JP2001348660A

JP2001348660A - 成膜装置及び方法

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Publication number: JP2001348660A
Application number: JP2000169314A
Authority: JP
Inventors: Susumu Sakuragi; 進桜木
Original assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date: 2000-06-06
Filing date: 2000-06-06
Publication date: 2001-12-18
Anticipated expiration: 2020-06-06
Also published as: JP4056680B2

Abstract

(57)【要約】【課題】スプラッシュの発生を低減して、高品質の配
線用膜の形成を可能にする成膜装置及び成膜方法を提供
すること。【解決手段】ハース本体５３に収納された蒸発物質
（膜材料）は、プラズマビームＰＢにより加熱され蒸発
物質としてハース本体５３から出射する。この蒸発物質
は、プラズマビームＰＢによりイオン化され、基板Ｗの
下面に付着し膜が形成される。この際、ハース本体５３
の凹部５３ａの内面が溶融金属ＭＭに対して良好な濡れ
性を有するので、ハース本体５３から蒸発した膜材料が
凹部５３ａの内壁で凝縮して再度液化した場合であって
も、凹部５３ａの内壁に膜材料の液滴がほとんど形成さ
れず、成膜後の基板Ｗにはスプラッシュに起因する粒状
の欠陥がほとんど発生しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術の分野】本発明は、配線層その他の
膜をプラズマビームを用いて形成するための成膜装置及
び方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の配線用の成膜装置として、例えば
特開平１０−１８４１１６号公報に開示のイオンプレー
ティング装置がある。このイオンプレーティング装置で
は、圧力勾配型のプラズマガンからのプラズマビームを
ハースに導き、ハース中の成膜材料である金属を溶融す
るとともに蒸発・イオン化し、このように蒸発・イオン
化した蒸着物質をハースと対向して配置された基板の表
面に付着させる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
成膜装置では、溶融した成膜材料からスプラッシュと呼
ばれる液滴状の飛散物が発生し、成膜面に付着する場合
がある。このようなスプラッシュは、平坦で均一な成膜
を困難にするだけでなく、成膜面に形成された穴や溝等
を塞いでボイドその他の配線不良の原因となる。

【０００４】そこで、本発明は、スプラッシュの発生を
低減して、高品質の配線用膜の形成を可能にする成膜装
置及び成膜方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の成膜装置は、プラズマビームを成膜室中に
供給するプラズマ源と、成膜室中に配置されプラズマビ
ームを導くとともに、膜材料を収容可能な容器状の材料
蒸発源を有するハースと、成膜の対象である基板を成膜
室中にハースに対向して支持する支持部材とを備え、材
料蒸発源の内面は、膜材料に対して所定以上の濡れ性を
有することを特徴とする。

【０００６】この場合、材料蒸発源の内面が膜材料に対
して所定以上の濡れ性を有するので、材料蒸発源から蒸
発した膜材料が材料蒸発源の内壁で凝縮して再度液化し
た場合であっても、膜材料の液滴が材料蒸発源の内壁に
付着してある程度のサイズになって落下するといった現
象が繰返されないので、かかる液滴の落下に主に起因す
ると考えられるスプラッシュの発生を効果的に防止でき
る。

【０００７】なお、「所定以上の濡れ性を有する」と
は、液体である膜材料の、固体である材料蒸発源に対す
る接触角θが９０度以下、つまり浸漬ぬれを起こすこと
を意味する。

【０００８】この接触角は、好適には６０度以下である
ことが望ましい。もちろん接触角θが０度である、拡張
ぬれを起こす場合であっても問題はない。これに対して
接触角が９０度以上１８０度以下の場合付着ぬれを起こ
し、スプラッシュが発生しやすくなる。このように付着
ぬれが生じる場合、例えばパラフィン紙に水滴を置いた
ような状態となり、球状の液滴を生じ、液滴は重力によ
り容易に移動することになる。

【０００９】図６は、濡れ性と接触角の関係を説明する
参考図である。固相と液相の付着の強さ、すなわち２層
を付着面で引き離すに必要な仕事Ｗ_aはＷ_a＝γ_s＋γ_l−γ_i＝γ_l（１＋ＣＯＳθ）ここで、γ_s＝固体／気体の界面張力 γ_l＝液体／気体の界面張力 γ_i＝固定／液体の界面張力で表される。つまり、接触角θが小さいほど、付着力が
強くぬれが良くなることが分かる。

【００１０】上記装置の好ましい態様では、材料蒸発源
の内面が、Ｗ、Ｍｏ、及びＴａの少なくとも１つを含む
高融点金属材料で形成される。この場合、材料蒸発源の
内面がＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の膜材料に対して良好
な濡れ性を有するので、これらの膜材料の成膜に際して
スプラッシュの発生を効果的に防止できる。

【００１１】また、上記装置の好ましい態様では、材料
蒸発源の本体が、カーボンで形成され、当該本体の内面
がＷ、Ｍｏ、及びＴａの少なくとも１つを含む高融点金
属材料で被覆される。この場合、カーボン製の本体に形
成した凹部の内面を上記高融点金属材料でコーティング
することが可能であり、カーボン製の本体に形成した凹
部に上記高融点金属材料で形成したボート状の容器をは
め込むことも可能である。

【００１２】また、上記装置の好ましい態様では、材料
蒸発源の本体が、Ｗ、Ｍｏ、及びＴａの少なくとも１つ
を含み内面を形成する被覆部材とは異なる高融点金属材
料で形成される。

【００１３】また、上記装置の好ましい態様では、材料
蒸発源が、本体と被覆部材とを真空中で加熱処理して相
互拡散させることによって形成される。この場合、材料
蒸発源が２層構造の容器であっても、破損や変形が生じ
ることを防止でき、材料蒸発源の寿命を長くすることが
できる。

【００１４】また、上記装置の好ましい態様では、膜材
料が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、及びＡｌの少なくとも１つを
含む。この場合、材料蒸発源の内面にＷ、Ｍｏ、Ｔａ等
の高融点金属材料を用いれば、膜材料が材料蒸発源に対
して高い濡れ性を示すので、これらの膜材料の成膜に際
してスプラッシュの発生を効果的に防止できるようにな
る。

【００１５】また、上記装置の好ましい態様では、ハー
スの周囲に環状に配置された磁石、又は磁石及びコイル
からなりハースの近接した上方の磁界を制御する磁場制
御部材をさらに備え、プラズマ源が、アーク放電を利用
した圧力勾配型のプラズマガンである。この場合、磁場
制御部材によってハースに入射するプラズマビームをカ
スプ状磁場で修正してより均一な厚みの膜を形成するこ
とができる。

【００１６】また、本発明の成膜方法は、成膜室中に陽
極として配置された材料蒸発源に向けてプラズマビーム
を供給しつつ材料蒸発源から膜材料である金属を蒸発さ
せて、成膜室中に材料蒸発源に対向して配置された基板
の表面に付着させる成膜方法であって、材料蒸発源の内
面を膜材料に対して所定以上の濡れ性を有する材料で形
成する。

【００１７】この場合、材料蒸発源の内面が膜材料に対
して所定以上の濡れ性を有するので、材料蒸発源から蒸
発した膜材料が材料蒸発源の内壁で凝縮して再度液化し
た場合であっても、膜材料の液滴が材料蒸発源の内壁に
付着してある程度のサイズになって落下するといった現
象が繰返されないので、かかる液滴の落下に主に起因す
ると考えられるスプラッシュの発生を効果的に防止でき
る。

【００１８】

【発明の実施の形態】〔第１実施形態〕図１は、第１実
施形態の成膜装置の全体構造を概略的に説明する図であ
る。この成膜装置は、成膜室である真空容器１０と、真
空容器１０中にプラズマビームＰＢを供給するプラズマ
源であるプラズマガン３０と、真空容器１０内の底部に
配置されてプラズマビームＰＢの流れを制御する陽極部
材５０と、真空容器１０上部に配置されて基板Ｗを保持
する保持機構６０と、これらの動作を統括制御する主制
御装置８０とを備える。

【００１９】プラズマガン３０は、ＤＣアーク放電を利
用してプラズマビームＰＢを発生する圧力勾配型のプラ
ズマガンであり、その本体部分は、真空容器１０の側壁
に設けた筒状部１２に、後述する一対の中間電極４１、
４２を介して装着されている。この本体部分は、陰極３
１によって一端が閉塞されたガラス管３２からなる。ガ
ラス管３２内には、モリブデンＭｏで形成された円筒３
３が陰極３１に固定されて同心状に配置されており、こ
の円筒３３内には、ＬａＢ₆で形成された円盤３４とタ
ンタルＴａで形成されたパイプ３５とが内蔵されてい
る。ガラス管３２と筒状部１２との間に設けた一対の中
間電極４１、４２は、これらガラス管３２及び筒状部１
２と同軸に直列して配置されている。一方の第１中間電
極４１内には、プラズマビームＰＢを収束するための環
状永久磁石４４が内蔵されている。他方の第２中間電極
４２内にも、プラズマビームＰＢを収束するための電磁
石コイル４５が内蔵されている。なお、筒状部１２の周
囲には、陰極３１側で発生して第１及び第２中間電極４
１、４２まで引き出されたプラズマビームＰＢを真空容
器１０内に導くステアリングコイル４７が設けられてい
る。

【００２０】プラズマガン３０の動作は、ガン駆動装置
４８によって制御されている。このガン駆動装置４８
は、陰極３１への給電をオン・オフしたりこれへの供給
電圧等を調整することができ、さらに第１及び第２中間
電極４１、４２、電磁石コイル４５、及びステアリング
コイル４７への給電を調整する。このようなガン駆動装
置４８によって、真空容器１０中に供給されるプラズマ
ビームＰＢの状態が制御される。

【００２１】プラズマガン３０の最も内心側に配置され
るパイプ３５は、プラズマビームＰＢのもととなるＡｒ
等のキャリアガスをプラズマガン３０中に導入するため
ものであり、流量計３７及び流量調節弁３８を介してガ
ス供給源３９に接続されている。流量計３７によって検
出されたキャリアガスの流量は主制御装置８０で監視さ
れており、流量調節弁３８によるキャリアガスの流量調
整等に利用される。なお、真空容器１０のプラズマガン
３０に対向する側面には、真空容器１０内を適当な圧力
に減圧するため、真空ゲート７６を介して排気ポンプ７
７が取り付けられている。

【００２２】真空容器１０中の下部に配置された陽極部
材５０は、プラズマビームＰＢを下方に導く主陽極であ
るハース５１と、その周囲に配置された環状の補助陽極
５２とからなる。

【００２３】このうちハース５１は、熱伝導率の良い導
電性材料で形成されるとともに接地された真空容器１０
に図示を省略する絶縁物を介して支持されている。この
ハース５１は、陽極電源装置５８によって適当な正電位
に制御されており、プラズマガン３０から出射したプラ
ズマビームＰＢを下方に吸引する。なお、ハース５１
は、プラズマガン３０からのプラズマビームＰＢが入射
する中央上部に、形成された凹部にルツボ状の材料蒸発
源であるハースライナーすなわちハース本体５３を有し
ている。ハース本体５３内部には、膜材料である銅等の
金属が融液状となって溜まっている。

【００２４】図２は、ハース本体５３の構造等を説明す
る側方断面図である。ハース本体５３は、外形が円柱状
の容器であり、銅製のハース５１の上部に形成された凹
部５１ａに収容されている。

【００２５】ハース５１上部に形成された凹部５１ａの
底部下方には、冷却媒体を供給するためのキャビティ５
１ｂが形成されている。このキャビティ５１ｂには、図
示を省略するポンプや配管を介して水等の冷却媒体が連
続的に供給されており、ハース本体５３が過熱されるこ
とを防止している。

【００２６】ハース本体５３は、上部に膜材料である銅
等の溶融金属ＭＭを収容する凹部５３ａを有し、銅等の
溶融金属ＭＭに対して良好な濡れ性を有するとともに導
電性を有する高融点金属で形成されている。具体的に
は、ハース本体５３をＷ、Ｍｏ、Ｔａ等のいずれか、或
いはこれらの合金とすることができる。この場合、ハー
ス本体５３の凹部５３ａの内面が溶融金属ＭＭに対して
良好な濡れ性を有するので、ハース本体５３から蒸発し
た膜材料が凹部５３ａの内壁で凝縮して再度液化した場
合であっても、凹部５３ａの内壁に膜材料の液滴がほと
んど形成されず、スプラッシュの発生を効果的に防止で
きる。

【００２７】図１に戻って、陽極部材５０を構成する補
助陽極５２は、ハース５１の周囲にこれと同心に配置さ
れた環状の容器により構成されている。この環状容器内
には、フェライト等で形成された環状の永久磁石５５
と、これと同心に積層されたコイル５６とが収納されて
いる。これら永久磁石５５及びコイル５６は、磁場制御
部材であり、ハース５１の直上方にカスプ状磁場を形成
する。これにより、ハース５１に入射するプラズマビー
ムＰＢの向き等を修正することができる。

【００２８】補助陽極５２内のコイル５６は電磁石を構
成し、陽極電源装置５８から給電される。この場合、励
磁されたコイル５６における中心側の磁界の向きは、永
久磁石５５により発生する中心側の磁界と同じ向きにな
るように構成される。陽極電源装置５８は、コイル５６
に供給する電流を変化させることができ、ハース５１に
入射するプラズマビームＰＢの向きの微調整が可能にな
る。

【００２９】補助陽極５２の容器も、ハース５１と同様
に熱伝導率の良い導電性材料で形成される。この補助陽
極５２は、ハース５１に対して図示を省略する絶縁物を
介して取り付けられている。陽極電源装置５８は、補助
陽極５２に印加する電圧を変化させることによってハー
ス本体５３の上方の電界を補助的に制御できるようにな
っている。つまり、補助陽極５２に適当なタイミングで
適当な電位を与えることにより、プラズマビームＰＢの
供給をハース本体５３から補助陽極５２に切り換えた
り、或いは逆に補助陽極５２からハース本体５３に切り
換える切換制御が任意のタイミングで可能になる。

【００３０】真空容器１０中の上部に配置される保持機
構６０は、ハース５１の上方において成膜面を下側にし
て基板Ｗを保持するための支持部材である基板ホルダ６
１と、この基板ホルダ６１上部に固定されて基板Ｗを裏
面側から温度調節する温度調節装置６２とを備える。基
板ホルダ６１は、真空容器１０に対して絶縁された状態
で基板電源装置６８から給電されており、ゼロ電位の真
空容器１０に対して適当な電位にバイアスされている。
温度調節装置６２は、温調制御装置６９によって制御さ
れており、温調制御装置６９は、温度調節装置６２に内
蔵したヒータに給電し、或いは内蔵した配管に冷却媒体
を供給して、温度調節装置６２更には基板ホルダ６１を
所望の温度に保持する。

【００３１】なお、図示していないが、真空容器１０の
保持機構６０近傍には基板Ｗを搬出搬入するためのゲー
ト機構を設けている。

【００３２】以下、図１の成膜装置の動作について説明
する。この成膜装置においては、プラズマガン３０の陰
極３１と真空容器１０内のハース５１との間で放電が生
じ、これによりプラズマビームＰＢが生成される。この
プラズマビームＰＢは、ステアリングコイル４７と補助
陽極５２内の永久磁石５５とにより決定される磁界に案
内されてハース５１に到達する。ハース本体５３に収納
された蒸発物質（膜材料）は、プラズマビームＰＢによ
り加熱され蒸発物質としてハース本体５３から出射す
る。この蒸発物質は、プラズマビームＰＢによりイオン
化され、基板Ｗの下面に付着して銅等からなる膜が形成
される。この際、ハース本体５３の凹部５３ａの内面が
これに溜まった溶融金属ＭＭに対して良好な濡れ性を有
するので、ハース本体５３から蒸発した膜材料が凹部５
３ａの内壁で凝縮して再度液化した場合であっても、凹
部５３ａの内壁に膜材料の液滴がほとんど形成されず、
成膜後の基板Ｗにはスプラッシュに起因する粒状の欠陥
がほとんど発生しない。

【００３３】図３は、ハース本体５３でのスプラッシュ
抑制を説明する図である。図３（ａ）は本実施形態の成
膜装置に組み込まれるハース本体５３中の溶融金属ＭＭ
の状態を説明する側方断面図であり、図３（ｂ）は従来
型のハース本体１５３の場合を説明する側方断面図であ
る。

【００３４】図３（ａ）に示す場合、ハース本体５３が
銅等の溶融金属ＭＭに対して良好な濡れ性を有するタン
グステン等の高融点金属で形成されているので、凹部５
３ａの内壁における溶融金属ＭＭの接触角が鋭角となっ
ており、凹部５３ａの内壁に蒸発した溶融金属ＭＭの粒
子状の液滴が形成されない。

【００３５】一方、図３（ｂ）に示す場合、ハース本体
１５３が銅等の溶融金属ＭＭに対して濡れ性を有しない
カーボン（グラファイト）で形成されているので、凹部
１５３ａの内壁における溶融金属ＭＭの接触角が鈍角と
なっている。この場合、凹部１５３ａの内壁で蒸発した
溶融金属ＭＭが凝縮し、ここに粒子状の液滴ＤＲが形成
される。そして、溶融金属ＭＭの液滴ＤＲがある程度の
サイズになると、液滴ＤＲが下方に溜まった溶融金属Ｍ
Ｍ上に落下するといった現象が繰返される。ここで、溶
融金属ＭＭはプラズマビームＰＢから直接エネルギーを
与えられており上記のような液滴ＤＲよりも高温である
と考えられる。よって、ある程度のサイズの液滴ＤＲが
温度差のある溶融金属ＭＭ中に落下すると、これが原因
となって溶融金属ＭＭ表面からスプラッシュと呼ばれる
液滴状の飛散物が発生し、図１に示す基板Ｗの成膜面に
付着すると考えられる。

【００３６】以下の表は、図３（ａ）、（ｂ）に対応す
る一対のハース本体を用いた場合のスプラッシュ発生量
を比較するものである。なお、以下の例において実施例
のハース本体５３は、タングステンロッドから切削加工
により切り出して形成したものであり、比較例のハース
本体１５３は、グラファイトを切削加工して形成したも
のである。図３（ａ）に示すようなタングステン製のハース本体
（ライナー）５３を用いた場合、基板Ｗの成膜面に形成
される粒子状欠陥は、１０個／ｃｍ²程度以下の低水準
となっている。一方、図３（ｂ）に示すようなグラファ
イト製のハース本体（ライナー）１５３を用いた場合、
基板Ｗの成膜面に形成される粒子状欠陥は、凹部１５３
ａの内壁の高さｈの増大（液面の低下）に伴って４００
個／ｃｍ²以上となる。なお、基板Ｗの成膜面に観察さ
れる粒子状欠陥のうち１０個／ｃｍ ²程度は他の原因で
発生するパーティクルであり、タングステン製のハース
本体５３ではスプラッシュ発生量が皆無であることが分
かる。

【００３７】〔第２実施形態〕以下、第２実施形態の成
膜装置について説明する。第２実施形態の成膜装置は、
第１実施形態の装置を変形したものであり、以下では変
更部分について説明する。

【００３８】図４は、第２実施形態の成膜装置に組み込
まれるハース本体２５３の構造を概略的に説明する図で
ある。このハース本体２５３は、カーボンで形成され上
側に凹部２５３ｇを有する本体２５３ｂと、本体２５３
ｂの凹部２５３ｇにはめ込まれて凹部２５３ｇの内面を
被覆するボート２５３ｃとからなる。このうちボート２
５３ｃは、内部に収容する銅等の溶融金属ＭＭに対して
濡れ性を有するＷ、Ｍｏ、Ｔａ等からなる。このハース
本体２５３では、蒸発した膜材料がボート２５３ｃの内
壁２５３ｈで凝縮して再度液化した場合であっても、ボ
ート２５３ｃの内壁２５３ｈに膜材料の液滴がほとんど
形成されず、成膜後の基板Ｗにはスプラッシュに起因す
る粒状の欠陥がほとんど発生しない。

【００３９】この実施形態についても、ハース本体２５
３によるスプラッシュ抑制を確かめるため、上記表と同
様の実験を行ったが、上記表と同様にタングステン製の
ボート２５３ｃを用いたハース本体２５３ではスプラッ
シュ発生量が皆無であることが分かった。

【００４０】〔第３実施形態〕図５は、第３実施形態の
成膜装置の要部構造を概略的に説明する図である。第３
実施形態の成膜装置は、図４に示す第２実施形態に係る
ハース本体２５３の構造を変更したものである。

【００４１】このハース本体３５３は、モリブデンやタ
ンタル等の特定の高融点金属で形成され上側に凹部３５
３ｇを有する本体３５３ｂと、タングステン等の上記と
異なる高融点金属で形成され本体３５３ｂの凹部３５３
ｇにはめ込まれて内面を被覆する被覆部材３５３ｃとか
らなる。さらに、本体３５３ｂと被覆部材３５３ｃと
は、真空中で加熱処理して相互拡散させることによって
一体化されて２層構造の容器となっている。このハース
本体３５３では、蒸発した膜材料が被覆部材３５３ｃの
内壁で凝縮して再度液化しても、ボート３５３ｃの内壁
に膜材料の液滴がほとんど形成されず、成膜後の基板Ｗ
にはスプラッシュに起因する粒状の欠陥がほとんど発生
しない。

【００４２】この場合も、ハース本体３５３によるスプ
ラッシュ抑制を確かめるため、上記表と同様の実験を行
ったが、上記表と同様にタングステン製の高融点金属で
形成したハース本体３５３ではスプラッシュ発生量が皆
無であることが分かった。

【００４３】以上、実施形態に即して本発明を説明した
が、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
例えば、溶融金属ＭＭとしてＡｇ、Ａｕ、Ａｌをハース
本体５３に収容することができ、この場合、ハース本体
５３の容器内面を形成する材料も、これらの溶融金属Ｍ
Ｍに適合して濡れ性が良い高融点金属とすることができ
る。

【００４４】また、ハース本体５３の形状も溶融金属Ｍ
Ｍを収容することができる限り、任意のものとすること
ができる。

【００４５】また、ハース本体５３、２５３、３５３
は、タングステン等の高融点金属に限るものではなく、
本体をグラファイトで形成し、内面を高融点金属で被覆
したものとできる。

【００４６】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の成膜装置によれば、材料蒸発源の内面が膜材料に対し
て所定以上の濡れ性を有するので、材料蒸発源から蒸発
した膜材料が材料蒸発源の内壁で凝縮して再度液化した
場合であっても、膜材料の液滴が材料蒸発源の内壁に付
着してある程度のサイズになって落下するといった現象
が繰返されないので、かかる液滴の落下に主に起因する
と考えられるスプラッシュの発生を効果的に防止でき
る。

【００４７】また、本発明の成膜方法によれば、材料蒸
発源の内面が膜材料に対して所定以上の濡れ性を有する
ので、材料蒸発源から蒸発した膜材料が材料蒸発源の内
壁で凝縮して再度液化した場合であっても、膜材料の液
滴が材料蒸発源の内壁に付着してある程度のサイズにな
って落下するといった現象が繰返されないので、かかる
液滴の落下に主に起因すると考えられるスプラッシュの
発生を効果的に防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態の成膜装置の全体構造を説明する
平面図である。

【図２】図１の装置に組み込まれるハースの構造を説明
する側方断面図である。

【図３】（ａ）は、実施例のハース本体を示し、（ｂ）
は比較例のハース本体を示す。

【図４】第２実施形態の成膜装置に組み込まれるのハー
ス本体の構造を説明する側方断面図である。

【図５】第３実施形態の成膜装置に組み込まれるのハー
ス本体の構造を説明する側方断面図である。

【図６】濡れ性と接触角の関係を説明する図である。

【符号の説明】

１０真空容器３０プラズマガン４７ステアリングコイル４８ガン駆動装置５０陽極部材５１ハース５１ａ凹部５３ハース本体５３ａ凹部６０保持機構８０主制御装置ＭＭ溶融金属ＰＢプラズマビームＷ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマビームを成膜室中に供給するプ
ラズマ源と、前記成膜室中に配置され前記プラズマビームを導くとと
もに、膜材料を収容可能な容器状の材料蒸発源を有する
ハースと、成膜の対象である基板を前記成膜室中に前記ハースに対
向して支持する支持部材とを備え、前記材料蒸発源の内面は、前記膜材料に対して所定以上
の濡れ性を有することを特徴とする成膜装置。
【請求項２】前記材料蒸発源の内面は、Ｗ、Ｍｏ、及
びＴａの少なくとも１つを含む高融点金属材料で形成さ
れることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】前記材料蒸発源の本体は、カーボンで形
成され、当該本体の内面は、Ｗ、Ｍｏ、及びＴａの少な
くとも１つを含む高融点金属材料で被覆されることを特
徴とする請求項２記載の成膜装置。
【請求項４】前記材料蒸発源の本体は、Ｗ、Ｍｏ、及
びＴａの少なくとも１つを含み前記内面を形成する被覆
部材とは異なる高融点金属材料で形成されることを特徴
とする請求項２記載の成膜装置。
【請求項５】前記材料蒸発源は、前記本体と前記被覆
部材とを真空中で加熱処理して相互拡散させることによ
って形成されることを特徴とする請求項４記載の成膜装
置。
【請求項６】前記膜材料は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、及び
Ａｌの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１
記載の成膜装置。
【請求項７】前記ハースの周囲に環状に配置された磁
石、又は磁石及びコイルからなり前記ハースの近接した
上方の磁界を制御する磁場制御部材をさらに備え、前記
プラズマ源は、アーク放電を利用した圧力勾配型のプラ
ズマガンであることを特徴とする請求項１記載の成膜装
置。
【請求項８】成膜室中に陽極として配置された材料蒸
発源に向けてプラズマビームを供給しつつ前記材料蒸発
源から膜材料である金属を蒸発させて、成膜室中に前記
材料蒸発源に対向して配置された基板の表面に付着させ
る成膜方法であって、前記材料蒸発源の内面を前記膜材料に対して所定以上の
濡れ性を有する材料で形成することを特徴とする成膜方
法。