を提供することにある。
的にコストが安価で、加水分解速度が速く、溶解抑止剤
としての性能が高く(コントラストが明確になる)、か
つドライエッチング耐性の良好な脂環式溶解抑止化合物
を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者は、安価な原料
から脂環式ジエーテル誘導体を得る方法を鋭意検討し
た。その結果、本発明を完成した。
から脂環式ジエーテル誘導体を得る方法を鋭意検討し
た。その結果、本発明を完成した。
【0011】即ち、本発明は、式〔1〕
【0012】
【化6】
【0013】(式中、Qは二重結合を含んでも良い炭素
数10〜22の脂環式炭化水素基を表し、Xは−CH2
O−基又は−O−基を表し、Rは酸素原子を含んでも良
い炭素数4〜10の(置換)環状炭化水素基を表す。但
し、二つの(−X−R)置換基は互いに隣接してい
る。)で表される脂環式ジエーテル誘導体に関する。
数10〜22の脂環式炭化水素基を表し、Xは−CH2
O−基又は−O−基を表し、Rは酸素原子を含んでも良
い炭素数4〜10の(置換)環状炭化水素基を表す。但
し、二つの(−X−R)置換基は互いに隣接してい
る。)で表される脂環式ジエーテル誘導体に関する。
【0014】また、本発明は、式〔2〕
【0015】
【化7】
【0016】(式中、Qは二重結合を含んでも良い炭素
数10〜22の脂環式炭化水素基を表し、Xは−CH2
O−基又は−O−基を表す。但し、二つの(−X−H)
置換基は互いに隣接している。)で表される脂環式ジメ
タノール又は脂環式ジオールを、酸触媒の存在下、酸素
原子を含んでも良い炭素数4〜10の(置換)環状炭化
水素化合物と反応させることを特徴とする式〔1〕
数10〜22の脂環式炭化水素基を表し、Xは−CH2
O−基又は−O−基を表す。但し、二つの(−X−H)
置換基は互いに隣接している。)で表される脂環式ジメ
タノール又は脂環式ジオールを、酸触媒の存在下、酸素
原子を含んでも良い炭素数4〜10の(置換)環状炭化
水素化合物と反応させることを特徴とする式〔1〕
【0017】
【化8】
【0018】(式中、Q、X及びRは前記と同じ。)で
表される脂環式ジエーテル誘導体の製造法に関する。
表される脂環式ジエーテル誘導体の製造法に関する。
【0019】
【発明の実施態様】以下、本発明を詳細に説明する。原
料の二重結合を含んでも良い炭素数10〜22の脂環式
ジメタノール又は脂環式ジオールは、例えば、
料の二重結合を含んでも良い炭素数10〜22の脂環式
ジメタノール又は脂環式ジオールは、例えば、
【0020】
【化9】
【0021】(式中、破線部の炭素間結合は、単結合又
は二重結合を表す。) 等で表される。
は二重結合を表す。) 等で表される。
【0022】これらの中で代表例として、実施例で採り
上げた原料の脂環式ジオール誘導体及び脂環式ジメタノ
ール誘導体の製法について、更に具体的に述べると、次
の反応スキームで表される。
上げた原料の脂環式ジオール誘導体及び脂環式ジメタノ
ール誘導体の製法について、更に具体的に述べると、次
の反応スキームで表される。
【0023】ジシクロペンタジエン(DCPD)のノル
ボルネン環の二重結合を還元しDH−DCPDを得た
後、酸化、水和してTDOLを製造する方法で、二つの
ヒドロキシル基が隣接した2級の脂環式ジオール誘導体
が得られる(特開2001−39926号公報)。
ボルネン環の二重結合を還元しDH−DCPDを得た
後、酸化、水和してTDOLを製造する方法で、二つの
ヒドロキシル基が隣接した2級の脂環式ジオール誘導体
が得られる(特開2001−39926号公報)。
【0024】
【化10】
【0025】又、ジシクロペンタジエン、メタノール及
び一酸化炭素から、塩化銅存在下パラジウム触媒により
トリシクロ〔5.2.1.02,6〕デセ−3エン−8,
9−ジカルボン酸ジメチル(TCDME)が製造される
(特公平4−60100号公報)。
び一酸化炭素から、塩化銅存在下パラジウム触媒により
トリシクロ〔5.2.1.02,6〕デセ−3エン−8,
9−ジカルボン酸ジメチル(TCDME)が製造される
(特公平4−60100号公報)。
【0026】
【化11】
【0027】次に、TCDMEの二重結合を還元してD
H−TCDMEを得た(特開平7−53453号公報)
後、そのエステル基を還元し二つのヒドロキシメチル基
が隣接した1級の脂環式ジオール(DH−DOL)を製
造する(特開平7−206740号公報)。
H−TCDMEを得た(特開平7−53453号公報)
後、そのエステル基を還元し二つのヒドロキシメチル基
が隣接した1級の脂環式ジオール(DH−DOL)を製
造する(特開平7−206740号公報)。
【0028】
【化12】
【0029】又、TCDMEのエステル基のみを還元し
て、DOLを製造する(特開平7−206741号公
報)。
て、DOLを製造する(特開平7−206741号公
報)。
【0030】
【化13】
【0031】一方、酸素原子を含んでも良い炭素数4〜
10の(置換)環状炭化水素化合物としては、2,3−
ジヒドロフラン、4,5−ジヒドロ−2−メチルフラ
ン、3,4−ジヒドロ−2H−ピラン、3,4−ジヒド
ロ−2−メトキシ−2H−ピラン、3,4−ジヒドロ−
2−エトキシ−2H−ピラン等が一例として挙げられ
る。
10の(置換)環状炭化水素化合物としては、2,3−
ジヒドロフラン、4,5−ジヒドロ−2−メチルフラ
ン、3,4−ジヒドロ−2H−ピラン、3,4−ジヒド
ロ−2−メトキシ−2H−ピラン、3,4−ジヒドロ−
2−エトキシ−2H−ピラン等が一例として挙げられ
る。
【0032】次に、以上の脂環式ジメタノール又は脂環
式ジオールと3,4−ジヒドロピランとの反応について
述べる。反応は、下記のスキームで表される。
式ジオールと3,4−ジヒドロピランとの反応について
述べる。反応は、下記のスキームで表される。
【0033】
【化14】
【0034】(式中、Q及びXは、前記意味に同じであ
る。) 3,4−ジヒドロピランは市販品をそのまま用いること
ができる。脂環式ジメタノール又は脂環式ジオールに対
し1〜10モル倍、経済的には1〜5モル倍使用するこ
とが好ましい。
る。) 3,4−ジヒドロピランは市販品をそのまま用いること
ができる。脂環式ジメタノール又は脂環式ジオールに対
し1〜10モル倍、経済的には1〜5モル倍使用するこ
とが好ましい。
【0035】本反応は、酸触媒により促進される。酸触
媒としては、一例を挙げれば、硫酸、塩酸及び燐酸等の
無機鉱酸類、ギ酸、酢酸及びトリフルオロ酢酸等の脂肪
族カルボン酸類、メタンスルホン酸、トリフルオロメタ
ンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸及びp−トルエンス
ルホン酸等の有機スルホン酸類、リンタングステン酸、
シリカタングステン酸及びリンモリブデン酸等のヘテロ
ポリ酸類及びスカンジウムトリフルオロメタンスルホネ
ート及びイッテルビウムトリフルオロメタンスルホネー
ト等の希土類トリフラートに代表されるルイス酸類等が
使用することができる。
媒としては、一例を挙げれば、硫酸、塩酸及び燐酸等の
無機鉱酸類、ギ酸、酢酸及びトリフルオロ酢酸等の脂肪
族カルボン酸類、メタンスルホン酸、トリフルオロメタ
ンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸及びp−トルエンス
ルホン酸等の有機スルホン酸類、リンタングステン酸、
シリカタングステン酸及びリンモリブデン酸等のヘテロ
ポリ酸類及びスカンジウムトリフルオロメタンスルホネ
ート及びイッテルビウムトリフルオロメタンスルホネー
ト等の希土類トリフラートに代表されるルイス酸類等が
使用することができる。
【0036】これらの中で、経済的な硫酸、p−トルエ
ンスルホン酸が好ましく、特に収率面からp−トルエン
スルホン酸が好ましい。
ンスルホン酸が好ましく、特に収率面からp−トルエン
スルホン酸が好ましい。
【0037】その使用量は、基質に対し0.001〜5
モル%(ヘテロポリ酸類の場合は0.01〜5重量%)
が好ましく、特には0.01〜1モル%(ヘテロポリ酸
類の場合は0.05〜1重量%)が好ましい。
モル%(ヘテロポリ酸類の場合は0.01〜5重量%)
が好ましく、特には0.01〜1モル%(ヘテロポリ酸
類の場合は0.05〜1重量%)が好ましい。
【0038】本反応は、無溶媒で行うこともできるが、
溶媒を使用することもできる。使用する場合は、その種
類としては、例えば、クロロホルム、1,2−ジクロロ
エタン(EDC)及び1,1,2−トリクロロエタン等
のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン及びジク
ロロベンゼンなどの芳香族化合物類、アセトニトリル及
びプロピオニトリル等の脂肪族ニトリル類、1,4−ジ
オキサン、1,2−ジメトキシエタン及びジグライム
(ジエチレングリコールジメチルエーテル)等のエーテ
ル化合物類等が挙げられる。
溶媒を使用することもできる。使用する場合は、その種
類としては、例えば、クロロホルム、1,2−ジクロロ
エタン(EDC)及び1,1,2−トリクロロエタン等
のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン及びジク
ロロベンゼンなどの芳香族化合物類、アセトニトリル及
びプロピオニトリル等の脂肪族ニトリル類、1,4−ジ
オキサン、1,2−ジメトキシエタン及びジグライム
(ジエチレングリコールジメチルエーテル)等のエーテ
ル化合物類等が挙げられる。
【0039】
【実施例】実施例1
【0040】
【化15】
【0041】50ml四つ口パイレックスガラス製反応
器に8,9−ビス(ヒドロキシメチル)トリシクロ
〔5.2.1.02,6〕デカン(DH−DOL)1.9
6g(10mmol)、3,4−ジヒドロ−2H−ピラ
ン1.68g(20mmol)、p−トルエンスルホン
酸・一水和物0.019g(1mol%)及び1,2−
ジクロロエタン(EDC)20gを仕込み、15℃でマ
グネチックスターラーにより撹拌を開始した。反応液
は、スラリーから5分後に均一溶液になった。更に2時
間撹拌を続けてから反応を終了させた。水20ml、飽
和重曹水20ml、更に水20mlで2回の順に洗浄し
た後、EDC溶液を濃縮し油状物質3.28gを得た。
得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(展開液:ヘプタン/酢酸エチル=9/1)で精製し
た。その結果室温で油状物質2.55g(7.0mmo
l;収率70%)が得られた。この物質は以下に示す分
析結果より8,9−ビス(2−テトラヒドロピラニルオ
キシメチル)トリシクロ〔5.2.1.02,6〕デカン
(BPTD)であることを確認した。
器に8,9−ビス(ヒドロキシメチル)トリシクロ
〔5.2.1.02,6〕デカン(DH−DOL)1.9
6g(10mmol)、3,4−ジヒドロ−2H−ピラ
ン1.68g(20mmol)、p−トルエンスルホン
酸・一水和物0.019g(1mol%)及び1,2−
ジクロロエタン(EDC)20gを仕込み、15℃でマ
グネチックスターラーにより撹拌を開始した。反応液
は、スラリーから5分後に均一溶液になった。更に2時
間撹拌を続けてから反応を終了させた。水20ml、飽
和重曹水20ml、更に水20mlで2回の順に洗浄し
た後、EDC溶液を濃縮し油状物質3.28gを得た。
得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(展開液:ヘプタン/酢酸エチル=9/1)で精製し
た。その結果室温で油状物質2.55g(7.0mmo
l;収率70%)が得られた。この物質は以下に示す分
析結果より8,9−ビス(2−テトラヒドロピラニルオ
キシメチル)トリシクロ〔5.2.1.02,6〕デカン
(BPTD)であることを確認した。
【0042】MASS(FAB+,m/e(%)):365(M+,4),363(4),281
(75),197(100),177(48),161(55),80(57).1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.23-1.26(m,2H),1.35-1.63(m,18
H),1.73-1.77(m,2H),2.04-2.08(m,2H),2.31-2.35(m,2
H),3.37-3.47(m,4H),3.72-3.84(m,4H),4.27-4.49(m,2
H).13 C-NMR(CDCl3,δppm):19.32,25.30,26.56,28.79,30.4
9,30.58,37.51,37.80,37.90,40.59,44.01,44.79,45.17,
45.49,61.81,67.11,67.41,67.51,67.87,68.00,73.38,9
8.32.
(75),197(100),177(48),161(55),80(57).1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.23-1.26(m,2H),1.35-1.63(m,18
H),1.73-1.77(m,2H),2.04-2.08(m,2H),2.31-2.35(m,2
H),3.37-3.47(m,4H),3.72-3.84(m,4H),4.27-4.49(m,2
H).13 C-NMR(CDCl3,δppm):19.32,25.30,26.56,28.79,30.4
9,30.58,37.51,37.80,37.90,40.59,44.01,44.79,45.17,
45.49,61.81,67.11,67.41,67.51,67.87,68.00,73.38,9
8.32.
【0043】
【実施例2】
【0044】
【化16】
【0045】50ml四つ口パイレックスガラス製反応
器に8,9−ビス(ヒドロキシ)トリシクロ〔5.2.
1.02,6〕デカン(TDOL)1.68g(10mm
ol)、3,4−ジヒドロ−2H−ピラン1.68g
(20mmol)、p−トルエンスルホン酸・一水和物
0.008g(0.5mol%)及び1,2−ジクロロ
エタン(EDC)20gを仕込み、15℃でマグネチッ
クスターラーにより撹拌を開始した。反応液は、スラリ
ーから5分後に均一溶液になった。更に30分撹拌を続
けてから反応を終了させた。水20ml、飽和重曹水2
0ml、更に水20mlで2回の順に洗浄した後、ED
C溶液を濃縮し油状物質3.40gが得られた。得られ
た油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開
液:ヘプタン/酢酸エチル=9/1)で精製した。その
結果室温で油状物質2.16g(6.4mmol;収率
64.3%)が得られた。この物質は以下に示す分析結
果より3,4−ビス(2−テトラヒドロピラニルオキ
シ)トリシクロ〔5.2.1.02,6〕デカン(BPT
C)であることを確認した。
器に8,9−ビス(ヒドロキシ)トリシクロ〔5.2.
1.02,6〕デカン(TDOL)1.68g(10mm
ol)、3,4−ジヒドロ−2H−ピラン1.68g
(20mmol)、p−トルエンスルホン酸・一水和物
0.008g(0.5mol%)及び1,2−ジクロロ
エタン(EDC)20gを仕込み、15℃でマグネチッ
クスターラーにより撹拌を開始した。反応液は、スラリ
ーから5分後に均一溶液になった。更に30分撹拌を続
けてから反応を終了させた。水20ml、飽和重曹水2
0ml、更に水20mlで2回の順に洗浄した後、ED
C溶液を濃縮し油状物質3.40gが得られた。得られ
た油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開
液:ヘプタン/酢酸エチル=9/1)で精製した。その
結果室温で油状物質2.16g(6.4mmol;収率
64.3%)が得られた。この物質は以下に示す分析結
果より3,4−ビス(2−テトラヒドロピラニルオキ
シ)トリシクロ〔5.2.1.02,6〕デカン(BPT
C)であることを確認した。
【0046】MASS(FAB+,m/e(%)):337([M+H]+,8),335(1
0),253(100),133(22),97(55),86(65).1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.40-2.25(m,24H),3.38-3.47(m,2
H),3.78-4.18(m,4H),4.67-4.71(m,1H),4.73-4.92(m,1
H).13 C-NMR(CDCl3,δppm):21.97,23.25,25.50,30.88,38.4
2,40.04,46.46,46.65,60.11,60.65,60.76,61.71,61.98,
62.56,78.26,85.78,94.49,95.09,98.61,99.17.
0),253(100),133(22),97(55),86(65).1 H-NMR(CDCl3,δppm):1.40-2.25(m,24H),3.38-3.47(m,2
H),3.78-4.18(m,4H),4.67-4.71(m,1H),4.73-4.92(m,1
H).13 C-NMR(CDCl3,δppm):21.97,23.25,25.50,30.88,38.4
2,40.04,46.46,46.65,60.11,60.65,60.76,61.71,61.98,
62.56,78.26,85.78,94.49,95.09,98.61,99.17.
Claims (9)
- 【請求項1】 式〔1〕 【化1】 (式中、Qは二重結合を含んでも良い炭素数10〜22
の脂環式炭化水素基を表し、Xは−CH2O−基又は−
O−基を表し、Rは酸素原子を含んでも良い炭素数4〜
10の(置換)環状炭化水素基を表す。但し、二つの
(−X−R)置換基は互いに隣接している。)で表され
る脂環式ジエーテル誘導体。 - 【請求項2】 式〔1〕のQは二重結合を含んでも良い
トリシクロデシル基またはテトラシクロドデシル基であ
る請求項1記載の脂環式ジエーテル誘導体。 - 【請求項3】 式〔1〕のQは二重結合を含んでも良い
トリシクロデシル基である請求項1記載の脂環式ジエー
テル誘導体。 - 【請求項4】 式〔1〕のRは酸素原子を含んでも良い
炭素数4〜10の(置換)環状炭化水素基が2−テトラ
ヒドロピラニル基である請求項1ないし3の何れかに記
載の脂環式ジエーテル誘導体。 - 【請求項5】 式〔2〕 【化2】 (式中、Qは二重結合を含んでも良い炭素数10〜22
の脂環式炭化水素基を表し、Xは−CH2O−基又は−
O−基を表す。但し、二つの(−X−H)置換基は互い
に隣接している。)で表される脂環式ジメタノール又は
脂環式ジオールを、酸触媒の存在下、酸素原子を含んで
も良い炭素数4〜10の(置換)環状炭化水素化合物と
反応させることを特徴とする式〔1〕 【化3】 (式中、Qは二重結合を含んでも良い炭素数10〜22
の脂環式炭化水素基を表し、Xは−CH2O−基又は−
O−基を表し、Rは酸素原子を含んでも良い炭素数4〜
10の(置換)環状炭化水素基を表す。)で表される脂
環式ジエーテル誘導体の製造法。 - 【請求項6】 式〔1〕のQは二重結合を含んでも良い
トリシクロデシル基またはテトラシクロドデシル基であ
る請求項5記載の脂環式ジエーテル誘導体の製造法。 - 【請求項7】 式〔1〕のQは二重結合を含んでも良い
トリシクロデシル基である請求項5記載の脂環式ジエー
テル誘導体の製造法。 - 【請求項8】 式〔1〕のRは酸素原子を含んでも良い
炭素数4〜10の(置換)環状炭化水素基が2−テトラ
ヒドロピラニル基である請求項5ないし7の何れかに記
載の脂環式ジエーテル誘導体の製造法。 - 【請求項9】 酸触媒が、硫酸又は有機スルホン酸化合
物である請求項5ないし8の何れかに記載の脂環式ジエ
ーテル誘導体の製造法。
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---|---|---|---|
JP2001048048A JP2002249490A (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 脂環式ジエーテル誘導体及びその製造法 |
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- 2001-02-23 JP JP2001048048A patent/JP2002249490A/ja active Pending
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