JP2001352030A - Ｌｏｃリードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
Ｌｏｃリードフレーム及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001352030A JP2001352030A JP2000167999A JP2000167999A JP2001352030A JP 2001352030 A JP2001352030 A JP 2001352030A JP 2000167999 A JP2000167999 A JP 2000167999A JP 2000167999 A JP2000167999 A JP 2000167999A JP 2001352030 A JP2001352030 A JP 2001352030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- leads
- film
- lead
- lead frame
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ダイボンディング特性及びワイヤボンディング
特性に優れ、かつ、半導体パッケージにクラックを生じ
させないＬＯＣリードフレーム及びその製造方法を提供
すること。 【解決手段】フィルム４の先端エッヂより、ｐ≒０．１
ｍｍのところに溝６を形成し、そこでリード１に切りこ
みを入れて連結部３を切り離す。
特性に優れ、かつ、半導体パッケージにクラックを生じ
させないＬＯＣリードフレーム及びその製造方法を提供
すること。 【解決手段】フィルム４の先端エッヂより、ｐ≒０．１
ｍｍのところに溝６を形成し、そこでリード１に切りこ
みを入れて連結部３を切り離す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ
Ｏｎ Ｃｈｉｐ）リードフレーム及びその製造方法に
関し、特に、ダイ及びワイヤのボンディング特性に優
れ、半導体パッケージに組み込まれたときにインナーリ
ード先端に集中する応力を緩和してクラックの発生を抑
えるＬＯＣリードフレーム及びその製造方法に関する。
Ｏｎ Ｃｈｉｐ）リードフレーム及びその製造方法に
関し、特に、ダイ及びワイヤのボンディング特性に優
れ、半導体パッケージに組み込まれたときにインナーリ
ード先端に集中する応力を緩和してクラックの発生を抑
えるＬＯＣリードフレーム及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＬＯＣリードフレームの製造方法
として、例えば、特開平７−２０２１０７号公報に示さ
れたものがある。
として、例えば、特開平７−２０２１０７号公報に示さ
れたものがある。
【０００３】図４、図５、及び図６（ａ）、（ｂ）はそ
の公報に示される従来のＬＯＣリードフレームの製造方
法を示す。まず、図４において、所定の厚さの金属板を
プレス加工して、複数のリード１が所定のパターンで形
成され、且つ、ダウンセット加工が施される複数のリー
ド１の先端が連結部３で接続されたリードフレームを製
造する。この加工では、先端が連結部３で接続された複
数のリード１を形成しているため、プレス加工後におい
て複数のリード１の水平方向、或いは垂直方向のねじ
れ、変位等が抑制される。
の公報に示される従来のＬＯＣリードフレームの製造方
法を示す。まず、図４において、所定の厚さの金属板を
プレス加工して、複数のリード１が所定のパターンで形
成され、且つ、ダウンセット加工が施される複数のリー
ド１の先端が連結部３で接続されたリードフレームを製
造する。この加工では、先端が連結部３で接続された複
数のリード１を形成しているため、プレス加工後におい
て複数のリード１の水平方向、或いは垂直方向のねじ
れ、変位等が抑制される。
【０００４】次に、図５において、複数のリード１の先
端部に接着剤（図示せず）が塗布されたフィルム４を熱
圧着して複数のリード１の先端部を固定する。
端部に接着剤（図示せず）が塗布されたフィルム４を熱
圧着して複数のリード１の先端部を固定する。
【０００５】続いて、図６（ａ）、（ｂ）において、複
数のリード１の部分５を変形して、複数のリード１の先
端部にダウンセット部２を形成する。更に、複数のリー
ド１の連結部３を分離する。
数のリード１の部分５を変形して、複数のリード１の先
端部にダウンセット部２を形成する。更に、複数のリー
ド１の連結部３を分離する。
【０００６】この後、フィルム４の接着剤を介してダウ
ンセット部２に半導体チップをダイボンディングし、複
数のリード１の先端と半導体チップの電極をワイヤボン
ディングし、更に、複数のリード１のアウターリード
（図示せず）を残して全体をモールドレジンで包囲して
半導体パッケージを製造する。
ンセット部２に半導体チップをダイボンディングし、複
数のリード１の先端と半導体チップの電極をワイヤボン
ディングし、更に、複数のリード１のアウターリード
（図示せず）を残して全体をモールドレジンで包囲して
半導体パッケージを製造する。
【０００７】このような製造方法では、金属板のプレス
加工において、先端が連結部３で接続された複数のリー
ド１を形成するため、プレス加工時の歪によって複数の
リード１の水平方向、或いは垂直方向のねじれ、変位等
を抑制することができる。また、この状態で複数のリー
ド１にフィルム４を貼り付けるため、良好な接着状態が
得ることができる。また、複数のリード１の先端が連結
され、且つ、複数のリード１にフィルム４が貼り付けら
れた状態でダウンセット加工を行うため、加工時に複数
のリード１が連結部３とフィルム４に支持されることに
なり、このときの複数のリード１の水平方向、或いは垂
直方向のねじれ、変位等も抑制することができる。ま
た、連結部３の切断はフィルム４によって固定されてい
るため問題なく切断することができる。
加工において、先端が連結部３で接続された複数のリー
ド１を形成するため、プレス加工時の歪によって複数の
リード１の水平方向、或いは垂直方向のねじれ、変位等
を抑制することができる。また、この状態で複数のリー
ド１にフィルム４を貼り付けるため、良好な接着状態が
得ることができる。また、複数のリード１の先端が連結
され、且つ、複数のリード１にフィルム４が貼り付けら
れた状態でダウンセット加工を行うため、加工時に複数
のリード１が連結部３とフィルム４に支持されることに
なり、このときの複数のリード１の水平方向、或いは垂
直方向のねじれ、変位等も抑制することができる。ま
た、連結部３の切断はフィルム４によって固定されてい
るため問題なく切断することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＬＯＣ
リードフレームの製造方法によると、フィルム４より突
出しているリード１の部分でリード１を切断しているた
め、リード１がフィルム４から部分的に剥離する恐れが
ある。リード１がフィルム４から部分的に剥離すると、
ダイボンディング特性が低下し、また、半導体パッケー
ジとして使用した場合、通電によってリード１が温度上
昇すると、モールド樹脂との間で熱膨張差が生じ、リー
ド１の先端にストレスが集中して半導体パッケージにク
ラックが生じる恐れがある。更に、ワイヤボンディング
はリード１の先端から約０．１ｍｍの部分に行われる
が、その下にフィルム４がないと、超音波エネルギが十
分に活用されないため、ワイヤボンディング特性が低下
する。
リードフレームの製造方法によると、フィルム４より突
出しているリード１の部分でリード１を切断しているた
め、リード１がフィルム４から部分的に剥離する恐れが
ある。リード１がフィルム４から部分的に剥離すると、
ダイボンディング特性が低下し、また、半導体パッケー
ジとして使用した場合、通電によってリード１が温度上
昇すると、モールド樹脂との間で熱膨張差が生じ、リー
ド１の先端にストレスが集中して半導体パッケージにク
ラックが生じる恐れがある。更に、ワイヤボンディング
はリード１の先端から約０．１ｍｍの部分に行われる
が、その下にフィルム４がないと、超音波エネルギが十
分に活用されないため、ワイヤボンディング特性が低下
する。
【０００９】従って、本発明の目的は、ダイ及びワイヤ
のボンディング特性に優れ、かつ、半導体パッケージに
クラックを生じさせないＬＯＣリードフレーム及びその
製造方法を提供することにある。
のボンディング特性に優れ、かつ、半導体パッケージに
クラックを生じさせないＬＯＣリードフレーム及びその
製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
実現するため、リード間隔を所定の値に維持するととも
に半導体チップを接着して固定するフィルムを接着され
た複数のリードを有するＬＯＣリードフレームにおい
て、前記複数のリードは、それぞれの先端を前記フィル
ムの先端エッヂより所定の距離だけ内側に位置させて前
記フィルムに接着された構成を有することを特徴とする
ＬＯＣリードフレームを提供する。
実現するため、リード間隔を所定の値に維持するととも
に半導体チップを接着して固定するフィルムを接着され
た複数のリードを有するＬＯＣリードフレームにおい
て、前記複数のリードは、それぞれの先端を前記フィル
ムの先端エッヂより所定の距離だけ内側に位置させて前
記フィルムに接着された構成を有することを特徴とする
ＬＯＣリードフレームを提供する。
【００１１】また、本発明は、上記の目的を実現するた
め、リード間隔を所定の値に維持するとともに半導体チ
ップを接着して固定するフィルムを接着された複数のリ
ードを有するＬＯＣリードフレームの製造方法におい
て、金属板材にプレス加工を施して先端を連結部によっ
て連結された複数のリードを形成するリード形成ステッ
プと、前記複数のリードの裏面にフィルムを接着するフ
ィルム接着ステップと、前記フィルムの先端エッヂより
所定の距離だけ内側の位置において前記複数のリードの
表面より切り込みを入れて前期連結部を切り離す切り離
しステップを含むことを特徴とするＬＯＣリードフレー
ムの製造方法を提供する。
め、リード間隔を所定の値に維持するとともに半導体チ
ップを接着して固定するフィルムを接着された複数のリ
ードを有するＬＯＣリードフレームの製造方法におい
て、金属板材にプレス加工を施して先端を連結部によっ
て連結された複数のリードを形成するリード形成ステッ
プと、前記複数のリードの裏面にフィルムを接着するフ
ィルム接着ステップと、前記フィルムの先端エッヂより
所定の距離だけ内側の位置において前記複数のリードの
表面より切り込みを入れて前期連結部を切り離す切り離
しステップを含むことを特徴とするＬＯＣリードフレー
ムの製造方法を提供する。
【００１２】前記所定の距離としては、０．０５ｍｍ〜
２ｍｍであることが好ましい。０．０５ｍｍ以上が好ま
しいのは、０．０５ｍｍ未満だとワイヤボンディング時
の超音波振動が的確にインナーリードに伝わらないから
である。一般に、ワイヤボンディングを行うには、ボン
ディングポイントを中心とした直系７０μｍのボンディ
ング領域が必要であり、超音波振動をインナーリードに
十分に伝えるためには、少なくともこの領域において、
インナーリードの下にフィルムが存在することが重要で
ある。一方、前記のとおり、インナーリードの先端部に
ワイヤボンディングを行なう場合には、普通インナーリ
ードの先端から約０．１ｍｍの位置で行われるが、この
０．１ｍｍの位置を制御することが極めて困難である。
このため、インナーリード先端部の端部にワイヤボンデ
ィングしてしまった場合であって、当該端部を中心とし
たインナーリードの存在しない半径３５μｍのボンディ
ング領域にフィルムが存在しない場合には、現実的に、
このボンディング領域において超音波振動がインナーリ
ードに伝わることなく外部に逃げてしまい、ワイヤボン
ディング性に問題がある。そこで、このインナーリード
の存在しない半径３５μｍの領域の超音波エネルギーを
十分活用するために、インナーリードの先端からフィル
ムを０．０５ｍｍ（５０μｍ）〜２ｍｍ以上突出させる
ことが望ましい。２ｍｍを超える距離ではワイヤボンデ
ィングの効果との関係で必要がないし、パッケージング
作業上不都合を生じることがある。
２ｍｍであることが好ましい。０．０５ｍｍ以上が好ま
しいのは、０．０５ｍｍ未満だとワイヤボンディング時
の超音波振動が的確にインナーリードに伝わらないから
である。一般に、ワイヤボンディングを行うには、ボン
ディングポイントを中心とした直系７０μｍのボンディ
ング領域が必要であり、超音波振動をインナーリードに
十分に伝えるためには、少なくともこの領域において、
インナーリードの下にフィルムが存在することが重要で
ある。一方、前記のとおり、インナーリードの先端部に
ワイヤボンディングを行なう場合には、普通インナーリ
ードの先端から約０．１ｍｍの位置で行われるが、この
０．１ｍｍの位置を制御することが極めて困難である。
このため、インナーリード先端部の端部にワイヤボンデ
ィングしてしまった場合であって、当該端部を中心とし
たインナーリードの存在しない半径３５μｍのボンディ
ング領域にフィルムが存在しない場合には、現実的に、
このボンディング領域において超音波振動がインナーリ
ードに伝わることなく外部に逃げてしまい、ワイヤボン
ディング性に問題がある。そこで、このインナーリード
の存在しない半径３５μｍの領域の超音波エネルギーを
十分活用するために、インナーリードの先端からフィル
ムを０．０５ｍｍ（５０μｍ）〜２ｍｍ以上突出させる
ことが望ましい。２ｍｍを超える距離ではワイヤボンデ
ィングの効果との関係で必要がないし、パッケージング
作業上不都合を生じることがある。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明のＬＯＣリードフレーム及
びその製造方法の実施の形態を説明する。
びその製造方法の実施の形態を説明する。
【００１４】図１において、ステップＳ１として所定の
厚さの金属板をプレス加工してインナリード１及びアウ
タリード（図示せず）を形成する。
厚さの金属板をプレス加工してインナリード１及びアウ
タリード（図示せず）を形成する。
【００１５】図２（ａ）、図３（ａ）はこのようにして
形成されたインナリード１を示し、先端は連結部３によ
って連結されている。
形成されたインナリード１を示し、先端は連結部３によ
って連結されている。
【００１６】ステップＳ１において、引き続いて、イン
ナリード１のカット位置の底面にＶ字状、Ｕ字等の溝６
がプレス加工又はエッチングによって形成される。
ナリード１のカット位置の底面にＶ字状、Ｕ字等の溝６
がプレス加工又はエッチングによって形成される。
【００１７】図２（ｂ）は溝幅Ｗ、溝深さｄの溝６を示
している。溝深さｄはインナリード１の厚さｔ（例え
ば、ｔ＝５０μｍ）の４０％〜６０％である。
している。溝深さｄはインナリード１の厚さｔ（例え
ば、ｔ＝５０μｍ）の４０％〜６０％である。
【００１８】ステップＳ２において、インナリード１の
ワイヤボンディングの領域に銀めっき８が施される。
ワイヤボンディングの領域に銀めっき８が施される。
【００１９】図３（ｂ）は銀めっき８を示している。ス
テップＳ３において、フィルム４の先端が溝６の中央部
に達するようにしてインナリード１の底面にフィルム４
が貼り付けられる。
テップＳ３において、フィルム４の先端が溝６の中央部
に達するようにしてインナリード１の底面にフィルム４
が貼り付けられる。
【００２０】図２（ｃ）、図３（ｃ）はこのようにして
インナリード１の底面に貼り付けられたフィルム４を示
している。
インナリード１の底面に貼り付けられたフィルム４を示
している。
【００２１】ステップＳ４において、鋭角刃を有する、
例えば、ビクトリー刃７によってプレート９より抑えら
れるインナリード１を溝６の位置でカットし、連結部３
を切り離す。
例えば、ビクトリー刃７によってプレート９より抑えら
れるインナリード１を溝６の位置でカットし、連結部３
を切り離す。
【００２２】図２（ｄ）はビクトリー刃７の押し込みを
示し、下死点ｌはインナリード１の厚さｔの３０％から
７０％にされることにより連結部３が切り離される。こ
の切り離しによって溝６は切欠部６ａとしてリード１の
先端に残る。
示し、下死点ｌはインナリード１の厚さｔの３０％から
７０％にされることにより連結部３が切り離される。こ
の切り離しによって溝６は切欠部６ａとしてリード１の
先端に残る。
【００２３】図３（ｄ）は連結部３が切り離され、銀め
っき８を有するインナリード１がフィルム４によって連
結されている構成を示す。インナリード１はフィルム４
の先端よりへこみ量ｐ（ｐ≒０．１ｍｍ）だけへこんで
いる。インナリード１のへこみ量ｐによってインナリー
ド１の先端への通電時のストレスの集中を緩和すること
ができ、半導体パッケージのクラックを防ぐことができ
る。
っき８を有するインナリード１がフィルム４によって連
結されている構成を示す。インナリード１はフィルム４
の先端よりへこみ量ｐ（ｐ≒０．１ｍｍ）だけへこんで
いる。インナリード１のへこみ量ｐによってインナリー
ド１の先端への通電時のストレスの集中を緩和すること
ができ、半導体パッケージのクラックを防ぐことができ
る。
【００２４】また、インナリード１のワイヤボンディン
グ領域の底面には、常にフィルム４が位置し、更に、フ
ィルム４が約０．１ｍｍだけインナリード１の先端より
突出しているため、超音波エネルギが十分に活用されて
ワイヤボンディング特性を向上することができる。
グ領域の底面には、常にフィルム４が位置し、更に、フ
ィルム４が約０．１ｍｍだけインナリード１の先端より
突出しているため、超音波エネルギが十分に活用されて
ワイヤボンディング特性を向上することができる。
【００２５】また、連結部３の切り離しがリードへこみ
量ｐの位置で行われ、しかも、ビクトリー刃７の押し込
み量が、インナリード１の厚さｔの３０％から７０％に
なるように、下死点ｌが制御されるため、インナリード
１とフィルム４の剥離が防止され、ダイボンディング特
性を向上することができる。
量ｐの位置で行われ、しかも、ビクトリー刃７の押し込
み量が、インナリード１の厚さｔの３０％から７０％に
なるように、下死点ｌが制御されるため、インナリード
１とフィルム４の剥離が防止され、ダイボンディング特
性を向上することができる。
【００２６】更に、インナリード１から連結部３を切り
離すとき、インナリード１及びフィルム４をビクトリー
刃７が貫通しないため、貫通時に発生することが確認さ
れているばりを抑えることができる。ばりの発生を抑制
できるため、インナリード１間の短絡を防止することが
でき、また、ワイヤボンディングの障害発生をおさえる
ことができる。
離すとき、インナリード１及びフィルム４をビクトリー
刃７が貫通しないため、貫通時に発生することが確認さ
れているばりを抑えることができる。ばりの発生を抑制
できるため、インナリード１間の短絡を防止することが
でき、また、ワイヤボンディングの障害発生をおさえる
ことができる。
【００２７】ビクトリー刃７の押し込み量をインナリー
ド１の厚さｔの３０％から％〜７０％にする理由は、３
０％以下にすると、連結部３の確実な切り離しが難しく
なり、７０％以上にすると、ばりが発生する恐れがある
からである。
ド１の厚さｔの３０％から％〜７０％にする理由は、３
０％以下にすると、連結部３の確実な切り離しが難しく
なり、７０％以上にすると、ばりが発生する恐れがある
からである。
【００２８】また、溝６の深さをインナリード１の厚さ
ｔの４０％〜６０％にする理由は、４０％以下にする
と、下死点ｌの制御が困難になり、６０％以上にする
と、連結部３を切り離すときに治具によって抑えられる
ため、機械的強度の低下を防ぐためである。
ｔの４０％〜６０％にする理由は、４０％以下にする
と、下死点ｌの制御が困難になり、６０％以上にする
と、連結部３を切り離すときに治具によって抑えられる
ため、機械的強度の低下を防ぐためである。
【００２９】説明するまでもないが、最近のメモリ容量
の増大化は著しく、そのため、リードフレームも５０ピ
ン以上になってリード幅及びリード間隔が非常に小なる
ものが要求されている。
の増大化は著しく、そのため、リードフレームも５０ピ
ン以上になってリード幅及びリード間隔が非常に小なる
ものが要求されている。
【００３０】以上述べた実施の形態の構成、作用および
効果は、その要求に対応するために必要なものである。
効果は、その要求に対応するために必要なものである。
【００３１】以上述べたＬＯＣリードフレームの製造方
法において、以下の工程を追加することもできる。 （１）プレス加工とめっき加工の間に焼鈍工程を追加し
てプレス加工時の残留歪みを除去する。 （２）プレス加工において、溝を形成するとき、あるい
はその前後にオフセット加工を含ませても良い。
法において、以下の工程を追加することもできる。 （１）プレス加工とめっき加工の間に焼鈍工程を追加し
てプレス加工時の残留歪みを除去する。 （２）プレス加工において、溝を形成するとき、あるい
はその前後にオフセット加工を含ませても良い。
【００３２】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明のＬＯＣリー
ドフレーム及びその製造方法によれば、フィルムの先端
エッヂより０．０５〜２ｍｍだけ内側に入った位置に切
りこみを入れて連結部を切り離すため、複数のリードと
フィルムの間に剥離が生じない。従って、優れたダイボ
ンディング特性を得ることができる。また、複数のリー
ドの先端がフィルムの先端エッヂより０．０５〜２ｍｍ
だけ内側に入った位置で終端しているため、優れたワイ
ヤボンディング特性を得ることができ、同時に、熱伸縮
に伴うストレスがリード先端に集中しないため、半導体
パッケージに組み込まれたときに、半導体パッケージに
クラックを発生させない。更に、リードの切りこみ部の
裏面に溝を設けたため、リードとフィルムの間に剥離を
生じさせないばかりでなく、リードとフィルムにばりを
発生させず、それによってダイボンディング、及びワイ
ヤボンディングの特性劣化を防ぐ。
ドフレーム及びその製造方法によれば、フィルムの先端
エッヂより０．０５〜２ｍｍだけ内側に入った位置に切
りこみを入れて連結部を切り離すため、複数のリードと
フィルムの間に剥離が生じない。従って、優れたダイボ
ンディング特性を得ることができる。また、複数のリー
ドの先端がフィルムの先端エッヂより０．０５〜２ｍｍ
だけ内側に入った位置で終端しているため、優れたワイ
ヤボンディング特性を得ることができ、同時に、熱伸縮
に伴うストレスがリード先端に集中しないため、半導体
パッケージに組み込まれたときに、半導体パッケージに
クラックを発生させない。更に、リードの切りこみ部の
裏面に溝を設けたため、リードとフィルムの間に剥離を
生じさせないばかりでなく、リードとフィルムにばりを
発生させず、それによってダイボンディング、及びワイ
ヤボンディングの特性劣化を防ぐ。
【図１】本発明のＬＯＣリードフレームの製造方法の実
施の形態を示す工程図。
施の形態を示す工程図。
【図２】図１の各工程におけるリード及びフィルムを示
す断面図。
す断面図。
【図３】図１の各工程におけるリード及びフィルムを示
す斜視図。
す斜視図。
【図４】従来のＬＯＣリードフレームの製造方法におけ
る切り離し前の複数リードを示す説明図。
る切り離し前の複数リードを示す説明図。
【図５】図４の複数のリードに接着されたフィルムを示
す説明図。
す説明図。
【図６】（ａ）は従来のＬＯＣリードフレームを示す説
明図、（ｂ）は（ａ）のｃ−ｃの断面図。
明図、（ｂ）は（ａ）のｃ−ｃの断面図。
１ リード ２ ダウンセット部 ３ 連結部 ４ フィルム ５ 変形部 ６ 溝 ７ 切り刃（鋭角刃、ビクトリー刃） ８ 銀めっき ９ ストリッププレート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 基哉 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 (72)発明者 鈴木 章宏 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 (72)発明者 山田 徹 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 (72)発明者 会田 誠人 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 Ｆターム(参考） 5F067 AA07 AB02 BB04 BB08 BE10 CC02 CC08 DA14 DA15 DA18
Claims (8)
- 【請求項１】 リード間隔を所定の値に維持するととも
に半導体チップを接着して固定するフィルムを接着され
た複数のリードを有するＬＯＣリードフレームにおい
て、 前記複数のリードは、それぞれの先端を前記フィルムの
先端エッヂより所定の距離だけ内側に位置させて前記フ
ィルムに接着された構成を有することを特徴とするＬＯ
Ｃリードフレーム。 - 【請求項２】 前記複数のリードの前記それぞれの先端
は、前記フィルム側に切欠部を有する構成の請求項１記
載のＬＯＣリードフレーム。 - 【請求項３】 前記複数のリードは、前記所定の距離と
して０．０５〜２ｍｍだけ前記フィルムの前記先端エッ
ヂより内側に前記それぞれの先端を位置させた構成の請
求項１記載のＬＯＣリードフレーム。 - 【請求項４】 リード間隔を所定の値に維持するととも
に半導体チップを接着して固定するフィルムを接着され
た複数のリードを有するＬＯＣリードフレームの製造方
法において、 金属板材にプレス加工を施して先端を連結部によって連
結された複数のリードを形成するリード形成ステップ
と、 前記複数のリードの裏面にフィルムを接着するフィルム
接着ステップと、 前記フィルムの先端エッヂより所定の距離だけ内側の位
置において前記複数のリードの表面より切り込みを入れ
て前期連結部を切り離す切り離しステップを含むことを
特徴とするＬＯＣリードフレームの製造方法。 - 【請求項５】 前記リード形成ステップは、前記複数の
リードの裏面の前記所定の距離だけ内側の位置に所定の
深さの溝を形成するステップを含む請求項４記載のＬＯ
Ｃリードフレームの製造方法。 - 【請求項６】 前記切り離しステップは、前記複数のリ
ードの厚さの３０％〜７０％の深さに鋭角刃を切り込む
ステップを含む請求項４記載のＬＯＣリードフレームの
製造方法。 - 【請求項７】 前記切り離しステップは、前記所定の距
離として０.０５〜２mmだけ内側の位置に切り込みを入
れるステップを含む請求項４記載のＬＯＣリードフレー
ムの製造方法。 - 【請求項８】 前記溝を形成するステップは、前記複数
のリードの厚さの約５０％の深さの溝を形成するステッ
プを含む請求項５記載のＬＯＣリードフレームの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000167999A JP2001352030A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | Ｌｏｃリードフレーム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000167999A JP2001352030A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | Ｌｏｃリードフレーム及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001352030A true JP2001352030A (ja) | 2001-12-21 |
Family
ID=18671070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000167999A Pending JP2001352030A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | Ｌｏｃリードフレーム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001352030A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010090778A2 (en) * | 2009-01-20 | 2010-08-12 | Orthodyne Electronics Corporation | Cutting blade for a wire bonding system |
-
2000
- 2000-06-05 JP JP2000167999A patent/JP2001352030A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010090778A2 (en) * | 2009-01-20 | 2010-08-12 | Orthodyne Electronics Corporation | Cutting blade for a wire bonding system |
| WO2010090778A3 (en) * | 2009-01-20 | 2010-09-30 | Orthodyne Electronics Corporation | Cutting blade for a wire bonding system |
| US8141765B2 (en) | 2009-01-20 | 2012-03-27 | Orthodyne Electronics Corporation | Cutting blade for a wire bonding system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7741704B2 (en) | Leadframe and mold compound interlock in packaged semiconductor device | |
| US5329159A (en) | Semiconductor device employing an aluminum clad leadframe | |
| JP2005223331A (ja) | リードフレーム、これを利用した半導体チップパッケージ及びその製造方法 | |
| JP2009259981A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4334364B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2007096042A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001352030A (ja) | Ｌｏｃリードフレーム及びその製造方法 | |
| US6172424B1 (en) | Resin sealing type semiconductor device | |
| JP3229816B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2001185671A (ja) | 半導体装置の製造方法及び該半導体装置の製造に用いられるリードフレームの製造方法 | |
| JP2005209805A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2699855B2 (ja) | 半導体装置のボンディング方法 | |
| JPH08148512A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2632767B2 (ja) | 積層型リードフレームおよびその製造方法 | |
| KR20030017677A (ko) | 휘어진 다이를 사용하는 반도체 패키지 | |
| JPH09312373A (ja) | リードフレームのインナーリード先端構造及びその加工方法 | |
| JP2006049682A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2527503B2 (ja) | リ―ドフレ―ムおよびその製造方法 | |
| JP2007081232A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58124256A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2646934B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JP2737714B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2707153B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP2001077286A (ja) | リードフレーム及びその製造方法並びにその製造に用いられる金型 | |
| JP2842854B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040519 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050111 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050311 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050720 |