JP2001274419A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2001274419A JP2001274419A JP2000085962A JP2000085962A JP2001274419A JP 2001274419 A JP2001274419 A JP 2001274419A JP 2000085962 A JP2000085962 A JP 2000085962A JP 2000085962 A JP2000085962 A JP 2000085962A JP 2001274419 A JP2001274419 A JP 2001274419A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- chromium
- silicon carbide
- semiconductor device
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 順方向立ち上がり電圧が小さく、逆方向のリ
ーク電流が小さいショットキー電極を備えた半導体装置
を提供する。 【解決手段】 ｎ型シリコンカーバイド基板上に、クロ
ムからなるショットキー電極を備える。またクロムの酸
化を防止する金属、具体的には、ニッケル、金、白金族
金属のいずれか含む金属を備える。
ーク電流が小さいショットキー電極を備えた半導体装置
を提供する。 【解決手段】 ｎ型シリコンカーバイド基板上に、クロ
ムからなるショットキー電極を備える。またクロムの酸
化を防止する金属、具体的には、ニッケル、金、白金族
金属のいずれか含む金属を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はｎ型シリコンカーバ
イド基体上に、熱処理に対して安定なショットキー電極
を備えた半導体装置に関する。
イド基体上に、熱処理に対して安定なショットキー電極
を備えた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンカーバイドは、高温動作デバイ
ス、大電力デバイスあるいは耐放射線デバイスなど、厳
しい環境下で動作させようとする半導体装置の材料とし
て期待されている。従来、ｎ型シリコンカーバイド基板
上にショットキー接続する金属として、チタン（Ｔ
ｉ）、ニッケル（Ｎｉ）などが提案されている。このう
ちチタンは、ショットキー障壁の高さが低く、順方向立
ち上がり電圧（Ｖｆ）が小さいが、逆方向のリーク電流
が大きく、耐圧が低いため、大電力用デバイスのショッ
トキー電極に採用することはできない。またニッケル
は、障壁の高さが高く、逆方向のリーク電流は小さいも
のの、順方向の立ち上がり電圧が大きく、オン抵抗が増
大するため、大電力用デバイスのショットキー電極に採
用することはできない。
ス、大電力デバイスあるいは耐放射線デバイスなど、厳
しい環境下で動作させようとする半導体装置の材料とし
て期待されている。従来、ｎ型シリコンカーバイド基板
上にショットキー接続する金属として、チタン（Ｔ
ｉ）、ニッケル（Ｎｉ）などが提案されている。このう
ちチタンは、ショットキー障壁の高さが低く、順方向立
ち上がり電圧（Ｖｆ）が小さいが、逆方向のリーク電流
が大きく、耐圧が低いため、大電力用デバイスのショッ
トキー電極に採用することはできない。またニッケル
は、障壁の高さが高く、逆方向のリーク電流は小さいも
のの、順方向の立ち上がり電圧が大きく、オン抵抗が増
大するため、大電力用デバイスのショットキー電極に採
用することはできない。
【０００３】さらにチタン、ニッケルとも、電極形成後
に３００℃以上の熱が加わると、電極金属とシリコンカ
ーバイドが反応し、金属とシリコンの合金層（シリサイ
ド層）を形成するため、半導体デバイスの電気的特性が
変化してしまう。図１４にシリコンカーバイド基板上に
ニッケル膜を被着した直後、図１５に８００℃、３０秒
の熱処理後、図１６に９５０℃、３０秒の熱処理後の電
極金属とシリコンカーバイド基板界面の組成をオージェ
分析した結果を示す。図に示すように、熱処理が施され
ると、シリコン、炭素、ニッケルが相互に拡散している
ことがわかる。
に３００℃以上の熱が加わると、電極金属とシリコンカ
ーバイドが反応し、金属とシリコンの合金層（シリサイ
ド層）を形成するため、半導体デバイスの電気的特性が
変化してしまう。図１４にシリコンカーバイド基板上に
ニッケル膜を被着した直後、図１５に８００℃、３０秒
の熱処理後、図１６に９５０℃、３０秒の熱処理後の電
極金属とシリコンカーバイド基板界面の組成をオージェ
分析した結果を示す。図に示すように、熱処理が施され
ると、シリコン、炭素、ニッケルが相互に拡散している
ことがわかる。
【０００４】そのため、電極とシリコンカーバイド基板
界面の組成が変化し、ショットキー特性が変化してしま
う。具体的には、ｎ値が被着直後に１．２０であったも
のが、８００℃の熱処理後に１．０５に変化する。同様
に障壁の高さが１．３８ｅＶから１．６５ｅＶに変化し
てしまう。これに伴い、順方向立ち上がり電圧も、０．
７Ｖから０．８Ｖに変化してしまう。
界面の組成が変化し、ショットキー特性が変化してしま
う。具体的には、ｎ値が被着直後に１．２０であったも
のが、８００℃の熱処理後に１．０５に変化する。同様
に障壁の高さが１．３８ｅＶから１．６５ｅＶに変化し
てしまう。これに伴い、順方向立ち上がり電圧も、０．
７Ｖから０．８Ｖに変化してしまう。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のショ
ットキー電極は、大電力用デバイスに採用するのに好適
な、順方向立ち上がり電圧が小さく、逆方向のリーク電
流が小さいという特性を得ることができないという問題
点があった。また、熱処理によってショットキー特性が
変化し、高温動作用デバイスに適用することができない
という問題点があった。本発明は上記問題点を解消し、
大電力用デバイス、高温動作用デバイスに適用可能なシ
ョットキー電極を備えた半導体装置を提供することを目
的とする。
ットキー電極は、大電力用デバイスに採用するのに好適
な、順方向立ち上がり電圧が小さく、逆方向のリーク電
流が小さいという特性を得ることができないという問題
点があった。また、熱処理によってショットキー特性が
変化し、高温動作用デバイスに適用することができない
という問題点があった。本発明は上記問題点を解消し、
大電力用デバイス、高温動作用デバイスに適用可能なシ
ョットキー電極を備えた半導体装置を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、請求項１に係る発明は、ｎ型シリコンカーバ
イド基体上に、ショットキー接続する金属電極を備えた
半導体装置において、前記金属電極がクロムからなるこ
とを特徴とするものである。
するため、請求項１に係る発明は、ｎ型シリコンカーバ
イド基体上に、ショットキー接続する金属電極を備えた
半導体装置において、前記金属電極がクロムからなるこ
とを特徴とするものである。
【０００７】請求項２に係る発明は、請求項１記載の半
導体装置において、前記クロムからなる前記金属電極表
面に、該クロムの酸化を防ぐ金属が積層されていること
を特徴とするものである。
導体装置において、前記クロムからなる前記金属電極表
面に、該クロムの酸化を防ぐ金属が積層されていること
を特徴とするものである。
【０００８】請求項３に係る発明は、請求項２記載の半
導体装置において、前記クロムの酸化を防ぐ金属が、前
記ｎ型シリコンカーバイド基板に接触するとき、該金属
はニッケル、金、白金族金属のいずれかを含むことを特
徴とするものである。
導体装置において、前記クロムの酸化を防ぐ金属が、前
記ｎ型シリコンカーバイド基板に接触するとき、該金属
はニッケル、金、白金族金属のいずれかを含むことを特
徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、ショットキーバリアダイオードを例にとり、製造工
程に従い説明する。まず、窒素がドーピングされたｎ＋
シリコンカーバイド基板１上に不純物濃度が５×１０15
〜１×１０18ａｔｏｍ／ｃｍ3程度のｎ−シリコンカー
バイドエピタキシャル成長層からなるｎ−シリコンカー
バイド層２が形成された基板を用意する。熱酸化を行
い、表面に二酸化シリコンからなる絶縁膜３を形成す
る。裏面側のｎ＋シリコンカーバイド基板１上の絶縁膜
３を除去し、ニッケルからなるオーミック電極４を形成
する（図１）。
て、ショットキーバリアダイオードを例にとり、製造工
程に従い説明する。まず、窒素がドーピングされたｎ＋
シリコンカーバイド基板１上に不純物濃度が５×１０15
〜１×１０18ａｔｏｍ／ｃｍ3程度のｎ−シリコンカー
バイドエピタキシャル成長層からなるｎ−シリコンカー
バイド層２が形成された基板を用意する。熱酸化を行
い、表面に二酸化シリコンからなる絶縁膜３を形成す
る。裏面側のｎ＋シリコンカーバイド基板１上の絶縁膜
３を除去し、ニッケルからなるオーミック電極４を形成
する（図１）。
【００１０】ｎ−シリコンカーバイド層２表面にホトレ
ジスト５を塗布し、ショットキー電極形成領域を開口す
るようにパターニングする。絶縁膜３の一部を除去し、
露出したｎ−シリコンカーバイド層２上に、クロム膜６
を蒸着する（図２）。
ジスト５を塗布し、ショットキー電極形成領域を開口す
るようにパターニングする。絶縁膜３の一部を除去し、
露出したｎ−シリコンカーバイド層２上に、クロム膜６
を蒸着する（図２）。
【００１１】ホトレジスト５を溶解除去することによっ
て、ｎ−シリコンカーバイド層２上にショットキー電極
７が形成され、ショットキーバリアダイオードが形成さ
れる。このように形成したオーミック電極４とショット
キー電極７との間に電位を印加し、ショットキー電極の
電位をオーミック電極より正側に印加したとき順方向特
性、極性を逆に印加されたとき逆方向特性が得られる。
このようにした得られた電圧−電流特性を図４に示す。
なお、ショットキー電極は、半径７５μｍの円形状とし
た。図に示すように、順方向立ち上がり電圧は０．０５
Ｖ（ＩＦ＝１０ -10Ａのとき）と小さく、逆方向のリー
ク電流も少ないことがわかる。
て、ｎ−シリコンカーバイド層２上にショットキー電極
７が形成され、ショットキーバリアダイオードが形成さ
れる。このように形成したオーミック電極４とショット
キー電極７との間に電位を印加し、ショットキー電極の
電位をオーミック電極より正側に印加したとき順方向特
性、極性を逆に印加されたとき逆方向特性が得られる。
このようにした得られた電圧−電流特性を図４に示す。
なお、ショットキー電極は、半径７５μｍの円形状とし
た。図に示すように、順方向立ち上がり電圧は０．０５
Ｖ（ＩＦ＝１０ -10Ａのとき）と小さく、逆方向のリー
ク電流も少ないことがわかる。
【００１２】同様に図５に、上記ショットキー電極を８
００℃、３０秒間熱処理した後の特性を、図６に、９５
０℃、３０秒間熱処理した後の特性を示す。熱処理を行
っても、大きな変化はみられず、安定した特性であるこ
とがわかる。これらの電圧−電流特性から、ｎ値、障壁
の高さを算出した結果をそれぞれ図７、図８に示す。比
較のため、ニッケルショットキー電極の特性を同時に示
す。図７に示すように、熱処理を行わなくても、ｎ値が
１に近く、熱処理を行ってもほとんど変化していないこ
とがわかる。また、図８に示すように、ニッケル電極と
比較して、障壁の高さも低く、安定していることがわか
る。
００℃、３０秒間熱処理した後の特性を、図６に、９５
０℃、３０秒間熱処理した後の特性を示す。熱処理を行
っても、大きな変化はみられず、安定した特性であるこ
とがわかる。これらの電圧−電流特性から、ｎ値、障壁
の高さを算出した結果をそれぞれ図７、図８に示す。比
較のため、ニッケルショットキー電極の特性を同時に示
す。図７に示すように、熱処理を行わなくても、ｎ値が
１に近く、熱処理を行ってもほとんど変化していないこ
とがわかる。また、図８に示すように、ニッケル電極と
比較して、障壁の高さも低く、安定していることがわか
る。
【００１３】このように、クロムからなるショットキー
電極は、順方向立ち上がり電流が小さく、逆方向のリー
ク電流も少なく、大電力用デバイスに適していることが
わかる。また、熱処理を行っても特性の変化が少なく、
高温動作用デバイスに適していることがわかる。
電極は、順方向立ち上がり電流が小さく、逆方向のリー
ク電流も少なく、大電力用デバイスに適していることが
わかる。また、熱処理を行っても特性の変化が少なく、
高温動作用デバイスに適していることがわかる。
【００１４】このように特性の変化の少ないクロム電極
とシリコンカーバイド基板との界面のオージェ分析を行
った。熱処理を行なう前の分析結果を図９に、８００
℃、３０秒の熱処理を行った後の分析結果を図１０に、
９５０℃の熱処理を行った後の分析結果を図１１に示
す。図に示すように、シリコン、炭素、クロムが相互に
拡散することなく、組成が変化していないことがわか
る。なお、熱処理を行った結果、クロム電極表面に酸素
が確認されている。これは、クロム電極が酸化したため
と考えられる。
とシリコンカーバイド基板との界面のオージェ分析を行
った。熱処理を行なう前の分析結果を図９に、８００
℃、３０秒の熱処理を行った後の分析結果を図１０に、
９５０℃の熱処理を行った後の分析結果を図１１に示
す。図に示すように、シリコン、炭素、クロムが相互に
拡散することなく、組成が変化していないことがわか
る。なお、熱処理を行った結果、クロム電極表面に酸素
が確認されている。これは、クロム電極が酸化したため
と考えられる。
【００１５】そこでクロム電極の酸化を防止するため、
露出するクロム電極表面にニッケル、金、白金族金属
（ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イ
リジウム、白金）など、別の金属を積層することも可能
である。クロムの酸化を防ぐため、図１２に示すよう
に、クロムからなるショットキー電極７が露出しないよ
うに、白金族金属膜８で覆うように形成するのが望まし
い。なお、白金族金属膜８等は、クロムより順方向立ち
上がり電圧が十分大きいので、図１２に示すように、シ
リコンカーバイド層表面に直接接触させても、ショット
キーバリアダイオードとして特性が損なわれることはな
い。
露出するクロム電極表面にニッケル、金、白金族金属
（ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イ
リジウム、白金）など、別の金属を積層することも可能
である。クロムの酸化を防ぐため、図１２に示すよう
に、クロムからなるショットキー電極７が露出しないよ
うに、白金族金属膜８で覆うように形成するのが望まし
い。なお、白金族金属膜８等は、クロムより順方向立ち
上がり電圧が十分大きいので、図１２に示すように、シ
リコンカーバイド層表面に直接接触させても、ショット
キーバリアダイオードとして特性が損なわれることはな
い。
【００１６】図１３にはクロム電極酸化を防止する別の
例を示す。ショットキー電極７の端部が白金族金属膜９
上に配置されるようにし、さらに表面を白金族金属膜８
で被覆する構造とする。このような構造にすると、白金
族金属等はクロムより障壁の高さが高いため、クロム電
極直下より深く空乏層が広がっており、電極端部での電
界が緩和され、逆方向耐圧が改善されるという効果があ
る。
例を示す。ショットキー電極７の端部が白金族金属膜９
上に配置されるようにし、さらに表面を白金族金属膜８
で被覆する構造とする。このような構造にすると、白金
族金属等はクロムより障壁の高さが高いため、クロム電
極直下より深く空乏層が広がっており、電極端部での電
界が緩和され、逆方向耐圧が改善されるという効果があ
る。
【００１７】以上ショットキーバリアダイオードを例に
とり説明を行ったが、本発明はこれに限定されることな
く、種々変更することができることはいうまでもない。
例えば、電界効果トランジスタのゲートとして、本発明
のクロム電極を採用することも可能である。
とり説明を行ったが、本発明はこれに限定されることな
く、種々変更することができることはいうまでもない。
例えば、電界効果トランジスタのゲートとして、本発明
のクロム電極を採用することも可能である。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、順
方向立ち上がり電圧が小さく、逆方向リーク電流の少な
い良好な特性のショットキー電極を形成することができ
た。このような特性のショットキー電極は、大電力用デ
バイスに適用するのに好適である。
方向立ち上がり電圧が小さく、逆方向リーク電流の少な
い良好な特性のショットキー電極を形成することができ
た。このような特性のショットキー電極は、大電力用デ
バイスに適用するのに好適である。
【００１９】また本発明によれば、熱処理を行っても特
性の変動が少なく、高温動作用デバイスに適用するのに
好適である。
性の変動が少なく、高温動作用デバイスに適用するのに
好適である。
【図１】本発明の実施の形態のショットキーバリアダイ
オードの製造工程を説明する図である。
オードの製造工程を説明する図である。
【図２】本発明の実施の形態のショットキーバリアダイ
オードの製造工程を説明する図である。
オードの製造工程を説明する図である。
【図３】本発明の実施の形態のショットキーバリアダイ
オードの製造工程を説明する図である。
オードの製造工程を説明する図である。
【図４】本発明の実施の形態のショットキーバリアダイ
オードのクロム電極を形成した直後の電圧−電流特性を
示す図である。
オードのクロム電極を形成した直後の電圧−電流特性を
示す図である。
【図５】本発明の実施の形態のショットキーバリアダイ
オードの８００℃の熱処理を行った後の電圧−電流特性
を示す図である。
オードの８００℃の熱処理を行った後の電圧−電流特性
を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態のショットキーバリアダイ
オードの９５０℃の熱処理を行った後の電圧−電流特性
を示す図である。
オードの９５０℃の熱処理を行った後の電圧−電流特性
を示す図である。
【図７】熱処理温度とｎ値との関係を示す図である。
【図８】熱処理温度と障壁の高さとの関係を示す図であ
る。
る。
【図９】シリコンカーバイド基板にクロム膜を被着した
直後のオージェ分析結果を示す図である。
直後のオージェ分析結果を示す図である。
【図１０】シリコンカーバイド基板にクロム膜を被着し
た後、８００℃の熱処理を行った後のオージェ分析結果
を示す図である。
た後、８００℃の熱処理を行った後のオージェ分析結果
を示す図である。
【図１１】シリコンカーバイド基板にクロム膜を被着し
た後、９５０℃の熱処理を行った後のオージェ分析結果
を示す図である。
た後、９５０℃の熱処理を行った後のオージェ分析結果
を示す図である。
【図１２】クロム電極の酸化を防止する金属膜を付着さ
せたショットキーバリアダイオードを示す図である。
せたショットキーバリアダイオードを示す図である。
【図１３】クロム電極の酸化を防止する金属膜を付着さ
せた別のショットキーバリアダイオードを示す図であ
る。
せた別のショットキーバリアダイオードを示す図であ
る。
【図１４】シリコンカーバイド基板にニッケル膜を付着
した直後のオージェ分析結果を示す図である。
した直後のオージェ分析結果を示す図である。
【図１５】シリコンカーバイド基板にニッケル膜を付着
した後、８００℃の熱処理を行った後のオージェ分析結
果を示す図である。
した後、８００℃の熱処理を行った後のオージェ分析結
果を示す図である。
【図１６】シリコンカーバイド基板にニッケル膜を付着
した後、９５０℃の熱処理を行った後のオージェ分析結
果を示す図である。
した後、９５０℃の熱処理を行った後のオージェ分析結
果を示す図である。
１ ｎ＋シリコンカーバイド基板 ２ ｎ−シリコンカーバイド層 ３ 絶縁膜 ４ オーミック電極 ５ ホトレジスト ６ クロム膜 ７ ショットキー電極 ８ 白金族金属膜 ９ 白金族金属膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M104 AA03 BB05 BB13 CC03 FF13 GG03 GG18 5F102 GD01 GJ02 GT01
Claims (3)
- 【請求項１】 ｎ型シリコンカーバイド基体上に、ショ
ットキー接続する金属電極を備えた半導体装置におい
て、前記金属電極がクロムからなることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、前
記クロムからなる前記金属電極表面に、該クロムの酸化
を防ぐ金属が積層されていることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体装置において、前
記クロムの酸化を防ぐ金属が前記ｎ型シリコンカーバイ
ド基板に接触するとき、該金属はニッケル、金、白金族
金属のいずれかを含むことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000085962A JP2001274419A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000085962A JP2001274419A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001274419A true JP2001274419A (ja) | 2001-10-05 |
Family
ID=18602204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000085962A Pending JP2001274419A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001274419A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7761597B2 (en) | 2001-12-07 | 2010-07-20 | Hitachi, Ltd. | Address translator, message processing method and equipment |
-
2000
- 2000-03-27 JP JP2000085962A patent/JP2001274419A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7761597B2 (en) | 2001-12-07 | 2010-07-20 | Hitachi, Ltd. | Address translator, message processing method and equipment |
| US7788408B2 (en) | 2001-12-07 | 2010-08-31 | Hitachi, Ltd. | Address translator, message processing method and equipment |
| US8131863B2 (en) | 2001-12-07 | 2012-03-06 | Hitachi, Ltd. | Address translator, message processing method and equipment |
| US8601161B2 (en) | 2001-12-07 | 2013-12-03 | Hitachi, Ltd. | Address translator, message processing method and equipment |
| US9088525B2 (en) | 2001-12-07 | 2015-07-21 | Hitachi, Ltd. | Address translator, message processing method and equipment |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5286677B2 (ja) | Ｐ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上のオーミック電極の形成方法 | |
| EP2079101B1 (en) | OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE | |
| JP2003510817A (ja) | 炭化珪素からなる半導体装置とその製造方法 | |
| US7078329B2 (en) | Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
| JP3333896B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| JPS6285469A (ja) | 障壁の高さを高くする方法とシヨツトキ−障壁 | |
| JP2006032457A (ja) | ＳｉＣ半導体装置およびＳｉＣ半導体装置の製造方法 | |
| JP2001185507A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2001274419A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3856729B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3970142B2 (ja) | 炭化けい素のオーミック電極構造および半導体装置 | |
| KR100288821B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| JP2005079233A (ja) | ショットキーダイオードとその製造方法 | |
| JP3086561B2 (ja) | 半導体ダイヤモンド層に対する耐熱性オーミック電極及びその形成方法 | |
| JPS6116574A (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| KR20180124459A (ko) | 반도체와 금속 사이에 형성되는 오믹접촉 및 오믹접촉 형성방법 | |
| JPS62209855A (ja) | 炭化けい素を用いた半導体素子 | |
| JP3620344B2 (ja) | ショットキバリアダイオード及びその製造方法 | |
| JPH08316172A (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
| JPH0582791A (ja) | 電力用ｍｏｓｆｅｔおよびその製造方法 | |
| JPH08236791A (ja) | ショットキーバリア半導体装置 | |
| JP4302329B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP5537219B2 (ja) | ショットキーバリアダイオード | |
| JPH09321320A (ja) | ダイオード | |
| JPH06252380A (ja) | 高耐圧ショットキー・ダイオード |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070111 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080605 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080617 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080805 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081007 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090224 |