JPH11304616A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPH11304616A JPH11304616A JP11375498A JP11375498A JPH11304616A JP H11304616 A JPH11304616 A JP H11304616A JP 11375498 A JP11375498 A JP 11375498A JP 11375498 A JP11375498 A JP 11375498A JP H11304616 A JPH11304616 A JP H11304616A
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- deformation
- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】温度変化に伴うダイヤフラムの変形を抑制する
ことにより、センサ出力のオフセットを低減し、かつ広
い温度範囲で精度よく圧力を検出する。 【解決手段】シリコン基板１は受圧用のダイヤフラム２
ａを備え、ダイヤフラム２ａの変形を検出するピエゾ抵
抗４がダイヤフラム２ａに形成される。シリコン基板１
の一面は保護膜としてのシリコン酸化膜３で覆われ、シ
リコン酸化膜３はシリコン窒化膜６で覆われる。したが
って、シリコン基板１とシリコン酸化膜３との熱膨張率
の相違によりダイヤフラム２ａに生じる応力をシリコン
窒化膜６で抑制することになり、温度変化によるダイヤ
フラム２ａの変形を抑制することができる。
ことにより、センサ出力のオフセットを低減し、かつ広
い温度範囲で精度よく圧力を検出する。 【解決手段】シリコン基板１は受圧用のダイヤフラム２
ａを備え、ダイヤフラム２ａの変形を検出するピエゾ抵
抗４がダイヤフラム２ａに形成される。シリコン基板１
の一面は保護膜としてのシリコン酸化膜３で覆われ、シ
リコン酸化膜３はシリコン窒化膜６で覆われる。したが
って、シリコン基板１とシリコン酸化膜３との熱膨張率
の相違によりダイヤフラム２ａに生じる応力をシリコン
窒化膜６で抑制することになり、温度変化によるダイヤ
フラム２ａの変形を抑制することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板に受圧
部としてのダイヤフラムを形成し、圧力に応じたダイヤ
フラムの変形を歪みセンサで検出する半導体圧力センサ
に関するものである。
部としてのダイヤフラムを形成し、圧力に応じたダイヤ
フラムの変形を歪みセンサで検出する半導体圧力センサ
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、図９に示すように、半導体基
板としてのシリコン基板１にエッチングを施すことによ
り、シリコン基板１の中央部に他の部位よりも薄肉のダ
イヤフラム２ａを形成するとともに周部を支持部２ｂと
し、さらに前記ダイヤフラム２ａに歪みセンサを形成し
た半導体圧力センサが提供されている。歪みセンサは、
ダイヤフラム２ａにおいて支持部２ｂが突出する面とは
反対側の面に拡散層として形成した複数個のピエゾ抵抗
４よりなる。ピエゾ抵抗４は、シリコン基板１に形成し
た拡散層あるいは金属配線を介してワイヤ接続用の電極
バッド８に接続される。この半導体圧力センサは、外部
圧力をダイヤフラム２ａに作用させたときに生じるダイ
ヤフラム２ａの変形を、ピエゾ抵抗４の抵抗値の変化に
変換することにより、圧力変化を電気信号に変換できる
ように構成されている。
板としてのシリコン基板１にエッチングを施すことによ
り、シリコン基板１の中央部に他の部位よりも薄肉のダ
イヤフラム２ａを形成するとともに周部を支持部２ｂと
し、さらに前記ダイヤフラム２ａに歪みセンサを形成し
た半導体圧力センサが提供されている。歪みセンサは、
ダイヤフラム２ａにおいて支持部２ｂが突出する面とは
反対側の面に拡散層として形成した複数個のピエゾ抵抗
４よりなる。ピエゾ抵抗４は、シリコン基板１に形成し
た拡散層あるいは金属配線を介してワイヤ接続用の電極
バッド８に接続される。この半導体圧力センサは、外部
圧力をダイヤフラム２ａに作用させたときに生じるダイ
ヤフラム２ａの変形を、ピエゾ抵抗４の抵抗値の変化に
変換することにより、圧力変化を電気信号に変換できる
ように構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、シリコン基
板１の一面（図９の上面）には保護膜としてシリコン酸
化膜３が必須であり、ダイヤフラム２ａに圧力が作用し
ていない状態でも、周囲温度が変化すると、シリコン基
板１とシリコン酸化膜３との熱膨張率の相違によってダ
イヤフラム２ａが変形することがある。また、一般に、
シリコン基板１は図示しない台座（ガラスが用いられ
る）に接着され、台座とともにパッケージに収納される
ものであるから、台座や接着材料とシリコン基板１との
熱膨張率の相違によってもダイヤフラム２ａが変形する
ことになる。つまり、シリコン酸化膜３を形成する際の
温度やシリコン基板１を台座と接着する際の温度は、一
般に使用温度範囲よりも高いから、膜形成時や接着時に
ダイヤフラム２ａに変形がなくても、使用時にはダイヤ
フラム２ａに変形（湾曲）が生じることになる。その結
果、センサ出力のオフセットが大きくなるという問題が
生じる。また、ダイヤフラム２ａが温度変化によって変
形するから、圧力が印加されていない状態でもセンサ出
力が発生することになり、圧力の検出精度が低いという
問題もある。
板１の一面（図９の上面）には保護膜としてシリコン酸
化膜３が必須であり、ダイヤフラム２ａに圧力が作用し
ていない状態でも、周囲温度が変化すると、シリコン基
板１とシリコン酸化膜３との熱膨張率の相違によってダ
イヤフラム２ａが変形することがある。また、一般に、
シリコン基板１は図示しない台座（ガラスが用いられ
る）に接着され、台座とともにパッケージに収納される
ものであるから、台座や接着材料とシリコン基板１との
熱膨張率の相違によってもダイヤフラム２ａが変形する
ことになる。つまり、シリコン酸化膜３を形成する際の
温度やシリコン基板１を台座と接着する際の温度は、一
般に使用温度範囲よりも高いから、膜形成時や接着時に
ダイヤフラム２ａに変形がなくても、使用時にはダイヤ
フラム２ａに変形（湾曲）が生じることになる。その結
果、センサ出力のオフセットが大きくなるという問題が
生じる。また、ダイヤフラム２ａが温度変化によって変
形するから、圧力が印加されていない状態でもセンサ出
力が発生することになり、圧力の検出精度が低いという
問題もある。
【０００４】本発明は、上記事由に鑑みて為されたもの
であり、その目的は、センサ出力のオフセットを抑制
し、かつ広い温度範囲で精度よく圧力を検出することが
できる半導体圧力センサを提供することにある。
であり、その目的は、センサ出力のオフセットを抑制
し、かつ広い温度範囲で精度よく圧力を検出することが
できる半導体圧力センサを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、受圧
部としてのダイヤフラムが形成された半導体基板と、前
記ダイヤフラムの変形量に応じた出力を発生する歪みセ
ンサと、前記半導体基板とは異なる熱膨張率を有する材
料よりなり温度変化に伴うダイヤフラムの変形を抑制す
るように前記半導体基板の表裏の一面に設けた薄膜とか
ら成るものである。この構成によれば、半導体基板の表
裏の一面に半導体基板とは異なる熱膨張率を有する薄膜
を設け、かつこの薄膜を温度変化に伴うダイヤフラムの
変形が抑制されるように設けているから、圧力の印加さ
れていない状態でのダイヤフラムの変形を抑制すること
ができ、センサ出力のオフセットを抑制することが可能
になるとともに、広い温度範囲にわたって精度よく圧力
を検出することが可能になる。
部としてのダイヤフラムが形成された半導体基板と、前
記ダイヤフラムの変形量に応じた出力を発生する歪みセ
ンサと、前記半導体基板とは異なる熱膨張率を有する材
料よりなり温度変化に伴うダイヤフラムの変形を抑制す
るように前記半導体基板の表裏の一面に設けた薄膜とか
ら成るものである。この構成によれば、半導体基板の表
裏の一面に半導体基板とは異なる熱膨張率を有する薄膜
を設け、かつこの薄膜を温度変化に伴うダイヤフラムの
変形が抑制されるように設けているから、圧力の印加さ
れていない状態でのダイヤフラムの変形を抑制すること
ができ、センサ出力のオフセットを抑制することが可能
になるとともに、広い温度範囲にわたって精度よく圧力
を検出することが可能になる。
【０００６】さらに詳しく説明すると、前記薄膜を形成
するときの温度は使用時の温度範囲よりも高いから、半
導体基板よりも熱膨張率の大きい材料の薄膜を形成すれ
ば、使用時には薄膜を形成した面の反対側にダイヤフラ
ムを押す力を発生させることができる。また、半導体基
板よりも熱膨張率の小さい材料の薄膜を形成すれば薄膜
を形成した面側にダイヤフラムを引張る力を発生させる
ことができる。このように薄膜の熱膨張率を適宜に選択
すればダイヤフラムに所望の力を作用させることがで
き、薄膜が存在しない場合の温度変化に伴うダイヤフラ
ムの変形を抑制するように薄膜を形成しておけば、温度
変化によるセンサ出力の変化が抑制され精度よく圧力を
検出することが可能になる。また同時に出力のオフセッ
トも低減されることになる。
するときの温度は使用時の温度範囲よりも高いから、半
導体基板よりも熱膨張率の大きい材料の薄膜を形成すれ
ば、使用時には薄膜を形成した面の反対側にダイヤフラ
ムを押す力を発生させることができる。また、半導体基
板よりも熱膨張率の小さい材料の薄膜を形成すれば薄膜
を形成した面側にダイヤフラムを引張る力を発生させる
ことができる。このように薄膜の熱膨張率を適宜に選択
すればダイヤフラムに所望の力を作用させることがで
き、薄膜が存在しない場合の温度変化に伴うダイヤフラ
ムの変形を抑制するように薄膜を形成しておけば、温度
変化によるセンサ出力の変化が抑制され精度よく圧力を
検出することが可能になる。また同時に出力のオフセッ
トも低減されることになる。
【０００７】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記薄膜が、半導体基板の片面の一部または両面の
一部に形成されているものである。この構成によれば、
請求項１の発明と同様の作用に加えて、薄膜を形成する
部位に応じてダイヤフラムに作用させる力を制御するこ
とが可能になり、温度変化に伴うダイヤフラムの変形を
より一層抑制することが可能になる。
て、前記薄膜が、半導体基板の片面の一部または両面の
一部に形成されているものである。この構成によれば、
請求項１の発明と同様の作用に加えて、薄膜を形成する
部位に応じてダイヤフラムに作用させる力を制御するこ
とが可能になり、温度変化に伴うダイヤフラムの変形を
より一層抑制することが可能になる。
【０００８】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、前記薄膜が、歪みセンサと電極の間の電路の少なく
とも一部を形成するものである。この構成によれば、請
求項１の発明と同様の作用に加えて、ダイヤフラムの変
形を抑制する薄膜が電路としても兼用されるから、電路
形成のプロセスでダイヤフラムの変形を抑制する薄膜を
同時に形成することが可能になり、薄膜を別途に形成す
る場合に比較すると製造プロセスの簡略化が可能にな
る。
て、前記薄膜が、歪みセンサと電極の間の電路の少なく
とも一部を形成するものである。この構成によれば、請
求項１の発明と同様の作用に加えて、ダイヤフラムの変
形を抑制する薄膜が電路としても兼用されるから、電路
形成のプロセスでダイヤフラムの変形を抑制する薄膜を
同時に形成することが可能になり、薄膜を別途に形成す
る場合に比較すると製造プロセスの簡略化が可能にな
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面に基づき説明する。 （実施形態１）本実施形態は、図１に示すように、図９
に示した従来構成と同様の構成を有するものであるが、
図９の構成における上面に全面にわたってシリコン窒化
膜６を形成した点が相違する。すなわち、シリコン基板
１にダイヤフラム２ａ形成するとともに、ダイヤフラム
２ａに複数個のピエゾ素子４を設け、シリコン基板１に
おいて支持部２ｂが形成されている面と反対側の面（つ
まり図１の上面）に、シリコン酸化膜３を介して金属配
線５を形成してある。また、ピエゾ素子４と金属配線５
とはコンタクト部７を介して接続してある。シリコン窒
化膜６は、シリコン酸化膜３および金属配線５を覆うよ
うに、シリコン基板１の上面全面を覆う形で形成されて
いる。
図面に基づき説明する。 （実施形態１）本実施形態は、図１に示すように、図９
に示した従来構成と同様の構成を有するものであるが、
図９の構成における上面に全面にわたってシリコン窒化
膜６を形成した点が相違する。すなわち、シリコン基板
１にダイヤフラム２ａ形成するとともに、ダイヤフラム
２ａに複数個のピエゾ素子４を設け、シリコン基板１に
おいて支持部２ｂが形成されている面と反対側の面（つ
まり図１の上面）に、シリコン酸化膜３を介して金属配
線５を形成してある。また、ピエゾ素子４と金属配線５
とはコンタクト部７を介して接続してある。シリコン窒
化膜６は、シリコン酸化膜３および金属配線５を覆うよ
うに、シリコン基板１の上面全面を覆う形で形成されて
いる。
【００１０】シリコン酸化膜３はシリコン基板１よりも
熱膨張率が大きいから、シリコン酸化膜３の形成時にダ
イヤフラム２ａに変形がないものとすれば、使用温度範
囲ではシリコン酸化膜３はダイヤフラム２ａに対して押
し下げる力を作用させ、ダイヤフラム２ａは下に凸にな
るように変形しようとする。これに対して、シリコン窒
化膜６はシリコン基板１よりも熱膨張率が小さいから、
使用温度範囲ではシリコン窒化膜６はダイヤフラム２ａ
を引き上げる力を作用させることになり、ダイヤフラム
２ａは上に凸になろうとする。このように、シリコン酸
化膜３とシリコン窒化膜６とからダイヤフラム２ａに作
用する力は互いに逆向きになるから、温度が変化しても
ダイヤフラム２ａはほとんど変形しなくなる。つまり、
センサ出力のオフセットが小さくなり、また温度変化に
伴うセンサ出力の変化も抑制されることになる。
熱膨張率が大きいから、シリコン酸化膜３の形成時にダ
イヤフラム２ａに変形がないものとすれば、使用温度範
囲ではシリコン酸化膜３はダイヤフラム２ａに対して押
し下げる力を作用させ、ダイヤフラム２ａは下に凸にな
るように変形しようとする。これに対して、シリコン窒
化膜６はシリコン基板１よりも熱膨張率が小さいから、
使用温度範囲ではシリコン窒化膜６はダイヤフラム２ａ
を引き上げる力を作用させることになり、ダイヤフラム
２ａは上に凸になろうとする。このように、シリコン酸
化膜３とシリコン窒化膜６とからダイヤフラム２ａに作
用する力は互いに逆向きになるから、温度が変化しても
ダイヤフラム２ａはほとんど変形しなくなる。つまり、
センサ出力のオフセットが小さくなり、また温度変化に
伴うセンサ出力の変化も抑制されることになる。
【００１１】なお、ダイヤフラム２ａの変形を抑制する
薄膜としてシリコン窒化膜６を例示したが、材料を限定
する趣旨ではない。また、ダイヤフラム２ａの変形を抑
制するための薄膜は１層に限らず複数層設けてもよい。 （実施形態２）ところで、台座や接着材料によっては、
使用温度範囲でダイヤフラム２ａが図１の上に凸になる
ように変形する場合もある。本実施形態は、図２に示す
ように、シリコン窒化膜６をシリコン基板１における下
面全面を覆う形で設けることにより、ダイヤフラム２ａ
を下に引張る力を作用させ、結果的にダイヤフラム２ａ
の変形を抑制するものである。他の構成および動作は実
施形態１と同様である。 （実施形態３）上述の各実施形態では、シリコン基板１
の表裏の一面を全面にわたって覆うようにシリコン窒化
膜６を形成した例を示したが、本実施形態では、図３に
斜線部で示すように、シリコン基板１の表裏の一面の一
部にのみシリコン窒化膜６を形成してある。シリコン窒
化膜６は温度変化に伴うダイヤフラム２ａの変形を抑制
できればどこでもよいが、ダイヤフラム２ａ上に形成す
るのが望ましい。
薄膜としてシリコン窒化膜６を例示したが、材料を限定
する趣旨ではない。また、ダイヤフラム２ａの変形を抑
制するための薄膜は１層に限らず複数層設けてもよい。 （実施形態２）ところで、台座や接着材料によっては、
使用温度範囲でダイヤフラム２ａが図１の上に凸になる
ように変形する場合もある。本実施形態は、図２に示す
ように、シリコン窒化膜６をシリコン基板１における下
面全面を覆う形で設けることにより、ダイヤフラム２ａ
を下に引張る力を作用させ、結果的にダイヤフラム２ａ
の変形を抑制するものである。他の構成および動作は実
施形態１と同様である。 （実施形態３）上述の各実施形態では、シリコン基板１
の表裏の一面を全面にわたって覆うようにシリコン窒化
膜６を形成した例を示したが、本実施形態では、図３に
斜線部で示すように、シリコン基板１の表裏の一面の一
部にのみシリコン窒化膜６を形成してある。シリコン窒
化膜６は温度変化に伴うダイヤフラム２ａの変形を抑制
できればどこでもよいが、ダイヤフラム２ａ上に形成す
るのが望ましい。
【００１２】図４に示すようにシリコン窒化膜６を形成
していない場合には、各部に用いる材料の熱膨張率の違
いによって図５に示すようにダイヤフラム２ａが下に凸
になるように変形することがあるが、図３のようにシリ
コン基板１の上面の一部にピエゾ抵抗４を挟む形でシリ
コン窒化膜６を形成すれば、材料の熱膨張率の相違を利
用してダイヤフラム２ａの変形を抑制することが可能に
なる。つまり、ダイヤフラム２ａの変形に伴うピエゾ抵
抗４が長手方向の応力を緩和することができ、ダイヤフ
ラム２ａに圧力を印加しない状態でのセンサ出力のオフ
セットを低減することができる。
していない場合には、各部に用いる材料の熱膨張率の違
いによって図５に示すようにダイヤフラム２ａが下に凸
になるように変形することがあるが、図３のようにシリ
コン基板１の上面の一部にピエゾ抵抗４を挟む形でシリ
コン窒化膜６を形成すれば、材料の熱膨張率の相違を利
用してダイヤフラム２ａの変形を抑制することが可能に
なる。つまり、ダイヤフラム２ａの変形に伴うピエゾ抵
抗４が長手方向の応力を緩和することができ、ダイヤフ
ラム２ａに圧力を印加しない状態でのセンサ出力のオフ
セットを低減することができる。
【００１３】なお、本実施形態においてシリコン基板１
の一面にのみシリコン窒化膜６を形成しているが、必要
に応じてシリコン窒化膜６をシリコン基板１の両面に形
成することも可能である。つまり、シリコン窒化膜６を
シリコン基板１の表裏で適宜の位置に設けておくことに
より、シリコン基板１の各場所ごとの変形を抑制するこ
とができ、結果的にシリコン基板１の全体の変形を抑制
することができるのである。 （実施形態４）本実施形態は、図６に示すように、金属
配線５に連続する形でダイヤフラム２ａの変形を抑制す
る薄膜として斜線部で示す部位にアルミ薄膜９を形成し
ている。この構成では、アルミ薄膜９の少なくとも一部
はピエゾ素子４とワイヤ接続のための電極パッド（図示
せず）との間の電路の一部を形成する。
の一面にのみシリコン窒化膜６を形成しているが、必要
に応じてシリコン窒化膜６をシリコン基板１の両面に形
成することも可能である。つまり、シリコン窒化膜６を
シリコン基板１の表裏で適宜の位置に設けておくことに
より、シリコン基板１の各場所ごとの変形を抑制するこ
とができ、結果的にシリコン基板１の全体の変形を抑制
することができるのである。 （実施形態４）本実施形態は、図６に示すように、金属
配線５に連続する形でダイヤフラム２ａの変形を抑制す
る薄膜として斜線部で示す部位にアルミ薄膜９を形成し
ている。この構成では、アルミ薄膜９の少なくとも一部
はピエゾ素子４とワイヤ接続のための電極パッド（図示
せず）との間の電路の一部を形成する。
【００１４】たとえば、図７のようにアルミ薄膜９を形
成していない場合には、各部に用いる材料の熱膨張率の
違いによって図８のようにダイヤフラム２ａが上に凸に
なるように変形することがあるが、図６のようにシリコ
ン基板１の上面の一部に金属配線５に連続する形でアル
ミ薄膜９を形成しておけば、材料の熱膨張率の相違を利
用してダイヤフラム２ａの変形を抑制することが可能に
なる。つまり、ダイヤフラム２ａの変形に伴うピエゾ抵
抗４が長手方向の応力を緩和することができ、ダイヤフ
ラム２ａに圧力を印加しない状態でのセンサ出力のオフ
セットを低減することができる。
成していない場合には、各部に用いる材料の熱膨張率の
違いによって図８のようにダイヤフラム２ａが上に凸に
なるように変形することがあるが、図６のようにシリコ
ン基板１の上面の一部に金属配線５に連続する形でアル
ミ薄膜９を形成しておけば、材料の熱膨張率の相違を利
用してダイヤフラム２ａの変形を抑制することが可能に
なる。つまり、ダイヤフラム２ａの変形に伴うピエゾ抵
抗４が長手方向の応力を緩和することができ、ダイヤフ
ラム２ａに圧力を印加しない状態でのセンサ出力のオフ
セットを低減することができる。
【００１５】また、アルミ薄膜９はピエゾ抵抗４と電極
パッド（図示せず）との間の電路の一部を兼ねているか
ら、アルミ薄膜９を適宜にトリミングすれば、温度補償
に用いる回路抵抗を形成することができる。しかも、金
属配線５としてアルミを用いているのであれば金属配線
５とアルミ薄膜９とを同じ製造プロセスで形成すること
ができるから、製造コストの低減につながるのである。
他の構成および動作は実施形態１と同様である。
パッド（図示せず）との間の電路の一部を兼ねているか
ら、アルミ薄膜９を適宜にトリミングすれば、温度補償
に用いる回路抵抗を形成することができる。しかも、金
属配線５としてアルミを用いているのであれば金属配線
５とアルミ薄膜９とを同じ製造プロセスで形成すること
ができるから、製造コストの低減につながるのである。
他の構成および動作は実施形態１と同様である。
【００１６】
【発明の効果】請求項１の発明は、受圧部としてのダイ
ヤフラムが形成された半導体基板と、前記ダイヤフラム
の変形量に応じた出力を発生する歪みセンサと、前記半
導体基板とは異なる熱膨張率を有する材料よりなり温度
変化に伴うダイヤフラムの変形を抑制するように前記半
導体基板の表裏の一面に設けた薄膜とから成るものであ
り、半導体基板の表裏の一面に半導体基板とは異なる熱
膨張率を有する薄膜を設け、かつこの薄膜を温度変化に
伴うダイヤフラムの変形が抑制されるように設けている
から、圧力の印加されていない状態でのダイヤフラムの
変形を抑制することができ、センサ出力のオフセットを
抑制することが可能になるとともに、広い温度範囲にわ
たって精度よく圧力を検出することが可能になるという
利点がある。
ヤフラムが形成された半導体基板と、前記ダイヤフラム
の変形量に応じた出力を発生する歪みセンサと、前記半
導体基板とは異なる熱膨張率を有する材料よりなり温度
変化に伴うダイヤフラムの変形を抑制するように前記半
導体基板の表裏の一面に設けた薄膜とから成るものであ
り、半導体基板の表裏の一面に半導体基板とは異なる熱
膨張率を有する薄膜を設け、かつこの薄膜を温度変化に
伴うダイヤフラムの変形が抑制されるように設けている
から、圧力の印加されていない状態でのダイヤフラムの
変形を抑制することができ、センサ出力のオフセットを
抑制することが可能になるとともに、広い温度範囲にわ
たって精度よく圧力を検出することが可能になるという
利点がある。
【００１７】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記薄膜が、半導体基板の片面の一部または両面の
一部に形成されているものであり、請求項１の発明と同
様の効果に加えて、薄膜を形成する部位に応じてダイヤ
フラムに作用させる力を制御することが可能になり、温
度変化に伴うダイヤフラムの変形をより一層抑制するこ
とが可能になるという利点がある。
て、前記薄膜が、半導体基板の片面の一部または両面の
一部に形成されているものであり、請求項１の発明と同
様の効果に加えて、薄膜を形成する部位に応じてダイヤ
フラムに作用させる力を制御することが可能になり、温
度変化に伴うダイヤフラムの変形をより一層抑制するこ
とが可能になるという利点がある。
【００１８】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、前記薄膜が、歪みセンサと電極の間の電路の少なく
とも一部を形成するものであり、請求項１の発明と同様
の作用に加えて、ダイヤフラムの変形を抑制する薄膜が
電路としても兼用されるから、電路形成のプロセスでダ
イヤフラムの変形を抑制する薄膜を同時に形成すること
が可能になり、薄膜を別途に形成する場合に比較すると
製造プロセスの簡単化が可能になる。つまり、製造プロ
セスが簡単になれば製造コストを低減することができ
る。
て、前記薄膜が、歪みセンサと電極の間の電路の少なく
とも一部を形成するものであり、請求項１の発明と同様
の作用に加えて、ダイヤフラムの変形を抑制する薄膜が
電路としても兼用されるから、電路形成のプロセスでダ
イヤフラムの変形を抑制する薄膜を同時に形成すること
が可能になり、薄膜を別途に形成する場合に比較すると
製造プロセスの簡単化が可能になる。つまり、製造プロ
セスが簡単になれば製造コストを低減することができ
る。
【図１】本発明の実施形態１を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態２を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態３を示す要部の平面図であ
る。
る。
【図４】実施形態３に対する比較例を示す要部の平面図
である。
である。
【図５】実施形態３に対する比較例の断面図である。
【図６】本発明の実施形態４を示す要部の平面図であ
る。
る。
【図７】実施形態４に対する比較例を示す要部の平面図
である。
である。
【図８】実施形態４に対する比較例の断面図である。
【図９】従来例を示す断面図である。
１ シリコン基板 ２ａ ダイヤフラム ３ シリコン酸化膜 ４ ピエゾ抵抗 ５ 金属配線 ６ シリコン窒化膜 ９ アルミ薄膜
Claims (3)
- 【請求項１】 受圧部としてのダイヤフラムが形成され
た半導体基板と、前記ダイヤフラムの変形量に応じた出
力を発生する歪みセンサと、前記半導体基板とは異なる
熱膨張率を有する材料よりなり温度変化に伴うダイヤフ
ラムの変形を抑制するように前記半導体基板の表裏の一
面に設けた薄膜とから成ることを特徴とする半導体圧力
センサ。 - 【請求項２】 前記薄膜が、半導体基板の片面の一部ま
たは両面の一部に形成されて成ることを特徴とする請求
項１記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項３】 前記薄膜が、歪みセンサと電極の間の電
路の少なくとも一部を形成することを特徴とする請求項
２記載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11375498A JPH11304616A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11375498A JPH11304616A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11304616A true JPH11304616A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14620294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11375498A Withdrawn JPH11304616A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11304616A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009186209A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Toyota Motor Corp | 圧力センサ |
| JP2020153779A (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 株式会社東芝 | 圧力センサ |
| JP2021012113A (ja) * | 2019-07-08 | 2021-02-04 | アズビル株式会社 | 圧力センサ |
-
1998
- 1998-04-23 JP JP11375498A patent/JPH11304616A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009186209A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Toyota Motor Corp | 圧力センサ |
| JP2020153779A (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 株式会社東芝 | 圧力センサ |
| JP2021012113A (ja) * | 2019-07-08 | 2021-02-04 | アズビル株式会社 | 圧力センサ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050705 |