JP2006038789A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006038789A JP2006038789A JP2004222835A JP2004222835A JP2006038789A JP 2006038789 A JP2006038789 A JP 2006038789A JP 2004222835 A JP2004222835 A JP 2004222835A JP 2004222835 A JP2004222835 A JP 2004222835A JP 2006038789 A JP2006038789 A JP 2006038789A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- pressure
- support
- pressure sensor
- stem
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】支持体に接合されたダイヤフラムの受圧面と支持体とステムとの接合面とが平行となっているために、ステムと支持体との熱膨張係数の違いによって生じる歪みがダイヤフラムに加わり、ダイヤフラム型圧力センサの温度特性を劣化させる。
【解決手段】ダイヤフラム11を有する圧電基板12と圧力導入路16を備えたステム17とを、L字型の貫通路14を有する支持体15を介して、圧力導入路16、貫通路14及びダイヤフラム11受圧部とが連通するように接合することによって、圧電基板12と支持体15、支持体15とステム17との接合面がそれぞれ直交するように構成する。
【選択図】図1
【解決手段】ダイヤフラム11を有する圧電基板12と圧力導入路16を備えたステム17とを、L字型の貫通路14を有する支持体15を介して、圧力導入路16、貫通路14及びダイヤフラム11受圧部とが連通するように接合することによって、圧電基板12と支持体15、支持体15とステム17との接合面がそれぞれ直交するように構成する。
【選択図】図1
Description
本発明は、圧力センサに関し、特にピエゾ抵抗やSAW電極を付設したダイヤフラムを有する半導体あるいは圧電体基板を備え、圧力によって生じるダイヤフラムの変形を抵抗値や周波数の変化に変換してその圧力を検出する圧カセンサに関する。
従来、ダイヤフラム型圧カセンサは、シリコン等に形成されたダイヤフラムに印加される外部圧力によって生じるダイヤフラムの撓みを、ダイヤフラムに付設されたピエゾ抵抗等の検出素子の電気的特性の変化として取り出すことによって、ダイヤフラムに加わる圧力を検出するものである。
図2は、従来例としての特開2001−59789号公報に開示されているダイヤフラム型の半導体圧力検出器の構造図である。
同図に示されるように、本例の半導体圧力検出器20は、外部圧力によって撓みを生じるダイヤフラム21を形成した半導体基板22と、ダイヤフラム21に付設されその撓みの量を検出するピエゾ抵抗23と、貫通孔24を有して前記半導体基板22を支持する支持体25と、外部圧力を導入する圧力導入路26を備えたステム27より構成される。
図2は、従来例としての特開2001−59789号公報に開示されているダイヤフラム型の半導体圧力検出器の構造図である。
同図に示されるように、本例の半導体圧力検出器20は、外部圧力によって撓みを生じるダイヤフラム21を形成した半導体基板22と、ダイヤフラム21に付設されその撓みの量を検出するピエゾ抵抗23と、貫通孔24を有して前記半導体基板22を支持する支持体25と、外部圧力を導入する圧力導入路26を備えたステム27より構成される。
前記支持体25は貫通孔24がダイヤフラム21に連通するように接合され、ステム27は圧力導入路26と前記貫通孔24が連通するように接合される。
このように構成された圧力検出器20は、図示しない圧力導入孔を備えたパッケージに収容されて使用される。
特開2001−59789号公報
このように構成された圧力検出器20は、図示しない圧力導入孔を備えたパッケージに収容されて使用される。
前記構造の半導体圧力検出器20においては、ステム27は金属材料が用いられ、支持体25はダイヤフラム21(半導体基板22)と同一材料が用いられるのが一般的である。そして、半導体基板22を支持体25を介してステム27に接合することによって、ダイヤフラム21とステム27を直接接合した場合に生じる熱膨張係数の違いによる歪みを緩和し、圧力検出器20の温度特性の改善に寄与している。
しかしながら、上記構造にあっては、ピエゾ抵抗23が付設されたダイヤフラム21の受圧面がステム27と支持体25との接合面と平行となっているために、前述した熱膨張係数の違いによって生じる歪みを完全に除去することが不可能である。このため、ダイヤフラムの材料として水晶材を用いた水晶圧力センサなどのように高精度のセンサにおいては、充分に性能を実現できないという問題があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、精度の高いダイヤフラム型の圧力センサを提供することを目的とする。
しかしながら、上記構造にあっては、ピエゾ抵抗23が付設されたダイヤフラム21の受圧面がステム27と支持体25との接合面と平行となっているために、前述した熱膨張係数の違いによって生じる歪みを完全に除去することが不可能である。このため、ダイヤフラムの材料として水晶材を用いた水晶圧力センサなどのように高精度のセンサにおいては、充分に性能を実現できないという問題があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、精度の高いダイヤフラム型の圧力センサを提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項1の圧カセンサにおいては、圧力による変形量を検出する検出素子を備えたダイヤフラムを形成した基板に、貫通路を有する支持体を前記貫通路がダイヤフラム受圧部に連通するように接合し、圧力を導入する圧力導入路を有するステムを前記圧力導入路と貫通路が連通するように前記支持体に接合して構成される圧力センサであって、前記基板と支持体との接合面と前記ステムと支持体との接合面とが直交するように接合されていることを特徴とする。
また、請求項2の圧カセンサにおいては、請求項1に記載の圧カセンサであって、前記基板が前記支持体と同一の材質からなることを特徴とする。
請求項3の圧カセンサにおいては、請求項1または請求項2に記載の圧力センサであって、前記基板が圧電基板であり、前記検出素子が圧電基板上に少なくとも一つ以上のIDT電極を備えたSAWデバイスであることを特徴とする。
さらに、請求項4の圧カセンサにおいては、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の圧力センサであって、前記基板が水晶基板であることを特徴とする。
また、請求項2の圧カセンサにおいては、請求項1に記載の圧カセンサであって、前記基板が前記支持体と同一の材質からなることを特徴とする。
請求項3の圧カセンサにおいては、請求項1または請求項2に記載の圧力センサであって、前記基板が圧電基板であり、前記検出素子が圧電基板上に少なくとも一つ以上のIDT電極を備えたSAWデバイスであることを特徴とする。
さらに、請求項4の圧カセンサにおいては、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の圧力センサであって、前記基板が水晶基板であることを特徴とする。
本発明のダイヤフレム型圧力センサにおいては、ダイヤフラムを有する圧電基板と支持体との接合面と、前記支持体とステムとの接合面とが直交するように構成した。その結果、ダイヤフラムと同一素材の支持体とステムの材料の熱膨張係数の違いによって生じる歪みがダイヤフラム受圧部および検出素子の付設面に伝達されること防止でき、ダイヤフラム型の圧力センサの温度特性を大幅に改善できる。
したがって、本発明は精度の高いダイヤフラム型の圧力センサを提供する上で顕著な効果を有する。
したがって、本発明は精度の高いダイヤフラム型の圧力センサを提供する上で顕著な効果を有する。
本発明を図面に示した実施の形態に基づいて説明する。図1は、本発明に係わるダイヤフラム型の水晶圧力センサの実施の一形態例を示す縦断面図である。
図1に示されるように、本ダイヤフラム型の水晶圧カセンサ(以下、単に圧力センサという)10は、外部圧力によって撓みを生じるダイヤフラム11を有する水晶基板12と、ダイヤフラム11に付設されその撓みの量を検出するSAWデバイス13と、貫通路14を有して前記水晶基板12を支持する水晶材による支持体15と、外部圧力を導入する圧力導入路16を備えた金属製のステム17より構成される。
図1に示されるように、本ダイヤフラム型の水晶圧カセンサ(以下、単に圧力センサという)10は、外部圧力によって撓みを生じるダイヤフラム11を有する水晶基板12と、ダイヤフラム11に付設されその撓みの量を検出するSAWデバイス13と、貫通路14を有して前記水晶基板12を支持する水晶材による支持体15と、外部圧力を導入する圧力導入路16を備えた金属製のステム17より構成される。
本発明の特徴は、前記支持体15と水晶基板12との接合形態にあって、ステム17、支持体15、水晶基板12は次のように接合される。
まず、圧力導入路16を備えたステム17とL字型に形成された貫通路14を有する支持体15とが、支持体15の貫通路14の一端と前記圧力導入路16とが連通するように接合される。
次に、水晶薄板にエッチングによってダイヤフラム11を形成し、エッチング面の裏面に少なくとも一つ以上のIDT電極より構成されるSAWデバイス13を付設した水晶基板12が、前記支持体15の貫通路14の他端にダイヤフラム11の受圧面と前記支持体15の貫通路14とが連通するように接合される。
このように構成された圧力センサ10は、図示しない圧力導入孔を備えたパッケージに収容されて使用される。
まず、圧力導入路16を備えたステム17とL字型に形成された貫通路14を有する支持体15とが、支持体15の貫通路14の一端と前記圧力導入路16とが連通するように接合される。
次に、水晶薄板にエッチングによってダイヤフラム11を形成し、エッチング面の裏面に少なくとも一つ以上のIDT電極より構成されるSAWデバイス13を付設した水晶基板12が、前記支持体15の貫通路14の他端にダイヤフラム11の受圧面と前記支持体15の貫通路14とが連通するように接合される。
このように構成された圧力センサ10は、図示しない圧力導入孔を備えたパッケージに収容されて使用される。
前記支持体15の貫通路14はL字型に構成されているため、支持体15とステム17、及び支持体15と水晶基板12のそれぞれの接合面は、互いに直交して接合されることになる。
上記のように構成することにより、支持体15とステム17の材料熱膨張係数の違いによって生じる応力歪みは、その応力が支持体15とステム17との接合面に水平方向の応力となるため、それと直交方向に接合されたダイヤフラム11の受圧部及び検出素子のSAWデバイス13の付設面には直接伝達されることを防止できる。そのため、周囲温度変化によって生じる特性劣化を防止して、温度特性を大幅に改善することができる。
また、本圧力センサ10の検出素子をSAWデバイスとしたことによって、ピエゾ抵抗等を検出素子とした場合と比して、検出信号をディジタル信号処理する上で極めて有利であり、圧力センサ10の精度向上に貢献できる。
上記のように構成することにより、支持体15とステム17の材料熱膨張係数の違いによって生じる応力歪みは、その応力が支持体15とステム17との接合面に水平方向の応力となるため、それと直交方向に接合されたダイヤフラム11の受圧部及び検出素子のSAWデバイス13の付設面には直接伝達されることを防止できる。そのため、周囲温度変化によって生じる特性劣化を防止して、温度特性を大幅に改善することができる。
また、本圧力センサ10の検出素子をSAWデバイスとしたことによって、ピエゾ抵抗等を検出素子とした場合と比して、検出信号をディジタル信号処理する上で極めて有利であり、圧力センサ10の精度向上に貢献できる。
本実施例においては、支持体15は、ダイヤフラムと同一素材の水晶材で構成したが、ダイヤフラムが他の圧電基板や半導体基板で構成された場合は、それと同一の素材で支持体を構成すれば良いことは当然であり、また、ダイヤフラムに付設される検出素子がピエゾ抵抗のような他の検出素子であっても良いことは言うまでもない。
10・・ダイヤフラム型圧カセンサ、 11・・ダイヤフラム、12・・水晶基板、
13・・SAWデバイス、 14・・貫通路、 15・・支持体、 16・・圧力導入路、
17・・ステム、 20・・圧力検出器、 21・・ダイヤフラム、22・・半導体基板、
23・・ピエゾ抵抗、 24・・貫通孔、 25・・支持体、 26・・圧力導入路、
27・・ステム、
13・・SAWデバイス、 14・・貫通路、 15・・支持体、 16・・圧力導入路、
17・・ステム、 20・・圧力検出器、 21・・ダイヤフラム、22・・半導体基板、
23・・ピエゾ抵抗、 24・・貫通孔、 25・・支持体、 26・・圧力導入路、
27・・ステム、
Claims (4)
- 圧力による変形量を検出する検出素子を備えたダイヤフラムを形成した基板に、貫通路を有する支持体を前記貫通路がダイヤフラム受圧部に連通するように接合し、圧力を導入する圧力導入路を有するステムを前記圧力導入路と貫通路が連通するように前記支持体に接合して構成される圧力センサであって、
前記基板と支持体との接合面と前記ステムと支持体との接合面とが直交するように接合されていることを特徴とする圧力センサ。 - 前記基板が前記支持体と同一の材質からなることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記基板が圧電基板であり、前記検出素子が圧電基板上に少なくとも一つ以上のIDT電極を備えたSAWデバイスであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の圧力センサ。
- 前記基板が水晶基板であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004222835A JP2006038789A (ja) | 2004-07-30 | 2004-07-30 | 圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004222835A JP2006038789A (ja) | 2004-07-30 | 2004-07-30 | 圧力センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006038789A true JP2006038789A (ja) | 2006-02-09 |
Family
ID=35903928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004222835A Pending JP2006038789A (ja) | 2004-07-30 | 2004-07-30 | 圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006038789A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010114465A1 (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-07 | Ge Healthcare Bio-Sciences Ab | Pressure sensor |
-
2004
- 2004-07-30 JP JP2004222835A patent/JP2006038789A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010114465A1 (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-07 | Ge Healthcare Bio-Sciences Ab | Pressure sensor |
US8915141B2 (en) | 2009-03-30 | 2014-12-23 | Ge Healthcare Bio-Sciences Ab | Pressure sensor having a connection housing and a sensor housing |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5064658B2 (ja) | 鋼ダイヤフラム上にシリコンチップを備えた圧力センサ | |
JP2595829B2 (ja) | 差圧センサ、及び複合機能形差圧センサ | |
JP5291979B2 (ja) | 圧力センサ及びその製造方法と、該圧力センサを備えた電子部品 | |
JP5867820B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP2762807B2 (ja) | 差圧センサ | |
JP2005221453A (ja) | 圧力センサ | |
JP2014048072A (ja) | 圧力センサモジュール | |
JP2002277337A (ja) | 差圧・圧力センサ | |
WO2017002306A1 (ja) | 圧力センサ | |
JP2005529347A (ja) | センサおよびセンサを製作するための方法 | |
JP2009265012A (ja) | 半導体センサ | |
JP2006038789A (ja) | 圧力センサ | |
JP2009288170A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2008197030A (ja) | 応力感応素子 | |
JPH10170367A (ja) | 半導体式圧力センサ | |
JP2008082952A (ja) | 半導体感歪センサ | |
WO2016017290A1 (ja) | 圧力センサ | |
JPH0526983Y2 (ja) | ||
JP2512220B2 (ja) | 複合機能形センサ | |
JP2004279090A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
JP2017062193A (ja) | 圧力センサ | |
US6938492B2 (en) | Pressure sensor and manufacturing method of pressure sensor | |
JPH10160602A (ja) | 半導体式圧力センサ | |
JP2006250837A (ja) | 圧力センサ | |
JP2012018140A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070402 |