JP2001250990A5 - - Google Patents
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- Ｂｉ及びＳｂからなる群から選択された少なくとも１種の元素と、Ｔｅ及びＳｅからなる群から選択された少なくとも１種の元素とを含有する原料を液体急冷法により薄膜状にして、更に粉末化する第１工程と、この第１工程により得られた粉末を水素ガスにより還元する第２工程と、この第２工程により還元された粉末をホットプレス法、放電プラズマ法及び押し出し成形法からなる群から選択された１種の方法により結晶粒が粗大化しない条件で固化成形する第３工程と、を有し、結晶粒の平均粒径が５０μｍ以下、酸素含有量が１５００質量ｐｐｍ以下に規制された熱電材料を得ることを特徴とする熱電材料の製造方法。
- Ｂｉ及びＳｂからなる群から選択された少なくとも１種の元素と、Ｔｅ及びＳｅからなる群から選択された少なくとも１種の元素とを含有する原料を液体急冷法により薄膜状にして、更に粉末化する第１工程と、この第１工程により得られた粉末を真空度が１．３３Ｐａ以下になるまで真空引きした後に、水素ガス雰囲気下で、温度を２００乃至５００℃として１０乃至５０時間加熱することにより前記粉末を還元する第２工程と、この第２工程により還元された粉末をホットプレス法、放電プラズマ法及び押し出し成形法からなる群から選択された１種の方法により結晶粒が粗大化しない条件で固化成形する第３工程と、を有することを特徴とする熱電材料の製造方法。
- Ｂｉ及びＳｂからなる群から選択された少なくとも１種の元素と、Ｔｅ及びＳｅからなる群から選択された少なくとも１種の元素と、Ｉ、Ｃｌ、Ｈｇ、Ｂｒ、Ａｇ及びＣｕからなる群から選択された少なくとも１種の元素とを含有する原料を液体急冷法により薄膜状にして、更に粉末化する第１工程と、この第１工程により得られた粉末を水素ガスにより還元する第２工程と、この第２工程により還元された粉末をホットプレス法、放電プラズマ法及び押し出し成形法からなる群から選択された１種の方法により結晶粒が粗大化しない条件で固化成形する第３工程と、を有し、結晶粒の平均粒径が５０μｍ以下、酸素含有量が１５００質量ｐｐｍ以下に規制された熱電材料を得ることを特徴とする熱電材料の製造方法。
- Ｂｉ及びＳｂからなる群から選択された少なくとも１種の元素と、Ｔｅ及びＳｅからなる群から選択された少なくとも１種の元素と、Ｉ、Ｃｌ、Ｈｇ、Ｂｒ、Ａｇ及びＣｕからなる群から選択された少なくとも１種の元素とを含有する原料を液体急冷法により薄膜状にして、更に粉末化する第１工程と、この第１工程により得られた粉末を真空度が１．３３Ｐａ以下になるまで真空引きした後に、水素ガス雰囲気下で、温度を２００乃至５００℃として１０乃至５０時間加熱することにより前記粉末を還元する第２工程と、この第２工程により還元された粉末をホットプレス法、放電プラズマ法及び押し出し成形法からなる群から選択された１種の方法により結晶粒が粗大化しない条件で固化成形する第３工程と、を有することを特徴とする熱電材料の製造方法。
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