JP2001308479A

JP2001308479A - 配線基板

Info

Publication number: JP2001308479A
Application number: JP2000122675A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Sugimoto; 康宏杉本; Tetsuya Kashiwagi; 哲哉柏木; Koji Nishiura; 光二西浦
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2000-04-24
Filing date: 2000-04-24
Publication date: 2001-11-02

Abstract

(57)【要約】【課題】電力ロスとノイズの低い配線基板を提供する。【解決手段】配線基板のＩＣ対応部に設けられたスルー
ホール導体の過半数を同軸スルーホール導体とする。そ
のことにより、ＩＣの電源端子と接地端子の多数を、近
接した同軸スルーホール導体に接続することが可能とな
り、配線基板での電力ロスとノイズを低減できる。又、
配線基板において、同軸スルーホール導体を、ＩＣ対応
部に集中的に設ける。そのことにより、ＩＣ対応部には
十分な数の同軸スルーホール導体を備えながら、配線基
板全体の同軸スルーホール導体の数を抑え、配線基板の
製造歩留まりの低下を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体用
ＩＣを搭載する産業用及び民生用電子機器に使用される
配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体装置を構成する配線基
板としては、コア基板上に、導体層と絶縁層を交互に多
層積層し、配線密度を向上させた多層配線基板が使用さ
れてきた。

【０００３】そのような多層配線基板においては、スル
ーホールを設け、その内面に導体層を成膜した構造（以
下スルーホール導体）を形成し、その導体層によって配
線層同士を接続することが行われてきた。スルーホール
導体としては、スルーホールの内側に１層のみの導体層
を設けたものと、スルーホールの内側に、内外２重の導
体層と、それら導体層を絶縁する絶縁層を同軸状に形成
したもの（以下同軸スルーホール導体）とがある。

【０００４】一層のみの導体層を持つスルーホール導体
は、図７（ａ）に示す様に、コア基板に設けたスルーホ
ールの内壁に、導体層（スルーホール導体層）を備え、
配線基板の配線層同士を接続する役割を果たしている。
又、同軸スルーホール導体は、図７（ｂ）に示す様に、
コア基板に設けたスルーホールの内側に、同軸状に形成
された２重の導体層（スルーホール外側導体層とスルー
ホール内側導体層）を備え、それら両導体層は、それぞ
れ、配線基板の配線層同士を接続する役割を果たしてい
る。

【０００５】上記同軸スルーホール導体を、ＩＣの電源
端子及び接地端子の接続先とした場合には、電力ロスと
ノイズの低減効果が得られる。つまり、同軸スルーホー
ル導体に備えられた両導体層のうち、一つの導体層をＩ
Ｃの電源端子の接続先とし、他方の導体層を同じＩＣの
接地端子の接続先とした場合、両導体層から発生する磁
界は反対方向であるため互いに打ち消し合い、両導体層
におけるインダクタンスが減少する。その結果、両導体
層における電力ロスとノイズが小さくなる。

【０００６】又、同軸スルーホール導体は、一層のみの
導体層を持つスルーホール導体に比べ、配線基板表面に
占める面積はほぼ同じでありながら、２つの導体層を持
つため、配線基板の高密度化の点で有利である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、同軸スルー
ホール導体の構造は複雑であるため加工が難しく、あま
り多数の同軸スルーホール導体を配線基板に形成する
と、配線基板の製造歩留まりが低下する。そのため、実
際上、配線基板に形成する同軸スルーホール導体の数は
制限されていた。

【０００８】そこで本発明は以上の点に鑑みなされたも
のであり、製造歩留まりの低下を招かず、ＩＣを搭載し
た場合に、電力ロスとノイズの低い配線基板の提供を目
的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段及び発明の効果】（１）請
求項１の発明は、ＩＣ対応部と、スルーホール導体とを
備えた配線基板であって、前記ＩＣ対応部におけるスル
ーホール導体の過半数が同軸スルーホール導体であるこ
とを特徴とする配線基板を要旨とする。

【００１０】本発明の配線基板においては、ＩＣ対応部
におけるスルーホール導体の過半数が同軸スルーホール
導体であるため、ＩＣ対応部に多数の同軸スルーホール
導体を備える。そして、ＩＣ対応部に設けられた同軸ス
ルーホール導体は、以下及びの効果を奏する。

【００１１】ＩＣの電源端子を、同軸スルーホール導
体の２つの導体層のうち、どちらか一方に接続し、同じ
ＩＣの接地端子を、他方の導体層に接続すると、前述し
たように、同軸スルーホール導体の両導体層での電力ロ
スとノイズは小さくなる。ＩＣ対応部にある同軸スルーホール導体の各導体層
を、それぞれＩＣの電源端子及び接地端子に接続した場
合、それらの間を結ぶ配線が短いため、配線部で発生す
る電力ロス、及びノイズが小さい。

【００１２】本発明の配線基板は、ＩＣ対応部に多数の
同軸スルーホール導体を備えるため、上記及びの効
果を多数の同軸スルーホール導体が奏し、その結果、配
線基板全体の電力ロスとノイズが大きく低減される。・ＩＣ対応部とは、配線基板のうち、ＩＣを搭載する部
分をいい、例えば、配線基板の内部のうちのＩＣを搭載
する部分を厚さ方向に投影した部分をいう。

【００１３】・スルーホール導体とは、配線基板を貫通
する穴（スルーホール）の内側に沿って導体層を有する
ものをいう。・同軸スルーホール導体とは、スルーホール導体の一種
であって、スルーホール内に、２重の導体層と、その間
を隔てる絶縁層を、同軸状に形成したものをいう。（２）請求項２の発明は、同軸スルーホール導体が、前
記配線基板表面において、前記ＩＣ対応部に集中して形
成されていることを特徴とする前記請求項１に記載の配
線基板を要旨とする。

【００１４】本発明の配線基板においては、同軸スルー
ホール導体がＩＣ対応部に集中して形成されているた
め、ＩＣ対応部以外の部分に形成された同軸スルーホー
ル導体は少ない。ところで、ＩＣ対応部以外の部分に設
けられた同軸スルーホール導体は、ＩＣ対応部に設けら
れた同軸スルーホール導体に比べ、電力ロスとノイズの
低減効果が小さい。つまり、ＩＣ対応部以外の部分に設
けられた同軸スルーホール導体とＩＣの電源端子及び接
地端子を接続した場合には、それらの間の配線距離が長
いため、配線部での電力ロスとノイズが大きく、インダ
クタンス低減による電力ロスとノイズの低減効果を相殺
してしまう。

【００１５】従って、ＩＣ対応部以外の部分に設けられ
た同軸スルーホール導体が少なくても、配線基板の電力
ロスとノイズについての性能には影響が少ない。又、同
軸スルーホール導体は、配線基板の製造歩留まり低下の
原因となるので、配線基板に設ける同軸スルーホール導
体の数は少ない方が望ましい。

【００１６】そこで、本発明においては、ＩＣ対応部に
は同軸スルーホール導体を多数形成することにより、電
力ロスとノイズの軽減効果を得る一方で、同軸スルーホ
ール導体を形成しても効果の小さいＩＣ対応部以外の部
分では、同軸スルーホール導体の数を少なくすることに
より、配線基板全体の同軸スルーホールの数を抑え、配
線基板の製造歩留まり低下を防止している。

【００１７】つまり、ＩＣ対応部に同軸スルーホール導
体を集中的に配置したため、歩留まり低下を最小限とし
つつ、電気特性向上の効果を最大限得ることができる。・ＩＣ対応部に集中とは、例えば、ＩＣ対応部での同軸
スルーホール導体の数密度が、ＩＣ対応部以外の部分で
の同軸スルーホール導体の数密度より大きいことをい
う。（３）請求項３の発明は、ＩＣ対応部と、同軸スルーホ
ール導体とを備えた配線基板であって、前記同軸スルー
ホール導体が、前記配線基板表面において、前記ＩＣ対
応部に集中して形成されていることを特徴とする配線基
板を要旨とする。

【００１８】本発明の配線基板においては、ＩＣ対応部
に、同軸スルーホール導体が集中的に形成されている。
ＩＣ対応部にある同軸スルーホール導体は、前記請求項
１における記載と同様に、電力ロスとノイズを低減する
効果を奏する。

【００１９】本発明では、ＩＣ対応部に同軸スルーホー
ル導体が集中して形成されているため、多数の同軸スル
ーホール導体が上記の効果を奏し、結果として、配線基
板全体の電力ロスとノイズが大きく低減される。又、本
発明の配線基板においては、ＩＣ対応部に同軸スルーホ
ール導体が集中しているため、ＩＣ対応部以外の部分に
ある同軸スルーホール導体は少ない。そのため、配線基
板全体の同軸スルーホールの数は抑えられており、本発
明の配線基板の製造歩留まりが低下することはない。

【００２０】つまり、ＩＣ対応部に同軸スルーホール導
体を集中的に配置したため、歩留まり低下を最小限とし
つつ、電気特性向上の効果を最大限得ることができる。・ＩＣ対応部に集中とは、例えば、ＩＣ対応部での同軸
スルーホール導体の数密度が、ＩＣ対応部以外の部分で
の同軸スルーホール導体の数密度より大きいことをい
う。（４）請求項４の発明は、前記ＩＣ対応部における同軸
スルーホール導体の数密度が、前記配線基板表面のうち
前記ＩＣ対応部を除く部分での同軸スルーホール導体の
数密度の２倍以上であることを特徴とする前記請求項３
に記載の配線基板を要旨とする。

【００２１】本発明は、同軸スルーホール導体のＩＣ対
応部への集中の度合いを例示している。本発明の配線基
板では、ＩＣ対応部にある同軸スルーホール導体の数が
充分多く、配線基板の電力ロスとノイズの低下の効果が
高い。

【００２２】又、ＩＣ対応部以外の同軸スルーホール導
体の密度は充分低いため、配線基板全体の同軸スルーホ
ール導体の数は抑えられ、配線基板の製造歩留まりの低
下を防止することが出来る。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下に本発明の配線基板の実施の
形態の例（実施例）を説明する。（実施例）ａ）まず本実施例の配線基板におけるスルーホール導体
の配置について説明する。図１は本実施例の配線基板に
おけるスルーホール導体の配置についての説明図であ
る。

【００２４】本実施例の配線基板１は、縦３ｃｍ横３ｃ
ｍの大きさであり、その中心部に縦１．１ｃｍ横１．１
ｃｍのＩＣ対応部２を有する。そして、前記ＩＣ対応部
２に、約１００個の同軸スルーホール導体３と、２０個
の、単一の導体層を持つスルーホール導体４を備え、
又、ＩＣ対応部２以外の部分に、３０個の同軸スルーホ
ール導体３と、約６００個の、単一の導体層を持つスル
ーホール導体４を備えている。

【００２５】従って、ＩＣ対応部２における同軸スルー
ホール導体３の数の、全スルーホール導体（同軸スルー
ホール導体３と単一の導体を備えたスルーホール導体４
をあわせたもの）の数に対する比率は約８３％である。
又、ＩＣ対応部２における同軸スルーホール導体３の数
密度（約８３個／ｃｍ ²）の、ＩＣ対応部２以外の部分
での同軸スルーホール導体３の数密度（３．９個／ｃｍ
²）に対する比率は約２１である。

【００２６】つまり、本実施例の配線基板１では、ＩＣ
対応部２におけるスルーホール導体の過半数が同軸スル
ーホール導体３であり、且つ同軸スルーホール導体３が
ＩＣ対応部２に集中して形成されている。ｂ）次に、本実施例の配線基板１の構造を説明する。図
２は本実施例の配線基板１の構成を示す説明図である。

【００２７】本実施例の配線基板１は、スルーホール
導体以外の部分（図２におけるＡ及びＢ以外の部分）で
は、ビスマレイミド−トリアジン樹脂製のコア基板１０
（厚み８００ミクロン）の両面に、それぞれ、第１配線
層１２、第１絶縁層１５、第２配線層１８、第２絶縁層
２４、第３配線層２６、第３絶縁層３０、第４配線層３
２が順番に積層された構成になっている。

【００２８】又、第１配線層１２、第２配線層１８、第
３配線層２６、第４配線層３２層間を接続するために、
ビアホール（例えば第２絶縁層ビアホール２５）が形成
されている。上記第１配線層１２、第２配線層１８、第
３配線２６、及び第４配線層３２はそれぞれ銅を材料と
し、１８ミクロンの厚さである。

【００２９】又、上記第１絶縁層１５、第２絶縁層２
４、及び第３絶縁層３０はそれぞれ、感光性エポキシ系
樹脂から成り、厚さ５０ミクロンで形成されている。同軸スルーホール導体３は、図２におけるＡに示す様
に、スルーホール外側導体層１３、スルーホール内側導
体層１９、スルーホール外側充填材１４、及びスルーホ
ール内側充填材２１から成る。

【００３０】上記スルーホール外側導体層１３は、円筒
型の形状を持ち、コア基板１０を垂直（厚さ方向）に貫
通して、配線基板の表裏両側の第一配線層１２を相互に
接合している。そのスルーホール外側導体層１３は銅を
材料とし、厚さ１８ミクロンである。

【００３１】上記スルーホール内側配線層１９は、円筒
型の形状を持ち、コア基板１０及び配線基板の表裏両側
の第１絶縁層１５を垂直に貫通して、配線基板の表裏両
側の第２配線層１８を相互に接続している。そのスルー
ホール内側導体層１９は、銅を材料とし、厚さ１８ミク
ロンである。

【００３２】上記スルーホール外側充填材１４は、外側
導体層１３と、内側導体層１９の間を満たし、両導体層
１３，１９を絶縁しており、シリカフィラー（Ｓｉ
Ｏ₂）を含んだエポキシ樹脂を材料としている。上記ス
ルーホール内側充填材２１は、スルーホール内側導体層
１９の内部を満たしており、シリカフィラーを含んだエ
ポキシ樹脂を材料としている。

【００３３】単一の導体層を持つスルーホール導体４
は、図２におけるＢに示す様に、スルーホール外側導体
層１３及びスルーホール外側充填材１４から成る。上記
スルーホール外側導体層１３は円筒型の形状を持ち、コ
ア基板１０を垂直（厚さ方向）に貫通して、配線基板の
表裏両側の第一配線層１２に接合している。そのスルー
ホール外側導体層１３は銅を材料とし、厚さ１８ミクロ
ンである。

【００３４】上記スルーホール外側充填材１４は、スル
ーホール外側導体層１３の内側を満たしていおり、その
材料はエポキシ樹脂にＳｉＯ₂フィラーを充填して成る
ものである。本実施例の配線基板１においては、スルーホール内側
導体層１３、及び配線層１２、１８、２６、３２の間の
導通は、ビアホールにより行われる。例えば、第２配線
層１８と第３配線層２６の間の導通は、第２絶縁層ビア
ホール２５により行われている。

【００３５】上記第２絶縁層ビアホール２５は、第２絶
縁層２４を貫通する穴の内側に第２絶縁層ビアホール導
体２７が形成され、第３導体層２６と、第第２配線層１
８とを導通している。又、第２絶縁層ビアホール２５の
上側の開口部は、銅メッキ層（第２蓋メッキ２９）によ
り蓋されており、第２絶縁層ビアホール２５の内部は、
充填材（第２絶縁層ビアホール充填材２８）が充填され
ている。尚、ビアホールの直径は５０ミクロンであり、
ビアホール充填材の材料はエポキシ樹脂にＳｉＯ₂フィ
ラーを充填して成るものである。

【００３６】ｃ）次に本実施例の配線基板１の製造法に
ついて説明する。図３、４、５、６は、本実施例の配線
基板１の製造工程を示す説明図である。第１工程：ビスマレイミド−トリアジン樹脂製のコア基
板１０（厚み８００ミクロン）において、スルーホール
導体を形成する場所に、メカニカルドリルにて、直径３
５０ミクロンの外側スルーホール１１を穿鑿した。尚、
外側スルーホール１１の配置は、前記ａ）に記載したス
ルーホール導体（同軸スルーホール導体を含む全てのス
ルーホール導体）の配置と同様とした。

【００３７】第２工程：前記第１工程で穿鑿したスルー
ホール１１の内壁及びコア基板１０の表裏両面に、まず
無電解メッキ法により１ミクロンの厚さの銅メッキ層を
形成し、続いて電解メッキ法にて１７ミクロンの厚さの
銅メッキ層を形成し、合計１８ミクロンの厚さの銅メッ
キ層を形成した。この銅メッキ層のうち、コア基板表面
の部分をを第１配線層１２とし、外側スルーホール１１
の内壁の部分をスルーホール外側導体層１３とした。

【００３８】第３工程：表裏両面の第１配線層１２上
に、所望の配線パターンに対応するエッチングレジスト
を形成し、第１配線層１２の不要部分をエッチングによ
り除去して、第１配線層１２上に配線パターンを形成し
た。第４工程：外側スルーホール１１の内部を、スルーホー
ル外側導体層１３の上から、樹脂ペーストにより充填し
た。これをスルーホール外側充填材１４とする。充填は
印刷により行い、樹脂ペーストとしては、エポキシ樹脂
にＳｉＯ₂フィラーを充填して成るものを使用した。

【００３９】第５工程：感光性エポキシ系樹脂フィルム
を、表裏両面にラミネートし、第１絶縁層１５とした。
その後、第１絶縁層１５を露光、現像することにより、
スルーホール１１のランド部及び所定の場所に、第１絶
縁層ビアホール１６を形成した。更に、第１絶縁層１５
を加熱して熱硬化させた。

【００４０】第６工程：外側スルーホール１１のうち、
同軸スルーホール導体３とするものについては、スルー
ホール外側充填材１４の中心に、レーザー加工により直
径１００ミクロンの穴（内側スルーホール１７）を設け
た。レーザー加工の方法としては、サイクルパルス法に
てレーザーパルスを照射する方法を使用した。又、レー
ザー加工の後には、高圧のウォータージェットにより、
レーザー加工で生じる残さを除去した。

【００４１】尚、同軸スルーホール導体３は、上記ａ）
における配置に従って形成する。第７工程：ＫＭｎＯ₄水溶液に配線基板全体を浸漬し
て、第１絶縁層１５の表面、内側スルーホール１７の内
部、及び第１絶縁層ビアホール１６の内部を粗化した
後、それらの表面に、まず無電解メッキ法により１ミク
ロンの厚さの銅メッキ層を形成し、続いて電解メッキ法
にて１７ミクロンの厚さの銅メッキ層を形成し、合計１
８ミクロンの厚さの銅メッキ層を形成した。この銅メッ
キ層のうち、第１絶縁層１５の表面の部分を第２配線層
１８とし、内側スルーホール１７の内側の部分をスルー
ホール内側導体層１９とし、第１絶縁層ビアホール１６
の内部の部分を第１絶縁層ビアホール導体層２０とす
る。又、第２配線層１８については、所定の部分をエッ
チングにより除去し、配線パターンを形成した。

【００４２】第８工程：内側スルーホール１７の内部と
第１絶縁層ビアホール１６の内部に、樹脂ペーストを充
填し、それぞれ、スルーホール内側充填材２１、第１絶
縁層ビアホール充填材２２とした。尚、樹脂ペーストの
材料と充填法は、前記第４工程と同様とした。

【００４３】第９工程：配線基板の表裏両面に、まず無
電解メッキ法により１ミクロンの厚さの銅メッキ層を形
成し、続いて電解メッキ法にて１７ミクロンの厚さの銅
メッキ層を形成し、合計１８ミクロンの厚さの銅メッキ
層を形成した。その後、スルーホール内側充填材２１の
上の部分、及び第１絶縁層ビアホール充填材２２の上の
部分のみを残し、他の部分はエッチングにより除去し
た。この残った銅メッキ層を第１蓋メッキ２３とした。

【００４４】第１０工程：前記第５工程と同様にして、
第２絶縁層２４及びその中に形成された第２絶縁層ビア
ホール２５を形成した。第１１工程：第２絶縁層２４の上、及び第２絶縁層ビア
ホール２５の内壁に、銅メッキ層を形成し、それぞれ、
第３導体層２６、第２絶縁層ビアホール導体層２７とし
た。銅メッキ層の材料、形成法、及び膜厚は第２導体層
１８と同一とした。

【００４５】第１２工程：第２絶縁層ビアホール導体層
２７の上から、樹脂ペーストを充填し、第２絶縁層ビア
ホール２５を充填した。これを第２絶縁層ビアホール充
填材２８とした。第１３工程：前記第９工程と同様に、第２蓋メッキ２９
を形成した。

【００４６】第１４工程：前記第５工程と同様に、第３
絶縁層３０及びその中に形成された第３絶縁層ビアホー
ル３１を形成した。第１５工程前記第１１工程と同様に、第４導体層３２及
び第３絶縁層ビアホール導体層３３を形成した。

【００４７】第１６工程：前記第１２工程と同様に、第
３絶縁層ビアホール３１を充填材で充填し、第３絶縁層
充填材３４とした。ｄ）上述した構成により、本実施例の配線基板１は下記
の効果を奏する。本実施例の配線基板１においては、Ｉ
Ｃ対応部２に形成されたスルーホール導体のうち、約８
３％が同軸スルーホール導体３であり、全部の同軸スル
ーホール導体３（１３０個）のうちの７０％以上（本実
施形態では７７％）もの多数の同軸スルーホール導体３
をＩＣ対応部２に備えている。

【００４８】ＩＣ対応部２に形成された同軸スルーホー
ル導体３を、ＩＣの電源端子及び接地端子の接続先とし
て使用した場合には、電力ロスとノイズを低減する効果
を奏する。本実施例の配線基板１では、ＩＣ対応部２に
多数の同軸スルーホール導体３があるため、上記の効果
を多数の同軸スルーホール導体３が奏し、その結果、配
線基板１全体の電力ロスとノイズが大きく軽減される。

【００４９】又、本実施例の配線基板１は、ＩＣ対応部
２に同軸スルーホール導体３を集中して形成しているた
め、ＩＣ対応部２以外においては、同軸スルーホール導
体３の数が少ない。このため、同軸スルーホール導体３
の数を最小限とすることができる。

【００５０】ＩＣ対応部２以外に設けられた同軸スルー
ホール導体３は、電力ロスとノイズの低減効果が少ない
ため、それらが少なくても、配線基板１の性能には影響
が少ない。逆に、ＩＣ対応部２以外に設けられた同軸ス
ルーホール導体３を少なくすることにより、配線基板１
全体の同軸スルーホール導体３の数を抑え、配線基板１
の製造歩留まりを向上させることができる。

【００５１】つまり、本実施例の配線基板１では、ＩＣ
対応部２には同軸スルーホール導体３を多数形成するこ
とにより、電力ロスとノイズの軽減効果を得る一方で、
同軸スルーホール導体３を形成しても効果の小さいＩＣ
対応部２以外の部分では、同軸スルーホール導体３の数
を少なくすることにより、配線基板１全体の同軸スルー
ホール導体３の数を抑え、配線基板１の製造歩留まり低
下を防止している。

【００５２】尚、本発明は上記の形態に何等限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の
形態で実施することができる。例えば、（ａ）ＩＣ対応
部２において、全てのスルーホール導体に対する同軸ス
ルーホール導体３の比率を高くすることと、（ｂ）同軸
スルーホール導体３をＩＣ対応部２への集中すること
は、それぞれ単独でも効果を奏する。

【００５３】又、配線基板１は、３層以下の配線層を備
えた積層基板とすること、あるいは、５層以上の配線層
を備えた積層基板とすることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の配線用基板におけるスルーホール導
体の配置の説明図である。

【図２】実施例の配線基板の説明図である。

【図３】実施例の配線基板の製造工程１〜４の説明図
である。

【図４】実施例の配線基板の製造工程５〜８の説明図
である。

【図５】実施例の配線基板の製造工程９〜１２の説明
図である。

【図６】実施例の配線基板の製造工程１３〜１６の説
明図である。

【図７】スルーホール導体の構造を示し、(a)は同軸
構造をとらないスルーホール導体の断面図であり、
（ｂ）は同軸スルーホール導体の断面図である。

【符号の説明】

１・・・配線基板２・・・ＩＣ対応部３・・・同軸スルーホール導体４・・・単一の導体層を持つスルーホール導体１０・・・コア基板１１・・・外側スルーホール１２・・・第１配線層１３・・・スルーホール外側導体層１７・・・内側スルーホール１８・・・第２配線層１９・・・スルーホール内側導体層２６・・・第３配線層３２・・・第４配線層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者西浦光二愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号日本特殊陶業株式会社内Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB12 CC31 CC51 CD27 CD32 GG11 5E319 AA03 AB05 AC01 AC11 5E336 AA04 BB03 CC34 CC58 GG11 5E346 AA06 AA12 AA15 AA43 AA45 BB02 BB03 BB04 BB06 BB16 CC09 CC16 DD02 DD22 DD33 EE31 FF15 GG01 GG15 GG17 GG22 HH02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＩＣ対応部と、スルーホール導体と、を備えた配線基板であって、前記ＩＣ対応部におけるスルーホール導体の過半数が同
軸スルーホール導体であることを特徴とする配線基板
【請求項２】同軸スルーホール導体が、前記配線基板
表面において、前記ＩＣ対応部に集中して形成されてい
ることを特徴とする前記請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】ＩＣ対応部と、同軸スルーホール導体と、を備えた配線基板であって、前記同軸スルーホール導体が、前記配線基板表面におい
て、前記ＩＣ対応部に集中して形成されていることを特
徴とする配線基板。
【請求項４】前記ＩＣ対応部における同軸スルーホー
ル導体の数密度が、前記配線基板表面のうち前記ＩＣ対
応部を除く部分での同軸スルーホール導体の数密度の２
倍以上であることを特徴とする前記請求項３に記載の配
線基板。