JP2001349797A - 圧力センサ - Google Patents

圧力センサ

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JP2001349797A
JP2001349797A JP2000169158A JP2000169158A JP2001349797A JP 2001349797 A JP2001349797 A JP 2001349797A JP 2000169158 A JP2000169158 A JP 2000169158A JP 2000169158 A JP2000169158 A JP 2000169158A JP 2001349797 A JP2001349797 A JP 2001349797A
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diaphragm
pressure sensor
piezoelectric element
pressure
distortion
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Shigenori Yamauchi
重徳 山内
Noboru Endo
昇 遠藤
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Denso Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 圧力印加により変形可能なダイヤフラムの歪
みに基づいて電気信号を出力するようにした圧力センサ
において、ダイヤフラム自身の異常を検出可能とする。 【解決手段】 圧力センサ100は、ダイヤフラム1a
を強制的に歪ませる歪み付与部材としての圧電素子3を
備え、この圧電素子3に電圧を印加してダイヤフラム1
aを歪ませることにより、歪みゲージ1bからの出力を
診断するようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧力印加により変
形可能なダイヤフラムの歪みに基づいて電気信号を出力
するようにした圧力センサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、この種の圧力センサは、例え
ば、印加圧力によるダイヤフラムの歪みを、該ダイヤフ
ラムに設けられた検出部としての歪みゲージによって該
歪みに基づいた電気信号として出力し、圧力を検出する
ようにしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
圧力センサにおいては、一般に検出回路側をチェックす
ることにより、自己診断(故障診断)を行うようにして
いるため、ダイヤフラム自身の特性に異常が発生したよ
うな場合、その異常を検出できないという問題がある。
【0004】本発明は上記問題に鑑み、圧力印加により
変形可能なダイヤフラムの歪みに基づいて電気信号を出
力するようにした圧力センサにおいて、ダイヤフラム自
身の異常を検出可能とすることを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1記載の発明では、圧力が印加されることに
より変形可能なダイヤフラム(1a)と、このダイヤフ
ラムの歪みに基づいて電気信号を出力する検出部(1
b)とを備える圧力センサにおいて、ダイヤフラムを強
制的に歪ませる歪み付与部材(3)を備え、この歪み付
与部材によってダイヤフラムを歪ませることにより、検
出部からの出力を診断するようにしたことを特徴として
いる。
【0006】本発明によれば、歪み付与部材によってダ
イヤフラムを歪ませることができ、そのときの歪みに基
づいて検出部からの出力を診断するようにしているた
め、ダイヤフラム自身の異常を検出することができる。
【0007】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図1に本発明の実施形態に係る圧力
センサ100の概略断面構成を示す。圧力センサ100
は、シリコン基板等よりなるセンサチップ1と、このセ
ンサチップ1を支持するガラス等よりなる台座2と、歪
み付与部材としての圧電素子3とを備えている。
【0009】センサチップ1は、エッチング等により形
成されたダイヤフラム(図中の薄肉部)1aと、ダイヤ
フラム1aの表面に例えば不純物の拡散等により形成さ
れた歪みゲージ(検出部)1bとを備えている。この歪
みゲージ1bは、例えばブリッジ回路を構成することに
より、ダイヤフラム1aの圧力印加による変形に基づい
て、電気信号を出力するようになっている。
【0010】また、センサチップ1は、台座2に接着剤
や陽極接合等により固定されてダイヤフラム1aの裏面
の空間が真空となっており、この真空の空間が基準圧力
室1cとして構成されている。そして、ダイヤフラム1
a表面に圧力が印加されると、ダイヤフラム1aととも
に歪みゲージ1bが歪む。この歪みに基づく歪みゲージ
1bからの電気信号は、図示しない検出回路へ出力さ
れ、印加圧力の値として検出されるようになっている。
【0011】また、圧電素子3は、図示例では略柱状を
なす圧電材料(チタン酸ジルコン鉛等)よりなり、セン
サチップ1に接着固定されたシリコン等よりなる支持部
4に支持されている。圧電素子3の一端は支持部4に接
着固定され、圧電素子3の他端はダイヤフラム1aの表
面に接触している。そして、圧電素子3は圧電素子駆動
回路5によって、電圧印加されると、膨張し、ダイヤフ
ラム1aを押して強制的に歪ませることができるように
なっている。
【0012】かかる圧力センサ100においては、通常
時は、外部からの圧力がダイヤフラム1aに印加されて
歪み、この歪み量に応じた歪みゲージ1bからの出力
が、上記検出回路によって、印加された圧力の値として
検出される。一方、自己診断は、製品の出荷時や使用直
前において、次のようにして行う。
【0013】まず、圧電素子駆動回路5によって圧電素
子3に電圧を印加する。すると、圧電素子3は膨張し、
その他端にてダイヤフラム1aを押して強制的に歪ませ
る。このときのダイヤフラム1aの歪みに基づく電気信
号が歪みゲージ1bから出力され、上記検出回路によっ
て圧電素子3の圧力として検出される。そして、この値
が所定の値であれば、ダイヤフラム1aは異常なしと診
断され、圧電素子3への電圧印加を解除し、自己診断を
終了する。
【0014】以上のように、本実施形態によれば、圧電
素子(歪み付与部材)3によってダイヤフラム1aを強
制的に歪ませることができ、そのときの歪みに基づいて
歪みゲージ(検出部)1bからの出力を診断するように
しているため、ダイヤフラム1a自身の異常を検出する
ことができる。
【0015】なお、歪み付与部材は、圧電素子以外でも
よい。また、可能ならば、圧電素子3は、周知のIC製
造手法(CVDやスパッタ等)を用いて、ダイヤフラム
1aの表面に圧電材料を形成したものでも良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る圧力センサの概略断面
図である。
【符号の説明】
1a…ダイヤフラム、1b…歪みゲージ、3…圧電素
子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧力が印加されることにより変形可能な
    ダイヤフラム(1a)と、 このダイヤフラムの歪みに基づいて電気信号を出力する
    検出部(1b)とを備える圧力センサにおいて、 前記ダイヤフラムを強制的に歪ませる歪み付与部材
    (3)を備え、 この歪み付与部材によって前記ダイヤフラムを歪ませる
    ことにより、前記検出部からの出力を診断するようにし
    たことを特徴とする圧力センサ。
JP2000169158A 2000-06-06 2000-06-06 圧力センサ Withdrawn JP2001349797A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008076183A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 Denso Corp 流量計測素子、質量流量計、及び質量流量計測システム
WO2011010571A1 (ja) 2009-07-24 2011-01-27 ローム株式会社 半導体圧力センサ、圧力センサ装置、電子機器、および半導体圧力センサの製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008076183A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 Denso Corp 流量計測素子、質量流量計、及び質量流量計測システム
WO2011010571A1 (ja) 2009-07-24 2011-01-27 ローム株式会社 半導体圧力センサ、圧力センサ装置、電子機器、および半導体圧力センサの製造方法
CN102472678A (zh) * 2009-07-24 2012-05-23 罗姆股份有限公司 半导体压力传感器、压力传感器装置、电子设备以及半导体压力传感器的制造方法
CN102472678B (zh) * 2009-07-24 2014-04-23 罗姆股份有限公司 半导体压力传感器、压力传感器装置、电子设备以及半导体压力传感器的制造方法
KR101408578B1 (ko) 2009-07-24 2014-06-17 로무 가부시키가이샤 반도체 압력 센서, 압력 센서 장치, 전자 기기 및 반도체 압력 센서의 제조 방법
US8770035B2 (en) 2009-07-24 2014-07-08 Rohm Co., Ltd. Semiconductor pressure sensor, pressure sensor apparatus, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor pressure sensor
JP5696045B2 (ja) * 2009-07-24 2015-04-08 ローム株式会社 半導体圧力センサ
US9568385B2 (en) 2009-07-24 2017-02-14 Rohm Co., Ltd. Semiconductor pressure sensor, pressure sensor apparatus, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor pressure sensor

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