JP2001313466A

JP2001313466A - 積層型セラミック電子部品の製造方法

Info

Publication number: JP2001313466A
Application number: JP2000130181A
Authority: JP
Inventors: Norio Sakai; 範夫酒井
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-04-28
Filing date: 2000-04-28
Publication date: 2001-11-09

Abstract

(57)【要約】【課題】積層型セラミック電子部品において高い精度
をもって配線導体を形成できるようにする。【解決手段】セラミックグリーンシート１１の第１の
主面１２上にまず導体膜となる導電性ペースト膜１３を
形成し、次いで、セラミックグリーンシート１１に対し
て、レーザ光１４を、セラミックグリーンシート１１の
第２の主面１５側から照射し、それによって、セラミッ
クグリーンシート１１に貫通孔１６を設ける。この貫通
孔１６内に導電性ペーストを充填することによって、ビ
アホール導体４を形成する。次いで、セラミックグリー
ンシート１１を含む複数のセラミックグリーンシートを
積層して得られた生の積層体を焼成することによって、
積層型セラミック電子部品を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、積層型セラミッ
ク電子部品の製造方法に関するもので、特に、積層型セ
ラミック電子部品の製造過程においてビアホール導体を
形成するためにセラミックグリーンシートに貫通孔を設
ける工程における改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この発明にとって興味ある積層型セラミ
ック電子部品は、多層セラミック基板とも呼ばれるもの
で、複数のセラミック層をもって構成される積層構造を
有する積層体を備えている。

【０００３】この積層体の内部には、コンデンサ、イン
ダクタおよび／または抵抗のような受動素子をもって所
望の回路を構成するように配線導体が設けられる。ま
た、積層体の外部には、半導体ＩＣチップのような能動
素子や、必要に応じて受動素子の一部が搭載される。

【０００４】また、上述のように複合化された積層型セ
ラミック電子部品は、適宜の配線基板上に実装され、所
望の電子装置を構成するように用いられる。

【０００５】このような積層型セラミック電子部品は、
たとえば、移動体通信端末機器の分野において、ＬＣＲ
複合化高周波部品として用いられたり、コンピュータの
分野において、半導体ＩＣチップのような能動素子とコ
ンデンサやインダクタや抵抗のような受動素子とを複合
化した部品として、あるいは単なる半導体ＩＣパッケー
ジとして用いられたりしている。

【０００６】より具体的には、積層型セラミック電子部
品は、ＰＡモジュール基板、ＲＦダイオードスイッチ、
フィルタ、チップアンテナ、各種パッケージ部品、複合
デバイス等の種々の電子部品を構成するために広く用い
られている。

【０００７】図８には、この発明にとって興味ある積層
型セラミック電子部品１が図解的に断面図で示されてい
る。

【０００８】積層型セラミック電子部品１は、積層され
た複数のセラミック層２をもって構成される積層体３を
備えている。この積層体３において、セラミック層２の
特定のものに関連して種々の配線導体が設けられてい
る。

【０００９】上述の配線導体としては、特定のセラミッ
ク層２を貫通するように延びるいくつかのビアホール導
体４や、特定のセラミック層２の主面に沿って延びるい
くつかの導体膜５等があり、導体膜５には、積層体３の
内部に形成されるものと積層体３の外表面上に形成され
るものとがある。

【００１０】このような積層型セラミック電子部品１
は、たとえば、図８において想像線で示すように、配線
基板６上に実装され、所望の電子装置を構成するように
用いられる。

【００１１】図８に示す積層型セラミック電子部品１を
製造するにあたっては、セラミック層２となるべきセラ
ミックグリーンシートが用意され、セラミックグリーン
シートに貫通孔を設け、この貫通孔に導電性ペーストを
充填することによってビアホール導体４を形成し、ま
た、セラミックグリーンシート上に導体膜５を形成する
ことが行なわれる。

【００１２】上述した導体膜５は、一般的に、導電性ペ
ーストを印刷することによって形成されるが、この導体
膜５において高いパターン精度を得るため、ビアホール
導体４を形成するための貫通孔を設ける前の段階にある
セラミックグリーンシートに対して導体膜５を形成する
ための工程を実施することが、特許第２８８２１５７号
公報において提案されている。

【００１３】この特許公報に記載の技術によれば、ビア
ホール導体４を形成するための貫通孔が設けられる前の
段階にあるセラミックグリーンシートは、その主面の平
滑性が良好であり、また、貫通孔を設け、そこに導電性
ペーストを充填し、この導電性ペーストを乾燥するとい
った工程を実施するための取り扱い等による破損や変形
が生じていないため、このようなセラミックグリーンシ
ートに対して導体膜５を形成するようにすれば、高いパ
ターン精度をもって導体膜５を形成することが可能とな
る。

【００１４】他方、ビアホール導体４のための貫通孔の
形成には、従来、パンチングによる方法が一般的に適用
されていたが、積層型セラミック電子部品１の小型化お
よび生産性向上を目的として、最近では、たとえば特開
平４−１９６１９４号公報に記載されるように、たとえ
ばＣＯ₂レーザ光のようなレーザ光による貫通孔の形成
が主流になってきている。

【００１５】このように、レーザ光を適用する場合、レ
ーザ光の熱エネルギーによって、セラミックグリーンシ
ートに含まれるバインダおよび可塑剤が昇華し、それに
伴ってセラミック粉末も同様に飛散することによって、
貫通孔が設けられることになる。

【００１６】このような背景の下、前述した特許第２８
８２１５７号公報に記載のように、セラミックグリーン
シート上に導体膜５を形成した後、ビアホール導体４の
ための貫通孔を形成するため、特開平４−１９６１９４
号公報に記載のように、レーザ光を適用することが考え
られる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たように、導体膜５を形成した後に、レーザ光を適用し
て貫通孔を形成しようとするとき、次のような問題に遭
遇する。

【００１８】レーザ光として通常用いられるＣＯ₂レー
ザ光の波長は、約１０μｍであり、このような波長のレ
ーザ光は、銅に対して約９５％、銀に対して約９９％と
いうように、ほとんどの金属に対して９０％以上の反射
率をもって反射してしまう。他方、導体膜５には、これ
が導電性ペーストによって形成されるとき、３０〜７０
体積％の金属が含有されている。導体膜５が、金属箔、
蒸着膜、スパッタリング膜またはめっき膜によって形成
されているときには、そのすべてが実質的に金属である
ことになる。

【００１９】したがって、貫通孔を設けるにあたって、
導体膜５が形成された側からセラミックグリーンシート
に向かってレーザ光を照射しても、そのほとんどが反射
するため、貫通孔を形成することが困難であり、また、
貫通孔が形成されたとしても、このような貫通孔を高い
精度をもって形成することが不可能である。

【００２０】なお、レーザ光による貫通孔の形成を開示
する特開平４−１９６１９４号公報は、導体膜５を形成
する前の段階での貫通孔の形成についてしか言及してい
ない。

【００２１】そこで、この発明の目的は、セラミックグ
リーンシート上に導体膜を形成した後の段階において、
ビアホール導体のための貫通孔を形成するにあたって、
レーザ光を適用できるようにした、積層型セラミック電
子部品の製造方法を提供しようとすることである。

【００２２】

【課題を解決するための手段】この発明に係る積層型セ
ラミック電子部品の製造方法は、上述した技術的課題を
解決するため、次のような構成を備えることを特徴とし
ている。

【００２３】すなわち、この発明に係る積層型セラミッ
ク電子部品の製造方法は、セラミックグリーンシートを
用意する工程と、セラミックグリーンシートの第１の主
面上に導体膜を形成する工程と、次いで、セラミックグ
リーンシートに対して、レーザ光を、セラミックグリー
ンシートの第１の主面とは逆の第２の主面側から照射
し、それによって、セラミックグリーンシートにビアホ
ール導体を形成するための貫通孔を設ける工程と、ビア
ホール導体を形成するため、貫通孔内に導電性ペースト
を充填する工程と、上述したセラミックグリーンシート
を含む複数のセラミックグリーンシートを積層し、圧着
し、それによって、生の積層体を得る工程と、この生の
積層体を焼成する工程とを備えることを特徴としてい
る。

【００２４】この発明は、セラミックグリーンシート
の、導体膜が形成された領域内に貫通孔を設けようとす
るとき、特に意義が大きい。

【００２５】この発明において、導体膜は、導電性ペー
ストをセラミックグリーンシートの第１の主面上に付与
することによって形成された導電性ペースト膜によって
与えられても、金属箔、蒸着膜、スパッタリング膜また
はめっき膜によって与えられてもよい。

【００２６】また、この発明において、セラミックグリ
ーンシートは、キャリアフィルムによって裏打ちされた
状態で取り扱われるのが好ましい。この場合、セラミッ
クグリーンシートは、第１の主面を外側に向けかつキャ
リアフィルムによって裏打ちされた状態で用意され、こ
のキャリアフィルムによって裏打ちされた状態で、導体
膜を形成する工程と、貫通孔を設ける工程と、貫通孔内
に導電性ペーストを充填する工程とが実施され、生の積
層体を得る工程の前に、キャリアフィルムをセラミック
グリーンシートから剥離する工程が実施される。なお、
貫通孔を設ける工程においては、セラミックグリーンシ
ートの第２の主面側からレーザ光が照射されるので、レ
ーザ光はキャリアフィルムに向かって照射されることに
なり、このキャリアフィルムにも貫通孔が設けられる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の一実施形態と
して、図８に示した積層型セラミック電子部品１の製造
方法に関連して説明する。

【００２８】図１は、図８に示した積層型セラミック電
子部品１の製造方法に含まれるいくつかの工程を順次示
す断面図である。

【００２９】まず、図１（１）に示すように、セラミッ
クグリーンシート１１が用意される。このセラミックグ
リーンシート１１は、図８に示したセラミック層２とな
るべきものである。

【００３０】次いで、図１（２）に示すように、セラミ
ックグリーンシート１１の第１の主面１２上に、スクリ
ーン印刷または凹版印刷等の印刷を適用して、導電性ペ
ーストを付与することによって、導電性ペースト膜１３
が形成される。導電性ペースト膜１３は、図８に示した
導体膜５となるべきものである。

【００３１】次いで、図１（３）に示すように、セラミ
ックグリーンシート１１に対して、レーザ光１４が照射
される。レーザ光１４は、セラミックグリーンシート１
１の第１の主面１２とは逆の第２の主面１５側から照射
される。レーザ光１４としては、たとえば、ＣＯ₂レー
ザ光（波長：約１０μｍ）、ＹＡＧレーザ光（波長：
１．０６μｍ）またはＹＡＧレーザ光の第３高調波（波
長：３５５ｎｍ）が用いられる。

【００３２】これらのいずれを用いた場合であっても、
レーザ光１４は、セラミックグリーンシート１１に含ま
れるバインダおよび可塑剤等の樹脂成分に吸収され、そ
れによって生じる熱エネルギーによって樹脂成分が昇華
し、また、これに伴ってセラミック粉末が飛散すること
から、セラミックグリーンシート１１に貫通孔１６が設
けられる。

【００３３】また、貫通孔１６は、導電性ペースト膜１
３が形成された領域内にあるので、貫通孔１６は、この
導電性ペースト膜１３をも貫通するように設けられる。
すなわち、導電性ペースト膜１３においては、そこに樹
脂成分が含まれていることに加えて、その厚みが薄いこ
ともあって、上述した貫通孔１６の形成によるセラミッ
クグリーンシート１１の一部除去に連鎖する形で、導電
性ペースト膜１３も除去されるため、セラミックグリー
ンシート１１に設けられた貫通孔１６は、導電性ペース
ト膜１３をも貫通するように設けられる。

【００３４】このように、導電性ペースト膜１３が形成
されていない第２の主面１５側からレーザ光１４を照射
して、セラミックグリーンシート１２に貫通孔１６を設
けるようにしているので、導電性ペースト膜１３に含ま
れる金属によるレーザ光１４の反射といった吸収効率を
低下させる原因に遭遇することなく、貫通孔１６を形成
することができる。

【００３５】次に、図１（４）に示すように、貫通孔１
６内に導電性ペーストが充填され、それによってビアホ
ール導体４が形成される。

【００３６】次に、上述したセラミックグリーンシート
１１を含む複数のセラミックグリーンシートが積層さ
れ、圧着されることによって、図８に示した積層体３の
ための生の積層体が得られる。

【００３７】そして、この生の積層体が焼成されること
によって、図８に示した積層体３を備える積層型セラミ
ック電子部品１が得られる。

【００３８】なお、レーザ光１４によって貫通孔１６を
形成しようとするとき、レーザ光１４の熱エネルギーに
よる昇華が生じるため、図１（３）において図示するよ
うに、貫通孔１６をストレートな状態で形成することが
困難であり、特にレーザ光１４の入射側においては、貫
通孔１６の周辺部も昇華によって飛散してしまうことが
多い。

【００３９】このことから、この実施形態とは逆に、図
２（１）に示すように、導電性ペースト膜１３が形成さ
れた第２の主面１５側からレーザ光１４を照射して貫通
孔１６ａを形成しようとしたときには、貫通孔１６ａの
周辺部において、導電性ペースト膜１３が比較的大きく
除去されてしまう。

【００４０】そのため、図２（２）に示すように、貫通
孔１６ａ内に導電性ペーストを充填し乾燥することによ
って、ビアホール導体４を形成したとき、ビアホール導
体４と導電性ペースト膜１３との間で導通不良が生じる
ことがある。

【００４１】上述の導通不良を防止するためには、図３
に示すように、ビアホール導体４を形成するとき、この
ビアホール導体４の周囲に比較的大きく張り出す張り出
しランド１７を形成しておく必要がある。しかしなが
ら、比較的大きな張り出しランド１７は、積層型セラミ
ック電子部品１の小型化および配線の高密度化を阻害し
てしまう。

【００４２】また、図２（１）に示すように、導電性ペ
ースト膜１３が形成された第２の主面１５側からレーザ
光１４を照射して貫通孔１６ａを形成しようとすると、
レーザ光１４の熱エネルギーによる昇華のため、セラミ
ックグリーンシート１１内のセラミック粉末だけでな
く、導電性ペースト膜１３内の金属粉末も比較的多量に
飛散する。図４に示すように、この金属粉末１８が、ビ
アホール導体４とこれに近接する導電性ペースト膜１３
との間に飛散したり、図５に示すように、互いに近接し
ている２つの導電性ペースト膜１３の間に飛散したりす
ると、電気的短絡といった不良を招く原因になる。

【００４３】以上のように、図２ないし図５を参照しな
がら説明した比較技術において遭遇する問題は、前述し
たように、導電性ペースト膜１３が形成された第２の主
面１５側からレーザ光１４を照射するようにすることに
よって、有利に解消されることができる。

【００４４】図１に示した実施形態では、図８に示した
導体膜５を形成するため、導電性ペーストの付与による
導電性ペースト膜１３をセラミックグリーンシート１１
上に形成したが、その他、電子写真法によって導体膜を
形成しても、あるいは、金属箔、蒸着膜、スパッタリン
グ膜またはめっき膜による金属膜からなる導体膜を形成
するようにしてもよい。

【００４５】図６は、この発明の他の実施形態を説明す
るための図１（３）に相当する図である。図６において
は、図８に示した導体膜５となるべきものとして、上述
した金属箔、蒸着膜、スパッタリング膜またはめっき膜
のような金属膜１９が形成されている。

【００４６】金属膜１９が形成されると、この金属膜１
９内には、レーザ光１４の吸収効率の高い樹脂成分が全
く含まれていないので、レーザ光１４のほとんどが金属
膜１９において反射される。したがって、貫通孔１６
は、セラミックグリーンシート１１のみを貫通するよう
に設けられる。この場合にも、この貫通孔１６内に導電
性ペーストが充填されることによって、図１（４）に示
した場合と実質的に同様の機能を果たすビアホール導体
４を形成することができる。

【００４７】図７は、この発明のさらに他の実施形態を
説明するための図１に相当する図である。

【００４８】まず、図７（１）に示すように、セラミッ
クグリーンシート１１は、その第１の主面１２を外側に
向けかつキャリアフィルム２０によって裏打ちされた状
態で用意される。この場合、キャリアフィルム２０上
で、セラミックスラリーをシート状に成形することによ
って、セラミックグリーンシート１１を作製するように
すれば、キャリアフィルム２０によって裏打ちされたセ
ラミックグリーンシート１１を得ることができる。

【００４９】次いで、図７（２）に示すように、キャリ
アフィルム２０によって裏打ちされた状態で、セラミッ
クグリーンシート１１の第１の主面上に、導体膜５とし
ての導電性ペースト膜１３が印刷によって形成される。

【００５０】次いで、図７（３）に示すように、レーザ
光１４が、キャリアフィルム２０を介して、セラミック
グリーンシート１１の第２の主面１５側からセラミック
グリーンシート１１に対して照射される。これによっ
て、貫通孔１６が、キャリアフィルム２０、セラミック
グリーンシート１１および導電性ペースト膜１３を貫通
するように設けられる。

【００５１】上述したレーザ光１４としては、キャリア
フィルム２０を構成する樹脂に対する吸収率の高いＣＯ
₂レーザ光またはＹＡＧレーザ光の第３高調波を用いる
ことが好ましい。ＹＡＧレーザ光は、樹脂からなるキャ
リアフィルム２０を透過してしまうため、図７（３）に
示すように、キャリアフィルム２０をも貫通するように
貫通孔１６を設けることが困難である。

【００５２】次に、図７（４）に示すように、貫通孔１
６内に導電性ペーストが充填され、それによってビアホ
ール導体４が形成される。このビアホール導体４を形成
するための導電性ペーストは、キャリアフィルム２０を
マスクとしながら、キャリアフィルム２０側から付与す
ることが好ましい。

【００５３】次に、キャリアフィルム２０をセラミック
グリーンシート１１から剥離した後、前述の図１を参照
して説明した実施形態の場合と同様、生の積層体が作製
され、次いで、生の積層体が焼成されることによって、
図８に示すような積層型セラミック電子部品１が得られ
る。

【００５４】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、セラ
ミックグリーンシートにビアホール導体を形成するため
の貫通孔を設けるにあたって、セラミックグリーンシー
トの第１の主面上に導体膜を予め形成した後、セラミッ
クグリーンシートに対して、レーザ光を、セラミックグ
リーンシートの第１の主面とは逆の第２の主面側から照
射するようにしている。

【００５５】したがって、高いパターン精度をもって導
体膜を形成することができるとともに、導体膜に含まれ
る金属のような反射成分のない側からレーザ光を照射す
ることになるので、セラミックグリーンシートに寸法精
度の高いビアホール導体を形成することが可能になる。

【００５６】このような効果は、セラミックグリーンシ
ートの、導体膜が形成された領域内に貫通孔を設けよう
とする場合、特に顕著になる。

【００５７】また、セラミックグリーンシートの、導体
膜が形成された領域内に貫通孔を設けようとするとき、
導体膜を形成した側からのレーザ光の照射によって貫通
孔を形成するといった比較技術が採用される場合には、
貫通孔の周辺部において導体膜も飛散するため、ビアホ
ール導体と導体膜との間で導通不良が生じることがある
が、この発明によれば、このような導通不良に遭遇する
ことはない。

【００５８】また、この比較技術においては、上述のよ
うな導通不良を防止するため、ビアホール導体に比較的
大きな張り出しランドを形成する必要があるが、この発
明によれば、このような張り出しランドが不要であるの
で、積層型セラミック電子部品の小型化かつ配線の高密
度化を容易に図ることができる。

【００５９】また、上述した比較技術の場合には、導体
膜の昇華による飛散物としての金属粉末が、ビアホール
導体とこれに近接する導体膜との間に付着したり、互い
に近接して配置された２つの導体膜の間に付着したりす
ることがあるため、電気的短絡が生じる可能性がある
が、この発明によれば、昇華による飛散物が飛散する側
には導体膜が形成されていないので、このような電気的
短絡の問題に遭遇することはない。

【００６０】また、上述した比較技術の場合には、金属
箔、蒸着膜、スパッタリング膜またはめっき膜によって
導体膜を形成した場合には、レーザ光のほとんどが導体
膜によって反射され、そのため、セラミックグリーンシ
ートに貫通孔を設けることが不可能であるが、この発明
によれば、導体膜を、金属箔、蒸着膜、スパッタリング
膜またはめっき膜によって形成しても、セラミックグリ
ーンシートに貫通孔を設けることが可能になる。したが
って、導体膜を導電性ペースト膜によって形成するとい
った厚膜形成技術を適用して形成する場合に比べて、導
体膜を、これら金属箔、蒸着膜、スパッタリング膜また
はめっき膜といった薄膜形成技術を用いて形成すること
により、緻密でかつ厚み精度が高く、また、フォトリソ
グラフィ技術との組み合わせによって、ファインライン
を形成することが可能となり、その結果、優れた特性を
有し、かつさらに小型化かつ配線の高密度化が図られた
積層型セラミック電子部品を得ることができる。

【００６１】また、この発明において、セラミックグリ
ーンシートをキャリアフィルムによって裏打ちされた状
態で取り扱うと、軟弱なセラミックグリーンシートの不
所望な破損や変形を防止でき、取り扱い自身が容易にな
るとともに、精度の高い積層型セラミック電子部品を得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態による積層型セラミック
電子部品の製造方法に含まれるいくつかの工程を順次図
解的に示す断面図である。

【図２】この発明の比較技術を説明するためのもので、
図１（３）および（４）にそれぞれ相当する図である。

【図３】図２（２）に示したビアホール導体４と導電性
ペースト膜１３との導通不良を防止するため、張り出し
ランド１７を有するビアホール導体４が形成された状態
を図解的に示す断面図である。

【図４】図２に示した比較技術において遭遇し得るビア
ホール導体４と導電性ペースト膜１３との間で生じた電
気的短絡状態を図解的に示す平面図である。

【図５】図２に示した比較技術において遭遇し得る２つ
の導電性ペースト膜１３の間で生じた電気的短絡状態を
図解的に示す平面図である。

【図６】この発明の他の実施形態を説明するための図１
（３）に相当する図である。

【図７】この発明のさらに他の実施形態を説明するため
の図１に相当する図である。

【図８】この発明にとって興味ある積層型セラミック電
子部品１を図解的に示す断面図である。

【符号の説明】

１積層型セラミック電子部品３積層体４ビアホール導体５導体膜１１セラミックグリーンシート１２第１の主面１３導電性ペースト膜１４レーザ光１５第２の主面１６貫通孔１９金属膜２０キャリアフィルム

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミックグリーンシートを用意する工
程と、前記セラミックグリーンシートの第１の主面上に導体膜
を形成する工程と、次いで、前記セラミックグリーンシートに対して、レー
ザ光を、前記セラミックグリーンシートの前記第１の主
面とは逆の第２の主面側から照射し、それによって、前
記セラミックグリーンシートにビアホール導体を形成す
るための貫通孔を設ける工程と、ビアホール導体を形成するため、前記貫通孔内に導電性
ペーストを充填する工程と、前記セラミックグリーンシートを含む複数のセラミック
グリーンシートを積層し、圧着し、それによって、生の
積層体を得る工程と、前記生の積層体を焼成する工程とを備える、積層型セラ
ミック電子部品の製造方法。
【請求項２】前記貫通孔を設ける工程は、前記セラミ
ックグリーンシートの、前記導体膜が形成された領域内
に前記貫通孔を設ける工程を含む、請求項１に記載の積
層型セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】前記導体膜を形成する工程は、導電性ペ
ーストを前記セラミックグリーンシートの前記第１の主
面上に付与することによって導電性ペースト膜を形成す
る工程を含む、請求項１または２に記載の積層型セラミ
ック電子部品の製造方法。
【請求項４】前記導体膜を形成する工程は、前記導体
膜を金属箔、蒸着膜、スパッタリング膜またはめっき膜
によって形成する工程を含む、請求項１または２に記載
の積層型セラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】前記セラミックグリーンシートを用意す
る工程において、前記第１の主面を外側に向けかつキャ
リアフィルムによって裏打ちされた状態で前記セラミッ
クグリーンシートが用意され、前記キャリアフィルムによって裏打ちされた状態で、前
記導体膜を形成する工程と、前記貫通孔を設ける工程
と、前記貫通孔内に導電性ペーストを充填する工程とが
実施され、前記生の積層体を得る工程の前に、前記キャリアフィル
ムを前記セラミックグリーンシートから剥離する工程を
さらに備える、請求項１ないし４のいずれかに記載の積
層型セラミック電子部品の製造方法。