JP2001334394A - フラックス、フラックス付き低融点合金およびそれを用いた保護素子 - Google Patents
フラックス、フラックス付き低融点合金およびそれを用いた保護素子Info
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Abstract
物を生成せず、低温域での柔軟性が高く、低融点合金の
溶断後の電気抵抗が大きいフラックス、このフラックス
を塗布または内蔵するフラックス付き低融点合金、およ
びこのフラックス付き低融点合金を具備する温度ヒュー
ズ,抵抗付きヒューズ等の保護素子を提供する。 【解決手段】 ロジンに、エチレン−アクリル酸エステ
ル共重合樹脂(EEA)を添加したフラックス7、この
フラックス7を塗布または内蔵したフラックス付き低融
点合金6およびこのフラックス付き低融点合金6を具備
する温度ヒューズや抵抗付きヒューズ等の保護素子。
Description
フラックスを塗布または内蔵したフラックス付き低融点
合金、および前記フラックス付き低融点合金を有する電
流ヒューズ,温度ヒューズ,抵抗付きヒューズ等の保護
素子に関し、より詳細には、低融点合金の溶断温度に近
い高温で保管されても特性変化が小さいフラックス、こ
のフラックスを具備するフラックス付き低融点合金、お
よびこのフラックス付き低融点合金を具備する保護素子
に関する。
気的接続や機械的固着に低融点合金が広く用いられてい
る。例えば水晶振動子を例にとると、金属外環内にガラ
スを介してリードを気密封止した気密端子におけるリー
ドの先端に、サポートを抵抗溶接により固着するか、リ
ードの先端にサポートを一体に形成するかし、このサポ
ートに水晶振動片を低融点合金ではんだ付けし、前記金
属外環の周面および/または金属キャップの内面に被着
した低融点合金を利用して金属キャップを圧入封止し、
さらにリードに形成した低融点合金を利用してプリント
基板等に実装されている。また、過電流や温度の異常上
昇(過昇)から電子機器を保護する保護素子として、低
融点合金を用いた電流ヒューズや温度ヒューズがある。
さらに、低融点合金と通電によりこの低融点合金を強制
的に溶断させる抵抗体とを具備する抵抗付きヒューズと
称される保護素子もある。
途に応じて各種のものがあるが、特開昭55−5429
8号公報、特開昭56−6798号公報、特開昭58−
77791号公報、特開2000−52088号公報に
は、ロジンにエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)
を添加したものが開示されている。
ロジンにエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)を添
加したフラックスは、各種の点で優れているが、熱分解
温度が約200℃と比較的低いため、高温域で保管され
ると熱分解を起こしやすく、しかも万一熱分解した場合
に、腐食性を有する酢酸等の分解物を生成して、低融点
合金によるろう付け部分が腐食される恐れがある。ま
た、低温域での粘度が高く、低融点合金への塗布性や、
低融点合金の溶断前の流動性が悪く、低融点合金の溶断
性にやや難がある。さらに、電気抵抗が小さいので、低
融点合金に塗布または内蔵された電流ヒューズや温度ヒ
ューズや抵抗付きヒューズ等の保護素子において、低融
点合金の溶断後の耐電圧が低く、漏れ電流の恐れがある
という、各種の改善すべき点があった。そこで本発明
は、上記の各種問題点を解決した、フラックス、このフ
ラックスを塗布または内蔵したフラックス付き低融点合
金、およびこのようなフラックス付き低融点合金を具備
する電流ヒューズ,温度ヒューズ,抵抗付きヒューズ等
の保護素子を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、ロジンにエチレン−アク
リル酸エステル共重合樹脂を添加したことを特徴とする
ものである。また、本発明のフラックス付き低融点合金
は、ロジンにエチレン−アクリル酸エステル共重合樹脂
を添加したフラックスを塗布または内蔵させたことを特
徴とするものである。さらに、本発明の保護素子は、前
記のフラックス付き低融点合金を具備することを特徴と
する電流ヒューズ,温度ヒユーズや抵抗付きューズであ
る。
る。本発明の請求項1に記載の発明は、ロジンにエチレ
ン−アクリル酸エステル共重合樹脂を添加したことを特
徴とするフラックスである。上記の構成によれば、エチ
レン−アクリル酸エステル共重合樹脂が、エチレン−酢
酸ビニル共重合樹脂(以下EVAと略す)に比較して、
熱分解温度が約40℃高く、それだけ熱分解が生じ難く
なる。また、万一分解しても、EVAのような腐食性の
分解物を生成しないので安全である。さらに、低温域で
の柔軟性に優れ、塗布性が良いのみならず、低融点合金
を速やかに溶断させることができる。さらにまた、低融
点合金の溶断後の電気抵抗が大きいので、再導通や漏れ
電流が生じない。
にエチレン−アクリル酸エステル共重合樹脂を5〜95
wt%および活性剤を0.1〜30wt%添加したこと
を特徴とするフラックスである。上記の構成によれば、
エチレン−アクリル酸エステル共重合樹脂の添加により
耐熱性が優れ、しかも活性剤の添加により動作特性の優
れたフラックスが得られる。
チレン−アクリル酸エステル共重合樹脂が、COOR基
を含み、RがC1〜C4までであることを特徴とする請
求項1または2のいずれかに記載のフラックスである。
上記の構成によれば、動作温度における流動性に優れ、
ロジン等の必要成分との相溶性も優れたフラックスが得
られる。
チレン−アクリル酸エステル共重合樹脂のメルトフロー
レートが0.6〜1500g/10minのものである
ことを特徴とする請求項3に記載のフラックスである。
上記の構成によれば、ポリマー重合度が高く耐熱性に優
れ、動作特性の優れたフラックスが得られる。
チレン−アクリル酸エステル共重合樹脂が、エチレン−
メチルアクリレート共重合体, エチレン−エチルアクリ
レート共重合体, エチレン−n−プロピルアクリレート
共重合体, エチレン−イソプロピルアクリレート共重合
体, エチレン−n−ブチルアクリレート共重合体, エチ
レン−イソブチルアクリレート共重合体, エチレン−s
ec−ブチルアクリレート共重合体, エチレン−ter
t−ブチルアクリレート共重合体の中から選択されたい
ずれか1または2以上であることを特徴とする請求項1
ないし4のいずれかに記載のフラックスである。上記の
構成によれば、従来のEVAを添加したフラックスより
も耐熱特性の優れたフラックスが得られる。
チレン−アクリル酸エステル共重合樹脂に、C4〜C
18のモノカルボン酸またはジカルボン酸、およびC4
〜C1 8のハロゲン化モノカルボン酸またはハロゲン化
ジカルボン酸、およびC1〜C 10のアルキル基を有す
る第2級アミン、C1〜C10のアルキル基を有する第
3級アミン、C1〜C10のアルキル基を有する第4級
アンモニウム塩、グリシンおよびC1〜C15のアルキ
ル基を有するアミノ酸またはアミノ酸塩の中から選択さ
れたいずれか1または2以上の活性剤を0.2〜30w
t%添加したことを特徴とする請求項5に記載のフラッ
クスである。上記の構成によれば、活性剤の添加により
動作温度におけるフラックスの活性効果が顕著であり、
しかも活性剤を必要最小限に抑えられる。
チレン−アクリル酸エステル共重合樹脂に、C4〜C
10のアルキル基を有する第1級アミンハロゲン化水素
酸塩、C4〜C10のアルキル基を有する第2級アミン
ハロゲン化水素酸塩、C4〜C 10のアルキル基を有す
る第3級アミンハロゲン化水素酸塩の中から選択された
いずれか1または2以上の活性剤を0.1〜10wt%
添加したことを特徴とする請求項5に記載のフラックス
である。上記の構成によれば、活性剤の添加により動作
温度におけるフラックスの活性効果が顕著であり、しか
も活性剤の添加による金属材料の腐食のないフラックス
が得られる。
チレン−アクリル酸エステル共重合樹脂に、硬化ヒマシ
油、アマイドワックス類、C4〜C18の有機金属石鹸
類、C6〜C50のカルボン酸エステル誘導体類の中か
ら選択されたいずれか1または2以上の粘性調整剤を1
〜40wt%添加したことを特徴とする請求項1ないし
7のいずれかに記載のフラックスである。上記の構成に
よれば、粘性調整剤の添加により常温および動作温度に
おけるフラックスの粘性を適正値にできるのみならず、
成分の凝集や分離が生じない。
チレン−アクリル酸エステル共重合樹脂に、ヒンダード
フェノール系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤、リン系
酸化防止剤の中から選択されたいずれか1または2以上
の酸化防止剤を0.01〜5wt%添加したことを特徴
とする請求項1ないし8のいずれかに記載のフラックス
である。上記の構成によれば、酸化防止剤の添加により
空気中における酸化が抑制され、しかも酸化防止剤の添
加により活性剤成分の反応を阻害することがないフラッ
クスが得られる。
請求項1ないし9のいずれかに記載のフラックスを塗布
または内蔵させたことを特徴とするフラックス付き低融
点合金である。上記の構成によれば、前記各種の優れた
特性を有するフラックスを塗布または内蔵したフラック
ス付き低融点合金が得られる。
請求項10に記載のフラックス付き低融点合金を具備す
ることを特徴とする保護素子である。上記の構成によれ
ば、前記各種の優れた特性を有するフラックスを塗布ま
たは内蔵したフラックス付き低融点合金を具備する保護
素子が得られる。
保護素子が、温度ヒューズであることを特徴とする請求
項11に記載の保護素子である。上記の構成によれば、
前記各種の優れた特性を有するフラックスを塗布または
内蔵したフラックス付き低融点合金を具備する温度ヒュ
ーズが得られる。
保護素子が、前記フラックス付き低融点合金と、通電に
よる発熱で前記フラックス付き低融点合金を溶断させる
抵抗体とを有する抵抗付きヒューズであることを特徴と
する請求項11に記載の保護素子である。上記の構成に
よれば、前記各種の優れた特性を有するフラックスを塗
布または内蔵したフラックス付き低融点合金を具備する
抵抗付きヒューズ等の保護素子が得られる。
エステル共重合樹脂として、エチレン−エチルアクリレ
ート共重合樹脂(以下EEAという)を用いた本発明の
フラックスの実施形態について説明するが、まず、本発
明におけるフラックスの添加剤であるEEAの化学構造
式および電気特性について説明する。EEAは、下記の
化学構造式を有するものである。
剤であるEEAと従来の添加剤であるEVAとの添加量
20(%)および25(%)におけるメルトフローレー
トMFR(g/10min)と、誘電正接(1MHz)
および体積固有抵抗(Ω・m)の電気特性を比較するも
のである。
の添加剤であるEEAが、従来の添加剤であるEVAに
比較して、メルトフローレートMFRが大きく、体積固
有抵抗が1桁大きいことが分かる。このことは、このE
EAを添加した本発明のフラックスが、従来のEVAを
添加したフラックスに比較して、流動性に優れ、かつ電
気抵抗が大きいことを意味し、本発明のフラックスを塗
布または内蔵した低融点合金を具備する保護素子が動作
特性に優れ、かつ動作後,すなわち低融点合金の溶断後
の絶縁抵抗ないし耐電圧が大きいことを予感させる。
剤であるEEAと、従来のフラックスの添加剤であるE
VAとの耐熱性を比較するために、温度と加熱質量変化
率との関係を示した大気流中での加熱質量変化率特性図
である。この図1によれば、従来の添加剤であるEVA
が約200℃で質量分率が低下するのに対して、本発明
の添加剤であるEEAでは約240℃で質量分率が低下
しており、EVAよりも約40℃だけ耐熱性が優れてい
ることが分かる。
クスの実施形態について説明する。 (1)まず、フラックスのベース樹脂として、EEAを
添加した下記のものを用意した。 不均化ロジン 40.0wt% EEA 40.0wt 酸化防止剤 0.5wt% (ペンタエリスリトールテトラヒンダー ドフェノール付加物) 防錆剤 0.5wt% 粘性調整剤 10.0wt% (アマイドワックス+硬化ヒマシ油) 有機酸 9.0wt%
〜のアミン塩活性剤を、ハロゲン含有量が0.3%に
なるように添加して、実施例のフラックス〜を調製
した。 n−Et.HCl :n−エチルアミン塩酸塩 n−Pro.HCl :n−プロピルアミン塩酸塩 n−But.HCl :n−ブチルアミン塩酸塩 n−Pro.HBr :n−プロピルアミン臭化水素酸塩 Di−n−Pro.HBr :ジ−n−プロピルアミン臭化水素酸塩 Tri−n−Pro.HBr :トリ−n−プロピルアミン臭化水素酸塩
有量と低融点合金広がり率との特性図である。この図2
から明らかなように、フラックス中のハロゲン含有量が
0.2wt%よりも少ないと、添加の効果が不十分であ
り、0.3wt%を超えて添加しても効果の向上が小さ
いため、上記実施例では活性剤を、ハロゲン含有量が
0.3wt%になるように添加している。
けるEEAに代えてEVAを同一重量%だけ用いたベー
ス樹脂に、上記のアミン塩活性剤を、ハロゲン含有量
が0.3wt%になるように添加して、比較例のフラッ
クスを調製した。
〜および比較例のフラックスを、後述する温度ヒュ
ーズ用のセラミックス製キャップ(内法長辺5.0mm
×内法短辺3.0mm×深さ1.0mm)内に充填し、
その中に融点が130℃(Sn:50wt%、Pb:2
0wt%、In:30wt%)で一定の大きさ(長さ
4.0m×幅0.5mm×厚さ0.5mm)の低融点合
金がフラックス中に完全に埋設されている状態の試験片
をそれぞれ10個ずつ作製した。なお、この試験片は、
上面が大気中に開放している構造である。
ブンに入れ、80℃で48時間保管した後取り出し、1
35℃に調温したホットプレートに載せ、低融点合金が
溶融するまでの時間を測定した。また、室温で保管した
残りの各試験片5個ずつについて、熱保管後の試験片と
同一の条件で低融点合金が溶融するまでの時間を測定
し、これを初期値として、両者を比較した結果を表2に
示す。
タから、田口メソッドを用いてSN比(η)を求め、耐
熱性を評価した。その結果を表3に示す。なお、表3に
は、絶縁抵抗値も併記している。この表3から、本発明
のEEAを添加したフラックスが、従来のEVAを添加
したフラックスに比較して、SN比(η)が高く耐熱性
に優れ、しかも絶縁抵抗値も1桁大きいことが分かる。
と、EVAを添加した第1比較例のフラックスと、
さらに、より一般的な第2比較例のフラックスとを、
それぞれ下記の組成を有するように調製し、高温保管試
験を行った結果について説明する。 本発明のフラックス 変性ロジン 59.5wt% EEA 40.0wt% ジエチルアミン塩酸塩 0.5wt% 比較例のフラックス 変性ロジン 59.5wt% EVA 40.0wt% ジエチルアミン塩酸塩 0.5wt% 比較例のフラックス 変性ロジン 59.5wt% アマイド系ワックス 40.0wt% ジエチルアミン塩酸塩 0.5wt%
した図2のフラックス中のハロゲン含有量と低融点合金
広がり率との特性図から、活性剤としてのジエチルアミ
ン塩酸塩の添加量は0.5wt%にしている。
度が130℃の低融点合金(Sn:50wt%、Pb:
20wt%、In:30wt%)に塗布した後述する構
造の温度ヒューズを、それぞれ5×4個ずつ用意し、そ
れぞれ低融点合金の溶融温度−10℃(120℃)の高
温域で、2,500時間、5,000時間、10,00
0時間保管した後に各5個ずつ溶断試験にかけ、フラッ
クスの劣化による溶断温度の上昇を、常温保管時の溶断
温度である初期値と比較した。
温度ヒューズは、次の構造を有するものである。図3は
上記の本発明フラックスおよび比較例のフラックス
、を塗布した本発明および比較例の温度ヒューズか
らなる保護素子Aの一部を切り開いた平面図であり、図
4は図3の保護素子Aにおける長手方向の中心線に沿う
縦断面図を示す。図3および図4において、1はアルミ
ナ等のセラミックよりなる矩形状の絶縁基板で、その両
端部にAgペースト、AgPdペースト,AgPtペー
スト等のAg系導電ペーストを塗布焼成して形成した電
極2、3を有する。これらの電極2、3の外方端には、
それぞれ銅製またはニッケル製のリード4、5がはんだ
付け等により接続固着されており、また、各電極2、3
の内方端間にまたがって、周囲温度に応答して溶融する
低融点合金6が溶接等により一体に接続されている。こ
の低融点合金6の表面は、上記本発明のフラックスまた
は比較例のフラックス7で被覆されており、このフラッ
クス7の上方からアルミナセラミックや樹脂等の成形体
よりなる絶縁キャップ8が被せられ、封止樹脂9により
固着封止されている。
いた温度ヒューズ、および比較例のフラックス,
を用いた温度ヒューズ,を、それぞれ4×5個ずつ
用意し、初期状態と、120℃で2,500時間保管
後、5,000時間保管後および10,000時間保管
後、各5個ずつの溶断温度を測定して、それぞれ平均値
および標準偏差を求めた高温保管試験結果を表4に示
す。
クスを用いた温度ヒューズでは、初期値、2,50
0時間、5,000時間および10,000時間保管後
における平均溶断温度が、それぞれ129.4℃、12
9.4℃、129.8℃および130.0℃で、それぞ
れの標準偏差も0.11、0.15、0.15および
0.27と小さく安定であった。これに対して、比較例
のフラックスを用いた温度ヒューズにおける平均溶
断温度は、それぞれ129.6℃、129.6℃、13
0.1℃および139.7℃で、それぞれの標準偏差は
0.19、0.26、0.11および21.69であっ
た。さらに、比較例のフラックスを用いた温度ヒュー
ズにおける平均溶断温度は、それぞれ129.4℃、
129.7℃、135.6℃および201.1℃で、そ
れぞれの標準偏差は0.19、0.57、10.85お
よび計算不能であった。以上の結果を総合すると、本発
明のフラックスを用いた温度ヒューズが、最も高温
保管特性、すなわち耐熱性が優れていることが明白であ
る。
用いた温度ヒューズのみならず、下記組成の低融点合金
を用いた温度ヒューズにおいても、上記結果と同様な結
果が確認された。 Pb:42%,Bi:58%の組成を有し、融点が1
25℃の低融点合金。 Bi:58%,Sn:42%の組成を有し、融点が1
35℃の低融点合金。 Bi:50%,Sn:50%の組成を有し、融点が1
60℃の低融点合金。
化ロジンまたは変性ロジンを用いる場合について説明し
たが、本発明におけるロジンとしては、不均化ロジン,
変性ロジン,天然ロジン,精製ロジン,重合ロジン,水
添ロジンの中から選択された1種または2種以上を用い
ることができる。
含んでいないと、高融点となり動作温度における流動性
が著しく損なわれる。また、RがC4を超えると、ロジ
ン等の必要成分との相溶性が損なわれる。したがって、
本発明におけるEEAは、COOR基を含み、RがC1
〜C4までのものが望ましい。
を含み、RがC1〜C4までのEEAであっても、メル
トフローレート(MFR)が0.6g/10min未満
のものでは、ポリマー重合度が低く耐熱性が劣る。ま
た、メルトフローレート(MFR)が1500g/10
minを超えると、電流ヒューズ,温度ヒューズ,抵抗
付きヒューズ等の動作性を損なうようになる。したがっ
て、本発明におけるEEAのメルトフローレート(MF
R)は0.6〜1500g/10minが望ましい。
は、エチレン−メチルアクリレート共重合体, エチレン
−エチルアクリレート共重合体, エチレン−n−プロピ
ルアクリレート共重合体, エチレン−イソプロピルアク
リレート共重合体, エチレン−n−ブチルアクリレート
共重合体, エチレン−イソブチルアクリレート共重合
体, エチレン−sec−ブチルアクリレート共重合体,
エチレン−tert−ブチルアクリレート共重合体の中
から選択されたいずれか1または2以上でもよい。EE
Aの添加量が5wt%未満では、ポリマー添加による耐
熱性向上効果が顕著でなく、95wt%を超えると他の
必要成分量が満たされないのでフラックスとして無効で
ある。したがって、本発明においてEEAの添加量は5
〜95wt%が望ましい。
は、C4〜C18のモノカルボン酸またはジカルボン
酸、およびC4〜C18のハロゲン化モノカルボン酸ま
たはハロゲン化ジカルボン酸、およびC1〜C10のア
ルキル基を有する第2級アミン、C1〜C10のアルキ
ル基を有する第3級アミン、C1〜C10のアルキル基
を有する第4級アンモニウム塩の中から選択したいずれ
か1または2以上とすることができる。そして、その添
加量が0.2wt%未満では添加の効果が顕著でない
し、30wt%を超えると、活性効果が一定となり、そ
れ以上の添加は無意味になる。したがって、本発明にお
ける上記活性剤の添加量は0.2〜30wt%が望まし
い。
性剤としては、C4〜C10のアルキル基を有する第1
級アミンハロゲン化水素酸塩、C4〜C10のアルキル
基を有する第2級アミンハロゲン化水素酸塩、C4〜C
10のアルキル基を有する第3級アミンハロゲン化水素
酸塩の中から選択したいずれか1または2以上とするこ
とができる。そして、この活性剤の添加量が0.1wt
%未満では、添加の効果が顕著でないし、10wt%を
超えると、金属材料に対する腐食性が見られるようにな
る。したがって、本発明における上記活性剤の添加量は
0.1〜10wt%が望ましい。
整剤(チクソ剤)は、硬化ヒマシ油、アマイドワックス
類、C4〜C18の有機金属石鹸類、C6〜C50のカ
ルボン酸エステル誘導体類の中から選択されたいずれか
1または2以上を用い得る。その添加量が1wt%未満
では添加の効果が顕著でないし、40wt%を超えると
成分の凝集分離が見られるように成る。したがって、本
発明における粘性調整剤の添加量は、1〜40wt%が
望ましい。
て酸化防止剤を添加することができる。酸化防止剤とし
ては、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、イオウ系酸
化防止剤、リン系酸化防止剤の中から選択されたいずれ
か1または2以上を用い得る。その添加量は、0.01
wt%未満では添加の効果が顕著でなく、5wt%を超
えると活性剤成分の反応を阻害するようになる。したが
って、酸化防止剤の添加量は0.01〜5wt%が望ま
しい。
態の構造に限定されるものではなく、抵抗付きヒューズ
と称されるものにも適用できる。図5はそのような保護
素子Bの一部を切り開いた平面図で、図6は図5のX−
X線に沿う縦断面図、図7は一部を切り開いた下面図で
ある。図5ないし図7において、11はアルミナセラミ
ック等の絶縁基板で、その長手方向の両端部近傍の偏芯
した位置に透孔12、13を有する。前記絶縁基板11
の表面の前記透孔13から離隔した位置、前記透孔12
を含む位置、および前記透孔13を含む位置に、それぞ
れAgペースト、AgPdペースト、AgPtペースト
等の導電ペーストを塗布焼成して電極14、15、16
を形成するとともに、絶縁基板11の裏面の前記透孔1
2、13を含む位置に、それぞれ前記同様の導電ペース
トを塗布焼成して電極17、18を形成している。ここ
で、絶縁基板11の表面の電極15と裏面の電極17と
は、透孔12内に充填された導電物質によって接続され
ており、絶縁基板11の表面の電極16と裏面の電極1
8とは、透孔13内に充填された導電物質によって接続
されている。絶縁基板11の裏面の電極17、18にま
たがって、RuO2等の抵抗ペーストを塗布焼成して膜
状の抵抗体19が形成され、この抵抗体19を電極1
7、18とともに低融点ガラスや耐熱樹脂等よりなる絶
縁層20で被覆してある。また、表面の電極14、1
5、16の外方端にそれぞれ銅製またはニッケル製のリ
ード21、22、23を高温はんだ等で接続し、電極1
4、15の内方端にまたがって、低融点合金24が溶接
等により接続されている。この低融点合金24の表面
は、前記したフラックス25により被覆されている。こ
のフラックス25の上方からは、セラミックまたは樹脂
等の絶縁材料の成形体よりなる絶縁キャップ26が被せ
られ、エポキシ等の封止樹脂27により固着封止されて
いる。
る保護素子Bの等価回路図を示す。図8において、2
1、22、23は端子で、前記各リード21、22、2
3に対応している。Fはヒューズで、前記低融点合金2
4に対応している。Rは抵抗で、前記抵抗体19に対応
している。前記ヒューズF(低融点合金24)の一端と
抵抗R(抵抗体19)の一端は、端子22で共通接続さ
れている。
子Bは、いろいろな用途に用い得るが、例えばリチウム
イオン二次電池の過充電防止装置に用いることができ
る。すなわち,リチウムイオン二次電池は、過充電や過
放電状態になると、デンドライトを生成して、危険状態
になるので、過充電や過放電を防止する必要がある。図
9は、リチウムイオン二次電池の過充電防止装置の回路
図である。図9において31、32は正負直流入力端子
で、33、34は正負直流出力端子である。Bは前記の
抵抗付きヒューズと称される保護素子で、その端子21
は正直流入力端子31に接続され、端子22は正直流出
力端子33に接続されている。したがって、ヒューズF
(低融点合金24)は、正直流入力端子31と正直流出
力端子33間に接続されている。35は電圧検知回路
で、図示例はツェナダイオード36と電流制限抵抗37
の直列接続で構成されており、前記ツェナダイオード3
6のカソードは、端子22および正直流出力端子33に
接続されている。また、前記保護素子Bの端子23は、
前記電圧検知回路35の電圧検知によって導通されるス
イッチング素子であるトランジスタ38のコレクタに接
続され、そのエミッタは負直流入力端子32および負直
流出力端子34に接続されている。さらに、前記電圧検
知回路35の電流制限抵抗37の他端は、前記トランジ
スタ38のベースに接続されている。
入力端子31、32に充電器39を接続するとともに、
正負直流出力端子33、34にリチウムイオン二次電池
40を接続する。すると、リチウムイオン二次電池40
はヒューズF(低融点合金24)を介して充電される。
リウムイオン二次電池40が充電完了状態になると、そ
の端子電圧をツェナダイオード36が検出して、トラン
ジスタ38を導通させる。すると、このトランジスタ3
8を介して抵抗R(抵抗体19)に通電して、抵抗R
(抵抗体19)を発熱させて、前記ヒューズF(低融点
合金24)を溶断させることによって、リチウムイオン
二次電池40の過充電を防止することができる。
子Bは、上記構造のものの他に、絶縁基板の表面または
裏面に、低融点合金と抵抗体とを並置して形成した構造
のものでもよい。また、絶縁基板の表面または裏面に、
抵抗体を形成し、その上に絶縁層を介して低融点合金を
積層形成した構造のものでもよい。
た温度ヒューズAや抵抗付きヒューズBに限らず、図1
0に示すように、一対の断面が円形のリード41、42
の先端間に、断面が円形の低融点合金43を溶接等によ
り固着し、低融点合金43をフラックス44で被覆し、
これをアルミナセラミック等よりなる円筒型の絶縁ケー
ス45に挿通し、絶縁ケース45の両端の開口部をエポ
キシ樹脂等の絶縁封止材46、47で封止した,いわゆ
るアキシャル構造の保護素子Cにも適用できる。このよ
うな構造の保護素子Cでは、フラックス44は低融点合
金43の周面に塗布する場合のみならず、低融点合金4
3に内蔵させた、いわゆるフラックス内蔵型の構造にし
てもよいし、低融点合金43の周面に長さ方向に沿って
すり割り溝を形成して、このすり割り溝内にフラックス
44を充填した構造のものでもよい。
ロジンにEEAを添加したことを特徴とするフラックス
であるから、耐熱性に優れ、熱分解し難いのみならず、
万一分解しても、腐食性の分解物が生成されないので、
安全である。また、低温域での柔軟性に優れ、塗布性に
優れる。また、本発明のフラックス付き低融点合金は、
上記のフラックスを塗布または内蔵させたものであるか
ら、低融点合金の酸化を防止し、溶断時に低融点合金を
速やかに溶断させることができる、溶断特性の優れた低
融点合金が得られる。さらに、本発明の保護素子は、上
記のフラックス付き低融点合金を具備するものであるか
ら、溶断特性の優れた電流ヒューズ,温度ヒューズ,抵
抗付きヒューズ等が得られるのみならず、フラックスの
絶縁抵抗値が高いので、低融点合金の溶断後にフラック
スを通して再導通したり、漏れ電流が流れる危険性がな
い。
リル酸エステル共重合樹脂の耐熱性を説明するための大
気流中での加熱質量変化率の特性図
がり率の特性図
いた、かつ本発明の第1実施形態でもある温度ヒューズ
からなる保護素子Aの一部を切り開いた平面図
いた、かつ本発明の第1実施形態でもある温度ヒューズ
からなる保護素子Aの長手方向の中心線に沿う縦断面図
ズからなる保護素子Bの一部を切り開いた平面図
ズからなる保護素子Bの図5のX−X線に沿う縦断面図
ズからなる保護素子Bの一部を切り開いた下面図
ズからなる保護素子Bの等価回路図
Bをリチウムイオン二次電池の過充電防止装置に用いた
場合の回路図
構造の温度ヒューズからなる保護素子Cの縦断面図
Claims (13)
- 【請求項1】ロジンにエチレン−アクリル酸エステル共
重合樹脂を添加したことを特徴とするフラックス。 - 【請求項2】ロジンにエチレン−アクリル酸エステル共
重合樹脂を5〜95wt%および活性剤を0.1〜30
wt%添加したことを特徴とするフラックス。 - 【請求項3】前記エチレン−アクリル酸エステル共重合
樹脂が、COOR基を含み、RがC 1〜C4であること
を特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のフラ
ックス。 - 【請求項4】前記エチレン−アクリル酸エステル共重合
樹脂のメルトフローレートが0.6〜1500g/10
minのものであることを特徴とする請求項3に記載の
フラックス。 - 【請求項5】前記エチレン−アクリル酸エステル共重合
樹脂が、エチレン−メチルアクリレート共重合体, エチ
レン−エチルアクリレート共重合体, エチレン−n−プ
ロピルアクリレート共重合体, エチレン−イソプロピル
アクリレート共重合体, エチレン−n−ブチルアクリレ
ート共重合体, エチレン−イソブチルアクリレート共重
合体, エチレン−sec−ブチルアクリレート共重合
体, エチレン−tert−ブチルアクリレート共重合体
の中から選択されたいずれか1または2以上であること
を特徴とする請求項4に記載のフラックス。 - 【請求項6】前記エチレン−アクリル酸エステル共重合
樹脂に、C4〜C18のモノカルボン酸またはジカルボ
ン酸、およびC4〜C18のハロゲン化モノカルボン酸
またはハロゲン化ジカルボン酸、およびC1〜C10の
アルキル基を有する第2級アミン、C1〜C10のアル
キル基を有する第3級アミン、C1〜C10のアルキル
基を有する第4級アンモニウム塩、グリシンおよびC1
〜C15のアルキル基を有するアミノ酸またはアミノ酸
塩の中から選択されたいずれか1または2以上の活性剤
を0.2〜30wt%添加したことを特徴とする請求項
5に記載のフラックス。 - 【請求項7】前記エチレン−アクリル酸エステル共重合
樹脂に、C4〜C10のアルキル基を有する第1級アミ
ンハロゲン化水素酸塩、C4〜C10のアルキル基を有
する第2級アミンハロゲン化水素酸塩、C4〜C10の
のアルキル基を有する第3級アミンハロゲン化水素酸塩
の中から選択されたいずれか1または2以上の活性剤を
0.1〜10wt%添加したことを特徴とする請求項5
に記載のフラックス。 - 【請求項8】前記エチレン−アクリル酸エステル共重合
樹脂に、硬化ヒマシ油、アマイドワックス類、C4〜C
18の有機金属石鹸類、C6〜C50のカルボン酸エス
テル誘導体類の中から選択されたいずれか1または2以
上の粘性調整剤を1〜40wt%添加したことを特徴と
する請求項1ないし7のいずれかに記載のフラックス。 - 【請求項9】前記エチレン−アクリル酸エステル共重合
樹脂に、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、イオウ系
酸化防止剤、リン系酸化防止剤の中から選択されたいず
れか1または2以上の酸化防止剤を0.01〜5wt%
添加したことを特徴とする請求項1ないし8のいずれか
に記載のフラックス。 - 【請求項10】前記請求項1ないし9のいずれかに記載
のフラックスを塗布または内蔵させたことを特徴とする
フラックス付き低融点合金。 - 【請求項11】前記請求項10に記載のフラックス付き
低融点合金を具備することを特徴とする保護素子。 - 【請求項12】前記保護素子が、温度ヒューズであるこ
とを特徴とする請求項11に記載の保護素子。 - 【請求項13】前記保護素子が、前記フラックス付き低
融点合金と、通電による発熱で前記フラックス付き低融
点合金を溶断させる抵抗体とを有する抵抗付きヒューズ
であることを特徴とする請求項11に記載の保護素子。
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JP2000151078A JP4488586B2 (ja) | 2000-05-23 | 2000-05-23 | フラックス、フラックス付き低融点合金およびそれを用いた保護素子 |
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Cited By (5)
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- 2000-05-23 JP JP2000151078A patent/JP4488586B2/ja not_active Expired - Lifetime
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