JPH0373631B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0373631B2 JPH0373631B2 JP59094755A JP9475584A JPH0373631B2 JP H0373631 B2 JPH0373631 B2 JP H0373631B2 JP 59094755 A JP59094755 A JP 59094755A JP 9475584 A JP9475584 A JP 9475584A JP H0373631 B2 JPH0373631 B2 JP H0373631B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- arc
- electric arc
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 58
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 27
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 31
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 3
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- -1 borides Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000003380 propellant Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気的手段により気相とした物質によ
つて基体を被覆する方法および装置に関する。よ
り詳細に本発明は、電極から蒸発される物質によ
つて被覆面積を拡大させることの可能性および、
被覆面の形状を複雑にすることの可能性の増大と
いう点についての基体に対する物質の蒸着方法お
よび装置における改良に関する。
つて基体を被覆する方法および装置に関する。よ
り詳細に本発明は、電極から蒸発される物質によ
つて被覆面積を拡大させることの可能性および、
被覆面の形状を複雑にすることの可能性の増大と
いう点についての基体に対する物質の蒸着方法お
よび装置における改良に関する。
基体に対する気相からの物質の堆積は塗装技術
分野および表面処理技術分野において周知であ
る。一般的に云えば、基体に移動させるべき物質
の主要部分を、この基体の範囲内で加熱し、そし
て先ず溶融状態に変化させ、次に気相へと変化さ
せる。従つて物質は2種類の相変換、すなわち固
相から液相への変換、次いで液相から気相への変
換を受けることになる。
分野および表面処理技術分野において周知であ
る。一般的に云えば、基体に移動させるべき物質
の主要部分を、この基体の範囲内で加熱し、そし
て先ず溶融状態に変化させ、次に気相へと変化さ
せる。従つて物質は2種類の相変換、すなわち固
相から液相への変換、次いで液相から気相への変
換を受けることになる。
被覆は一般に真空中で行われ、通常は比較的高
い真空を施して供給源から基体への蒸気の移転を
行わせねばならない。
い真空を施して供給源から基体への蒸気の移転を
行わせねばならない。
先行技術による装置は前述の相変換を行うため
に誘導加熱を利用している。
に誘導加熱を利用している。
ところで物質、一般には金属が真空雰囲気中で
基体に移転される上記先行技術のシステムの改良
は、被覆材料源としての電極の活用と、蒸気を発
熱するため溶融材料と対向電極との間に多少とも
安定した電弧を発生することを含むプロセスとの
2つによつて達成される。
基体に移転される上記先行技術のシステムの改良
は、被覆材料源としての電極の活用と、蒸気を発
熱するため溶融材料と対向電極との間に多少とも
安定した電弧を発生することを含むプロセスとの
2つによつて達成される。
この方法による被覆は基体に対する耐食性、保
護、装飾、導電性、半導電性またはその他の被覆
に応用することができ、また基体に対して堆積さ
せる物質と基体上の物質との間の化合物、あるい
は2種類の堆積させるべき物質、たとえば炭化
物、ホウ化物、ケイ化物、窒化物および炭化ケイ
素間の化合物を形成することも可能である。
護、装飾、導電性、半導電性またはその他の被覆
に応用することができ、また基体に対して堆積さ
せる物質と基体上の物質との間の化合物、あるい
は2種類の堆積させるべき物質、たとえば炭化
物、ホウ化物、ケイ化物、窒化物および炭化ケイ
素間の化合物を形成することも可能である。
従つて、上述したように、電気的アークを溶融
物質のプールと対向電極との間にとばし、それに
よつてプールの表面上の物質を蒸発させ、そして
真空室内の基体に対し気相の蒸発物質を移動させ
ることを利用する基体上に物質を蒸着させる方法
は既に開示されて来た。
物質のプールと対向電極との間にとばし、それに
よつてプールの表面上の物質を蒸発させ、そして
真空室内の基体に対し気相の蒸発物質を移動させ
ることを利用する基体上に物質を蒸着させる方法
は既に開示されて来た。
なおここで上記金属のプールは、一方の電極に
繁がれて蒸着されるべき材料と、対向電極との間
に電弧を発生させることにより順次形成される。
そして上記電弧の熱は、当初には上記対向電極を
溶かしてプールを作る。この場合、上記蒸着され
るべき材料の塊は、電弧の発生する電極よりも断
面が大であるから、材料のプールはこの塊の中に
作られ、またくぼみがこの塊の中に形成されて上
記溶融材料を受入れる。したがつてこの方法の長
所の1つは、プール用の支持るつぼ又は容器が不
要となることである。
繁がれて蒸着されるべき材料と、対向電極との間
に電弧を発生させることにより順次形成される。
そして上記電弧の熱は、当初には上記対向電極を
溶かしてプールを作る。この場合、上記蒸着され
るべき材料の塊は、電弧の発生する電極よりも断
面が大であるから、材料のプールはこの塊の中に
作られ、またくぼみがこの塊の中に形成されて上
記溶融材料を受入れる。したがつてこの方法の長
所の1つは、プール用の支持るつぼ又は容器が不
要となることである。
更に、この種の装置において、本発明者は対向
電極を移動してプールと接触および離脱させて若
干の溶融物を対向電極上に堆積し、そして電極の
尖端において熱を発生させて、それに移動させる
物質を少なくとも部分的に蒸発し、その結果物質
に移動されるべき蒸気が部分的に生成される。
電極を移動してプールと接触および離脱させて若
干の溶融物を対向電極上に堆積し、そして電極の
尖端において熱を発生させて、それに移動させる
物質を少なくとも部分的に蒸発し、その結果物質
に移動されるべき蒸気が部分的に生成される。
その装置において、当初真空は10-6トルのオー
ダの減圧とされ、一方操作圧力は最大10-5トルで
あり、また有効な結果は直流70乃至120Vの電圧
間のアークを流れる電流100乃至250アンペアを要
することが見出されている。真空のこれらのレベ
ルはこれまで用いられて来たものより通常高く、
また用いられる電流は同様に可成り大きいもので
あつた。堆積速度は通常0.1乃至0.3g/分であつ
た。
ダの減圧とされ、一方操作圧力は最大10-5トルで
あり、また有効な結果は直流70乃至120Vの電圧
間のアークを流れる電流100乃至250アンペアを要
することが見出されている。真空のこれらのレベ
ルはこれまで用いられて来たものより通常高く、
また用いられる電流は同様に可成り大きいもので
あつた。堆積速度は通常0.1乃至0.3g/分であつ
た。
その装置は(本装置における場合のように)、
基体上にシリカ、ケイ化物または炭化物の被覆を
生成させるために用いることができ、基体上のシ
リコンの蒸着に関する基体物質とシリコンとの反
応によつてケイ化物を生成させるために用いるこ
とができ、あるいは基体を事実上凡ゆる所望の金
属または合金により被覆して保護皮膜あるいはそ
の他目的用皮膜を形成させるために用いることが
できた。
基体上にシリカ、ケイ化物または炭化物の被覆を
生成させるために用いることができ、基体上のシ
リコンの蒸着に関する基体物質とシリコンとの反
応によつてケイ化物を生成させるために用いるこ
とができ、あるいは基体を事実上凡ゆる所望の金
属または合金により被覆して保護皮膜あるいはそ
の他目的用皮膜を形成させるために用いることが
できた。
この装置の利用は広範囲に及ぶことが見出され
ており、そして冶金、化学、電気、電子、超真
空、光学、ロケツト、航空宇宙および原子力産業
用途が、それらの製品について見出すことができ
る。本方法は、鏡のような被覆の生成、リフレク
タの製造、耐食性被覆およびフイルムの塗装、平
坦および他の形状の製品、ならびに半導体成分、
オーム抵抗および支持体の表面改変が必要な凡ゆ
る場合における皮膜内の多層被覆を生成するため
に特に有効であることが理解されて来た。窒素を
減圧した空間に入れると金属窒化物被覆が形成さ
れるが、前記減圧空間の真空はその後、約2.5×
10-3トルで安定させる。蒸発した電極物質は窒素
と化合し、そして対応する窒化物が堆積される。
ており、そして冶金、化学、電気、電子、超真
空、光学、ロケツト、航空宇宙および原子力産業
用途が、それらの製品について見出すことができ
る。本方法は、鏡のような被覆の生成、リフレク
タの製造、耐食性被覆およびフイルムの塗装、平
坦および他の形状の製品、ならびに半導体成分、
オーム抵抗および支持体の表面改変が必要な凡ゆ
る場合における皮膜内の多層被覆を生成するため
に特に有効であることが理解されて来た。窒素を
減圧した空間に入れると金属窒化物被覆が形成さ
れるが、前記減圧空間の真空はその後、約2.5×
10-3トルで安定させる。蒸発した電極物質は窒素
と化合し、そして対応する窒化物が堆積される。
2電極装置は両電極の物質からその場所で化合
物を生成するために用いることができる。一方の
電極は高純度チタニウム、タングステン、アルミ
ニウムまたは銅から構成される金属電極であれば
よく、他方の電極はケイ化物、ホウ化物または炭
化物(またはケイ素、ホウ素または炭素)から成
るものでよい。その結果、堆積物は高純度金属の
ケイ化物、ホウ化物化物または炭化物となる。一
方の電極が黒鉛または炭化物であり、そして他方
がケイ化物であれば、炭化ケイ素がアークによつ
て生成され、そして堆積される。両電極がケイ化
物またはホウ化物であれば、被覆はケイ化物また
はホウ化物となる。
物を生成するために用いることができる。一方の
電極は高純度チタニウム、タングステン、アルミ
ニウムまたは銅から構成される金属電極であれば
よく、他方の電極はケイ化物、ホウ化物または炭
化物(またはケイ素、ホウ素または炭素)から成
るものでよい。その結果、堆積物は高純度金属の
ケイ化物、ホウ化物化物または炭化物となる。一
方の電極が黒鉛または炭化物であり、そして他方
がケイ化物であれば、炭化ケイ素がアークによつ
て生成され、そして堆積される。両電極がケイ化
物またはホウ化物であれば、被覆はケイ化物また
はホウ化物となる。
本発明の主目的は既知の原理を拡張し、その結
果支持体上の物質を堆積する改良された方法およ
び装置を提供し、それによつて先行技術の欠点を
回避することである。
果支持体上の物質を堆積する改良された方法およ
び装置を提供し、それによつて先行技術の欠点を
回避することである。
本発明の他の目的は、大きい面積および/また
は複雑な形状の基体上に物質を、比較的低いエネ
ルギー費用で、および改良された均一性をもつて
蒸着するための方法および装置を提供することに
ある。
は複雑な形状の基体上に物質を、比較的低いエネ
ルギー費用で、および改良された均一性をもつて
蒸着するための方法および装置を提供することに
ある。
更に本発明の目的は、複雑および/または大面
積の表面を高速被覆するための方法および装置を
提供することにある。
積の表面を高速被覆するための方法および装置を
提供することにある。
以下に明らかとなるであろうこれらおよび他の
目的は本発明により達成される。
目的は本発明により達成される。
すなわち本発明に係る蒸着方法では、上述の原
理が利用されるほか、この出願の発明者による次
の発見が利用される。
理が利用されるほか、この出願の発明者による次
の発見が利用される。
この発見によると、電極の長さの実質的な部分
を超えて、基体が真空中で被覆されるように基体
の表面と、被覆材料から成る細長い第1電極とが
並置されると共に、電弧電流が50〜90Aの範囲、
電弧電圧が30〜60Vの範囲で、第1電極の一端と
対向電極(第2電極)との間に電弧が発生され
る。かくして特に大面積の被覆が達成される。
を超えて、基体が真空中で被覆されるように基体
の表面と、被覆材料から成る細長い第1電極とが
並置されると共に、電弧電流が50〜90Aの範囲、
電弧電圧が30〜60Vの範囲で、第1電極の一端と
対向電極(第2電極)との間に電弧が発生され
る。かくして特に大面積の被覆が達成される。
驚くべきことに、2本の電極が引き離されて一
たび電弧を生じると、この電弧、この電弧の一
部、あるいはこの電弧によつて生じる加熱効果
は、上記細長い第1電極まわりにらせん状に移動
するように見える。そして上記電極を構成する材
料の蒸発が、対向電極(第2電極)から漸時遠ざ
かる通常のらせん形状の形でひき起こされる。
たび電弧を生じると、この電弧、この電弧の一
部、あるいはこの電弧によつて生じる加熱効果
は、上記細長い第1電極まわりにらせん状に移動
するように見える。そして上記電極を構成する材
料の蒸発が、対向電極(第2電極)から漸時遠ざ
かる通常のらせん形状の形でひき起こされる。
電弧の主要部分を形成するように思われる2本
の電極間の線状部分にその最大の伝導が正に存在
するのであろうにも拘らず、この電弧の一部又は
電弧の効果が、対向電極(第2電極)からはるか
に離れた第1電極の長さの領域に向け、この対向
電極から遠ざかるようにらせん運動を行うという
事実は甚だ驚くべき事柄である。
の電極間の線状部分にその最大の伝導が正に存在
するのであろうにも拘らず、この電弧の一部又は
電弧の効果が、対向電極(第2電極)からはるか
に離れた第1電極の長さの領域に向け、この対向
電極から遠ざかるようにらせん運動を行うという
事実は甚だ驚くべき事柄である。
この効果は次の事実によつて明白である。すな
わち被覆材料から成る細長い第1電極は、当初は
一様な断面を有するが、次第に対向電極に向つて
径の漸減するテーパー形状になる。また基体上へ
の電極素地による被覆は、第1電極の電弧を発生
する面からはるかに離れたところにも生じるよう
に見えることである。
わち被覆材料から成る細長い第1電極は、当初は
一様な断面を有するが、次第に対向電極に向つて
径の漸減するテーパー形状になる。また基体上へ
の電極素地による被覆は、第1電極の電弧を発生
する面からはるかに離れたところにも生じるよう
に見えることである。
ところで上記の効果は、実際には最初の電弧が
消滅したあとの短い間にも存続する。したがつて
2本の電極の接触および分離を周期的に行い電弧
を発生させて、そのとき電弧の消滅を許容するの
がよい。
消滅したあとの短い間にも存続する。したがつて
2本の電極の接触および分離を周期的に行い電弧
を発生させて、そのとき電弧の消滅を許容するの
がよい。
この発明の特徴としては、被覆材料から成る電
極を通常800〜1000〓の温度範囲に維持するべく
制御する手段が、電弧を生じる端から離れた側に
設けられることである。なおこの発明では、低電
圧、低電流および上記温度条件の下で、被覆材料
から成る電極の材料蒸発速度が、従来のシステム
における材料蒸発速度の1.5〜2.0倍にまで増大す
る。また被覆材料から成る電極の素材としては、
実際に凡ての金属、合金、炭化物およびケイ化物
が使用可能である。また基体上には、金属や合金
に加えて、炭化物、ホウ化物、ケイ化物および窒
化物を蒸着させることができる。
極を通常800〜1000〓の温度範囲に維持するべく
制御する手段が、電弧を生じる端から離れた側に
設けられることである。なおこの発明では、低電
圧、低電流および上記温度条件の下で、被覆材料
から成る電極の材料蒸発速度が、従来のシステム
における材料蒸発速度の1.5〜2.0倍にまで増大す
る。また被覆材料から成る電極の素材としては、
実際に凡ての金属、合金、炭化物およびケイ化物
が使用可能である。また基体上には、金属や合金
に加えて、炭化物、ホウ化物、ケイ化物および窒
化物を蒸着させることができる。
本発明ではエネルギー消費量の低下にも拘らず
被覆材料の電極からの蒸発速度が増大している
が、その理由は完全には理解されていない。しか
し電弧の移動が別の貯留溶融相を、電極のより広
い範囲に亘つて拡大する点にその理由があるのか
も知れない。
被覆材料の電極からの蒸発速度が増大している
が、その理由は完全には理解されていない。しか
し電弧の移動が別の貯留溶融相を、電極のより広
い範囲に亘つて拡大する点にその理由があるのか
も知れない。
本発明の上記およびその他の目的、特徴および
効果は添付図面を参照することにより以下の記載
からより容易に明らかとなろう。
効果は添付図面を参照することにより以下の記載
からより容易に明らかとなろう。
第1図には、基体上に鏡状保護被覆を得るた
め、あるいは耐熱正および耐火性金属を含む各種
金属または金属合金を蒸発してその被覆を基体に
対し施すための本発明による簡単なアーク法を利
用する装置が示されている。
め、あるいは耐熱正および耐火性金属を含む各種
金属または金属合金を蒸発してその被覆を基体に
対し施すための本発明による簡単なアーク法を利
用する装置が示されている。
第1図から明らかなように、基本装置は真空室
(図示せず)を備えており、これは第6図の真空
室と類似したものでよく、その内部で金属電極1
が電極供給器7によつて電極本体2に向つて供給
され、溶融金属のプール3にアーク4がとばされ
てそれが形成される。
(図示せず)を備えており、これは第6図の真空
室と類似したものでよく、その内部で金属電極1
が電極供給器7によつて電極本体2に向つて供給
され、溶融金属のプール3にアーク4がとばされ
てそれが形成される。
電極本体2は取付具またはホルダー5中に保持
され、そして直流電流供給源がアーク電流を従来
のアーク安定化回路8を経由して電極1および本
体2間に印加する。
され、そして直流電流供給源がアーク電流を従来
のアーク安定化回路8を経由して電極1および本
体2間に印加する。
比較的小さな横断面の電極1と共に、この電極
の過熱を阻止する温度調整器6を設けるのが有利
であることが見出されている。
の過熱を阻止する温度調整器6を設けるのが有利
であることが見出されている。
本体2の横断面は電極1の横断面よりも可成り
大きいので、プール3は本体2の、その場所に形
成された凹部内に存在している。
大きいので、プール3は本体2の、その場所に形
成された凹部内に存在している。
実施例 1
チタン、アルミニウム、タングステン、タンタ
ルまたは銅から成る電極1および2を利用する第
1の装置に、温度5000°乃至7000〓でアークをと
ばしてプール3の金属の蒸気を発生させるが、該
プールは基体10に対し10乃至15cmの距離を横切
つており、そして金属の被覆をその上に形成す
る。プール3は電極1および2により提供される
金属の混合物により形成され、従つて基体上に2
本の電極から成る金属の合金を堆積する。好まし
くは電極はチタンから構成され、一方溶融金属は
主としてアルミニウム、タングステン、タンタル
または銅から成つている。
ルまたは銅から成る電極1および2を利用する第
1の装置に、温度5000°乃至7000〓でアークをと
ばしてプール3の金属の蒸気を発生させるが、該
プールは基体10に対し10乃至15cmの距離を横切
つており、そして金属の被覆をその上に形成す
る。プール3は電極1および2により提供される
金属の混合物により形成され、従つて基体上に2
本の電極から成る金属の合金を堆積する。好まし
くは電極はチタンから構成され、一方溶融金属は
主としてアルミニウム、タングステン、タンタル
または銅から成つている。
第1図の装置は、実質的な変更なしに基体上に
ケイ化物被覆を生成するためもしくは炭化物また
はケイ化物を、そして基体上に炭化ケイ素の層さ
え形成するために炭化物の保護被覆を生成させる
非るつぼ(noncrucible)法において利用するこ
とができる。
ケイ化物被覆を生成するためもしくは炭化物また
はケイ化物を、そして基体上に炭化ケイ素の層さ
え形成するために炭化物の保護被覆を生成させる
非るつぼ(noncrucible)法において利用するこ
とができる。
基体上に炭化ケイ素一炭化タングステン層を堆
積するため、電極2は黒鉛から構成され、一方電
極1はケイ化タングステンから成つている。真空
は当初10-6トルに引き、そして10-5トル以下に維
持する。直流アーク発生電圧は100V、そしてア
ーク電流は150アンペアである。堆積物は約0.2
g/分の速度で生成する。
積するため、電極2は黒鉛から構成され、一方電
極1はケイ化タングステンから成つている。真空
は当初10-6トルに引き、そして10-5トル以下に維
持する。直流アーク発生電圧は100V、そしてア
ーク電流は150アンペアである。堆積物は約0.2
g/分の速度で生成する。
この場合、第1図の装置は通常の真空室内で用
いられるが、電極1はケイ素または炭素から構成
され、一方電極2はそのケイ化物または炭化物か
ら成るか、あるいは基体上にケイ素を堆積する場
合には、ケイ素から成つている。
いられるが、電極1はケイ素または炭素から構成
され、一方電極2はそのケイ化物または炭化物か
ら成るか、あるいは基体上にケイ素を堆積する場
合には、ケイ素から成つている。
たとえば、基体10上に炭化ケイ素を堆積させ
たいときは、電極1はケイ素から成り、そして電
極2は炭素ブロツクから成つていて、その中にケ
イ素のプールと溶解炭素が受けられている。
たいときは、電極1はケイ素から成り、そして電
極2は炭素ブロツクから成つていて、その中にケ
イ素のプールと溶解炭素が受けられている。
蒸気は基体上に移動され、そして基体上の炭化
ケイ素層に堆積される。基体はチタンであればよ
く、そして基体上に形成される堆積物は、ケイ化
チタンと炭化チタンとの混合物であればよい。
ケイ素層に堆積される。基体はチタンであればよ
く、そして基体上に形成される堆積物は、ケイ化
チタンと炭化チタンとの混合物であればよい。
あるいは、電極1がケイ素または炭素から構成
され、そして電極本体2がチタンから構成される
場合には、異なつた組成から成る基体上に炭化チ
タンまたはケイ化物を堆積させることができる。
され、そして電極本体2がチタンから構成される
場合には、異なつた組成から成る基体上に炭化チ
タンまたはケイ化物を堆積させることができる。
僅かな酸化雰囲気を減圧室内にもたらすと、二
酸化ケイ素堆積物が基体上に形成される。
酸化ケイ素堆積物が基体上に形成される。
明らかに第1図の装置は特に半導体の製造に有
効である。
効である。
温度調整器6は電極1の長さに沿つて対にして
もよく、追加の温度調整器は電極本体2のために
設けて、その過熱を阻止する。
もよく、追加の温度調整器は電極本体2のために
設けて、その過熱を阻止する。
電極1または本体2のいずれかがケイ素から成
り、そして他方が炭素から成る場合、炭化ケイ素
が反応により生成され、そして元のケイ素および
炭素の純度よりも高純度で堆積される。
り、そして他方が炭素から成る場合、炭化ケイ素
が反応により生成され、そして元のケイ素および
炭素の純度よりも高純度で堆積される。
両電極がケイ素から構成される場合、高純度シ
リカおよびケイ素堆積物が、半導体の被覆用に特
に望ましいように得ることができる。
リカおよびケイ素堆積物が、半導体の被覆用に特
に望ましいように得ることができる。
第2図の装置は大体第1図の装置と類似である
が、若干異なつた原理の下で作動する。すなわ
ち、蒸発は少なくとも部分的に湿潤上部電極10
1から行われる。
が、若干異なつた原理の下で作動する。すなわ
ち、蒸発は少なくとも部分的に湿潤上部電極10
1から行われる。
この形態において、第1図の要素に対応するも
のには100位だけが異なる類似の参照数字を用い
るものとする。
のには100位だけが異なる類似の参照数字を用い
るものとする。
第2図中、電極供給器107は垂直方向往復機
112に接続され、これは電極101の尖端を電
極本体102中に形成された溶融金属のプール1
03内に周期的に浸すように矢印114の方向に
電極101に対し往復運動を付与するものであ
る。
112に接続され、これは電極101の尖端を電
極本体102中に形成された溶融金属のプール1
03内に周期的に浸すように矢印114の方向に
電極101に対し往復運動を付与するものであ
る。
アーク104を再びとばすためにこのプールか
ら上昇すると、電極101上の溶融金属の被覆1
13が蒸発され、そして基体110上に堆積物が
形成される。
ら上昇すると、電極101上の溶融金属の被覆1
13が蒸発され、そして基体110上に堆積物が
形成される。
電極本体102はホルダー105中に示されて
おり、そしてアーク電流の供給は直流電源109
により行われ、また安定器108は上記した通り
であり、更に電極101には温度調整器106が
設けられている。
おり、そしてアーク電流の供給は直流電源109
により行われ、また安定器108は上記した通り
であり、更に電極101には温度調整器106が
設けられている。
この装置は、電極101がチタンから構成さ
れ、そしてプール103がアルミニウムから形成
される場合には先の実施例の変形として特に有効
であることが見出されている。
れ、そしてプール103がアルミニウムから形成
される場合には先の実施例の変形として特に有効
であることが見出されている。
第3図には、本発明の実施態様を示すが、この
場合蒸気はるつぼ217に下方に配置された基体
210上に堆積される。前記るつぼは上部開放リ
ング状であつて、溶融金属203を含有してお
り、ホルダー乃至フレーム205に装着されてい
る。
場合蒸気はるつぼ217に下方に配置された基体
210上に堆積される。前記るつぼは上部開放リ
ング状であつて、溶融金属203を含有してお
り、ホルダー乃至フレーム205に装着されてい
る。
ここで、上部部電極201は球形区分の形状を
有していて、これはリフレクターとして機能し、
その結果アーク204を第1電極である電極20
1と、第2電極であるるつぼ217内の融成物と
の間にとばすと、矢印219で示されるように蒸
気は上方へ進み、そしてこれらは下方へ反射され
て矢印218で示すように、基体210上に集中
する。
有していて、これはリフレクターとして機能し、
その結果アーク204を第1電極である電極20
1と、第2電極であるるつぼ217内の融成物と
の間にとばすと、矢印219で示されるように蒸
気は上方へ進み、そしてこれらは下方へ反射され
て矢印218で示すように、基体210上に集中
する。
直流電源209は、ここでは安定器208を経
由して電極201とるつぼ217間に接続されて
おり、そしてロツド216に装着された上部電極
201は供給器207によつて垂直位置が定めら
れ、そして蒸発金属を覆う電極201の位置を調
整する補助機構215によつ水平位置が定められ
る。
由して電極201とるつぼ217間に接続されて
おり、そしてロツド216に装着された上部電極
201は供給器207によつて垂直位置が定めら
れ、そして蒸発金属を覆う電極201の位置を調
整する補助機構215によつ水平位置が定められ
る。
本実施態様において、電極201はチタン、モ
リブデンまたはダングステンから構成され、一方
溶融金属はアルミニウムまたは銅から成り、そし
てるつぼ217は黒鉛製である。
リブデンまたはダングステンから構成され、一方
溶融金属はアルミニウムまたは銅から成り、そし
てるつぼ217は黒鉛製である。
第4図には本発明の一実施態様が示されてお
り、ここでは蒸気が下方へ流れて支持体310に
堆積する。
り、ここでは蒸気が下方へ流れて支持体310に
堆積する。
この場合、溶融金属303を収容する上部開放
るつぼ317には322で示されるとりべまたは
他の供給源からの追加の溶融金属あるいはるつぼ
317において溶融される固体金属が供給され
る。後者は誘導加熱器323のような補助手段で
あつてホルダー305中に支持されるものにより
加熱することができる。
るつぼ317には322で示されるとりべまたは
他の供給源からの追加の溶融金属あるいはるつぼ
317において溶融される固体金属が供給され
る。後者は誘導加熱器323のような補助手段で
あつてホルダー305中に支持されるものにより
加熱することができる。
るつぼ317の底には開口321が設けられて
おり、ここから溶融金属の液滴が現われ、これら
の液滴は第1電極である電極301と、第2電極
であるるつぼ317の底との間にアーク304を
とばすことによつて蒸発される。
おり、ここから溶融金属の液滴が現われ、これら
の液滴は第1電極である電極301と、第2電極
であるるつぼ317の底との間にアーク304を
とばすことによつて蒸発される。
アークの領域における温度は補助誘導手段32
4によつて制御され、そして電極301は冷却要
素306により示されるように冷却することが可
能である。
4によつて制御され、そして電極301は冷却要
素306により示されるように冷却することが可
能である。
電極301は電極ホルダー307によつてるつ
ぼ317に向かつて供給され、そしてアークは直
流電源309に接続されたアーク安定器308に
より維持される。
ぼ317に向かつて供給され、そしてアークは直
流電源309に接続されたアーク安定器308に
より維持される。
本実施態様において溶融金属は銅であつてよ
い。補助装置324の代りに、被覆すべき基体を
この位置に設けてもよい。たとえば、チタンリン
グの形で設ければ、これは被覆の形態で蒸気を収
集できる。
い。補助装置324の代りに、被覆すべき基体を
この位置に設けてもよい。たとえば、チタンリン
グの形で設ければ、これは被覆の形態で蒸気を収
集できる。
第5図の実施態様では、溶融金属が蒸発し、そ
れは閉鎖空間内で形成されるので、蒸気は基体4
10上の開口425を介して放出される。
れは閉鎖空間内で形成されるので、蒸気は基体4
10上の開口425を介して放出される。
この場合、液体のプールは、電極供給器407
を介する第一電極401を中央せん孔426を経
由して第2電極である電極402内へ供給する
が、このとき電極401は案内を形成する絶縁ス
リーブを通過し、それによりホルダー405で支
持された電極402を溶融することによつて形成
される。温度調整器406は2本の電極の周りで
アーク404に近接して設けられて開口425の
前方の領域における過熱を阻止する。堆積物は基
体410上に形成される。
を介する第一電極401を中央せん孔426を経
由して第2電極である電極402内へ供給する
が、このとき電極401は案内を形成する絶縁ス
リーブを通過し、それによりホルダー405で支
持された電極402を溶融することによつて形成
される。温度調整器406は2本の電極の周りで
アーク404に近接して設けられて開口425の
前方の領域における過熱を阻止する。堆積物は基
体410上に形成される。
電流はアーク安定器408および直流電源40
9を介して先に説明したように、電極間に供給さ
れる。
9を介して先に説明したように、電極間に供給さ
れる。
第6図はポータブル・ボルタ・アーク装置を示
し、これは前述の原理を利用する反射性、耐食
性、保護性ならびに半導体タイプ金属、ケイ化物
および炭化物被覆を堆積するための装置である。
し、これは前述の原理を利用する反射性、耐食
性、保護性ならびに半導体タイプ金属、ケイ化物
および炭化物被覆を堆積するための装置である。
この装置は真空室500を含んで構成され、こ
れはその上端にハンドル530が形成されてい
て、このポータブルユニツトの運搬を容易にする
ことができる。
れはその上端にハンドル530が形成されてい
て、このポータブルユニツトの運搬を容易にする
ことができる。
この室内には、中空球体517が設けられてお
り、この下部は溶融金属503用のるつぼを形成
しており、内部は高温耐熱性(耐火性)物質、た
とえば酸化アルミニウムで被覆されている。
り、この下部は溶融金属503用のるつぼを形成
しており、内部は高温耐熱性(耐火性)物質、た
とえば酸化アルミニウムで被覆されている。
この球体の上部は531において反射層によつ
て被覆されており、これは浴から反射された熱を
浴上に集中し返えすものである。
て被覆されており、これは浴から反射された熱を
浴上に集中し返えすものである。
アーク504は第1電極である電極501と第
2電極502に繁がる浴503との間にとばさ
れ、電極はユニツト507によつて該電極物質が
消耗されたとき、浴に向かつて供給される。
2電極502に繁がる浴503との間にとばさ
れ、電極はユニツト507によつて該電極物質が
消耗されたとき、浴に向かつて供給される。
追加の金属、たとえば固体状のものはロツド5
32として浴に供給され、これはまた、供給器5
33′に接続されているので、浴が消耗したとき
には追加の金属がこれに供給される。
32として浴に供給され、これはまた、供給器5
33′に接続されているので、浴が消耗したとき
には追加の金属がこれに供給される。
電極501と浴503はアーク安定器の対向タ
ーミナルに接続されており、また直流電源は前述
したところと同様である。
ーミナルに接続されており、また直流電源は前述
したところと同様である。
管状電極2はロツド532を包囲している。室
500の下部にはエアポンプ533が設けられて
おり、該エアポンプは中空球体517ならびに真
空ホース534、弁535を経由するアダプタ5
36を含む室を減圧するが、該アダプタは外方へ
拡がる形状を有し、これは中球体517の横方向
開口525に接続されている。
500の下部にはエアポンプ533が設けられて
おり、該エアポンプは中空球体517ならびに真
空ホース534、弁535を経由するアダプタ5
36を含む室を減圧するが、該アダプタは外方へ
拡がる形状を有し、これは中球体517の横方向
開口525に接続されている。
アダプタ536は加熱コイル537を設けて、
その上への望ましくない蒸気の凝縮を阻止するこ
とができる。
その上への望ましくない蒸気の凝縮を阻止するこ
とができる。
開口525とアダプタ536との間には真空ロ
ツク538および異なつた形状および寸法を有す
る各種アダプタを保持するための取付装置539
が設けられている。
ツク538および異なつた形状および寸法を有す
る各種アダプタを保持するための取付装置539
が設けられている。
アダプタ536にも、真空ガスケツト540が
設けられており、それによつてアダプタは被覆す
べき基体510を支えることができる。
設けられており、それによつてアダプタは被覆す
べき基体510を支えることができる。
第6図に示すポータブルユニツトは被覆すべき
基体510の場所に運ばれ、そして適切なアダプ
タ536が取付具539および被覆すべき表面5
10に押付けられるガスケツト540に装着され
る。アーク電流が供給され、そして装置がエアポ
ンプ533によつて減圧され、それによつて金属
が溶融され、中空球体内に浴503が形成され
る。次にゲート538が開放され、そして蒸気が
弁535により制御されると圧力差によつて少な
くとも一部分は基体510上に通過させられる
が、前記弁は球体517の内部とアダプタ536
との間に維持される。
基体510の場所に運ばれ、そして適切なアダプ
タ536が取付具539および被覆すべき表面5
10に押付けられるガスケツト540に装着され
る。アーク電流が供給され、そして装置がエアポ
ンプ533によつて減圧され、それによつて金属
が溶融され、中空球体内に浴503が形成され
る。次にゲート538が開放され、そして蒸気が
弁535により制御されると圧力差によつて少な
くとも一部分は基体510上に通過させられる
が、前記弁は球体517の内部とアダプタ536
との間に維持される。
実用上、如何なる生成物を如何なる場所でも被
覆することができ、異なつた形状および寸法の各
種アダプタの利用が、たとえ複雑な物体の被覆で
すら、それらが用いられる領域から移動すること
なく行うことができる。装置はダクト等の内側に
被覆を提供するために利用できるようにコラプシ
ブルにしてもよい。
覆することができ、異なつた形状および寸法の各
種アダプタの利用が、たとえ複雑な物体の被覆で
すら、それらが用いられる領域から移動すること
なく行うことができる。装置はダクト等の内側に
被覆を提供するために利用できるようにコラプシ
ブルにしてもよい。
図面に示した装置は、アダプタ536を用いな
いで、宇宙空間における個人用推進体または装置
として用いられることができる。
いで、宇宙空間における個人用推進体または装置
として用いられることができる。
アークの生成によつて、操作者には単にゲート
538を開放することのみが必要とされて、開口
525を経由して流れを排出し、そして反対方向
における推進を行う。宇宙空間における真空は装
置に関し自然の真空をもたらし、それでエアポン
プ533は不要となる。宇宙空間利用に際して、
実用上見出されるどんな排出物も容器517内で
利用してこの種の推進力を発生させることができ
る。
538を開放することのみが必要とされて、開口
525を経由して流れを排出し、そして反対方向
における推進を行う。宇宙空間における真空は装
置に関し自然の真空をもたらし、それでエアポン
プ533は不要となる。宇宙空間利用に際して、
実用上見出されるどんな排出物も容器517内で
利用してこの種の推進力を発生させることができ
る。
第7図には、前述した特徴と上に開発した概念
とを組合せた本発明の実施態様が示されている。
とを組合せた本発明の実施態様が示されている。
この装置において、これは複雑な形状の基体を
形成するチユーブ610の内表面610a上に被
覆610′を堆積するために用いることができ、
対応する形状の第1電極602はサポート602
a上のチユーブの中心に装着されており、そして
温度コントローラ606の誘導加熱コイル606
aを備えており、該コントローラはその温度を
800乃至1000〓の範囲に従来のフイードバツク制
御回路によつて一定に維持するために第1電極6
02の温度に応答する熱電対606bまたは同様
な温度センサを備えていてよい。
形成するチユーブ610の内表面610a上に被
覆610′を堆積するために用いることができ、
対応する形状の第1電極602はサポート602
a上のチユーブの中心に装着されており、そして
温度コントローラ606の誘導加熱コイル606
aを備えており、該コントローラはその温度を
800乃至1000〓の範囲に従来のフイードバツク制
御回路によつて一定に維持するために第1電極6
02の温度に応答する熱電対606bまたは同様
な温度センサを備えていてよい。
先の実施態様におけるように、基体および基体
上に堆積すべき物質の供給源は真空室600に包
囲されており、該真空室は10-6トルに減圧するこ
とができ、その結果真空蒸着は10-5トルで行うこ
とができる。
上に堆積すべき物質の供給源は真空室600に包
囲されており、該真空室は10-6トルに減圧するこ
とができ、その結果真空蒸着は10-5トルで行うこ
とができる。
第1電極602の端部には第2電極601が設
けられており、この第2電極は電気的制御往復ド
ライヴ607により電極602に向かい、また離
れて往復運動することが可能である。該ドライブ
はゼロ電流検出器607aに対応して作動するこ
とが可能で、その結果アーク電流が完全に減衰す
ると、電極601は左へ移動して電極602の端
部602aに接触し、そして次に引張られてアー
クを再確立する。アーク電流は脈動直流電源60
9によつてもたらされ、これを越えてアーク安定
器608、すなわちアーク電流とアーク電圧のパ
ラメータがこれら回路によつて50乃至90アンペア
および30乃至60Vの範囲内に調節される。
けられており、この第2電極は電気的制御往復ド
ライヴ607により電極602に向かい、また離
れて往復運動することが可能である。該ドライブ
はゼロ電流検出器607aに対応して作動するこ
とが可能で、その結果アーク電流が完全に減衰す
ると、電極601は左へ移動して電極602の端
部602aに接触し、そして次に引張られてアー
クを再確立する。アーク電流は脈動直流電源60
9によつてもたらされ、これを越えてアーク安定
器608、すなわちアーク電流とアーク電圧のパ
ラメータがこれら回路によつて50乃至90アンペア
および30乃至60Vの範囲内に調節される。
実際に、一度例示した装置を用いてアークをと
ばすと、アーク自体、蒸発効果または若干のその
他の電磁的現象が現われて通常はらせん形で矢印
Aにより表わされるよう進行し、そこではアーク
発生位置と蒸着が第1電極602の全長にわたつ
て生じ、該電極はこの現象をこうむり、すなわ
ち、アークが減衰するまでこの現象が有効である
全長にわたつてこうむるものである。
ばすと、アーク自体、蒸発効果または若干のその
他の電磁的現象が現われて通常はらせん形で矢印
Aにより表わされるよう進行し、そこではアーク
発生位置と蒸着が第1電極602の全長にわたつ
て生じ、該電極はこの現象をこうむり、すなわ
ち、アークが減衰するまでこの現象が有効である
全長にわたつてこうむるものである。
電極602からの物質損失は徐々に該電極を第
7図中の602bの点鎖線によつて示されるよう
にテーパーのついた形状と変える。
7図中の602bの点鎖線によつて示されるよう
にテーパーのついた形状と変える。
該テーパーが、基体からの電極の後退を生ずる
という事実は何らの重大な問題を生ずるものでは
ない。それは最大の堆積は最大の後退の領域にお
いてみられ、従つて究極的な被覆はそれが基体に
沿つて進行するので非常に均一なものである。
という事実は何らの重大な問題を生ずるものでは
ない。それは最大の堆積は最大の後退の領域にお
いてみられ、従つて究極的な被覆はそれが基体に
沿つて進行するので非常に均一なものである。
本発明の装置は、被覆物質の非常に薄い厚みを
もつて感温性物質を被覆するのに特に有用であ
る。それはこの被覆が特に迅速であつて、また基
体を顕著に加熱することなく堆積を行うことが可
能だからである。
もつて感温性物質を被覆するのに特に有用であ
る。それはこの被覆が特に迅速であつて、また基
体を顕著に加熱することなく堆積を行うことが可
能だからである。
実施例 2
図示した形状の銅電極602を基体チユーブ内
に、基体から約10cmの電極602の当初間隙をも
つて設ける。電極は温度900〓に維持し、そして
アークを先に述べた方法で一端においてとばす。
アーク電流は約70アンペアであり、そして電極6
01を引下げた後電圧を印下して生成したアーク
は約40アンペアである。これらの条件下での電極
602からの蒸発速度は実施例1における蒸発速
度を超えている。
に、基体から約10cmの電極602の当初間隙をも
つて設ける。電極は温度900〓に維持し、そして
アークを先に述べた方法で一端においてとばす。
アーク電流は約70アンペアであり、そして電極6
01を引下げた後電圧を印下して生成したアーク
は約40アンペアである。これらの条件下での電極
602からの蒸発速度は実施例1における蒸発速
度を超えている。
第1図は本発明の一実施態様により蒸着を行う
ための装置を示す立面における線図、第2図は他
の装置の類似の線図であるが、蒸着物質が垂直方
向往復電極上に収集されているものを示す線図、
第3図は金属のプールの下に配置された基体上に
物質を堆積するための装置を示す垂直断面におけ
る線図、第4図は本発明の他の実施態様を示す第
3図に類似の線図、第5図は本発明による基体上
に物質を堆積するための他の装置を示す軸方向横
断面図、第6図は本発明を実施するための非常に
コンパクトなポータブル装置の軸方向横断面図、
そして第7図は本発明を実施するための他の装置
を示す線図的横断面図である。 1,101,201,301,401,50
1,602……電極、2,102,402,50
2,601……電極本体(第2電極)、3,10
3,203,303,503……プール、4,1
04,304,404,504……アーク、1
0,110,210,310,410,510,
610……基体、109,209,309,40
9……直流電源、500,600……真空室。
ための装置を示す立面における線図、第2図は他
の装置の類似の線図であるが、蒸着物質が垂直方
向往復電極上に収集されているものを示す線図、
第3図は金属のプールの下に配置された基体上に
物質を堆積するための装置を示す垂直断面におけ
る線図、第4図は本発明の他の実施態様を示す第
3図に類似の線図、第5図は本発明による基体上
に物質を堆積するための他の装置を示す軸方向横
断面図、第6図は本発明を実施するための非常に
コンパクトなポータブル装置の軸方向横断面図、
そして第7図は本発明を実施するための他の装置
を示す線図的横断面図である。 1,101,201,301,401,50
1,602……電極、2,102,402,50
2,601……電極本体(第2電極)、3,10
3,203,303,503……プール、4,1
04,304,404,504……アーク、1
0,110,210,310,410,510,
610……基体、109,209,309,40
9……直流電源、500,600……真空室。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 被覆材料の少なくとも1成分から成りかつ細
長い第1電極の長手方向に沿つてこの第1電極と
基体の表面とが並置され、 この並置された部分の空間を少なくとも
10-5torrに減圧すると共に、被覆工程中のこの空
間の圧力を実質的に10-5torrを超えて高めないよ
うに維持し、 電圧はほぼ30〜60Vの範囲にかつ電流はほぼ50
〜90Aの範囲に保持して上記第1電極の一端と、
これに対向する第2電極との間に電弧を発生させ
て上記第1電極をこの電弧後方のほぼ全長に亘り
蒸発させると共に、 上記基体をほぼその全長に亘りこの蒸発させた
被覆材料にて被覆することを特徴とする電気で気
化された材料によつて基体を被覆する方法。 2 上記電弧の減衰を監視し、減衰するときは上
記第1電極の一端を上記第2電極と接触させて電
弧を再発生させる請求項1記載の方法。 3 上記第1電極の温度がほぼ800〜1000〓の範
囲に維持制御される請求項1記載の方法。 4 チユーブ状をした上記基体の複雑な形状に上
記第1電極の形状を合せると共に、このチユーブ
状をした基体に上記第1電極を挿入する請求項1
記載の方法。 5 電弧が発生する上記一端とは反対側の上記第
1電極の他端を加熱して被覆中におけるこの第1
電極の温度をほぼ800〜1000〓の範囲に維持する
請求項1記載の方法。 6 細長くかつ少くとも一部が形状の複雑な基体
表面を形成するべき被覆材料から成る電極を有
し、この電極は上記基体の複雑な表面形状に一致
する形状と、電弧をこの電極の一端に発生させて
この電極から被覆材料を蒸発させる手段と、この
電極の他端を加熱する手段と、上記電極と上記基
体間の空間をせいぜい10-5torrに減圧する手段と
をそれぞれ具備する装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US494302 | 1983-05-13 | ||
US06494302 US4609564C2 (en) | 1981-02-24 | 1983-05-13 | Method of and apparatus for the coating of a substrate with material electrically transformed into a vapor phase |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59211574A JPS59211574A (ja) | 1984-11-30 |
JPH0373631B2 true JPH0373631B2 (ja) | 1991-11-22 |
Family
ID=23963918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59094755A Granted JPS59211574A (ja) | 1983-05-13 | 1984-05-14 | 電気で気化された材料によって基体を被覆する方法およびその装置 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4609564C2 (ja) |
JP (1) | JPS59211574A (ja) |
CA (1) | CA1213852A (ja) |
CH (1) | CH662823A5 (ja) |
DE (1) | DE3417462C3 (ja) |
FR (1) | FR2545839B1 (ja) |
GB (1) | GB2139648B (ja) |
IL (1) | IL71643A (ja) |
IT (1) | IT1173587B (ja) |
SE (1) | SE458205B (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL74360A (en) * | 1984-05-25 | 1989-01-31 | Wedtech Corp | Method of coating ceramics and quartz crucibles with material electrically transformed into a vapor phase |
US4628174A (en) * | 1984-09-17 | 1986-12-09 | General Electric Company | Forming electrical conductors in long microdiameter holes |
JPS6224916A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-02-02 | Masahiko Suzuki | 放電加工による表面層の形成方法 |
DE3700633C2 (de) * | 1987-01-12 | 1997-02-20 | Reinar Dr Gruen | Verfahren und Vorrichtung zum schonenden Beschichten elektrisch leitender Gegenstände mittels Plasma |
GB2202237A (en) * | 1987-03-12 | 1988-09-21 | Vac Tec Syst | Cathodic arc plasma deposition of hard coatings |
EP0298157B1 (en) * | 1987-06-29 | 1992-09-02 | Hauzer Holding B.V. | Method and device for coating cavities of objects |
US4869203A (en) * | 1988-07-18 | 1989-09-26 | Vapor Technologies Inc. | Apparatus for coating a metal gas-pressure bottle or tank |
US4859489A (en) * | 1988-07-18 | 1989-08-22 | Vapor Technologies Inc. | Method of coating a metal gas-pressure bottle or tank |
US4898623A (en) * | 1988-12-09 | 1990-02-06 | Vapor Technologies Inc. | Method of shaping hard difficult-to-roll alloys |
US5194128A (en) * | 1989-07-12 | 1993-03-16 | Thermo Electron Technologies Corporation | Method for manufacturing ultrafine particles |
US5062936A (en) * | 1989-07-12 | 1991-11-05 | Thermo Electron Technologies Corporation | Method and apparatus for manufacturing ultrafine particles |
US5037522B1 (en) * | 1990-07-24 | 1996-07-02 | Vergason Technology Inc | Electric arc vapor deposition device |
US5393575A (en) * | 1992-03-03 | 1995-02-28 | Esterlis; Moisei | Method for carrying out surface processes |
US5480527A (en) * | 1994-04-25 | 1996-01-02 | Vapor Technologies, Inc. | Rectangular vacuum-arc plasma source |
US5830540A (en) * | 1994-09-15 | 1998-11-03 | Eltron Research, Inc. | Method and apparatus for reactive plasma surfacing |
US6009829A (en) * | 1997-08-30 | 2000-01-04 | United Technologies Corporation | Apparatus for driving the arc in a cathodic arc coater |
US5972185A (en) * | 1997-08-30 | 1999-10-26 | United Technologies Corporation | Cathodic arc vapor deposition apparatus (annular cathode) |
US6036828A (en) * | 1997-08-30 | 2000-03-14 | United Technologies Corporation | Apparatus for steering the arc in a cathodic arc coater |
US5932078A (en) * | 1997-08-30 | 1999-08-03 | United Technologies Corporation | Cathodic arc vapor deposition apparatus |
US6358323B1 (en) * | 1998-07-21 | 2002-03-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improved control of process and purge material in a substrate processing system |
US6735854B1 (en) * | 1998-07-27 | 2004-05-18 | Honeywell International, Inc. | Method for forming an electro-mechanical device |
US6096391A (en) * | 1998-10-16 | 2000-08-01 | Wilson Greatbatch Ltd. | Method for improving electrical conductivity of metals, metal alloys and metal oxides |
US6187089B1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-02-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Tungsten doped crucible and method for preparing same |
AUPR054000A0 (en) * | 2000-10-04 | 2000-10-26 | Austai Motors Designing Pty Ltd | A planetary gear apparatus |
US6395151B1 (en) * | 2000-10-26 | 2002-05-28 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Vacuum ARC vapor deposition method and apparatus for applying identification symbols to substrates |
US6479108B2 (en) | 2000-11-15 | 2002-11-12 | G.T. Equipment Technologies, Inc. | Protective layer for quartz crucibles used for silicon crystallization |
US20040118156A1 (en) * | 2001-03-08 | 2004-06-24 | Gabriele Korus | Method of producing a quartz glass crucible |
GB2375725A (en) * | 2001-05-26 | 2002-11-27 | Siemens Ag | Blasting metallic surfaces |
US6749685B2 (en) * | 2001-08-16 | 2004-06-15 | Cree, Inc. | Silicon carbide sublimation systems and associated methods |
US6866752B2 (en) * | 2001-08-23 | 2005-03-15 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method of forming ultra thin film devices by vacuum arc vapor deposition |
US6936145B2 (en) * | 2002-02-28 | 2005-08-30 | Ionedge Corporation | Coating method and apparatus |
US7867366B1 (en) | 2004-04-28 | 2011-01-11 | Alameda Applied Sciences Corp. | Coaxial plasma arc vapor deposition apparatus and method |
US8038858B1 (en) | 2004-04-28 | 2011-10-18 | Alameda Applied Sciences Corp | Coaxial plasma arc vapor deposition apparatus and method |
WO2006081171A1 (en) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Amgen Inc. | Humanized anti-amyloid antibody |
US20080210565A1 (en) * | 2005-08-08 | 2008-09-04 | Shou-Hui Chen | Method of Surface Treatment for Metal and Nonmetal Surfaces |
US7524385B2 (en) * | 2006-10-03 | 2009-04-28 | Elemetric, Llc | Controlled phase transition of metals |
US8414893B2 (en) | 2007-12-21 | 2013-04-09 | Amgen Inc. | Anti-amyloid antibodies and uses thereof |
WO2011099110A1 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | Kaneko Kyojiro | シリコン真空溶解法 |
EP2748355B1 (en) * | 2011-08-26 | 2016-08-10 | Consarc Corporation | Purification of a metalloid by consumable electrode vacuum arc remelt process |
EP2602354A1 (en) | 2011-12-05 | 2013-06-12 | Pivot a.s. | Filtered cathodic vacuum arc deposition apparatus and method |
KR101879274B1 (ko) * | 2012-01-09 | 2018-08-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 저온 증착 장치 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB191418970A (en) * | 1913-08-23 | Schlueter Hermann | Process for Producing Metallic Coatings. | |
US1221104A (en) * | 1913-10-07 | 1917-04-03 | Georg Stolle | Process for making coatings of fusible substances. |
DE767858C (de) * | 1936-06-09 | 1954-03-29 | Rudolf Maier Dr | Verfahren, um Metalle, Metallegierungen und schwer in den Dampfzustand zu ueberfuehrende Stoffe ueber die Dampfform in technisch verwertbare Feststoffe, z. B. Metalloxyde, ueberzufuehren |
FR979772A (fr) * | 1948-01-30 | 1951-05-02 | Procédé et dispositif pour l'application de précipités métalliques sur des corps quelconques | |
CH342980A (de) * | 1950-11-09 | 1959-12-15 | Berghaus Elektrophysik Anst | Verfahren zur Diffusionsbehandlung von Rohren aus Eisen und Stahl oder deren Legierungen |
US3036549A (en) * | 1957-05-08 | 1962-05-29 | Sumitomo Electric Industries | Apparatus for vacuum evaporation of metals |
GB889018A (en) * | 1957-05-24 | 1962-02-07 | Ass Elect Ind | Improvements relating to the stabilisation of low pressure d.c. arc discharges |
US3010009A (en) * | 1958-09-29 | 1961-11-21 | Plasmadyne Corp | Method and apparatus for uniting materials in a controlled medium |
NL270313A (ja) * | 1961-01-03 | |||
FR1400961A (fr) * | 1964-07-15 | 1965-05-28 | Huettenwerk Oberhausen Ag | Procédé et dispositif de détermination spectroscopique ou spectrographique de la composition d'échantillons métalliques représentatifs prélevés de produits finis |
GB1061949A (en) * | 1965-04-21 | 1967-03-15 | Ibm | Rare earth chalcogenide films |
US3491015A (en) * | 1967-04-04 | 1970-01-20 | Automatic Fire Control Inc | Method of depositing elemental material from a low pressure electrical discharge |
DE1648968A1 (de) * | 1967-10-18 | 1971-10-21 | Lochte Holtgreven Walter Prof | Verfahren zur qualitativen und quantitativen Spektralanalyse mittels Entladungen an elektrisch verdampften Fluessigkeitsfaeden |
GB1257015A (ja) * | 1967-11-03 | 1971-12-15 | ||
DE1646004A1 (de) * | 1967-11-25 | 1971-07-01 | Lochte Holtgreven Walter Prof | Verfahren zur Behandlung von Oberflaechen mittels elektrisch explodierter Draehte oder Fluessigkeitsstrahlen |
CH529224A (de) * | 1968-09-26 | 1972-10-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zum Beschichten eines Körpers, sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US3625848A (en) * | 1968-12-26 | 1971-12-07 | Alvin A Snaper | Arc deposition process and apparatus |
US3793179A (en) * | 1971-07-19 | 1974-02-19 | L Sablev | Apparatus for metal evaporation coating |
US3791852A (en) * | 1972-06-16 | 1974-02-12 | Univ California | High rate deposition of carbides by activated reactive evaporation |
GB1447224A (en) * | 1972-08-24 | 1976-08-25 | Secr Defence | Aluminium alloys |
US3925177A (en) * | 1973-01-30 | 1975-12-09 | Boeing Co | Method and apparatus for heating solid and liquid particulate material to vaporize or disassociate the material |
DE2346738A1 (de) * | 1973-09-17 | 1975-04-24 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zum aufbringen duenner schichten auf flaechenhafte gebilde |
US3889632A (en) * | 1974-05-31 | 1975-06-17 | Ibm | Variable incidence drive for deposition tooling |
JPS587704B2 (ja) * | 1975-09-22 | 1983-02-10 | 川崎重工業株式会社 | イオンプレ−テイングホウ |
CH619344B (de) * | 1977-12-23 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur herstellung goldfarbener ueberzuege. | |
CH640886A5 (de) * | 1979-08-02 | 1984-01-31 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum aufbringen harter verschleissfester ueberzuege auf unterlagen. |
CH624817B (de) * | 1979-09-04 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur herstellung goldfarbener ueberzuege. | |
JPS56161834A (en) * | 1980-05-15 | 1981-12-12 | Satake Eng Co Ltd | Ion nitriding treatment apparatus |
JPS6011103B2 (ja) * | 1981-02-23 | 1985-03-23 | レオニド パフロヴイツチ サブレフ | 電弧金属蒸発装置用の消耗性陰極 |
US4351855A (en) * | 1981-02-24 | 1982-09-28 | Eduard Pinkhasov | Noncrucible method of and apparatus for the vapor deposition of material upon a substrate using voltaic arc in vacuum |
AT376460B (de) * | 1982-09-17 | 1984-11-26 | Kljuchko Gennady V | Plasmalichtbogeneinrichtung zum auftragen von ueberzuegen |
-
1983
- 1983-05-13 US US06494302 patent/US4609564C2/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-04-18 SE SE8402153A patent/SE458205B/sv not_active IP Right Cessation
- 1984-04-25 IL IL71643A patent/IL71643A/xx not_active IP Right Cessation
- 1984-04-26 CA CA000452922A patent/CA1213852A/en not_active Expired
- 1984-05-08 IT IT20832/84A patent/IT1173587B/it active
- 1984-05-10 CH CH2289/84A patent/CH662823A5/de not_active IP Right Cessation
- 1984-05-11 DE DE3417462A patent/DE3417462C3/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-05-11 FR FR8407826A patent/FR2545839B1/fr not_active Expired
- 1984-05-11 GB GB08412124A patent/GB2139648B/en not_active Expired
- 1984-05-14 JP JP59094755A patent/JPS59211574A/ja active Granted
- 1984-05-25 US US06/614,434 patent/US4505948A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL71643A0 (en) | 1984-07-31 |
DE3417462A1 (de) | 1984-11-15 |
US4609564A (en) | 1986-09-02 |
CA1213852A (en) | 1986-11-12 |
CH662823A5 (de) | 1987-10-30 |
SE458205B (sv) | 1989-03-06 |
FR2545839B1 (fr) | 1988-01-15 |
SE8402153D0 (sv) | 1984-04-18 |
IT8420832A1 (it) | 1985-11-08 |
US4505948A (en) | 1985-03-19 |
GB8412124D0 (en) | 1984-06-20 |
IT8420832A0 (it) | 1984-05-08 |
DE3417462C2 (ja) | 1992-10-15 |
DE3417462C3 (de) | 1996-02-08 |
US4609564C2 (en) | 2001-10-09 |
FR2545839A1 (fr) | 1984-11-16 |
SE8402153L (sv) | 1984-11-14 |
GB2139648A (en) | 1984-11-14 |
IL71643A (en) | 1987-10-20 |
GB2139648B (en) | 1987-04-08 |
JPS59211574A (ja) | 1984-11-30 |
US4609564B1 (en) | 1998-04-14 |
IT1173587B (it) | 1987-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0373631B2 (ja) | ||
US4351855A (en) | Noncrucible method of and apparatus for the vapor deposition of material upon a substrate using voltaic arc in vacuum | |
RU2703751C2 (ru) | Устройство для формирования покрытий на поверхностях элемента, ленточного материала или инструмента | |
US3491015A (en) | Method of depositing elemental material from a low pressure electrical discharge | |
US2664853A (en) | Apparatus for vapor coating | |
US4438153A (en) | Method of and apparatus for the vapor deposition of material upon a substrate | |
US5939151A (en) | Method and apparatus for reactive plasma atomization | |
EP1354979A1 (en) | Method and device for producing organic el elements | |
US4548670A (en) | Silicon melting and evaporation method for high purity applications | |
RU2139948C1 (ru) | Способ формования деформируемого металлического продукта из расходуемого электрода, его вариант, слиток, деформируемый металлический продукт и расходуемый электрод | |
US3117887A (en) | Apparatus and procedure for evaporating metal in vacuum metalizing | |
JPH0114170B2 (ja) | ||
US20030234176A1 (en) | Production of carbon and carbon-based materials | |
JPH03158478A (ja) | 基体をコーテイングする方法および装置 | |
JP4056680B2 (ja) | 成膜装置及び方法 | |
JP4769932B2 (ja) | 微小なドットを備えた基板 | |
JPH0317795B2 (ja) | ||
US4569307A (en) | Silicon melting and evaporation apparatus for high purity applications | |
EP1109641A1 (en) | Method and apparatus for producing material vapour | |
JP3418795B2 (ja) | 溶融蒸発用金属組成物および金属の溶融蒸発方法 | |
AU756273B2 (en) | Method and apparatus for producing material vapour | |
JPH03215661A (ja) | イオンプレーティング装置 | |
White | A survey of techniques for the vacuum deposition of thin metallic films | |
JP2001011607A (ja) | 成膜装置及び方法 | |
JPH07305164A (ja) | Mgのアーク蒸発方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |