JP2009259981A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

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Takeshi Miyagawa
毅 宮川
Eitaro Miyake
英太郎 三宅
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Toshiba Corp
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Abstract

【課題】出力電流の大きい半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のリード端子１ａ１、１１ｂ、１１ｃを有するリードフレーム１１と、主面に形成された第１電極パッド１２と、主面と反対面側に形成された第２電極パッド１３とを有し、第２電極パッド１３がリードフレーム１１の第１リード端子１１ａに当接するように、リードフレーム１１の第１リード端子１１ａ上に載置された半導体チップ１４と、一端部１５ａが第１電極パッド１２に接続され、他端部１５ｂがリードフレーム１１の第２リード端子１１ｂに接続された帯状の接続導体１５と、を具備し、接続導体１５の一端部１５ａおよび他端部１５ｂのうち、少なくとも接続導体１５の一端部１５ａの厚さが接続導体１５の中央部１５ｃの厚さより小さい。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
従来、出力電流の大きな半導体装置は、電流容量を増やすために半導体チップの電極パッドに複数のアルミニウムワイヤを接合していた。
ワイヤより大きな電流が流せる帯状の接続導体を半導体チップの電極パッドに接合する半導体装置も知られているが、半導体装置の出力電流が更に大きくなると、帯状の接続導体の抵抗を更に減らすために、接続導体の厚さを大きくして、接続導体の断面積を増やす必要がある。
然しながら、接続導体の厚さを大きくするほど、十分な接続強度を得るために、超音波接合時の加圧力および超音波出力を大きくする必要がある。
その結果、超音波接合が半導体チップへ与えるダメージが大きくなり、半導体装置の信頼性に支障をきたす問題がある。また、甚だしい場合は、半導体チップが破損する恐れがある。
これに対して、高周波伝送線路においては、帯状の接続導体を用いた接続構造が知られている。（例えば、特許文献１参照。）。
特許文献１に開示された接続構造は、離間して対向する一対の信号線を架橋するように、帯状の接続導体の両端が一対の信号線の端部に設けられた段差部にボンデインクされている。
帯状の接続導体は幅が信号線の幅とほぼ同じで、ボンディング条件により帯状の接続導体の先端部を潰してボンディングすることにより、リボンの接続部の高さが信号線の高さとほぼ同じになるようにしている。
然しながら、特許文献１に開示された接続構造は、高周波伝送路のインピーダンスミスマッチによる反射損出を防止するものであり、出力電流の大きな半導体チップの接続構造に関しては、何も開示しておらず、また示唆する記載もない。
特開平９−２８３５７４号公報
本発明は、出力電流の大きい半導体装置およびその製造方法を提供する。
本発明の一態様の半導体装置は、複数のリード端子を有するリードフレームと、主面に形成された第１電極パッドと、前記主面と反対面側に形成された第２電極パッドとを有し、前記第２電極パッドが前記リードフレームの第１リード端子に当接するように、前記リードフレームの前記第１リード端子上に載置された半導体チップと、一端部が前記第１電極パッドに接続され、他端部が前記リードフレームの第２リード端子に接続された帯状の接続導体と、を具備し、前記接続導体の前記一端部および前記他端部のうち、少なくとも前記接続導体の前記一端部の厚さが前記接続導体の中央部の厚さより小さいことを特徴としている。
本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、主面に形成された第１電極パッドと、前記主面と反対面側に形成された第２電極パッドとを有する半導体チップを、前記第２電極パッドが複数のリード端子を有するリードフレームの第１リード端子に当接するように、前記リードフレームの前記第１リード端子上に載置する工程と、一端部と、中央部と、他端部を有し、前記一端部および前記他端部のうち、少なくとも前記一端部の厚さが前記中央部の厚さより小さい帯状の接続導体を準備する工程と、前記接続導体の前記一端部を前記半導体チップの前記第１電極パッドに超音波接合し、前記接続導体の前記他端部を前記リードフレームの第２リード端子に超音波接合する工程と、を具備することを特徴としている。
本発明によれば、出力電流の大きい半導体装置およびその製造方法が得られる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
本発明の実施例１に係る半導体装置について、図１乃至図３を参照して説明する。図１は本発明の実施例１に係る半導体装置を示す図で、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図、図２および図３は半導体装置の製造工程を順に示す断面図である。
図１に示すように、本実施の半導体装置１０は、第１乃至第３リード端子１１ａ、１１ｂ、１１ｃを有するリードフレーム１１と、主面に形成された第１電極パッド１２と、主面と反対面側に形成された第２電極パッド１３とを有し、第２電極パッド１３がリードフレーム１１の第１リード端子１１ａに当接するように、リードフレーム１１の第１リード端子１１ａ上に載置された半導体チップ１４と、一端部１５ａが第１電極パッド１２に接続され、他端部１５ｂがリードフレーム１１の第２リード端子１１ｂに接続された帯状の接続導体１５とを具備している。
更に、半導体装置１０は、半導体チップ１４の主面に第１電極パッド１２と離間して形成された第３電極パッド１６と、第３電極パッド１６をリードフレーム１１の第３リード端子１１ｃに接続するワイヤ１７とを具備している。
更に、半導体装置１０は、リードフレーム１１の第１乃至第３リード端子１１ａ、１１ｂ、１１ｃの一部を外部に露出させて、リードフレーム１１、半導体チップ１４、接続導体１５、およびワイヤ１７を一体にモールドする樹脂（図示せず）を具備している。
また、第２リード端子１１ｂと第３リード端子１１ｃは、後述するようにモールド後にリードフレーム１１をＧ−Ｇ線に沿ってカットすることにより、電気的に切り離されている。
リードフレーム１１は、例えば銅（Ｃｕ）を基材とした合金で、表面にニッケル（Ｎｉ）メッキまたは半田メッキが施されている場合もある。
第１リード端子１１ａと、第２リード端子１１ｂおよび第３リード端子１１ｃとは、離間して対向するように配置されている。
第２リード端子１１ｂは、ここでは第１電極１２の上面と第２リード端子１１ｂの上面とが同一平面にあるように、第１リード端子１１ａより高さＨだけ上方に折り曲げられている。
半導体チップ１４は、例えばＮチャネルの縦型パワーＭＯＳトランジスタで、第１電極パッド１２は半導体チップ１４のソースに接続され、第２電極パッド１３は半導体チップ１４のドレインに接続、第３電極パッド１６は半導体チップ１４のゲートに接続されている。
第１電極パッド１２の表面および第３電極パッド１６の表面は、例えばアルミニウム（Ａｌ）である。第２電極パッド１３の表面は、例えば金（Ａｕ）である。
帯状の接続導体１５は、第１電極パッド１２と同じくアルミニウム（Ａｌ）を主成分とし、ニッケル（Ｎｉ）、シリコン（Ｓｉ）などが微量（〜１．０％）添加された合金である。これは、Ａｌの硬度を増加させるとともに、雰囲気ガスによる腐食を防止するためである。
接続導体１５の一端部１５ａの厚さＤ１および他端部１５ｂの厚さＤ２は、ほぼ等しく、接続導体１５の中央部１５ｃの厚さＤ３より小さく形成されている。
接続導体１５の一端部１５ａの幅Ｗ１および他端部１５ｂの幅Ｗ２は、ほぼ等しく、中央部１５ｃの幅Ｗ３より大きく形成されている。
接続導体１５の中央部１５ｃは、半導体チップ１４の端部および第２リード端子１１ｂの端部との接触を防止するために、リードフレーム１１と反対側に湾曲している。
半導体チップ１４は、リードフレーム１１の第１リード端子１１ａに半田づけされている。
接続導体１５の一端部１５ａは、半導体チップ１４の第１電極パッド１２に超音波接合されている。接続導体１５の他端部１５ｂは、リードフレーム１１の第２リード端子１１ｂに超音波接合されている。
接続導体１５の中央部１５ｃの断面積（Ｄ３×Ｗ３）は、半導体チップ１４の出力電流に対して接続導体１５の配線抵抗が十分に小さくなるように、例えば厚さＤ３が０．３ｍｍ、幅Ｗ３が２〜３ｍｍ程度に設定されている。
接続導体１５の一端部１５ａの厚さＤ１および他端部１５ｂの厚さＤ２は、超音波接合に際して、十分な接合強度が得られ、且つ半導体チップ１４に対してダメージを及ぼさないように、接続導体１５の中央部１５ｃの厚さＤ３より小さく、例えば厚さＤ１、Ｄ２が０．２ｍｍ程度に設定されている。
接続導体１５の一端部１５ａの幅Ｗ１および他端部１５ｂの幅Ｗ２は、超音波接合に支障をきたさない範囲内であれば特に制限はないが、中央部１５ｃの幅Ｗ３より大きいか、または同程度に、適宜選択することができる。
一端部１５ａの厚さＤ１および他端部１５ｂの厚さＤ２が、中央部１５ｃの厚さＤ３より小さい接続導体１５を用いることにより、大きな出力電流が流せ、且つ超音波接合性を向上させることが可能である。
即ち、中央部１５ｃの厚さＤ３を大きくして接続導体１５の配線抵抗を小さくし、半導体チップ１４に大きな出力電流が流せるようにすることが可能である。
一端部１５ａ、他端部１５ｂの厚さＤ１、Ｄ２を小さくし、半導体チップ１４に対してダメージを及ぼさないようにして第１電極パッド１２および第２リード端子１１ｂとの超音波接合性を向上させることが可能である。
次に、半導体装置１０の製造方法について説明する。図２および図３は半導体装置１０の製造工程を順に示す断面図である。
始めに、図２（ａ）に示すように、第２電極パッド１３を第１リード端子１１ａに当接させた後、例えばリフローによりリードフレーム１１の第１リード端子１１ａ上に半導体チップ１４を半田づけする。
次に、図２（ｂ）に示すように、凹部２０ａを有する第１金型２０と、凹部２０ａに倣った凸部２１ａを有する第２金型２１とを用い、第１金型２０の凹部２０ａを跨ぐように所定のサイズ（厚さＤ３、幅Ｗ３）の接続導体１５を第１金型２０上載置し、第１金型２０の凹部２０ａに第２金型２１の凸部２１ａを対向させて、接続導体１５上に第２金型２１を載置する。
次に、図２（ｃ）に示すように、第１金型２０と第２金型２１との間に厚さがＤ１のスペーサ（図示せず）を挟んで第２金型２１を下降させ、接続導体１５を押圧する。
接続導体１５の中央部１５ｃは、第２金型２１の凸部２１ａに押されて第１金型２０の凹部２０ａ側に湾曲し、凸部２１ａの形状に倣った湾曲形状になる。
第１金型２０の凹部２０ａの深さは、接続導体１５の中央部１５ｃが潰れないように設定しておくことにより、接続導体１５の中央部１５ｃの厚さＤ３および幅Ｗ３が維持される。
一方、接続導体１５の両端部１５ａ、１５ｂは押圧されて潰れるので、長さ方向および幅方向に延伸し、一端部１５ａの厚さＤ１および他端部１５ｂの厚さＤ２が、中央部１５ｃの厚さＤ３より小さい接続導体１５が得られる。
同時に、接続導体１５の一端部１５ａの幅Ｗ１および他端部１５ｂの幅Ｗ２が、中央部１５ｃの幅Ｗ３より大きくなる。
次に、図３（ａ）に示すように、両側に第１押圧部２３ａおよび第２押圧部２３ｂと、中央部に第１金型２０の凹部２０ａに倣った形状の凹部２３ｃおよび吸引孔２３ｄとを有する超音波接合具２３を用い、接続導体１５の中央部１５ｃを超音波接合具２３の凹部２３ｃに対抗させて吸引孔２３ｄを真空引きすることにより、接続導体１５を吸着し、第１押圧部２３ａと一端部１５ａ、第２押圧部２３ｂと他端部１５ｂとをそれぞれ当接させる。
次に、図３（ｂ）に示すように、リードフレーム１１の第１リード端子１１ａと第２リード端子１１ｂとの高さの差に等しい段差Ｈを有する凸部２４を備えた台座２４を用い、第２リード端子１１ｂを台座２４の凸部２４ａに当接させて、半導体チップ１４が第１リード端子１１ａ上に載置されたリードフレーム１１を、台座２４上に載置する。
次に、接続導体１５を吸着した超音波接合具２３を上方から降下させることにより、一端部１５ａと第１電極パッド１２とを当接させ、他端部１５ｂと第２リードフレーム１１ｂとを当接させる。
次に、図３（ｃ）に示すように、吸引孔２３ｄの真空引きを停止した後、超音波接合具２３により、加圧しながら超音波を印加し、一端部１５ａと第１電極パッド１２とを超音波接合し、他端部１５ｂと第２リードフレーム１１ｂとを超音波接合する。
次に、リードフレーム１１の第１乃至第３リード端子１１ａ、１１ｂ、１１ｃの一部を外部に露出させて、リードフレーム１１、半導体チップ１４、接続導体１５、およびワイヤ１７を一体に樹脂（図示せず）でモールドする。
次に、リードフレーム１１を、図１に示すＧ−Ｇ線に沿ってカットし、第２リード端子１１ｂと第３リード端子１１ｃを電気的に分離する。
これにより、図１に示す、一端部１５ａの厚さＤ１および他端部１５ｂの厚さＤ２が中央部１５ｃの厚さＤ３より小さい接続導体１５を有し、接続導体１５の一端部１５ａが第１電極１２に接合され、接続導体１５の他端部１５ｂが第２リード端子１１ｂに接続された半導体装置１０が得られる。
図４は、比較例として、一端部の厚さおよび他端部の厚さが中央部の厚さと等しい接続導体を有する半導体装置を示す図で、図４（ａ）はその平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図である。
図４に示すように、比較例の半導体装置４０は、一端部４１ａの厚さＤ１および他端部４１ｂの厚さＤ２が中央部４１ｃの厚さＤと等しく、一端部４１ａの幅Ｗ１および他端部４１ｂの幅Ｗ２が中央部４１ｃの幅Ｗ３と等しい接続導体４１を有している。
比較例では、中央部４１ｃと、一端部４１ａおよび他端部４１ｂの厚さが等しいので、大きな出力電流を流せるように接続導体４１を厚くするほど、超音波接合特性の低下と、半導体チップ１４のダメージとのトレードオフが生じる。
一方、本実施例では、大きな出力電流を流せるように接続導体１５の中央部１５ｃを厚くしても、一端部１５ａおよび他端部１５ｂを薄くできるので、超音波接合特性の低下と、半導体チップ１４のダメージとのトレードオフを回避する事ことが可能である。
以上説明したように、本実施例の半導体装置１０は、一端部１５ａの厚さＤ１および他端部１５ｂの厚さＤ２が、中央部１５ｃの厚さＤ３より小さい接続導体１５を有している。
その結果、接続導体１５に大きな出力電流が流せるとともに、半導体チップ１４に対してダメージを及ぼさないようにして第１電極パッド１２および第２リード端子１１ｂとの超音波接合性を向上させることができる。即ち、短時間の接合で、より確実な接合強度を得ることができる。
従って、出力電流の大きい半導体装置１０およびその製造方法が得られる。更に、信頼性の高い半導体装置１０が得られる。
ここでは、第１接続導体１５の一端部１５ａおよび他端部１５ｂを第１および第２金型２０、２１で押圧して潰す場合について説明したが、第１接続導体１５の一端部１５ａおよび他端部１５ｂを金槌などで叩いて潰しても構わない。
あるいは、予め潰された一端部１５ａおよび他端部１５ｂを有する接続導体１５を、外部より入手して、第１電極パッド１２と第２リード端子１１ｂに超音波接合しても構わない。
接続導体１５が、アルミニウムを主成分とする合金である場合について説明したが、銅（Ｃｕ）を主成分とする合金とすることも可能である。
接続導体１５が、帯状である場合について説明したが、板状の接続導体とすることも可能である。
半導体チップ１４が、パワーＭＯＳトランジスタである場合について説明したが、パワー用ダイオードなどでも構わない。
リードフレーム１１が、第１リード端子１１ａと第２および第３リード端子１１ｂ、１１ｃとが離間して対向するＤＩＰ（Dual Inline Package）タイプである場合について説明したが、第１リード端子１１ａの両側に第２および第３リード端子１１ｂ、１１ｃが離間して配置されるＳＩＰ（Single Inline Package）タイプのリードフレームであっても構わない。
本発明の実施例２に係る半導体装置について図５乃至図７を用いて説明する。図５は半導体装置を示す図で、図５（ａ）はその平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図、図６および図７は半導体装置の製造工程を順に示す断面図である。
本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
本実施例が実施例１と異なる点は、接続導体の他端部の厚さを中央部の厚さと等しくしたことにある。
即ち、図５に示すように、本実施例の半導体装置５０は、一端部５１ａの厚さＤ１が中央部５１ｃの厚さＤ３より小さく、他端部５１ｂの厚さＤ２が中央部５１ｃの厚さＤ３に等しく、一端部５１ａの幅Ｗ１が中央部５１ｃの幅Ｗ３より大きく、他端部５１ｂの幅Ｗ２が中央部５１ｃの幅Ｗ３に等しい接続導体５１を有している。
これにより、接続導体５１の中央部５１ｃと他端部５１ｂの連接部の剛性が増加するので、半導体装置５０のモールド樹脂（図示せず）応力などに対する信頼性を向上させることが可能である。
次に、半導体装置５０の製造方法について説明する。図６および図７は半導体装置５０の製造工程を順に示す断面図である。
始めに、図２（ａ）と同様にして、リードフレーム１１の第１リード端子１１ａ上に半導体チップ１４を載置する。
次に、図６（ａ）に示すように、凸部２１ａを有する第２金型２１と、凸部２１ａに倣った凹部５２ａを有し、他端部の高さが一端部の高さよりＤ３−Ｄ１だけ小さい第１金型５２と用い、第１金型５２の凹部５２ａを跨ぐように所定のサイズ（厚さＤ３、幅Ｗ３）の接続導体５１を第１金型５２上載置し、第１金型５２の凹部５２ａと第２金型２１の凸部２１ａとを対向させて、接続導体５１上に第２金型２１を載置する。
次に、図６（ｂ）に示すように、第１金型５２と第２金型２１との間の一端側に厚さＤ１のスペーサ（図示せず）を挟み、他端側に厚さＤ３のスペーサ（図示せず）を挟み第２金型２１を降下させて、接続導体５１を押圧する。
接続導体５１の中央部５１ｃは、第２金型２１の凸部２１ａに押されて第１金型５２の凹部５２ａ側に湾曲し、第２金型２１の凸部２１ａの形状に倣った形状になる。
第１金型５２の凹部５２ａの深さを、接続導体５１の中央部５１ｃが潰れないように設定しておくことにより、接続導体５１の中央部５１ｃの厚さＤ３、幅Ｗ３が維持される。
厚さＤ３のスペーサ（図示せず）により、接続導体５１の他端部５１ｂは潰れないので、接続導体５１の他端部５１ｂの厚さＤ２、幅Ｗ２は変わらず、厚さＤ３、幅Ｗ３に維持される。
一方、接続導体５１の一端部５１ａは潰れるので、接続導体５１の一端部５１ａは長さ方向および幅方向に延伸し、厚さがＤ１、幅がＷ１になる。
これにより、一端部５１ａの厚さＤ１が中央部５１ｃの厚さＤ３より小さく、他端部５１ｂの厚さＤ２が中央部５１ｃの厚さＤ３に等しい接続導体５１が得られる。
同時に、一端部５１ａの幅Ｗ１が中央部５１ｃの幅Ｗ３より大きくなるが、他端部５１ｂの幅Ｗ２は変わらず、幅Ｗ３に維持される。
次に、図６（ｃ）に示すように、一端部５１ａ側に第１押圧部５３ａと、他端部５１ｂ側に第２押圧部５３ｂと、中央部に第１金型５２の凹部５２ａに倣った形状の凹部５３ｃおよび吸引孔５３ｄとを有し、第２押圧部５３ｂが第１押圧部５３ａより（Ｄ３−Ｄ１）＋αだけ短い超音波接合具５３を用い、接続導体５１の中央部５１ｃを超音波接合具５３の凹部５３ｃに対向させて、吸引孔５３ｄを真空引きすることにより、接続導体５１の中央部５１ｃを吸着し、第１押圧部５３ａと一端部５１ａを当接させ、第２押圧部５３ｂと他端部５１ｂとは隙間αをもたせる。
次に、図７（ａ）に示すように、第２リード端子１１ｂを台座２４の凸部２４ａに当接させて、半導体チップ１４が第１リード端子上に載置されたリードフレーム１１を、台座２４上に載置する。
次に、接続導体５１を保持した超音波接合具５３を上方から降下させ、一端部５１ａと第１電極パッド１２とを当接させる。他端部５１ｂと第２リードフレーム１１ｂも当接するが、第２押圧部５３ｂと他端部５１ｂとの隙間αは維持されている。
次に、図７（ｂ）に示すように、超音波接合具５３により、加圧しながら超音波を印加し、一端部５１ａを第１電極パッド１２に超音波接合する。
次に、図７（ｃ）に示すように、超音波接合具５３を上昇させた後、第２押圧部５３ｂに相当する超音波接合具５４を他端部５１ｂに当接させ、加圧しながら超音波を印加し、他端部５１ｂと第２リードフレーム１１ｂとの超音波接合を行なう。
これにより、図５に示す、一端部５１ａの厚さＤ１が中央部５１ｃの厚さＤ３より小さく、他端部５１ｂの厚さＤ２が中央部５１ｃの厚さＤ３と等しい接続導体５１を用いて、一端部５１ａが第１電極パッド１２に接合され、他端部５１ｂが第２リード端子１１ｂに接合された半導体装置５０が得られる。
以上説明したように、本実施例の半導体装置５０は、一端部５１ａの厚さＤ１が中央部５１ｃの厚さＤ３より小さく、他端部５１ｂの厚さＤ２が中央部５１ｃの厚さＤ３と等しい接続導体５１を有している。
これにより、接続導体５１の中央部５１ｃと他端部５１ｂの連接部の剛性が増加するので、半導体装置５０のモールド樹脂（図示せず）応力などに対する信頼性を向上させることができる利点がある。
本発明の実施例３に係る半導体装置について図８および図９を用いて説明する。図８は半導体装置を示す図で、図８（ａ）はその平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図、図９は半導体装置の製造工程に用いる第１金型を示す図で、図９（ａ）はその平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＥ−Ｅ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図、図９（ｃ）は図９（ａ）のＦ−Ｆ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。
本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
本実施例が実施例１と異なる点は、接続導体の中央部の幅を一端部および他端部の幅と等しくしたことにある。
即ち、図８に示すように、本実施例の半導体装置６０は、一端部６１ａおよび他端部６１ｂの厚さＤ１、Ｄ２が中央部６１ｃの厚さＤ３より小さく、且つ中央部６１ｃの幅Ｗ３が一端部６１ａおよび他端部６１ｂの幅Ｗ１、Ｗ２と等しい接続導体６１を有している。
これにより、接続導体６１の中央部６１ｃの幅Ｗ３を、図１に示す接続導体１５の中央部１５ｃの幅Ｗ３より大きくできるので、更に接続導体６１の配線抵抗を低減することが可能である。逆に言えば、幅の小さい半導体チップに適した構造である。
図９に示すように、第１金型６２は、接続導体６１の一端部６１ａ、他端部６１ｂを潰すときに、接続導体６１が長さ方向には延伸するが、幅方向には延伸しないように、図２に示す第１金型２０に離間して対向するガイド６３、６４を設け、ガイド６３とガイド６４との距離をＷ３としたものである。
なお、第２金型（図示せず）は、図２に示す第２金型２１の幅をＷ３とした金型を用いればよい。
これにより、接続導体６１の一端部６１ａおよび他端部６１ｂを潰すときに、接続導体６１は長さ方向に延伸するが、幅方向にはガイド６３、６４にじゃまされて延伸しないので、一端部６１ａの幅Ｗ１、他端部６１ｂの幅Ｗ２、および中央部６１ｃの幅Ｗ３が揃った接続導体６１が得られる。
以上説明したように、本実施例の半導体装置６０は、一端部６１ａおよび他端部６１ｂの厚さＤ１、Ｄ２が中央部６１ｃの厚さＤ３より小さく、且つ一端部６１ａの幅Ｗ１、他端部６１ｂの幅Ｗ、および中央部６１ｃの幅Ｗ３が揃った中央部６１ｃの幅Ｗ３が一端部６１ａおよび他端部６１ｂの幅Ｗ１、Ｗ２と等しい接続導体６１を有している。
その結果、更に接続導体の配線抵抗を低減することができる利点がある。逆に言えば、幅の小さい半導体チップに適した構造である。
ここでは、ガイド６３、６４により、接続導体６１が幅方向に延伸しないようにして、接続導体６１の幅を揃える場合について説明したが、幅方向に延伸した部分をカットすることにより、接続導体６１の幅を揃えることも可能である。
また、接続導体６１を、一端部６１ａの厚さＤ１が中央部の厚さＤ３より小さく、他端部６１ｂの厚さＤ２が中央部６１ｃの厚さＤ３と等しく、一端部６１ａの幅Ｗ１、他端部６１ｂの幅Ｗ２、および中央部６１ｃの幅Ｗ３が互いに等しい接続導体とすることも可能である。
本発明の実施例１に係る半導体装置を示す図で、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図。 本発明の実施例１に係る半導体装置の製造工程を順に示す断面図。 本発明の実施例１に係る半導体装置の製造工程を順に示す断面図。 本発明の実施例１に係る比較例の示す図で、図４（ａ）はその平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図 本発明の実施例２に係る半導体装置を示す図で、図５（ａ）はその平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図。 本発明の実施例２に係る半導体装置の製造工程を順に示す断面図。 本発明の実施例２に係る半導体装置の製造工程を順に示す断面図。 本発明の実施例３に係る半導体装置を示す図で、図８（ａ）はその平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図。 本発明の実施例３に係る半導体装置の製造工程に用いる第１金型を示す図で、図９（ａ）はその平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＥ−Ｅ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図、図９（ｃ）は図９（ａ）のＦ−Ｆ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図。
符号の説明
１０、４０、５０、６０ 半導体装置
１１ リードフレーム
１１ａ 第１リード端子
１１ｂ 第２リード端子
１１ｃ 第３リード端子
１２ 第１電極パッド
１３ 第２電極パッド
１４ 半導体チップ
１５、４１、５１、６１ 接続導体
１５ａ、４１ａ、５１ａ、６１ａ 一端部
１５ｂ、４１ｂ、５１ｂ、６１ｂ 他端部
１５ｃ、４１ｃ、５１ｃ、６１ｃ 中央部
１６ 第３電極パッド
１７ ワイヤ
２０、５２、６２ 第１金型
２０ａ、２３ｃ、５２ａ、５３ｃ、６２ａ 凹部
２１ 第２金型
２１ａ、２４ａ 凸部
２３、５３、５４ 超音波接合具
２３ａ、５３ａ 第１押圧部
２３ｂ、５３ｂ 第２押圧部
２３ｄ、５３ｄ 吸引孔
２４ 台座
６３、６４ ガイド

Claims (5)

  1. 複数のリード端子を有するリードフレームと、
    主面に形成された第１電極パッドと、前記主面と反対面側に形成された第２電極パッドとを有し、前記第２電極パッドが前記リードフレームの第１リード端子に当接するように、前記リードフレームの前記第１リード端子上に載置された半導体チップと、
    一端部が前記第１電極パッドに接続され、他端部が前記リードフレームの第２リード端子に接続された帯状の接続導体と、
    を具備し、
    前記接続導体の前記一端部および前記他端部のうち、少なくとも前記接続導体の前記一端部の厚さが前記接続導体の中央部の厚さより小さいことを特徴とする半導体装置。
  2. 前記接続導体の前記一端部および前記他端部の幅が、それぞれ前記接続導体の前記中央部の幅より大きい、または等しいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記第１電極パッドおよび前記接続導体が、アルミニウムを主成分とする合金であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  4. 主面に形成された第１電極パッドと、前記主面と反対面側に形成された第２電極パッドとを有する半導体チップを、前記第２電極パッドが複数のリード端子を有するリードフレームの第１リード端子に当接するように、前記リードフレームの前記第１リード端子上に載置する工程と、
    一端部と、中央部と、他端部を有し、前記一端部および前記他端部のうち、少なくとも前記一端部の厚さが前記中央部の厚さより小さい帯状の接続導体を準備する工程と、
    前記接続導体の前記一端部を前記半導体チップの前記第１電極パッドに超音波接合し、前記接続導体の前記他端部を前記リードフレームの第２リード端子に超音波接合する工程と、
    を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 前記一端部および前記他端部のうち、少なくとも前記一端部の厚さが前記中央部の厚さより小さい帯状の接続導体を準備する工程は、
    前記接続導体の前記一端部および前記他端部のうち、少なくとも前記接続導体の前記一端部を潰すことにより行うことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
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