JP2001255509A - スメクティック液晶光学装置 - Google Patents

スメクティック液晶光学装置

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JP2001255509A
JP2001255509A JP2000065787A JP2000065787A JP2001255509A JP 2001255509 A JP2001255509 A JP 2001255509A JP 2000065787 A JP2000065787 A JP 2000065787A JP 2000065787 A JP2000065787 A JP 2000065787A JP 2001255509 A JP2001255509 A JP 2001255509A
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signal
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smectic liquid
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Akira Sakaigawa
亮 境川
Koji Numao
孝次 沼尾
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    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/06Details of flat display driving waveforms
    • G09G2310/061Details of flat display driving waveforms for resetting or blanking

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スメクティック液晶を用いた液晶光学装置に
おいて、正負の電荷バランスを保ちながら前フレームの
表示を十分にリセットして、表示履歴の無い高品位な表
示を得る。 【解決手段】 1フレーム期間内において、画素に情報
を書き込むための書き込み信号が印加される第1期間の
後に、書き込み情報を消去するための消去信号が印加さ
れる第2期間を設ける。あるフレームの書き込み情報を
そのフレーム内で消去するので、前後のフレームの信号
に関わらず、十分リセットすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置、レーザ
プリンタヘッド用光シャッタおよび光変調素子等に用い
られるスメクティック液晶光学装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のスメクティック液晶光学装置とし
て、1980年に、クラーク(N.A.Clark)と
ラガバル(S.T.Lagerwall)によってカイ
ラルスメクティックC液晶を用いた液晶表示装置が提案
されている。この液晶表示装置は、液晶分子の誘電異方
性を利用する電界効果を用いた従来のネマティック液晶
とは異なり、カイラルスメクティック液晶の自発分極に
よる極性と電界の極性とを整合させる回転力を用いた構
成の液晶表示装置である。この液晶表示装置では、液晶
の自発分極と電界が直接作用するために、画素のスイッ
チング駆動のために必要な時間は、ネマティック液晶表
示装置の1/1000以下という高速応答性を有する。
このため、高速表示が可能であり、動画表示対応が可能
な液晶表示装置への応用が期待されている。
【0003】さらに、カイラルスメクティック液晶につ
いては、多くの研究の結果、様々な表示モードが考え出
されている。例えば、AFLC(反強誘性液晶)、TL
AFLC(無しきい値反強誘電性液晶)、DHF(歪ん
だらせん強誘電性液晶)、単安定強誘電性液晶等が挙げ
られる。これらは、いずれも強誘電性液晶が本来有して
いる双安定なメモリー性を有していないが、TFT(薄
膜トランジスタ)等のアクティブ素子と組み合わせるこ
とでアナログ階調表示を実現することが可能であり、フ
ルカラーで動画表示が可能な液晶表示装置への応用が期
待されている。
【0004】ところで、液晶光学装置においては、一般
に、互いに極性が異なる交流波形を印加する極性反転駆
動を行う必要がある。これは、液晶に充電される正負の
電荷量を一致させることによりイオンの局在化による焼
き付き、または前の表示状態の影響(ヒステリシス)を
低減するためである。
【0005】ネマティック液晶の場合には、印加電圧値
が等しければ極性が正の場合と負の場合とで透過光量が
等しいため、適切な周期で極性を反転させた交流波形を
印加すればよい。
【0006】一方、スメクティック液晶の場合には、印
加する電圧の極性によって配向状態が変化し、極性が正
の場合と負の場合とで透過光量が異なるため、リセット
駆動またはブランキング駆動と称される駆動方法を用い
る必要がある。この駆動方法は、1フレーム期間内に液
晶をリセット状態にする期間と映像情報を書き込む期間
とを設けており、リセット状態で偏光軸を最暗の表示状
態に合わせることにより、書き込み期間に映像信号に応
じた透過光量を得ることができる。
【0007】例えば、特許第2677593号公報に
は、書き込み信号を印加する直前にブランキング信号を
印加して最暗の表示状態または最明の表示状態にリセッ
トし、これに続いて書き込み信号を印加することにより
映像信号に応じた透過光量を得る技術が開示されてい
る。
【0008】さらに、特許第2681528号公報に
は、書き込み信号と非表示信号とを一定周期かつ一定期
間で交互に印加することにより、連続して明状態の表示
を行ったときに輝度ディケイが生じるのを防ぐ技術が開
示されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スメク
ティック液晶を用いた液晶表示装置において、特許第2
677593号公報の技術のように画素を一旦リセット
(ブランキング)してから映像情報を書き込む手法で
は、以下のような問題がある。
【0010】特許第2677593号公報の手法では、
前のフレームの映像情報を一旦リセットしてから次の映
像情報を書き込むことで、映像信号に応じたスイッチン
グ状態(透過光量)が得られるとしているが、この場
合、画素をリセットするための信号(リセット信号)
は、全ての画素をリセット状態にするのに十分な電圧を
常に印加する必要がある。従って、リセット信号電圧
は、書き込み信号電圧の大きさに関わらず、常に画素を
リセット状態にするのに十分な大きさの電圧値が必要で
ある。
【0011】これに対して、書き込み信号電圧は映像信
号に応じて小さな値から大きな値まで、様々な値に変化
する。このような場合、正負の電荷のアンバランスが生
じて、映像の焼き付きやスイッチング不良を引き起こ
し、実用上好ましくない。
【0012】この問題を防ぐためには、単にリセット信
号電圧値を書き込み信号電圧値と同じ値にしただけで
は、以下のような問題が生じる。
【0013】例えば、あるフレームの書き込み信号が低
電圧である場合、リセット電圧も低電圧にする必要があ
り、書き込み直前にリセットする特許第2677593
号公報の手法では、画素が十分にリセットされない場合
もある。特に、前のフレームで画素が明状態にほぼ10
0%スイッチされている場合には、書き込み信号が高電
圧であるため、これに続くフレームのリセット電圧が小
さいと全くリセットされず、書き込み信号に応じた透過
光量が得られないことになる。
【0014】一方、特許第2681528号公報では、
非表示信号が0Vまたは書き込み電圧と逆極性であるこ
とが好ましいとされている。この特許第2681528
号公報の技術は、連続して明状態の表示を行った場合に
輝度ディケイを防止することを目的としており、パッシ
ベーション膜の電荷を開放するために電極を一旦グラン
ドに電圧を落とすか、または逆電界を印加している。
【0015】しかし、非表示信号を0Vにした場合に
は、上述の説明と同様に、画素を十分にリセットするこ
とができず、正負の電荷のアンバランスが生じる等の問
題が生じて好ましくない。また、書き込み電圧と逆極性
の非表示信号を印加する場合についても、上述の説明と
同様に、単に書き込み信号電圧と同じ電圧の非表示信号
を印加しただけでは、問題が生じる。従って、特許第2
681528号公報の技術も、電荷バランスを保ちなが
ら前フレームの表示を十分にリセットするための技術を
与えるものではない。
【0016】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、正負の電荷バランスを保
ちながら、前フレームの表示を十分にリセットすること
ができ、表示履歴の無い高品位な表示が得られるスメク
ティック液晶光学装置を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明のスメクティック
液晶液晶光学装置は、各々電極を設けた一対の基板間に
スメクティック液晶が充填され、1フレーム期間内にお
いて、スメクティック液晶に情報を書き込むための書き
込み信号が印加される第1期間の後に、書き込み情報を
消去するための消去信号が印加される第2期間を有して
おり、そのことにより上記目的が達成される。
【0018】前記消去信号が前記書き込み信号と逆極性
の電圧であるのが望ましい。
【0019】前記消去信号の電圧波高値が前記書き込み
信号の電圧波高値と同一であるのが望ましい。
【0020】前記書き込み信号の電圧波高値×書き込み
信号印加期間=前記消去信号の電圧波高値×消去信号印
加期間に設定されているのが望ましい。
【0021】電圧無印加時に前記スメクティック液晶の
配向状態が最暗の表示状態に対応するのが望ましい。
【0022】前記スメクティック液晶が電圧無印加時に
単一の配向状態を有し、電極印加時には印加電圧の極性
および電圧値に応じて他の配向状態に変化するのが望ま
しい。
【0023】前記スメクティック液晶が双安定性を有し
ていてもよい。
【0024】少なくとも一方の基板上に複数のアクティ
ブ素子がマトリクス状に形成され、前記書き込み信号お
よび前記消去信号が該アクティブ素子を通じて印加され
るのが望ましい。
【0025】以下に、本発明の作用について説明する。
【0026】上述したように、スメクティック液晶を用
いて表示を行う場合、前の表示状態を一度リセットして
から情報を書き込む必要がある。しかし、従来技術のよ
うに先にリセットして後から書き込みを行う場合には、
前のフレームの書き込み情報を次のフレームのリセット
信号で消去する必要がある。ところが、前のフレームの
信号と次のフレームの信号が必ずしも同一でないため、
前のフレームと次のフレームの信号が大幅に異なる場合
に、十分にリセットできない場合がある。
【0027】そこで、本発明にあっては、1フレーム期
間内において、第1期間で書き込み信号を印加した後
に、第2期間で消去信号(リセット信号)を印加する。
よって、前のフレームの書き込み情報を前のフレームの
消去信号で消去することができる。あるフレームの書き
込み情報はそのフレーム内で消去されるので、後のフレ
ームの信号に関わらず、十分リセットすることが可能で
ある。
【0028】書き込み情報をリセットするための消去信
号を、書き込み信号と逆極性の電圧にすることにより、
画素を素早くリセット状態にすることができる。
【0029】書き込み情報をリセットするための消去信
号の電圧波高値を、書き込み信号の電圧波高値と同一に
することにより、正負の電荷のバランスを取ることがで
きる。よって、不純物イオンの局在化による表示の焼き
付きやスイッチング不良等の表示品位低下を防ぐことが
できる。
【0030】「書き込み信号の電圧波高値×書き込み信
号印加期間=消去信号の電圧波高値×消去信号印加期
間」に設定することにより、正負の電荷のバランスをさ
らに厳密に取ることができる。よって、不純物イオンの
局在化による表示の焼き付きやスイッチング不良等の表
示品位低下をより効果的に防ぐことができる。さらに、
書き込み信号印加期間と消去信号印加期間とを同一にす
る必要がないため、非表示期間の短縮化にもつながり、
高輝度の表示が可能になる。
【0031】本発明において、消去信号を印加したとき
(リセット状態のとき)に最暗の表示状態になるように
すると、電圧無印加時のスメクティック液晶の配向状態
とのずれが生じて暗表示時に光漏れが大きくなり、表示
品位を著しく低下させる。そこで、本発明にあっては、
電圧無印加時のスメクティック液晶の配向状態を最暗の
表示状態に対応させて暗表示時に光漏れが生じないよう
にするのが望ましい。この場合には、リセット状態で光
が多少透過するが、その透過光も考慮して1フレームの
透過光強度として、各階調信号電圧を設定することによ
り、明状態の輝度を上昇させることができる。
【0032】本発明において、スメクティック液晶は、
電圧無印加時に単一の配向状態を有し、電極印加時には
印加電圧の極性および電圧値に応じて他の配向状態に変
化するのが望ましい。このような配向状態では、ある単
一の配向状態が安定であるので、そのアンカリング効果
によって、消去信号を印加したときのスイッチング速度
を速くすることができる。
【0033】一方、スメクティック液晶が双安定性を有
している場合にも、本発明は有効である。スメクティッ
ク液晶が双安定性を有している場合、電圧無印加時の配
向が2つ存在するため、均一な表示を得るためには配向
状態をどちらか一方に揃える必要がある。このためには
消去信号が必要であるが、上述した理由によって、本発
明のように第1期間で書き込み信号を印加し、第2期間
で消去する構成が望ましい。
【0034】本発明において、書き込み信号および消去
信号をアクティブ素子を通じて印加することで、印加電
圧を一定期間保持することが可能となる。よって、書き
込み信号および消去信号を十分な期間、安定して画素に
印加することができ、クロストークも生じないので、高
品位な表示を行うことができる。
【0035】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら説明する。
【0036】(実施形態)図1は本発明の一実施形態で
あるスメクティック液晶光学装置の1画素分の構成を示
す断面図であり、図2はそのスメクティック液晶光学装
置の等価回路図である。
【0037】このスメクティック液晶光学装置は、アク
ティブマトリクス駆動方式の液晶光学装置であり、図1
に示すように、スメクティック液晶12を挟んで対向配
置された一対の基板1a、1bのうちの一方の基板1a
に、図2に示すように、走査電極駆動回路に接続された
n本のゲート電極(走査電極)G1〜Gnと、信号電極
駆動回路に接続されたm本のソース電極(信号電極)S
1〜Smとが、互いに交差するように配置されている。
両電極の交差部近傍にはアクティブ素子としてのTFT
が設けられ、TFTのゲート(G)はゲート電極に接続
され、ソース(S)はソース電極に接続され、ドレイン
は画素(P1/1、P2/1、・・・、P1/2、P2
/2、・・・)に接続されている。
【0038】TFTは、図1に示すように、ゲート電極
2の上にゲート絶縁膜3を介して重畳するようにa−S
i半導体膜4が設けられ、その中央部に絶縁膜5が設け
られている。a−Si半導体膜4および絶縁膜5の両端
部に重なってn+a−Si膜13a、13bが設けら
れ、一方のn+a−Si膜13a上にはソース電極6が
設けられている。他方のn+a−Si膜13b上にはド
レイン電極7が設けられ、ドレイン電極7は画素電極8
と接続されている。その上を覆うように絶縁膜9aおよ
び配向膜10aが設けられている。他方の基板1bに
は、共通電極11、絶縁膜9bおよび配向膜10bが設
けられている。さらに、基板1a、1bのスメクティッ
ク液晶12とは反対側には、偏光板(図示せず)が設け
られている。
【0039】図3は、本実施形態のスメクティック液晶
光学装置において、駆動電圧波形、液晶に印加される波
形および光学応答を示す図である。ここでは、図2のゲ
ート電極G1とそれに交差するソース電極S1に注目
し、ゲート電極G1およびソース電極S1に印加する電
圧と、画素P1/1に実行的に印加される電圧と、その
ときの透過光量変化についてのみ示している。
【0040】まず、1フレームの第1期間における最初
のt1の時間、ゲート電極G1から信号を送ってTFT
をON状態にする。これに同期して、ゲート電極G1に
接続された画素(P1/1、P1/2、・・・、P1/
m)に映像信号に対応する書き込み信号電圧を、ソース
電極S1〜Smから印加する。次のt2の時間には、ゲ
ート電極G2から信号を送ってTFTをON状態にし、
これに同期して、ゲート電極G2に接続された画素(P
2/1、P2/2、・・・、P2/m)に映像信号に対
応する書き込み信号電圧を、ソース電極S1〜Smから
印加する。以下、同様にして、順次各走査電極に接続し
たTFTをON状態にし、画素にソース電極から書き込
み信号を印加する。
【0041】全ての走査電極から信号を送った後、続い
て、第2期間における最初のt1の時間、ゲート電極G
1から信号を送ってTFTをON状態にする。これに同
期して、ゲート電極G1に接続された画素(P1/1、
P1/2、・・・、P1/m)に消去信号電圧を、ソー
ス電極S1〜Smから印加する。次のt2の時間には、
ゲート電極G2から信号を送ってTFTをON状態に
し、これに同期して、ゲート電極G2に接続された画素
(P2/1、P2/2、・・・、P2/m)に消去信号
電圧を、ソース電極S1〜Smから印加する。以下、同
様にして、順次各走査電極に接続したTFTをON状態
にし、画素にソース電極から消去信号を印加する。
【0042】上記第1期間の走査開始から第2期間の走
査終了までの時間が1フレームである。
【0043】ここで、画素P1/1に着目すると、この
画素に印加されるゲート電圧、ソース電圧、画素に実効
的に印加される電圧およびそのときの透過光量変化は図
3に示す通りである。各フレームの第1期間においては
書き込み信号電圧に応じた透過光量が得られ、各フレー
ムの第2期間においても消去信号の印加によって透過光
量が得られている。
【0044】この理由は、本実施形態において、スメク
ティック液晶と一対の偏光板とを図4に示すような配置
にしたためである。ここでは、偏光軸を互いに直交させ
た一対の偏光板(偏光子および検光子)のうちの一方の
偏光軸を電圧無印加時におけるスメクティック液晶分子
の配向軸に合わせている。よって、書き込み信号電圧を
印加した場合には、最大透過光量が得られるようにスメ
クティック液晶分子が配向する。一方、消去信号電圧を
印加した場合には、わずかな透過光量が得られるように
スメクティック液晶分子が配向する。
【0045】本実施形態では、第1期間と第2期間とで
1フレームが構成されるので、これらの透過光量の合計
が、この画素に入力された映像信号に対応した透過光量
となる。
【0046】上記スメクティック液晶光学装置におい
て、スメクティック液晶としてカイラルスメクティック
C相(SmC*)を示す強誘電性液晶組成物を用いて、
種々の信号電圧における光学応答時間を測定した。この
ときの駆動条件は、 ゲート信号:ゲートオン時間=34μsec. ゲートオン電圧=+15V ゲートオフ電圧=−7.5V ソース信号:0V<書き込み信号電圧≦+12V −12V≦消去信号電圧<0V フレーム周波数:60Hz(16.67msec./フ
レーム) 走査線数:480本 信号線数:640本 とした。
【0047】ここでは、図5に示すように、1フレーム
の第1期間にソース電極に書き込み信号を印加し、第2
期間に消去信号を印加して、第1期間に書き込み信号電
圧印加時の光学応答(透過光量変化)の立ち上がりが1
0%から90%に達する時間を「立ち上がり時間」、第
2期間に消去信号電圧印加時の光学応答(透過光量変
化)の立ち下がりが90%から10%に達する時間を
「立ち下がり時間」として測定を行った。
【0048】そして、電圧無印加時の最暗状態を階調レ
ベル0として、8階調表示が可能なように8種類の信号
電圧を設定し、各階調の立ち上がり時間と立ち下がり時
間とを、前後のフレームの階調レベルを変化させて測定
した。その結果を下記表1および表2に示す。
【0049】
【表1】
【0050】
【表2】
【0051】上記表1および表2に示すように、本実施
形態のスメクティック液晶光学装置によれば、各階調に
おける立ち上がり時間および立ち下がり時間は、前後の
フレームの階調レベルに影響されないという結果が得ら
れた。
【0052】これは、1フレーム内で第1期間に書き込
み信号を印加して画素に書き込みを行い、その後の第2
期間で消去信号を印加して書き込み情報を消去するため
に、前後のフレームの影響を無くすことができるからで
ある。
【0053】(比較例)比較のために、上記スメクティ
ック液晶光学装置において、上述した駆動条件と同じ駆
動条件を用い、1フレームにおいて第1期間に消去信号
を印加した後、第2期間に書き込み信号を印加して、種
々の信号電圧における光学応答時間を測定した。
【0054】ここでは、図6に示すように、1フレーム
の第1期間にソース電極に消去信号を印加し、第2期間
に書き込み信号を印加して、第2期間に書き込み信号電
圧印加時の光学応答(透過光量変化)の立ち上がりが1
0%から90%に達する時間を「立ち上がり時間」、こ
れに続くフレームの第1期間に消去信号電圧印加時の光
学応答(透過光量変化)の立ち下がりが90%から10
%に達する時間を「立ち下がり時間」として測定を行っ
た。
【0055】そして、電圧無印加時の最暗状態を階調レ
ベル0として、8階調表示が可能なように8種類の信号
電圧を設定し、各階調の立ち上がり時間と立ち下がり時
間とを、前後のフレームの階調レベルを変化させて測定
した。その結果を下記表3および表4に示す。
【0056】
【表3】
【0057】
【表4】
【0058】上記表3および表4に示すように、比較例
では、各階調における立ち上がり時間および立ち下がり
時間は、後のフレームの階調レベルによって大きく変化
してしまうことが分かった。特に、後に続くフレームの
階調レベルが低く、書き込み信号電圧が低い場合には、
立ち下がり時間が大幅に増大し、または消去不十分のた
めに測定不可能になるという結果になった。これは、後
に続くフレームの階調レベルが低いと、第1期間に印加
される消去信号が低電圧になってしまうため、十分に消
去できないためである。
【0059】なお、上記実施形態では、消去信号の電圧
波高値と書き込み信号の電圧波高値とを同一にしている
が、消去信号と書き込み信号の電圧波高値を異ならせて
信号印加期間を、書き込み信号の電圧波高値×書き込み
信号印加期間=消去信号の電圧波高値×消去信号印加期
間になるように設定してもよい。
【0060】スメクティック液晶が双安定性を有する場
合、液晶分子と偏光子の配置は図7に示すような配置に
なり、基本的にスメクティック液晶が単安定性を有する
場合と同じである。また、液晶に印加される走査電圧、
信号電圧、画素に実効的に印加される電圧、およびその
ときの透過光量の変化は、スメクティック液晶が単安定
性を有する場合と同様に、図3に示したようになる。す
なわち、スメクティック液晶が双安定性を有する場合で
あっても、消去信号を印加することにより、必ず一方の
安定状態にリセットされるので、他方の安定状態を暗表
示に用いることはない。よって、本発明は、スメクティ
ック液晶が単安定性を有する場合であっても、双安定性
を有する場合であっても、いずれも適用可能であり、同
様の効果を有する。
【0061】さらに、本発明は、アクティブマトリクス
駆動方式だけではなく、デューティー駆動方式にも適用
可能であり、同様の効果を有する。
【0062】デューティー駆動方式の場合には、書き込
み信号および消去信号の印加方法が、アクティブマトリ
クス駆動方式の場合とは多少異なる。デューティー駆動
方式の場合、n本の走査電極とm本の信号電極とを有
し、それらの交差領域が画素となる。
【0063】まず、1フレームの第1期間における最初
のt1の時間(ラインアドレス時間)、1ライン目の走
査電極から書き込み用走査信号を送り、これに同期し
て、映像信号に対応する書き込み信号電圧を信号電極に
印加する。次のt2の時間には、2ライン目の走査電極
から書き込み用走査信号を送り、これに同期して、映像
信号に対応する書き込み信号電圧を信号電極に印加す
る。以下、同様にして、順次各走査電極に書き込み用走
査電圧を印加していき、信号電極に書き込み信号電圧を
印加する。
【0064】全ての走査電極から信号を送った後、続い
て、第2期間における最初のt1の時間(ラインアドレ
ス時間)、1ライン目の走査電極から消去用走査信号を
送り、これに同期して、映像信号に対応する消去信号電
圧を信号電極に印加する。次のt2の時間には、2ライ
ン目の走査電極から消去用走査信号を送り、これに同期
して、映像信号に対応する消去信号電圧を信号電極に印
加する。以下、同様にして、順次各走査電極に消去用走
査電圧を印加していき、信号電極に消去信号電圧を印加
する。
【0065】上記第1期間の走査開始から第2期間の走
査終了までの時間が1フレームである。
【0066】上述したように、アクティブ駆動方式では
ゲートを開けるための信号のみ必要であったが、デュー
ティー駆動方式では、走査電極にも書き込み用と消去用
の走査信号が必要となる。この書き込み用走査信号と消
去用走査信号には、例えば電圧波高値が等しく、互いに
逆極性の電圧を用いることができる。
【0067】さらに、アクティブ駆動方式では補助容量
に蓄積された電荷によって印加電圧を保持することがで
きるが、デューティー駆動方式ではラインアドレス時間
内にのみ書き込み電圧および消去電圧が印加される。
【0068】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
1フレーム期間内において、第1期間で書き込み信号を
印加した後に、第2期間で消去信号を印加することによ
り、前後のフレームの影響を無くして十分リセットする
ことができる。
【0069】書き込み情報をリセットするための消去信
号を、書き込み信号と逆極性の電圧にすることにより、
画素を素早くリセット状態にして高速動作が可能にな
る。
【0070】書き込み情報をリセットするための消去信
号の電圧波高値を、書き込み信号の電圧波高値と同一に
することにより、不純物イオンの局在化による表示の焼
き付きやスイッチング不良等の表示品位低下を防ぐこと
ができる。
【0071】「書き込み信号の電圧波高値×書き込み信
号印加期間=消去信号の電圧波高値×消去信号印加期
間」に設定することにより、表示品位低下をより効果的
に防ぐことができ、さらに、非表示期間を短くして高輝
度化を図ることもできる。
【0072】電圧無印加時のスメクティック液晶の配向
状態を最暗の表示状態に対応させると、暗表示時に光漏
れが生じないようにすることができ、さらに、明状態の
輝度を上昇させて高輝度化を図ることもできる。
【0073】スメクティック液晶として、電圧無印加時
に単一の配向状態を有し、電極印加時には印加電圧の極
性および電圧値に応じて他の配向状態に変化するものを
用いると、消去信号を印加したときのスイッチング速度
を速くすることができる。また、スメクティック液晶と
して双安定性を有するものを用いた場合にも、均一な表
示状態を得るために有効である。
【0074】書き込み信号および消去信号をアクティブ
素子を通じて印加することで、書き込み信号および消去
信号を十分な期間、安定して画素に印加することがで
き、クロストークも生じない。よって、高品位でフルカ
ラー表示が可能な液晶表示装置を作製することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態であるスメクティック液晶
光学装置の基本構造を示す断面図である。
【図2】本発明の一実施形態であるスメクティック液晶
光学装置の構成を示す等価回路図である。
【図3】本発明の一実施形態であるスメクティック液晶
光学装置について、駆動波形、液晶に印加される波形お
よび透過光量変化を示す図である。
【図4】本発明の一実施形態であるスメクティック液晶
光学装置について、スメクティック液晶の分子位置と偏
光板の配置を説明するための図である。
【図5】実施形態のスメクティック液晶光学装置につい
て、駆動波形および透過光量変化を示す図である。
【図6】比較例のスメクティック液晶光学装置につい
て、駆動波形および透過光量変化を示す図である。
【図7】本発明の他の実施形態であるスメクティック液
晶光学装置について、スメクティック液晶の分子位置と
偏光板の配置を説明するための図である。
【符号の説明】
1a、1b 基板 2 ゲート電極 3 ゲート絶縁膜 4 a−Si半導体膜 5 絶縁膜 6 ソース電極 7 ドレイン電極 8 画素電極 9a、9b 絶縁膜 10a、10b 配向膜 11 共通電極 12 スメクティック液晶 13a、13b n+a−Si膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H093 NA16 NA33 NA43 NA79 NB07 NC11 NC28 NC34 ND58 ND60 NE07 NF17 5C006 AA16 AF44 BA11 BB12 BB16 BC12 FA14 FA22 FA34 FA54 5C080 AA10 BB05 DD05 DD10 DD29 EE29 FF11 FF12 GG16 JJ02 JJ04 JJ05 JJ06

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 各々電極を設けた一対の基板間にスメク
    ティック液晶が充填され、1フレーム期間内において、
    スメクティック液晶に情報を書き込むための書き込み信
    号が印加される第1期間の後に、書き込み情報を消去す
    るための消去信号が印加される第2期間を有するスメク
    ティック液晶光学装置。
  2. 【請求項2】 前記消去信号が前記書き込み信号と逆極
    性の電圧である請求項1に記載のスメクティック液晶光
    学装置。
  3. 【請求項3】 前記消去信号の電圧波高値が前記書き込
    み信号の電圧波高値と同一である請求項1または請求項
    2に記載のスメクティック液晶光学装置。
  4. 【請求項4】 前記書き込み信号の電圧波高値×書き込
    み信号印加期間=前記消去信号の電圧波高値×消去信号
    印加期間に設定されている請求項1乃至請求項3のいず
    れかに記載のスメクティック液晶光学装置。
  5. 【請求項5】 電圧無印加時に前記スメクティック液晶
    の配向状態が最暗の表示状態に対応する請求項1乃至請
    求項4のいずれかに記載のスメクティック液晶光学装
    置。
  6. 【請求項6】 前記スメクティック液晶が電圧無印加時
    に単一の配向状態を有し、電極印加時には印加電圧の極
    性および電圧値に応じて他の配向状態に変化する請求項
    1乃至請求項5のいずれかに記載のスメクティック液晶
    光学装置。
  7. 【請求項7】 前記スメクティック液晶が双安定性を有
    する請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のスメクテ
    ィック液晶光学装置。
  8. 【請求項8】 少なくとも一方の基板上に複数のアクテ
    ィブ素子がマトリクス状に形成され、前記書き込み信号
    および前記消去信号が該アクティブ素子を通じて印加さ
    れる請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のスメクテ
    ィック液晶光学装置。
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