JP3019549B2 - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
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- Japan
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- circuit
- bridge circuit
- resistor
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- acceleration sensor
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- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
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- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、自己診断回路を備え
たピエゾ抵抗式半導体加速度センサの構成に関する。
たピエゾ抵抗式半導体加速度センサの構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】自己診断回路を備えた半導体加速度セン
サとして、例えば「ＴＯＹＯＴＡ ＡＩＲ ＢＡＧ Ｓ
ＥＮＳＯＲ」（Ｍ．Ｍｕｔｏｈ ｅｔ ａｌ、ＩＳＡＴ
Ａ ９１１２７０号 第９５頁、１９９１年）に開示さ
れたようなものがある。この半導体加速度センサは、図
５に示すように、肉薄の片持ち梁６が半導体基体の固定
部７から延びており、その先端側には質量部８が接続さ
れていて、基体主面に垂直な方向の加速度が加わると、
片持ち梁６の表面に歪みが生じ応力が発生するようにな
っている。片持ち梁６上にはピエゾ抵抗ブリッジ回路１
が形成されている。すなわちピエゾ抵抗は、例えば（１
００）シリコン基体の＜１１０＞方向に形成された梁６
上に、梁と平行に２本、垂直に２本形成されていて、応
力に対して２つの出力端子の電圧変化が逆の極性になる
ようになっている。
サとして、例えば「ＴＯＹＯＴＡ ＡＩＲ ＢＡＧ Ｓ
ＥＮＳＯＲ」（Ｍ．Ｍｕｔｏｈ ｅｔ ａｌ、ＩＳＡＴ
Ａ ９１１２７０号 第９５頁、１９９１年）に開示さ
れたようなものがある。この半導体加速度センサは、図
５に示すように、肉薄の片持ち梁６が半導体基体の固定
部７から延びており、その先端側には質量部８が接続さ
れていて、基体主面に垂直な方向の加速度が加わると、
片持ち梁６の表面に歪みが生じ応力が発生するようにな
っている。片持ち梁６上にはピエゾ抵抗ブリッジ回路１
が形成されている。すなわちピエゾ抵抗は、例えば（１
００）シリコン基体の＜１１０＞方向に形成された梁６
上に、梁と平行に２本、垂直に２本形成されていて、応
力に対して２つの出力端子の電圧変化が逆の極性になる
ようになっている。
【０００３】このピエゾ抵抗ブリッジ回路１を用いた検
知および自己診断の回路は、図６のようになっており、
２はピエゾ抵抗ブリッジ回路１を駆動するための電流源
回路、３はピエゾ抵抗ブリッジ回路１の出力を増幅する
ための増幅器、４はピエゾ抵抗ブリッジ回路の出力にオ
フセットを与えるための微少電流源、５は微少電流源４
をピエゾ抵抗ブリッジ回路１の片側の出力に接続するた
めのスイッチである。増幅器３や電流源回路２、微少電
流源４など周辺回路は、図５の半導体基体の固定部７に
設けられた領域９に形成される。
知および自己診断の回路は、図６のようになっており、
２はピエゾ抵抗ブリッジ回路１を駆動するための電流源
回路、３はピエゾ抵抗ブリッジ回路１の出力を増幅する
ための増幅器、４はピエゾ抵抗ブリッジ回路の出力にオ
フセットを与えるための微少電流源、５は微少電流源４
をピエゾ抵抗ブリッジ回路１の片側の出力に接続するた
めのスイッチである。増幅器３や電流源回路２、微少電
流源４など周辺回路は、図５の半導体基体の固定部７に
設けられた領域９に形成される。
【０００４】半導体加速度センサ外部の制御システムか
ら診断信号が入力されると、スイッチ５がオンされ、微
少電流源４がピエゾ抵抗ブリッジ回路１に接続される。
これによりピエゾ抵抗ブリッジ回路１が擬似的に出力を
生じる形になるので、自己診断が可能となる。
ら診断信号が入力されると、スイッチ５がオンされ、微
少電流源４がピエゾ抵抗ブリッジ回路１に接続される。
これによりピエゾ抵抗ブリッジ回路１が擬似的に出力を
生じる形になるので、自己診断が可能となる。
【０００５】他の例としてはまた、「Ａｃｃｅｌｅｒｏ
ｍｅｔｅｒ Ｓｙｓｔｅｍｓ ｗｉｔｈ Ｓｅｌｆ−ｔ
ｅｓｔａｂｌｅ Ｆｅａｔｕｒｅｓ」（ＨＥＮＲＹ
Ｖ．ＡＬＬＥＮ，ＳＴＥＰＨＥＮ Ｃ．ＴＥＲＲＹ ａ
ｎｄ ＤＩＥＤＥＲＩＫ Ｗ．ＤＥ ＢＲＵＩＮ， Ｓ
ｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ、 Ｖｏ
ｌ．２０、 第１５３〜１６１頁、１９８９年）に開示
された両持ち梁式の半導体加速度センサもある。
ｍｅｔｅｒ Ｓｙｓｔｅｍｓ ｗｉｔｈ Ｓｅｌｆ−ｔ
ｅｓｔａｂｌｅ Ｆｅａｔｕｒｅｓ」（ＨＥＮＲＹ
Ｖ．ＡＬＬＥＮ，ＳＴＥＰＨＥＮ Ｃ．ＴＥＲＲＹ ａ
ｎｄ ＤＩＥＤＥＲＩＫ Ｗ．ＤＥ ＢＲＵＩＮ， Ｓ
ｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ、 Ｖｏ
ｌ．２０、 第１５３〜１６１頁、１９８９年）に開示
された両持ち梁式の半導体加速度センサもある。
【０００６】これを図７に示すと、中央の質量部１２を
挟むようにシリコン基体１０を裏面からエッチングして
複数の肉薄の梁１１が形成されていて、質量部１２を両
側から支持している。このシリコン基体１０の上下両面
には、それぞれストッパ基板１３、１４が接着されてい
る。ストッパ基板１３、１４の材料はシリコン或いはガ
ラスで、凹部１６、１７を形成して質量部１２が加速度
に応じて上下に変位可能な空間をつくっている。さらに
質量部１２と対向する部分には質量部の変位を所定限度
に制限するように、突起部１８、１９が形成されてい
る。
挟むようにシリコン基体１０を裏面からエッチングして
複数の肉薄の梁１１が形成されていて、質量部１２を両
側から支持している。このシリコン基体１０の上下両面
には、それぞれストッパ基板１３、１４が接着されてい
る。ストッパ基板１３、１４の材料はシリコン或いはガ
ラスで、凹部１６、１７を形成して質量部１２が加速度
に応じて上下に変位可能な空間をつくっている。さらに
質量部１２と対向する部分には質量部の変位を所定限度
に制限するように、突起部１８、１９が形成されてい
る。
【０００７】梁１１の表面にはブリッジ回路を構成する
ピエゾ抵抗１５が形成されていて、加速度により質量部
１２が変位し梁１１に応力が生じると、その抵抗値が変
化し加速度を検出できるようになっている。
ピエゾ抵抗１５が形成されていて、加速度により質量部
１２が変位し梁１１に応力が生じると、その抵抗値が変
化し加速度を検出できるようになっている。
【０００８】この加速度センサでは、過大な加速度が加
わると質量部１２は突起部１８、１９に当接するまでは
変位するが、そこで制限されて、梁に過大応力による破
損が生じないようになっている。両持ち梁構造での通常
作動における変位量は応力の割りに小さく、この突起部
までのギャップは微少で、通常数μｍのレベルである。
わると質量部１２は突起部１８、１９に当接するまでは
変位するが、そこで制限されて、梁に過大応力による破
損が生じないようになっている。両持ち梁構造での通常
作動における変位量は応力の割りに小さく、この突起部
までのギャップは微少で、通常数μｍのレベルである。
【０００９】質量部１２上には上側ストッパ基板の突起
部１８と対向して金属電極２０が形成されている。外部
から金属電極２０とストッパ基板１３の間に電圧が印加
されると、静電力により質量部１２が上方に変位し、加
速度が加わった状態を擬似的に作ることができる。これ
によりセンサの各部の機能を確認する自己診断を行うこ
とが可能となる。なお、図中２１はボンディング・パッ
ドである。その他のシリコン基体１０の表面酸化膜．配
線電極等は簡単のため省略した。
部１８と対向して金属電極２０が形成されている。外部
から金属電極２０とストッパ基板１３の間に電圧が印加
されると、静電力により質量部１２が上方に変位し、加
速度が加わった状態を擬似的に作ることができる。これ
によりセンサの各部の機能を確認する自己診断を行うこ
とが可能となる。なお、図中２１はボンディング・パッ
ドである。その他のシリコン基体１０の表面酸化膜．配
線電極等は簡単のため省略した。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体加速度センサのうち、自己診断回路として、
ピエゾ抵抗ブリッジ回路の片側の出力端子にスイッチを
介して微少電流源を接続する構成のものでは、この微少
電流源の値は、例えばピエゾ抵抗５ＫΩ、ブリッジ印加
電圧３Ｖ、フル・レンジのピエゾ抵抗の変化率を０．１
％、診断出力をフルレンジの１０％とすると、３０ｎＡ
となり、極めて小さな値にする必要がある。
来の半導体加速度センサのうち、自己診断回路として、
ピエゾ抵抗ブリッジ回路の片側の出力端子にスイッチを
介して微少電流源を接続する構成のものでは、この微少
電流源の値は、例えばピエゾ抵抗５ＫΩ、ブリッジ印加
電圧３Ｖ、フル・レンジのピエゾ抵抗の変化率を０．１
％、診断出力をフルレンジの１０％とすると、３０ｎＡ
となり、極めて小さな値にする必要がある。
【００１１】このような微少な電流源を実現するために
は、大きな値の抵抗と、電流を絞っていくための多段の
カレント・ミラーが必要となる。このため、微少電流源
を実現するための回路構成が複雑となり、かつ大きな面
積を占有することになるという問題があった。
は、大きな値の抵抗と、電流を絞っていくための多段の
カレント・ミラーが必要となる。このため、微少電流源
を実現するための回路構成が複雑となり、かつ大きな面
積を占有することになるという問題があった。
【００１２】また、数μｍという狭いギャップを挟ん
で、静電力により質量部を変位させて出力をチェックす
る方式のものでは、ギャップの管理が難かしく、製造工
程も複雑である。また静電力を用いるという特殊性か
ら、サンドウィッチ構造以外の通常の加速度センサには
適用できないという問題があった。
で、静電力により質量部を変位させて出力をチェックす
る方式のものでは、ギャップの管理が難かしく、製造工
程も複雑である。また静電力を用いるという特殊性か
ら、サンドウィッチ構造以外の通常の加速度センサには
適用できないという問題があった。
【００１３】したがってこの発明は、上記のような従来
の問題点に着目し、自己診断のために特別の駆動電源を
設ける必要がなく、また機械構造的に精度を必要としな
い自己診断回路を備えた半導体加速度センサを提供する
ことを目的とする。
の問題点に着目し、自己診断のために特別の駆動電源を
設ける必要がなく、また機械構造的に精度を必要としな
い自己診断回路を備えた半導体加速度センサを提供する
ことを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】このため本発明は、半導
体基体が固定部と質量部とこれら固定部と質量部とを接
続する薄肉の梁とに区分けされ、前記梁上にピエゾ抵抗
を有し、前記質量部の変位による前記ピエゾ抵抗の抵抗
値変化をブリッジ回路で検出する半導体加速度センサに
おいて、前記ブリッジ回路の出力端子の一端に設けられ
た診断抵抗と、診断信号を受けて前記ブリッジ回路の出
力端子と接地との間を前記診断抵抗を介して接続するス
イッチを有する自己診断回路を備え、前記診断抵抗が前
記半導体基体上に形成された薄膜抵抗で構成されるもの
とした。
体基体が固定部と質量部とこれら固定部と質量部とを接
続する薄肉の梁とに区分けされ、前記梁上にピエゾ抵抗
を有し、前記質量部の変位による前記ピエゾ抵抗の抵抗
値変化をブリッジ回路で検出する半導体加速度センサに
おいて、前記ブリッジ回路の出力端子の一端に設けられ
た診断抵抗と、診断信号を受けて前記ブリッジ回路の出
力端子と接地との間を前記診断抵抗を介して接続するス
イッチを有する自己診断回路を備え、前記診断抵抗が前
記半導体基体上に形成された薄膜抵抗で構成されるもの
とした。
【００１５】
【作用】スイッチがオフしているとき、加速度を受けて
質量部が変位すると、梁に歪み応力が生じて、ピエゾ抵
抗ブリッジ回路が歪み応力に対応したオフセットを生
じ、このオフセットを基に加速度信号が出力される。診
断信号によりスイッチがオンすると診断抵抗が接続され
る。これによりピエゾ抵抗ブリッジ回路の抵抗値が変化
し、擬似的に出力を生じる形になるので自己診断が可能
となる。
質量部が変位すると、梁に歪み応力が生じて、ピエゾ抵
抗ブリッジ回路が歪み応力に対応したオフセットを生
じ、このオフセットを基に加速度信号が出力される。診
断信号によりスイッチがオンすると診断抵抗が接続され
る。これによりピエゾ抵抗ブリッジ回路の抵抗値が変化
し、擬似的に出力を生じる形になるので自己診断が可能
となる。
【００１６】
【実施例】図１は本発明の実施例を示す。ピエゾ抵抗ブ
リッジ回路２６にはその駆動回路としての電流源回路３
２が接続され、ピエゾ抵抗ブリッジ回路２６の出力端子
Ｐ１、Ｐ２は増幅器３３に接続されている。出力端子Ｐ
１には診断抵抗２８の一端が接続されており、診断抵抗
２８の他端は、スイッチ３４により接地される。このス
イッチ３４は診断信号を受けてオンするもので、例えば
トランジスタスイッチとすることができる。
リッジ回路２６にはその駆動回路としての電流源回路３
２が接続され、ピエゾ抵抗ブリッジ回路２６の出力端子
Ｐ１、Ｐ２は増幅器３３に接続されている。出力端子Ｐ
１には診断抵抗２８の一端が接続されており、診断抵抗
２８の他端は、スイッチ３４により接地される。このス
イッチ３４は診断信号を受けてオンするもので、例えば
トランジスタスイッチとすることができる。
【００１７】回路の主要素は、半導体基体上に図２およ
び図３に示すようにレイアウトされる。半導体基体は固
定部２２と質量部２４とこれら両者を接続するように裏
面よりエッチングして形成された薄肉の梁２３に別れて
おり、２５は質量部２４および梁２３を取り囲むように
形成された略Ｕ字形の溝で、表面側からのエッチングあ
るいは、予めＰ形層を形成しておいて、裏面からのエレ
クトロ・ケミカル・エッチングで梁２３部形成と同時に
エッチすることにより実現される。
び図３に示すようにレイアウトされる。半導体基体は固
定部２２と質量部２４とこれら両者を接続するように裏
面よりエッチングして形成された薄肉の梁２３に別れて
おり、２５は質量部２４および梁２３を取り囲むように
形成された略Ｕ字形の溝で、表面側からのエッチングあ
るいは、予めＰ形層を形成しておいて、裏面からのエレ
クトロ・ケミカル・エッチングで梁２３部形成と同時に
エッチすることにより実現される。
【００１８】ピエゾ抵抗ブリッジ回路２６は梁２３上に
形成され、梁２３の長さ方向と平行なブリッジ抵抗２
本、これに垂直な２本が正方形の形に配置されて、フル
ブリッジを構成している。増幅器３３や電流源回路３２
など周辺回路は固定部２２に周辺回路部２７として配置
されている。なお、ブリッジ回路２６はすべての抵抗が
梁２３の面上に形成される必要はなく、一部を固定部２
２に設けるなど各種変形例が考えられる。
形成され、梁２３の長さ方向と平行なブリッジ抵抗２
本、これに垂直な２本が正方形の形に配置されて、フル
ブリッジを構成している。増幅器３３や電流源回路３２
など周辺回路は固定部２２に周辺回路部２７として配置
されている。なお、ブリッジ回路２６はすべての抵抗が
梁２３の面上に形成される必要はなく、一部を固定部２
２に設けるなど各種変形例が考えられる。
【００１９】診断抵抗２８が半導体基体の固定部２２上
に形成された周辺回路部２７に重ねて、薄膜プロセスに
よって同一基体上に形成されている。２９は台座で質量
部２４の上下方向の変位が可能となるように凹部３０が
形成されている。３１は絶縁酸化膜である。
に形成された周辺回路部２７に重ねて、薄膜プロセスに
よって同一基体上に形成されている。２９は台座で質量
部２４の上下方向の変位が可能となるように凹部３０が
形成されている。３１は絶縁酸化膜である。
【００２０】この構成における作用を説明すると、通常
はスイッチ３４はオフしていて、ピエゾ抵抗ブリッジ回
路２６は、加速度を受けたときに、ブリッジ回路が形成
されている梁２３に生じる歪み応力に対応したオフセッ
トを生じ、このオフセットが増幅器３３で増幅されて、
加速度信号等の出力を出すようになっている。
はスイッチ３４はオフしていて、ピエゾ抵抗ブリッジ回
路２６は、加速度を受けたときに、ブリッジ回路が形成
されている梁２３に生じる歪み応力に対応したオフセッ
トを生じ、このオフセットが増幅器３３で増幅されて、
加速度信号等の出力を出すようになっている。
【００２１】図示しない外部の制御システムから診断信
号が入ると、スイッチ３４がオンとなり、診断抵抗２８
が接地される。これによりピエゾ抵抗ブリッジ回路２６
の抵抗値が変化し擬似的に出力を生じる形になるので自
己診断が可能となる。
号が入ると、スイッチ３４がオンとなり、診断抵抗２８
が接地される。これによりピエゾ抵抗ブリッジ回路２６
の抵抗値が変化し擬似的に出力を生じる形になるので自
己診断が可能となる。
【００２２】診断抵抗２８の値としては、例えば応力に
よるピエゾ抵抗の変化率を０．１％、診断出力をフルレ
ンジの１０％とすると、診断抵抗２８をブリッジ回路２
６に接続した際の抵抗値の変化が１０-4程度になるよう
に設定される。したがって診断抵抗２８の値はピエゾ抵
抗のおよそ１０4倍となるので、ピエゾ抵抗を５ｋΩと
仮定すれば、診断抵抗２８は５０ＭΩ程度となる。
よるピエゾ抵抗の変化率を０．１％、診断出力をフルレ
ンジの１０％とすると、診断抵抗２８をブリッジ回路２
６に接続した際の抵抗値の変化が１０-4程度になるよう
に設定される。したがって診断抵抗２８の値はピエゾ抵
抗のおよそ１０4倍となるので、ピエゾ抵抗を５ｋΩと
仮定すれば、診断抵抗２８は５０ＭΩ程度となる。
【００２３】このような高抵抗は通常の拡散抵抗では実
現が難しいが、ポリシリコン薄膜抵抗とすることによ
り、容易に基体の酸化膜上に形成できる。診断抵抗２８
はこのように設定された抵抗値を得るため、固定部２２
上で複数回折り返されて所定の長さを得ている。あるい
はまた図４に示すように、薄膜抵抗を半導体基体の外周
縁にそって延ばして診断抵抗２８’とすることもでき
る。
現が難しいが、ポリシリコン薄膜抵抗とすることによ
り、容易に基体の酸化膜上に形成できる。診断抵抗２８
はこのように設定された抵抗値を得るため、固定部２２
上で複数回折り返されて所定の長さを得ている。あるい
はまた図４に示すように、薄膜抵抗を半導体基体の外周
縁にそって延ばして診断抵抗２８’とすることもでき
る。
【００２４】以上のように、この構成によればオンチッ
プで自己診断回路をつくり込むことができ、しかもその
設計の自由度が大きい。なお、図示の実施例では片持ち
梁について説明したが、これに限定されることなく、両
持ち梁方式や４方向支持の半導体加速度センサにおいて
も適用でき、同じ効果が得られる。また、スイッチ３４
は出力端子Ｐ１と診断抵抗２８の間に設けるようにして
もよい。
プで自己診断回路をつくり込むことができ、しかもその
設計の自由度が大きい。なお、図示の実施例では片持ち
梁について説明したが、これに限定されることなく、両
持ち梁方式や４方向支持の半導体加速度センサにおいて
も適用でき、同じ効果が得られる。また、スイッチ３４
は出力端子Ｐ１と診断抵抗２８の間に設けるようにして
もよい。
【００２５】
【発明の効果】以上のとおり、この発明は、スイッチに
より加速度センサのブリッジ回路に診断抵抗を接続する
ようにして自己診断回路を形成し、診断抵抗を薄膜抵抗
としたから、従来の微少電流源方式と比較して、複雑な
電流源回路を省略でき、通常のプロセスによって容易に
自己診断回路のオン・チップ化された半導体加速度セン
サが得られる。また静電力方式に比較して、ギャップの
管理を必要とせず、製造の困難性も伴なわない。
より加速度センサのブリッジ回路に診断抵抗を接続する
ようにして自己診断回路を形成し、診断抵抗を薄膜抵抗
としたから、従来の微少電流源方式と比較して、複雑な
電流源回路を省略でき、通常のプロセスによって容易に
自己診断回路のオン・チップ化された半導体加速度セン
サが得られる。また静電力方式に比較して、ギャップの
管理を必要とせず、製造の困難性も伴なわない。
【図１】本発明の実施例を示す回路図である。
【図２】実施例の半導体基体上のレイアウトを示す図で
ある。
ある。
【図３】図２のＡ−Ａ部断面図である。
【図４】他のレイアウト例を示す図である。
【図５】従来例を示す図である。
【図６】従来例における回路を示す図である。
【図７】他の従来例を示す図である。
１ ピエゾ抵抗ブリッジ回路 ２ 電流源回路 ３ 増幅器 ４ 微少電流源 ５ スイッチ ６、１１ 梁 ７ 固定部 ８、１２ 質量部 １０ 半導体基体 １３、１４ ストッパ基板 １５ ピエゾ抵抗 １６、１７ 凹部 １８、１９ 突起部 ２０ 金属電極 ２２ 固定部 ２３ 梁 ２４ 質量部 ２５ 溝 ２６ ピエゾ抵抗ブリッジ回路 ２７ 周辺回路部 ２８、２８’ 診断抵抗 ２９ 台座 ３０ 凹部 ３１ 絶縁酸化膜 ３２ 電流源回路 ３３ 増幅器 ３４ スイッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01P 15/12 G01P 21/00 G01R 17/12 G01R 31/02 H01L 29/84
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基体が固定部と質量部とこれら固
定部と質量部とを接続する薄肉の梁とに区分けされ、前
記梁上にピエゾ抵抗を有し、前記質量部の変位による前
記ピエゾ抵抗の抵抗値変化をブリッジ回路で検出する半
導体加速度センサにおいて、前記ブリッジ回路の出力端
子の一端に設けられた診断抵抗と、診断信号を受けて前
記ブリッジ回路の出力端子と接地との間を前記診断抵抗
を介して接続するスイッチを有する自己診断回路を備
え、前記診断抵抗が前記半導体基体上に形成された薄膜
抵抗で構成されていることを特徴とする半導体加速度セ
ンサ。
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|---|---|---|---|
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| JP3293684A JP3019549B2 (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 半導体加速度センサ |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH05107262A JPH05107262A (ja) | 1993-04-27 |
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|---|---|---|---|
| JP3293684A Expired - Fee Related JP3019549B2 (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 半導体加速度センサ |
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|---|---|
| JP (1) | JP3019549B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1991
- 1991-10-14 JP JP3293684A patent/JP3019549B2/ja not_active Expired - Fee Related
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