KR20030017677A - 휘어진 다이를 사용하는 반도체 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 이면 연마 공정에서 휨현상이 발생하여 소정의 곡률로 휘어진 웨이퍼를 절단하여 얻어지는 소정의 곡률을 갖는 다이를 반도체 패키지에 사용하는데 있어, 다이의 곡률에 알맞도록 다이의 양말단 부근의 하면에 분리형으로 형성된 두개의 다이 패드를 각각 접합시켜, 접합시 휘어진 다이와 다이 패드의 양말단 부근에 간격이 발생하지 않는 반도체 패키지를 제공한다. 이로 인해 휘어진 다이를 사용하더라도 패키지의 품질이 저하되지 않게 된다.

Description

휘어진 다이를 사용하는 반도체 패키지{Semiconductor package using warped dies}
본 발명은 휘어진 다이를 사용하는 반도체 패키지에 관한 것이다.
현재 사용 중인 반도체 패키지는 도 1에 도시된 바와 같이, 소정의 크기의 편평한 다이(1)와, 다이(1)의 일면 전체에 다이 접착제(2)에 의해 부착된 일체 평판형 다이 패드(3)와, 다이(1)의 전기적 신호를 외부로 전달하는 리드(4)와, 다이(1)와 리드(4)를 전기적으로 연결시켜주는 와이어(5)와, 그리고 외부의 산화 및 부식으로 부터 보호하기 위하여 다이(1), 다이 패드(3), 와이어(5) 및 리드(4)의 일부의 외부를 봉합하는 수지 봉지재(6)로 이루어진다.
그러나, 근래 반도체 패키지가 휴대용 기기에 많이 사용되는 추세에 따라 소형이면서 박형인 패키지에 대한 요구가 강해지고 있다. 이러한 요구를 만족시키기 위해서는 패키지에 사용되는 웨이퍼 다이의 두께를 가능한 얇게 제작할 필요가 있다. 일반적으로 반도체 회로 형성 가공이 완료된 웨이퍼의 두께는 패키지로 제조되기 전에 미리 설계된 두께를 갖도록 얇게 가공된다. 이를 위해서 주로 미세한 다이아몬도가 섞인 그라인딩 휠을 사용하여 웨이퍼의 이면을 연마하게 된다. 이렇게 웨이퍼를 얇게 연마하는 경우, 웨이퍼 표면의 보호막이나, 회로 형상, 이면 연마 방법에 따라 초기에 편평했던 웨이퍼는 얇게 가공될 수록 휘어지게 되는데, 그 휨정도는 웨이퍼의 회로형성 공정조건, 표면 보호막의 물성, 회로 형상, 이면 연마방법 등 여러가지 요인에 따라서 차이를 보인다. 휘어진 웨이퍼는 현재 이면 연마후의 후처리 공정을 거쳐 휨을 줄이려는 시도가 있으나 생성된 휨을 완전하게 제거하지는 못하고 있는 실정이다. 이렇게 휘어진 웨이퍼는 다이싱(dicing) 공정을 거쳐 생성된 개별 다이에 까지 영향을 미쳐 휘어진 다이가 얻어지게 된다.
이렇게 휘어진 다이를 사용하여 제작된 반도체 패키지가 도 2에 도시되어 있다. 도면에서 알 수 있는 바와 같이, 휘어진 다이(1a)는 다이 접착 공정에서 편평한 다이 패드(3)에 접착될 경우 다이(1a)와 다이 패드(3)의 양말단 부근에 간격이생기게 된다. 이렇게 간격이 생기게 되면 와이어 연결 공정 중에 캐필러리가 와이어(5)를 다이(1a)에 접합하려고 다이(1a)를 누를때 그 외력이 다이(1a)의 일측부근에만 집중적으로 가해지기 때문에 이로 인해 다이(1a)의 중앙에 집중 우력이 가해지게 되어 다이(1a) 내에 응력이 생겨 손상을 입게 된다. 이는 반도체 패키지를 제조할 때 패키지의 품질을 크게 떨어뜨리는 요인으로 작용하게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 휘어진 웨이퍼에서 얻어진 다이를 반도체 패키지 내에 사용하더라도 품질이 저하되지 않는 반도체 패키지를 제공하는 것이다.
도 1은 편평한 다이 및 다이 패드를 갖는 종래 반도체 패키지의 개략도;
도 2는 휘어진 다이 및 편평한 일체형 다이 패드를 갖는 종래 반도체 패키지의 개략도; 및
도 3은 휘어진 다이 및 분리된 두개의 다이 패드를 갖는 반도체 패키지의 개략도이다.
<도면 부호에 대한 간단한 설명>
1, 1a, 11; 다이 2, 12; 다이 접착제
3, 13; 다이 패드 4, 14; 리드
5, 15; 와이어 6, 16; 수지 봉지재
상술한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 소정의 곡률을 갖는 다이와, 다이의 양쪽말단 부근의 하면에 다이의 곡률과 대응하게 다이 접착제에 의해 부착된 두개의 다이 패드와, 다이의 전기적 신호를 외부로 전달하는 리드와, 다이와 리드를 전기적으로 연결시켜주는 와이어와, 그리고 외부의 산화 및 부식으로 부터 보호하기 위하여 다이, 다이 패드, 와이어 및 리드 일부의 외부를 봉합한 수지 봉지재로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지를 제공한다.
하기 첨부된 도 3을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 반도체 패키지는 소정의 곡률을 갖도록 휘어진 다이(11)와, 다이(11)의 휨정도에 대응하게 다이(11) 양쪽말단 부근의 하면에 다이 접착제(12)에 의해 부착된 두개의 다이 패드(13)와, 다이(11)의 전기적 신호를 외부로 전달하는 리드(14)와, 다이(11)와 리드(14)를 전기적으로 연결하는 와이어(15) 및 다이(11), 다이 패드(13), 와이어(15) 및 리드(14)의 일부의 외부를 봉합하는 수지 봉지재(16)로 구성된다.
본발명의 바람직한 실시예에서는 와이어(15)로 금선을 사용하였으나, 금선 이외에 은선, 구리선 등이 또한 사용 가능하다.
또한, 본발명의 바람직한 실시예에 따른 다이(11)는 개별 다이(11)로 절단되기 전에 웨이퍼의 이면을 연마하는 과정에서 웨이퍼의 양면의 구조적인 차이에 의해 휨이 발생하여 다이(11)로 절단된 후에도 휘어짐을 갖는 것이다. 이렇게 소정의 곡률의 휨이 발생한 다이(11)는 일체형으로 된 편평한 다이 패드에 부착하게 될 경우 다이(11)의 양말단 부근이 다이 패드에 완전하게 부착되지 않아 간격이 발생하게 된다. 이렇게 발생한 간격을 없애기 위해서는 다이 패드를 휘어진 다이(11)와 대응하도록 소정의 곡률을 갖도록 휨을 주어 다이(11)과 다이 패드 양말단 사이의 간격을 없애는 방법, 일체형 다이 패드에 중앙 부근에 각을 주어 V형으로 형성하여 다이(11)와 다이 패드의 양말단 사이의 간격을 없애는 방법 및 다이 패드를 두개로 절단하여 다이(11)의 양말단 부근에 부착함으로써 다이(11)와 다이 패드 양말단 사이의 간격을 없애는 방법 등이 있을 수 있다.
그러나, 첫번째 방법은 다이(11)의 휨정도가 웨이퍼를 가공할 때 마다 다르기 때문에 이에 대응하도록 다이 패드에 매번 휨을 주는 것이 상당히 곤란하다.
또한 두번째 방법은 다이(11)과 V형 다이 패드가 접착될 때 다이(11)와 다이 패드의 양말단 사이에 간격이 발생하지는 않으나 V형으로 움푹파인 다이 패드의 중앙 부근은 다른 부근에 비해 상대적으로 넓은 간격이 형성되어 또다른 문제가 발생할 우려가 있다.
따라서 본발명의 바람직한 실시예에서는 세번째의 방법을 사용하여 두개로 분리된 다이 패드(13)의 각각을 다이(11)의 양말단 부근의 하면에 부착한다. 이렇게 하면, 다이(11)와 다이 패드(13)가 접하는 부분에 어떠한 간격도 생기지 않게 되며, 다음 공정인 와이어(15)를 다이(11)에 접합하는 중에도 캐필러리에 의해 다이(11)에 가해지는 외력이 다이 패드(13)에 의해 지지되게 되어 다이(11) 자체에 인가되는 응력을 크게 줄일 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에서 소정의 곡률을 갖는 다이(11)에 대응하여 사용될 수 있는 다이 패드에 대해 몇가지 예를 들었으나 이외에도 본발명의 취지를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형 실시예가 가능하다.
따라서, 본 발명의 반도체 패키지는 웨이퍼 연마 공정 중에 생긴 휘어진 웨이퍼를 절단한 다이를 사용하더라도 다이와 다이 패드 접합시 상호간에 어떠한 간격도 생기지 않아 와이어 연결 공정 등에서 다이에 인가되는 응력에 잘 견딜 수 있어 패키지의 품질이 저하되지 않는다.

Claims (2)

  1. 소정의 곡률을 갖는 다이와, 상기 다이의 양쪽말단 부근의 하면에 상기 곡률에 대응하도록 다이 접착제에 의해 부착된 두개의 다이 패드와, 상기 다이의 전기적 신호를 외부로 전달하는 리드와, 상기 다이와 상기 리드를 전기적으로 연결시켜주는 와이어와, 그리고 외부의 산화 및 부식으로 부터 보호하기 위하여 상기 다이, 상기 다이 패드, 상기 와이어 및 상기 리드 일부의 외부를 봉합하는 수지 봉지재로 구성되는 것을 특징으로 하는 휘어진 다이를 사용하는 반도체 패키지.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 와이어는 금선인 것을 특징으로 하는 휘어진 다이를 사용하는 반도체 패키지.
KR1020010050303A 2001-08-21 2001-08-21 휘어진 다이를 사용하는 반도체 패키지 KR20030017677A (ko)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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US9607968B1 (en) 2015-11-24 2017-03-28 SK Hynix Inc. Flexible packages including chips
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