JP2001343542A - 交差光導波路 - Google Patents
交差光導波路Info
- Publication number
- JP2001343542A JP2001343542A JP2000166492A JP2000166492A JP2001343542A JP 2001343542 A JP2001343542 A JP 2001343542A JP 2000166492 A JP2000166492 A JP 2000166492A JP 2000166492 A JP2000166492 A JP 2000166492A JP 2001343542 A JP2001343542 A JP 2001343542A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- crossed
- core
- glass
- vertex
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低損失、偏波無依存性の交差部を有する交差
光導波路を提供する。 【解決手段】 コア１１−１、１１−２の側壁同士が交
差してできる四つの交差点１２−１〜１２−４に、各交
差点１２−１〜１２−４を頂点とし、かつ各頂点１２−
１〜１２−４の両側の側壁１３−１〜１３−８に沿った
辺を二辺とする三角形部１４−１〜１４−４を形成する
ことにより、オーバーハング同士の接触が回避され、交
差コアパターンのコア１１−１、１１−２に対して完全
にクラッドガラス膜４で覆うことができる。この結果、
低損失、偏波無依存性の交差部を有する交差光導波路１
０が得られる。
光導波路を提供する。 【解決手段】 コア１１−１、１１−２の側壁同士が交
差してできる四つの交差点１２−１〜１２−４に、各交
差点１２−１〜１２−４を頂点とし、かつ各頂点１２−
１〜１２−４の両側の側壁１３−１〜１３−８に沿った
辺を二辺とする三角形部１４−１〜１４−４を形成する
ことにより、オーバーハング同士の接触が回避され、交
差コアパターンのコア１１−１、１１−２に対して完全
にクラッドガラス膜４で覆うことができる。この結果、
低損失、偏波無依存性の交差部を有する交差光導波路１
０が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、石英基板上に、矩
形断面形状のコアを互いに交差させた交差コアパターン
を形成し、交差コアパターンをクラッドガラスで覆った
交差光導波路に関する。
形断面形状のコアを互いに交差させた交差コアパターン
を形成し、交差コアパターンをクラッドガラスで覆った
交差光導波路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は交差光導波路の従来例を示す平面
図であり、図４は図３のＡ−Ａ線断面図である。
図であり、図４は図３のＡ−Ａ線断面図である。
【０００３】この交差光導波路１は、石英ガラス基板２
上に矩形断面形状で光が伝搬する幅ａのコア３−１、３
−２を互いに交差させた交差コアパターンが、コア３−
１、３−２よりも屈折率の低いクラッドガラス４で覆わ
れたものである。
上に矩形断面形状で光が伝搬する幅ａのコア３−１、３
−２を互いに交差させた交差コアパターンが、コア３−
１、３−２よりも屈折率の低いクラッドガラス４で覆わ
れたものである。
【０００４】図５（ａ）〜（ｆ）は図３に示した交差光
導波路の製造工程を示す図である。
導波路の製造工程を示す図である。
【０００５】石英ガラス基板２上に、電子ビーム蒸着
法、ＲＦスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法のいずれ
かの方法により厚さａμｍのコアガラス膜３ａを形成す
る（図５（ａ））。
法、ＲＦスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法のいずれ
かの方法により厚さａμｍのコアガラス膜３ａを形成す
る（図５（ａ））。
【０００６】コア膜３ａ上に光回路のフォトマスクとな
る金属膜５ａを形成し（図５（ｂ））、金属膜５ａの上
にフォトリソグラフィ技術によってレジストからなる交
差コアパターン６−１、６−２を形成する（図５
（ｃ））。
る金属膜５ａを形成し（図５（ｂ））、金属膜５ａの上
にフォトリソグラフィ技術によってレジストからなる交
差コアパターン６−１、６−２を形成する（図５
（ｃ））。
【０００７】反応性イオンエッチングによって金属膜５
ａをエッチングし、金属マスク５−１、５−２を形成す
る（図５（ｄ））。
ａをエッチングし、金属マスク５−１、５−２を形成す
る（図５（ｄ））。
【０００８】金属マスク５−１、５−２をフォトマスク
としてフォトリソグラフィ技術によりコアガラス膜３ａ
をエッチングし、コア３−１、３−２の交差コアパター
ンを形成する（図５（ｅ））。
としてフォトリソグラフィ技術によりコアガラス膜３ａ
をエッチングし、コア３−１、３−２の交差コアパター
ンを形成する（図５（ｅ））。
【０００９】コア３−１、３−２の屈折率を安定化させ
るため、熱処理を行い、石英ガラス基板２及び交差コア
パターンを覆うようにプラズマＣＶＤ法或いはＲＦスパ
ッタリング法によりクラッドガラス４を形成することに
より交差光導波路１が得られる（図５（ｆ））。
るため、熱処理を行い、石英ガラス基板２及び交差コア
パターンを覆うようにプラズマＣＶＤ法或いはＲＦスパ
ッタリング法によりクラッドガラス４を形成することに
より交差光導波路１が得られる（図５（ｆ））。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したク
ラッドガラスを形成する際に、光導波路の特性の主要な
パラメータである偏波依存性をできるだけ小さくするに
は、ドーパントを含まないＳｉＯ2 組成のみのクラッド
ガラスが望まれる。このクラッドガラスの形成方法とし
ては、プラズマＣＶＤ法あるいはＲＦスパッタリング法
が有効である。
ラッドガラスを形成する際に、光導波路の特性の主要な
パラメータである偏波依存性をできるだけ小さくするに
は、ドーパントを含まないＳｉＯ2 組成のみのクラッド
ガラスが望まれる。このクラッドガラスの形成方法とし
ては、プラズマＣＶＤ法あるいはＲＦスパッタリング法
が有効である。
【００１１】しかしながら、交差部を有するコアパター
ンをプラズマＣＶＤ法あるいはＲＦスパッタリング法に
よりクラッドガラスで覆う場合、交差部付近、すなわち
コアとコアの間隔の狭い部分とを完全にクラッドガラス
で覆うことは困難である。この要因としては、両者の成
膜方法とも、コアパターンに入射するイオンが斜め方向
から入射する確率が高いことが挙げられる。
ンをプラズマＣＶＤ法あるいはＲＦスパッタリング法に
よりクラッドガラスで覆う場合、交差部付近、すなわち
コアとコアの間隔の狭い部分とを完全にクラッドガラス
で覆うことは困難である。この要因としては、両者の成
膜方法とも、コアパターンに入射するイオンが斜め方向
から入射する確率が高いことが挙げられる。
【００１２】このため、矩形断面形状のコアの角部にオ
ーバーハングが形成されやすく、成膜が進行すると、交
差部付近ではこのオーバーハング同士の接触が起こり、
埋め込み不良が発生する。この埋め込み不良は、伝搬損
失を始めとする様々な光学特性を劣化させる要因とな
る。例えば、単純に長さ５ｃｍの直線部を有するコアパ
ターンに対してプラズマＣＶＤ法によりクラッドガラス
で覆った光導波路の挿入損失を測定した結果、０．２ｄ
Ｂであった。
ーバーハングが形成されやすく、成膜が進行すると、交
差部付近ではこのオーバーハング同士の接触が起こり、
埋め込み不良が発生する。この埋め込み不良は、伝搬損
失を始めとする様々な光学特性を劣化させる要因とな
る。例えば、単純に長さ５ｃｍの直線部を有するコアパ
ターンに対してプラズマＣＶＤ法によりクラッドガラス
で覆った光導波路の挿入損失を測定した結果、０．２ｄ
Ｂであった。
【００１３】しかし、１個の交差部を有するコアパター
ンに対してプラズマＣＶＤ法によりクラッドガラスで覆
った光導波路の挿入損失を測定した結果、１．０ｄＢと
大きく、交差部を切断して断面を観察すると、クラッド
ガラスの埋め込みが不十分であるため、ボイドが発生す
るという問題があった。
ンに対してプラズマＣＶＤ法によりクラッドガラスで覆
った光導波路の挿入損失を測定した結果、１．０ｄＢと
大きく、交差部を切断して断面を観察すると、クラッド
ガラスの埋め込みが不十分であるため、ボイドが発生す
るという問題があった。
【００１４】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、低損失、偏波無依存性の交差部を有する交差光導波
路を提供することにある。
し、低損失、偏波無依存性の交差部を有する交差光導波
路を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の交差光導波路は、石英基板上に、光が伝搬す
る矩形断面形状のコアが互いに交差した交差コアパター
ンが形成され、交差コアパターンがクラッドガラスで覆
われた交差光導波路において、コアの側壁同士が交差し
てできる四つの交差点に、各交差点を頂点とし、かつ各
頂点の両側の側壁に沿った辺を二辺とする三角形部が形
成されているものである。
に本発明の交差光導波路は、石英基板上に、光が伝搬す
る矩形断面形状のコアが互いに交差した交差コアパター
ンが形成され、交差コアパターンがクラッドガラスで覆
われた交差光導波路において、コアの側壁同士が交差し
てできる四つの交差点に、各交差点を頂点とし、かつ各
頂点の両側の側壁に沿った辺を二辺とする三角形部が形
成されているものである。
【００１６】上記構成に加え本発明の交差光導波路の三
角形部は、コア幅ａと、頂点から頂点に対向する辺にお
ろした垂線の長さｂとの関係が数１式
角形部は、コア幅ａと、頂点から頂点に対向する辺にお
ろした垂線の長さｂとの関係が数１式
【００１７】
【数１】０．２≦ｂ／ａ≦０．５ を満足するのが好ましい。
【００１８】上記構成に加え本発明の交差光導波路のコ
アは、石英ガラスよりも屈折率が高くなる金属元素を１
種類添加したＳｉＯ2 ガラスを電子ビーム蒸着法、ＲＦ
スパッタリング法あるいはプラズマＣＶＤ法を用いて５
００℃以下で成膜した後、１０００℃〜１２００℃の温
度範囲で加熱処理が施されたものであるのが好ましい。
アは、石英ガラスよりも屈折率が高くなる金属元素を１
種類添加したＳｉＯ2 ガラスを電子ビーム蒸着法、ＲＦ
スパッタリング法あるいはプラズマＣＶＤ法を用いて５
００℃以下で成膜した後、１０００℃〜１２００℃の温
度範囲で加熱処理が施されたものであるのが好ましい。
【００１９】上記構成に加え本発明の交差光導波路のク
ラッドガラスは、プラズマＣＶＤ法あるいはＲＦスパッ
タリング法を用いて５００℃以下で成膜した後、所望の
屈折率にするため１０００℃〜１２００℃の温度範囲で
加熱処理が施されたものであるのが好ましい。
ラッドガラスは、プラズマＣＶＤ法あるいはＲＦスパッ
タリング法を用いて５００℃以下で成膜した後、所望の
屈折率にするため１０００℃〜１２００℃の温度範囲で
加熱処理が施されたものであるのが好ましい。
【００２０】本発明によれば、コアの側壁同士が交差し
てできる四つの交差点に、各交差点を頂点とし、かつ各
頂点の両側の側壁に沿った辺を二辺とする三角形部を形
成することにより、オーバーハング同士の接触が回避さ
れ、交差コアパターンに対して完全にクラッドガラスで
覆うことができる。この結果、低損失、偏波無依存性の
交差部を有する交差光導波路が得られる。
てできる四つの交差点に、各交差点を頂点とし、かつ各
頂点の両側の側壁に沿った辺を二辺とする三角形部を形
成することにより、オーバーハング同士の接触が回避さ
れ、交差コアパターンに対して完全にクラッドガラスで
覆うことができる。この結果、低損失、偏波無依存性の
交差部を有する交差光導波路が得られる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００２２】図１は本発明の交差光導波路の一実施の形
態を示す平面図である。なお、図３、４に示した従来例
と同様の部材には共通の符号を用いた。
態を示す平面図である。なお、図３、４に示した従来例
と同様の部材には共通の符号を用いた。
【００２３】本交差光導波路１０は、石英ガラス基板２
上に、光が伝搬する矩形断面形状のコア１１−１、１１
−２が互いに交差した交差コアパターンがクラッドガラ
ス４で覆われており、コア１１−１、１１−２の側壁同
士が交差してできる四つの交差点１２−１〜１２−４
に、各交差点１２−１〜１２−４を頂点とし、かつ各頂
点１２−１〜１２−４の両側の側壁１３−１〜１３−８
に沿った辺を二辺とする三角形部１４−１〜１４−４が
形成されたものである。
上に、光が伝搬する矩形断面形状のコア１１−１、１１
−２が互いに交差した交差コアパターンがクラッドガラ
ス４で覆われており、コア１１−１、１１−２の側壁同
士が交差してできる四つの交差点１２−１〜１２−４
に、各交差点１２−１〜１２−４を頂点とし、かつ各頂
点１２−１〜１２−４の両側の側壁１３−１〜１３−８
に沿った辺を二辺とする三角形部１４−１〜１４−４が
形成されたものである。
【００２４】三角形部１４−１〜１４−４は、コア幅ａ
と、頂点１２−１〜１２−４から頂点１２−１〜１２−
４に対向する辺（対辺）１５−１〜１５−４におろした
垂線の長さｂとの関係が数１式
と、頂点１２−１〜１２−４から頂点１２−１〜１２−
４に対向する辺（対辺）１５−１〜１５−４におろした
垂線の長さｂとの関係が数１式
【００２５】
【数１】０．２≦ｂ／ａ≦０．５ を満足するのが好ましい。
【００２６】このように構成したことで、コア１１−
１、１１−２の角部におけるオーバーハング同士の接触
が回避され、交差コアパターンに対して完全にクラッド
ガラス４で覆うことができる。この結果、低損失、偏波
無依存性の交差部を有する交差光導波路１０が得られ
る。
１、１１−２の角部におけるオーバーハング同士の接触
が回避され、交差コアパターンに対して完全にクラッド
ガラス４で覆うことができる。この結果、低損失、偏波
無依存性の交差部を有する交差光導波路１０が得られ
る。
【００２７】
【実施例】次に具体的な数値を挙げて説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
明はこれに限定されるものではない。
【００２８】（実施例）図２（ａ）〜（ｆ）は図１に示
した交差導波路の製造工程図である。
した交差導波路の製造工程図である。
【００２９】外径１０１．６ｍｍ（４インチ）、厚さ約
１ｍｍの石英基板２上に、電子ビーム蒸着法により、Ｔ
ｉＯ2 −ＳｉＯ2 のコアガラス膜１１ａを成膜温度３５
０℃で形成する（図２（ａ））。
１ｍｍの石英基板２上に、電子ビーム蒸着法により、Ｔ
ｉＯ2 −ＳｉＯ2 のコアガラス膜１１ａを成膜温度３５
０℃で形成する（図２（ａ））。
【００３０】コアガラス膜１１ａ上にエッチングマスク
となるＷＳｉ膜１６ａをスパッタリング法で形成する
（図２（ｂ））。
となるＷＳｉ膜１６ａをスパッタリング法で形成する
（図２（ｂ））。
【００３１】ホトリソグラフィ技術により交差部４箇所
に三角形部を有するレジストからなる交差コアパターン
１７−１、１７−２をＷＳｉ膜１６ａ上に形成する（図
２（ｃ））。
に三角形部を有するレジストからなる交差コアパターン
１７−１、１７−２をＷＳｉ膜１６ａ上に形成する（図
２（ｃ））。
【００３２】反応性イオンエッチングを用いて、ＷＳｉ
膜１６ａをエッチングし、ＷＳｉマスク１６−１、１６
−２を形成する（図２（ｄ））。
膜１６ａをエッチングし、ＷＳｉマスク１６−１、１６
−２を形成する（図２（ｄ））。
【００３３】ＷＳｉマスク１６−１、１６−２をフォト
マスクとして、交差部の４箇所に図１に示す三角形部１
４−１〜１４−４を有する交差導波路パターンを形成す
る（図２（ｅ））。
マスクとして、交差部の４箇所に図１に示す三角形部１
４−１〜１４−４を有する交差導波路パターンを形成す
る（図２（ｅ））。
【００３４】ここで、図１に示す交差導波路パターンの
コア１１−１、１１−２の幅ａを８μｍとし、コア１１
−１、１１−２の交差点の頂点１２−１〜１２−４から
対辺１５−１〜１５−４に長さ４μｍの垂線をおろした
位置に三角形部１４−１〜１４−４を形成する。垂線の
長さｂとコア幅ａとの比率ｂ／ａは０．５０である。
コア１１−１、１１−２の幅ａを８μｍとし、コア１１
−１、１１−２の交差点の頂点１２−１〜１２−４から
対辺１５−１〜１５−４に長さ４μｍの垂線をおろした
位置に三角形部１４−１〜１４−４を形成する。垂線の
長さｂとコア幅ａとの比率ｂ／ａは０．５０である。
【００３５】さらに、コア１１−１、１１−２の屈折率
を安定化させるために、温度を約１１００℃とし、酸素
雰囲気中で熱処理を行い、所望の屈折率とする。
を安定化させるために、温度を約１１００℃とし、酸素
雰囲気中で熱処理を行い、所望の屈折率とする。
【００３６】次に交差コアパターンのコア１１−１、１
１−２を覆うように、プラズマＣＶＤ法により、純粋Ｓ
ｉＯ2 ガラス膜を形成して屈折率を安定化させるため
に、温度を約１１００℃とし、酸素雰囲気中で熱処理を
行いクラッドガラス４とすることにより交差光導波路１
０が得られる。クラッドガラス４の厚さは２０μｍであ
る（図２（ｆ））。
１−２を覆うように、プラズマＣＶＤ法により、純粋Ｓ
ｉＯ2 ガラス膜を形成して屈折率を安定化させるため
に、温度を約１１００℃とし、酸素雰囲気中で熱処理を
行いクラッドガラス４とすることにより交差光導波路１
０が得られる。クラッドガラス４の厚さは２０μｍであ
る（図２（ｆ））。
【００３７】次に本実施例の交差導波路の挿入損失を調
べた。
べた。
【００３８】長さ５ｃｍの直線部だけを有するコアパタ
ーンに対してプラズマＣＶＤ法によりクラッドガラスで
覆った光導波路の挿入損失を測定した結果、０．２ｄＢ
であった。
ーンに対してプラズマＣＶＤ法によりクラッドガラスで
覆った光導波路の挿入損失を測定した結果、０．２ｄＢ
であった。
【００３９】次に、１個の交差部を有する交差光導波路
の挿入損失を測定した結果、同じく０．２ｄＢと直線光
導波路と同じ値が得られた。また、確認のため、交差部
付近、すなわち、コアとコアの間隔の狭い部分とを切断
してその断面を観察すると、ボイドの発生もなく完全に
クラッドガラスで覆われていた。
の挿入損失を測定した結果、同じく０．２ｄＢと直線光
導波路と同じ値が得られた。また、確認のため、交差部
付近、すなわち、コアとコアの間隔の狭い部分とを切断
してその断面を観察すると、ボイドの発生もなく完全に
クラッドガラスで覆われていた。
【００４０】（比較例１）図１に示すように、交差コア
パターンのコア幅を８μｍとし、コアパターンの側壁の
交差点から長さ１μｍの垂線をおろした位置に三角形部
を形成した点以外は実施例と同様に作製した。垂線の長
さとコア幅との比率は０．１２５である。
パターンのコア幅を８μｍとし、コアパターンの側壁の
交差点から長さ１μｍの垂線をおろした位置に三角形部
を形成した点以外は実施例と同様に作製した。垂線の長
さとコア幅との比率は０．１２５である。
【００４１】次に実施例で製造した交差部を有する交差
光導波路の挿入損失を調べた。
光導波路の挿入損失を調べた。
【００４２】まず、長さ５ｃｍの直線部だけを有するコ
アパターンに対してプラズマＣＶＤ法によりクラッドガ
ラスで覆った光導波路の挿入損失を測定した結果、０．
２ｄＢであった。
アパターンに対してプラズマＣＶＤ法によりクラッドガ
ラスで覆った光導波路の挿入損失を測定した結果、０．
２ｄＢであった。
【００４３】次に１個の交差部を有する交差光導波路の
挿入損失を測定した結果、実施例とは異なり、０．７ｄ
Ｂと大きくなった。その要因を調べるために交差部付
近、すなわち、コアとコアの間隔の狭い部分とを切断し
てその断面を観察すると、若干のボイドの発生が見られ
た。これは、クラッドガラスの埋め込みが不十分である
ためであり、交差部４箇所に形成された三角形部の高さ
が不十分であることが考えられる。
挿入損失を測定した結果、実施例とは異なり、０．７ｄ
Ｂと大きくなった。その要因を調べるために交差部付
近、すなわち、コアとコアの間隔の狭い部分とを切断し
てその断面を観察すると、若干のボイドの発生が見られ
た。これは、クラッドガラスの埋め込みが不十分である
ためであり、交差部４箇所に形成された三角形部の高さ
が不十分であることが考えられる。
【００４４】（比較例２）図１に示すように交差コアパ
ターンのコア幅を８μｍ、コア交差点部から長さ８μｍ
の垂線をおろした位置に三角形部を形成した点以外は全
て、実施例１と同様に作製した。垂線の長さとコア幅と
の比率は１．００である。
ターンのコア幅を８μｍ、コア交差点部から長さ８μｍ
の垂線をおろした位置に三角形部を形成した点以外は全
て、実施例１と同様に作製した。垂線の長さとコア幅と
の比率は１．００である。
【００４５】次に本実施例で作製した交差部を有する光
導波路の挿入損失を測定した。まず、長さ５ｃｍの直線
部だけを有するコアパターンに対してプラズマＣＶＤ法
によりクラッドガラスで埋め込んだ光導波路の挿入損失
を測定した結果、０．２ｄＢであった。
導波路の挿入損失を測定した。まず、長さ５ｃｍの直線
部だけを有するコアパターンに対してプラズマＣＶＤ法
によりクラッドガラスで埋め込んだ光導波路の挿入損失
を測定した結果、０．２ｄＢであった。
【００４６】次に、１個の交差部を有する光導波路の挿
入損失を測定した結果、実施例とは異なり、０．５ｄＢ
と大きくなった。その要因を調べるために交差部付近、
すなわち、コアとコアの間隔の狭い部分とを切断してそ
の断面を観察すると、ボイドの発生もなく完全にクラッ
ドガラスで埋め込まれていた。従って、挿入損失の増加
要因は、クラッドガラスの埋め込みの問題ではなく、交
差導波路に形成した三角形部より光が放射し、損失とな
ったものと考えられる。
入損失を測定した結果、実施例とは異なり、０．５ｄＢ
と大きくなった。その要因を調べるために交差部付近、
すなわち、コアとコアの間隔の狭い部分とを切断してそ
の断面を観察すると、ボイドの発生もなく完全にクラッ
ドガラスで埋め込まれていた。従って、挿入損失の増加
要因は、クラッドガラスの埋め込みの問題ではなく、交
差導波路に形成した三角形部より光が放射し、損失とな
ったものと考えられる。
【００４７】以上において、コアパターンの交差点４箇
所より、ある長さの垂線をおろした位置に三角形部を形
成することでオーバーハング同士の接触を回避し、コア
を互いに交差させた交差コアパターンに対して、完全に
クラッドガラスで埋め込むことを可能にし、低損失、偏
波無依存性の交差部を有する光導波路が実現できる。
所より、ある長さの垂線をおろした位置に三角形部を形
成することでオーバーハング同士の接触を回避し、コア
を互いに交差させた交差コアパターンに対して、完全に
クラッドガラスで埋め込むことを可能にし、低損失、偏
波無依存性の交差部を有する光導波路が実現できる。
【００４８】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００４９】低損失、偏波無依存性の交差部を有する交
差光導波路の提供を実現できる。
差光導波路の提供を実現できる。
【図１】本発明の交差光導波路の一実施の形態を示す平
面図である。
面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は図１に示した交差導波路の製
造工程図である。
造工程図である。
【図３】交差光導波路の従来例を示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は図３に示した交差光導波路の
製造工程を示す図である。
製造工程を示す図である。
２ 石英ガラス基板 ４ クラッドガラス １０ 交差光導波路 １１−１、１１−２ コア １４−１〜１４−４ 三角形部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北野 延明 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内 Ｆターム(参考） 2H047 KA04 KB01 LA11 PA03 PA04 PA05 PA12 PA24 QA04 TA11 TA31 TA42 TA44
Claims (4)
- 【請求項１】 石英基板上に、光が伝搬する矩形断面形
状のコアが互いに交差した交差コアパターンが形成さ
れ、該交差コアパターンがクラッドガラスで覆われた交
差光導波路において、上記コアの側壁同士が交差してで
きる四つの交差点に、各交差点を頂点とし、かつ各頂点
の両側の側壁に沿った辺を二辺とする三角形部が形成さ
れていることを特徴とする交差光導波路。 - 【請求項２】 上記三角形部は、コア幅ａと、頂点から
頂点に対向する辺におろした垂線の長さｂとの関係が数
１式 【数１】０．２≦ｂ／ａ≦０．５ を満足する請求項１に記載の交差光導波路。 - 【請求項３】 上記コアは、石英ガラスよりも屈折率が
高くなる金属元素を１種類添加したＳｉＯ2 ガラスを電
子ビーム蒸着法、ＲＦスパッタリング法あるいはプラズ
マＣＶＤ法を用いて５００℃以下で成膜した後、１００
０℃〜１２００℃の温度範囲で加熱処理が施されたもの
である請求項１または２に記載の交差光導波路。 - 【請求項４】 上記クラッドガラスは、プラズマＣＶＤ
法あるいはＲＦスパッタリング法を用いて５００℃以下
で成膜した後、所望の屈折率にするため１０００℃〜１
２００℃の温度範囲で加熱処理が施されたものである請
求項１から３のいずれかに記載の交差光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000166492A JP2001343542A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 交差光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000166492A JP2001343542A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 交差光導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001343542A true JP2001343542A (ja) | 2001-12-14 |
Family
ID=18669799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000166492A Pending JP2001343542A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 交差光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001343542A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2056493A1 (en) | 2005-08-31 | 2009-05-06 | Fujitsu Limited | Differential multilevel modulated optical signal receiver apparatus |
| KR101515870B1 (ko) | 2008-09-04 | 2015-05-04 | 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. | 손실을 감소시킨 유전체 도파관 교차부 |
-
2000
- 2000-05-31 JP JP2000166492A patent/JP2001343542A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2056493A1 (en) | 2005-08-31 | 2009-05-06 | Fujitsu Limited | Differential multilevel modulated optical signal receiver apparatus |
| US7613403B2 (en) | 2005-08-31 | 2009-11-03 | Fujitsu Limited | Differential multilevel modulated optical signal receiver apparatus |
| US8509628B2 (en) | 2005-08-31 | 2013-08-13 | Fujitsu Limited | Differential multilevel modulated optical signal receiver apparatus |
| KR101515870B1 (ko) | 2008-09-04 | 2015-05-04 | 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. | 손실을 감소시킨 유전체 도파관 교차부 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001343542A (ja) | 交差光導波路 | |
| JPH0527132A (ja) | 導波路型光部品の製造方法 | |
| JP3886958B2 (ja) | 細線導波路付２次元フォトニック結晶の製造方法 | |
| JP2008262003A (ja) | 光導波路および光導波路製造方法 | |
| JP4212040B2 (ja) | 複合光導波路 | |
| JP2005092032A (ja) | 平面型光導波路の製造方法 | |
| JP4313772B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JP3144666B2 (ja) | 石英系ガラス光導波路の製造方法 | |
| JP4001416B2 (ja) | 埋込プレーナ光波回路素子の製造方法 | |
| JP2002196166A (ja) | 光導波路及びその製造方法 | |
| JP2006030734A (ja) | 光導波路及びその製造方法 | |
| JPH07318734A (ja) | 石英系ガラス導波路及びその製造方法 | |
| KR100367087B1 (ko) | 음각 식각을 이용한 평판형 광 도파로 제조 방법 | |
| JPWO2003067293A1 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JP2009145512A (ja) | 光導波路素子及びその作製方法 | |
| JPH063541A (ja) | 導波路型グレーティング及びその作製法 | |
| JPH11344630A (ja) | 平面型光導波路及びその製造方法 | |
| JP2875895B2 (ja) | 石英系光導波路のドライエッチング方法 | |
| JPH08110425A (ja) | 光導波路及びその製造方法並びに光伝送モジュール | |
| JPH05150129A (ja) | ガラス導波路の製造方法 | |
| JPH08179144A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JP2005345953A (ja) | 光導波路とその製造方法 | |
| JP4461633B2 (ja) | ガラス導波路の製造方法 | |
| JP2008096670A (ja) | 光導波路 | |
| JP2004210611A (ja) | ガラス薄膜、それを用いたフォトニック結晶およびガラス薄膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050715 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070528 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070605 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070803 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070911 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080212 |