JP2001250985A - Iii族窒化物系化合物半導体素子 - Google Patents
Iii族窒化物系化合物半導体素子Info
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Abstract
る。 【構成】 透光性電極においてp型台座電極の周面と接
する部分を厚肉部とすることにより当該周面と透光性電
極との接合面積を増大させ、もってp型台座電極に印加
できる許容電流を増大する。また、当該厚肉部を採用す
ることより透光性電極と台座電極周面との間に亀裂が入
ることを未然に防止する。
Description
導体素子に関する。更に詳しくは、III族窒化物系化合
物半導体素子のp型透光性電極の改良に関する。
物系化合物半導体発光素子では、特に基板を下側にして
配置される発光素子においては、比較的抵抗の大きなp
型コンタクト層へ均一に電流を分配しもって発光層の全
域から均等な発光を得るために、当該p型コンタクト層
のほぼ全面に薄い透光性電極が形成される。このような
薄い透光性電極には直接ワイヤーボンディングができな
いため、台座電極がその上に形成される(特開平9−3
20984号公報などを参照)。
極の光透過率を高めるために当該透光性電極をより薄く
することについて検討を重ねてきた。そうしたところ、
下記の解決すべき課題を見出すに至った。即ち、上記特
許公報に記載されているように、透光性電極とp型コン
タクト層との間のオーミックコンタクトを確保しかつ透
光性電極の透光性を確保し、さらには台座電極と透光性
電極およびp型コンタクト層との密着性を確保するため
には熱処理を施すことが必要である。この熱処理を実行
すると、台座電極の材料と透光性電極の材料とが合金化
し、実質的に台座電極と透光性電極は一体化するものと
考えられる。そして、台座電極の周面が透光性電極に対
する接続面となる。ところで、III族窒化物系化合物半
導体からなるp型コンタクト層と熱処理により結合され
た透光性電極−台座電極(p型電極構造)とは、その形
成材料の線膨張係数が異なっている。金属製である後者
の線膨張係数が前者のそれより大きいので、熱処理後に
p型電極構造に引っ張り応力が生じる。そのため、台座
電極の周面と透光性電極との界面に亀裂の生じるおそれ
がある。この部分で機械的な強度が劣るからである。台
座電極に印加可能な電流(許容電流)は台座電極と透光
性電極との接触面積に比例すると考えられるので、かか
る亀裂があると、当該許容電流が小さくなる。チップサ
イズのより小型化と光の外部放出効率向上が求められる
中、台座電極にもそのサイズを小さくすることが要求さ
れている。その一方で、許容電流は現状維持かこれをよ
り大きくすることが要求されている。しかし、かかる亀
裂が発生するとこれらの要求を満足できなくなる。台座
電極と透光性電極との間の接触面積が充分でなくなるか
らである。更には、透光性電極の薄膜化を進めていった
場合、透光性電極と台座電極周面との間の接触面積も狭
くなるので、この点も許容電流の制限要因となる。
子を高温環境下においてかつこれに高い電流を印加する
ことが要求される場合がある。この場合、台座電極周面
と透光性電極との間に亀裂があると既述のとおり許容電
流が制限されるため、検査時に印加できる電流が制限さ
れ、本来求められる厳しい検査を実行できないおそれが
ある。また、検査の実行中最初に当該亀裂部分で焼きつ
きなどが発生し、発光素子の他の要素の耐久性を実質的
に検査できないという不具合も生じかねない。
p型コンタクト層と台座電極及び透光性電極からなるp
型電極構造との線膨張係数の差に起因して台座電極周面
と透光性電極との界面に亀裂が生じ、その結果両者の間
の接触面積が低下することにより上記種々の課題が生じ
ている。この発明は、本発明者らが新たに発見した上記
課題を解決するものであり、その構成は次のとおりであ
る。即ち、p型台座電極の周面と接する部分が厚肉部に
されている透光性電極を備えてなるIII族窒化物系化合
物半導体素子。
物半導体素子によれば、透光性電極のp型台座電極の周
面に接する部分が厚肉にされているので、当該厚肉部の
ないものに比べて、透光性電極と台座電極周面との接合
面の面積が大きくなる。透光性電極と台座電極周面との
接合面の面積に許容電流は比例すると考えられるので、
厚肉部の設けられた本発明の素子によれば、これに印加
できる許容電流が増大することとなる。また、当該厚肉
部があることにより、透光性電極と台座電極周面と間の
密着力(機械的強度)が強くなるので、両者の間に亀裂
が生じ難くなる。この点からも、許容電流が制限されな
くなる。
明する。図1(B)に示すように、透光性電極11は、
台座電極15の周面に接続する厚肉部13と残部である
薄肉部12とからなる。薄肉部12の膜厚及び材質は特
に限定されないが、発光素子の場合には光を透過させる
見地から金合金などの透光性材料で且つできる限りこれ
を薄くすることが好ましい。例えば、金合金の場合、薄
肉部12の膜厚は4〜40nmとすることが好ましい。
更に好ましくは、4〜30nmであり、更に更に好まし
くは4〜15nmであり、最も好ましくは4〜10nm
である。かかる薄肉部13に対して、厚肉部13はその
最も厚い部分(台座電極15に接合する部分)の膜厚を
1.5〜15倍とすることがこのましい。更に好ましく
は、1.5〜10倍であり、更に更に好ましくは2〜8
倍であり、最も好ましくは2〜6倍である。この厚肉部
13の材質は特に限定されるものではないが、台座電極
との間に強い密着力を確保するためには当該台座電極と
同種の材料とすることが好ましい。同様に、薄肉部13
との間にも強い密着力が必要であるため、薄肉部12の
材料とも同種の関係が好ましい。具体的には、薄肉部1
2が金合金からなり、台座電極15も金合金から形成さ
れるとき、厚肉部13も同様に金合金製とする。なお、
実施例では、厚肉部13と薄肉部12はともにコバルト
−金合金製としている。
をボンディングが可能であればその形状は特に限定され
ない。なお、より大きな許容電流が流れるように、台座
電極15はその周面に凹凸部を形成することが好まし
い。
る。この場合、台座電極45は、図4に示すように、導
電性ワイヤがボンディングされる基部46とその周囲の
凹凸部47とから構成される。図面上では、基部46と
凹凸部47との境界に点線を附したが、両者の境界は明
確に定められるものではない。例えば、凹凸部47の外
方先端部を結んだ仮想線(二点鎖線)で基部46が規定
されるものとし、当該基部に凹部を設けることにより、
結果的に台座電極45の周面に凹凸部が形成されるとみ
ることもできる。要するに、基部46は導電性ワイヤを
ボンディングするのに充分な面積を有するものであれ
ば、その形状は特に問われない。図5に示すように、正
方形の基部56としてもよい。その他の多角形、楕円形
などを採用できる。台座電極45の側面の凹凸部47の
形状は、台座電極のマスクパターンにより規定される。
したがって、凹凸部47は台座電極45の周方向に凹凸
しており、一方台座電極45の高さ方向からみると凹凸
部分が存在しない。台座電極45の周面の凹凸部47は
当該周面の面積を極大化することにより、透光性電極と
の接触面積を稼ごうというものである。したがって、台
座電極の基部46から補助電極を伸ばしこの補助電極を
用いてp型半導体層へ電流を均等に注入しようとする発
明(例えば、特開平8−340131号公報、特開平1
0−275934号公報及び特開平10−117017
号公報など参照)とは、目的並びに作用の点で異なって
いる。凹凸の形状は任意に選択できる。図4は格子によ
り円を近似したものである。例えば3μmの格子により
直径100μmの円を近似したとき、その円周の長さは
100μm×4となる。一方、凹凸のない直径100μ
mの円周の長さは100μm×3.14であり、前者の
方がほぼ27%長くなる。これにより、台座電極と透光
性電極との界面に亀裂が入ったとしても、当該界面の単
位長さ当たりに入る亀裂の割合が一定であれば、界面の
広がった分だけ台座電極と透光性電極との間の接触面積
が広くなっている。したがって、単純計算で、円形であ
った従来品とくらべて本発明の台座電極によれば、許容
電流が27%大きくなることとなる。若しくは、直径を
27%小さくしても、従来品と同程度の許容電流を確保
できる。図5の例では、平面視正方形の凹凸部57を設
けたものである。この場合、台座電極55の周面は、凹
凸部57の無いもの比べてその面積が約2倍となる。し
たがって、透光性電極に対する接触面積が約2倍とな
り、計算上では許容電流が約2倍になる。台座電極の周
面に形成される凹凸部形状の他の例を図6に示す。図6
(A)に示す凹凸部61の例はノコギリ歯形状であり、
図6(B)に示す凹凸部62の例はサインカーブであ
る。図6(C)及び図6(D)に示す凹凸部63、64
の例はフック形状である。凹凸部は台座電極と透光性電
極との接触面積を極大化するためのものであるが、凹凸
の振幅があまりにも大きいと、即ち凸部分が大きすぎる
と透光性電極を透過した光が当該凸部分に遮蔽されるこ
ととなるので好ましくない。そこで、凹凸の振幅、即ち
図5に示すように、台座電極の中心から凸部分の先端ま
での距離L1と当該中心から凸部に隣合う凹部の底まで
の距離L2の差は2〜40μmとすることが好ましい。
さらに好ましくは、2〜30μmであり、さらにさらに
好ましくは2〜15μmであり、最も好ましくは3〜1
0μmである。
凹凸部は、これと同じ目的及び作用から、図1の厚肉部
材料層3及び図3の厚肉部材料層33の各外周面にも形
成することが好ましい。厚肉部材料層に設けられるべき
凹凸部の設計思想は台座電極のそれと同じである。
しい。即ち、台座電極45(図4)は全体として円錐台
形状であり、台座電極55(図5)は全体として四角錐
台形状である。台座電極の周面をテ−パ状としておくこ
とにより、台座電極及び透光性電極の表面に形成される
保護膜(SiO2膜)を当該テ−パ状部にもほぼ設計膜
厚通りに形成することが可能になる。
形成材料は特に限定されるものではないが、発光素子の
場合は、図1(A)に示すように、下側から第1電極層
としてCo層及び第2電極層としてAu層を順次積層し
て透光性電極材料層1を構成し、これを加熱して合金化
することにより透光性電極11を形成することが好まし
い。第1電極層の構成元素は第2電極層の構成元素より
もイオン化ポテンシャルが低い元素であり、第2電極層
の構成元素は半導体に対するオーミック性が第1電極層
の構成元素よりも良好な元素とするのが望ましい。p型
コンタクト層と合金を形成するために、この電極層に対
しても熱処理が施されるが、その熱処理により、半導体
の表面から深さ方向の元素分布は、第2電極層の構成元
素の方が第1電極層の構成元素よりも深く浸透した分布
となる。即ち、電極層の元素分布が電極層の形成時の分
布に対して反転している。電極層の形成後には、上側に
形成した第2電極層の構成元素の方が下側になり、下側
に形成した第1電極層の構成元素の方が上側に存在す
る。望ましくは、第1電極層の構成元素は、ニッケル(N
i)、コバルト(Co)、鉄(Fe)、銅(Cu)、クロム(Cr)、タン
タル(Ta)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、アルミニウ
ム(Al)、銀(Ag)のうち少なくとも一種の元素であり、そ
の膜厚は0.5〜15nmとする。第2電極層の構成元
素は、パラジウム(Pd)、金(Au)、イリジウム(Ir)、白金
(Pt)のうち少なくとも1種の元素であり、その膜厚は
3.5〜25nmとする。更に望ましくは、第1電極層
の構成元素はCo又はNiであり、第2電極層の構成元素は
Auである。この場合には、熱処理により、半導体の表面
から深さ方向の元素分布は、Co又はNiよりもAuが深く浸
透した分布となる。最も好ましくは、第1電極層をCoと
する。
ではないが、発光素子に適用する場合は例えば、図1
(A)に示すように下側から第1金属層としてV層、第
2金属層としてAu層及び第3金属層としてAl層を順
次積層して台座電極材料層5を構成し、これを加熱して
台座電極15とを形成することが好ましい第1金属層は
その下の層と強固に結合できるように、第2の金属層よ
りもイオン化ポテンシャルが低い元素とする。第2金属
層はAl又はAuとのボンディング性が良好で、かつ透
光性電極と反応しない元素とし、第3金属層は保護膜と
強固に結合できる元素とすることが好ましい。望ましく
は、第1金属層の構成元素は、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、
銅(Cu)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、バナジウム(V)、
マンガン(Mn)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)コバルト(Co)
のうち少なくとも一種の元素であり、その膜厚は5〜3
00nmである。望ましくは、第3金属層の構成元素
は、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)のう
ち少なくとも一種の元素であり、その膜厚は1〜30n
mである。望ましくは、第2金属層の構成元素は金(Au)
であり、その膜厚は300〜5000nmである。
透光性電極材料層1の上に形成されるリング状の厚肉部
材料層3が加熱されて形成される。厚肉部材料層3の形
成材料は加熱により台座電極15の材料及び薄肉部12
の材料と充分な密着力が得られるものであれば特に限定
されない。例えば厚肉部材料層3を、ニッケル(Ni)、コ
バルト(Co)、鉄(Fe)、銅(Cu)、クロム(Cr)、タンタル(T
a)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、アルミニウム(A
l)、銀(Ag)のうち少なくとも一種の元素からなる第1層
と、パラジウム(Pd)、金(Au)、イリジウム(Ir)、白金(P
t)のうち少なくとも1種の元素からなる第2層とから形
成することができる。発光素子の場合、透光性電極及び
台座電極はともに金合金製とされる場合が多いので、こ
の厚肉部材料層3も金合金製とすることが好ましい。実
施例では透光性電極材料層1と同種のコバルト−金合金
で厚肉部材料層3を形成している。
下縁の径より大きいものとし、当該下縁よりはみ出した
部分が透光性電極11の厚肉部となる。したがって、厚
肉部材料層の膜厚は、厚肉部13に要求される膜厚に対
応して設計される。より具体的には、透光性電極材料層
1の膜厚に対して厚肉部材料層3の膜厚を0.5〜14
倍とすることが好ましい。更に好ましくは、0.5〜9
倍であり、更に更に好ましくは1〜7倍であり、最も好
ましくは1〜5倍である。また、厚肉部材料層3の外形
寸法も厚肉部13に要求される幅に応じて設計される。
厚肉部材料層3において台座電極材料層1の下縁より外
側にある部分の幅Wは1〜30μmとすることが好まし
い。更に好ましくは2〜20μmであり、更に更に好ま
しくは2〜15μmであり、最も好ましくは3〜10μ
mである。厚肉部13では光の透過性が劣るので、この
幅Wが30μmを超えると発光素子の光放出効率を低下
させるおそれがある。また、厚肉部13は、図1(A)
に示すとおり、加熱により台座電極15の周面と透光性
電極11の薄肉部12とを滑らかに繋ぐものであるが、
この幅Wが1μmより小さくなると、薄肉部12と厚肉
部13との間での繋ぎが急峻となり、両者の界面の機械
的強度が充分でなくなるおそれがある。この幅Wは台座
電極材料層1の全周に渡って均一であることが好まし
い。そのためには、厚肉部材料層3と台座電極材料層5
の中心が、図2(A)に示すように、一致していること
が好ましい。図2(B)は正方形の台座電極材料層25
の例を示している。図中の符号23は厚肉部材料層であ
る。また、図3に示すように、平板状の厚肉部材料層3
3を用いることもできる。台座電極材料層35はこの厚
肉部材料層33の上に、その中心を一致させて形成され
ることとなる。
台座電極材料層5は熱処理時に合金化される。熱処理は
酸素を含むガス中において行うことが好ましい。このと
き、酸素を含むガスとしては、O2、O3、CO、CO2、NO、N
2O、NO2、又は、H2Oの少なくとも1種又はこれらの混合
ガスを用いることができる。又は、O2、O3、CO、CO2、N
O、N2O、NO2、又は、H2Oの少なくとも1種と不活性ガス
との混合ガス、又は、O2、O3、CO、CO2、NO、N2O、N
O2、又は、H2Oの混合ガスと不活性ガスとの混合ガスを
用いることができる。要するに酸素を含むガスは、酸素
原子、酸素原子を有する分子のガスの意味である。熱処
理時の雰囲気の圧力は、熱処理温度において、III族窒
化物系化合物半導体が熱分解しない圧力以上であれば良
い。酸素を含むガスは、O2ガスだけを用いた場合には、
III族窒化物系化合物半導体の分解圧以上の圧力で導入
すれば良く、他の不活性ガスと混合した状態で用いた場
合には、全ガスをIII族窒化物系化合物半導体の分解圧
以上の圧力とし、O2ガスは全ガスに対して10-6程度以
上の割合を有しておれば十分である。要するに、酸素を
含むガスは極微量存在すれば十分である。尚、酸素を含
むガスの導入量の上限値は、p型低抵抗化及び電極合金
化の特性からは、特に、制限されるものではない。要
は、製造が可能である範囲まで使用できる。熱処理に関
しては、最も望ましくは、500〜600℃である。5
00℃以上の温度で、抵抗率が完全に飽和した低抵抗の
p型III族窒化物系化合物半導体を得ることができる。
又、600℃以下の温度において、電極の合金化処理を
良好に行うことができる。又、望ましい温度範囲は45
0〜650℃である。台座電極、透光性電極の形成材料
及び熱処理条件については、特開平9−320984号
公報、特開平10−209493号公報を参照された
い。
物半導体は一般式としてAlXGa YIn1−X−YN
(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)で表さ
れ、AlN、GaN及びInNのいわゆる2元系、Al
xGa1−xN、AlxIn1 −xN及びGaxIn
1−xN(以上において0≦x≦1)のいわゆる3元系
を包含する。III族元素の一部をボロン(B)、タリウ
ム(Tl)等で置換しても良く、また、窒素(N)の一
部もリン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、
ビスマス(Bi)等で置換できる。III族窒化物系化合
物半導体層は任意のドーパントを含むものであっても良
い。n型不純物として、Si、Ge、Se、Te、C等
を用いることができる。p型不純物として、Mg、Z
n、Be、Ca、Sr、Ba等を用いることができる。
なお、p型不純物をドープした後にIII族窒化物系化合
物半導体を電子線照射、プラズマ照射若しくは炉による
加熱にさらすことも可能である。III族窒化物系化合物
半導体層の形成方法は特に限定されないが、有機金属気
相成長法(MOCVD法)のほか、周知の分子線結晶成
長法(MBE法)、ハライド気相成長法(HVPE
法)、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャ
ワー法等によっても形成することができる。ここにIII
族窒化物系化合物半導体素子には、発光ダイオード、受
光ダイオード、レーザダイオード、太陽電池等の光素子
の他、整流器、サイリスタ及びトランジスタ等のバイポ
ーラ素子、FET等のユニポーラ素子並びにマイクロウ
ェーブ素子などの電子デバイスを挙げられる。また、こ
れらの素子の中間体としての積層体にも本発明は適用さ
れるものである。なお、発光素子の構成としては、MI
S接合、PIN接合やpn接合を有したホモ構造、ヘテ
ロ構造若しくはダブルへテロ構造のものを用いることが
できる。発光層として量子井戸構造(単一量子井戸構造
若しくは多重量子井戸構造)を採用することもできる。
実施例は発光ダイオード80であり、その構成を図7に
示す。
子濃度n-層とバッファ層82側の高電子濃度n+層と
からなる2層構造とすることができる。後者はn型コン
タクト層と呼ばれる。発光層84は超格子構造のものに
限定されない。発光素子の構成としてはシングルへテロ
型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものなどを用いる
ことができる。発光層84とp型クラッド層85との間
にマグネシウム等のアクセプタをドープしたバンドギャ
ップの広いIII族窒化物系化合物半導体層を介在させる
こともできる。これは発光層84中に注入された電子が
p型クラッド層85に拡散するのを防止するためであ
る。p型クラッド層85を発光層84側の低ホール濃度
p−層と電極側の高ホール濃度p+層とからなる2層構
造とすることができる。後者はp型コンタクト層と呼ば
れる。上記構成の発光ダイオードにおいて、各III族窒
化物系化合物半導体層は一般的な条件でMOCVDを実
行して形成する。
5、活性層84及びn型クラッド層83の一部を反応性
イオンエッチングにより除去し、n型台座電極94を形
成すべきn型クラッド層83を表出させる。
及び台座電極材料層93、94はリフトオフ法により形
成される。半導体層表面にフォトレジストを一様に塗布
して、フォトリソグラフィにより、p型クラッド層85
上の電極形成部分のフォトレジストを除去して、その部
分のp型クラッド層85を露出させる。蒸着装置にて、
露出させたp型クラッド層85の上に、Co層(1.5
nm)とAu層(6.0nm)を順次積層して透光性電
極材料層91とする。
(3.0nm)とAu層(6.0nm)が順次積層され
てなる厚肉部材料層92を形成する。なお、この厚肉部
材料層92は円環形状である。次に、同様なリフトオフ
法により、V層(17.5nm)、Au層(1.5μ
m)及びAl層(10nm)を順次積層してp型台座電
極材料層93を形成する。このとき用いるマスクの開口
部周縁には凹凸を形成することが好ましい。バナジウム
及びアルミニウムからなるn型台座電極材料層94も同
様にして形成される。
入れ、炉内を1Pa以下にまで排気し、その後10数P
aまでO2を供給する。そして、その状態で炉の温度を
550℃に設定して、4分間程度、熱処理する。これに
より、図1及び図3に示すように、透光性電極材料層9
1、厚肉部材料層92及び台座電極材料層33はそれぞ
れの材料が合金化されるとともに、相互に結合してp型
電極構造となる。本発明者らの検討によれば、p型台座
電極の直下において電流はp型クラッド層へほとんど注
入されていない。これは、p型台座電極の直下において
透光性電極を構成するAu/Co蒸着層に上述したよう
な分布の反転が生じないためにコンタクト抵抗が比較的
高くなっているためであると予想される。したがって、
p型台座電極の周面と透光性電極との界面が両者の有効
な電気的接続面となる。即ち、p型台座電極に印加され
た電流はその周面より透光性電極の厚肉部へ流れ、さら
にここから薄肉部の全面に拡散されてp型半導体層の全
面へ均等に注入される。
の表面に二酸化シリコンからなる保護膜が蒸着により形
成される。保護膜は透光性でかつ絶縁性を備えておれば
よく、SiO2のほかに、TiO2、Al2O3、Si
3N4などを用いることができる。保護膜をスパッタ或
いはCVDにより形成することもできる。
施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の
範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲
で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
透光性電極であって、p型台座電極の周面と接する部分
が厚肉部とされている、ことを特徴とする透光性電極。 12 前記厚肉部は前記透光性電極の残部と異なる材料
からなる、ことを特徴とする11に記載の透光性電極。 13 コバルト−金合金からなる、ことを特徴とする1
1又は12に記載の透光性電極。 14 前記残部の膜厚は4〜40nmであり、前記厚肉
部の膜厚は当該残部の膜厚の1.5〜15倍である、こ
とを特徴とする13に記載の透光性電極。 15 前記厚肉部の幅は1〜30μmである、ことを特
徴とする11〜14のいずれかに記載の透光性電極。 21 III族窒化物系化合物半導体素子においてp型半
導体層の上に形成される透光性電極と台座電極とからな
るp型電極構造であって、台座電極の周面と接する前記
透光性電極の部分が厚肉部とされている、ことを特徴と
するp型電極構造。 22 前記透光性電極の前記厚肉部は前記透光性電極の
残部と異なる材料からなる、ことを特徴とする21に記
載のp型電極構造。 23 前記透光性電極はコバルト−金合金からなる、こ
とを特徴とする21又は22に記載のp型電極構造。 24 前記透光性電極の前記残部の膜厚は4〜40nm
であり、前記厚肉部の膜厚は当該残部の膜厚の1.5〜
15倍である、ことを特徴とする23に記載のp型電極
構造。 25 前記厚肉部の幅は1〜30μmである、ことを特
徴とする21〜24のいずれかに記載のp型電極構造。 26 前記台座電極の周面に凹凸部が形成されている、
ことを特徴とする21〜25のいずれかに記載のp型電
極構造。 36 透光性電極材料層の上に厚肉部材料層を形成し、
該厚肉部材料層の上に当該厚肉部材料層より狭い径のp
型台座電極材料層を形成する、ことを特徴とするIII族
窒化物系化合物半導体素子におけるp型電極構造の製造
方法。 37 前記厚肉部材料層は前記透光性電極材料層と実質
的に同一の材料からなる、ことを特徴とする36に記載
の製造方法。 38 前記厚肉部材料層の中心と前記p型台座電極材料
層の中心とが一致している、ことを特徴とする36又は
37に記載の製造方法。 39 前記厚肉部材料層は環状であり、前記p型台座電
極材料層の周縁は当該環状厚肉部材料層の上に位置す
る、ことを特徴とする36〜38のいずれかに記載の製
造方法。
造の製造方法を示す。
図である。
を示す。
図である。
図である。
構成を示す。
を示す。
Claims (10)
- 【請求項1】 p型台座電極の周面と接する部分が厚肉
部にされている透光性電極を備えてなるIII族窒化物系
化合物半導体素子。 - 【請求項2】 前記透光性電極の前記厚肉部は前記透光
性電極の残部と異なる材料からなる、ことを特徴とする
請求項1に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 - 【請求項3】 前記透光性電極はコバルト−金合金から
なる、ことを特徴とする請求項1又は2に記載のIII族
窒化物系化合物半導体素子。 - 【請求項4】 前記透光性電極の前記残部の膜厚は4〜
40nmであり、前記厚肉部の膜厚は当該残部の膜厚の
1.5〜15倍である、ことを特徴とする請求項3に記
載のIII族窒化物系化合物半導体素子。 - 【請求項5】 前記厚肉部の幅は1〜30μmである、
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のIII
族窒化物系化合物半導体素子。 - 【請求項6】 発光素子若しくは受光素子の構造を有す
る、ことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の
III族窒化物系化合物半導体素子。 - 【請求項7】 p型半導体層の上に透光性電極材料層を
形成し、該透光性電極材料層の上に厚肉部材料層を形成
し、該厚肉部材料層の上に当該厚肉部材料層より狭い径
のp型台座電極材料層を形成する、ことを特徴とするII
I族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。 - 【請求項8】 前記厚肉部材料層は前記透光性電極材料
層と実質的に同一の材料からなる、ことを特徴とする請
求項6に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造
方法。 - 【請求項9】 前記厚肉部材料層の中心と前記p型台座
電極材料層の中心とが一致している、ことを特徴とする
請求項6又は7に記載のIII族窒化物系化合物半導体素
子の製造方法。 - 【請求項10】 前記厚肉部材料層は環状であり、前記
p型台座電極材料層の周縁は当該環状厚肉部材料層の上
に位置する、ことを特徴とする請求項6〜8のいずれか
に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
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