JP2001308367A - フォトダイオード - Google Patents
フォトダイオードInfo
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- JP2001308367A JP2001308367A JP2000119371A JP2000119371A JP2001308367A JP 2001308367 A JP2001308367 A JP 2001308367A JP 2000119371 A JP2000119371 A JP 2000119371A JP 2000119371 A JP2000119371 A JP 2000119371A JP 2001308367 A JP2001308367 A JP 2001308367A
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- photodiode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 感度を向上させることができる信頼性の高い
フォトダイオード、及び感度を低下させる事なく高速化
が可能な信頼性の高いフォトダイオードを提供する。 【解決手段】 基板上に光を吸収してキャリアを発生す
る光吸収層を含む半導体成長層が成長されてその半導体
成長層の一部に受光領域が形成されてなり、かつ、受光
領域の下に位置する基板が除去されてその除去された基
板除去部において露出された半導体成長層に受光領域を
透過した光を反射させる反射面又は反射層を備えたフォ
トダイオードにおいて、基板除去部に補填材を形成し
た。
フォトダイオード、及び感度を低下させる事なく高速化
が可能な信頼性の高いフォトダイオードを提供する。 【解決手段】 基板上に光を吸収してキャリアを発生す
る光吸収層を含む半導体成長層が成長されてその半導体
成長層の一部に受光領域が形成されてなり、かつ、受光
領域の下に位置する基板が除去されてその除去された基
板除去部において露出された半導体成長層に受光領域を
透過した光を反射させる反射面又は反射層を備えたフォ
トダイオードにおいて、基板除去部に補填材を形成し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速応答が可能で
かつ高い量子効率を有する主として光通信用のフォトダ
イオードに関するものである。
かつ高い量子効率を有する主として光通信用のフォトダ
イオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、例えば特開昭６１−２２９３７
１号公報に示された従来のフォトダイオードを模式的に
示す断面図である。図３のフォトダイオードは、ｎ+−
ＩｎＰ半導体基板１の上に所定の半導体成長層２ａを成
長させ、その半導体成長層２ａの一部に光電変換機能を
有する受光領域３ａを形成した後、その受光領域３ａの
下に位置するｎ+−ＩｎＰ半導体基板１を除去して受光
領域３ａの半導体成長層２ａの下面を露出させその下面
に金属反射層５を形成することにより構成される。尚、
この従来例のフォトダイオードの素子サイズは、例えば
３００μmであり、基板１の厚みは１５０μm、半導体成
長層２ａの厚みは５μmである。
１号公報に示された従来のフォトダイオードを模式的に
示す断面図である。図３のフォトダイオードは、ｎ+−
ＩｎＰ半導体基板１の上に所定の半導体成長層２ａを成
長させ、その半導体成長層２ａの一部に光電変換機能を
有する受光領域３ａを形成した後、その受光領域３ａの
下に位置するｎ+−ＩｎＰ半導体基板１を除去して受光
領域３ａの半導体成長層２ａの下面を露出させその下面
に金属反射層５を形成することにより構成される。尚、
この従来例のフォトダイオードの素子サイズは、例えば
３００μmであり、基板１の厚みは１５０μm、半導体成
長層２ａの厚みは５μmである。
【０００３】以上のように構成された従来例のフォトダ
イオードにおいて、被検出光４は受光領域３ａに入射さ
れてその領域３ａで吸収されてキャリアを発生してフォ
ト電流として検出される。この時、吸収されずに受光領
域３ａを透過した光は平坦な金属反射層５によって反射
され、再度受光領域３ａにおいて吸収されるので、受光
領域３ａにおける光吸収効率を向上させる事ができる。
また、高速・高感度なフォトダイオードを実現するため
には、上述のようにして光吸収効率を向上させその分だ
け光吸収層を薄くする事により、光吸収効率を劣化させ
ることなく、高速性を確保することができる。
イオードにおいて、被検出光４は受光領域３ａに入射さ
れてその領域３ａで吸収されてキャリアを発生してフォ
ト電流として検出される。この時、吸収されずに受光領
域３ａを透過した光は平坦な金属反射層５によって反射
され、再度受光領域３ａにおいて吸収されるので、受光
領域３ａにおける光吸収効率を向上させる事ができる。
また、高速・高感度なフォトダイオードを実現するため
には、上述のようにして光吸収効率を向上させその分だ
け光吸収層を薄くする事により、光吸収効率を劣化させ
ることなく、高速性を確保することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，受光領
域部分は半導体成長層の厚み、上述のように５μｍ程
度、また厚くてもせいぜい１０μm程度であるために、
受光領域３の部分において割れが生じやすいという問題
点があった。また基板を除去することなく、基板裏面に
反射層を形成すると光吸収層から離れて形成されること
になり、効果的に反射させることができないので、受光
効率を十分高くすることが困難であった。
域部分は半導体成長層の厚み、上述のように５μｍ程
度、また厚くてもせいぜい１０μm程度であるために、
受光領域３の部分において割れが生じやすいという問題
点があった。また基板を除去することなく、基板裏面に
反射層を形成すると光吸収層から離れて形成されること
になり、効果的に反射させることができないので、受光
効率を十分高くすることが困難であった。
【０００５】そこで、本発明は、上記のような問題点を
解決し、感度を向上させることができる信頼性の高いフ
ォトダイオード、及び感度を低下させる事なく高速化が
可能な信頼性の高いフォトダイオードを提供することを
目的とする。
解決し、感度を向上させることができる信頼性の高いフ
ォトダイオード、及び感度を低下させる事なく高速化が
可能な信頼性の高いフォトダイオードを提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るフォトダイ
オードは、基板上に光を吸収してキャリアを発生する光
吸収層を含む半導体成長層が成長されてその半導体成長
層の一部に受光領域が形成されてなり、かつ、上記受光
領域の下に位置する基板が除去されてその除去された基
板除去部において露出された上記半導体成長層に上記受
光領域を透過した光を反射させる反射面又は反射層を備
えたフォトダイオードにおいて、上記受光領域の半導体
成長層の破損を防止するために、上記基板除去部に補填
材を形成したことを特徴とする。
オードは、基板上に光を吸収してキャリアを発生する光
吸収層を含む半導体成長層が成長されてその半導体成長
層の一部に受光領域が形成されてなり、かつ、上記受光
領域の下に位置する基板が除去されてその除去された基
板除去部において露出された上記半導体成長層に上記受
光領域を透過した光を反射させる反射面又は反射層を備
えたフォトダイオードにおいて、上記受光領域の半導体
成長層の破損を防止するために、上記基板除去部に補填
材を形成したことを特徴とする。
【０００７】また、本発明に係るフォトダイオードで
は、上記基板除去部において露出された上記半導体成長
層に金属反射膜を形成し、該金属反射膜の表面を上記反
射面とすることができる。
は、上記基板除去部において露出された上記半導体成長
層に金属反射膜を形成し、該金属反射膜の表面を上記反
射面とすることができる。
【０００８】さらに、本発明に係るフォトダイオードに
おいては、上記基板除去部に露出された上記半導体成長
層と上記補填材との界面を上記反射面としてもよい。
おいては、上記基板除去部に露出された上記半導体成長
層と上記補填材との界面を上記反射面としてもよい。
【０００９】またさらに、本発明に係るフォトダイオー
ドにおいて、上記反射層として多重周期構造よりなる分
布反射層を用いて構成してもよい。
ドにおいて、上記反射層として多重周期構造よりなる分
布反射層を用いて構成してもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
に係る実施の形態について説明する。図１は、本発明に
係る実施の形態の半導体アバランシェフォトダイオード
の構成を模式的に示す断面図である。尚、本実施の形態
は、１．３〜１．６μm帯の光に対応する表面入射型素
子であるフォトダイオードを示しており、素子サイズ
は、例えば、３００μmであり、基板１の厚みは１５０
μm、半導体成長層２の厚みは５μmである。本実施の形
態のフォトダイオードは、図３の従来例のフォトダイオ
ードにおいて、受光領域３の下に形成された基板除去部
にポリイミドからなる補填材が注入されたことを特徴と
し、これにより基板の強度を高めている。
に係る実施の形態について説明する。図１は、本発明に
係る実施の形態の半導体アバランシェフォトダイオード
の構成を模式的に示す断面図である。尚、本実施の形態
は、１．３〜１．６μm帯の光に対応する表面入射型素
子であるフォトダイオードを示しており、素子サイズ
は、例えば、３００μmであり、基板１の厚みは１５０
μm、半導体成長層２の厚みは５μmである。本実施の形
態のフォトダイオードは、図３の従来例のフォトダイオ
ードにおいて、受光領域３の下に形成された基板除去部
にポリイミドからなる補填材が注入されたことを特徴と
し、これにより基板の強度を高めている。
【００１１】図２は、図１の実施の形態のフォトダイオ
ードの構成を半導体成長層２の詳細構成及び電極配置を
含めて示す断面図である。以下、図２を参照しながら本
実施の形態のフォトダイオードの構成を詳細に説明す
る。実施の形態の半導体アバランシェフォトダイオード
では、ｎ+−ＩｎＰ半導体基板１の上（表面）にｎ+−Ｉ
ｎＰバッファー層７を介して、ｎ+−ＧａxＩｎ1-xＡｓy
Ｐ1-yストッパー層８及びｎ+−ＩｎＰバッファ層９が形
成され、その上にｎ-−ＧａＩｎＡｓ光吸収層１０、Ｇ
ａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y 単層あるいは複数層よりなる遷
移層１１、ｎ-−ＩｎＰ層１２が順次積層されて半導体
成長層２が形成される。そして、その半導体成長層２の
ｎ-−ＩｎＰ層１２の一部分にｐ型不純物を拡散あるい
はイオン注入することによりｐ導電領域１４が形成さ
れ、さらにｐ導電領域１４の周りには、電界の集中を緩
和するための、例えばＢｅが拡散又はイオン注入されて
なるガードリング１５が形成されて受光領域３が構成さ
れる。そして、ｐコンタクト電極１７はｐ導電領域１４
の周辺部上にｐ+−ＧａＩｎＡｓコンタクト層１６を介
して形成される。また、ｐ導電領域１４の表面を含むｎ
-−ＩｎＰ層１２の表面にはＳｉＮ無反射膜１３が形成
される。
ードの構成を半導体成長層２の詳細構成及び電極配置を
含めて示す断面図である。以下、図２を参照しながら本
実施の形態のフォトダイオードの構成を詳細に説明す
る。実施の形態の半導体アバランシェフォトダイオード
では、ｎ+−ＩｎＰ半導体基板１の上（表面）にｎ+−Ｉ
ｎＰバッファー層７を介して、ｎ+−ＧａxＩｎ1-xＡｓy
Ｐ1-yストッパー層８及びｎ+−ＩｎＰバッファ層９が形
成され、その上にｎ-−ＧａＩｎＡｓ光吸収層１０、Ｇ
ａxＩｎ1-xＡｓyＰ1-y 単層あるいは複数層よりなる遷
移層１１、ｎ-−ＩｎＰ層１２が順次積層されて半導体
成長層２が形成される。そして、その半導体成長層２の
ｎ-−ＩｎＰ層１２の一部分にｐ型不純物を拡散あるい
はイオン注入することによりｐ導電領域１４が形成さ
れ、さらにｐ導電領域１４の周りには、電界の集中を緩
和するための、例えばＢｅが拡散又はイオン注入されて
なるガードリング１５が形成されて受光領域３が構成さ
れる。そして、ｐコンタクト電極１７はｐ導電領域１４
の周辺部上にｐ+−ＧａＩｎＡｓコンタクト層１６を介
して形成される。また、ｐ導電領域１４の表面を含むｎ
-−ＩｎＰ層１２の表面にはＳｉＮ無反射膜１３が形成
される。
【００１２】本実施の形態のフォトダイオードにおい
て、ｎ+−ＩｎＰ半導体基板１のｐ導電領域１４と対向
する部分を、ｎ+−ＩｎＰ半導体基板１の下面からｎ+−
ＧａＩｎＡｓＰストッパー層８の下面までエッチングす
ることによりに、ｐ導電領域１４と対向して位置するｎ
+−ＩｎＰ半導体基板１とｎ+−ＩｎＰバッファー層７と
を除去してｎ+−ＧａＩｎＡｓＰストッパー層８の下面
を露出させる。そして、ｎ+−ＩｎＰ半導体基板１とｎ+
−ＩｎＰバッファー層７とが除去された基板除去部１ａ
において露出されたｎ+−ＧａＩｎＡｓＰストッパー層
８の下面に、金属反射膜５を形成した後、基板除去部１
ａに、例えばポリイミドからなる補填材６を形成する。
て、ｎ+−ＩｎＰ半導体基板１のｐ導電領域１４と対向
する部分を、ｎ+−ＩｎＰ半導体基板１の下面からｎ+−
ＧａＩｎＡｓＰストッパー層８の下面までエッチングす
ることによりに、ｐ導電領域１４と対向して位置するｎ
+−ＩｎＰ半導体基板１とｎ+−ＩｎＰバッファー層７と
を除去してｎ+−ＧａＩｎＡｓＰストッパー層８の下面
を露出させる。そして、ｎ+−ＩｎＰ半導体基板１とｎ+
−ＩｎＰバッファー層７とが除去された基板除去部１ａ
において露出されたｎ+−ＧａＩｎＡｓＰストッパー層
８の下面に、金属反射膜５を形成した後、基板除去部１
ａに、例えばポリイミドからなる補填材６を形成する。
【００１３】以上のように構成された実施の形態のフォ
トダイオードは、入射される被検出光４を受光領域３で
吸収することによりキャリアを発生させ、その発生する
キャリアに応じた電流を出力することにより、光信号を
電気信号に変換する。本実施の形態のフォトダイオード
では特に、入射される被検出光４のうち受光領域３で吸
収されずに透過した光を金属反射膜５の表面で反射して
再度、受光領域３に入射して受光領域３で吸収する。こ
のようにして、本実施の形態のフォトダイオードは、従
来例と同等の感度を得ることができる。
トダイオードは、入射される被検出光４を受光領域３で
吸収することによりキャリアを発生させ、その発生する
キャリアに応じた電流を出力することにより、光信号を
電気信号に変換する。本実施の形態のフォトダイオード
では特に、入射される被検出光４のうち受光領域３で吸
収されずに透過した光を金属反射膜５の表面で反射して
再度、受光領域３に入射して受光領域３で吸収する。こ
のようにして、本実施の形態のフォトダイオードは、従
来例と同等の感度を得ることができる。
【００１４】以上のように構成された実施の形態のフォ
トダイオードは、基板除去部１ａに補填材６を設けてい
るので、基板除去部１ａを形成したことによる基板強度
の劣化を防止でき、基板１（受光領域３）の破損を防止
できる。これにより、本実施の形態のフォトダイオード
によれば、信頼性の高いフォトダイオードを提供するこ
とができる。
トダイオードは、基板除去部１ａに補填材６を設けてい
るので、基板除去部１ａを形成したことによる基板強度
の劣化を防止でき、基板１（受光領域３）の破損を防止
できる。これにより、本実施の形態のフォトダイオード
によれば、信頼性の高いフォトダイオードを提供するこ
とができる。
【００１５】また、本実施の形態のフォトダイオードで
は、金属反射膜５が受光領域３に近接して形成されてい
るので、受光領域３以外に向けて反射される光を実質的
に無くすことができる。従って、反射面を受光領域３か
ら離れて形成した場合に、受光領域以外に反射される光
による素子特性の劣化が問題となるが、本実施の形態の
フォトダイオードでは、そのような素子特性の劣化を防
止できる。
は、金属反射膜５が受光領域３に近接して形成されてい
るので、受光領域３以外に向けて反射される光を実質的
に無くすことができる。従って、反射面を受光領域３か
ら離れて形成した場合に、受光領域以外に反射される光
による素子特性の劣化が問題となるが、本実施の形態の
フォトダイオードでは、そのような素子特性の劣化を防
止できる。
【００１６】以上の実施の形態では、アバランシェフォ
トダイオードについて説明したが、本発明はこれに限ら
ず、ｐｎあるいはｐｉｎ型のフォトダイオードであって
も本実施の形態と同様の作用効果が得られる。また、本
実施の形態では、１．３〜１．６μm帯のアバランシェ
フォトダイオードについて説明したが、本願はその波長
のフォトダイオードに限定されるものではない。
トダイオードについて説明したが、本発明はこれに限ら
ず、ｐｎあるいはｐｉｎ型のフォトダイオードであって
も本実施の形態と同様の作用効果が得られる。また、本
実施の形態では、１．３〜１．６μm帯のアバランシェ
フォトダイオードについて説明したが、本願はその波長
のフォトダイオードに限定されるものではない。
【００１７】また、実施の形態のフォトダイオードで
は、金属反射膜５を形成してその表面を反射面とした
が、本発明はこれに限られるものではなく、金属反射膜
５を設けることなく、ストッパー層の下面におけるｎ+
−ＧａＩｎＡｓＰとポリイミドとの界面における反射を
利用してその界面を反射面としてもよいし、金属反射膜
５に代えて例えば誘電体多層膜からなる分布反射層を形
成するようにしてもよい。このようにしても、上述の実
施の形態と同様の作用効果を有する。また、本発明に係
るフォトダイオードにおいて、金属反射膜５に代えて、
多重周期構造の誘電体多層膜若しくは半導体多層膜より
なる分布反射層により構成することにより、所定の波長
の光を選択的に反射させることができるので、所望の波
長の光に対する感度を選択的に高くできる。
は、金属反射膜５を形成してその表面を反射面とした
が、本発明はこれに限られるものではなく、金属反射膜
５を設けることなく、ストッパー層の下面におけるｎ+
−ＧａＩｎＡｓＰとポリイミドとの界面における反射を
利用してその界面を反射面としてもよいし、金属反射膜
５に代えて例えば誘電体多層膜からなる分布反射層を形
成するようにしてもよい。このようにしても、上述の実
施の形態と同様の作用効果を有する。また、本発明に係
るフォトダイオードにおいて、金属反射膜５に代えて、
多重周期構造の誘電体多層膜若しくは半導体多層膜より
なる分布反射層により構成することにより、所定の波長
の光を選択的に反射させることができるので、所望の波
長の光に対する感度を選択的に高くできる。
【００１８】尚、実施の形態のフォトダイオードでは、
レーザ光に代表されるガウス型のビーム形状を含む種々
のビーム形状の光を検出することができ、本発明は光の
特定のビーム形状に限定されるものではない。
レーザ光に代表されるガウス型のビーム形状を含む種々
のビーム形状の光を検出することができ、本発明は光の
特定のビーム形状に限定されるものではない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明に係るフォトダイオードは、上記受光領域の下に
位置する基板が除去されてなる基板除去部に露出された
半導体成長層に反射面又は反射層を備え、その基板除去
部に補填材を形成したので、上記受光領域の半導体成長
層の破損を防止することができる。したがって、本発明
のフォトダイオードは、上記反射面又は反射層により光
を反射させて効果的に光吸収層で光を吸収することがで
きるので感度を向上させることができるとともに、上記
受光領域の半導体成長層の破損を防止することができる
ので信頼性を高くできる。また、本発明のフォトダイオ
ードは、反射面等を形成しない場合に比較して感度を高
くできるので、光吸収層を反射面等を形成しない場合に
比較して薄くでき、高速化が図れかつ信頼性を高くでき
る。
本発明に係るフォトダイオードは、上記受光領域の下に
位置する基板が除去されてなる基板除去部に露出された
半導体成長層に反射面又は反射層を備え、その基板除去
部に補填材を形成したので、上記受光領域の半導体成長
層の破損を防止することができる。したがって、本発明
のフォトダイオードは、上記反射面又は反射層により光
を反射させて効果的に光吸収層で光を吸収することがで
きるので感度を向上させることができるとともに、上記
受光領域の半導体成長層の破損を防止することができる
ので信頼性を高くできる。また、本発明のフォトダイオ
ードは、反射面等を形成しない場合に比較して感度を高
くできるので、光吸収層を反射面等を形成しない場合に
比較して薄くでき、高速化が図れかつ信頼性を高くでき
る。
【００２０】また、本発明に係るフォトダイオードで
は、上記基板除去部において露出された上記半導体成長
層に金属反射膜を形成し、該金属反射膜の表面を上記反
射面とすることにより、反射率をより高くできるので、
感度をより高くできる。
は、上記基板除去部において露出された上記半導体成長
層に金属反射膜を形成し、該金属反射膜の表面を上記反
射面とすることにより、反射率をより高くできるので、
感度をより高くできる。
【００２１】さらに、本発明に係るフォトダイオードに
おいては、上記基板除去部に露出された上記半導体成長
層と上記補填材との界面を上記反射面とすることにより
簡単に反射面を構成できるので、安価に製造できる。
おいては、上記基板除去部に露出された上記半導体成長
層と上記補填材との界面を上記反射面とすることにより
簡単に反射面を構成できるので、安価に製造できる。
【００２２】またさらに、本発明に係るフォトダイオー
ドにおいて、上記反射層を多重周期構造よりなる分布反
射層により構成することにより、所定の波長の光を選択
的に反射させることができるので、所望の波長の光に対
する感度を選択的に高くできる。
ドにおいて、上記反射層を多重周期構造よりなる分布反
射層により構成することにより、所定の波長の光を選択
的に反射させることができるので、所望の波長の光に対
する感度を選択的に高くできる。
【図１】 本発明に係る実施の形態のフォトダイオード
の特徴を説明するための模式的な断面図である。
の特徴を説明するための模式的な断面図である。
【図２】 実施の形態のフォトダイオードの構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】 従来例のフォトダイオードの概要を示す模式
的な断面図である。
的な断面図である。
１ ｎ+−ＩｎＰ半導体基板、１ａ 基板除去部、２
半導体成長層、３ 受光領域、４ 被検出光、５ 金属
反射膜、６ 補填材、７，９ ｎ+−ＩｎＰバッファー
層、８ ｎ＋−ＧａＩｎＡｓＰストッパー層、１０ n-
-ＧａＩｎＡｓ光吸収層、１１ 遷移層、１２ ｎ――
ＩｎＰ層、１３ ＳｉＮ無反射コーティング膜、１４
ｐ導電領域、１５ ガードリング、１６ ＧａＩｎＡｓ
コンタクト層、１７ ｐコンタクト電極、１８ ｎコン
タクト電極。
半導体成長層、３ 受光領域、４ 被検出光、５ 金属
反射膜、６ 補填材、７，９ ｎ+−ＩｎＰバッファー
層、８ ｎ＋−ＧａＩｎＡｓＰストッパー層、１０ n-
-ＧａＩｎＡｓ光吸収層、１１ 遷移層、１２ ｎ――
ＩｎＰ層、１３ ＳｉＮ無反射コーティング膜、１４
ｐ導電領域、１５ ガードリング、１６ ＧａＩｎＡｓ
コンタクト層、１７ ｐコンタクト電極、１８ ｎコン
タクト電極。
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に光を吸収してキャリアを発生す
る光吸収層を含む半導体成長層が成長されてその半導体
成長層の一部に受光領域が形成されてなり、かつ、上記
受光領域の下に位置する基板が除去されてその除去され
た基板除去部において露出された上記半導体成長層に上
記受光領域を透過した光を反射させる反射面又は反射層
を備えたフォトダイオードにおいて、 上記基板除去部に補填材を形成したことを特徴とするフ
ォトダイオード。 - 【請求項２】 上記基板除去部において露出された上記
半導体成長層に金属反射膜が形成され該金属反射膜の表
面を上記反射面とした請求項１記載のフォトダイオー
ド。 - 【請求項３】 上記基板除去部において露出された上記
半導体成長層と上記補填材との界面を上記反射面とした
請求項１記載のフォトダイオード。 - 【請求項４】 上記反射層が，多重周期構造よりなる分
布反射層からなる請求項１記載のフォトダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000119371A JP2001308367A (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | フォトダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000119371A JP2001308367A (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | フォトダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001308367A true JP2001308367A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18630360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000119371A Pending JP2001308367A (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | フォトダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001308367A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8987655B2 (en) | 2011-12-21 | 2015-03-24 | Oclaro Japan, Inc. | Optical module having at least one light receiving element with a wiring part covers a part of a side surface of a mesa part |
-
2000
- 2000-04-20 JP JP2000119371A patent/JP2001308367A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8987655B2 (en) | 2011-12-21 | 2015-03-24 | Oclaro Japan, Inc. | Optical module having at least one light receiving element with a wiring part covers a part of a side surface of a mesa part |
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