JP2002277337A - 差圧・圧力センサ - Google Patents
差圧・圧力センサInfo
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- JP2002277337A JP2002277337A JP2001082210A JP2001082210A JP2002277337A JP 2002277337 A JP2002277337 A JP 2002277337A JP 2001082210 A JP2001082210 A JP 2001082210A JP 2001082210 A JP2001082210 A JP 2001082210A JP 2002277337 A JP2002277337 A JP 2002277337A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 静圧検出用のゲージを最適位置に設けること
により、感度が静圧に対して高く、差圧に対して低く、
クロストークを低減する。 【解決手段】 センサチップ２の中央部にダイアフラム
３を形成し、ダイアフラム３の表面周縁部に差圧または
圧力検出用のゲージ６ａ〜６ｄを設ける。センサチップ
２の厚肉部２ａの裏面を台座４に接合する。台座４に段
差部１０を形成し、センサチップ２の厚肉部２ａを、台
座４に接合される接合部１３Ａと、非接触部１３とす
る。静圧検出用のゲージ１５ａ〜１５ｄを非接合部１３
のセンサチップ表面に設ける。
により、感度が静圧に対して高く、差圧に対して低く、
クロストークを低減する。 【解決手段】 センサチップ２の中央部にダイアフラム
３を形成し、ダイアフラム３の表面周縁部に差圧または
圧力検出用のゲージ６ａ〜６ｄを設ける。センサチップ
２の厚肉部２ａの裏面を台座４に接合する。台座４に段
差部１０を形成し、センサチップ２の厚肉部２ａを、台
座４に接合される接合部１３Ａと、非接触部１３とす
る。静圧検出用のゲージ１５ａ〜１５ｄを非接合部１３
のセンサチップ表面に設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、差圧または圧力を
検出する差圧・圧力センサに関し、さらに詳しくは静圧
を検出し、その検出信号によって差圧または圧力信号を
補正することにより、差圧または圧力をより高精度に検
出し得るようにした複合機能型の差圧・圧力センサに関
する。
検出する差圧・圧力センサに関し、さらに詳しくは静圧
を検出し、その検出信号によって差圧または圧力信号を
補正することにより、差圧または圧力をより高精度に検
出し得るようにした複合機能型の差圧・圧力センサに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、差圧または圧力を検出する差圧・
圧力センサとしては、Ｓｉダイアフラムを使用したもの
が知られている。このＳｉダイアフラム型差圧・圧力セ
ンサは、半導体結晶からなる基板の表面に不純物を拡散
させるかまたはイオン打ち込み技術によりピエゾ抵抗領
域として作用するゲージ（拡散抵抗）を形成するととも
に、Ａｌの蒸着等によりリードを形成し、裏面の一部を
エッチングによって除去することにより厚さ数μｍ〜数
百μｍ程度の起歪部、すなわちダイアフラムを形成して
構成したものである。測定に際しては、ダイアフラムの
表裏面に測定圧力をそれぞれ加えると、その差圧に応じ
てダイアフラム内に生じる応力が変化するので、ゲージ
の比抵抗が変化し、この時の抵抗変化に伴う出力電圧を
検出することにより差圧または圧力を測定することがで
きる。
圧力センサとしては、Ｓｉダイアフラムを使用したもの
が知られている。このＳｉダイアフラム型差圧・圧力セ
ンサは、半導体結晶からなる基板の表面に不純物を拡散
させるかまたはイオン打ち込み技術によりピエゾ抵抗領
域として作用するゲージ（拡散抵抗）を形成するととも
に、Ａｌの蒸着等によりリードを形成し、裏面の一部を
エッチングによって除去することにより厚さ数μｍ〜数
百μｍ程度の起歪部、すなわちダイアフラムを形成して
構成したものである。測定に際しては、ダイアフラムの
表裏面に測定圧力をそれぞれ加えると、その差圧に応じ
てダイアフラム内に生じる応力が変化するので、ゲージ
の比抵抗が変化し、この時の抵抗変化に伴う出力電圧を
検出することにより差圧または圧力を測定することがで
きる。
【０００３】このような差圧・圧力センサは従来から種
々提案されているが、工業用においては静圧の高い状態
で差圧・圧力を検出しなければならないことが多く、セ
ンサチップ上のゲージ配置によっては、静圧の影響が差
圧・圧力に影響したり、反対に差圧・圧力が静圧に影響
し、出力のゼロ点がシフトするという問題があった。こ
のような影響をクロストークと呼んでいる。
々提案されているが、工業用においては静圧の高い状態
で差圧・圧力を検出しなければならないことが多く、セ
ンサチップ上のゲージ配置によっては、静圧の影響が差
圧・圧力に影響したり、反対に差圧・圧力が静圧に影響
し、出力のゼロ点がシフトするという問題があった。こ
のような影響をクロストークと呼んでいる。
【０００４】図５および図６に、クロストークの影響を
抑え出力のゼロ点シフトを小さくし得るようにした差圧
・圧力センサ（特開平９−３０４２０６号公報）の従来
例を示す。この差圧・圧力センサ１は、結晶面方位が
（１００）面のｐ型単結晶Ｓｉからなる正方形のセンサ
チップ２を有している。センサチップ２は、表面中央部
に形成された正方形のダイアフラム３と、センサチップ
２の外周部を形成し前記ダイアフラム３を取り囲む厚肉
部２ａとからなり、裏面中央にはダイアフラム３の形成
によって正方形の凹陥部５が形成され、厚肉部２ａが台
座４に接合されている。
抑え出力のゼロ点シフトを小さくし得るようにした差圧
・圧力センサ（特開平９−３０４２０６号公報）の従来
例を示す。この差圧・圧力センサ１は、結晶面方位が
（１００）面のｐ型単結晶Ｓｉからなる正方形のセンサ
チップ２を有している。センサチップ２は、表面中央部
に形成された正方形のダイアフラム３と、センサチップ
２の外周部を形成し前記ダイアフラム３を取り囲む厚肉
部２ａとからなり、裏面中央にはダイアフラム３の形成
によって正方形の凹陥部５が形成され、厚肉部２ａが台
座４に接合されている。
【０００５】前記ダイアフラム３は、その対角線ａ，ａ
がセンサチップ２の対角線ｂ，ｂと直交するようにセン
サチップ２に対して略４５°傾いた状態で形成され、表
面の周縁部付近にはピエゾ領域として作用し差圧または
圧力を検出する４つの差圧または圧力検出用のゲージ６
ａ〜６ｄがセンサチップ２の対角線ｂ，ｂ上に位置する
ように形成されている。また、これらのゲージ６ａ〜６
ｄは、センサチップ２の結晶面方位（１００）において
ピエゾ抵抗係数が最大となる＜１１０＞の結晶軸方向に
形成されている。このようなゲージ６ａ〜６ｄは、拡散
またはイオン打ち込み法によって形成され、図示しない
リードによってホイールストーンブリッジに結線されて
おり、ダイアフラム３の表裏面に測定圧力Ｐ１，Ｐ２が
それぞれ印加されると、その変形に伴い各ゲージ６ａ〜
６ｄの比抵抗が変化し、測定圧力Ｐ1 ，Ｐ2 の差圧信号
を差動的に出力する。
がセンサチップ２の対角線ｂ，ｂと直交するようにセン
サチップ２に対して略４５°傾いた状態で形成され、表
面の周縁部付近にはピエゾ領域として作用し差圧または
圧力を検出する４つの差圧または圧力検出用のゲージ６
ａ〜６ｄがセンサチップ２の対角線ｂ，ｂ上に位置する
ように形成されている。また、これらのゲージ６ａ〜６
ｄは、センサチップ２の結晶面方位（１００）において
ピエゾ抵抗係数が最大となる＜１１０＞の結晶軸方向に
形成されている。このようなゲージ６ａ〜６ｄは、拡散
またはイオン打ち込み法によって形成され、図示しない
リードによってホイールストーンブリッジに結線されて
おり、ダイアフラム３の表裏面に測定圧力Ｐ１，Ｐ２が
それぞれ印加されると、その変形に伴い各ゲージ６ａ〜
６ｄの比抵抗が変化し、測定圧力Ｐ1 ，Ｐ2 の差圧信号
を差動的に出力する。
【０００６】このときのゲージ６ａ〜６ｄの抵抗変化率
は、次式によって表される。 ΔＲ／Ｒ＝π44（σｒ−σθ）／２ ・・・・・（１） ただし、π44はピエゾ抵抗係数、σｒはダイアフラムの
辺に垂直な応力、σθはダイアフラムの辺に平行な応力
である。
は、次式によって表される。 ΔＲ／Ｒ＝π44（σｒ−σθ）／２ ・・・・・（１） ただし、π44はピエゾ抵抗係数、σｒはダイアフラムの
辺に垂直な応力、σθはダイアフラムの辺に平行な応力
である。
【０００７】前記台座４は、センサチップ２と熱膨張係
数が近似したパイレックス（登録商標）ガラス、セラミ
ックス等によって形成され、中央には前記センサチップ
２の裏面側に形成した凹陥部５を介してダイアフラム３
の裏面側に測定圧力Ｐ1 を導く貫通孔７が形成されてい
る。
数が近似したパイレックス（登録商標）ガラス、セラミ
ックス等によって形成され、中央には前記センサチップ
２の裏面側に形成した凹陥部５を介してダイアフラム３
の裏面側に測定圧力Ｐ1 を導く貫通孔７が形成されてい
る。
【０００８】ここで、ダイアフラム３の両面にかかる測
定圧力Ｐ1 ，Ｐ2 の差が零であっても静圧や温度が変化
した場合、材料の相違および形状により上記（１）式に
おけるσｒ−σθの差が零にならず出力を発生させるた
め、ゼロ点がシフトするという問題が生じる。この場
合、センサチップ２が円形でかつ円形のダイアフラムを
有する場合は、ダイアフラムがセンサチップの軸線に関
して対称性を有するため何等問題ないが、正方形の場合
は軸対称性が失われるため、静圧または温度変化により
σｒ≠σθとなり、ゲージ６ａ〜６ｄの抵抗値が変化す
る。すなわち、センサチップ２と台座４の接合面はダイ
アフラム３の変形に関係し、正方形のセンサチップ２に
対し正方形のダイアフラム３を互いに対角線が直交する
ように略４５°傾けて形成した場合、センサチップ２の
接合面のうち対角線ｂ方向の接合面の長さが長く、その
ため厚肉部２ａの裏面全体を接合した場合は、ダイアフ
ラム３の辺に垂直な応力σｒがダイアフラム３の辺に平
行な応力σθより大きくなる。その結果として、ゼロ点
シフトが発生し、差圧を高い精度で検出することができ
なくなる。
定圧力Ｐ1 ，Ｐ2 の差が零であっても静圧や温度が変化
した場合、材料の相違および形状により上記（１）式に
おけるσｒ−σθの差が零にならず出力を発生させるた
め、ゼロ点がシフトするという問題が生じる。この場
合、センサチップ２が円形でかつ円形のダイアフラムを
有する場合は、ダイアフラムがセンサチップの軸線に関
して対称性を有するため何等問題ないが、正方形の場合
は軸対称性が失われるため、静圧または温度変化により
σｒ≠σθとなり、ゲージ６ａ〜６ｄの抵抗値が変化す
る。すなわち、センサチップ２と台座４の接合面はダイ
アフラム３の変形に関係し、正方形のセンサチップ２に
対し正方形のダイアフラム３を互いに対角線が直交する
ように略４５°傾けて形成した場合、センサチップ２の
接合面のうち対角線ｂ方向の接合面の長さが長く、その
ため厚肉部２ａの裏面全体を接合した場合は、ダイアフ
ラム３の辺に垂直な応力σｒがダイアフラム３の辺に平
行な応力σθより大きくなる。その結果として、ゼロ点
シフトが発生し、差圧を高い精度で検出することができ
なくなる。
【０００９】そこで、この差圧・圧力センサ１は、応力
を緩和しクロストークを少なくするためにセンサチップ
２の厚肉部２ａの裏面の一部のみを台座４に接合してい
る。すなわち、厚肉部２ａの裏面の一部に段差部１０を
形成し、この段差部１０が形成されている部分を台座４
から離間させることにより非接合部１３とし、段差部１
０が形成されていない部分を台座４に接合することによ
り接合部１３Ａとしている。段差部１０の形成箇所は、
センサチップ２の裏面の各角部で、非接合部１３が接合
部１３Ａより外側に位置している。非接合部１３の大き
さは、ゲージ６ａ〜６ｄに生じるダイアフラム３の辺に
垂直な方向の応力σｒとダイアフラム３の辺に平行な方
向の応力σθが等しくなるように形成されている。言い
換えれば、非接合部１３の長さＡと接合部１３Ａの長さ
Ｂとの比Ａ／Ｂを最適化することにより、σｒ＝σθと
し、静圧や温度によるゼロ点シフトを最小になるように
している。
を緩和しクロストークを少なくするためにセンサチップ
２の厚肉部２ａの裏面の一部のみを台座４に接合してい
る。すなわち、厚肉部２ａの裏面の一部に段差部１０を
形成し、この段差部１０が形成されている部分を台座４
から離間させることにより非接合部１３とし、段差部１
０が形成されていない部分を台座４に接合することによ
り接合部１３Ａとしている。段差部１０の形成箇所は、
センサチップ２の裏面の各角部で、非接合部１３が接合
部１３Ａより外側に位置している。非接合部１３の大き
さは、ゲージ６ａ〜６ｄに生じるダイアフラム３の辺に
垂直な方向の応力σｒとダイアフラム３の辺に平行な方
向の応力σθが等しくなるように形成されている。言い
換えれば、非接合部１３の長さＡと接合部１３Ａの長さ
Ｂとの比Ａ／Ｂを最適化することにより、σｒ＝σθと
し、静圧や温度によるゼロ点シフトを最小になるように
している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の差圧・
圧力センサ１は、厚肉部２ａの裏面の一部に非接合部１
３を形成し、この非接合部１３の長さＡと接合部１３Ａ
の長さＢとの比Ａ／Ｂを最適化することによりσｒ＝σ
θとし、静圧や温度によるゼロ点シフトを最小になるよ
うにしている。しかしながら、実際にはσｒとσθを完
全に等しくすることはきわめて難しいため、静圧検出用
のゲージを同一チップ上に設け、その検出信号により差
圧または圧力検出用ゲージの検出信号を補正することに
より、差圧または圧力をより高精度に測定することが一
般的に行われている。この静圧検出用ゲージの特性とし
ては、静圧に高い感度をもつ、差圧に対して感度が
低いことが要求される。ところが、この静圧検出用ゲー
ジは通常ダイアフラム上に設けられているので静圧に対
して感度が低く、また差圧等から受けるクロストークも
大きく、差圧または圧力信号を高い精度で補正すること
ができないという問題があった。
圧力センサ１は、厚肉部２ａの裏面の一部に非接合部１
３を形成し、この非接合部１３の長さＡと接合部１３Ａ
の長さＢとの比Ａ／Ｂを最適化することによりσｒ＝σ
θとし、静圧や温度によるゼロ点シフトを最小になるよ
うにしている。しかしながら、実際にはσｒとσθを完
全に等しくすることはきわめて難しいため、静圧検出用
のゲージを同一チップ上に設け、その検出信号により差
圧または圧力検出用ゲージの検出信号を補正することに
より、差圧または圧力をより高精度に測定することが一
般的に行われている。この静圧検出用ゲージの特性とし
ては、静圧に高い感度をもつ、差圧に対して感度が
低いことが要求される。ところが、この静圧検出用ゲー
ジは通常ダイアフラム上に設けられているので静圧に対
して感度が低く、また差圧等から受けるクロストークも
大きく、差圧または圧力信号を高い精度で補正すること
ができないという問題があった。
【００１１】そこで、本発明者等は非接合部１３の有無
と、静圧検出用ゲージの位置との関係について種々検討
し、試作品を製作して実験を行った結果、静圧に対する
感度を上げる方法については、非接合部１３の長さＡと
接合部１３Ａの長さＢとの比Ａ／Ｂを調整することで発
生応力のピークが変化し、この現象を利用することで静
圧検出用ゲージを高感度化することができることを見出
した。
と、静圧検出用ゲージの位置との関係について種々検討
し、試作品を製作して実験を行った結果、静圧に対する
感度を上げる方法については、非接合部１３の長さＡと
接合部１３Ａの長さＢとの比Ａ／Ｂを調整することで発
生応力のピークが変化し、この現象を利用することで静
圧検出用ゲージを高感度化することができることを見出
した。
【００１２】一方、差圧に対する感度を低減する方法に
ついては、非接合部１３を設けない場合と非接合部１３
を設けた場合における静圧による発生応力と、差圧によ
る発生応力を測定した。図７はその発生応力を示す図
で、曲線I は差圧による発生応力、曲線IIは非接合部１
３を設けない場合の静圧３による発生応力、曲線III は
非接合部１３を設けた場合の静圧Ｉによる発生応力をそ
れぞれ示す。この図から明らかなように、非接合部１３
を設けると、設けない場合に比べて発生応力IIIに高い
区間Ｘが存在する。これは、すなわち区間Ｘ内にあれば
非接合部１３を設けない場合に比べて高い静圧感度をも
つことを意味している。
ついては、非接合部１３を設けない場合と非接合部１３
を設けた場合における静圧による発生応力と、差圧によ
る発生応力を測定した。図７はその発生応力を示す図
で、曲線I は差圧による発生応力、曲線IIは非接合部１
３を設けない場合の静圧３による発生応力、曲線III は
非接合部１３を設けた場合の静圧Ｉによる発生応力をそ
れぞれ示す。この図から明らかなように、非接合部１３
を設けると、設けない場合に比べて発生応力IIIに高い
区間Ｘが存在する。これは、すなわち区間Ｘ内にあれば
非接合部１３を設けない場合に比べて高い静圧感度をも
つことを意味している。
【００１３】差圧による発生応力I は、ダイアフラム３
の外縁２１において急峻なピークとなる。２つの発生応
力I ，III を比較すると、非接合部１３を設けない場合
における静圧３による応力IIの区間Ｘ内のピークに比較
した応力低下と、差圧による影響の緩和の比は、区間Ｘ
内で一致しておらず、差圧による応力I と静圧１による
応力III の比が最小になるポイントを算出することがで
きる。したがって、静圧検出用のゲージを、センサチッ
プ２の厚肉部２ａの発生応力III の区間Ｘ内で、かつ非
接合部１３上の表面に設けると、静圧の感度を差圧に比
べて大きくとれ、上記要件、を満足することが判明
した。特に、その位置の一部で静圧による発生応力III
のピークをもつことが判っているので、ここに静圧セン
サを配置すればきわめてクロストークの少ない静圧を測
定することが可能となる。
の外縁２１において急峻なピークとなる。２つの発生応
力I ，III を比較すると、非接合部１３を設けない場合
における静圧３による応力IIの区間Ｘ内のピークに比較
した応力低下と、差圧による影響の緩和の比は、区間Ｘ
内で一致しておらず、差圧による応力I と静圧１による
応力III の比が最小になるポイントを算出することがで
きる。したがって、静圧検出用のゲージを、センサチッ
プ２の厚肉部２ａの発生応力III の区間Ｘ内で、かつ非
接合部１３上の表面に設けると、静圧の感度を差圧に比
べて大きくとれ、上記要件、を満足することが判明
した。特に、その位置の一部で静圧による発生応力III
のピークをもつことが判っているので、ここに静圧セン
サを配置すればきわめてクロストークの少ない静圧を測
定することが可能となる。
【００１４】本発明は上記した従来の問題および実験結
果に基づいてなされたもので、その目的とするところ
は、静圧検出用のゲージを最適位置に設けることによ
り、感度が静圧に対して高く、差圧に対して低く、クロ
ストークを低減し得、検出精度を向上させるようにした
差圧・圧力センサを提供することにある。
果に基づいてなされたもので、その目的とするところ
は、静圧検出用のゲージを最適位置に設けることによ
り、感度が静圧に対して高く、差圧に対して低く、クロ
ストークを低減し得、検出精度を向上させるようにした
差圧・圧力センサを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に第１の発明は、センサチップの中央部にダイアフラム
を有し、このダイアフラムに差圧または圧力検出用のゲ
ージを設け、前記ダイアフラムを取り囲む厚肉部の裏面
側を台座に接合した差圧・圧力センサにおいて、前記セ
ンサチップと前記台座との接合部の中間位置から外側に
かけて非接合部を設けるとともに、静圧検出用のゲージ
を前記非接合部のセンサチップ表面に設けたものであ
る。
に第１の発明は、センサチップの中央部にダイアフラム
を有し、このダイアフラムに差圧または圧力検出用のゲ
ージを設け、前記ダイアフラムを取り囲む厚肉部の裏面
側を台座に接合した差圧・圧力センサにおいて、前記セ
ンサチップと前記台座との接合部の中間位置から外側に
かけて非接合部を設けるとともに、静圧検出用のゲージ
を前記非接合部のセンサチップ表面に設けたものであ
る。
【００１６】第２の発明は、センサチップの中央部にダ
イアフラムを有し、このダイアフラムの周縁部に差圧ま
たは圧力検出用のゲージを設け、前記ダイアフラムを取
り囲む厚肉部の裏面側を台座に接合した差圧・圧力セン
サにおいて、前記センサチップと前記台座との接合部の
中間位置から外側にかけて非接合部を設けるとともに、
静圧検出用のゲージを前記非接合部のセンサチップ表面
に設けたものである。
イアフラムを有し、このダイアフラムの周縁部に差圧ま
たは圧力検出用のゲージを設け、前記ダイアフラムを取
り囲む厚肉部の裏面側を台座に接合した差圧・圧力セン
サにおいて、前記センサチップと前記台座との接合部の
中間位置から外側にかけて非接合部を設けるとともに、
静圧検出用のゲージを前記非接合部のセンサチップ表面
に設けたものである。
【００１７】第３の発明は、センサチップの中央部にダ
イアフラムを有し、このダイアフラムの中心部に差圧ま
たは圧力検出用のゲージを設け、前記ダイアフラムを取
り囲む厚肉部の裏面側を台座に接合した差圧・圧力セン
サにおいて、前記センサチップと前記台座との接合部の
中間位置から外側にかけて非接合部を設けるとともに、
静圧検出用のゲージを前記非接合部のセンサチップ表面
に設けたものである。
イアフラムを有し、このダイアフラムの中心部に差圧ま
たは圧力検出用のゲージを設け、前記ダイアフラムを取
り囲む厚肉部の裏面側を台座に接合した差圧・圧力セン
サにおいて、前記センサチップと前記台座との接合部の
中間位置から外側にかけて非接合部を設けるとともに、
静圧検出用のゲージを前記非接合部のセンサチップ表面
に設けたものである。
【００１８】第４の発明は、センサチップの中央部にダ
イアフラムを有し、このダイアフラムの表面周縁部に差
圧または圧力検出用のゲージを設け、前記ダイアフラム
を取り囲む厚肉部の裏面側を台座に接合した差圧・圧力
センサにおいて、前記センサチップと前記台座との接合
部の中間位置から外側にかけて非接合部を設けるととも
に、静圧検出用のゲージを前記非接合部のセンサチップ
表面に設けたものである。
イアフラムを有し、このダイアフラムの表面周縁部に差
圧または圧力検出用のゲージを設け、前記ダイアフラム
を取り囲む厚肉部の裏面側を台座に接合した差圧・圧力
センサにおいて、前記センサチップと前記台座との接合
部の中間位置から外側にかけて非接合部を設けるととも
に、静圧検出用のゲージを前記非接合部のセンサチップ
表面に設けたものである。
【００１９】第５の発明は、センサチップの中央部にダ
イアフラムを有し、このダイアフラムの表面中心部に差
圧または圧力検出用のゲージを設け、前記ダイアフラム
を取り囲む厚肉部の裏面側を台座に接合した差圧・圧力
センサにおいて、前記センサチップと前記台座との接合
部の中間位置から外側にかけて非接合部を設けるととも
に、静圧検出用のゲージを前記非接合部のセンサチップ
表面に設けたものである。
イアフラムを有し、このダイアフラムの表面中心部に差
圧または圧力検出用のゲージを設け、前記ダイアフラム
を取り囲む厚肉部の裏面側を台座に接合した差圧・圧力
センサにおいて、前記センサチップと前記台座との接合
部の中間位置から外側にかけて非接合部を設けるととも
に、静圧検出用のゲージを前記非接合部のセンサチップ
表面に設けたものである。
【００２０】このような発明において、センサチップの
厚肉部と基台との間に非接合部を設けると、設けない場
合に比べて静圧による発生応力に高い区間ができる。こ
の区間の応力は接合部の外側縁付近をピークとして接合
部からダイアフラムの中心および非接合部に向かうにし
たがって徐々に減少する。差圧による発生応力は、ダイ
アフラムの縁部をピークとして急激に減少する。静圧に
よる発生応力と差圧による発生応力の差が大きい位置
は、前記高い区間と一致している。したがって、静圧検
出用のゲージを前記区間内でかつ非接合部のセンサチッ
プ表面に設けると、感度が静圧に対しては高く、差圧に
対しては低くなり、クロストークを低減することができ
る。
厚肉部と基台との間に非接合部を設けると、設けない場
合に比べて静圧による発生応力に高い区間ができる。こ
の区間の応力は接合部の外側縁付近をピークとして接合
部からダイアフラムの中心および非接合部に向かうにし
たがって徐々に減少する。差圧による発生応力は、ダイ
アフラムの縁部をピークとして急激に減少する。静圧に
よる発生応力と差圧による発生応力の差が大きい位置
は、前記高い区間と一致している。したがって、静圧検
出用のゲージを前記区間内でかつ非接合部のセンサチッ
プ表面に設けると、感度が静圧に対しては高く、差圧に
対しては低くなり、クロストークを低減することができ
る。
【００２１】静圧による発生応力の高い区間は、接合部
と非接合部にわたっているため、非接合部のセンサチッ
プ表面に設けられる静圧検出用のゲージは、その一部が
接合部のセンサチップ表面にまで延在するものであって
もよい。ただし、ダイアフラムの縁部近づくにしたがっ
て差圧による発生応力が大きくなり、反対に静圧による
発生応力が小さくなるため、ダイヤフラムの縁部に近寄
らないように接合部に延在する部分の長さを非接合部に
設けられる部分の長さより短くすることが望ましい。
と非接合部にわたっているため、非接合部のセンサチッ
プ表面に設けられる静圧検出用のゲージは、その一部が
接合部のセンサチップ表面にまで延在するものであって
もよい。ただし、ダイアフラムの縁部近づくにしたがっ
て差圧による発生応力が大きくなり、反対に静圧による
発生応力が小さくなるため、ダイヤフラムの縁部に近寄
らないように接合部に延在する部分の長さを非接合部に
設けられる部分の長さより短くすることが望ましい。
【００２２】多角形のダイアフラムを有する多角形のセ
ンサチップにおいては、センサチップの軸線に関して軸
対称性を示さないため、台座をセンサチップの裏面全体
に接合した場合、差圧または圧力検出用のゲージを形成
した位置における応力は、ダイアフラムの中心方向に向
かう応力σｒがこれと垂直な方向の応力σθより大き
く、σｒ＞σθとなる。台座とセンサチップとの接合部
を少なくしていくと、逆にダイアフラムの中心方向に対
して垂直な方向の応力σθが大きくなり、σｒ＜σθと
なる。そこで、センサチップと台座との間に非接合部を
設け、非接合部の長さと接合部の長さとの比を最適化す
るとσｒとσθを略等しくすることができる。
ンサチップにおいては、センサチップの軸線に関して軸
対称性を示さないため、台座をセンサチップの裏面全体
に接合した場合、差圧または圧力検出用のゲージを形成
した位置における応力は、ダイアフラムの中心方向に向
かう応力σｒがこれと垂直な方向の応力σθより大き
く、σｒ＞σθとなる。台座とセンサチップとの接合部
を少なくしていくと、逆にダイアフラムの中心方向に対
して垂直な方向の応力σθが大きくなり、σｒ＜σθと
なる。そこで、センサチップと台座との間に非接合部を
設け、非接合部の長さと接合部の長さとの比を最適化す
るとσｒとσθを略等しくすることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る差
圧・圧力センサの一実施の形態を示す平面図、図２は図
１のII−II線断面図である。なお、従来技術の欄で示し
た構成部材等と同一のものについては同一符号をもって
示し、その説明を適宜省略する。これらの図において、
全体を符号３０で示す差圧・圧力センサは、結晶面方位
が（１００）面のｐ型単結晶Ｓｉからなる正方形のセン
サチップ２を有している。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る差
圧・圧力センサの一実施の形態を示す平面図、図２は図
１のII−II線断面図である。なお、従来技術の欄で示し
た構成部材等と同一のものについては同一符号をもって
示し、その説明を適宜省略する。これらの図において、
全体を符号３０で示す差圧・圧力センサは、結晶面方位
が（１００）面のｐ型単結晶Ｓｉからなる正方形のセン
サチップ２を有している。
【００２４】前記センサチップ２は、表面中央部に形成
された正方形のダイアフラム３と、センサチップ２の外
周部を形成し前記ダイアフラム３を取り囲む厚肉部２ａ
とからなり、裏面中央にはダイアフラム３の形成によっ
て正方形の凹陥部５が形成され、厚肉部２ａが台座４に
陽極接合されている。台座４は、パイレックスガラス、
セラミックス等によってセンサチップ２と略同一の大き
さを有する角柱体に形成されている。
された正方形のダイアフラム３と、センサチップ２の外
周部を形成し前記ダイアフラム３を取り囲む厚肉部２ａ
とからなり、裏面中央にはダイアフラム３の形成によっ
て正方形の凹陥部５が形成され、厚肉部２ａが台座４に
陽極接合されている。台座４は、パイレックスガラス、
セラミックス等によってセンサチップ２と略同一の大き
さを有する角柱体に形成されている。
【００２５】前記ダイアフラム３は、その対角線ａ，ａ
がセンサチップ２の対角線ｂ，ｂと直交するようにセン
サチップ２に対して略４５°傾いた状態で形成され、表
面の周縁部付近にはピエゾ領域として作用し差圧または
圧力を検出する４つの差圧または圧力検出用のゲージ６
ａ〜６ｄがセンサチップ２の対角線ｂ，ｂ上に位置する
ように形成されている。また、これらのゲージ６ａ〜６
ｄは、センサチップ２の結晶面方位（１００）において
ピエゾ抵抗係数が最大となる＜１１０＞の結晶軸方向に
形成されている。
がセンサチップ２の対角線ｂ，ｂと直交するようにセン
サチップ２に対して略４５°傾いた状態で形成され、表
面の周縁部付近にはピエゾ領域として作用し差圧または
圧力を検出する４つの差圧または圧力検出用のゲージ６
ａ〜６ｄがセンサチップ２の対角線ｂ，ｂ上に位置する
ように形成されている。また、これらのゲージ６ａ〜６
ｄは、センサチップ２の結晶面方位（１００）において
ピエゾ抵抗係数が最大となる＜１１０＞の結晶軸方向に
形成されている。
【００２６】前記センサチップ２の厚肉部２ａは、裏面
の一部のみが台座４の表面に接合され、残りの部分が台
座４に接合されないことにより、非接合部１３と接合部
１３Ａとからなり、非接合部１３が接合部１３Ａより外
側で厚肉部２ａの各角部に位置し、接合部１３Ａが外形
八角形の枠状でダイアフラム３を取り囲んでいる。
の一部のみが台座４の表面に接合され、残りの部分が台
座４に接合されないことにより、非接合部１３と接合部
１３Ａとからなり、非接合部１３が接合部１３Ａより外
側で厚肉部２ａの各角部に位置し、接合部１３Ａが外形
八角形の枠状でダイアフラム３を取り囲んでいる。
【００２７】この場合、本実施の形態においては、台座
４の表面で前記各非接合部１３に対応する角部に段差部
１４を形成することにより、厚肉部２ａの各角部を台座
４から離間させて非接合部１３とした例を示している
が、これに限らず図５および図６に示した従来構造と同
様に、厚肉部２ａの裏面側に形成した段差部１０によっ
て非接合部１３を設けてもよいことは勿論である。
４の表面で前記各非接合部１３に対応する角部に段差部
１４を形成することにより、厚肉部２ａの各角部を台座
４から離間させて非接合部１３とした例を示している
が、これに限らず図５および図６に示した従来構造と同
様に、厚肉部２ａの裏面側に形成した段差部１０によっ
て非接合部１３を設けてもよいことは勿論である。
【００２８】前記センサチップ２と台座４の接合面はダ
イアフラム３の変形に関係し、正方形のセンサチップ２
に対し正方形のダイアフラム３を互いに対角線が直交す
るように４５°傾けて形成した場合、センサチップ２の
接合面のうち対角線方向の接合面の長さが長く、そのた
め厚肉部２ａの裏面全体を接合するとダイアフラム３の
辺に垂直な応力σｒがダイアフラム３の辺に平行な応力
σθより大きくなる。そこで、非接合部１３を設け、そ
の長さＡと接合部１３Ａの長さＢとの比Ａ／Ｂを最適化
することにより、応力σｒと応力σθを略等しくするこ
とができる。
イアフラム３の変形に関係し、正方形のセンサチップ２
に対し正方形のダイアフラム３を互いに対角線が直交す
るように４５°傾けて形成した場合、センサチップ２の
接合面のうち対角線方向の接合面の長さが長く、そのた
め厚肉部２ａの裏面全体を接合するとダイアフラム３の
辺に垂直な応力σｒがダイアフラム３の辺に平行な応力
σθより大きくなる。そこで、非接合部１３を設け、そ
の長さＡと接合部１３Ａの長さＢとの比Ａ／Ｂを最適化
することにより、応力σｒと応力σθを略等しくするこ
とができる。
【００２９】さらに、前記センサチップ２の表面で前記
非接合部１３に対応する厚肉部２ａの表面には、静圧を
検出しその検出信号によって前記差圧または圧力検出用
ゲージ６ａ〜６ｄの検出信号を補正する４つの静圧検出
用のゲージ１５ａ〜１５ｄが設けられている。これらの
静圧検出用ゲージ１５ａ〜１５ｄは、センサチップ２の
対角線ｂ，ｂ上で各角部に位置するように設けられてい
る。また、センサチップ２の結晶面方位（１００）にお
いてピエゾ抵抗係数が最大となる＜１１０＞の結晶軸方
向に長く形成されている。このような静圧検出用ゲージ
６ａ〜６ｄは、差圧または圧力検出用ゲージ６ａ〜６ｄ
と同様に拡散またはイオン打ち込み法によって形成さ
れ、図示しないリードによってホイールストーンブリッ
ジに結線されており、静圧による非接合部１３の変形に
伴い比抵抗が変化することにより静圧を検出し、その検
出信号によって差圧または圧力検出用センサ６ａ〜６ｄ
の検出信号を補正する。
非接合部１３に対応する厚肉部２ａの表面には、静圧を
検出しその検出信号によって前記差圧または圧力検出用
ゲージ６ａ〜６ｄの検出信号を補正する４つの静圧検出
用のゲージ１５ａ〜１５ｄが設けられている。これらの
静圧検出用ゲージ１５ａ〜１５ｄは、センサチップ２の
対角線ｂ，ｂ上で各角部に位置するように設けられてい
る。また、センサチップ２の結晶面方位（１００）にお
いてピエゾ抵抗係数が最大となる＜１１０＞の結晶軸方
向に長く形成されている。このような静圧検出用ゲージ
６ａ〜６ｄは、差圧または圧力検出用ゲージ６ａ〜６ｄ
と同様に拡散またはイオン打ち込み法によって形成さ
れ、図示しないリードによってホイールストーンブリッ
ジに結線されており、静圧による非接合部１３の変形に
伴い比抵抗が変化することにより静圧を検出し、その検
出信号によって差圧または圧力検出用センサ６ａ〜６ｄ
の検出信号を補正する。
【００３０】図７はセンサチップ２に発生する応力を示
す図である。曲線I は差圧による発生応力、曲線IIは非
接合部１３を設けない場合の静圧３による発生応力、曲
線III は非接合部１３を設けた場合の静圧Ｉによる発生
応力をそれぞれ示す。静圧検出用のゲージ１５ａ〜１５
ｄは、非接合部１３の表面でダイアフラム３の中心から
Ｄ1 離れた位置に設けられている。
す図である。曲線I は差圧による発生応力、曲線IIは非
接合部１３を設けない場合の静圧３による発生応力、曲
線III は非接合部１３を設けた場合の静圧Ｉによる発生
応力をそれぞれ示す。静圧検出用のゲージ１５ａ〜１５
ｄは、非接合部１３の表面でダイアフラム３の中心から
Ｄ1 離れた位置に設けられている。
【００３１】この図から明らかなように、非接合部１３
を設けると、設けない場合に比べて静圧による発生応力
III に高い区間Ｘが生じる。この区間Ｘにおける応力は
接合部１３Ａの外縁２０付近をピークとして接合部１３
Ａからダイアフラム３の中心および非接合部１方向に遠
ざかるにしたがって減少する。差圧による発生応力III
は、ダイアフラム３の外縁２１をピークとして急激に減
少する。静圧１による発生応力III と差圧による発生応
力I の差が大きい位置は、前記高い区間Ｘと一致してい
る。したがって、静圧検出用ゲージ１５ａ〜１５ｄを前
記区間Ｘ内でかつ非接合部１３のセンサチップ２表面に
設けると、静圧に対しては感度が高く、差圧に対しては
感度が低く、クロストークを低減することができ、差圧
または圧力検出用ゲージ６ａ〜６ｄによる検出信号を高
精度に補正することができる。
を設けると、設けない場合に比べて静圧による発生応力
III に高い区間Ｘが生じる。この区間Ｘにおける応力は
接合部１３Ａの外縁２０付近をピークとして接合部１３
Ａからダイアフラム３の中心および非接合部１方向に遠
ざかるにしたがって減少する。差圧による発生応力III
は、ダイアフラム３の外縁２１をピークとして急激に減
少する。静圧１による発生応力III と差圧による発生応
力I の差が大きい位置は、前記高い区間Ｘと一致してい
る。したがって、静圧検出用ゲージ１５ａ〜１５ｄを前
記区間Ｘ内でかつ非接合部１３のセンサチップ２表面に
設けると、静圧に対しては感度が高く、差圧に対しては
感度が低く、クロストークを低減することができ、差圧
または圧力検出用ゲージ６ａ〜６ｄによる検出信号を高
精度に補正することができる。
【００３２】静圧による発生応力III の高い区間Ｘは、
図７に示すように接合部１３Ａと非接合部１３の両部に
またがっているため、静圧検出用ゲージ１５ａ〜１５ｄ
を、その一部が接合部１３Ａのセンサチップ２表面にま
で延在するものであってもよい。ただし、接合部１３Ａ
では差圧による発生応力I がダイアフラム３の外縁２１
に向かうにしたがい大きくなり、反対に静圧による発生
応力III が小さくなり、両発生応力I，III の差が小さ
くなるため、接合部１３Ａに延在する部分の長さは非接
合部１３に設けられる部分の長さより短いことがことが
望ましい。
図７に示すように接合部１３Ａと非接合部１３の両部に
またがっているため、静圧検出用ゲージ１５ａ〜１５ｄ
を、その一部が接合部１３Ａのセンサチップ２表面にま
で延在するものであってもよい。ただし、接合部１３Ａ
では差圧による発生応力I がダイアフラム３の外縁２１
に向かうにしたがい大きくなり、反対に静圧による発生
応力III が小さくなり、両発生応力I，III の差が小さ
くなるため、接合部１３Ａに延在する部分の長さは非接
合部１３に設けられる部分の長さより短いことがことが
望ましい。
【００３３】図３は本発明の他の実施の形態を示す平面
図、図４は図３のＩＶ−ＩＶ線断面図である。この実施
の形態は、結晶面方位が（１００）面のｐ型単結晶Ｓｉ
からなる正方形のセンサチップ２の表面中央部に四角形
のダイアフラム３を、その対角線がセンサチップ２の対
角線と一致するように形成し、センサチップ２の厚肉部
２ａを台座４の上面に接合して差圧・圧力センサ４０を
構成した例を示す。
図、図４は図３のＩＶ−ＩＶ線断面図である。この実施
の形態は、結晶面方位が（１００）面のｐ型単結晶Ｓｉ
からなる正方形のセンサチップ２の表面中央部に四角形
のダイアフラム３を、その対角線がセンサチップ２の対
角線と一致するように形成し、センサチップ２の厚肉部
２ａを台座４の上面に接合して差圧・圧力センサ４０を
構成した例を示す。
【００３４】前記台座４は、図において左右両側縁部に
段差４１がそれぞれ形成されており、これによりセンサ
チップ２の厚肉部２ａの両側縁部を、台座２の表面に接
合される接合部１３Ａと、台座４に接合されない非接合
部１３としている。
段差４１がそれぞれ形成されており、これによりセンサ
チップ２の厚肉部２ａの両側縁部を、台座２の表面に接
合される接合部１３Ａと、台座４に接合されない非接合
部１３としている。
【００３５】前記ダイアフラム３の表面外周縁部で各辺
の中央位置には、ピエゾ領域として作用し差圧または圧
力を検出する４つの差圧または圧力検出用ゲージ６ａ〜
６ｄが形成されている。これらのゲージ６ａ〜６ｄは、
センサチップ２の結晶面方位（１００）においてピエゾ
抵抗係数が最大となる＜１１０＞の結晶軸方向に長く形
成されている。前記厚肉部２ａの表面には、４個の静圧
検出用ゲージ１５ａ〜１５ｄが、ダイアフラム３を挟ん
でその両側に２つずつ位置するように形成されている。
これらの静圧検出用ゲージ１５ａ〜１５ｄは、接合部１
３Ａと非接合部１３の境界線４５上に位置するように形
成されている。また、静圧検出用ゲージ１５ａと１５
ｂ、および１５ｃと１５ｄは、それぞれ互いに直交する
ように９０°向きを異ならせて形成されている。さら
に、静圧検出用ゲージ１５ａと１５ｃ、および１５ｂと
１５ｄは、それぞれ互いに直交するように９０°向きを
異ならせて形成されている。
の中央位置には、ピエゾ領域として作用し差圧または圧
力を検出する４つの差圧または圧力検出用ゲージ６ａ〜
６ｄが形成されている。これらのゲージ６ａ〜６ｄは、
センサチップ２の結晶面方位（１００）においてピエゾ
抵抗係数が最大となる＜１１０＞の結晶軸方向に長く形
成されている。前記厚肉部２ａの表面には、４個の静圧
検出用ゲージ１５ａ〜１５ｄが、ダイアフラム３を挟ん
でその両側に２つずつ位置するように形成されている。
これらの静圧検出用ゲージ１５ａ〜１５ｄは、接合部１
３Ａと非接合部１３の境界線４５上に位置するように形
成されている。また、静圧検出用ゲージ１５ａと１５
ｂ、および１５ｃと１５ｄは、それぞれ互いに直交する
ように９０°向きを異ならせて形成されている。さら
に、静圧検出用ゲージ１５ａと１５ｃ、および１５ｂと
１５ｄは、それぞれ互いに直交するように９０°向きを
異ならせて形成されている。
【００３６】このような構造においても、非接合部１３
の長さＡと接合部１３Ａの長さＢとの比Ａ／Ｂを最適化
し、静圧検出用ゲージ１５ａ〜１５ｄを接合部１３Ａと
非接合部１３の境界線４５上に位置するように厚肉部２
ａの表面に形成すると、上記した実施の形態と同様に静
圧に対しては感度が高く、差圧に対しては感度が低く、
クロストークを低減することができ、差圧または圧力を
高精度に検出することができる。
の長さＡと接合部１３Ａの長さＢとの比Ａ／Ｂを最適化
し、静圧検出用ゲージ１５ａ〜１５ｄを接合部１３Ａと
非接合部１３の境界線４５上に位置するように厚肉部２
ａの表面に形成すると、上記した実施の形態と同様に静
圧に対しては感度が高く、差圧に対しては感度が低く、
クロストークを低減することができ、差圧または圧力を
高精度に検出することができる。
【００３７】なお、本発明は上記した実施の形態に特定
されるものではなく、本発明を逸脱しない限り種々の変
更が可能であり、例えばダイアフラムの表面（裏面）中
心部に差圧または圧力検出用のゲージを設けるてもよ
い。
されるものではなく、本発明を逸脱しない限り種々の変
更が可能であり、例えばダイアフラムの表面（裏面）中
心部に差圧または圧力検出用のゲージを設けるてもよ
い。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る差圧・
圧力センサは、センサチップと台座との接合部の中間位
置から外側にかけて非接合部を設けるとともに、静圧検
出用のゲージを前記非接合部のセンサチップ表面に設け
たので、静圧に対しては感度が高く、差圧に対しては感
度が低く、クロストークを低減することができる。した
がって、ゼロ点シフトが生じず、差圧または圧力信号を
補正することにより、差圧または圧力を高精度に検出す
ることができ、センサの検出精度を向上させることがで
きる。
圧力センサは、センサチップと台座との接合部の中間位
置から外側にかけて非接合部を設けるとともに、静圧検
出用のゲージを前記非接合部のセンサチップ表面に設け
たので、静圧に対しては感度が高く、差圧に対しては感
度が低く、クロストークを低減することができる。した
がって、ゼロ点シフトが生じず、差圧または圧力信号を
補正することにより、差圧または圧力を高精度に検出す
ることができ、センサの検出精度を向上させることがで
きる。
【図１】 本発明に係る差圧・圧力センサの一実施の形
態を示す平面図である。
態を示す平面図である。
【図２】 図１のII−II線断面図である。
【図３】 本発明の他の実施の形態を示す平面図であ
る。
る。
【図４】 図３のＩＶ−ＩＶ線断面図である。
【図５】 差圧・圧力センサの従来例を示す平面図であ
る。
る。
【図６】 図５のＶＩ−ＶＩ線断面図である。
【図７】 発生応力を示す図である。
１…差圧・圧力センサ、２…センサチップ、３…ダイア
フラム、４…基台、５…凹陥部、６，６ａ〜６ｄ…差圧
または圧力検出用のゲージ、１０…段差部、１３…非接
合部、１３Ａ…接合部、１５ａ〜１５ｄ…静圧検出用の
ゲージ。
フラム、４…基台、５…凹陥部、６，６ａ〜６ｄ…差圧
または圧力検出用のゲージ、１０…段差部、１３…非接
合部、１３Ａ…接合部、１５ａ〜１５ｄ…静圧検出用の
ゲージ。
Claims (5)
- 【請求項１】 センサチップの中央部にダイアフラムを
有し、このダイアフラムに差圧または圧力検出用のゲー
ジを設け、前記ダイアフラムを取り囲む厚肉部の裏面側
を台座に接合した差圧・圧力センサにおいて、 前記センサチップと前記台座との接合部の中間位置から
外側にかけて非接合部を設けるとともに、静圧検出用の
ゲージを前記非接合部のセンサチップ表面に設けたこと
を特徴とする差圧・圧力センサ。 - 【請求項２】 センサチップの中央部にダイアフラムを
有し、このダイアフラムの周縁部に差圧または圧力検出
用のゲージを設け、前記ダイアフラムを取り囲む厚肉部
の裏面側を台座に接合した差圧・圧力センサにおいて、 前記センサチップと前記台座との接合部の中間位置から
外側にかけて非接合部を設けるとともに、静圧検出用の
ゲージを前記非接合部のセンサチップ表面に設けたこと
を特徴とする差圧・圧力センサ。 - 【請求項３】 センサチップの中央部にダイアフラムを
有し、このダイアフラムの中心部に差圧または圧力検出
用のゲージを設け、前記ダイアフラムを取り囲む厚肉部
の裏面側を台座に接合した差圧・圧力センサにおいて、 前記センサチップと前記台座との接合部の中間位置から
外側にかけて非接合部を設けるとともに、静圧検出用の
ゲージを前記非接合部のセンサチップ表面に設けたこと
を特徴とする差圧・圧力センサ。 - 【請求項４】 センサチップの中央部にダイアフラムを
有し、このダイアフラムの表面周縁部に差圧または圧力
検出用のゲージを設け、前記ダイアフラムを取り囲む厚
肉部の裏面側を台座に接合した差圧・圧力センサにおい
て、 前記センサチップと前記台座との接合部の中間位置から
外側にかけて非接合部を設けるとともに、静圧検出用の
ゲージを前記非接合部のセンサチップ表面に設けたこと
を特徴とする差圧・圧力センサ。 - 【請求項５】 センサチップの中央部にダイアフラムを
有し、このダイアフラムの表面中心部に差圧または圧力
検出用のゲージを設け、前記ダイアフラムを取り囲む厚
肉部の裏面側を台座に接合した差圧・圧力センサにおい
て、 前記センサチップと前記台座との接合部の中間位置から
外側にかけて非接合部を設けるとともに、静圧検出用の
ゲージを前記非接合部のセンサチップ表面に設けたこと
を特徴とする差圧・圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001082210A JP3895937B2 (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | 差圧・圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001082210A JP3895937B2 (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | 差圧・圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002277337A true JP2002277337A (ja) | 2002-09-25 |
| JP3895937B2 JP3895937B2 (ja) | 2007-03-22 |
Family
ID=18938183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001082210A Expired - Fee Related JP3895937B2 (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | 差圧・圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3895937B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006170823A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Yokogawa Electric Corp | 半導体圧力センサ |
| EP1965187A2 (en) | 2007-02-28 | 2008-09-03 | Yamatake Corporation | Semiconductive diaphragm-type pressure sensor |
| EP1965186A2 (en) | 2007-02-28 | 2008-09-03 | Yamatake Corporation | Semiconductive diaphragm-type pressure sensor |
| WO2009057620A1 (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Yamatake Corporation | 圧力センサ及びその製造方法 |
| JP2009109347A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Yamatake Corp | 圧力センサ及びその製造方法 |
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