JP2001350454A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
間を増大させ、開口率を上げ、高精細表示かつ高速動画
表示が可能な表示装置を提供する。 【解決手段】 複数画素を1ブロック単位とし、ブロッ
ク単位中の複数画素を同時に選択し、空間周波数の異な
る特定パターン6を1ないし複数個加え合わせて画像を
表示する表示モジュール1と、表示モジュール1を制御
する表示制御装置2と、ブロック毎に画像信号から空間
周波数の異なる特定パターン6を重み付けして発生させ
る演算回路3と、画像信号を発生する画像発生装置4と
を備える表示装置を構成する。クロック周波数を低下さ
せ、信号書き込み時間を増大させ、開口率を上げて、超
高精細表示かつ高速動画表示が可能な表示装置が得られ
る。
Description
特に、高精細な表示装置および高駆動周波数の表示装置
に関する。
示す図である。液晶表示装置やプラズマディスプレイパ
ネルなどの従来の表示装置は、図2に示すように、画素
25が行方向にn0l個、列方向にn0r個だけマトリ
クス状に配列した表示パネル26を備えた表示モジュー
ル21と、表示モジュール21を制御する表示制御装置
22と、画像信号を発生する画像発生装置24とを備え
ている。
で画像を表示するとき、表示モジュール21に送られる
信号は、周期1/fH毎にn0l×n0r個だけ必要に
なり、表示制御装置22から表示モジュール21に信号
を送るための信号クロック周波数fsは、数式1のよう
になる。ここでは、帰線期間などは、考慮しないことに
する。
するので、表示装置の高精細化による画素数の増大や高
速駆動に伴い、信号クロック周波数が増大する。
クティブマトリクス型液晶表示装置を例にとって説明す
る。
表示パネル内の構成を示す図である。従来のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置は、図3に示すように、画素
48がマトリクス状に配列した表示パネル36と信号ド
ライバ37と走査ドライバ38と共通電極ドライバ39
とを備えた表示モジュール31と、表示モジュール31
を制御する表示制御装置32と、画像信号を発生する画
像発生装置34とを備えている。
され、走査ドライバ38には、走査線41a,41b,
41c,41d,…が接続され、共通電極ドライバ39
には、共通電極線43が接続されている。画素48に
は、薄膜トランジスタ(TFT)47と容量素子45と液
晶46に電圧を印加するための信号電極(図示せず)およ
び対向信号電極(図示せず)とが備えられており、信号電
極は、TFT47を介して信号線42に接続され、対向
信号電極は、共通電極線43に接続されている。
下に説明するように線順次走査である。走査ドライバ3
8によって、走査線41a,41b,41c,41d,
…にアドレス信号が順次に印加され、走査される。アド
レス信号が印加された走査線に接続されている1行全て
のTFT47は、オンになり、信号ドライバ37によっ
て信号線42に印加された電位と共通電極ドライバ39
によって共通電極線43に印加された電位との電位差が
液晶46および容量素子45に印加される。
わちn0l本の走査線がある表示パネル36を駆動周波
数fHで線順次走査駆動する場合、周期1/fHで全走
査線を走査するため、走査線1本当りにアドレス信号が
与えられる時間、すなわちデータ信号書き込み時間ts
は、数式2のようになる。ここでは、帰線期間などは、
考慮しないことにする。
び駆動周波数に反比例する。すなわち、表示装置の高精
細化による走査線数の増大や高速駆動化に伴って、デー
タ信号書き込み時間は、減少し、信号データの書き込み
不足などの問題が生じやすくなる。
表示装置では、表示モジュールの画素数の増大や駆動周
波数の増大に伴って信号クロック周波数が増大する。そ
のため、消費電力が増大するとともに、高速動作が可能
なICが要求される。
では、行方向の画素数の増大や駆動周波数の増大に伴っ
て、1行を選択する時間が減少する。結果として、信号
を書き込む時間が減少する。
う面積の画素面積に対する比率が増大し、開口率が低下
する。
下させ、信号書き込み時間を増大させ、開口率を上げ、
高精細表示かつ高速動画表示が可能な表示装置を提供す
ることである。
成するために、n(nは2以上の自然数)個の複数画素を
1ブロック単位とし、ブロック単位中の複数画素を同時
に選択し、空間周波数の異なる特定パターンを1ないし
複数個加え合わせて画像を表示する表示モジュールと、
表示モジュールを制御する表示制御装置と、ブロック毎
に画像信号から空間周波数の異なる特定パターンを重み
付けして発生させる演算回路と、画像信号を発生する画
像発生装置とを備えた表示装置を提案する。
ら空間周波数の異なるn個の特定パターンを重み付けし
て発生させる手段であり、表示モジュールが、特定パタ
ーンをNp(nより小さい自然数)個加え合わせて画像を
表示する手段である。
pを変更する手段として圧縮率調整装置を備えることも
できる。
定パターンの種類の数を変更する手段として高圧縮演算
回路を備えてもよい。
をマトリクス状に配列したパネルと、信号ドライバと、
走査ドライバと、対向信号ドライバとを備え、信号ドラ
イバには信号線を接続し、走査ドライバには走査線を接
続し、対向信号ドライバには対向信号線を接続し、画素
が、信号電極と対向信号電極とスイッチ素子とを備え、
信号電極にはスイッチ素子を介して信号線を接続し、対
向信号電極には対向信号線を接続し、同一のブロックに
含まれて同一の行の画素に備えられた信号電極には同一
の第1電位を与え、同一のブロックに含まれて同一の列
の画素に備えられた対向信号電極には同一の第2電位を
与え、ブロックが第1電位と第2電位とにより特定パタ
ーンを形成し、同一の行に含まれる画素に備えられた前
期対向信号電極には共通の対向信号線を接続した表示装
置を提案する。
素がマトリクス状に配列したパネルと、信号ドライバ
と、走査ドライバと、対向信号ドライバとを備え、信号
ドライバには信号線を接続し、走査ドライバには走査線
を接続し、対向信号ドライバには対向信号共通線を接続
し、対向信号共通線には対向信号線を接続し、画素は信
号電極と対向信号電極とスイッチ素子とを備え、信号電
極にはスイッチ素子を介して信号線を接続し、対向信号
電極には対向信号線を接続し、同一のブロックに含まれ
て同一の行の画素に備えられた信号電極には同一の第1
電位を与え、同一のブロックに含まれて同一の列の画素
に備えられた対向信号電極には同一の第2電位を与え、
ブロックが第1電位と第2電位とにより特定パターンを
形成し、異なるブロックに含まれる画素に備えられた対
向信号電極には異なる対向信号線を接続した表示装置を
提案する。
リクス状に配列したパネルと、信号ドライバと、走査ド
ライバと、対向信号ドライバとを備え、信号ドライバに
は信号線を接続し、走査ドライバには走査線を接続し、
対向信号ドライバには対向信号共通線を接続し、対向信
号共通線には対向信号線を接続し、画素は信号電極と対
向信号電極とスイッチ素子とを備え、信号電極にはスイ
ッチ素子を介して信号線を接続し、対向信号電極には対
向信号線を接続し、同一のブロックに含まれて同一の行
の画素に備えられた信号電極には同一の第1電位を与
え、同一のブロックに含まれて同一の列の画素に備えら
れた対向信号電極には同一の第2電位を与え、ブロック
が第1電位と第2電位とにより特定パターンを形成し、
異なるブロックに含まれる画素に備えられた対向信号電
極には異なる対向信号線を接続し、同一のブロックに含
まれて異なる行の画素に備えられた対向信号電極にはそ
れぞれ異なる対向信号線を接続した表示装置を提案す
る。
列方向の画素数よりも多いことがある。
も、可変とすることができる。
あり、投射型ディスプレイが、特定パターンを表示する
投射パターン表示源と、パターン表示素子とを備え、パ
ターン表示素子が、透明電極が形成された一対の基板と
透明電極上に形成された光導電層と一対の基板に狭持さ
れた液晶層とを備える。
示し画像を加え合わせて表示する手段として構成しても
よい。
画素内で演算し加え合わせて画像を表示する手段とする
ことも可能である。
リクス状に配列したパネルと、信号ドライバと、走査ド
ライバと、共通電極ドライバとを備え、信号ドライバに
は信号線を接続し、走査ドライバには走査線を接続し、
共通電極ドライバには共通電極線を接続し、各画素には
特定パターンを加え合わせる加減算器を備え、加減算器
には特定パターンを加え合わせる個数Npに等しい数の
信号線を接続して形成する。
備えた液晶パネルであり、各画素には信号線を介して送
られる信号をホールドする容量素子を、特定パターンを
加え合わせる個数Np個以上備え、容量素子と液晶の容
量とを結合する手段を備える。
ル信号のサンプルホールド手段と、アナログ信号のサン
プルホールド手段とを備えることができる。
ールドされた信号に応じて、アナログ信号のサンプルホ
ールド手段にホールドされた信号を書き換え、同一のブ
ロックに含まれる画素には、同一の信号を与えるように
する。
り、表示制御装置が、演算回路を含む場合もあり、表示
モジュールが、演算回路を有することもある。
液晶モジュールがある。
全体構成を示すブロック図および動作原理を示す図であ
る。MPEG(Moving Picture Experts Group)やJPE
G(Joint Photographic Experts Group)などの画像圧縮
技術に利用されている直交変換を画像に施すと、図1
(b)に示すように、その画像の中のあるブロックが形成
する画像7は、種々の空間周波数成分を持つ特定パター
ン6の重み付き線形和で表現できる。
間周波数の低い特定パターンの重みが大きく、空間周波
数の高い特定パターンの重みは、小さくなる。重みの小
さい特定パターンは、画像にとって重要な情報ではない
ため、その特定パターンを省略しても画像に大きな影響
を与えず、画像は、ほとんど劣化しない。この特性を利
用して、情報量を圧縮できる。
nr個の画素からなるブロックに直交変換を施した場合
は、nl×nr個の特定パターンが存在するが、この特
定パターンのうちNp個の特定パターンを用いて画像を
再現できるとすると、1つの特定パターンには、1つの
重みの情報が対応するため、情報量がNp/(nl×
n r)に圧縮されたことになる。
に、空間周波数の異なる特定パターン6を1ないし複数
個加え合わせて画像8を表示する(図1(c)参照)表示モ
ジュール1と、表示モジュール1を制御する表示制御装
置2と、ブロック毎に画像信号7から空間周波数の異な
る特定パターン6を重み付けして発生させる(図1(b)
参照)演算回路3と、画像信号7を発生する画像発生装
置4とを備えている。本発明の表示装置においては、重
み付けされた空間周波数の異なる特定パターンを表示装
置上で加え合わせて画像を形成するため、信号クロック
周波数fsは、以下に説明するように減少する。
が1つの特定パターンを形成するときは、そのブロック
には、1つの重み付けの信号が対応する。そのため、画
素が行方向にn0l個、列方向にn0r個ある表示パネ
ルには、(n0l×n0r)/(nl×nr)個の信号が必
要となる。画像を再現するために、全ブロックがNp個
の特定パターンを必要とすると、表示モジュールには、
1つの画像につきNp×(n0l×n0r)/(nl×
nr)個の信号が必要となる。この信号が周期1/fH
毎に必要となるため、信号クロック周波数fsは、数式
3のようになる。
Np/(nl×nr)倍だけ減少していることが分かる。
て考える。本発明では、行方向にn l個、列方向にnr
個の画素からなるブロック単位で書き込むため、nl行
分の画素をまとめて走査する。1つの画像を再現するた
めに、この走査をNp回繰り返して画像を再現するの
で、データ信号書き込み時間は、数式4のようになる。
間が増大する。また、本発明では、nl行分の画素をま
とめて走査するため、複数の行で走査線を共有でき、開
口率を上げることができる。
ンを表示する原理を説明する図である。図4では、行方
向に2個、列方向に2個、合計4個の画素14a,14
b,14c,14dを1つのブロックとして扱う場合が
示されている。1つの画素には、信号線11aまたは1
1bに接続された信号電極13aと、対向信号線12a
または12bに接続された対向信号電極13bとからな
る画素電極13がある。
1bに電圧a1を印加し、対向信号線12a,12bに
電圧−a0を印加すると、図4(e)に示すように、画素
14a,14b,14c,14dの画素電極13には、
絶対値がa0+a1の電圧が印加される。
1bにそれぞれ電圧a2,−a2を印加し、対向信号線
12a,12bにそれぞれ電圧−a0,−a0を印加す
ると、図4(f)に示すように、画素14a,14b,1
4c,14dの画素電極13には、それぞれ絶対値がa
0+a2,a0−a2,a0+a2,a0−a2の電圧
が印加される。
1bにそれぞれ電圧a3,a3を印加し、対向信号線1
2a,12bにそれぞれ電圧−a0,a0を印加する
と、図4(g)に示すように、画素14a,14b,14
c,14dの画素電極13には、それぞれ絶対値がa0
+a3,a0+a3,a0−a3,a0−a3の電圧が
印加される。
1bにそれぞれ電圧a4,−a4を印加し、対向信号線
12a,12bにそれぞれ電圧−a0,a0を印加する
と、図4(h)に示すように、画素14a,14b,14
c,14dの画素電極13には、それぞれ絶対値がa0
+a4,a0−a4,a0−a4,a0+a4の電圧が
印加される。
絶対値がa0+aj(j=1,2,3,4)である画素を白
色、同じくa0−ajである画素を灰色として識別する
と、図4(e)ないし(h)が示すように、空間周波数の異
なる特定パターンが表示できていることが分かる。
定パターンを形成する方法を「特定パターン表示法」と
呼ぶことにする。
数の異なる特定パターンの発生方法と、表示モジュール
1において空間周波数の異なる特定パターンを1ないし
複数個加え合わせる方法について、表示パネルとして液
晶パネルを使用した液晶表示装置を例にとって説明す
る。
の画素で1ブロックを形成する。ここでは、図4に示す
ように、行方向に2個,列方向に2個の2×2の画素を
1ブロックとして説明する。
Vb,Vc,Vdの決定の様子を示す図である。はじめ
に、画像発生装置から送られてきた画素14a,14
b,14c,14dの階調信号xa,xb,xc,xd
より、液晶の透過率―電圧特性に基づいて、液晶に印加
すべき電圧Va,Vb,Vc,Vdを図5に示すように
決定する。この電圧を、便宜上ここでは、「目標電圧」
と呼ぶ。
によって、特定パターンの重みaj(j=1,2,3,4)
を求める。
である。例えば、液晶パネルが図5に示すようなノーマ
リブラックの透過率−電圧特性を示す場合は、階調信号
の最大値xMAXに対応した透過率TMAXを与える電
圧がVMAXである。TMAXは、透過率−電圧特性に
おける最大透過率である必要はないが、最大透過率に近
いほど高い輝度が得られる。
ル変換を模した変換であり、アダマール変換と同様に、
空間周波数の異なる特定パターンの重み付けを実行でき
る。
ターンの重みを求める方法を、便宜上、「擬似直交変換
法」と呼ぶことにする。「擬似直交変換法」によって求
めたaj(j=1,2,3,4)およびa0を、図4ですで
に説明したように、「特定パターン表示法」によって画
素内の電極に印加すると、図4(e)ないし(h)が示すよ
うな空間周波数の異なる特定パターンを形成できる。
レームから分けられたサブフレームに割り当て、フィー
ルドシーケンシャル駆動方式で特定パターンを順次に表
示し、特定パターンを加え合わせる。
4つの特定パターン全てをフィールドシーケンシャル駆
動方式で順次に表示すると、各画素の実効値電圧は、数
式7のようになる。
を代入すると、Va′=Va,Vb′=Vb,Vc′=
Vc,Vd′=Vdとなり、「目標電圧」に等しい電圧
を印加できる。すなわち、特定パターンをフィールドシ
ーケンシャル駆動方式で表示すると、原画像を再現でき
る。
がa1とa3に比べて十分に小さいとき、a2に対応す
る特定パターン(図4(f))と、a4に対応する特定パタ
ーン(図4(h))を省略しても画像に大きな影響を与えな
い。
4に対応する特定パターンとを省略したとき、各画素の
実効値電圧は、数式8のようになる。
して、2つの特定パターンの加え合わせで表示すると、
信号クロックは、半分に減少できる。
ターンをフィールドシーケンシャル駆動方式で表示する
ことを例としてあげたが、重みの大きい特定パターンを
フィールドシーケンシャル駆動方式で表示することで、
原画像に近い画像を表示できる。
を実行できるように、a1>0を条件とすると、Vi>
VMAX/√2 (i=a,b,c,d)でなければならな
い。また、特定パターンを形成するためには、a0>a
jである必要があるが、この条件より、Vi<VMAX
が要求される。すなわち、数式9を満たす必要がある。
って空間周波数の異なる特定パターンの重みを求め、
「特定パターン表示法」によって大きな重みを持つ特定
パターンをフィールドシーケンシャル駆動方式で表示し
画像を表示する方法を、便宜上、「擬似直交変換表示
法」と呼ぶ。
クロック周波数を低下させ、やデータ信号書き込み時間
の増大を実現し、高精細かつ高速駆動可能な表示装置を
提供できる。
態1の構成を示す図である。本実施形態1の表示装置
は、表示パネル36として液晶パネルを用いた液晶表示
装置である。
すように、複数画素を1ブロック単位としブロック単位
中の複数画素を同時に選択し、空間周波数の異なる特定
パターンを1ないし複数個加え合わせて画像を表示する
表示モジュール31と、表示モジュール31を制御する
表示制御装置32と、ブロック毎に画像信号から空間周
波数の異なる特定パターンを重み付けして発生させる演
算回路33と、画像信号を発生する画像発生装置34と
を備えている。表示モジュール31は、画素48がマト
リクス状に配列した液晶パネル36と、信号ドライバ3
7と、走査ドライバ38と、対向信号ドライバ35とを
含んでいる。
され、走査ドライバ38には、走査線41a,41c,
…が接続され、対向信号ドライバ35には、対向信号線
44a,44b,44c,44d,…が接続されてい
る。
47と、容量素子45と、液晶46に電圧を印加するた
めの信号電極(図示せず)および対向信号電極(図示せず)
とが備えられており、信号電極は、TFT47を介し
て、信号線42に接続され、対向信号電極は、対向信号
線44a,44b,44c,44d,…のいずれかに接
続されている。
素と緑色(G)を呈する画素と青色(B)を呈する画素とが
並んでいる。すなわち、信号線42R1,42R2,4
2R3,…のいずれかに接続された画素は、R画素であ
り、信号線42G1,42G2,42G3,…のいずれ
かに接続された画素は、G画素であり、信号線42B
1,42B2,…のいずれかに接続された画素は、B画
素である。
を説明する画素部分の断面構造を示す図である。液晶パ
ネルは、信号電極68と対向信号電極69と絶縁膜6
3,64と配向膜65とを備えた基板62と、基板62
に対向配置されカラーフィルタ66と配向膜65とを備
えた基板67と、基板62と基板67とに挟まれた液晶
70と、基板62および基板67の液晶70に面しない
面上に形成された偏光板61とからなる。
0.7mmのガラス基板を使用した。基板62上には、
アモルファスシリコンを用いてTFT(図示せず)を作製
した。信号電極68および対向信号電極69には、クロ
ムモリブデン(CrMo)を使用した。絶縁膜63,64
は、窒化珪素からなり、膜厚をそれぞれ0.2μm,
0.8μmとした。画素数は、1280×3×1024
個とした。配向膜65は、膜厚を80nmとし、その表
面には、液晶を配向させるためのラビング処理を施し
た。
ようにして、空間周波数の異なる特定パターンの重み付
けを実行し、加え合わせる特定パターンを選択した。
素とG画素とB画素とは、それぞれ独立に処理する必要
がある。また、R画素,G画素,B画素のそれぞれにお
いては、近隣の複数画素でブロックを形成し、その複数
画素の空間相関を利用する。
48b,48c,48dの行方向に2個、列方向に2個
の2×2の画素を1ブロックとした。同様にして、画素
48e,48f,48g,48hを1ブロックとした。
以下同様にして、全ての画素をブロック単位で扱った。
交変換法」によって、図4(e)ないし(h)に示した4つ
の特定パターンの重み付けを実行した。その4つの特定
パターンのうち、加え合わせる特定パターンとして3つ
を選択した。
ある全ての画素48は、対向信号線44a,44b,4
4c,44dのいずれか1本に接続されており、その画
素の対向信号電極には、全て同一の電圧が供給される。
したがって、例えば、対向信号線44a,44bにそれ
ぞれ、−a0,−a0を印加すると、対向信号線44
a,44bが接続されている2行に含まれるブロックが
表示できる特定パターンは、図4(e)および(f)のみで
ある。
ぞれ、−a0,a0を印加すると、表示できる特定パタ
ーンは、図4(g)および(h)のみである。したがって、
図4(e)または(f)と図4(g)または(h)とは、同じ行
に含まれるブロックでは、同時に表示できない。
を選択する際には、ほとんどのブロックで重みが最小と
なる空間周波数の最も高い特定パターンである図4(h)
以外の3つの特定パターン図4(e)ないし(g)を選択し
た。
ける表示制御装置32で制御し、表示モジュール31に
備えられた液晶パネル36上でフィールドシーケンシャ
ル駆動方式で表示した。
パターンの重みがそれぞれ、画素48a,48b,48
c,48dからなるブロックでは、a1′,a2′,a
3′であり、画素48e,48f,48g,48hから
なるブロックでは、a1″,a2″,a3″であるとす
る。
が与えられ、画素48a,48b,48c,48dから
なるブロックを含む2行が選択されているとき、信号線
42G1,42G2には、それぞれ、a1′,a1′の
電圧を供給し、信号線42B1,42B2には、それぞ
れ、a1″,a1″の電圧を供給し、対向信号線44
a,44bには、それぞれ、−a0,−a0の電圧を供
給すると、画素48a,48b,48c,48dの液晶
に印加される電圧は、全てa0+a1′となって、この
4つの画素からなるブロックは、図4(e)に示すような
特定パターンを形成し、画素48e,48f,48g,
48hの液晶に印加される電圧は、全てa 0+a1″と
なって、この4つの画素からなるブロックは、図4(e)
に示すような特定パターンを形成する。
いる全てのブロックは、図4(e)ないし(f)に示すよう
な特定パターンのいずれかを形成する。
られ、選択された2行に含まれるブロックは、同様に特
定パターンを形成する。
aにアドレス信号が与えられ、画素48a,48b,4
8c,48dからなるブロックを含む2行が選択されて
いるとき、信号線42G1,42G2には、それぞれ、
a2′,−a2′の電圧を供給し、信号線42B1,4
2B2には、それぞれ、a2″,−a2″の電圧を供給
し、対向信号線44a,44bには、それぞれ、−
a0,−a0の電圧を供給すると、画素48a,48
b,48c,48dの液晶に印加される電圧は、それぞ
れ、a0+a2′,a0−a2′,a0+a2′,a0
−a2′となって、この4つの画素からなるブロック
は、図4(f)に示すような特定パターンを形成し、画素
48e,48f,48g,48hの液晶に印加される電
圧は、それぞれ、a0+a2″,a0−a2″,a0+
a2″,a0−a2″となって、この4つの画素からな
るブロックは、図4(f)に示すような特定パターンを形
成する。
線41aにアドレス信号が与えられたとき、同様に信号
を供給すると、選択されたブロックは、図4(g)に示す
ような特定パターンを形成する。
い、各ブロックに特定パターンを形成する電圧を与え、
これをフィールドシーケンシャル駆動方式と組み合わせ
ることにより、電圧の実効値は、「目標電圧」に近く、
画像発生装置が発生させた画像とほぼ同様の画像を表示
できた。
定パターンを加え合わせることによって表示したので、
数式1と数式3との比較から分かるように、図3に示す
線順次走査駆動法の場合に比べ、信号クロック周波数を
3/4に減少させることができた。
め、図3に示す線順次駆動法の場合に比べ、開口率も向
上した。
態2の構成を示す図である。本実施形態2の表示装置
は、表示パネル36として液晶パネルを用いた液晶表示
装置である。
ように、画素48がマトリクス状に配列した液晶パネル
36と信号ドライバ37と走査ドライバ38と対向信号
ドライバ35とを備え、複数画素を1ブロック単位と
し、ブロック単位中の複数画素を同時に選択し、空間周
波数の異なる特定パターンを1ないし複数個加え合わせ
て画像を表示する表示モジュール31と、表示モジュー
ル31を制御する表示制御装置32と、ブロック毎に画
像信号から空間周波数の異なる特定パターンを重み付け
して発生させる演算回路33と、画像信号を発生する画
像発生装置34とを備えている。
42G1,42B1,42R2,…が接続され、走査ド
ライバ38には、走査線41a,41c,…が接続さ
れ、対向信号ドライバ35には、対向信号共通線44R
1,44G1,44B1,44R2,…が接続されてい
る。
と液晶46に電圧を印加するための信号電極(図示せず)
および対向信号電極(図示せず)とが備えられており、信
号電極は、TFT47を介して信号線42R1,42G
1,42B1,42R2,…のいずれかに接続され、対
向信号電極は、対向信号線44aR,44aG,44a
B,44bR,44bG,44bB,44cR,…のい
ずれかに接続されている。
B,44bR,44bG,44bB,44cR,…は、
それぞれ、対向信号共通線44R1,44G1,44B
1,44R2,…のいずれかに接続されている。
画素とが並んでいる。
素とG画素とB画素とは、それぞれ独立に処理する必要
があり、また、R画素,G画素,B画素のそれぞれにお
いては、近隣の複数画素でブロックをする。
48dの2×2の画素を1ブロックとし、同様に、画素
48e,48f,48g,48hを1ブロックとし、以
下同様にして、全ての画素をブロック単位で扱った。
画素48aの液晶と画素48bの液晶のみが共通の対向
信号線44aGに接続されている。すなわち、各ブロッ
ク毎に対向信号線が独立に配線されている。
全ての画素に共通の対向信号線を配線した実施形態1と
大きく異なる。
に示すように、実施形態1に同じであるため説明を省略
する。
ようにして、空間周波数の異なる特定パターンの重み付
けを実行し、特定パターンを選択した。
交変換法」によって、図4(e)ないし(h)に示した4つ
の特定パターンの重み付けを実行した。その4つの特定
パターンのうち、重みの大きい2つを選択した。
異なり、各ブロック毎に対向信号線が用意されているた
め、図4(e)ないし(h)に示すような全ての特定パター
ンを、同じ行に含まれるブロックにおいても同時に表示
できる。
ターンを選択したが、本実施形態2では、2つのみの特
定パターンを加え合わせることによって、同様の画質で
画像を表示できる。
ける表示制御装置32で制御し、表示モジュール31に
備えられた液晶パネル36上でフィールドシーケンシャ
ル駆動方式で表示した。
め、一例を簡単に取り上げ説明する。例えば、画素48
a,48b,48c,48dからなるブロックにおい
て、図4(e)および(f)に示すような特定パターンの重
みが他の2つの特定パターンの重みより大きく、その重
みがそれぞれa1′およびa2′とする。
が与えられ、画素48a,48b,48c,48dから
なるブロックを含む2行が選択されているとき、信号線
42G1,42G2には、それぞれa1′,a1′の電
圧を供給し、対向信号共通線44G1,44G2には、
それぞれ−a0,−a0の電圧を供給すると、画素48
a,48b,48c,48dの液晶に印加される電圧
は、全てa0+a1′となって、この4つの画素からな
るブロックは、図4(e)に示すような特定パターンを形
成する。
いる全てのブロックは、図4(e)ないし(h)に示すよう
な特定パターンのいずれかを形成する。
び走査線41aにアドレス信号が与えられたとき、同様
に適切に電圧を供給することによって、画素48a,4
8b,48c,48dの液晶に印加される電圧は、それ
ぞれ、a0+a2′,a0−a2′,a0+a2′,a
0−a2′となって、この4つの画素からなるブロック
は、図4(f)に示すような特定パターンを形成する。
い、各ブロックに特定パターンを形成する電圧を与え、
これをフィールドシーケンシャル駆動方式と組み合わせ
ることにより、電圧の実効値は、「目標電圧」に近く、
画像発生装置が発生させた画像とほぼ同様の画像を表示
できた。
定パターンを加え合わせることによって表示したので、
数式1と数式3との比較から分かるように、図3に示す
線順次走査駆動法の場合に比べ、信号クロック周波数を
半分に減少させることができた。
1つのブロックとして取り扱ったが、ブロックが4×4
や8×8の画素からなる場合についても、本質的に何ら
変わらない。
した場合、16個の特定パターンが生じるが、そのうち
8個程度のパターンを選択すれば、画質の劣化がなく、
画像を表示できる。
の特定パターンを加え合わせて表示するので、信号クロ
ック周波数は、線順次駆動走査法に比べ、半分に低下す
る。
態3の構成を示す図である。本発明による実施形態3
は、図9に示すように、圧縮率調整装置81が加えられ
た以外は、実施形態2に同じである。
ついて説明する。
せる個数Npが2に固定されていたが、本実施形態3の
圧縮率調整装置81は、特定パターンを加え合わせる個
数Npを可変とする機能を持つ。
るブロックの特定パターンの重みがa1>a3>a2>
a4であったとする。ここで、Np=3の場合は、1つ
のフレームを3つのサブフレームに分け、a1,a3,
a2のそれぞれに対応する特定パターンを順次表示す
る。または、Np=1の場合は、1つのフレームで、a
1に対応する特定パターンを表示する。
ターン数Npによって変化するため、それに応じて走査
ドライバ38が走査周波数を調整し、対応する。
が増大すれば、サブフレームも増大するため、走査周波
数を増大させて対応する。
4aR,44aG,44aB,44bR,44bG,4
4bB,44cR,…に与える電圧a0も特定パターン
数Npによって変化するので、それに応じて、対向信号
ドライバ35が電圧a0を調整し、対応する。
1によって特定パターンを加え合わせる個数Npを可変
とすることにより、Npの少ない低信号クロック周波数
モード、すなわち低消費電力モードと、Npの多い高画
質モードとをユーザが選択可能な液晶表示装置を提供で
きる。
形態4の構成を示す図である。本発明による実施形態4
は、図10に示すように、高圧縮演算回路82が加えら
れた以外は、実施形態2に同じである。
る。人の眼は、赤色や緑色の解像度に比べて、青色の解
像度に対して敏感ではないため、B画素において加え合
わせる特定パターンの種類をR画素やG画素における特
定パターンの種類より少なくしても、画質の劣化を感じ
にくい。
クについては、2種類の特定パターンを表示したのに対
し、B画素からなるブロックについては、図4(e)に示
す特定パターンのみを表示した。
いては、「擬似直交変換法」の数式5においてa1のみ
を求めれば良く、演算が簡単化される。高圧縮演算回路
82が、この演算を担当し、演算回路33の負担を軽減
できる。
をブロック毎に変化させることはできない。なぜなら、
Npによってサブフレーム数が変化するが、同じ行に含
まれるブロックは、走査線41a,41c,…が共通で
あるため、ブロックによって走査周波数を変化させるこ
とはできない。
ロックの加え合わせる特定パターン数Npに合わせ、B
画素からなるブロックでは、図4(e)に示す特定パター
ンを2回表示した。
わせる特定パターンの種類の数が可変となる演算回路を
持つと、B画素からなるブロックでは、図4(e)に示す
ような特定パターンのみを表示でき、演算回路33の負
担を軽減できる。
形態5の構成を示す図である。 本実施形態5の表示装
置は、表示パネル36として液晶パネルを用いた液晶表
示装置である。
示すように、画素48がマトリクス状に配列した液晶パ
ネル36と、信号ドライバ37と、走査ドライバ38
と、対向信号ドライバ35とを備え、複数画素を1ブロ
ック単位とし、ブロック単位中の複数画素を同時に選択
し、空間周波数の異なる特定パターンを1ないし複数個
加え合わせて画像を表示する表示モジュール31と、表
示モジュール31を制御する表示制御装置32と、ブロ
ック毎に画像信号から空間周波数の異なる特定パターン
を重み付けして発生させる演算回路33と、画像信号を
発生する画像発生装置34とを備えている。
42G1,42B1,42R2,…が接続され、走査ド
ライバ38には、走査線41a,41c,41e,…が
接続され、対向信号ドライバ35には、対向信号共通線
44が接続されている。
5と、液晶46に電圧を印加するための図示しない信号
電極および対向信号電極とが備えられており、信号電極
は、TFT47を介して、信号線42R1,42G1,
42B1,42R2,…のいずれかに接続され、対向信
号電極は、対向信号線44'に接続されている。対向信
号線44'は、対向信号共通線44に接続されている。
画素とが並んでいる。
素とG画素とB画素とは、それぞれ独立に処理する必要
があり、また、R画素,G画素,B画素のそれぞれにお
いては、近隣の複数画素で1ブロックを構成する。
48b,48c,48dからなるブロックのように、行
方向に4個,列方向に1個の4×1の画素を1ブロック
とした。この1ブロックの構成は、2×2の画素を1ブ
ロックとした実施形態2とは異なる。
れ独立して対向信号線44'が配線され、それぞれの対
向信号線44'は、それぞれ独立して対向信号共通線4
4に接続され、各画素にそれぞれ独立した対向信号電圧
を供給できる。
に示すように、実施形態1に同じであるため説明を省略
する。
パターンを表示する原理を説明する図である。図12で
は、行方向に4個、列方向に1個、合計4つの画素14
aおよび14bおよび14cおよび14dを1つのブロ
ックとして扱う場合が示されている。
信号電極13aと、対向信号線12a,12b,12
c,12dのいずれかに接続された対向信号電極13b
とからなる画素電極13がある。
圧a1を印加し、対向信号線12a,12b,12c,
12dに電圧−a0を印加すると、図12(e)に示すよ
うに、画素14a,14b,14c,14dの画素電極
13には、絶対値がa0+a 1の電圧が印加される。
圧a2を印加し、対向信号線12a,12b,12c,
12dにそれぞれ電圧−a0,a0,−a0,a0を印
加すると、図12(f)に示すように、画素14a,14
b,14c,14dの画素電極13には、絶対値がそれ
ぞれa0+a2,a0−a2,a0+a2,a0−a 2
の電圧が印加される。
圧a3を印加し、対向信号線12a,12b,12c,
12dにそれぞれ電圧−a0,−a0,a0,a0を印
加すると、図12(g)に示すように、画素14a,14
b,14c,14dの画素電極13には、絶対値がそれ
ぞれa0+a3,a0+a3,a0−a3,a0−a 3
の電圧が印加される。
圧a4を印加し、対向信号線12a,12b,12c,
12dにそれぞれ電圧−a0,a0,a0,−a0を印
加すると、図12(h)に示すように、画素14a,14
b,14c,14dの画素電極13には、絶対値がそれ
ぞれa0+a4,a0−a4,a0−a4,a0+a 4
の電圧が印加される。
絶対値がa0+aj(j=1,2,3,4)である画素を白
色、同じくa0−ajである画素を灰色として識別する
と、図12(e)ないし(h)が示すように、空間周波数の
異なる特定パターンが表示できていることが分かる。
るようにして、空間周波数の異なる特定パターンの重み
付けを実行し、特定パターンを選択した。各ブロック毎
に、すでに説明した「擬似直交変換法」によって、図1
2(e)ないし(h)に示した4つの特定パターンの重み付
けを実行した。
きい3つを選択した。選択した3つの特定パターンを、
図11における表示制御装置32で制御し、表示モジュ
ール31に備えられた液晶パネル36上でフィールドシ
ーケンシャル駆動方式で表示した。
め、一例を簡単に取り上げ説明する。例えば、画素48
a,48b,48c,48dからなるブロックにおい
て、図12(e)および(g)および(h)の重みが他の特定
パターンのそれより大きく、その重みがそれぞれa1′
およびa3′およびa4′とする。
の2本の走査線に同時にアドレス信号が与えられ、画素
48a,48b,48c,48dからなるブロックを含
む4行が選択されているとき、信号線42G1にa1′
の電圧を供給し、対向信号共通線44G1a,44G1
b,44G1c,44G1dには、それぞれ−a0,−
a0,−a0,−a0の電圧を供給すると、画素48
a,48b,48c,48dの液晶に印加される電圧
は、全てa0+a1′となって、この4つの画素からな
るブロックは、図12(e)に示すような特定パターンを
形成する。
て選択されている全てのブロックは、図12(e)ないし
(h)に示すような特定パターンのいずれかを形成する。
び走査線41aおよび41cにアドレス信号が与えられ
たとき、同様に適切に電圧を供給することによって、画
素48a,48b,48c,48dの液晶に印加される
電圧は、それぞれa0+a3′,a0+a3′,a0−
a3′,a0−a3′となって、この4つの画素からな
るブロックは、図12(g)に示すような特定パターンを
形成する。
び走査線41aおよび41cにアドレス信号が与えられ
たとき、図12(h)に示すような特定パターンを形成す
る。
い、各ブロックに特定パターンを形成する電圧を与え、
これをフィールドシーケンシャル駆動方式と組み合わせ
ると、電圧の実効値は、「目標電圧」に近く、画像発生
装置が発生させた画像とほぼ同様の画像を表示できた。
定パターンを加え合わせることによって表示したので、
数式1と数式3との比較から分かるように、図3に示す
線順次走査駆動法の場合に比べ、信号クロック周波数を
3/4に減少させることができた。
のサブフレームによって表示したので、数式2と数式4
との比較から分かるように、データ信号書き込み時間を
4/3倍に増大させることができた。
列方向の画素数より多くすることによって、ブロックの
行方向の画素数と列方向の画素数とが等しい場合に比
べ、信号クロック周波数の減少率(Np/(nl×nr))
が同じ場合においても、データ信号書き込み時間の増大
の効果を得やすくなる。
方向の画素数が1個の場合は、nl×nr=nlとなる
ため、加え合わせる特定パターン数Npがブロックを形
成する画素数より小さければ、数式2および数式4から
分かるように、信号クロック周波数の減少の効果と、デ
ータ信号書き込み時間の増大の効果とが同時に得られ
る。
いては、例えば、画素48aと48bのように、共通の
走査線および信号線に接続されている画素には、同一の
信号電圧を印加することになるが、対向信号電圧は、そ
れぞれ独立に供給できる。
素を1つのブロックとして扱ったが、2×1のブロッ
ク,2×2のブロック,4×4のブロックなども可能で
ある。
8e,48f,48g,48hを1つのブロックとして
扱い、走査線41aにアドレス信号が与えられ、画素4
8e,48f,48g,48hからなるブロックを含む
2行が選択されているとき、信号線42R1,42R2
にそれぞれa2,−a2の電圧を供給し、対向信号共通
線44R1a,44R1b,44R2a,44R2bに
−a0の電圧を供給すると、画素48e,48f,48
g,48hの液晶に印加される電圧は、それぞれa0+
a2,a0−a2,a0+a2,a0−a2となって、
この4つの画素からなるブロックは、図4(f)に示すよ
うな特定パターンを形成する。
ロックとして扱った場合にも特定パターンを表示でき、
画像を表示できる。
ブロックというように、ブロックを形成する画素数が同
じ場合には、そのブロックをリアルタイムに変更でき
る。すなわち、画像によって、2×2のブロックとして
扱うのか、4×1のブロックとして扱うのかを切り換え
できる。
のブロックの場合に比べて、画質の劣化は大きいが、デ
ータ信号書き込み時間は増大できる。
のブロックで扱えば良い。
る場合、その2×2のブロック内の画素に全て同じ信号
を与え、その2×2のブロックを1つの画素とみなして
処理する場合には、4×4のブロックでの処理に切り換
えることが可能である。
2×2のブロックには、同一の信号を送るため、実質的
には2×2のブロックの処理と等価なためである。
処理し、全画面で動画を表示する場合のように解像度が
低い画像を表示する場合には、上記のようにして4×4
のブロックで処理することにより、効率良く対応でき
る。
形態6の構成を示す図である。本発明による実施形態6
は、図6における液晶パネル36を、図13に示される
液晶パネルとした以外は、実施形態1と同じである。ま
た、本実施形態6の画素部分の断面図は、図7に示すよ
うに、実施形態1に同じであるため説明を省略する。た
だし、ポリシリコンを用いてTFTを作製した。したが
って、液晶パネル36の構成と信号書き込みのタイミン
グについて説明する。
査線502およびアナログ信号線503に接続されたn
l個の画素510からなる。画素510は、デジタル信
号走査線500およびデジタル信号線501に接続され
た第1トランジスタ504と、第1容量素子507と、
アナログ信号走査線502に接続された第2トランジス
タ505と、アナログ信号線503に接続された第3ト
ランジスタ506と、第2容量素子508と、液晶50
9と、第4トランジスタ512とからなる。
3トランジスタは、nチャネル型のMOSトランジスタ
であり、第4トランジスタは、pチャネル型のMOSト
ランジスタである。
08は、図示しない共通配線との間に形成されている。
走査線500により選択され、デジタル信号線501の
信号をサンプルし、第1容量素子507にホールドす
る。デジタル信号線501の信号は、基本的に2値であ
り、一方は、第2トランジスタ505のしきい電圧より
低く、他方は、そのしきい値よりも高い。
子507は、1ビットメモリとして動作し、第2トラン
ジスタ505および第4トランジスタ512の動作を制
御する。
507の電圧に応じて、オンオフ制御される。第2トラ
ンジスタ505は、オン動作時には、アナログ信号走査
線502における選択パルスによって、第3トランジス
タ506の動作を制御する。
走査線502により、第2トランジスタ505を介して
選択され、アナログ信号線503の信号をサンプルし、
第2容量素子508にホールドし、液晶509に電圧を
印加する。
相補的に動作し、動作時に、第2容量素子508および
液晶509に書き込まれた電荷を放出する。
タル信号線501により1ビットデータを各画素の第1
容量素子507に書き込んだ後、アナログ信号走査線5
02およびアナログ信号線503により、液晶509に
電圧を印加する。
は、1ビットデータに応じてアナログ信号線503の信
号ないし、共通配線の電圧が印加される。
説明する。1ビットデータのマッピングと液晶509に
印加するアナログ信号の書き込みのタイミングは、以下
のようないくつかのタイミングがある。
グした後、ライン毎にブロックを選択して同一の信号を
ブロック内の各画素に印加する。
素に1ビットデータをマッピングした後、同じくi番目
のブロック内の各画素に同一の信号を印加する。
素に1ビットデータをマッピングした後、同じくi番目
からj(jはiより大きい自然数)番目までのブロックに
おいてライン毎にブロックを選択して同一の信号をブロ
ック内の各画素に印加する。
グ信号の書き込みは、別々のアナログ信号走査線の接続
されたブロックにおいては、同時に実行する。これによ
りデータ信号書き込み時間を長くでき、高精細化を容易
にする効果がある。
を各画素にマッピングした後に、ブロックにおいて"1"
の状態にある画素全てに同一のにアナログ信号を印加す
る構成とすると、任意のサイズのブロックを形成でき
る。
ックの行方向の画素数を列方向の画素数より多くでき、
信号クロック周波数を低下させる効果とデータ信号書き
込み時間を増大する効果とが得られる。
形態7すなわち投射型ディスプレイの構成を示す図であ
る。本発明による実施形態7は、図6における表示モジ
ュール31として、図14に示される投射型ディスプレ
イとした以外は、実施形態1と同じである。したがっ
て、投射型ディスプレイについて説明する。
は、パターン書き込みCRT401と、書き込み光学系
402と、パターン表示素子410と、投影光源406
と、投影光学系407と、偏光ビームスプリッタ408
と、スクリーン409とからなる。
示せず)が形成された2枚のガラス基板411と、透明
電極上に形成された光導電層403と、光導電層403
上に形成された誘電体ミラー層404と、2枚のガラス
基板411に挟まれた液晶層405とからなる。
フレームから分けられたサブフレーム毎に、図4(e)な
いし(h)に示すような特定パターンが順次表示される。
2を経て光導電層403に転写される。光導電層403
では、転写された特定パターンの光強度にしたがって電
気伝導率の平面分布が生じる。その電気伝導率の値に応
じて液晶層405に印加される電圧が制御される。
スプリッタ408を経て液晶層405を透過し、誘電体
ミラー層404で反射され、再び液晶層405を透過す
るため、この光は、液晶層405によって制御される。
れた反射光は、特定パターンの光強度に応じて制御され
る。
408を通過し、投影光学系407によってスクリーン
409に投影される。
る電圧は、複数の特定パターンが順次に転写されること
によって生じた実効値である。そのため、スクリーン4
09上に結ばれる像は、これまでの実施形態と同様に所
望の映像となる。
CRT401が表示する画像は、特定パターンに限られ
ており、簡便なCRTを利用できる。
で実行するのではなく、高速駆動CRTで実行するた
め、画質を向上するために加え合わせる特定パターン数
を増大することが可能である。
ーン書き込みCRT401に限らず、シリコン基板また
はガラス基板上に形成された通常のアクティブマトリク
ス液晶表示装置を用いたとしても、本発明による表示原
理を適用できることは、いうまでもない。
形態8の構成を示す図である。本実施形態8の表示装置
は、表示パネル36として液晶パネルを用いた液晶表示
装置である。
示すように、画素48がマトリクス状に配列した液晶パ
ネル36と信号ドライバ37と走査ドライバ38と共通
電極ドライバ39とを備え、複数画素を1ブロック単位
とし、ブロック単位中の複数画素を同時に選択し、空間
周波数の異なる特定パターンを1ないし複数個加え合わ
せて画像を表示する表示モジュール31と、表示モジュ
ール31を制御する表示制御装置32と、ブロック毎に
画像信号から空間周波数の異なる特定パターンを重み付
けして発生させる演算回路33と、画像信号を発生する
画像発生装置34とを備えている。
続され、走査ドライバ38には、第1走査線211およ
び第2走査線212が接続され、共通電極ドライバ39
には、共通電極線214が接続されている。
208と液晶207に電圧を印加するための信号電極
(図示せず)および共通電極(図示せず)とが備えられてお
り、信号電極は、加減算器220を介して信号線213
に接続され、共通電極は、共通電極線214に接続され
ている。
画素とが並んでいる。
に示すように、実施形態1に同じであるため説明を省略
する。
および動作を説明する図である。加減算器220には、
第1TFT201と第2TFT202と第3TFT20
4と第4TFT205と第5TFT206と容量素子2
03a,203b,203c,203dとが備えられて
いる。容量素子203a,203b,203c,203
dの電荷容量は、全て等しく、Csigである。
203dは、第1TFT201を介して、それぞれ信号
線213a,213b,213c,213dに接続さ
れ、また第2TFT202および第3TFT204を介
して共通線214に接続され、また第5TFT206を
介して液晶207および容量素子208に接続される。
線212にアドレス信号が与えられ、第1TFT201
および第3TFT204および第4TFT205が選択
されると、信号線213a,213b,213c,21
3dに与えられた電圧が、それぞれ容量素子203a,
203b,203c,203dに保持される。
に蓄えられていた電荷がリセットされる。
3c,213dに与える電圧を、それぞれVa′,
Vb′,Vc′,Vd′とすると、容量素子203a,
203b,203c,203dに蓄えられる電荷は、全
体でCsig(Va′+Vb′+Vc′+Vd′)とな
る。
1TFT201および第3TFT204および第4TF
T205がオフし、t3のとき第1走査線211にアド
レス信号が与えられ、第2TFT202および第5TF
T206が選択されると、容量素子203a,203
b,203c,203dに蓄えられていた電荷Csig
(Va′+Vb′+Vc′+Vd′)が、容量素子203
a,203b,203c,203d,208および液晶
207に再分配される。
容量素子208の電荷容量をCst gとすると、液晶2
07に印加される電圧Vlcは、数式10のようにな
る。
3b,213c,213dに与えられた電圧の和に比例
した電圧が印加される。
間周波数の異なる特定パターンに重み付けを実行する方
法について説明する。
用して、空間周波数の異なる特定パターンを加え合わせ
るため、演算回路33では、数式5による「擬似直交変
換法」ではなく、一般的な直交変換であるアダマール変
換を利用する。
48c,48dからなる、行方向に2個、列方向に2個
の2×2のブロックを例にとって説明する。
画素48a,48b,48c,48dの階調信号xa,
xb,xc,xdより、液晶の透過率―電圧特性に基づ
いて、液晶に印加すべき「目標電圧」Va,Vb,
Vc,Vdを図5に示すように決定する。
9を満たす必要があったが、本実施形態8では、その必
要がない。そのため、液晶の透過率−電圧特性には、図
5に示すような急峻な特性は、要求されない。
dに数式11に示すアダマール変換を施して、特定パタ
ーンの重みaj(j=1,2,3,4)を求める。
が、これは、数式10に示すように、逆変換が通常のア
ダマール変換と異なるためである。
ンとの関係を示す図である。重みa1に対応する特定パ
ターンは、図17(a)に示すように、画素14a,14
b,14c,14dにそれぞれ信号a1,a1,a1,
a1を与えることで形成する。
7(b)に示すように、画素14a,14b,14c,1
4dにそれぞれ信号a2,−a2,a2,−a2を与え
ることで形成する。
7(c)に示すように、画素14a,14b,14c,1
4dにそれぞれ信号a3,a3,−a3,−a3を与え
ることで形成する。
7(d)に示すように、画素14a,14b,14c,1
4dにそれぞれ信号a4,−a4,−a4,a4を与え
ることで形成する。
色、負の信号が与えられた画素を灰色として識別する
と、図17(a)ないし(d)が示すように、空間周波数の
異なる特定パターンが形成されていることが分かる。
るように画素内で加え合わせることによって、原画像を
再現できる。
8dに注目する。画素48a,48bが接続された第2
走査線212が選択されるときに、信号線213a,2
13eにそれぞれ電圧a1,a1を与え、信号線213
b,213fにそれぞれ電圧a2,−a2を与え、信号
線213c,213gにそれぞれ電圧a3,a3を与
え、信号線213d,213hにそれぞれ電圧a4,−
a4を与える。
1走査線211が選択されると、画素48a,48bの
液晶207には、数式10に従った電圧が印加される。
すなわち、画素48a,48bの液晶に印加される電圧
Vlca,Vlcbは、数式13のようになり、「目標
電圧」が印加される。
14a,14bからなる特定パターンの加え合わせが終
了したことに相当する。
2走査線212が選択されるときに、信号線213a,
213eにそれぞれ電圧a1,a1を与え、信号線21
3b,213fにそれぞれ電圧a2,−a2を与え、信
号線213c,213gにそれぞれ電圧−a3,−a3
を与え、信号線213d,213hにそれぞれ電圧−a
4,a4を与える。
1走査線211が選択されると、画素48c,48dの
液晶207には、数式10に従った電圧が印加される。
すなわち、画素48c,48dの液晶に印加される電圧
Vlcc,Vlcdは、数式14のようになり、「目標
電圧」が印加される。
14c,14dからなる特定パターンの加え合わせが終
了したことに相当する。
で、2×2のブロックにおける特定パターンの加え合わ
せが終了する。
てのブロックにおいて走査が終了し、画像が再現され
る。
交変換表示法」と異なり、1つのフレームをサブフレー
ムに分けることなく、全ての行の走査を一度事項する
と、加え合わせが終了する。
得られる。全ての行の走査を一度実行して画像を表示す
るため、信号データ書き込み時間がブロックのサイズな
どに影響を受けることなく一定である。
定パターンのうち、その一部のみを加え合わせて表示で
きるため、「擬似直交変換表示法」と同様の原理で、信
号クロック周波数を低下できる。
ているため、演算回路33の負担が少なく、かつ高速演
算が可能である。
01および第2TFT202および容量素子203a,
203b,203c,203dは、加え合わせる特定パ
ターン数Np個だけ用意すればいいことは、いうまでも
ない。
形態9の構成を示す図である。本発明による実施形態9
は、図18に示すように、図8における演算回路33が
表示制御装置32に含まれるのではなく、画像発生装置
34に含まれること以外は、実施形態2に同じである。
から表示モジュール31に送られる信号量の削減のみな
らず、画像発生装置34から表示制御装置32への信号
量も軽減でき、表示装置の高精細化が容易になる。
施形態10の構成を示す図である。本発明による実施形
態10は、図19に示すように、図11における演算回
路33が表示制御装置32に含まれるのではなく、表示
モジュール31に含まれること以外は、実施形態5に同
じである。
4および表示制御装置32は、既存のものを利用できる
上に、実施形態5と同様に、データ信号書き込み時間の
増大の効果が得られる。
間周波数の異なる特定パターンを1ないし複数個加え合
わせて画像を表示する表示モジュールを備えることによ
り、信号クロック周波数を低下させるとともに、信号書
き込み時間を増大でき、開口率を上げて、超高精細表示
かつ高速動画表示が可能な表示装置が得られる。
ク図および動作原理を示す図である。
の構成を示す図である。
原理を説明する図である。
の決定の様子を示す図である。
す図である。
素部分の断面構造を示す図である。
す図である。
す図である。
示す図である。
示す図である。
示する原理を説明する図である。
示す図である。
投射型ディスプレイの構成を示す図である。
示す図である。
説明する図である
の関係を示す図である。
示す図である。
を示す図である。
R2,42G2,42B2,42R3,42G3,213,2
13a,213b,213c,213d,213e,213
f,213g,213h 信号線 12a,12b,12c,12d,44a,44b,44c,
44d,44aR,44aG,44aB,44bR,44b
G,44bB,44cR,44cG,44cB,44dR,4
4dG,44dB,44' 対向信号線 13 画素電極 13a,68 信号電極 13b,69 対向信号電極 14a,14b,14c,14d,25,48,48a,48
b,48c,48d,48e,48f,48g,48h,51
0 画素 26,36 表示パネル 35 対向信号ドライバ 37 信号ドライバ 38 走査ドライバ 39 共通電極ドライバ 41,41a,41b,41c,41d 走査線 43,214 共通電極線 44R1,44G1,44B1,44R2,44G2,44
B2,44R3,44G3,44R1a,44R1b,44
R1c,44R1d,44G1a,44G1b,44G1
c,44G1d,44R2a,44R2b,44R2c,4
4R2d 対向信号共通線 45,203a,203b,203c,203d,208
容量素子 46,70,207,509 液晶 47 薄膜トランジスタ(TFT) 61 偏光板 62,67 基板 63,64 絶縁膜 65 配向膜 66 カラーフィルタ 81 圧縮率調整装置 82 高圧縮演算回路 201 第1TFT 202 第2TFT 204 第3TFT 205 第4TFT 206 第5TFT 211 第1走査線 212 第2走査線 220 加減算器 401 パターン書き込みCRT 402 書き込み光学系 403 光導電層 404 誘電体ミラー層 405 液晶層 406 投影光源 407 投影光学系 408 偏光ビームスプリッタ 409 スクリーン 410 パターン表示素子 411 ガラス基板 500 デジタル信号走査線 501 デジタル信号線 502 アナログ信号走査線 503 アナログ信号線 504 第1トランジスタ 505 第2トランジスタ 506 第3トランジスタ 507 第1容量素子 508 第2容量素子 511 ブロック 512 第4トランジスタ
Claims (20)
- 【請求項1】 n(nは2以上の自然数)個の複数画素を
1ブロック単位とし、前記ブロック単位中の前記複数画
素を同時に選択し、空間周波数の異なる特定パターンを
1ないし複数個加え合わせて画像を表示する表示モジュ
ールと、前記表示モジュールを制御する表示制御装置
と、前記ブロック毎に画像信号から空間周波数の異なる
前記特定パターンを重み付けして発生させる演算回路
と、前記画像信号を発生する画像発生装置とを備えた表
示装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の表示装置において、 前記演算回路が、前記ブロック毎に画像信号から空間周
波数の異なるn個の前記特定パターンを重み付けして発
生させる手段であり、 前記表示モジュールが、前記特定パターンをNp(nより
小さい自然数)個加え合わせて画像を表示する手段であ
ることを特徴とする表示装置。 - 【請求項3】 請求項2に記載の表示装置において、 前記特定パターンを加え合わせる個数Npを変更する手
段として圧縮率調整装置を備えたことを特徴とする表示
装置。 - 【請求項4】 請求項2または3に記載の表示装置にお
いて、 前記ブロックによって加え合わせる前記特定パターンの
種類の数を変更する手段として高圧縮演算回路を備えた
ことを特徴とする表示装置。 - 【請求項5】 請求項1ないし4のいずれか一項に記載
の表示装置において、 前記表示モジュールが、前記画素をマトリクス状に配列
したパネルと、信号ドライバと、走査ドライバと、対向
信号ドライバとを備え、 前記信号ドライバには信号線を接続し、前記走査ドライ
バには走査線を接続し、前記対向信号ドライバには対向
信号線を接続し、 前記画素が、信号電極と対向信号電極とスイッチ素子と
を備え、 前記信号電極には前記スイッチ素子を介して前記信号線
を接続し、 前記対向信号電極には前記対向信号線を接続し、 同一の前記ブロックに含まれて同一の行の前記画素に備
えられた前記信号電極には同一の第1電位を与え、同一
の前記ブロックに含まれて同一の列の前記画素に備えら
れた前記対向信号電極には同一の第2電位を与え、 前記ブロックが前記第1電位と前記第2電位とにより前
記特定パターンを形成し、 同一の行に含まれる前記画素に備えられた前期対向信号
電極には共通の前記対向信号線を接続したことを特徴と
する表示装置。 - 【請求項6】 請求項2ないし4のいずれか一項に記載
の表示装置において、 前記表示モジュールは、前記画素がマトリクス状に配列
したパネルと、信号ドライバと、走査ドライバと、対向
信号ドライバとを備え、 前記信号ドライバには信号線を接続し、前記走査ドライ
バには走査線を接続し、前記対向信号ドライバには対向
信号共通線を接続し、前記対向信号共通線には対向信号
線を接続し、 前記画素は信号電極と対向信号電極とスイッチ素子とを
備え、 前記信号電極には前記スイッチ素子を介して前記信号線
を接続し、前記対向信号電極には前記対向信号線を接続
し、 同一の前記ブロックに含まれて同一の行の前記画素に備
えられた前記信号電極には同一の第1電位を与え、同一
の前記ブロックに含まれて同一の列の前記画素に備えら
れた前記対向信号電極には同一の第2電位を与え、 前記ブロックが前記第1電位と前記第2電位とにより前
記特定パターンを形成し、 異なる前記ブロックに含まれる前記画素に備えられた前
記対向信号電極には異なる前記対向信号線を接続したこ
とを特徴とする表示装置。 - 【請求項7】 請求項2ないし4のいずれか一項に記載
の表示装置において、 前記表示モジュールは、前記画素がマトリクス状に配列
したパネルと、信号ドライバと、走査ドライバと、対向
信号ドライバとを備え、 前記信号ドライバには信号線を接続し、前記走査ドライ
バには走査線を接続し、前記対向信号ドライバには対向
信号共通線を接続し、前記対向信号共通線には対向信号
線を接続し、 前記画素は信号電極と対向信号電極とスイッチ素子とを
備え、 前記信号電極には前記スイッチ素子を介して前記信号線
を接続し、前記対向信号電極には前記対向信号線を接続
し、 同一の前記ブロックに含まれて同一の行の前記画素に備
えられた前記信号電極には同一の第1電位を与え、同一
の前記ブロックに含まれて同一の列の前記画素に備えら
れた前記対向信号電極には同一の第2電位を与え、 前記ブロックが前記第1電位と前記第2電位とにより前
記特定パターンを形成し、 異なる前記ブロックに含まれる前記画素に備えられた前
記対向信号電極には異なる前記対向信号線を接続し、 同一の前記ブロックに含まれて異なる行の前記画素に備
えられた前記対向信号電極にはそれぞれ異なる前記対向
信号線を接続したことを特徴とする表示装置。 - 【請求項8】 請求項1ないし7のいずれか一項に記載
の表示装置において、 前記ブロックの行方向の画素数が前記ブロックの列方向
の画素数よりも多いことを特徴とする表示装置。 - 【請求項9】 請求項2ないし8のいずれか一項に記載
の表示装置において、 前記ブロックを形成する前記複数画素の組み合わせが可
変であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項10】 請求項1ないし9のいずれか一項に記
載の表示装置において、 前記表示モジュールが、投射型ディスプレイであり、 前記投射型ディスプレイが、前記特定パターンを表示す
る投射パターン表示源と、パターン表示素子とを備え、 前記パターン表示素子が、透明電極が形成された一対の
基板と前記透明電極上に形成された光導電層と前記一対
の基板に狭持された液晶層とを備えたことを特徴とする
表示装置。 - 【請求項11】 請求項2ないし10のいずれか一項に
記載の表示装置において、 前記表示モジュールが、前記特定パターンを順次表示し
画像を加え合わせて表示する手段であることを特徴とす
る表示装置。 - 【請求項12】 請求項2ないし10のいずれか一項に
記載の表示装置において、 前記表示モジュールが、前記特定パターンを画素内で演
算し加え合わせて画像を表示する手段であることを特徴
とする表示装置。 - 【請求項13】 請求項12に記載の表示装置におい
て、 前記表示モジュールは、前記画素をマトリクス状に配列
したパネルと、信号ドライバと、走査ドライバと、共通
電極ドライバとを備え、 前記信号ドライバには信号線を接続し、前記走査ドライ
バには走査線を接続し、共通電極ドライバには共通電極
線を接続し、 前記各画素には前記特定パターンを加え合わせる加減算
器を備え、 前記加減算器には前記特定パターンを加え合わせる個数
Npに等しい数の前記信号線を接続したことを特徴とす
る表示装置。 - 【請求項14】 請求項13に記載の表示装置におい
て、 前記パネルは前記画素に液晶を備えた液晶パネルであ
り、 前記各画素には前記信号線を介して送られる信号をホー
ルドする容量素子を、前記特定パターンを加え合わせる
個数Np個以上備え、 前記容量素子と前記液晶の容量とを結合する手段を備え
たことを特徴とする表示装置。 - 【請求項15】 請求項2ないし12のいずれか一項に
記載の表示装置において、 前記画素を構成するそれぞれの回路が、デジタル信号の
サンプルホールド手段と、アナログ信号のサンプルホー
ルド手段とを備えたことを特徴とする表示装置。 - 【請求項16】 請求項15に記載の表示装置におい
て、 前記デジタル信号のサンプルホールド手段にホールドさ
れた信号に応じて、前記アナログ信号のサンプルホール
ド手段にホールドされた信号を書き換え、 同一の前記ブロックに含まれる前記画素には、同一の信
号を与えることを特徴とする表示装置。 - 【請求項17】 請求項1ないし16のいずれか一項に
記載の表示装置において、 前記画像発生装置が、前記演算回路を含むことを特徴と
する表示装置。 - 【請求項18】 請求項1ないし16のいずれか一項に
記載の表示装置において、 前記表示制御装置が、前記演算回路を含むことを特徴と
する表示装置。 - 【請求項19】 請求項1ないし16のいずれか一項に
記載の表示装置において、 前記表示モジュールが、前記演算回路を有することを特
徴とする表示装置。 - 【請求項20】 請求項1ないし19のいずれか一項に
記載の表示装置において、 前記表示モジュールが、液晶モジュールであることを特
徴とする表示装置。
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