JP4461633B2

JP4461633B2 - ガラス導波路の製造方法

Info

Publication number: JP4461633B2
Application number: JP2001119373A
Authority: JP
Inventors: 克之井本
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 2001-04-18
Filing date: 2001-04-18
Publication date: 2010-05-12
Anticipated expiration: 2021-04-18
Also published as: JP2002311272A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばフェムト秒レーザビームを照射することによって、ガラスの内部、またはクラッド層の内部に高寸法精度の光伝搬層を形成するガラス導波路の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ガラス板の表面あるいは内部にフェムト秒レーザビームを照射し、その照射した微小領域の屈折率を高め、その高屈折率領域をガラス板のＸ方向、Ｙ方向あるいはＺ方向に連続的に形成することによって、光伝搬層を形成するガラス導波路の製造方法が知られている。
【０００３】
図７ａ，ｂは、ガラス板２０の内部にフェムト秒レーザビームを照射して、直線状の光伝搬層２１を形成した例を示し、図８ａ，ｂは、同じく曲線状の光伝搬層２２を形成した例を示している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の製造方法には、（１）〜（４）の問題があった。
【０００５】
（１）フェムト秒レーザビームのわずかな位置変動によって、光伝搬層２１，２２のパターンがずれたり、不連続な光伝搬層２１，２２になったり、光伝搬層２１，２２に不要な曲がりなどが生じたりして、ガラス導波路の散乱損失増大要因になっていた。（２）レーザビームのスポット径の変動が光伝搬層の形状変化につながり、これも同じく散乱損失増大要因になっていた。（３）ガラス板のＸ方向、Ｙ方向のわずかな変位による変動が光伝搬層の形状変化につながり、これも同じく散乱損失増大要因になっていた。（４）曲がり構造を持った光伝搬層２２でＹ分岐回路、方向性結合回路、リング共振回路等を実現しようとすると、上記要因により光伝搬層２２の側面の荒れによる散乱損失が問題となり、低損失なガラス導波路型光回路を実現することがむずかしかった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、上述した従来の技術が有する課題を解消し、光伝搬層の形状変化を抑制して、高寸法精度の光伝搬層を形成することができるガラス導波路及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、ガラスの内部にレーザビームを照射することにより光伝搬層を形成するガラス導波路の製造方法において、上記ガラスの表面に上記レーザビームを反射する反射膜で形成された反射膜マスクパターンを、上記レーザビームの通過領域を有するように設け、上記レーザビームの通過領域のギャップを、上記レーザビームの幅よりも狭く設定し、上記反射膜マスクパターンにおける上記レーザビームの通過領域に沿って、上記ガラスの内部に上記レーザビームを照射することを特徴とする。
【００１１】
請求項２記載の発明は、基板上に低屈折率を有するクラッド層を備え、このクラッド層の内部にレーザビームを照射することにより光伝搬層を形成するガラス導波路の製造方法において、上記クラッド層の表面に上記レーザビームを反射する反射膜で形成された反射膜マスクパターンを、上記レーザビームの通過領域を有するように設け、上記レーザビームの通過領域のギャップを、上記レーザビームの幅よりも狭く設定し、上記反射膜マスクパターンにおける上記レーザビームの通過領域に沿って、上記クラッド層の内部に上記レーザビームを照射することを特徴とする。
【００１２】
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載のものにおいて、上記光伝搬層が上記ガラスの表面または上記クラッド層の表面から１０μｍ以上深いガラス内部に形成されることを特徴とする。
【００１３】
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか一項記載のものにおいて、上記ガラスの表面またはクラッド層の表面と、上記反射膜マスクパターンとの間に低屈折率層を備えたことを特徴とする。
【００１４】
請求項５記載の発明は、請求項１乃至４のいずれか一項記載のものにおいて、上記レーザビームの波長λ_fが２００ｎｍ〜２４００ｎｍの範囲から選ばれることを特徴とする。
【００１５】
請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれか一項記載のものにおいて、上記反射膜マスクパターンがフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を経てパターン化されることを特徴とする。
【００１６】
請求項７記載の発明は、ガラス表面に反射膜を形成する工程と、この反射膜に対してフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を経て、レーザビームの通過領域を有する反射膜マスクパターンをパターン化する工程と、上記反射膜マスクパターンを介してガラスの内部に集光させるように上記反射膜マスクパターンの上から、上記レーザビームの幅よりも狭く設定されたギャップを有する上記レーザビームの通過領域に沿って上記ガラスの内部にレーザビームを照射する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１７】
請求項８記載の発明は、請求項７記載のものにおいて、上記ガラスが化学的あるいは物理的成膜方法により作成され、その後、４００℃〜１０００℃の温度範囲で熱処理されることを特徴とする。
【００１８】
請求項９記載の発明は、基板上に低屈折率を有するクラッド層を形成する工程と、上記クラッド層上に反射膜を形成する工程と、上記反射膜に対してフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を経て、レーザビームの通過領域を有する反射膜マスクパターンをパターン化する工程と、この反射膜マスクパターンを介してクラッド層の内部に集光させるように上記反射膜マスクパターンの上から、上記レーザビームの幅よりも狭く設定されたギャップを有する上記レーザビームの通過領域に沿って上記クラッド層の内部にレーザビームを照射する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１９】
本発明では、レーザビームを反射膜マスクパターンを介して照射することにより、上記マスクパターンで定められたパターン形状の光伝搬層が上記マスクパターンの下部に形成されるため、例えば、波長がλ_fでパルス幅がｆｓ級のレーザビームを用いた場合、このレーザビームのわずかな位置変動や、レーザビームのスポット径の変動や、ガラス板のＸ方向、Ｙ方向のわずかな変位による変動に対しても光伝搬層を高寸法で形成することができる。すなわち、光伝搬層の形状をその伝搬方向に均一に保って形成することができ、光伝搬層の側面荒れが極めて少なく、極局所的な不連続個所、不連続な曲がり等がほとんどない、超低散乱損失の導波路を実現することができる。
【００２０】
また、反射膜マスクパターンの下のガラスの表面から少なくとも１０μｍよりは深いガラス内部に光伝搬層が形成されるので、低損失なガラス板を用いることにより、ガラス表面の凸凹や汚れ、キズなどの影響を受けることなく、低損失な導波路及び導波路型光回路が実現可能となる。
【００２１】
ガラス表面と反射膜との間に低屈折率層を形成しておくことにより、光伝搬層への光の閉じ込めを良くすることができ、より低損失な導波路及び導波路型光回路が実現可能となる。なお、上記反射膜も光伝搬層内の光の伝搬を促進させる上で有効に作用している。
【００２２】
レーザビームの波長を２００ｎｍ〜２４００ｎｍの範囲で選ぶことにより、反射膜の特性を光伝搬層内を伝搬する光信号に有効に作用させることができる。たとえば、レーザビームの波長λ_fと光伝搬層内を伝搬する光信号の波長λ_sとが略等しい場合、反射膜は光信号に対しても反射膜として作用する。このため、光伝搬層内を伝搬する光信号の波長λ_sとほぼ等しい波長λ_fのレーザビームを選択すれば、光信号が光伝搬層内に効率良く閉じ込められ、伝搬効率を向上させることができると共に、上記反射膜の上面から光信号の波長近傍の不用な光（雑音光）が導波路内（含む光伝搬層）に入射することがなく、Ｓ／Ｎ（光信号／雑音光）を劣化させることがない。
【００２３】
また、高寸法精度の光伝搬層を所望の位置に所望のパターンで形成させるため、反射膜マスクパターンを介してレーザビームを照射する。この反射膜マスクパターンは、フォトレジスト塗布、ベーキング、露光のフォトリソグラフィ工程、反射膜のエッチング工程によって形成される。
【００２４】
低温で作成した低屈折率層の中にレーザビームを集光して、光伝搬層を形成することにより、低密度の層を一気に高密度の層に変えることができるので光伝搬層と低屈折率層との間に高い比屈折率差を実現できる。
【００２５】
また、光伝搬層を形成するガラスを化学的反応法（液体ソースやガスソースを用いた化学的気相反応法、ゾル・ゲル法等）や物理的成膜方法（イオンビームスパックリング法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法等）により作成したものを用いるので、低損失導波路が実現可能となる。
【００２６】
さらに、高寸法精度を実現できる半導体製造プロセスと、レーザビーム照射による簡易な方法で、かつ低損失を実現できる光伝搬層の形成プロセスを併用することにより、高寸法精度、低損失な導波路を簡易に低コストで、製造することが可能となる。また、反射膜マスクパターンが常に形成されているので、そのマスクパターンを介してフェムト秒レーザビームを何回でも照射することができ、しかも同じ位置の光伝搬層にレーザビームが集光されるので、その光伝搬層の屈折率を容易に制御することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図面を参照して説明する。
【００２８】
（第一の実施形態）
図１は、本実施形態によるガラス導波路の製造方法の工程図を示す。まず、図１ａに示すように、ガラス板１の上に反射膜３を成膜する。この反射膜３の素材には、たとえばフェムト秒レーザパルスビームを高反射率で反射させる多層コーティング膜や、アルミニウムを用いたコーティング膜や、アルミニウムの上に誘電体層をオーバーコートしたプロテクテッドアルミニウムコーティング膜等が用いられる。例として、コヒーレントジャパン株式会社製の広帯域多層高反射コーティング膜を用いた場合、波長６２０ｎｍから８６０ｎｍ、あるいは８５０ｎｍから１１００ｎｍの範囲で１００％近い反射率が得られた。
【００２９】
ついで、図１ｂに示すように、上記反射膜３の上にフォトレジスト膜を塗布して、加熱後、フォトマスクを介してフォトレジスト膜を露光し、所望のフォトレジストパターン１５を形成する。そして、このフォトレジストパターン１５をマスクにして、図１ｃに示すように、反射膜３をエッチングして所望の反射膜マスクパターン３Ａを形成する。その後、図１ｄに示すように、反射膜マスクパターン３Ａの上部のフォトレジストパターン１５を剥離させ、レーザビームの通過領域４と反射領域５とを形成する。
【００３０】
すなわち、上記反射膜３は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法等で成膜され、その後、フォトリソグラフィ、ドライあるいはウエットエッチング工程を経てパターン化され、上記反射膜マスクパターン３Ａが得られる。
【００３１】
つぎに、図１ｅに示すように、上記レーザビームの通過領域４の上からフェムト秒レーザパルスビーム７をレンズ６で集光し、ガラス板１の内部の点０に集束させる。そして、図１ｆに示すように、ガラス板１の内部に、高屈折率に変化した光伝搬層２を形成する。
【００３２】
図２は、図１ｅと図１ｆに対応した製造工程を示す。ここでは、ガラス板１内にそのガラスの屈折率よりも高い光伝搬層２を直線状に形成する場合の例を示す。ガラス板１の上部に形成した反射膜マスクパターン３Ａは、直線状に延びるレーザビーム７の通過領域４を有し、その通過領域４以外はレーザビーム７の反射領域５からなっている。直線状の通過領域４のギャップＳは、その領域４の表面に照射されるレーザビーム７の幅Ｗよりも狭く形成されている。そして、レーザビーム７は、ガラス板１の内部であってＡ−Ａ軸とＢ−Ｂ軸との交点に集光されるように構成されている。
【００３３】
この状態で、ガラス板１を、矢印Ｐの方向に所望速度で移動させる。すなわち、レーザビーム７が直線状の通過領域４に沿って照射されるように、ガラス板１を所望速度で移動させる。これによって、ガラス板１の内部には、直線状に延びた光伝搬層２が形成される。
【００３４】
本実施形態では、レーザビーム７が直線状の通過領域４に沿って照射されるため、このレーザビーム７の通過領域４に対応した忠実なパターンの光伝搬層２が形成される。すなわち、ガラス板１がＸ方向あるいはＹ方向に微小の変位を生じていても、レーザビーム７の通過領域４に忠実なパターンの光伝搬層２が形成される。また、フェムト秒レーザビーム７のわずかな位置の変位に対しても、ほとんど影響を受けずに、高寸法精度で、かつ、側面荒れのほとんどない光伝搬層２を形成することができる。
【００３５】
光伝搬層２は、反射膜マスクパターン３Ａの下のガラスの表面から少なくとも２０μｍよりは深いガラスの内部に形成することが望ましい。このように深いガラスの内部に光伝搬層２を形成した場合、ガラス表面の凸凹や汚れ、キズなどの影響を受けることが少なくなるため、低損失なガラス板を用いて、低損失な導波路及び導波路型光回路を実現できる。
【００３６】
フェムト秒レーザビーム７には、波長が２００ｎｍ〜２４００ｎｍ、パルス幅が数十ｆｓ〜数百ｆｓ、繰り返しが数１０Ｈｚ〜数百ＫＨｚ、平均出力が１０ｍｗ〜数百ｍｗのものが用いられる。上記波長を２００ｎｍ〜２４００ｎｍの範囲で選ぶことにより、反射膜３の特性を光伝搬層２内を伝搬する光信号に有効に作用させることができる。たとえば、レーザビームの波長λ_fと光伝搬層２内を伝搬する光信号の波長λ_sとが略等しいと、反射膜３は光信号に対しても反射膜として作用する。このため、光伝搬層２内を伝搬する光信号の波長λ_sとほぼ等しい波長λ_fのレーザビームを選択すれば、光信号が光伝搬層２内に効率良く閉じ込められ、伝搬効率を向上させることができると共に、上記反射膜３の上面から光信号の波長近傍の不用な光（雑音光）が導波路内（含む光伝搬層２）に入射することがなく、Ｓ／Ｎ（光信号／雑音光）を劣化させることがない等の効果が得られる。また、上記光伝搬層２の大きさは、シングルモード伝搬用の場合には直径が数μｍから十数μｍの範囲で選ばれ、マルチモード伝搬用の場合には直径が２０μｍから数十μｍの範囲で選ばれる。
【００３７】
例として、ガラス板１として厚みｔ＝０．５ｍｍのものを用い、その厚みのほぼ真中に光伝搬層２を形成する場合、レーザビームの通過領域４のギャップＳを、光伝搬層２の直径よりも少しだけ大きい値になるように設定し、またそのギャップＳに照射されるフェムト秒レーザビーム７の幅Ｗを、上記ギャップＳよりも少しだけ大きく設定する。このようにした場合、ガラス板１のＸ方向、Ｙ方向への微小なずれ、レーザビーム７の微小なずれに対しても光伝搬層２を高寸法精度で形成することができる。
【００３８】
（第二の実施形態）
本実施形態では、図３に示すように、基板１０と反射膜マスクパターン３Ａとの間に低屈折率のクラッド層９が形成され、このクラッド層９の内部に光伝搬層２が形成される。低屈折率のクラッド層９を形成することによって、光伝搬層２への光の閉じ込めを良くすることができ、より低損失な導波路及び導波路型光回路を提供することが可能となる。なお、上記反射膜３も光伝搬層２内の光の伝搬を促進させる上で有効に作用する。
【００３９】
基板１０としては、石英ガラスや多成分系ガラスなどのガラス以外に、Ｓｉ、ＧａＡｓなどの半導体、ＬｉＮ_bＯ₃、ＬｉＴａＯ₅などの強誘電体、アルミナ、ルミセラムなどのセラミックス等が用いられる。
【００４０】
低屈折率のクラッド層９には、ＳｉＯ₂にＦ、Ｂ、Ｐ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｔａ、Ｚｎなどの屈折率制御用ドーパントを少なくとも１種添加したもの、極低ＯＨ基ＳｉＯ₂等が用いられる。このクラッド層９は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法等で成膜される。このクラッド層９は４００℃〜１０００℃の温度範囲で成膜されるので、密度は低い。このクラッド層９にレーザビーム７を照射した場合、低密度の層が一気に高密度の層に変化するため、屈折率がより高くなり、光伝搬層と低屈折率層との間に高い比屈折率差を実現することができる。
【００４１】
（第三の実施形態）
図４ａ、図４ｂは、方向性結合器の構成を示す。この方向性結合器は長さＬとギャップＧを有する結合部１１と、その両サイドに形成された曲線部１２Ａ、１２Ｂ及び直線部１３Ａ、１３Ｂを備えて構成される。
【００４２】
上記曲線部１２Ａ、１２Ｂを有する方向性結合器を形成する場合、まず、反射膜マスクパターン３Ａのレーザビームの通過領域の形状を、曲線部１２Ａ、１２Ｂ及び直線部１３Ａ、１３Ｂの形状に対応した、通過領域４Ａ、４Ｂのようにパターン化する。ついで、フェムト秒レーザパルスビームを、通過領域４Ａ、４Ｂに沿って照射して、そのパターン化されたマスクパターン３Ａに対応した光伝搬層２Ａ、２Ｂを形成する。この光伝搬層２Ａ、２Ｂは、ガラス板１の板厚ｔのほぼ中央の位置に形成される。
【００４３】
（第四の実施形態）
図５に示すように、ガラス板１と反射膜マスクパターン３Ａとの間に低屈折率層１４が設けられ、フェムト秒レーザパルスビームが、この低屈折率層１４を通過して、ガラス板１の内部に光伝搬層２が形成されている。この低屈折率層１４には、図３に示したクラッド層９と同様の材料が用いられるが、ガラス板１の屈折率ｎ_gよりも低い屈折率ｎ_lになるように構成される。ここでガラス板１には石英系ガラス、多成分系ガラス等が用いられる。
【００４４】
低屈折率層１４としては、Ｆを添加したＳｉＯ₂層が好ましい。低ＯＨ基導波路を実現する上で、ガラス板１には、ＳｉＣｌ₄とＯ₂との高温（＞１０００℃）反応により形成したＳｉＯ₂板、極低ＯＨ基化処理を施したＳｉＯ₂板等を用いることが好ましい。なお、ガラス板１の表面以外に裏面にも、低屈折率層１４を形成し、ガラス板１のほぼ真中に光伝搬層２を形成するようにすれば、温度変化に対して安定な光学特性を維持することができる。
【００４５】
（第五の実施形態）
図６は、別の実施形態を示す。この実施形態では、ガラス板１の両面に、上述したように、反射膜マスクパターン３Ａ−１，３Ａ−２を形成し、各反射膜マスクパターン３Ａ−１，３Ａ−２のそれぞれの通過領域４Ａ−１、４Ａ−２、４Ｂ−１、４Ｂ−２に沿って、フェムト秒レーザパルスビームを照射して、そのパターン化されたマスクパターン３Ａ−１，３Ａ−２に対応した光伝搬層２Ａ−１、２Ａ−２、２Ｂ−１、２Ｂ−２を形成する。
【００４６】
これによっても、正確な反射膜マスクパターン３Ａ−１，３Ａ−２を形成しておくことにより、ガラス板１の内部に上記マスクパターンに反応した各光伝搬層を忠実に形成することができる。
【００４７】
第一から第五の各実施形態によれば、以下の効果を奏する。
【００４８】
（１）反射膜マスクパターンを介してフェムト秒レーザパルスビームを照射しているので、レーザビームのわずかな位置変動や、レーザビームのスポット径の変動や、ガラス板のＸ方向、Ｙ方向のわずかな偏位による変動に対しても光伝搬層を高寸法で形成することができる。また、その光伝搬層の形状をその伝搬方向に均一に保って形成することができる。さらに、光伝搬層の側面荒れが極めて少なくなり、極局所的な不連続個所、不連続な曲がり等がほとんどない、超低散乱損失の導波路を実現することができる。
【００４９】
（２）反射膜マスクパターン自身が光伝搬層内への光の閉じ込めを強くするのに寄与し、また反射膜マスクパターンの上からガラス内部に漏れ込もうとする雑音光を反射させることができる。
【００５０】
（３）ガラス板表面と反射膜マスクパターンとの間に低屈折率層を形成しておくことにより、光伝搬層への光の閉じ込めを良くすることができる。
【００５１】
（４）レーザビームの波長を２００ｎｍから２４００ｎｍの範囲内から選ぶことにより、反射膜マスクパターンの光学特性を光伝搬層内を伝搬する光信号に有効に作用させることができる。
【００５２】
（５）上記反射膜マスクパターンはフォトリソグラフィ、エッチング行程によって作成されており、このマスクパターンを介してレーザビームを照射することにより、このマスクパターンに忠実な光伝搬層を形成することができる。しかも上記反射膜マスクパターンは、常に、一体的にガラス板に形成されているので何回でもレーザビームを照射することができ、導波路の比屈折率差の制御を容易に行うことができる。
【００５３】
（６）光伝搬層を形成するガラスを化学的反応法や物理的成膜方法により作成したものを用いた場合、低損失導波路を実現することができる。
【００５４】
特に、図３に示すように、上記化学的反応法や物理的成膜方法で成膜した低屈折率のクラッド層９を１０００℃以下の低温で成膜し、熱処理を経て実現した場合、密度の低いガラス層である。このクラッド層９の内部にレーザビームを集光して光伝搬層２を形成すると、高比屈折率差を容易に実現することができる。しかも、上記クラッド層９を成膜するのに１０００℃以下の低温プロセスを用いているので、基板１０の反りがほとんど生じない。これにより、大面積の基板１０上に高集積度の光回路を形成することができる。
【００５５】
（７）反射膜マスクパターン３Ａの描画作成ソフトプログラムをそのまま使ってガラス板の移動方向Ｐ（図２）を操作することができるので、高寸法精度で光伝搬層２を実現することができ、かつ、上記マスクパターン作成と光伝搬層２の形成を併用できるので経済的である。
【００５６】
（８）反射膜マスクパターン３Ａを半導体製造プロセスを用いて高寸法精度に実現し、そのマスクパターンにレーザビームを照射することによって簡易な方法で、かつ低損失を実現できる光伝搬層２の形成プロセスを見いだすことができた。その結果、高寸法精度、低損失な導波路を簡易に低コストで製造することができることがわかった。
【００５７】
【発明の効果】
本発明では、光伝搬層の形状変化を抑制して、高寸法精度の光伝搬層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ａ〜ｆは、本発明の一実施形態を示す製造工程図である。
【図２】ガラス導波路の一実施形態を示す斜視図である。
【図３】ガラス導波路の別の実施形態を示す斜視図である。
【図４】ａは、ガラス導波路の別の実施形態を示す端面図であり、ｂは、ａにおけるＣ−Ｃ線の断面図である。
【図５】ガラス導波路の別の実施形態を示す端面図である。
【図６】ガラス導波路のさらに別の実施形態を示す端面図である。
【図７】ａは、ガラス導波路の従来例を示す端面図であり、ｂは、ａにおけるＡ−Ａ線の断面図である。
【図８】ａは、ガラス導波路の従来例を示す端面図であり、ｂは、ａにおけるＢ−Ｂ線の断面図である。
【符号の説明】
１ガラス板
２光伝搬層
３反射膜
３Ａ反射膜マスクパターン
４通過領域
５反射領域
６レンズ
７フェムト秒レーザパルスビーム

Claims

ガラスの内部にレーザビームを照射することにより光伝搬層を形成するガラス導波路の製造方法において、
上記ガラスの表面に上記レーザビームを反射する反射膜で形成された反射膜マスクパターンを、上記レーザビームの通過領域を有するように設け、
上記レーザビームの通過領域のギャップを、上記レーザビームの幅よりも狭く設定し、
上記反射膜マスクパターンにおける上記レーザビームの通過領域に沿って、上記ガラスの内部に上記レーザビームを照射することを特徴とするガラス導波路の製造方法。
基板上に低屈折率を有するクラッド層を備え、上記クラッド層の内部にレーザビームを照射することにより光伝搬層を形成するガラス導波路の製造方法において、
上記クラッド層の表面に上記レーザビームを反射する反射膜で形成された反射膜マスクパターンを、上記レーザビームの通過領域を有するように設け、
上記レーザビームの通過領域のギャップを、上記レーザビームの幅よりも狭く設定し、
上記反射膜マスクパターンにおける上記レーザビームの通過領域に沿って、上記クラッド層の内部に上記レーザビームを照射することを特徴とするガラス導波路の製造方法。
上記光伝搬層が上記ガラスの表面または上記クラッド層の表面から１０μｍ以上深いガラス内部に形成されることを特徴とする請求項１または２記載のガラス導波路の製造方法。
上記ガラスの表面またはクラッド層の表面と、上記反射膜マスクパターンとの間に低屈折率層を備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のガラス導波路の製造方法。
上記レーザビームの波長λ_fが２００ｎｍ〜２４００ｎｍの範囲から選ばれることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載のガラス導波路の製造方法。
上記反射膜マスクパターンがフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を経てパターン化されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記載のガラス導波路の製造方法。
ガラス表面に反射膜を形成する工程と、上記反射膜に対してフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を経て、レーザビームの通過領域を有する反射膜マスクパターンをパターン化する工程と、上記反射膜マスクパターンを介してガラスの内部に集光させるように上記反射膜マスクパターンの上から、上記レーザビームの幅よりも狭く設定されたギャップを有する上記レーザビームの通過領域に沿って上記ガラスの内部にレーザビームを照射する工程とを備えたことを特徴とするガラス導波路の製造方法。
上記ガラスが化学的あるいは物理的成膜方法により作成され、その後、４００℃〜１０００℃の温度範囲で熱処理されることを特徴とする請求項７記載のガラス導波路の製造方法。
基板上に低屈折率を有するクラッド層を形成する工程と、上記クラッド層上に反射膜を形成する工程と、上記反射膜に対してフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を経て、レーザビームの通過領域を有する反射膜マスクパターンをパターン化する工程と、この反射膜マスクパターンを介してクラッド層の内部に集光させるように上記反射膜マスクパターンの上から、上記レーザビームの幅よりも狭く設定されたギャップを有する上記レーザビームの通過領域に沿って上記クラッド層の内部にレーザビームを照射する工程とを備えたことを特徴とするガラス導波路の製造方法。