JP3093058B2 - 半導体加速度センサ及びその自己診断試験方法 - Google Patents
半導体加速度センサ及びその自己診断試験方法Info
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- JP3093058B2 JP3093058B2 JP04316290A JP31629092A JP3093058B2 JP 3093058 B2 JP3093058 B2 JP 3093058B2 JP 04316290 A JP04316290 A JP 04316290A JP 31629092 A JP31629092 A JP 31629092A JP 3093058 B2 JP3093058 B2 JP 3093058B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車，航空機等の加
速度を検出する自己診断試験機能付き半導体加速度セン
サ及びその自己診断試験方法に関する。
速度を検出する自己診断試験機能付き半導体加速度セン
サ及びその自己診断試験方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、自己診断試験機能（セルフテスト
機能）を有する半導体加速度センサは、特開平３−２０
００３８号公報（Ｇ０１Ｌ ２５／００）等に記載され
ているように、自己診断試験の際、シリコンセンサチッ
プ（半導体ペレット）のセルフテスト電極と、この電極
に数μｍのギャップを介して対向するセルフテスト電極
との間に電圧を印加し、両電極間の静電力によりセンサ
チップの錘部を支持するダイアフラム等の肉薄部を変位
させ、その変位量に対応した肉薄部のピエゾ抵抗のブリ
ッジ出力により動作状態が正常であるか否かを診断する
ものである。
機能）を有する半導体加速度センサは、特開平３−２０
００３８号公報（Ｇ０１Ｌ ２５／００）等に記載され
ているように、自己診断試験の際、シリコンセンサチッ
プ（半導体ペレット）のセルフテスト電極と、この電極
に数μｍのギャップを介して対向するセルフテスト電極
との間に電圧を印加し、両電極間の静電力によりセンサ
チップの錘部を支持するダイアフラム等の肉薄部を変位
させ、その変位量に対応した肉薄部のピエゾ抵抗のブリ
ッジ出力により動作状態が正常であるか否かを診断する
ものである。
【０００３】そして、従来のこの種自己診断試験機能付
きの半導体加速度センサの１例は図７に示すように構成
され、シリコンセンサチップ１は下面（裏面）側のエッ
チングにより、枠状の周縁部２とほぼ中央に位置する平
面形状が四角形の錘部３との間に、この錘部３を支持す
る肉薄部としての厚さ数１０μｍのダイアフラム部４が
形成される。このダイアフラム部４の上面（表面）には
４本のピエゾ抵抗５が拡散形成され、これらの抵抗５は
アルミ配線によりフルブリッジ接続される。
きの半導体加速度センサの１例は図７に示すように構成
され、シリコンセンサチップ１は下面（裏面）側のエッ
チングにより、枠状の周縁部２とほぼ中央に位置する平
面形状が四角形の錘部３との間に、この錘部３を支持す
る肉薄部としての厚さ数１０μｍのダイアフラム部４が
形成される。このダイアフラム部４の上面（表面）には
４本のピエゾ抵抗５が拡散形成され、これらの抵抗５は
アルミ配線によりフルブリッジ接続される。
【０００４】また、ピエゾ抵抗５の形成と同時に錘部３
の上面にチップ側セルフテスト電極６が拡散形成され、
この電極６が形成されたセンサチップ１の上面には二酸
化シリコン（ＳｉＯ2）のパシベーション膜７が一様に
形成される。さらに、加速度による錘部３の変位を規制
してダイヤフラム部４の破損を防止するため、センサチ
ップ１の上，下にシリコン基板等の半導体基板或いはガ
ラス基板により形成された上部ストッパ８，下部ストッ
パ９が接着して設けられ、上部ストッパ８の下面及び下
部ストッパ９の上面のほぼ錘部３の位置にはエッチング
等により数μｍの段差の溝部１０，１１が形成される。
の上面にチップ側セルフテスト電極６が拡散形成され、
この電極６が形成されたセンサチップ１の上面には二酸
化シリコン（ＳｉＯ2）のパシベーション膜７が一様に
形成される。さらに、加速度による錘部３の変位を規制
してダイヤフラム部４の破損を防止するため、センサチ
ップ１の上，下にシリコン基板等の半導体基板或いはガ
ラス基板により形成された上部ストッパ８，下部ストッ
パ９が接着して設けられ、上部ストッパ８の下面及び下
部ストッパ９の上面のほぼ錘部３の位置にはエッチング
等により数μｍの段差の溝部１０，１１が形成される。
【０００５】また、上部ストッパ８の下面にはチップ側
セルフテスト電極６に対向するストッパ側セルフテスト
電極１２が形成される。なお、センサチップ１にはｎ
型，ｐ型のいずれの導電型のシリコン基板も用いること
ができるが、図７の場合、センサチップ１がｎ型のシリ
コン基板で形成され、各ピエゾ抵抗５及びチップ側セル
フテスト電極６はｐ型に形成される。また、図中の１３
はチップ側セルフテスト電極６の電極取出端子であり、
拡散リードにより引出されている。
セルフテスト電極６に対向するストッパ側セルフテスト
電極１２が形成される。なお、センサチップ１にはｎ
型，ｐ型のいずれの導電型のシリコン基板も用いること
ができるが、図７の場合、センサチップ１がｎ型のシリ
コン基板で形成され、各ピエゾ抵抗５及びチップ側セル
フテスト電極６はｐ型に形成される。また、図中の１３
はチップ側セルフテスト電極６の電極取出端子であり、
拡散リードにより引出されている。
【０００６】つぎに、このセンサの加速度の検出につい
て説明する。このセンサに加速度が加わると、その方向
に錘部３が変位し、この変位によりダイアフラム部４が
変形して各ピエゾ抵抗５の抵抗値がピエゾ抵抗効果で変
化する。
て説明する。このセンサに加速度が加わると、その方向
に錘部３が変位し、この変位によりダイアフラム部４が
変形して各ピエゾ抵抗５の抵抗値がピエゾ抵抗効果で変
化する。
【０００７】このとき、各ピエゾ抵抗５のフルブリッジ
回路は外部の直流電源により定電流駆動され、そのブリ
ッジ出力として、加速度に比例したブリッジ出力電圧が
得られ、この電圧から加速度が検出される。なお、図７
は説明を簡単にするため、４本のピエゾ抵抗５のフルブ
リッジ回路により上下方向，すなわち１軸方向の加速度
を検出する場合を示す。
回路は外部の直流電源により定電流駆動され、そのブリ
ッジ出力として、加速度に比例したブリッジ出力電圧が
得られ、この電圧から加速度が検出される。なお、図７
は説明を簡単にするため、４本のピエゾ抵抗５のフルブ
リッジ回路により上下方向，すなわち１軸方向の加速度
を検出する場合を示す。
【０００８】そして、２軸方向，３軸方向の加速度を検
出する場合は前記公報等に記載されているように、検出
軸方向毎にピエゾ抵抗のブリッジ回路を用意する必要が
あり、この場合、例えばダイアフラム部４に多数のピエ
ゾ抵抗が拡散形成される。
出する場合は前記公報等に記載されているように、検出
軸方向毎にピエゾ抵抗のブリッジ回路を用意する必要が
あり、この場合、例えばダイアフラム部４に多数のピエ
ゾ抵抗が拡散形成される。
【０００９】つぎに、自己診断試験について説明する。
自己診断試験する際は、各ピエゾ抵抗５のフルブリッジ
回路を定電流駆動した状態でセルフテスト電極６，１２
間に基準加速度に相当する電圧として例えば数１０Ｖの
直流の試験電圧が印加される。
自己診断試験する際は、各ピエゾ抵抗５のフルブリッジ
回路を定電流駆動した状態でセルフテスト電極６，１２
間に基準加速度に相当する電圧として例えば数１０Ｖの
直流の試験電圧が印加される。
【００１０】このとき、ストッパ側セルフテスト電極１
２が正電位になるように試験電圧が印加されたとする
と、ストッパ側セルフテスト電極１２の表面は正に帯電
して対向するチップ側セルフテスト電極６の表面は負に
帯電し、両電極６，１２間に静電力（クーロン力）によ
る吸引力が作用して錘部３が上方に変位する。
２が正電位になるように試験電圧が印加されたとする
と、ストッパ側セルフテスト電極１２の表面は正に帯電
して対向するチップ側セルフテスト電極６の表面は負に
帯電し、両電極６，１２間に静電力（クーロン力）によ
る吸引力が作用して錘部３が上方に変位する。
【００１１】この結果、変位量に対応したブリッジ出力
が得られ、この出力から検出される加速度と基準加速度
との比較によりセンサの状態が診断される。
が得られ、この出力から検出される加速度と基準加速度
との比較によりセンサの状態が診断される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】前記図７の従来の半導
体加速度センサの場合、自己診断試験の際に、ピエゾ抵
抗のブリッジ出力がセルフテスト電極の電極面積に依存
せず、正しい診断が行えない問題点がある。すなわち、
セルフテスト電極６，１２間の試験電圧に基づく静電力
の理論値は、つぎの数１の式で示される。
体加速度センサの場合、自己診断試験の際に、ピエゾ抵
抗のブリッジ出力がセルフテスト電極の電極面積に依存
せず、正しい診断が行えない問題点がある。すなわち、
セルフテスト電極６，１２間の試験電圧に基づく静電力
の理論値は、つぎの数１の式で示される。
【００１３】
【数１】Ｆ＝εＳＶ2 ／２ｄ2 なお、式中のＦは静電力，εは誘電率，Ｓは電極面積，
Ｖは印加電圧，ｄは電極間隔である。
Ｖは印加電圧，ｄは電極間隔である。
【００１４】そして、数１の式からも明らかなように、
両電極６，１２間の静電力は理論上はその電極面積に依
存することになり、この結果、同じ試験電圧を印加して
もセルフテスト電極６，１２の電極面積に応じてブリッ
ジ出力が異なる。しかし、図７の従来センサの場合、実
際にはセルフテスト電極６，１２の電極面積を変えても
自己診断試験のブリッジ出力がほとんど変化しないこと
が、種々の実験から判明した。
両電極６，１２間の静電力は理論上はその電極面積に依
存することになり、この結果、同じ試験電圧を印加して
もセルフテスト電極６，１２の電極面積に応じてブリッ
ジ出力が異なる。しかし、図７の従来センサの場合、実
際にはセルフテスト電極６，１２の電極面積を変えても
自己診断試験のブリッジ出力がほとんど変化しないこと
が、種々の実験から判明した。
【００１５】これは、例えばストッパ側セルフテスト電
極１２を正電位とする極性にセルフテスト電極６，１２
間に数１０Ｖの試験電圧を印加すると、ストッパ側セル
フテスト電極１２の表面が正に帯電し、このとき、チッ
プ側セルフテスト電極６の表面だけでなくセンサチップ
１全体の表面が負に帯電し、この結果、静電力がセルフ
テスト電極６，１２の電極面積に無関係になるからであ
ると、考えられる。
極１２を正電位とする極性にセルフテスト電極６，１２
間に数１０Ｖの試験電圧を印加すると、ストッパ側セル
フテスト電極１２の表面が正に帯電し、このとき、チッ
プ側セルフテスト電極６の表面だけでなくセンサチップ
１全体の表面が負に帯電し、この結果、静電力がセルフ
テスト電極６，１２の電極面積に無関係になるからであ
ると、考えられる。
【００１６】そして、静電出力がセルフテスト電極６，
１２の電極面積に依存しなくなると、試験電圧に対する
正常時の静電出力及びブリッジ出力の大きさが求まら
ず、正しい診断が行えなくなる。本発明は、シリコンセ
ンサチップの電位を外部設定する電極を設け、自己診断
試験の際のセルフテスト電極間の静電力がその電極面積
に依存するようにして正しい診断が行えるようにした半
導体加速度センサ及びその自己診断試験方法を提供する
ことを目的とする。
１２の電極面積に依存しなくなると、試験電圧に対する
正常時の静電出力及びブリッジ出力の大きさが求まら
ず、正しい診断が行えなくなる。本発明は、シリコンセ
ンサチップの電位を外部設定する電極を設け、自己診断
試験の際のセルフテスト電極間の静電力がその電極面積
に依存するようにして正しい診断が行えるようにした半
導体加速度センサ及びその自己診断試験方法を提供する
ことを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体加速度センサにおいては、シリコ
ンセンサチップにこのチップと同一導電型に拡散形成さ
れた高濃度層と、シリコンセンサチップ上に設けられて
高濃度層にコンタクトし、外部電源に接続されてシリコ
ンセンサチップの電位を設定する電位補正電極を設け
る。また、本発明の半導体加速度センサの自己診断試験
方法においては、シリコンセンサチップにこのチップと
同一導電型の高濃度層を拡散形成し、シリコンセンサチ
ップ上に設けられて高濃度層にコンタクトした電位補正
電極を、ストッパ側セルフテスト電極と同電位に保持す
る。
めに、本発明の半導体加速度センサにおいては、シリコ
ンセンサチップにこのチップと同一導電型に拡散形成さ
れた高濃度層と、シリコンセンサチップ上に設けられて
高濃度層にコンタクトし、外部電源に接続されてシリコ
ンセンサチップの電位を設定する電位補正電極を設け
る。また、本発明の半導体加速度センサの自己診断試験
方法においては、シリコンセンサチップにこのチップと
同一導電型の高濃度層を拡散形成し、シリコンセンサチ
ップ上に設けられて高濃度層にコンタクトした電位補正
電極を、ストッパ側セルフテスト電極と同電位に保持す
る。
【００１８】
【作用】前記のように構成された本発明の半導体加速度
センサの場合、電位補正電極が高濃度層を介してシリコ
ンセンサチップにオーミックコンタクトし、外部電源か
ら与えられた電位補正電極の電位によってセンサチップ
の電位が決まり、センサチップの電位が外部から設定で
きる。
センサの場合、電位補正電極が高濃度層を介してシリコ
ンセンサチップにオーミックコンタクトし、外部電源か
ら与えられた電位補正電極の電位によってセンサチップ
の電位が決まり、センサチップの電位が外部から設定で
きる。
【００１９】さらに、本発明の半導体加速度センサの自
己診断試験方法の場合、電位補正電極がストッパ側セル
フテスト電極の電位に保持されるため、シリコンセンサ
チップはチップ側セルフテスト電極の帯電極性と逆のス
トッパ側セルフテスト電極の帯電極性の電位になる。そ
のため、両セルフテスト電極間の静電力がその電極面積
に依存して数１の理論値に合致し、ピエゾ抵抗のブリッ
ジ出力により正しい診断が行える。
己診断試験方法の場合、電位補正電極がストッパ側セル
フテスト電極の電位に保持されるため、シリコンセンサ
チップはチップ側セルフテスト電極の帯電極性と逆のス
トッパ側セルフテスト電極の帯電極性の電位になる。そ
のため、両セルフテスト電極間の静電力がその電極面積
に依存して数１の理論値に合致し、ピエゾ抵抗のブリッ
ジ出力により正しい診断が行える。
【００２０】
【実施例】実施例について、図１ないし図６を参照して
説明する。 （１実施例） まず、１実施例について、図１ないし図４を参照して説
明する。それらの図面において、図７と同一符号は同一
もしくは相当するものを示し、異なる点はシリコンセン
サチップ１の上面側にこのチップと同一導電型の高濃度
層としてｎ+ 拡散層１４を形成し、この拡散層１４にオ
ーミックコンタクトした電位補正電極１５を設けた点で
ある。なお、図２はシリコンセンサチップ１の平面図で
あり、図３はそのａ−ａ’線の断面図である。
説明する。 （１実施例） まず、１実施例について、図１ないし図４を参照して説
明する。それらの図面において、図７と同一符号は同一
もしくは相当するものを示し、異なる点はシリコンセン
サチップ１の上面側にこのチップと同一導電型の高濃度
層としてｎ+ 拡散層１４を形成し、この拡散層１４にオ
ーミックコンタクトした電位補正電極１５を設けた点で
ある。なお、図２はシリコンセンサチップ１の平面図で
あり、図３はそのａ−ａ’線の断面図である。
【００２１】そして、自己診断試験の際は、図４に示す
ように直流電源１６の正極，負極にチップ側セルフテス
ト電極６，ストッパ側セルフテスト電極１２が接続され
て両セルフテスト電極６，１２間に試験電圧が印加さ
れ、同時に、外部電源としての直流電源１６の正極に電
位補正電極１５が接続されてこの電極１５がストッパ側
セルフテスト電極１２と同じ正電位に保持される。
ように直流電源１６の正極，負極にチップ側セルフテス
ト電極６，ストッパ側セルフテスト電極１２が接続され
て両セルフテスト電極６，１２間に試験電圧が印加さ
れ、同時に、外部電源としての直流電源１６の正極に電
位補正電極１５が接続されてこの電極１５がストッパ側
セルフテスト電極１２と同じ正電位に保持される。
【００２２】このとき、ストッパ側セルフテスト電極１
２の表面が正に帯電してチップ側セルフテスト電極６の
表面は負に帯電するが、電位補正電極１５の正電位が拡
散層１４を通じてセンサチップ１に印加されるため、こ
のチップ１のほぼチップ側セルフテスト電極６を除く表
面部分は正に帯電して正電位に固定される。
２の表面が正に帯電してチップ側セルフテスト電極６の
表面は負に帯電するが、電位補正電極１５の正電位が拡
散層１４を通じてセンサチップ１に印加されるため、こ
のチップ１のほぼチップ側セルフテスト電極６を除く表
面部分は正に帯電して正電位に固定される。
【００２３】そのため、セルフテスト電極６，１２間の
静電力が電極面積に比例して数１の理論上の静電力Ｆと
一致するようになり、各ピエゾ抵抗５のブリッジ出力に
基づき、正しい診断が行える。
静電力が電極面積に比例して数１の理論上の静電力Ｆと
一致するようになり、各ピエゾ抵抗５のブリッジ出力に
基づき、正しい診断が行える。
【００２４】なお、直流電源１６の負極がピエゾ抵抗５
のブリッジ回路のアース側の端部と共にアースされてい
る場合、図７の従来センサであれば、直流電源１６の負
極とチップ側セルフテスト電極６との間が開放されても
センサチップ１の表面が負に帯電して自己診断のブリッ
ジ出力に相当する誤出力が生じるが、本実施例のセンサ
は、電位補正電極１５が直流電源１６の正極に接続され
ている限りセンサチップ１が正電位に保持されるため、
直流電源１６の負極とチップ側セルフテスト電極６との
間が開放されたときに前記の誤出力が生じることもな
い。
のブリッジ回路のアース側の端部と共にアースされてい
る場合、図７の従来センサであれば、直流電源１６の負
極とチップ側セルフテスト電極６との間が開放されても
センサチップ１の表面が負に帯電して自己診断のブリッ
ジ出力に相当する誤出力が生じるが、本実施例のセンサ
は、電位補正電極１５が直流電源１６の正極に接続され
ている限りセンサチップ１が正電位に保持されるため、
直流電源１６の負極とチップ側セルフテスト電極６との
間が開放されたときに前記の誤出力が生じることもな
い。
【００２５】（他の実施例）つぎに、他の実施例につい
て、図５及び図６を参照して説明する。それらの図面に
おいて、図１ないし図４と同一符号は同一もしくは相当
するものを示し、１実施例と異なる点は、センサチップ
１の錘部３を支持する肉薄部がシングル・カンチレバー
部１７により形成され、このカンチレバー部１７の表面
に拡散形成された２個のピエゾ抵抗５をハーフブリッジ
接続してブリッジ出力を得るようにした点である。
て、図５及び図６を参照して説明する。それらの図面に
おいて、図１ないし図４と同一符号は同一もしくは相当
するものを示し、１実施例と異なる点は、センサチップ
１の錘部３を支持する肉薄部がシングル・カンチレバー
部１７により形成され、このカンチレバー部１７の表面
に拡散形成された２個のピエゾ抵抗５をハーフブリッジ
接続してブリッジ出力を得るようにした点である。
【００２６】そして、この実施例の場合もセンサチップ
１の上面側の一部にセンサチップ１と同一導電型の高濃
度層としてｎ+ 拡散層１４が形成され、この層１４の上
部にオーミックコンタクトした電位補正電極１５が設け
られる。そのため、自己診断試験の際には、電位補正電
極１５をストッパ側セルフテスト電極１２と同電位に保
持することにより、１実施例と同様の効果が得られる。
１の上面側の一部にセンサチップ１と同一導電型の高濃
度層としてｎ+ 拡散層１４が形成され、この層１４の上
部にオーミックコンタクトした電位補正電極１５が設け
られる。そのため、自己診断試験の際には、電位補正電
極１５をストッパ側セルフテスト電極１２と同電位に保
持することにより、１実施例と同様の効果が得られる。
【００２７】そして、シリコンセンサチップに肉薄部と
してダブル・カンチレバー部等を形成した場合にも適用
することができるのは勿論である。また、シリコンセン
サチップがｐ型のシリコン基板で形成された場合に適用
できるのも勿論である。
してダブル・カンチレバー部等を形成した場合にも適用
することができるのは勿論である。また、シリコンセン
サチップがｐ型のシリコン基板で形成された場合に適用
できるのも勿論である。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているため、以下に記載する効果を奏する。まず、請求
項１に記載の半導体加速度センサは、電位補正電極１５
を設けたことにより、この電極１５が高濃度層（拡散層
１４）を介してシリコンセンサチップ１にオーミックコ
ンタクトし、センサチップ１の電位をチップ側セルフテ
スト電極６の帯電電位でなく、外部電源から与えられた
電位補正電極１５の電位によって定めることができ、自
己診断試験の際に、センサチップ１の全体の表面がチッ
プ側セルフテスト電極６の電位になることを防止するこ
とができる。
ているため、以下に記載する効果を奏する。まず、請求
項１に記載の半導体加速度センサは、電位補正電極１５
を設けたことにより、この電極１５が高濃度層（拡散層
１４）を介してシリコンセンサチップ１にオーミックコ
ンタクトし、センサチップ１の電位をチップ側セルフテ
スト電極６の帯電電位でなく、外部電源から与えられた
電位補正電極１５の電位によって定めることができ、自
己診断試験の際に、センサチップ１の全体の表面がチッ
プ側セルフテスト電極６の電位になることを防止するこ
とができる。
【００２９】さらに、請求項２の半導体加速度センサの
自己診断試験方法によると、電位補正電極１５がストッ
パ側セルフテスト電極１２の電位に保持されるため、シ
リコンセンサチップ１をチップ側セルフテスト電極６の
帯電極性と逆のストッパ側セルフテスト電極１２の帯電
極性の電位にすることができ、この結果、両セルフテス
ト電極６，１２間の静電力がその電極面積に依存して数
式から求まる理論値に合致し、ピエゾ抵抗のブリッジ出
力により正しい診断が行える。
自己診断試験方法によると、電位補正電極１５がストッ
パ側セルフテスト電極１２の電位に保持されるため、シ
リコンセンサチップ１をチップ側セルフテスト電極６の
帯電極性と逆のストッパ側セルフテスト電極１２の帯電
極性の電位にすることができ、この結果、両セルフテス
ト電極６，１２間の静電力がその電極面積に依存して数
式から求まる理論値に合致し、ピエゾ抵抗のブリッジ出
力により正しい診断が行える。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のセンサの１実施例の切断正面図であ
る。
る。
【図２】図１のシリコンセンサチップの平面図である。
【図３】図２のａ−ａ’線の断面図である。
【図４】本発明の試験方法の１実施例の一部の結線図で
ある。
ある。
【図５】本発明のセンサの他の実施例の切断正面図であ
る。
る。
【図６】図５のシリコンセンサチップの平面図である。
【図７】従来のセンサの切断正面図である。
１ シリコンセンサチップ ２ 周縁部 ３ 錘部 ４ 肉薄部としてのダイアフラム部 ５ ピエゾ抵抗 ６ チップ側セルフテスト電極 ８ 上部ストッパ ９ 下部ストッパ １２ ストッパ側セルフテスト電極 １４ 高濃度層としてのｎ+ 拡散層 １５ 電位補正電極 １７ 肉薄部としてのシングル・カンチレバー部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 忠 埼玉県羽生市東５丁目４番71号 株式会 社曙ブレーキ中央技術研究所内 (56)参考文献 特開 平３−200038（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−102283（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−77502（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−172846（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−274766（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−209894（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−110977（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01P 15/12 G01P 21/00
Claims (2)
- 【請求項１】 枠状の周縁部と、ほぼ中央に位置した錘
部と、該錘部を支持した肉薄部とからなる一導電型のシ
リコンセンサチップと、 前記シリコンセンサチップの上，下に位置し，前記錘部
の変位を規制する上部ストッパ及び下部ストッパと、 前記錘部の上面に拡散形成されたチップ側セルフテスト
電極と、 前記上部ストッパの下面に形成されたストッパ側セルフ
テスト電極と、 前記肉薄部の上面に拡散形成されたピエゾ抵抗とを有す
る半導体加速度センサにおいて、 前記シリコンセンサチップに該チップと同一導電型に拡
散形成された高濃度層と、 前記シリコンセンサチップ上に設けられて前記高濃度層
にコンタクトし、外部電源に接続されて前記シリコンセ
ンサチップの電位を設定する 電位補正電極とを設けたこ
とを特徴とする半導体加速度センサ。 - 【請求項２】 半導体加速度センサの一導電型のシリコ
ンセンサチップに形成されたチップ側セルフテスト電極
と、上部ストッパに形成されたストッパ側セルフテスト
電極との間に直流の試験電圧を印加し、前記両電極間の
静電力により自己診断試験する半導体加速度センサの自
己診断試験方法において、 前記シリコンセンサチップに該チップと同一導電型の高
濃度層を拡散形成し、 前記自己診断試験の際に、前記シリコンセンサチップ上
に設けられて前記高濃度層 にコンタクトした電位補正電
極を、前記ストッパ側セルフテスト電極と同電位に保持
したことを特徴とする半導体加速度センサの自己診断試
験方法。
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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